JPH09509494A - 粒子の検出および画像化の為の方法と装置 - Google Patents

粒子の検出および画像化の為の方法と装置

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JPH09509494A JP7522366A JP52236695A JPH09509494A JP H09509494 A JPH09509494 A JP H09509494A JP 7522366 A JP7522366 A JP 7522366A JP 52236695 A JP52236695 A JP 52236695A JP H09509494 A JPH09509494 A JP H09509494A
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エッガーズ・ミッチェル・ディー
ホーガン・ミッチェル・イー
エーリック・ダニエル・ジェー
ホリス・マーク・エー
コシキ・バーナード・ビー
レイヒ・ロバート
バーケ・バリィ・イー
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Baylor College of Medicine
Massachusetts Institute of Technology
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Baylor College of Medicine
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2928Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors

Abstract

(57)【要約】 検出された粒子の空間分布の大きなフォーマットの高解像度のデジタル画像を形成して、放射源からの粒子放射を超高感度で検出し定量化するための方法および装置について記述する。第1の実施例では、検出装置は、放射源と検出器の間にレンズを必要とせず、比較的大きなフォーマットのデジタル画像を形成するために、ある程度放射源に近接して配置される荷電結合素子のアレーのような、複数のソリッドステート画像化装置からなる。

Description

【発明の詳細な説明】 粒子の検出および画像化の為の方法と装置 発明の背景 本発明は、診療の外、例えば分子の画像化のような科学的な分野に直接用いる ことが出来る。診療に関しては、従来のX線写真技術をコンピュータトモグラフ ィ(CT)および磁気共鳴画像化(MRI)のようなディジタルイメージングシ ステムにより置き換えようとする今までの試みには、極めて高い検出感度が必要 とされる為に、或る程度の限界があった。CTおよびMRIディジタル画像化技 術の出現によってさえ、診療に於ける画像診断の症例の90%以上は、従来のX 線写真術によっても可能であったと推定されている。従って、医療上の放射線学 に於いては、感度を高める為の必要性が生まれることになる,何故ならば、内臓 の運動によるブレを防止し(通常1/100秒以下),また放射線被曝に伴う危険を 抑制する為に、患者に対して許される画像化時間は極めて短時間にならざるを得 ないからである。 感度の向上はまた、X線結晶学,電子顕微鏡技術および標識化された分子の画 像化のような科学的な分野に於いて見い出すことの出来る多くの利点を提供する 。感度の向上により、複雑な分子構造も従来のシンチレーションカウンティング よりも遥かに迅速にX線回析画像化により分析されることが可能となる。更に感 度の向上することにより、必要な線源の強さは大幅に低下し、これにより電子ビ ームによりサンプルを損なうことなしに透過電子顕微鏡技術が可能となる。即ち 、有機物結晶およびバイオポリマは、電子顕微鏡技術により分析されている間に 破壊されることがなく、従って電子顕微鏡の理論上の解像度を実用上利用するこ とが出来る。 分子の画像化では、試片中の一つ又は以上の分子の構造を迅速に検出し、そし て定量化することがしばしば必要となる。分子構造は通常、細胞,抗体および抗 抗体のような配位子を含む。配位子は、特定の受容器 により受け入れられる分子である。配位子には、下記に限定されることはないが 、細胞膜受容体に対する作用物質および拮抗物質,毒素,毒物,少糖類,蛋白質 ,バクテリアおよびモノクロナール抗体が含まれることが可能である。例えば、 DNAまたはRNA塩基配列分析は、発生学上および疫病上の診断,毒物学的テ スト,発生学的研究,農業および製薬上の開発に極めて有用である。同様に細胞 および抗体検出は、疾病の診断上重要である。 A.ゲル電気泳動 このような多くの分子構造の分析は、しばしばゲル電気泳動によって行われる ;これにより蛋白および核酸のような生物分子は、1)電荷極性を本質的に備え ているサンプルを適切なゲルに配列し,2)ゲル中に間隔を隔てた電極対間に電 気ポテンシャルを印加し、および3)サンプルの電荷を持つ分子成分を印加され た電界の影響下で、ゲルを通って移動させることにより分離される。分離は分子 成分の示す移行速度の差異により簡単に行われる。分離されるとサンプル内の分 子成分は、標識化された分子成分から発せられる電荷を持つ粒子を検出して定量 化することにより、識別されることが出来る。 B.オートラジオグラフィ このような分子サンプルの空間粒子放射分布を検出し、そして定量化する為の 幾つかの画像化手順が開発された。最も古くから用いられている画像技術は、オ ートラジオグラフィであり、これによると、構成分子は32Pおよび35Sのような 放射性同位元素のタグにより標識化され、次に写真フィルムを感光させる。オー トラジオグラフィは、比較的大きいフォーマット領域に中程度の解像度を持つ画 像を作り出すことが出来るが、これには幾つかの短所が伴う。β粒子に対して写 真フィルムの感度が比較的低い為に、露出に必要な時間は何時間から何日単位に 及ぶ。