JPH0950136A - アライメント方法 - Google Patents
アライメント方法Info
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- JPH0950136A JPH0950136A JP7201992A JP20199295A JPH0950136A JP H0950136 A JPH0950136 A JP H0950136A JP 7201992 A JP7201992 A JP 7201992A JP 20199295 A JP20199295 A JP 20199295A JP H0950136 A JPH0950136 A JP H0950136A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハマークの位置がマークの打ち換え等に
より変化するのに応じてアライメントセンサが移動して
も、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせする。 【解決手段】 アライメントセンサをセンサ駆動系によ
りＸＹ方向及びＺ方向に移動可能とする。レチクルアラ
イメントを行った後、露光用のデータファイルに設定さ
れたウエハマークの位置に合わせてアライメントセンサ
を設定位置に移動する（ステップ１０１，１０２）。そ
して、アライメントセンサのメリジオナル方向（Ｍ方
向）のテレセントリック性、波長の異なる２つのビーム
の相対的な位置ずれ、及びサジタル方向（Ｓ方向）のテ
レセントリック性を順次調整する（ステップ１０３〜１
０８）。その後、ベースラインチェック及びサーチアラ
イメントを順次行った後、ダイ・バイ・ダイ方式により
ウエハの各ショット領域に露光する（ステップ１０９〜
１１１）。
より変化するのに応じてアライメントセンサが移動して
も、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせする。 【解決手段】 アライメントセンサをセンサ駆動系によ
りＸＹ方向及びＺ方向に移動可能とする。レチクルアラ
イメントを行った後、露光用のデータファイルに設定さ
れたウエハマークの位置に合わせてアライメントセンサ
を設定位置に移動する（ステップ１０１，１０２）。そ
して、アライメントセンサのメリジオナル方向（Ｍ方
向）のテレセントリック性、波長の異なる２つのビーム
の相対的な位置ずれ、及びサジタル方向（Ｓ方向）のテ
レセントリック性を順次調整する（ステップ１０３〜１
０８）。その後、ベースラインチェック及びサーチアラ
イメントを順次行った後、ダイ・バイ・ダイ方式により
ウエハの各ショット領域に露光する（ステップ１０９〜
１１１）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置にお
けるマスクと感光基板との位置合わせのためのアライメ
ント方法に関し、特にアライメントセンサが感光基板上
のアライメントマークの位置に応じて移動可能な構成を
有する場合に適用して好適なものである。
けるマスクと感光基板との位置合わせのためのアライメ
ント方法に関し、特にアライメントセンサが感光基板上
のアライメントマークの位置に応じて移動可能な構成を
有する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子、撮像素子
（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁気ヘッド等の製造の際に使用
されるステッパー等の投影露光装置においては、マスク
としてのレチクル上に形成された回路パターンを感光基
板としてのウエハ又はガラスプレート等上のフォトレジ
スト層に高い重ね合わせ精度で転写するために、レチク
ルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライメント）す
ることが求められている。
（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁気ヘッド等の製造の際に使用
されるステッパー等の投影露光装置においては、マスク
としてのレチクル上に形成された回路パターンを感光基
板としてのウエハ又はガラスプレート等上のフォトレジ
スト層に高い重ね合わせ精度で転写するために、レチク
ルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライメント）す
ることが求められている。
【０００３】このためのアライメントセンサとしては、
レーザ光をウエハ上のドット列状のアライメントマーク
に照射し、そのマークにより回折又は散乱された光を用
いてそのマークの位置を検出するＬＳＡ（Laser Step A
lignment）方式、ハロゲンランプを光源とする波長帯域
幅の広い光で照明して撮像したアライメントマークの画
像データを画像処理して計測するＦＩＡ（Field Image
Alignment)方式、あるいはウエハ上の回折格子状のアラ
イメントマークに、同一周波数又は周波数を僅かに変え
たレーザ光を２方向から照射し、発生した２つの回折光
を干渉させ、その位相からアライメントマークの位置を
計測するＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment ）
方式等のアライメントセンサがある。斯かる従来のアラ
イメントセンサは固定されており、投影露光装置を立ち
上げるとき（組立調整時）等に、一度アライメントセン
サの光学部材の位置関係等の調整を行ってしまった後
は、特にセンサ単独で調整を行う必要はなかった。
レーザ光をウエハ上のドット列状のアライメントマーク
に照射し、そのマークにより回折又は散乱された光を用
いてそのマークの位置を検出するＬＳＡ（Laser Step A
lignment）方式、ハロゲンランプを光源とする波長帯域
幅の広い光で照明して撮像したアライメントマークの画
像データを画像処理して計測するＦＩＡ（Field Image
Alignment)方式、あるいはウエハ上の回折格子状のアラ
イメントマークに、同一周波数又は周波数を僅かに変え
たレーザ光を２方向から照射し、発生した２つの回折光
を干渉させ、その位相からアライメントマークの位置を
計測するＬＩＡ（Laser Interferometric Alignment ）
方式等のアライメントセンサがある。斯かる従来のアラ
イメントセンサは固定されており、投影露光装置を立ち
上げるとき（組立調整時）等に、一度アライメントセン
サの光学部材の位置関係等の調整を行ってしまった後
は、特にセンサ単独で調整を行う必要はなかった。
【０００４】例えば特開昭６１−６５４３６号公報に開
示されているようなＬＳＡ方式のアライメントセンサに
おいては、基本的な光学調整や電気調整が終わった後に
照明光のテレセントリック性の調整（以下、「テレセン
調整」という）と呼ばれる光学調整を行う。このテレセ
ン調整は、具体的には、ウエハステージを上下させて計
測値が変化しないような角度になるように光学系内の素
