JPH09501666A - 日焼け止め剤 - Google Patents

日焼け止め剤

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JPH09501666A
JPH09501666A JP7506739A JP50673995A JPH09501666A JP H09501666 A JPH09501666 A JP H09501666A JP 7506739 A JP7506739 A JP 7506739A JP 50673995 A JP50673995 A JP 50673995A JP H09501666 A JPH09501666 A JP H09501666A
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フランクリン,ケビン・ロナルド
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ユニリーバー・ナームローゼ・ベンノートシヤープ
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Abstract

(57)【要約】 式:[M(OH)(2-a)a+b- a/b・zH2O(式中、Mは亜鉛、銅または両者の組合せであり、Xはアニオンであり、その少なくとも一部は少なくとも290から400nmまでの波長範囲部分の紫外線を吸収する)で示されるヒドロキシ塩で、日焼け止め剤、およびこれを化粧品上許容できる賦形剤と一緒に含む日焼け止め組成物として使用する。

Description

【発明の詳細な説明】 日焼け止め剤 本発明は日焼け止め剤、すなわち290から400nmまでの範囲の波長を有 する紫外線を吸収し得る化合物に関する。また、本発明はこの日焼け止め剤を含 む人の皮膚に適用するための日焼け止め組成物に関する。 一般に、有害な紫外(UV)線、特に太陽光からの大気圏上層を貫き通し地表 面に到達するものは: i.皮膚への強度の生理病理的活性を保持してエネルギー豊富なUV−B線( 波長290〜320nm);これは真皮上で吸収され、紅斑および皮膚色素沈着 の原因となる;および ii.皮膚内(真皮までおよびこれを通り越して)に深く浸透するUV−A線 (波長320〜400nm);そのエネルギーはより低いが、これが原因の光生 物学的影響はより長期であり、例えば皮膚の老化を加速させる; に分類できる。 日焼け止め組成物はUV−AおよびB線の両方に対する保護を与え得ることが 望ましいが、UV−A線による長期の光生物学的影響を回避する目的から、UV −A線に対する保護が特に 所望されている。 Meynらは、Inorganic Chemistry、第32巻、120 9〜1215頁(1993年)で、一般式: [M(OH)(2-a)a+ (NO3-a・zH2O で表わされる水に不溶性のヒドロキシ塩を記述している。式中、Mは二価金属の 組み合せである。これらヒドロキシ複塩が層構造を有し、イオン交換で硝酸イオ ンが有機性アニオンに置換えられることがこの文献に記述されている。金属原子 は層内に存在し、この層内で原子はOH基を介し一緒に結合している。アニオン は金属イオン層間の中間層内に突出している。 紫外線吸収性アニオンがこのタイプのヒドロキシ塩に導入可能であることおよ びさらにこのアニオンはその紫外線吸光度をそのまま保持できることを本発明者 らは発見したのである。 第一に、本発明は一般式: [M(OH)(2-a)a+b- a/b・zH2O で示されるヒドロキシ塩を提供するものである。式中、Mは亜鉛、銅または両者 の組み合せであり、Xはアニオンであって、その少なくとも一部は290から4 00nmまでの波長範囲の少なくとも一部の紫外線を吸収する。 第二に、本発明は前記ヒドロキシ塩を添加した化粧品上許容できる賦形剤から なる人の皮膚に適用するための日焼け止め組成物を提供するものであり、前記ヒ ドロキシ塩ではアニオンXの少なくとも一部が290から400nmまでの波長 範囲の少なくとも一部の紫外線を吸収するものである。 