露 出時間は、増感スクリーンを用いることにより加速されるが、然しこれにより空 間解像度は大幅に低下する。オートラジオグラフィに対する典型的な空間解像度 は、1から10ミリメートルのオーダである。更に得られた写真画像は、オート メーションの為にディジタルスキャナで読み取られねばならない。 C.ガス相イオン化β粒子検出 ガス相イオン化β検出は、下記の特許により開示された放射性標識化された分 子の画像化の為の別の手順である; [1]Bolon,放射性核種を発射する電荷を持つ粒子の表面分布を測定する為の プロセス、および装置,米国特許番号:4,670,656, 1987年6月2日,(本文中 には参照により挿入されている)。 この技法では、β粒子は2つの異なった相に於いて検出され、そしてβ線の放 射源は、検出板からβ線源までの逆伝播により算出される。β粒子は、表面の水 平面からあらゆる角度で放射されるから、逆伝播はブレ効果を生じ、これが解像 度を制限し、そして検出器とサンプルとの間の距離に対する依存性を生み出す。 この場合には、空間解像度は0.1から1ミリメートルのオーダ(フィルムより 10倍良好)であり、また定量化されたディジタル画像を提供する。感度はフィ ルムより約10から100倍高く、またフィルムより少なくとも10倍の速さで 定量的ディジタル画像が得られる(何分から何時間のオーダ)。 D.ストレージ蛍光スクリーンテクノロジー 放射性標識を持つ分子の定量的な検出および画像化の別の方法は、ストレージ 蛍光スクリーンテクノロジー又は蛍光イメージャーである。この場合には燐のス クリーンは、放射性標識を施されたサンプルに対して露出される時に、準安定状 態下でセットされる。露出後にスクリーンは、燐をレーザにより励起し、そして 電子が基本状態に戻る時に放射され る光子を画像化することにより読み取られる。強力な32Pおよび弱い(14Cおよ び35S)β粒子の両者が画像化されることが出来る。空間解像度および感度は、 ガス相β検出器と同等であり多くの利点をもたらす。先ず同位元素の走査の数を 制限する変数は、イメージャープレートの数である。つまり多くのサンプルを、 多数のイメージングプレート上に置くことが出来る。β粒子放射に対するストレ ージ蛍光マトリックスの露出に必要な時間(何十分から何時間のオーダ)に比較 して、読み取りプロセスは極めて短い(約5分)である為に装置は効率的に利用 できる。第2に、低エネルギーのβ粒子の定量化は、蛍光イメージャーにとって 有利である。トリチウム(3H)は、蛍光イメージャーに画像化されることが出 来るが、然しこの場合には、イメージングプレートは再利用することが出来ない 。従って、3Hを蛍光イメージャーで検出することは極めて高くつく。別の短所 は、光学的な自己減衰であり、そしてこの現象はスクリーンの厚みの関数である 。 E.蛍光検出システム 放射性標識を用いた上記の検出および画像化法の短所を改善する為に、幾つか の蛍光検出システムが開発された。この場合には、放射帯域の識別の可能な蛍光 染料により、分子成分は標識化される。例えば、DNAの配列を定めるには4つ のディデオキシシーケンシング反応の各々を標識化する為に、4つの蛍光物質が 用いられる。ゲル電気泳動法に従ってサンプルはレーザにより照射され、そして 画像は光増殖管(PMT)により得られた信号から作り出される。識別の可能な 構成分子に対応する波長の選択性は、PMTの正面に在る帯域相フィルタの位置 決めにより得られる。1回に幾つかのサンプルを多重化することにより更に自動 化することも可能であり、またApplied Bio-systems,Inc.DNA塩基配列の特 徴であるベースの呼び出しを、コンピュータアルゴリズムにより自動化すること も可能である。 最近には、下記に挙げた特許(本文中には参照により挿入されている)に記載 されたように、ゲル電気泳動に組み合わされた荷電結合素子(CCD)カメラを 用いた幾つかの蛍光検出および画像化技術が開示された: [2]Mackay,荷電結合素子を用いた電気泳動によるサンプルの分析,米国特許 番号:4,874,492,1989年10月17日 [3]Yamamotoおよびその他,発生学的物質の為の電気泳動パターン分析,米国 特許番号:5,061,067,1991年10月29日 [4]Pentoney,Jr.およびその他,毛細管中の放射性同位元素による標識化さ れた成分の検出,米国特許番号:5,143,850,1992年9月1日 何れの場合に於いても、冷却されたCCDカメラが、ゲル中の蛍光的にタグを 施された構成分子を画像化する為に用いられる。CCDを用いる検出および定量 的画像化アプローチの持つ利点は次の通りである:1)突然変異を誘発する放射 性標識の回避,2)高い感度(PMTに比較して),3)短い露出時間(秒単位 ),4)広いダイナミックレンジにわたりレスポンスは線型的である(5桁の大 きさ),5)ノイズの少ないこと,6)高い量子効率,および7)データが迅速 に得られる(メガピクセル/秒)。 下記のものを含む(本文には参照により挿入されている)電気泳動の用途に対 するCCDカメラの用法を記載する幾つかの文献が発表された: [5]P.Jackson,V.E.Urwin,C.D.Mackey,Flurophore 2-Methoxy-2,4-Diphe nyl-3(2H)Furanoneを用い、First Dimensional Isoelectric Focusing Gelsに 於いて蛋白質の標識により作り出されるFluorescent Two-Dimensional Polyacry lamide Gelsの冷却された荷電結合素子を用いた迅速画像化,Electrophoresis 9 (7),330-339,1988。 [6]K.C.Chan,L.B.Koutny,およびE.S.Yeung,荷電結合素子画像化システム を用いたUV吸収によるゲル電気泳動でのDNAのオンライン 検出,Anal.Chem.,63,746-750,1991。 