子を微調整することにより、アライメントに用いられる
照明光の主光線がウエハに対して垂直に落射するように
調整するものである。
示されているようなＬＳＡ方式のアライメントセンサに
おいては、基本的な光学調整や電気調整が終わった後に
照明光のテレセントリック性の調整（以下、「テレセン
調整」という）と呼ばれる光学調整を行う。このテレセ
ン調整は、具体的には、ウエハステージを上下させて計
測値が変化しないような角度になるように光学系内の素
子を微調整することにより、アライメントに用いられる
照明光の主光線がウエハに対して垂直に落射するように
調整するものである。
【０００５】その後に、ウエハステージ上に設けられた
基準マーク部材に刻まれている基準マークを用いて照明
光としての照射位置を計測し、その計測された照射位置
を装置内の基準位置パラメータの１つとして記憶装置に
格納する。以上のような光学調整は、装置を立ち上げる
ときに１回だけ行われ、その後はベースラインチェック
（計測中心と露光中心との間隔のチェック）と呼ばれる
装置の長期的な変動を補正するシーケンスにより計測後
の補正が行われている。
基準マーク部材に刻まれている基準マークを用いて照明
光としての照射位置を計測し、その計測された照射位置
を装置内の基準位置パラメータの１つとして記憶装置に
格納する。以上のような光学調整は、装置を立ち上げる
ときに１回だけ行われ、その後はベースラインチェック
（計測中心と露光中心との間隔のチェック）と呼ばれる
装置の長期的な変動を補正するシーケンスにより計測後
の補正が行われている。
【０００６】また、従来アライメント方式としては、投
影光学系を介してウエハの位置を測定するＴＴＬ（スル
ー・ザ・レンズ）方式、及び投影光学系を介することな
く直接ウエハの位置を計測するオフ・アクシス方式によ
るアライメントが主流であったが、最近では、ＩＣの高
集積化が進み露光装置の重ね合わせ精度に対する要求が
厳しくなってきている。そのためにＴＴＲ（スルー・ザ
・レチクル）方式のアライメント方式が注目されてい
る。このＴＴＲ方式のアライメント方法（以下、「ＴＴ
Ｒアライメント」という）は、露光時にウエハとレチク
ルとを同時に観察し、両者の相対関係を目標値に追い込
むものであり、露光位置でアライメント動作を行い、ウ
エハステージのステッピング精度の影響を受けない高精
度な重ね合わせ動作を行うことができるという特徴があ
る。
影光学系を介してウエハの位置を測定するＴＴＬ（スル
ー・ザ・レンズ）方式、及び投影光学系を介することな
く直接ウエハの位置を計測するオフ・アクシス方式によ
るアライメントが主流であったが、最近では、ＩＣの高
集積化が進み露光装置の重ね合わせ精度に対する要求が
厳しくなってきている。そのためにＴＴＲ（スルー・ザ
・レチクル）方式のアライメント方式が注目されてい
る。このＴＴＲ方式のアライメント方法（以下、「ＴＴ
Ｒアライメント」という）は、露光時にウエハとレチク
ルとを同時に観察し、両者の相対関係を目標値に追い込
むものであり、露光位置でアライメント動作を行い、ウ
エハステージのステッピング精度の影響を受けない高精
度な重ね合わせ動作を行うことができるという特徴があ
る。
【０００７】ところで、ウエハ上の回路パターンは、何
層もの積み重ねにより形成される。その場合、ウエハ上
に形成されるアライメントマーク（ウエハマーク）が複
数の層（レイヤ）で使用されると、その間のプロセスに
よって次第に損傷を受けるため、レイヤに応じてウエハ
マークの打ち換えが行われ、ウエハマークの位置が変化
する。従って、ＴＴＲアライメントの特徴を生かすため
には、ウエハ上のショット領域付近でのウエハマークの
位置に応じてアライメントセンサの位置が移動できなけ
ればならない。
層もの積み重ねにより形成される。その場合、ウエハ上
に形成されるアライメントマーク（ウエハマーク）が複
数の層（レイヤ）で使用されると、その間のプロセスに
よって次第に損傷を受けるため、レイヤに応じてウエハ
マークの打ち換えが行われ、ウエハマークの位置が変化
する。従って、ＴＴＲアライメントの特徴を生かすため
には、ウエハ上のショット領域付近でのウエハマークの
位置に応じてアライメントセンサの位置が移動できなけ
ればならない。
【０００８】図６は、従来のＴＴＲアライメントのフロ
ーチャートを示し、この図６において、ステップ６０１
でアライメントマークの位置を読み込み、ステップ６０
２においてアライメントセンサの位置を設定する。そし
て、ステップ６０３，６０４でベースラインチェックを
行い、ウエハを粗く位置決めするサーチアライメントを
行った後、ステップ６０５において、アライメントセン
サによりレチクルとウエハとを直接観察して、精密なア
ライメントを行い、その位置で露光光を照射するという
ダイ・バイ・ダイ露光（Ｄ／Ｄ露光）が行われていた。
ーチャートを示し、この図６において、ステップ６０１
でアライメントマークの位置を読み込み、ステップ６０
２においてアライメントセンサの位置を設定する。そし
て、ステップ６０３，６０４でベースラインチェックを
行い、ウエハを粗く位置決めするサーチアライメントを
行った後、ステップ６０５において、アライメントセン
サによりレチクルとウエハとを直接観察して、精密なア
ライメントを行い、その位置で露光光を照射するという
ダイ・バイ・ダイ露光（Ｄ／Ｄ露光）が行われていた。
【０００９】この場合、ステップ６０５ではアラメント
センサの照明光としては露光光が用いられ、レチクル上
のアライメントマーク（レチクルマーク）とウエハマー
クとを重ねて観察し、その両者の位置ずれを目標値内に
追い込むように操作していた。その場合、アライメント
センサは指定された位置に単に移動するだけで、特に光
学的な調整は行われていなかった。
センサの照明光としては露光光が用いられ、レチクル上
のアライメントマーク（レチクルマーク）とウエハマー
クとを重ねて観察し、その両者の位置ずれを目標値内に
追い込むように操作していた。その場合、アライメント
センサは指定された位置に単に移動するだけで、特に光
学的な調整は行われていなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の技
術においては、ウエハマークの打ち換えによりアライメ
ントセンサが新しいウエハマークの位置に応じて移動し
ても、特にアライメントセンサの移動に伴う光学系の変
化に対する調整は行われていなかった。そのため、ウエ
ハマークの打ち換えによって重ね合わせ精度が変化して
しまうといった不都合があった。最近は、半導体素子等
の一層の高集積化によって、重ね合わせ精度をより厳し
く管理することが求められているため、ウエハマークの
打ち換えによる重ね合わせ精度の低下を防止することが
必要となっている。
術においては、ウエハマークの打ち換えによりアライメ
ントセンサが新しいウエハマークの位置に応じて移動し
ても、特にアライメントセンサの移動に伴う光学系の変
化に対する調整は行われていなかった。そのため、ウエ
ハマークの打ち換えによって重ね合わせ精度が変化して
しまうといった不都合があった。最近は、半導体素子等
の一層の高集積化によって、重ね合わせ精度をより厳し