本発明はまた、かかるヒドロキシ塩の日焼け止め剤への使用、および日焼け止 め組成物の製造に関するものである。 zの値は概ね0から10までの範囲、より好適には0から1までとする。 概して、紫外線吸収性アニオンは、少なくとも290から400nmまでの範 囲内の少なくとも一部においてかなり強い吸収を示すことが望ましい。このため には、アニオンの酸形または簡単なアルカリ金属またはアンモニウム塩が、29 0から400nmの波長範囲の少なくとも一部においてモル吸光係数が少なくと も2×103、好適には3×103、より好適には少なくとも5×103、さらに より好適には少なくとも8×103であるような吸収を示さなければならない。 このようなアニオンをヒドロキシ塩に組み込むと、その紫外 線吸収が概ねそのまま保持されることを本発明者らは発見したのである。しかし 、アニオンが組み込まれる前に示すUV−Aの吸収状態と比較して、吸収バンド が広がり、UV−Aの吸収を高めることがある。したがって、本発明の好適な具 体例によれば、アニオンをヒドロキシ塩に組み込むことによりUV−Aに対する 保護を強化する。 その極大が規定範囲外にある吸収バンドを示す場合に効果的な紫外線吸収が得 られる。例えば、p−メトキシ桂皮酸イオンは285nmにおいて吸収極大を示 すが、吸収バンドは充分に広くて290nmから少なくとも約320nmまでの 範囲に亙り強い吸収を示している。 290から400nmまでの範囲の吸収は、その極大が260から360nm までの範囲内にある吸収バンドで得られる場合がある。 好適なことに、アニオンは400から700nmまでの可視バンド、殊に45 0nm以上の部分、さらに450または500から650nmでは強い吸収を示 さない。このような範囲内で吸収を示す吸光係数は、当該範囲に亙り5×102 以下であることが望ましい。 物質のモル吸光係数は通常溶液中で測定され、そして式: で計算される。 式中、Iは試料を透過する放射線の強度、 I0は同一溶媒であるが被験物質を含まない比較試料を透過する放射線の強度 、 cはモル濃度(モル/l)の、そして lは溶液中の経路の長さ(cm)である。 紫外線を吸収するアニオンXの割合はかなり低くてもよく、例えば存在する全 アニオンの3モル%程度、より好ましくは少なくとも5モル%であるが、また存 在するアニオンの大部分程多くてもよく、そして100%までであってもよい。 紫外線を吸収するアニオンは適宜下記のもの: p−アミノベンズイミダゾール−5−スルホン酸塩 3−イミダゾール−4−イル−アクリル酸塩 サリチル酸塩 p−メトキシ桂皮酸塩 2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアク リル酸塩 3,3,5−トリメチルシクロヘキシル−2−アセトアミド安息香酸塩 p−アミノ安息香酸塩 桂皮酸塩 3,4−ジメトキシフェニルグリオキシル酸塩 α−(2−オキソボルン−3−イリデン)−p−キシレン−2−スルホン酸塩 α−(2−オキソボルン−3−イリデン)トルエン−4−スルホン酸塩 α−シアノ−4−メトキシ桂皮酸塩 2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸塩 のうちの1種類以上あればよい: これらのアニオンは、遊離状態では290から400nmまでの波長範囲内で 吸収を示すことが知られている。これらはすべて日焼け止め剤として機能する良 好な材料であると見做されている。 前述のように、これらをヒドロキシ塩中にアニオンとして組み込むめば、紫外 線を吸収する能力がそのまま保持されること を本発明者らは発見した。多くの場合、前掲のアニオンをヒドロキシ塩に組み込 むとUV−A領域における吸収はかなり高められたが、その紫外線吸収スペクト ルはそれ程変化しなかった。 本発明の目的に適するその他の有機材料は弱酸官能性を有するものであり、こ の官能性は分子中にフェノールプロトンまたは他の弱酸性プロトンを組み込ませ て得られる。