この場合にはゲルは、UVレーザにより照射され、そしてDNA成分の吸収はオ ンライン検出および画像化を可能にするCCDカメラによりディジタル的に記録 される, [7]D.A.McGregorおよびE.S.Yeung,リアルタイムモニタリングによるパルス 化された場に於けるゲル電気泳動の相互作用的制御,Anal.Chem.,64,1-6,19 92。 この場合には、パルス化された場でのゲル電気泳動に対してCCDカメラが用い られ、そしてこの場合に電界は相互作用的に交番することにより、DNA断片は ゲルの中で従来の電気泳動に比較して約10倍速くスネーク運動を行う, [8]Y.F.Cheng,R.D.Piccard,およびT.Vo-Dinh,Appl.Spectrose 44:755-76 5,1990。 [9]J.V.Sweedler,J.B.Shear,H.A.Fishman,R.N.ZareおよびR.H.Scheller, 時間遅延積分を伴う荷電結合素子を用いた毛細管領域電気泳動に於ける蛍光検出 ,Anal Chem.,63,496-502,1991。 [10]A.J.Kostichka,M.L.Marchabanks,R.L.Brumley,Jr.,H.Drossmanおよび L.M.Smith,極薄スラブゲルに於ける高速自動DNA塩基配列決定,Biotechnol ogy,10:78-81,1992。 [11]A.E.Karger,J.M.HarrisおよびR.F.Gesteland,毛細管電気泳動を用いた DNA塩基配列決定に対する多重波長蛍光検出,Nuc.Acids Res.,19:4955-496 2,1991。 この中では、CCDカメラの存在が毛細管ゲル電気泳動の用途に記載されており 、またこの場合に極めて細い融合したシリコン毛細管が変性されたポリアクリル アミドゲルを充填されており、そしてこれが小径の毛細管の持つ効率的な伝熱性 の故に、充分大きい電界をもたらすことが出来る。従ってゲル内の分子の速い分 子運動(移動は26倍速い),複数波長の蛍光物質およびオンライン平行CCD カメラ画像化の組み合わせ 効果の故に、能力は大きさの桁数だけ向上する。またフィルタホイールのように 作動する部品が必要とされない,何故ならばCCDカメラ画像化の為の識別し得 る放射帯域を作り出すのにウエッジプリズムアセンブリが用いられるからである 。或は上記に代わり、多重波長放射は、バンドパスフィルタを用いることなく状 態番号を計算することにより判別することが可能である。 以上を総合した場合には、これらのCCDカメラをベースとした分子サンプル からの粒子放射の検出および定量的画像化の為のアプローチは、オートラジオグ ラフィ,ガス相イオン化β検出,蛍光画像化およびPMT蛍光検出の持つ制約の 多くを回避することが出来る。然しサンプル(放射源)から検出器までの長い焦 点距離(約75cm)を持つCCD技術に特有の低いコレクション効率,CCD暗電 流を抑制するのに必要な低温技術および長い焦点距離の為に必要な光学レンズの コストを含む制約が尚存在する。 F.CCDのレンズをベースとする文書画像化 文書を画像化する為に、光学レンズを利用したCCDテクノロジーは、下記の 特許(この中に参照されることにより挿入されている)に開示されているように 、記載され、そして従来の文書スキャナ,複写器およびファクシミリ器に用いら れている: [12]Suzuki,画像読取装置,米国特許番号:4,772,958,1988年9月20日。 [13]Suzuki,画像読取器,米国特許番号:4,675,745,1987年6月23日。 [14]Hirota,多数のラインイメージセンサチップを持つ画像読取装置,米国特 許番号:5,003,380,1991年3月26日。 [15]III Hornbakerおよびその他,マルチプルCCDアレーを用いる走査装置 およびその方法,米国特許番号:5,144,448,1992年9月1日 。 [16]Suzukiおよびその他,多数のCCDsを用いた画像読取装置,米国特許番 号:4,849,820,1989年7月18日。 [17]Suzukiおよびその他,多数のCCDsを用いた画像読取装置,米国特許番 号:4,774,592,1988年9月27日。 これらのレンズを用いるCCDアプローチは、しばしば大きいフォーマットの 画像化センサを用いるが、これらは放射性同位元素,化学発光または蛍光により 標識化された分子サンプルから放射された電荷を持つ粒子の画像化には使用する ことが出来ない。 発明の概要 本発明は、比較的大きなフォーマットのサンプルからの粒子放射の空間分布の 高解像度ディジタル画像を最低の必要時間とコストを以って作り出す超高感度検 出,定量画像化および分光分析の方法および装置を提供する。 装置は、CCDsアレー,電荷注入装置(CIDs),フォトダイオードアレ ー,アモルファスシリコンセンサ等の多数のソリッドステート画像化装置を用い たレンズを使用しない画像化アレーを以って構成される。アレーはサンプルに近 接して設置され、そしてそのサイズは画像化される可きサンプルの面積と同等で ある。この方法によれば、サンプルの放射または吸収の空間分布の比較的大きい フォーマットのディジタル画像が、サンプルと画像化アレーとの間に一つ又は以 上のレンズを使用することを必要とされずに作り出すことが出来る。装置は、1 )高い感度(写真フィルムよりも103から104倍,ガス相イオン化検出および 蛍光イメージャーよりも10から100倍高い),2)大きい処理量(ガス相イ オン化検出器および蛍光イメージャーの何分から何時間のオーダ,写真フィルム の何時間から何日のオーダに比して秒単位である),3)広いダイナミックレン ジにわたりレスポンスの線型性(4−5桁 の大きさ),4)低ノイズ,5)高い量子効率および6)迅速なデータ化を可能 にする。更に画像化アレーをサンプルに近付けることにより、コレクション効率 は従来のCCDカメラに見られるようにレンズを使用する技法に比較して、少な くとも係数において10は改善される。即ちサンプル(放射源又は吸収体)は、 検出器(画像化アレー)に接触するほど近い位置に在り、レンズおよびミラーの ような従来の画像化の光学装置の必要性は解消する。