く管理することが求められているため、ウエハマークの
打ち換えによる重ね合わせ精度の低下を防止することが
必要となっている。
【００１１】本発明は斯かる点に鑑み、ウエハマークの
打ち換え等によりアライメントセンサの位置が移動して
も、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせできるア
ライメント方法を提供することを目的とする。
打ち換え等によりアライメントセンサの位置が移動して
も、レチクルとウエハとを高精度に位置合わせできるア
ライメント方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によるアライメン
ト方法は、露光光（ＩＬ）のもとでマスク（６）上のパ
ターンを投影光学系（２１）を介して感光性の基板
（９）上に転写する投影露光装置で、所定のアライメン
ト光を用いてその投影光学系（２１）を介してそのマス
ク（６）上の位置合わせ用マーク（ＲＭ）とその基板
（９）上の位置合わせ用マーク（ＷＭ）との相対的な位
置ずれ量を検出するアライメント系（１）を用いて、そ
のマスク（６）とその基板（９）との位置合わせを行う
アライメント方法において、そのアライメント系（１）
をその基板（９）上の位置合わせマーク（ＷＭ）の形成
位置に応じて移動自在に配置し、そのアライメント系
（１）をその基板（９）上の位置合わせ用マーク（Ｗ
Ｍ）の位置に合わせて移動する第１工程（ステップ１０
２）と、そのアライメント系（１）の光学特性を所定の
状態に向けて調整する第２工程（ステップ１０３〜１０
８）と、を有するものである。
ト方法は、露光光（ＩＬ）のもとでマスク（６）上のパ
ターンを投影光学系（２１）を介して感光性の基板
（９）上に転写する投影露光装置で、所定のアライメン
ト光を用いてその投影光学系（２１）を介してそのマス
ク（６）上の位置合わせ用マーク（ＲＭ）とその基板
（９）上の位置合わせ用マーク（ＷＭ）との相対的な位
置ずれ量を検出するアライメント系（１）を用いて、そ
のマスク（６）とその基板（９）との位置合わせを行う
アライメント方法において、そのアライメント系（１）
をその基板（９）上の位置合わせマーク（ＷＭ）の形成
位置に応じて移動自在に配置し、そのアライメント系
（１）をその基板（９）上の位置合わせ用マーク（Ｗ
Ｍ）の位置に合わせて移動する第１工程（ステップ１０
２）と、そのアライメント系（１）の光学特性を所定の
状態に向けて調整する第２工程（ステップ１０３〜１０
８）と、を有するものである。
【００１３】この場合、その第２工程で調整される光学
特性の一例は、そのアライメント系のテレセントリック
性又はそのアライメント光のその基板（９）上での照射
位置である。また、そのアライメント光の一例は、波長
の異なる複数の光束（ＬＢ1 ，ＬＢ 2 ）からなる光束で
あり、この場合、そのアライメント系（１）はその複数
の光束（ＬＢ1 ，ＬＢ2 ）によるその基板（９）上の位
置合わせ用マーク（ＷＭ）からの回折光（ＬＢ1 +1，Ｌ
Ｂ2 -1）を検出し、且つ、その第２工程で調整される光
学特性としては、その基板（９）上でのその複数の光束
（ＬＢ1 ，ＬＢ2 ）の照射位置の相対的な位置ずれ量を
選択することが望ましい。
特性の一例は、そのアライメント系のテレセントリック
性又はそのアライメント光のその基板（９）上での照射
位置である。また、そのアライメント光の一例は、波長
の異なる複数の光束（ＬＢ1 ，ＬＢ 2 ）からなる光束で
あり、この場合、そのアライメント系（１）はその複数
の光束（ＬＢ1 ，ＬＢ2 ）によるその基板（９）上の位
置合わせ用マーク（ＷＭ）からの回折光（ＬＢ1 +1，Ｌ
Ｂ2 -1）を検出し、且つ、その第２工程で調整される光
学特性としては、その基板（９）上でのその複数の光束
（ＬＢ1 ，ＬＢ2 ）の照射位置の相対的な位置ずれ量を
選択することが望ましい。
【００１４】また、その第２工程終了後、更にその光学
特性を測定し、該測定結果がその所定の状態から所定の
許容値を越えてずれているときにその第２工程を繰り返
すことが好ましい。また、そのアライメント系（１）の
設定位置と、その光学特性をその所定の状態にするため
のそのアライメント系（１）の調整量との関係を予め求
めて記憶しておき、その第２工程で、そのアライメント
系（１）の設定位置、及びその記憶してある関係に基づ
いて定まる調整量だけそのアライメント系（１）を調整
するようにしてもよい。
特性を測定し、該測定結果がその所定の状態から所定の
許容値を越えてずれているときにその第２工程を繰り返
すことが好ましい。また、そのアライメント系（１）の
設定位置と、その光学特性をその所定の状態にするため
のそのアライメント系（１）の調整量との関係を予め求
めて記憶しておき、その第２工程で、そのアライメント
系（１）の設定位置、及びその記憶してある関係に基づ
いて定まる調整量だけそのアライメント系（１）を調整
するようにしてもよい。
【００１５】斯かる本発明のアライメント方法によれ
ば、第１工程でアライメント系（１）を基板（９）上の
位置合わせ用マーク（ＷＭ）の位置に合わせて移動する
と共に第２工程で、その位置合わせ用マークの位置に合
わせてアライメント系（１）の光学特性が所定の状態に
向けて調整されるため、従来のように基板（９）上の位
置合わせ用マーク（ＷＭ）の位置が異なることによる光
学特性の誤差は発生せず、重ね合わせ精度が従来の方法
に比べて格段に向上する。
ば、第１工程でアライメント系（１）を基板（９）上の
位置合わせ用マーク（ＷＭ）の位置に合わせて移動する
と共に第２工程で、その位置合わせ用マークの位置に合
わせてアライメント系（１）の光学特性が所定の状態に
向けて調整されるため、従来のように基板（９）上の位
置合わせ用マーク（ＷＭ）の位置が異なることによる光
学特性の誤差は発生せず、重ね合わせ精度が従来の方法
に比べて格段に向上する。
【００１６】また、第２工程で調整される光学特性が、
アライメント系（１）のテレセントリック性又はアライ
メント光の基板（９）上での照射位置である場合には、
それぞれ光束のケラレが少なくなるか、若しくは基板
（９）の高さによる検出誤差が小さくなるか、又は十分
なＳＮ比の検出信号が得られる。また、アライメント光
が、波長の異なる複数の光束（ＬＢ1 ，ＬＢ2 ）からな
り、アライメント系（１）がその複数の光束による基板
（９）上の位置合わせ用マーク（ＷＭ）からの回折光
（ＬＢ1 +1，ＬＢ2 -1）を検出し、第２工程で調整され
る光学特性が、基板（９）上でのその複数の光束の照射
位置の相対的な位置ずれ量である場合には、例えばその
複数の光束の照射位置の相対的な位置ずれ量が所定の範
囲内になるようにアライメント系（１）を調整すること
で、複数波長を重畳しても高いＳＮ比の信号が得られ
る。
アライメント系（１）のテレセントリック性又はアライ
メント光の基板（９）上での照射位置である場合には、
それぞれ光束のケラレが少なくなるか、若しくは基板
（９）の高さによる検出誤差が小さくなるか、又は十分
なＳＮ比の検出信号が得られる。また、アライメント光