このプロトンを除去すればヒドロキシ塩中に組み込み可能なアニオ ンが得られる。このような化合物から誘導されるアニオンは親化合物とはかなり 異なる吸収スペクトルを示すものであるが、しかしこれらアニオンの場合はヒド ロキシ塩に組み込むと290および400nm間(UV−A領域)の光をかなり 吸収するのである。 このようなフェノール化合物の中で重要なものにヒドロキシル化ベンゾフェノ ン誘導体がある。弱酸性エノール形で存在し得るジケトン化合物もまたこれに属 する。アニオンを誘導可能なこのような化合物の例を以下に示すが、これらに限 定されない。これら材料のCTFA名および化学名の両方を記載する。 CTFA名 化学名 ベンゾフェノン−1 2,4−ジヒドロキシベンゾフェノ ン ベンゾフェノン−2 2,2′,4,4′−テトラヒドロ キシベンゾフェノン ベンゾフェノン−3 2−ヒドロキシ−4−メトキシベン ゾフェノン ベンゾフェノン−4 2−ヒドロキシ−4−メトキシベン ゾフェノン−5−スルホン酸 ベンゾフェノン−5 2−ヒドロキシ−4−メトキシベン ゾフェノン−5−スルホン酸一ナト リウム塩 ベンゾフェノン−6 2,2′−ジヒドロキシ−4,4′ −ジメトキシベンゾフェノン ベンゾフェノン−7 5−クロロ−2−ヒドロキシベンゾ フェノン ベンゾフェノン−8 2,2′−ジヒドロキシ−4−メト キシベンゾフェノン ベンゾフェノン−9 2,2′−ジヒドロキシ−4,4′ −ジメトキシベンゾフェノン−3, 3′−ジスルホン酸二ナトリウム 塩 ベンゾフェノン−10 2−ヒドロキシ−4−メトキシ− 4′−メチルベンゾフェノン ベンゾフェノン−12 2−ヒドロキシ−4−オクトキシベ ンゾフェノン ホモサレート サリチル酸ホモメンチル (homosalate) サリチル酸オクチル サリチル酸2−エチルヘキシル そのうちの商品名および供給業者は次の通りである: アニオンを与え得る他の化合物にはブチルメトキシジベンゾイルメタンがあり 、商品名PARSOL 1789でGivaudan社から入手できる。 また、本発明のこの形に属するものにはPongomolから誘導されたアニ オン種があり、これは系統名が1−(4−メトキシ−5−ベンゾフラニル)−3 −フェニル−1,3−プロパンジオンである置換された1,3−ジケトンである 。この紫外線吸収バンドが250から500nmまでの範囲であり、吸光係数は 5,000から70,000までである。ジケトンに関しては参照により本明細 書に包含される米国特許第5,152,983号で詳細に開示されている。 これらの材料のうち、ベンゾフェノン−4およびベンゾフェノン−9は共に、 スルホン酸基由来の強酸官能性、およびフェノールプロトン由来の弱酸官能性を 有する。これらの材料(およびベンゾフェノン−4の一ナトリウム塩であるベン ゾフェノン−5)の場合には、多アニオン形材料が生成され、これがヒドロキシ 塩に組み込まれる。例えばベンゾフェノン−4では、モノアニオンおよびジアニ オンがヒドロキシ塩に組み込まれるのである。ヒドロキシ塩に組み込まれたこの 材料のモノアニオン、ジアニオン形の両方およびその組み合わせが日焼け止め剤 として有用であり、そしてこれを本発明の範囲に属するものと見做すべきである 。 本発明のヒドロキシ塩は水にもその他の溶剤にも不溶性である。しかしながら 、これらは水等の溶媒中に分散液として懸濁させることができる。このため本発 明の日焼け止め組成物では、紫外線吸収性アニオンを有するヒドロキシ塩が賦形 剤中に分散されて含まれている。好適な賦形剤は水性であり、ヒドロキシ塩がこ の中に懸濁される。使用に際し、この組成物を皮膚に擦り込むと、賦形剤中の揮 発性有機化合物と共に水分が蒸発する。皮膚上にヒドロキシ塩が付着物として残 留する。この材料は層構造であるので皮膚上にこれが連続層状で付着されるので ある。 この水性賦形剤は水中油系のエマルジョンでもよく、このエマルジョン中にヒ ドロキシ塩を懸濁させる。