本発明の装置は、放射性同 位元素,蛍光,および化学発光により、標識化された分子の検出および定量的な 画像化に用いることが出来る,何故ならば、レンズ無しCCDアレー装置は、光 子およびX線粒子の何れに対しても極めて敏感であるからである。従って単独の 画像化器具が、放射性同位元素から蛍光染料に及ぶ多数の分子標識化技術に用い ることが出来る。 本発明の実施例は、2つの種類に於いて開示される。第1の実施例は、固定台 を使用し、多数の画像化装置はサンプルとサイズがほぼ同等の比較的大きいフォ ーマット面積に配置される。 本発明の第2の実施例は、移動台を使用し、この場合には画像化装置のアレー 又はサンプルの何れかを相対的に動かすことにより、比較的フォーマットの大き いサンプルを画像化することが、画像化装置一式が比較的小さくても可能となる 。 本発明の移動の実施例は、一般に比較的大きなフォーマットのサンプルから/ による粒子の放射又は吸収の空間的および/又は時間的分布の超高感度的な検出 ,高解像度定量的ディジタル画像化および分光分析の為の方法と装置に関するも のである。本発明の装置に含まれるものは次の通りである: a)光学レンズを用いることなく検出された空間分布の、比較的大型の画像を作 り出す為の大面積検出器アレー; b)効率的な画像化の為に、センサアレー又はサンプルの何れかを動かす為のス キャナ;そして c)サンプルを励起し又はサンプルによる吸収を誘発する為のエネルギー源。 検出器アレーサイズのサンプル画像に対する最適比は、固定フォーマットに対 しては1であり、また移動フォーマットに対しては1以下である。 図面の簡単な説明 図1Aは、本発明の固定の実施例の一部の模式断面図である。 図1Bは、4行のCCDチップを示す固定の実施例の平面図である。 図1Cは、4行および5列のCCDチップを持つ固定の実施例の平面図である 。 図2Aは、公知のレンズを用いた検出装置システムの形態を示す模式図である 。 図2Bは、本発明のレンズなしの検出器システムの形態を示す模式図である。 図3は、本発明の移動の実施例の模式図である。 図4は、本発明の代案実施例の模式図である。 図5は、本発明の装置に使用される従来のワイヤボンド技術の断面図である。 図6は、本発明の検出装置システムのワイヤボンディングを可能にする為の、 図5の改造を示す断面図である。 図7は、本発明の低断面形状ワイヤボンドの断面図である。 図8は、図7のボンディングシステムを用いた検出器/サンプルの断面図であ る。 図9は、移動台での低断面形状ボンドと、隔離画像化を行う検出器/サンプル の断面図である。 図10は、背面照射アプローチの為の検出器/サンプルの断面図である。 発明の詳細な説明 センサシステム 本発明のセンサシステム10の好ましい実施例は、図1A−1Cに示されたよ うな大型フォーマットモジュールにアセンブルされた多数のCCDアレーCCD 1... CCDNから成る。個々のCCDアレーは、特別の形状で、密に並べられ 、そして相互に接合されることにより、図1Bおよび1Cにそれぞれ示されてい る線型アレータイプ10B、または2次元行列タイプ10Cの比較的大きい(1 cm2以上の)フォーマットの画像化センサを形成する。 各CCDアレーCCD1....CCDNは、シリコンウエハ/基板12上に各種 の酸化物層14を成長させ、そしてパターンを形成させることにより従来の方法 で形成される。次に、CCDゲート電極16がゲート絶緑体または電界酸化物1 4上にポリシリコンまたは他の透明ゲート材料を施すことにより形成される。誘 電体またはポリマー層18が、好ましくはシリコンナイトライドまたはガラス, SiO2またはポリアミドのような透光性材料を用いて電極16上に形成される。 標識化された分子の実施例では、アルミニウムまたはタングステン金属格子, または誘電体多層干渉フィルタ、または吸収フィルタを用いることの出来る点線 17に示されているフィルタが、表面と金属電極16との間の誘電体層18の中 に形成されるのが好ましい。フィルタは励起放射を阻止し、そしてサンプル20 からの2次放射を通すように設計されている。固定台の実施例に於いては、セン サモジュールはサンプルに関して固定されたままである。従って、比較的大きい 画像化フォーマットを作成する為に、図1Bおよび1Cに示されているように、 一つのモジュールに多数の画像化装置CCD1... CCDNが配列されねばなら ない。モジュールは、特定の用途毎に応じて、複数のモジュールの取り付けを容 易にする為に、パッケージ化されている。下記の文献には、各 種のタイル張り(tiling)の方策がすでに報告されており、装置の間に生じる不 連続性を最小にする為に用いることができる: [18]Burkeおよびその他,“An Abuttable CCD Imager for Visible and X-Ray Focal Plane Arrays,”IEEE Trans,on Electron Devices,38(5):1069(1991 年5月) 図1Aに示されているように、サンプル20はCCDアレーセンサ10の近く に設置されている。例えば、サンプルは臨床放射線が適用される際の患者の胸、 または分析の為の標識化された構成分子を持つゲルの場合が考えられる。サンプ ルは、外部エネルギー源により励起されるか、またはエネルギー粒子を放射する 放射性同位元素により内部に標識化されるか、または蛍光および化学発光物質に より標識化された時には、光子がサンプルから放射され得る。逆にそれらの存在 を確定する為に、直接吸収を用いることが出来る。この場合には、検出器上に発 光放射が存在しない時には、特定の構成分子の存在を意味する。出来ればサンプ ルは、放射される粒子にとって透明なガラスまたは石英のような(オプションの )薄い隔離プレート22によりCCD検出器から物理的に分離されることが出来 る。 