が、波長の異なる複数の光束（ＬＢ1 ，ＬＢ2 ）からな
り、アライメント系（１）がその複数の光束による基板
（９）上の位置合わせ用マーク（ＷＭ）からの回折光
（ＬＢ1 +1，ＬＢ2 -1）を検出し、第２工程で調整され
る光学特性が、基板（９）上でのその複数の光束の照射
位置の相対的な位置ずれ量である場合には、例えばその
複数の光束の照射位置の相対的な位置ずれ量が所定の範
囲内になるようにアライメント系（１）を調整すること
で、複数波長を重畳しても高いＳＮ比の信号が得られ
る。
【００１７】また、第２工程終了後、更に光学特性を測
定し、この測定結果が所定の状態から所定の許容値を越
えてずれているときにその第２工程を繰り返す場合に
は、光学特性は最終的に許容値以内となり、適正な光学
特性に調整されたアライメント系（１）を用いて高精度
に位置合わせできる。また、アライメント系（１）の設
定位置と光学特性を所定の状態にするためのアライメン
ト系（１）の調整量との関係を予め求めて記憶してお
き、その第２工程で、アライメント系（１）の設定位
置、及び記憶してある関係に基づいて定まる調整量だけ
アライメント系（１）を調整する場合には、アライメン
ト系（１）の光学特性の調整時間が短縮される。更に、
例えばアライメント系（１）の位置が設定されると同時
に、その記憶された関係に基づきアライメント系（１）
の光学特性が自動的に調整されるシステムにしておけ
ば、アライメント系（１）の光学特性の調整時間が更に
短縮される。
定し、この測定結果が所定の状態から所定の許容値を越
えてずれているときにその第２工程を繰り返す場合に
は、光学特性は最終的に許容値以内となり、適正な光学
特性に調整されたアライメント系（１）を用いて高精度
に位置合わせできる。また、アライメント系（１）の設
定位置と光学特性を所定の状態にするためのアライメン
ト系（１）の調整量との関係を予め求めて記憶してお
き、その第２工程で、アライメント系（１）の設定位
置、及び記憶してある関係に基づいて定まる調整量だけ
アライメント系（１）を調整する場合には、アライメン
ト系（１）の光学特性の調整時間が短縮される。更に、
例えばアライメント系（１）の位置が設定されると同時
に、その記憶された関係に基づきアライメント系（１）
の光学特性が自動的に調整されるシステムにしておけ
ば、アライメント系（１）の光学特性の調整時間が更に
短縮される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるアライメント
方法の実施の形態の第１の例につき図１及び図２を参照
して説明する。本例は、ステッパー型の投影露光装置に
おいて２光束ヘテロダイン干渉方式（ＬＩＡ方式）でＴ
ＴＲ方式のアライメントセンサを使用して、ダイ・バイ
・ダイ方式で露光する場合に本発明を適用したものであ
る。
方法の実施の形態の第１の例につき図１及び図２を参照
して説明する。本例は、ステッパー型の投影露光装置に
おいて２光束ヘテロダイン干渉方式（ＬＩＡ方式）でＴ
ＴＲ方式のアライメントセンサを使用して、ダイ・バイ
・ダイ方式で露光する場合に本発明を適用したものであ
る。
【００１９】図２は、本例の投影露光装置の全体の概略
構成を示し、この図１において、露光時には不図示の露
光照明系からの波長λ0 の露光用の照明光ＩＬがレチク
ル６に照射され、その照明光のもとでレチクル６のパタ
ーンが投影光学系２１を介して例えば１／５に縮小され
てフォトレジストが塗布されたウエハ９上の各ショット
領域に投影される。露光用の照明光ＩＬとしては、水銀
ランプのｉ線（波長：３６５ｎｍ）の他エキシマレーザ
光（波長：２４８ｎｍ，１９３ｎｍ等）等も使用でき
る。ここで、投影光学系２１の光軸ＡＸに平行にＺ軸を
取り、Ｚ軸に垂直な平面で図２の紙面に平行にＸ軸を、
図２の紙面に垂直にＹ軸を取る。
構成を示し、この図１において、露光時には不図示の露
光照明系からの波長λ0 の露光用の照明光ＩＬがレチク
ル６に照射され、その照明光のもとでレチクル６のパタ
ーンが投影光学系２１を介して例えば１／５に縮小され
てフォトレジストが塗布されたウエハ９上の各ショット
領域に投影される。露光用の照明光ＩＬとしては、水銀
ランプのｉ線（波長：３６５ｎｍ）の他エキシマレーザ
光（波長：２４８ｎｍ，１９３ｎｍ等）等も使用でき
る。ここで、投影光学系２１の光軸ＡＸに平行にＺ軸を
取り、Ｚ軸に垂直な平面で図２の紙面に平行にＸ軸を、
図２の紙面に垂直にＹ軸を取る。
【００２０】この場合、レチクル４はレチクルステージ
１０上に保持され、レチクルステージ１０は投影光学系
２１の光軸ＡＸに垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び
回転方向（θ方向）にレチクル６の位置決めを行う。レ
チクルステージ１０上に固定された移動鏡１２、及び外
部に設置されたレーザ干渉計（不図示）によりレチクル
ステージ１０のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角が常時計測
され、計測値が装置全体の動作を統轄制御する中央制御
系１５に供給されている。レチクル４のパターン領域の
近傍にはＸ軸用の回折格子状のレチクルマークＲＭ、及
びＹ軸用の回折格子状のレチクルマーク（不図示）が形
成され、それらの外側にはレチクルアライメント用の一
対のアライメントマーク（不図示）も形成されている。
１０上に保持され、レチクルステージ１０は投影光学系
２１の光軸ＡＸに垂直な平面内でＸ方向、Ｙ方向、及び
回転方向（θ方向）にレチクル６の位置決めを行う。レ
チクルステージ１０上に固定された移動鏡１２、及び外
部に設置されたレーザ干渉計（不図示）によりレチクル
ステージ１０のＸ座標、Ｙ座標、及び回転角が常時計測
され、計測値が装置全体の動作を統轄制御する中央制御
系１５に供給されている。レチクル４のパターン領域の
近傍にはＸ軸用の回折格子状のレチクルマークＲＭ、及
びＹ軸用の回折格子状のレチクルマーク（不図示）が形
成され、それらの外側にはレチクルアライメント用の一
対のアライメントマーク（不図示）も形成されている。
【００２１】一方、ウエハ９は不図示のウエハホルダを
介してウエハステージ１１上に載置されている。ウエハ
ステージ１１は投影光学系２１の光軸ＡＸに垂直な平面
内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向（θ方向）にウエハ
９の位置決めを行うと共にウエハ９の焦点方向（Ｚ方
向）の位置決めも行う。ウエハステージ１１上に固定さ
れた移動鏡１３、及び外部に設置されたレーザ干渉計
（不図示）によりウエハ９のＸ座標、Ｙ座標、及び回転
角が常時計測され、計測値が中央制御系１５に供給され
ている。ウエハ９の各ショット領域にはＸ軸の回折格子
状のウエハマークＷＭ及びＹ軸の回折格子状のウエハマ
ーク（不図示）が付設されている。
介してウエハステージ１１上に載置されている。ウエハ
ステージ１１は投影光学系２１の光軸ＡＸに垂直な平面
内でＸ方向、Ｙ方向、及び回転方向（θ方向）にウエハ
９の位置決めを行うと共にウエハ９の焦点方向（Ｚ方