ヒドロキシ塩はこのようなエマルジョンの水相中に懸 濁するが、また稀には油相中に懸濁させることもある。 ヒドロキシ塩は不溶性材料でありかつ巨大分子であって、その分子サイズは従 来の日焼け止め剤の有機化合物と比較して大きい。 これらの特性は好都合である。分子サイズが大きくおよび/または不溶性であ るので、ヒドロキシ塩が皮膚上に付着しても、それが皮膚に浸透することもまた 皮膚表面上を移動することも なくなる。(水溶性日焼け止め活性剤の場合、皮膚から身体中へ浸透し、目など の敏感な部分へ移行し、思いがけない事故を起こす可能性がある。)本発明の材 料は不溶性であるため、使用者が泳いでもこれが溶け出すことがなく、このこと はさらに有利なことである。 本発明のヒドロキシ塩を含む日焼け止め組成物は、水性賦形剤(最も簡単な形 は水のみである)にヒドロキシ塩を添加し、次いで混合して懸濁物とすることに より製造できる。 本発明の日焼け止め組成物には、ヒドロキシ塩を0.05から50重量%まで 、より好適には0.1から30重量%まで、さらに好適には2から20重量%ま で含ませる。この含有量により、達成可能な赤外線吸収量が変化する。このため 、この範囲の上限付近の量を使用すれば、紫外線に対して高度の保護を意図する 日焼け止め剤が得られる。 その他の材料を本発明の日焼け止め組成物に含ませてもよい。さらに別の日焼 き止め剤を組み込むことも本発明の範囲に属するものである。非イオン性有機日 焼け止め剤、微粉砕した二酸化チタニウム等無機日焼け止め剤および有機ポリマ ー粒子が使用可能である。 日焼け止め組成物に含ませることができる他の材料にはシッ クナー、皮膚軟化オイル、湿潤剤および潤滑性を増進させる液体、特にシリコー ンオイルである。少量成分には香料および防腐剤がある。 紫外線吸収性アニオンを有するヒドロキシ塩の製造は一般に二つの工程で実施 される。第一の工程は他のアニオン類を用いてヒドロキシ塩を調製し、第二工程 でイオン交換させて少なくとも一部のアニオンを紫外線吸収性アニオンに置き換 える。 幾種類かのヒドロキシ塩の製造については、前記したMeynらが既に記述し ている。酸化亜鉛懸濁物を硝酸亜鉛または硝酸銅で、好適には高温で処理し、続 いてこの固形物を濾別すれば、満足できる結果が得られることを本発明者らは発 見した。 ヒドロキシ塩は元素の化学分析およびX線回折で同定することができる。 紫外線吸収性アニオンを導入するためのイオン交換は、導入したいアニオンの 水溶液にヒドロキシ塩を懸濁させればよい。その方法は、高温度で実施して反応 速度を速くし、その後ヒドロキシ塩を濾別する。ヒドロキシ塩の水性懸濁物に化 学分析および紫外線分光法を施すことによりヒドロキシ塩を特定する ことができる。実施例 調製1:硝酸イオンを含む亜鉛のヒドロキシ塩の調製 酸化亜鉛68gを、11のポリプロピレン製ネジ蓋付きびん中の蒸留水200 mlに懸濁させた。硝酸亜鉛250gを蒸留水400mlに溶解させ、得られた 溶液を酸化亜鉛懸濁液に撹拌しながら添加した。びんに蓋をし、2分間激しく震 盪させ、次いでこれを温度調節付オーブンに90℃で23時間放置した。その後 固形分を濾別し、入念に水で洗滌し、それから凍結乾燥させた。乾燥させた材料 を飽和塩化ナトリウム溶液を入れたデシケーター内に保存して最終的に水蒸気と 平衡させた。 この材料の組成を熱的および化学的に分析した。その結果は下記のとおりであ る: 亜鉛% =58.3% 窒素% = 2.12% 水和水% = 3.65% この結果は式: Zn(OH)1.83(NO30.17・0.22H2O に合致する。 この材料のX線粉末回折パターンによれば、9.8Aおよび4.9Aで特有の 主ピークを示した。 走査電子顕微鏡によれば、生成物は1〜2μm径の板状結晶から構成されてい た。 水1リットル中にこの材料50mgを含む懸濁液の紫外線スペクトルを250 から450nmまでの範囲測定したが、はっきりした吸収バンドを示さなかった 。