サンプルから生じた又はサンプルにより伝達された“星印”32により示され た電荷を持つ粒子、またはエネルギーの放射hυが、CCDゲート16に入射( 矢印30)する時に、CCD検出および画像化アレーCCD1... CCDNは、 シリコン12に電子孔の対を生じさせる。上記の代わりにCCDsは、背面照射 形の構造を持つことが可能であり、そしてこれにより電荷を持つ粒子はバルクシ リコン12に入射することにより感度を高めることが出来る。遊離された光電子 34は、次に隣接のCCDゲート16の下に集められ、そしてディスプレイ(図 示されず)上にディスプレイモジュール36により公知の方法で順次読み出され る。 シリコンをベースとするCCD’sは、何よりも1から10,000Åまで の波長の広い波長域にわたり装置の感度が高い為に、ソリッドステート検出およ び画像化センサとして好まれる。即ち、シリコンは可視スペクトルから軟X線ま での電磁波照射に対して極めて高い応答性を備えている。特にシリコンに対して は、3000から11000Åまでの波長域で、電子孔対を作り出すのに必要なエネルギ ーは1.1eVに過ぎない。従って可視光線の場合には、CCDゲート16に入射す る唯一つの光子は、ゲートの下に唯一つの電子電荷パケットを生じるのに対して 、軟X線に対しては唯一つのβ粒子(通常KeVからMeVの範囲)は、何千から何万 の電子を生じさせる。従ってシリコンCCD装置は、高エネルギーのαまたはβ 放射性同位元素(32P,125I)に対するのと同様に、低エネルギーのαまたは β放射性同位元素(3H,14C,35S)に対して、超高感度の検出および画像化 を可能にする。従ってCCDは、可視画像化装置(蛍光および化学発光により標 識化された分子サンプルに適用される)、並びに粒子スペクトロメータ(放射性 同位元素により標識化されたサンプルおよび外部からX線を照射されたサンプル に適用される)の両者である。事実CCDは、同じ画像に於いて画像化と分光分 析を同時に行うことの出来る唯一つのセンサである。 高い感度の他にCCDsは、広いダイナミックレンジを提供する(5桁の大き さ),何故ならば各ピクセルまたはゲート16の下に集められる電荷パケットは 、数個から百万個の電子を形成することが出来るからである。更に検出レスポン スは、広いダイナミックレンジにわたり線型的であり、そしてこの事は分光分析 にとって有利である,何故ならば集められた電荷の量は、入射光子エネルギーに 正比例するからである。従ってCCDsには、写真フィルムで良く知られている 可逆性ブレークダウンは起きることはない。 SNRの計算 比較的大きいフォーマットのサンプルの超高感度検出および画像化に 対する好ましいレンズなしCCDの実施例の持つ利点が、下記に於いて幾つかの 信号対ノイズ比(SNR)の形で紹介される。 ・X線励起 最初のアプローチは、外部からのX線によるサンプル励起、または放射性標識 をサンプル構造に取り付けることを必要とする。ここでCCDアレーのピクセル (ゲート)16は、サンプルから吸収された放射性生成物に比例する電荷を集め る。従って電荷粒子は、自動的に電荷をアドレスし、そして読み取ることにより 殆ど瞬間的に検出される。 X線励起を利用するレンズなしCCDアプローチに対するSNRは、積分時間 が決まれば表されることが出来る。仮にサンプルが32Pにより標識化されるとす る。Nt=サンプルの標識化密度(1011標識化分子/cm2);T=32Pの半減期 (18日);Ap=ピクセル領域(27μm)2;AL=分子成分当たりの有効標 識化面積;A=単独分子成分側の全面積(ガードピクセルを含む);t=積分時 間(sec);Id=暗電流(1nA/cm2);q=電子の電荷(1.6×10-19coul)お よびσr 2=読み取りノイズ(10電子/ピクセル)とする。積分時間t中に、有 効面積ALに於いて起きる放射性現象(events)の数Ne(t)は次の式で表され る。 そして、t<<Tの場合には 高い確率の検出を果たす為には、少なくとも10回の現象が必要であ り、概略の(100μm)2標識面積AL=16Apに対する正味積分時間は下記の値と なる。 ピクセル間のクロストークを回避する為のアレーの設計には注意が必要である ,何故ならば、β粒子は数ピクセルにわたり集められる光電荷の足跡を残すから である。クロストークを回避する為のガードピクセルを用いて計算されたSNR (A=202p)は次の形となる。 但しS=β粒子当たり生じた電子(1回の現象)であり、実験の結果では1.7 Me V β粒子に対してSは90,000電子であった。 ノイズに対する暗電流の影響は、τ<<tの短い積分時間を用いて極めて迅速に CCDにフレームを設定することにより減少し、またクロストークも抑制される 。迅速なフレーム設定により、CCDピクセルは単一現象検出器となる,何故な らば、ピクセルに集められた光電子の数は暗電流または読み取りノイズの何れよ りも大きく、そして一つ又は以上の現象の起きる確率はτ秒の時間中では小さい 。読み取りノイズは増加するが、単一ピクセル読み取りに付属する電荷対電圧ノ イズは、10電子以下の場合がある。またピクセルは、β粒子現象当たりに集め られる電子の数の変動を最小にするように設計されることが出来る。 上記の技法は、X線励起モードには良く適合する,何故ならばβ粒子現象は比 較的頻度が低く、そしてノイズフレームとは容易に識別するこ とが出来るからである。その上にクロストークは、この技法により更に抑制され る,何故ならば隣のサンプル成分の場所に同時に起きるβ現象の確率は、積分時 間の減少と共に低下するからである。低エネルギーβ粒子(35S)の使用もまた クロストークを抑制する。従って標識化の密度は、単一現象検出を用いる時には 単一サンプルでの何千の識別し得る分子成分を容れる為に高めることが出来る。 従って32Pにより標識化されたサンプルは、室温下で使用される大型フォーマ ットCCD画像化モジュール上の何千の場所にわたり、秒単位の時間で、充分な SNRを以って検出されることが出来る。