向）の位置決めも行う。ウエハステージ１１上に固定さ
れた移動鏡１３、及び外部に設置されたレーザ干渉計
（不図示）によりウエハ９のＸ座標、Ｙ座標、及び回転
角が常時計測され、計測値が中央制御系１５に供給され
ている。ウエハ９の各ショット領域にはＸ軸の回折格子
状のウエハマークＷＭ及びＹ軸の回折格子状のウエハマ
ーク（不図示）が付設されている。
【００２２】また、ウエハステージ１１上のウエハ９の
近傍にはウエハマークと同じピッチの格子状の基準マー
ク等が形成された基準マーク部材１６が固定され、後述
のアライメントセンサ１のキャリブレーション時には、
基準マーク部材１６が投影光学系２１の露光フィールド
内に移動され、基準マーク部材１６上の基準マーク（以
下、「ウエハ基準マーク」という）がウエハマークと同
様にアライメント照明光により照明される。このウエハ
基準マークは、照射されるアライメント照明光より非計
測方向の幅が小さく形成されている。また、基準マーク
部材１６上にはレチクルマーク用の基準マーク（以下、
「レチクル基準マーク」という）も形成されている。更
に、基準マーク部材１６上にはレチクルの位置の基準と
なる基準マークも形成されており、レチクルアライメン
ト時にはこの基準マークとレチクル６上の不図示のアラ
イメントマークとを不図示のレチクルアライメントセン
サで観察することによりレチクル６のアライメントが行
われる。
近傍にはウエハマークと同じピッチの格子状の基準マー
ク等が形成された基準マーク部材１６が固定され、後述
のアライメントセンサ１のキャリブレーション時には、
基準マーク部材１６が投影光学系２１の露光フィールド
内に移動され、基準マーク部材１６上の基準マーク（以
下、「ウエハ基準マーク」という）がウエハマークと同
様にアライメント照明光により照明される。このウエハ
基準マークは、照射されるアライメント照明光より非計
測方向の幅が小さく形成されている。また、基準マーク
部材１６上にはレチクルマーク用の基準マーク（以下、
「レチクル基準マーク」という）も形成されている。更
に、基準マーク部材１６上にはレチクルの位置の基準と
なる基準マークも形成されており、レチクルアライメン
ト時にはこの基準マークとレチクル６上の不図示のアラ
イメントマークとを不図示のレチクルアライメントセン
サで観察することによりレチクル６のアライメントが行
われる。
【００２３】本例でＴＴＲアライメントを行うアライメ
ントセンサ１は、レチクル６の上方に設置されている。
本例のアライメントセンサ１は、図２中点線の枠で示す
ように、アライメント光学系２、ダイクロイックミラー
４０、及びダイクロイックミラー４０の右方の対物レン
ズ３９から構成されている。また、アライメントセンサ
１は、センサ駆動系１４によりＸ方向、Ｙ方向、及びＺ
方向に自在に移動できるようになっており、センサ駆動
系１４を制御する中央制御系１５の指令により必要に応
じ所定の位置まで移動する。なお、アライメントセンサ
１はＸ方向の位置ずれを計測するものであるが、同様の
ＴＴＲ方式のアライメントセンサはＸ方向の計測のため
にもう１軸、Ｙ方向の計測用として２軸、計４軸分が設
置されており、レチクル６とウエハ９とのＸ方向、Ｙ方
向、及び回転方向の位置ずれ量が計測できるようになっ
ている。以下では、Ｘ方向の位置決め方法を例に取って
説明する。
ントセンサ１は、レチクル６の上方に設置されている。
本例のアライメントセンサ１は、図２中点線の枠で示す
ように、アライメント光学系２、ダイクロイックミラー
４０、及びダイクロイックミラー４０の右方の対物レン
ズ３９から構成されている。また、アライメントセンサ
１は、センサ駆動系１４によりＸ方向、Ｙ方向、及びＺ
方向に自在に移動できるようになっており、センサ駆動
系１４を制御する中央制御系１５の指令により必要に応
じ所定の位置まで移動する。なお、アライメントセンサ
１はＸ方向の位置ずれを計測するものであるが、同様の
ＴＴＲ方式のアライメントセンサはＸ方向の計測のため
にもう１軸、Ｙ方向の計測用として２軸、計４軸分が設
置されており、レチクル６とウエハ９とのＸ方向、Ｙ方
向、及び回転方向の位置ずれ量が計測できるようになっ
ている。以下では、Ｘ方向の位置決め方法を例に取って
説明する。
【００２４】アライメントセンサ１によりアライメント
を行う際には、アライメント光学系２中の２つのレーザ
光源から射出されたレーザビームは、所定の周波数変調
を受けてアライメント光として射出される。アライメン
ト光としては、ウエハ９上に塗布されているフォトレジ
ストに対する感光性の弱い波長域の光（例えばＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光源からの波長６３３ｎｍのレーザビーム等）
が使用される。このアライメント光は対物レンズ３９、
ダイクロイックミラー４０を介してレチクル６上の回折
格子状のＸ軸のレチクルマークＲＭ、及び光透過性の窓
部（レチクル窓）ＲＷに照射され、レチクル窓ＲＷを透
過したアライメント光がウエハ９上の位置決め対象のシ
ョット領域に付設されたＸ軸のウエハマークＷＭに照射
される。
を行う際には、アライメント光学系２中の２つのレーザ
光源から射出されたレーザビームは、所定の周波数変調
を受けてアライメント光として射出される。アライメン
ト光としては、ウエハ９上に塗布されているフォトレジ
ストに対する感光性の弱い波長域の光（例えばＨｅ−Ｎ
ｅレーザ光源からの波長６３３ｎｍのレーザビーム等）
が使用される。このアライメント光は対物レンズ３９、
ダイクロイックミラー４０を介してレチクル６上の回折
格子状のＸ軸のレチクルマークＲＭ、及び光透過性の窓
部（レチクル窓）ＲＷに照射され、レチクル窓ＲＷを透
過したアライメント光がウエハ９上の位置決め対象のシ
ョット領域に付設されたＸ軸のウエハマークＷＭに照射
される。
【００２５】そして、ウエハマークＷＭでの回折により
生じたヘテロダインビーム、及びレチクルマークＲＭで
の回折により生じたヘテロダインビームが、ダイクロイ
ックミラー４０、及び対物レンズ３９を経てアライメン
ト光学系２に戻り、アライメント光学系２内の受光系で
３つのビート信号が生成される。これらのビート信号が
不図示のアライメント信号処理系に供給され、ここでレ
チクルからのレチクルビート信号とウエハからのウエハ
ビート信号との位相差が検出され、検出された位相差が
中央制御系１５に供給される。
生じたヘテロダインビーム、及びレチクルマークＲＭで
の回折により生じたヘテロダインビームが、ダイクロイ
ックミラー４０、及び対物レンズ３９を経てアライメン
ト光学系２に戻り、アライメント光学系２内の受光系で
３つのビート信号が生成される。これらのビート信号が
不図示のアライメント信号処理系に供給され、ここでレ
チクルからのレチクルビート信号とウエハからのウエハ
ビート信号との位相差が検出され、検出された位相差が
中央制御系１５に供給される。
【００２６】ここで、アライメント光学系２及びレーザ
ビームの光路について更に詳しく説明する。本例では、
第１の光源３１Ａ及び第２の光源３１Ｂの２つの光源を
使用し、それら２つの光源３１Ａ，３１Ｂからそれぞれ