実施例1:亜鉛ヒドロキシ塩への4−メトキシ桂皮酸アニオンのイオン交換 4−メトキシ桂皮酸5.71gおよび水酸化ナトリウム1.28gを水200 mlに溶解させた。この溶液を、ポリプロピレン製ネジ蓋付きびん中の調製1の 生成物10gに添加した。びんに蓋をし、2分間震盪させ、次いで90℃で18 時間加熱した。固形分を濾別し、温水で洗滌し、その後90℃のオーブンで乾燥 させた。 化学分析で、生成物は4−メトキシ桂皮酸イオンを26.0重量%含むことが 解った。 生成物のX線回折パターンによれば、 i)出発材料に特有なピークは存在せず、 ii)27A、13.5Aおよび9.0Aに出発材料にはなかった三つの新し いピークがみられた。 水1リットル中にこの材料50mgを含む懸濁液の紫外線スペクトルによれば 、中心が286nmで末端が少なくとも400nmまで伸びる幅広ピークを示し た。360nmにおける吸光度は286nmの吸光度の19%であった。メトキ シ桂皮酸ナトリウムの場合には、360nmにおける吸収度は286nmの吸光 度の0.2%未満であった。実施例2:亜鉛ヒドロキシ塩へのp−アミノ安息香酸塩のイオン交換 p−アミノ安息香酸4.4gおよび水酸化ナトリウム1.28gを水200m lに溶解させ、この溶液を、調製1の生成物10gに添加した。次いで懸濁液を ポリプロピレン製蓋付きびん中で90℃で18時間加熱した。固形生成物を濾別 し、温水で洗滌し、その後90℃のオーブンで乾燥させた。 生成物のX線粉末回折パターンによれば、出発材料では存在しなかった二つの 特有なピークがみられ、この新しいピークはp−アミノ安息香酸塩含有材料に特 有のものであって、24A、12Aおよび8Aに存在した。またX線粉末回折パ ターンによ れば、生成物には少量の酸化亜鉛が含まれていた。 化学分析で、生成物はp−アミノ安息香酸塩を6.28重量%含むことが解っ た。 水1リットル中に生成物50mgを含む懸濁液の紫外線スペクトルによれば、 中心が265nmで末端が少なくとも330nmまで伸びる幅広い吸収ピークを 示した。330nmにおける吸光度は265nmの吸光度の29.8%であった 。p−アミノ安息香酸ナトリウムの場合には、330nmにおける吸収度は26 5nmの吸光度の0.2%未満であった。調製2:硝酸イオンを含む亜鉛/銅のヒドロキシ塩の調製 Cu(NO32・3H2O72.48gを水300mlに溶解させ、これを水 50ml中酸化亜鉛29.4gのスラリーに添加した。混合物をポリプロピレン 製蓋付きびん中で2分間震盪させ、次いで90℃で48時間加熱した。固形生成 物を濾別し、温水で洗滌し、その後凍結乾燥させた。 生成物のX線粉末回折パターンによれば、6.9Aおよび4.45Aにこの材 料に特有の主ピークを示した。 走査電子顕微鏡写真によれば、生成物は0.2から0.4μmの径の板状結晶 から構成されていた。 熱的および化学的分析により下記の化学データが得られた。 亜鉛% =21.8% 銅% =31.4% 窒素% = 4.78% 水和水% =<0.2% これは化学組成: Zn0.4Cu0.6(OH)1.58(NO30.42 に合致している。 水1リットル中にこの生成物50mgを含む懸濁液の紫外線吸収スペクトルで 、250から450nmまでの範囲ではっきりした吸収バンドを示さなかった。実施例3:亜鉛/銅ヒドロキシ塩への4−メトキシ桂皮酸塩のイオン交換 4−メトキシ桂皮酸5.71gおよび水酸化ナトリウム1.28gを水200 mlに溶解させ、この溶液を、調製2の生成物10gに添加した。次いでこの懸 濁液をポリプロピレン製蓋付きびんで90℃で18時間加熱した。固形生成物を 濾別し、温水で洗滌し、その後オーブンで90℃で乾燥させた。 生成物のX線粉末回折パターンによれば、出発材料に特有の 二つのピークがそのまま存在していたが、その強度はかなり低くなっていること が解った。23A,11.5Aおよび7.7Aに4−メトキシ桂皮酸塩含有亜鉛 /銅のヒドロキシ材料に特有のこの新しいピークも存在した。 化学分析で、生成物は4−メトキシ桂皮酸塩を43.07重量%含むことが解 った。