類似の分析は、画像化モジュールに入 射した放射エネルギーレベルを信号電子密度に置き換えることにより、X線源に より外部から励起されたサンプルに対して実施することが出来る。 ・蛍光励起 分析された第2のアプローチは、サンプル成分に付着した蛍光により標識化さ れた受容器の使用を含む。蛍光標識は、共有結合的に又は介在により施すことが 出来る。 蛍光標識を用いる為の検出手順は、選ばれた標識の光学吸収スペクトルを分析 することにより始まる。吸収度の高いスペクトルの領域は、発光源波長を選ぶ為 に用いることが出来る。標識の多くに対してUV光源は最大の吸収をもたらすの に対し、放射は赤色スペクトル(例えば630nm)に在る。これらの励起および検出 の領域はSNRを増大させる,何故ならば、CCD基板のポリシリコンゲートは 、UV光を吸収する性質を持ち、そしてチップ上に加工されたライン格子は630n m領域の近くでの光学フィルタリングを可能にすることが出来るからである。従 って蛍光マーカーを用い、最適励起波長およびCCDチップ上に直接施された適 切の検出フィルタを選ぶことにより、感度は改善されることが可能である。最後 に、ピクセルに蓄えられた電荷は、サンプルの構成分子の蛍光から検出された光 子の数に比例する。 蛍光モードオペレーションでのレンズなしCCDアプローチに対するSNRは 、下記の式で表される。 但し、p=ポンプパワー(レーザまたはバルブ)(光子/cm2秒);σ=染料の 吸収断面積(20×10-16cm2); ηd=検出量子効率(4電子/10光子, 但し、700nm放射の場合); ηf=蛍光量子収率(1); η=CCDコレクシ ョン効率(50%); Id=暗電流ノイズ(1nA/cm2 但し室温に於いて); h=Plankの定数(6.6×10-27erg sec)。 このように高い検出確率を保証する為に、SNR=100を得るには1秒の積 分時間中に発光源に要求される出力密度は、次の式で表される: 但し α=σNt ηd ηf η 特に、308nmUV光源に対して必要な出力密度は、次の値となる。 従って、検出感度を保障する為に必要な励起は、理論上61μW/cm2UV光源 を使用することにより果たされる。これはフィルター処理を施された水銀アーク 、または比較的廉価なUVレーザ線源の一つにより可能となる。 ・化学発光励起 化学発光とは、化学エネルギーの電磁波の放射への変換である。この種の反応 に於いては、電子は化学反応により励起され、そして光は励起された電子が基本 状態に戻る時に発せられる。他の化学発光の場合と異なり、酵素を触媒とする1 ,2−ダイオキシエタン誘導体は、何時間から何日の間、光の信号を発すること が出来る。発射光の波長は約477nmであり、また発光はpHをコントロールす ることにより制御されることが出来る。 放射による被曝の問題がないことに加え、感度は化学発光法の方が放射性の方 法に比較して高い。またこの方法は、実施が比較的簡単である(試薬および機器 は比較的廉価である)。最後にこの方法には、パックグラウンドノイズレベルが 低く、またダイナミックレンジが広い。 化学発光法の場合の1秒積分時間中のレンズなしCCDアプローチに対するS NRは、蛍光アプローチの場合と同じ形の式で表され、そしてその値は下記の通 りである(読み取りノイズは無視することが出来ると仮定して) 但し、Pe=酵素反応の反復率(3000反応/酵素 秒); σ=酵素と分子 の結合比(10酵素/分子成分); ηd=検出量子効率(13電子/100光子@ 477nm放射); ηc=化学発光量子収率(5光子/1000反応); η=CCDコ レクション効率(50%)。酵素反応反復率および化学発光量子収率に対する値 は、ダイオキシエタン試薬に対する典型的なものである。 従って上記の定数を用いる場合、化学発光アプローチは、室温下でのCCD画 像化モジュールの近傍でのサンプル内に於ける何千の構成分子の検出が可能であ ると考えられる。 ・レンズなしの効果 従来のCCDカメラを用いた画像化アプローチに比して、本発明に見られる検 出感度の改善は、検出器(CCDアレー)を放射源(分子サンプル20)に結合 したことによるものである。従って、従来の光学要素(レンズ,ミラー)の使用 を廃止することにより、提案されるシステムのコレクション効率は大幅に改善さ れる。 コレクション効率ηは、電磁波の放射を捕捉する為の計器の能力の尺度であり 、主として形態の関数である。レンズを用いた計器(エピフロレッセントマイク ロスコープ,コンフォーカルマイクロスコープ,CCDカメラ等)およびレンズ なしのCCD画像化モジュールの形態は、図2Aと2Bにそれぞれ示されている 。 コレクション効率は、通常立体角の比として表される。 但し であり、Ψは、表面に鉛直なベクトルと位置ベクトルとの間の角度である。レン ズを用いる場合(Ψ=0)には、 但し、Φ0=レンズに入る光の円錐の半角である。従って、レンズを用いるシス テムのコレクション効率は下記の式で表される。 上記に反し近接レンズなしCCDアプローチの半角は、最大(Φ0=90°) となり、コレクション効率は次の値となる。 これらの2つのタイプの間の差異は、開口数が使用されると明白となる。例え ば、開口数NA=0.3の高性能のレンズが用いられるとする 。 NA=nsinФ0 である為に が成り立つが、これはレンズなしのCCDアプローチにより得られる50%に比 較して大幅に低いことが判る。更に開口数が、1Mバイトメモリチップを作り出 す為の$100Kフォトリソグラフィーレンズに一般的に用いられている0.4 に高められても、コレクション効率は4.2%に高まるに過ぎない。従って積分 CCDアプローチは、レンズを使用するシステムに比較して、少なくとも×10 のコレクション上の利点を持ち、また放射線により標識化されたサンプルを画像 することをも可能にする。 計装の為の台 上記の検出および画像化センサを容れる為の2つの実施例の一つが図3に模式 的に示されている。