射出される異なった２つの波長のレーザビームを使用し
ている。１波長のみのレーザビームでは、ウエハ表面の
反射率やウエハ表面に塗布されたフォトレジストの屈折
率及び反射率により、ウエハ表面からの反射光の信号強
度が変化して安定した信号が得られないが、２つの波長
をもつレーザビームによれば、ウエハの表面やフォトレ
ジストの状態にかかわらず安定した信号強度を得ること
ができるからである。そして、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ
光源よりなる第１の光源３１Ａからは波長λ1 のレーザ
ビームが射出され、例えばレーザダイオードよりなる第
２の光源３１Ｂからは波長λ2 のレーザビームが射出さ
れる。
ビームの光路について更に詳しく説明する。本例では、
第１の光源３１Ａ及び第２の光源３１Ｂの２つの光源を
使用し、それら２つの光源３１Ａ，３１Ｂからそれぞれ
射出される異なった２つの波長のレーザビームを使用し
ている。１波長のみのレーザビームでは、ウエハ表面の
反射率やウエハ表面に塗布されたフォトレジストの屈折
率及び反射率により、ウエハ表面からの反射光の信号強
度が変化して安定した信号が得られないが、２つの波長
をもつレーザビームによれば、ウエハの表面やフォトレ
ジストの状態にかかわらず安定した信号強度を得ること
ができるからである。そして、例えばＨｅ−Ｎｅレーザ
光源よりなる第１の光源３１Ａからは波長λ1 のレーザ
ビームが射出され、例えばレーザダイオードよりなる第
２の光源３１Ｂからは波長λ2 のレーザビームが射出さ
れる。
【００２７】光源３１Ａからのレーザビームはダイクロ
イックミラー４２を透過し、光源３１Ｂからのレーザビ
ームはダイクロイックミラー４２で水平方向に反射され
る。そして、２つの光源３１Ａ，３１Ｂからの２つのレ
ーザビームはダイクロイックミラー４２を出たところで
１つのレーザビームＢ0 に合成される。ダイクロイック
ミラー４２からのレーザビームＢ0 は、ハーフミラー３
２によりハーフミラー３２を透過するレーザビームＢ1
とハーフミラー３２で反射されるレーザビームＢ2 との
２つのレーザビームに２分割される。レーザビームＢ1
は直接周波数Ｆ 1 で駆動されている音響光学素子（以
下、「ＡＯＭ」と言う）３４ａに入射する。他方のレー
ザビームＢ2 は、ハーフミラー３２で反射された後、反
射ミラー３３でレーザビームＢ1 と平行になるように反
射され、周波数Ｆ2 で駆動されているＡＯＭ３４ｂに入
射する。なお、周波数Ｆ1 及びＦ2 はそれぞれ数１０Ｍ
Ｈｚであり、且つ両周波数の差が一例として５０ｋＨｚ
となっている。ＡＯＭ３４ａ，３４ｂではそれぞれ入射
するレーザビームＢ1 ，Ｂ2 を周波数変調してアライメ
ント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 として射出する。両照明光Ｌ
Ｂ1 ，ＬＢ2 の周波数差は５０ｋＨｚである。
イックミラー４２を透過し、光源３１Ｂからのレーザビ
ームはダイクロイックミラー４２で水平方向に反射され
る。そして、２つの光源３１Ａ，３１Ｂからの２つのレ
ーザビームはダイクロイックミラー４２を出たところで
１つのレーザビームＢ0 に合成される。ダイクロイック
ミラー４２からのレーザビームＢ0 は、ハーフミラー３
２によりハーフミラー３２を透過するレーザビームＢ1
とハーフミラー３２で反射されるレーザビームＢ2 との
２つのレーザビームに２分割される。レーザビームＢ1
は直接周波数Ｆ 1 で駆動されている音響光学素子（以
下、「ＡＯＭ」と言う）３４ａに入射する。他方のレー
ザビームＢ2 は、ハーフミラー３２で反射された後、反
射ミラー３３でレーザビームＢ1 と平行になるように反
射され、周波数Ｆ2 で駆動されているＡＯＭ３４ｂに入
射する。なお、周波数Ｆ1 及びＦ2 はそれぞれ数１０Ｍ
Ｈｚであり、且つ両周波数の差が一例として５０ｋＨｚ
となっている。ＡＯＭ３４ａ，３４ｂではそれぞれ入射
するレーザビームＢ1 ，Ｂ2 を周波数変調してアライメ
ント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 として射出する。両照明光Ｌ
Ｂ1 ，ＬＢ2 の周波数差は５０ｋＨｚである。
【００２８】ＡＯＭ３４ａ，３４ｂにより周波数が変調
されたアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、それぞれ
ハーフミラー３５に入射し、所定の割合の照明光が透過
して直視プリズム５２に入射する。ハーフミラー３５で
下方に反射されたアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ
2 は、集光レンズ３６により参照格子３７上に集光さ
れ、参照格子３７からの±１次回折光よりなるヘテロダ
インビームが光電検出素子３８に入射し、光電検出素子
３８から周波数５０ｋＨｚの参照信号が出力される。
されたアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、それぞれ
ハーフミラー３５に入射し、所定の割合の照明光が透過
して直視プリズム５２に入射する。ハーフミラー３５で
下方に反射されたアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ
2 は、集光レンズ３６により参照格子３７上に集光さ
れ、参照格子３７からの±１次回折光よりなるヘテロダ
インビームが光電検出素子３８に入射し、光電検出素子
３８から周波数５０ｋＨｚの参照信号が出力される。
【００２９】直視プリズム５２は、直視プリズム駆動機
構５２ａにより光軸を中心に相対回転及び全体としての
回転が可能であり、中央制御系１５の指令に基づき駆動
される。直視プリズム５２が回転すると、波長λ1 ，λ
2 の２色のアライメント照明光の相対交差角が変化し、
ウエハ９上での相対入射角も変化する。直視プリズム５
２で相対交差角が調整されたアライメント照明光Ｌ
Ｂ1 ，ＬＢ2 は、次に第２ハービングガラス（平行平板
ガラス）５１に入射し、サジタル方向（以下、「Ｓ方
向」という）のテレセントリック性が調整される。Ｓ方
向のテレセントリック性とは、計測方向（この場合はＸ
方向）の面内（ＸＺ平面）での主光線の傾きをいう。第
２ハービングガラス５１を、駆動機構５１ａを介して中
央制御系１５の指令によりＹ軸に平行な軸の回りに回転
して、アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ 2 の傾きを調整
する。次に、アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、第
１ハービングガラス５０に入射し、メリジオナル方向
（以下、「Ｍ方向」という）のテレセントリック性が調
整される。Ｍ方向のテレセントリック性とは、非計測方
向（Ｙ方向）の面内（ＹＺ平面）での主光線の傾きをい
い、第１ハービングガラス５０を、駆動機構５０ａを介
して中央制御系１５の指令によりＺ軸に平行な軸の回り
に回転することにより、アライメント照明光ＬＢ1 ，Ｌ