これは化学組成: Zn0.4Cu0.6(OH)1.58(mcin)0.39(NO30.03 に合致している。式中、mcinは4−メトキシ桂皮酸塩である。 水1リットル中にこの生成物50mgを含む懸濁液の紫外線吸収スペクトルに よれば、中心が286nmで末端が少なくとも400nmまで伸びる幅広ピーク を示した。360nmにおける吸光度は286nmの吸光度の15.9%であっ た。メトキシ桂皮酸ナトリウムの場合には、360nmにおける吸収度は286 nmの吸光度の0.2%未満であった。実施例4:亜鉛/銅ヒドロキシ塩への2−フェニルベンズイミダゾール−5−ス ルホン酸塩のイオン交換 2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸8.8gおよび水酸化ナト リウム1.28gを水200mlに溶解させ、 この溶液を、調製2の生成物10gに添加した。次いで懸濁液をポリプロピレン 製蓋付きびんで90℃で18時間加熱した。固形生成物を濾別し、温水で洗滌し 、その後オーブンで90℃で乾燥させた。 生成物のX線粉末回折パターンによれば、出発材料の特有な二つのピークがま だ存在していたが、その強度は低くなっていることが解った。21.3Aおよび 10.7Aに2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸塩を含む生成物 に特有の新しいピークも存在していた。 化学分析で、生成物は2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸塩を 11.9重量%含むことが解った。これは化学組成: Zn0.4Cu0.6(OH)1.58(pbs)0.06(NO30.36 に合致している。式中、pbsは2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホ ン酸塩を表わす。 水1リットル中に生成物50mgを含む懸濁液の紫外線吸収スペクトルによれ ば、中心が302nmで末端が少なくとも400nmまで伸びる幅広ピークを示 した。360nmにおけ る吸光度は302nmの吸光度の27%であった。2−フェニルベンズイミダゾ ール−5−スルホン酸ナトリウムの場合には、360nmにおける吸収度は30 2nmの吸光度の0.2%未満であった。実施例5:亜鉛/銅ヒドロキシ塩への2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェ ノン−5−スルホン酸塩のイオン交換 2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸9.89gお よび水酸化ナトリウム1.28gを水200mlに溶解させ、この溶液を、調製 2の生成物10gに添加した。次いでこの懸濁液をポリプロピレン製蓋付きびん で90℃で18時間加熱した。固形生成物を濾別し、温水で洗滌し、その後オー ブンで90℃で乾燥させた。 生成物のX線粉末回折パターンによれば、出発材料に特有な二つのピークがそ のまま存在していたが、強度は低下していることが解った。22Aに2−ヒドロ キシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸塩を含む生成物に特有の新 しいピークも存在していた。 化学分析で、生成物は2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−ス ルホン酸塩を3.1重量%含むことが解った。 水1リットル中にこの生成物50mgを含む懸濁液の紫外線吸収スペクトルに よれば、中心が290nmで末端が少なくとも400nmまで伸びる幅広ピーク を示した。360nmにおける吸光度は290nmの吸光度の37%であった。 2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン−5−スルホン酸一トリウム塩の 場合には、360nmにおける吸収度は290nmの吸収度の14%未満であっ たの。