図3の実施例は、下記のものから成っている: a)多数の小さい画像化装置CCD1... CCDNを用いているCCDモジュー ル110を以って構成される比較的大きいフォーマットの画像化センサ100, しかも各装置は多数の感光性ピクセル102を持つ; b)画像化を効率的にする為の方法による分子サンプル106を基準としたモジ ュール110の相対運動の為のスキャナ装置104; c)分子サンプルを励起する為の光源108; d)フロック動作およびバイアス動作、およびCCD1... CCDNのピクセル 電極の電子ゲート動作を含むセンサアレー110を駆動する為のアレードライバ ー回路120; e)センサアレー110からのディジタル画像を得る為の受信回路122,この 中には予備増巾,増巾,アナログ/ディジタル変換,フィルタリング,マルチプ レクシング,サンプリングおよび保持機能が含まれる; f)コントラスト増巾およびパラメータの推定の機能を含む画像化データを処理 する為のデータプロセッサ;および g)ディジタル画像を表示し、そして格納する為のディスプレイ手段126。 サンプル如何により各種の励起線源108を計器に用いることが出来る。従来 の放射線術に使用される外部X線源が、医療用のX線画像化に使用することが出 来る。また、サンプルの上または下に取り付けられたランプまたはレーザにより UV励起も可能である。最後に、放射性同位元素および化学発光により標識化さ れたサンプルに対しては励起線源は不要である。 図3の移動台の実施例に於いては、画像化モジュールまたはサンプルは台13 0に機械的に結合されたステップモータのような走査機構を用いて動かすことが 出来る。このような走査によれば、この中に示されたような小型のセンサモジュ ールによって、比較的大きいフォーマットの画像化が可能となる。多数の画像化 装置110が、コラムのモジュールに配置されることにより不連続点の生じるこ とを回避することが出来る。また、走査を意識的にオーバーラップさせることに より大きなフォーマットのサンプル領域にわたり、連続高解像度画像化が可能と なる。 補足的な励起法が図4に示されており、この場合にはレーザ200は、円柱レ ンズシステム202を通して照射されることにより、サンプル 206上の励起の為の光線204がBrewster角で形成される。これにより反射損 失は最小に抑えられる。線状に集中した励起の反射208が、次に傍のセンサモ ジュール210により図のように画像化される。 画像化アレーと分析される可き基板サンプルとの間には、物理的な接触が起き るので、ピクセル電極をドライバー回路および受像回路,例えば図3の120, 122に接続する為に、画像化装置に接触するボンドワイヤを防護すべく対策が 講じられなければならない。これらはフレーム格納アレーを持つ装置が使用され る時には、画像化アレーの隣接位置から外される;これはBurkeおよびその他の1 991年の参考文献に示されている。画像化アレーと同じサイズか又は小さいサイ ズの基板の画像化は、標準ワイヤボンディング、およびワイヤボンドの近傍の装 置に基板が接触する為の何らかの手段を用いて行うことが出来る。然し、基板の サイズ制約が取り払われ、そして2×N画像化アレーのサイズより大きいサイズ を持つ基板が許される時には、ワイヤボンドの取り付けおよび防護の特殊手段を 使用することが必要である。 図5は、接点への接合の為に装置の表面の上でループを形成する従来のワイヤ ボンド600を示し、そしてこれによりワイヤの装置の縁604との接触,従っ て短絡を回避することが出来る。図6は、大きいサンプル基板700が、画像化 アレーに接触することにより高い解像度を可能にする為に如何に曲げられるのみ ならず、エポキシによりカプセル化されて装置の表面から通常15ミル突き出て いるボンドワイヤ600’を避けねばならないかを示す。図7は、ボンドワイヤ 600''が、装置602’の表面にほぼ平行に引き出される接合の新しい方法を 示す。ボンドワイヤが装置602''の縁に短絡するおそれが最小となる為には、 先ずエポキシビード701が装置の縁に沿って流され、そしてワイヤに接触する 前に硬化させられる。また、装置が接合される回路基板上のランド702は、装 置の縁から或る距離D(正しい距離)を隔てて位置決めされることにより、ワイ ヤ600''は装置の表面にほぼ平坦となり 、その上への突き出し量は5ミル以下となり、また応力の伝わることを防止する 為のループを備える。図8は、画像化される可き基板700とエポキシカプセル を施されたワイヤ60'''を示し、図6に比較して基板700の湾曲度は遥かに 少ない。 上記に代わり、図9に示されたように、走査または移動モードのオペレーショ ンに於いて、サンプル800が装置701のセンサアレーよりもかなり大きい場 合には、サンプル又はセンサはサンプル全体を画像化するには動かされねばなら ない。この場合にはセンサ701は、相対運動を可能にしながらレンズなしの画 像化の近接性の要求を守ることの出来る方法で、サンプル800から隔離されね ばならない。図9は、以前に図7に示された低断面形状ボンディング技術に関連 して、透明な隔離プレート22を利用する方法を示す。距離Diは、歪みを最小 にしたレンズなし画像化を可能にする為に最小に抑えられている。 逆に、図10に示された背面照射センサアプローチを用いることが出来るが、 これは装置パッケージ702からセンサ装置701への電気接続900を装置の 反対側にサンプル800’から充分離して施すことを可能にする。従って上記の レンズなし画像化を保障する為の最小の距離Dbが、サンプルと画像化センサ装 置701との間に実現される。背面照射センサアプローチはまた、感度を高める ことが出来る,何故ならば、量子効率は装置701のセンサアレーのポリシリコ ンゲートを通る光電子の透過を回避することにより大巾に改善されるからである 。 