Ｂ2 の傾きを調整する。第１ハービングガラス５０を出
たアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、対物レンズ３
９を介してダイクロイックミラー４０に向かう。
構５２ａにより光軸を中心に相対回転及び全体としての
回転が可能であり、中央制御系１５の指令に基づき駆動
される。直視プリズム５２が回転すると、波長λ1 ，λ
2 の２色のアライメント照明光の相対交差角が変化し、
ウエハ９上での相対入射角も変化する。直視プリズム５
２で相対交差角が調整されたアライメント照明光Ｌ
Ｂ1 ，ＬＢ2 は、次に第２ハービングガラス（平行平板
ガラス）５１に入射し、サジタル方向（以下、「Ｓ方
向」という）のテレセントリック性が調整される。Ｓ方
向のテレセントリック性とは、計測方向（この場合はＸ
方向）の面内（ＸＺ平面）での主光線の傾きをいう。第
２ハービングガラス５１を、駆動機構５１ａを介して中
央制御系１５の指令によりＹ軸に平行な軸の回りに回転
して、アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ 2 の傾きを調整
する。次に、アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、第
１ハービングガラス５０に入射し、メリジオナル方向
（以下、「Ｍ方向」という）のテレセントリック性が調
整される。Ｍ方向のテレセントリック性とは、非計測方
向（Ｙ方向）の面内（ＹＺ平面）での主光線の傾きをい
い、第１ハービングガラス５０を、駆動機構５０ａを介
して中央制御系１５の指令によりＺ軸に平行な軸の回り
に回転することにより、アライメント照明光ＬＢ1 ，Ｌ
Ｂ2 の傾きを調整する。第１ハービングガラス５０を出
たアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、対物レンズ３
９を介してダイクロイックミラー４０に向かう。
【００３０】以上のように、アライメントセンサ１内で
生成され、波長λ0 の露光照明光ＩＬと異なる波長
λ1 ，λ2 からなる一対のアライメント照明光ＬＢ1 ，
ＬＢ2 が、ダイクロイックミラー４０で方向が変えられ
た後、レチクル６に向けて射出される。アライメント照
明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 の約１／２は、レチクル６の下面に
形成された回折格子状のレチクルマークＲＭ上に集光さ
れ、一部がレチクルマークＲＭから反射され、一部がレ
チクルマークＲＭで回折される。この場合、アライメン
ト照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、ＸＺ平面に平行で且つ光軸
ＡＸに対して互いに対称な入射角でレチクルマークＲＭ
に照射され、レチクルマークＲＭのピッチは一方の一次
回折光が他方の入射方向に戻るように設定されている。
従って、レチクルマークＲＭによる照明光ＬＢ1 ，ＬＢ
2 の反射光（０次光）は互いに光路を換える形で反射さ
れ、入射光路を逆に戻ってアライメントセンサ１に戻
る。一方、レチクルマークＲＭによる照明光ＬＢ1 の＋
１次回折光ＬＢ1 +1と照明光ＬＢ2 の−１次回折光ＬＢ
2 -1とは、それぞれ入射時の光路を逆戻りしてアライメ
ントセンサ１の内部に戻るようになっている。即ち、ア
ライメント照明光ＬＢ1 の０次光とアライメント照明光
ＬＢ2 の−１次回折光照明光ＬＢ2 -1とがレチクル側の
第１のヘテロダインビームとなり、＋１次回折光照明光
ＬＢ1 +1とアライメント照明光ＬＢ2 の０次光とがレチ
クル側の第２のヘテロダインビームとなる。
生成され、波長λ0 の露光照明光ＩＬと異なる波長
λ1 ，λ2 からなる一対のアライメント照明光ＬＢ1 ，
ＬＢ2 が、ダイクロイックミラー４０で方向が変えられ
た後、レチクル６に向けて射出される。アライメント照
明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 の約１／２は、レチクル６の下面に
形成された回折格子状のレチクルマークＲＭ上に集光さ
れ、一部がレチクルマークＲＭから反射され、一部がレ
チクルマークＲＭで回折される。この場合、アライメン
ト照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 は、ＸＺ平面に平行で且つ光軸
ＡＸに対して互いに対称な入射角でレチクルマークＲＭ
に照射され、レチクルマークＲＭのピッチは一方の一次
回折光が他方の入射方向に戻るように設定されている。
従って、レチクルマークＲＭによる照明光ＬＢ1 ，ＬＢ
2 の反射光（０次光）は互いに光路を換える形で反射さ
れ、入射光路を逆に戻ってアライメントセンサ１に戻
る。一方、レチクルマークＲＭによる照明光ＬＢ1 の＋
１次回折光ＬＢ1 +1と照明光ＬＢ2 の−１次回折光ＬＢ
2 -1とは、それぞれ入射時の光路を逆戻りしてアライメ
ントセンサ１の内部に戻るようになっている。即ち、ア
ライメント照明光ＬＢ1 の０次光とアライメント照明光
ＬＢ2 の−１次回折光照明光ＬＢ2 -1とがレチクル側の
第１のヘテロダインビームとなり、＋１次回折光照明光
ＬＢ1 +1とアライメント照明光ＬＢ2 の０次光とがレチ
クル側の第２のヘテロダインビームとなる。
【００３１】また、アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2
の残りの部分は、レチクル６のレチクルマークＲＭの近
傍に形成されたレチクル窓ＲＷを通過し、投影光学系２
１中の色収差制御板５に達する。色収差制御板５のアラ
イメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ 2 の通過部分には、それぞ
れ回折格子状の軸上色収差制御素子が形成されており、
アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 はそれぞれ軸上色収
差制御素子１ａ，１ｂで所定角度だけ曲げられて、回折
格子状のウエハマークＷＭに対し互いに対称な入射角で
照射される。
の残りの部分は、レチクル６のレチクルマークＲＭの近
傍に形成されたレチクル窓ＲＷを通過し、投影光学系２
１中の色収差制御板５に達する。色収差制御板５のアラ
イメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ 2 の通過部分には、それぞ
れ回折格子状の軸上色収差制御素子が形成されており、
アライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 はそれぞれ軸上色収
差制御素子１ａ，１ｂで所定角度だけ曲げられて、回折
格子状のウエハマークＷＭに対し互いに対称な入射角で
照射される。
【００３２】アライメント照明光ＬＢ1 の＋１次回折光
ＬＢ1 +1とアライメント照明光ＬＢ 2 の−１次回折光Ｌ
Ｂ2 -1とはそれぞれ真上に発生し、これら２つの回折光
がアライメント検出光（ヘテロダインビーム）となる。