実施例6 下記組成物を調製した。 調製方法は以下の通りである。 B相を80℃まで加熱し、均質化する。A相を80℃まで加熱し、これを撹拌 しつつB相を徐々に添加する。C相にこれを添加し、40℃まで冷却しそしてD 相を添加する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,MW,SD),AM,AT, AU,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C Z,DE,DK,ES,FI,GB,GE,HU,JP ,KE,KG,KP,KR,KZ,LK,LT,LU, LV,MD,MG,MN,MW,NL,NO,NZ,P L,PT,RO,RU,SD,SE,SI,SK,TJ ,TT,UA,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 式: [M(OH)(2-a)a+b- a/b・zH2O (式中、Mは亜鉛、銅または両者の組合せであり、Xはアニオンであって、その 少なくとも一部は290から400nmまでの波長範囲の少なくとも一部の紫外 線を吸収する)で示されてなることを特徴とするヒドロキシ塩。 2. アニオンXの少なくとも一部が290から400nmまでの波長範囲の少 なくとも一部の紫外線を少なくとも2×103のモル吸光係数で吸収することを 特徴とする、請求項1に記載のヒドロキシ塩。 3. アニオンXの少なくとも5モル%が、 p−アミノベンズイミダゾール−5−スルホン酸塩 3−イミダゾール−4−イル−アクリル酸塩 サリチル酸塩 p−メトキシ桂皮酸塩 2−エチルヘキシル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリル酸塩 3,3,5−トリメチルシクロヘキシル−2−アセトアミド安息香酸塩 桂皮酸塩 p−アミノ安息香酸塩 3,4−ジメトキシフェニルグリオキシル酸塩 α−(2−オキソボルン−3−イリデン)−p−キシレン−2−スルホン酸塩 α−(2−オキソボルン−3−イリデン)トルエン−4−スルホン酸塩 α−シアノ−4−メトキシ桂皮酸塩 2−フェニルベンズイミダゾール−5−スルホン酸塩 の1種以上のアニオンであることを特徴とする、請求項1に記載のヒドロキシ塩 。 4. アニオンXの少なくとも5モル%が、フェノール化合物のアニオン、殊に ヒドロキシル化ベンゾフェノン部分を含む化合物のアニオンであって、290か ら400nmまでの波長範囲の少なくとも一部の紫外線を吸収することを特徴と する、請求項1または2に記載のヒドロキシ塩。 5. アニオンXの少なくとも5モル%が、 ベンゾフェノン−1 ベンゾフェノン−2 ベンゾフェノン−3 ベンゾフェノン−4 ベンゾフェノン−5 ベンゾフェノン−6 ベンゾフェノン−7 ベンゾフェノン−8 ベンゾフェノン−9 ベンゾフェノン−10 ベンゾフェノン−12 ブチルメトキシジベンゾイルメタン 1−(4−メトキシ−5−ベンゾフラニル)−3−フェニル−1,3−プロパ ンジオン ホモメンチルサリチレート、または 2−エチルヘキシルサリチレート の1種以上のアニオンであることを特徴とする、請求項4に記載のヒドロキシ塩 。 6. アニオンXの少なくとも大部分が、請求項3および5に 列挙する化合物の中のいずれかのアニオンであることを特徴とする、請求項1お よび2に記載のヒドロキシ塩。 7. アニオンXの大部分のモル吸光係数が少なくとも5×103であること特 徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のヒドロキシ塩。 8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載のヒドロキシ塩を含む化粧品上許容で きる賦形剤からなることを特徴する、人の皮膚に適用するための日焼け止め組成 物。
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