本発明は、その好ましい実施例を参照して詳述されそして図示されたが、この 分野の熟練者によっては、形式および詳細に関して各種の変更が、添付の請求項 により限定される本発明の精神と範囲から逸脱することなく、この明細書の開示 から可能であることが了解されるものとする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 ヒューストン・アドバンスト・リサーチ・ センター アメリカ合衆国,テキサス州 77381,ザ ウッドランズ,リサーチ フォレスト ドライブ 4800 (72)発明者 エッガーズ・ミッチェル・ディー アメリカ合衆国,テキサス州 77381,ザ ウッドランズ,プラム カバー コート 10 (72)発明者 ホーガン・ミッチェル・イー アメリカ合衆国,テキサス州 77381,ザ ウッドランズ,ゴールデン シャドウ サークル 103 (72)発明者 エーリック・ダニエル・ジェー アメリカ合衆国,マサチューセッツ州 02173,レキシントン,グラント プレイ ス 11 (72)発明者 ホリス・マーク・エー アメリカ合衆国,マサチューセッツ州 01742,コンコード,レキシントン ロー ド 77 (72)発明者 コシキ・バーナード・ビー アメリカ合衆国,マサチューセッツ州 01720,アクトン,フォート ポンド ロ ード 39 (72)発明者 レイヒ・ロバート アメリカ合衆国,マサチューセッツ州 01863,ノース チェルムスフォード,ウ エルマン アベニュー 146 (72)発明者 バーケ・バリィ・イー アメリカ合衆国,マサチューセッツ州 02173,レキシントン,シャーバーン ロ ード 17

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. サンプルの成る領域に於ける粒子放射を検出し、画像を形成する為の方法 であって、 a)画像化される可きサンプルの領域に対応したサイズの粒子検出器面積を持 つ粒子検出器のアレーを形成するステップと、 b)上記の検出器の中に於いて、上記のサンプルから直接発せられる粒子放射 を光電子に変換するステップと、 c)上記の光電子を上記の検出器の中に於いて集めるステップと、 d)上記の集められた電子の画像を形成するステップとを備えた方法。 2. 請求項1に於いて、上記のアレーが上記のサンプルに近接する位置に配置 されるような方法。 3. 請求項2に於いて、サンプルとアレーとの間にはレンズ構造が介入しない ような方法。 4. 請求項1に於いて、アレーは荷電結合素子を以って構成されるような方法 。 5. 請求項1に於いて、粒子検出器のアレーは、フラットパネルを備え、その 中にチャージカプルド装置のアレーが構成され、上記のパネルは上記のサンプル に近接した位置に配置されるような方法。 6. 請求項1に於いて、パネルがサンプルに接触するような方法。 7. 請求項1に於いて、サンプルは放射性同位元素,蛍光性または化学発光性 分子から成るグループに属する物質で標識化されるような方法。 8. 請求項1に於いて、サンプルがアレーに対して動かされるような方法。 9. 請求項1に於いて、粒子検出器はCCD,電荷注入器,アモルファスシリ コンセンサおよびフォトダイオードから成るグループに属するものが使用される 方法。 10.サンプルの或る領域に於ける粒子放射を検出し、画像を形成する為の方法 であって、 a)サンプルを粒子検出器のアレーに接触させるステップと、 b)上記の検出器の中に於いて、上記のサンプルから直接発せられる粒子放射 を光電子に変換するステップと、 c)上記の光電子を上記の検出器の中に於いて集めるステップと、 d)上記の集められた電子の画像を形成するステップとを備えた方法。 11.請求項10に於いて、上記のアレーがCCD,CIDアモルファスシリコ ンセンサ,およびフォトダイオードから成るグループに属する装置を以って構成 されるような方法。 12.請求項10に於いて、サンプルおよびアレーが相対的に移動するような方 法。 13.請求項10に於いて、サンプルが放射性同位元素,蛍光性または化学発光 性分子から成るグループに属する材料を用いて標識化されるような方法。 14.サンプルの或る領域の粒子放射を表す画像を作る為の装置であって、 画像化される可きサンプルの領域に近接して配置され、レンズを通ることなく 隣接のサンプル部分から直接入射する粒子放射を光電子に変換し、上記の光電子 を集める粒子検出器と、 上記の集められた光電子から、上記の検出された粒子の画像を形成する為のデ ィスプレイとを備えた装置。 15.請求項14に於いて、画像が空間画像であるような装置。 16.請求項14に於いて、画像が時間的な画像であるような装置。 17.請求項14に於いて、粒子検出器がソリッドステート荷電結合素子である ような装置。 18.請求項14に於いて、検出器アレー又はサンプルを相対的に動か す為のスキャナを含むような装置。 19.サンプルの或る領域の粒子放射を表す画像を作る為の装置であって、 サンプルを励起して放射性粒子を発生させる為の励起線源と、 画像化される可きサンプルの領域に対応するサイズの領域内に配置され、隣接 のサンプル部分から直接入射する粒子放射を光電子に変化し、上記の光電子を集 める粒子検出器と、 上記の集められた光電子の画像を形成する為のディスプレイとを備えた装置。 20.請求項19に於いて、サンプルが検出器に接触しているような装置。 21.請求項19に於いて、励起線源がUV光源であり、検出器がポリシリコン ゲートおよび光学フィルタを持つCCDであるような装置。 22.請求項19に於いて、粒子検出器はソリッドステート荷電結合素子である ような装置。 23.請求項19に於いて、検出器アレーまたはサンプルを相対的に動かす為の スキャナを含むような装置。 24.検出された粒子のディジタル表示をして、サンプルから放射された粒子を 検出および定量化する為の装置であって、 上記のサンプルからの放射を、約1から10,000Åの波長領域にわたり少なくと も5桁の大きさのダイナミックレンジの電気信号に変換する為の検出器のアレー を備え、 上記のアレーは、レンズを介入させることなく放射の進路中に於いて、上記の サンプルに近接した位置に配置されているような装置。
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