この場合、色収差制御板５の偏向作用により投影光学系
２１によるアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 に対する
軸上色収差が除去されているため、レチクルマークＲＭ
上で交差したアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 がウエ
ハマークＷＭ上でも交差するようになっている。また、
色収差制御板５の軸上色収差制御素子１ａ，１ｂをそれ
ぞれ通過したアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 の±１
次回折光ＬＢ1 +1，ＬＢ2 -1は軸上色収差制御素子１ｃ
を通過する。更に、色収差制御板５はアライメント照明
光のウエハ９上での入射位置（横方向の色収差）を制御
する機能も有している。ウエハマークＷＭからのアライ
メント検出光は、色収差制御板５上の別の軸上色収差制
御素子１ｃを通ることによって縦方向の色収差に対応す
る分だけ偏向されて、レチクル窓ＲＷに向かう。その
後、各検出光はレチクル窓ＲＷ、ダイクロイックミラー
４０、及び対物レンズ３９を介して再びアライメント光
学系２へ戻る。
ＬＢ1 +1とアライメント照明光ＬＢ 2 の−１次回折光Ｌ
Ｂ2 -1とはそれぞれ真上に発生し、これら２つの回折光
がアライメント検出光（ヘテロダインビーム）となる。
この場合、色収差制御板５の偏向作用により投影光学系
２１によるアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 に対する
軸上色収差が除去されているため、レチクルマークＲＭ
上で交差したアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 がウエ
ハマークＷＭ上でも交差するようになっている。また、
色収差制御板５の軸上色収差制御素子１ａ，１ｂをそれ
ぞれ通過したアライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 の±１
次回折光ＬＢ1 +1，ＬＢ2 -1は軸上色収差制御素子１ｃ
を通過する。更に、色収差制御板５はアライメント照明
光のウエハ９上での入射位置（横方向の色収差）を制御
する機能も有している。ウエハマークＷＭからのアライ
メント検出光は、色収差制御板５上の別の軸上色収差制
御素子１ｃを通ることによって縦方向の色収差に対応す
る分だけ偏向されて、レチクル窓ＲＷに向かう。その
後、各検出光はレチクル窓ＲＷ、ダイクロイックミラー
４０、及び対物レンズ３９を介して再びアライメント光
学系２へ戻る。
【００３３】レチクルマークＲＭ及びウエハマークＷＭ
からの３組のヘテロダインビームはアライメント光学系
２に戻った後、第１ハービングガラス５０、第２ハービ
ングガラス５１、及び直視プリズム５２を介してハーフ
ミラー３５により反射され、光電検出素子に受光され
る。この場合、図２に示すように、ウエハマークＷＭか
らの±１次回折光ＬＢ1 +1，ＬＢ2 -1よりなるヘテロダ
インビームは光電検出素子４１ｃにより受光される。ま
た、レチクルマークＲＭからの−１次回折光ＬＢ 2 -1及
びレチクルマークＲＭで反射された照明光ＬＢ1 よりな
るヘテロダインビームは光電検出素子４１ｂに受光さ
れ、レチクルマークＲＭからの＋１次回折光ＬＢ1 +1及
びレチクルマークＲＭで反射された照明光ＬＢ2 よりな
るヘテロダインビームは光電検出素子４１ａに受光され
る。光電検出素子４１ａ，４１ｂからはそれぞれレチク
ルマークＲＭの位置に対応する第１及び第２のレチクル
ビート信号が出力され、光電検出素子４１ｃからウエハ
マークＷＭの位置に対応するウエハビート信号が出力さ
れる。
からの３組のヘテロダインビームはアライメント光学系
２に戻った後、第１ハービングガラス５０、第２ハービ
ングガラス５１、及び直視プリズム５２を介してハーフ
ミラー３５により反射され、光電検出素子に受光され
る。この場合、図２に示すように、ウエハマークＷＭか
らの±１次回折光ＬＢ1 +1，ＬＢ2 -1よりなるヘテロダ
インビームは光電検出素子４１ｃにより受光される。ま
た、レチクルマークＲＭからの−１次回折光ＬＢ 2 -1及
びレチクルマークＲＭで反射された照明光ＬＢ1 よりな
るヘテロダインビームは光電検出素子４１ｂに受光さ
れ、レチクルマークＲＭからの＋１次回折光ＬＢ1 +1及
びレチクルマークＲＭで反射された照明光ＬＢ2 よりな
るヘテロダインビームは光電検出素子４１ａに受光され
る。光電検出素子４１ａ，４１ｂからはそれぞれレチク
ルマークＲＭの位置に対応する第１及び第２のレチクル
ビート信号が出力され、光電検出素子４１ｃからウエハ
マークＷＭの位置に対応するウエハビート信号が出力さ
れる。
【００３４】２つのレチクルビート信号及びウエハビー
ト信号は、それぞれアライメント信号処理系（不図示）
に供給され、ここで例えば、第１のレチクルビート信号
とウエハビート信号との位相差が検出される。検出され
た位相差は中央制御系１５に供給される。例えばダイ・
バイ・ダイ方式（以下、「Ｄ／Ｄ方式」ともいう）のア
ライメント（露光）を行う場合には、中央制御系１５
は、両ビート信号の位相差に基づき、レチクルマークと
ウエハマークとの位置ずれが所定の目標追い込み値にな
るように、ウエハステージ１１の位置を調整する。その
後、レチクル６のパターン像がウエハ９の当該ショット
領域に投影露光される。
ト信号は、それぞれアライメント信号処理系（不図示）
に供給され、ここで例えば、第１のレチクルビート信号
とウエハビート信号との位相差が検出される。検出され
た位相差は中央制御系１５に供給される。例えばダイ・
バイ・ダイ方式（以下、「Ｄ／Ｄ方式」ともいう）のア
ライメント（露光）を行う場合には、中央制御系１５
は、両ビート信号の位相差に基づき、レチクルマークと
ウエハマークとの位置ずれが所定の目標追い込み値にな
るように、ウエハステージ１１の位置を調整する。その
後、レチクル６のパターン像がウエハ９の当該ショット
領域に投影露光される。
【００３５】次に、本例のアライメント動作について図
１及び図２を参照して説明する。図１は、本例のアライ
メント動作を説明するためのフローチャートを示し、こ
の図１のステップ１０１において、先ずレチクル６を図
２のレチクルステージ１０上に搬送した後、ウエハステ
ージ１１上の基準マーク部材１６が投影光学系２１の露
光フィールド内に位置するようにウエハステージ１１を
駆動する。そして、不図示のレチクルアライメントセン
サを用いて、レチクル６を基準マーク部材１６に対して
位置決めする。そして、中央制御系１５は露光対象とす
るレチクル及びウエハの各種条件が記録されている不図
示の露光用のデータファイルからレチクル６上のレチク
ルマークＲＭの位置、及び露光対象のウエハの各ショッ
ト領域のウエハマークの位置を読み込む。
１及び図２を参照して説明する。図１は、本例のアライ
メント動作を説明するためのフローチャートを示し、こ
の図１のステップ１０１において、先ずレチクル６を図
２のレチクルステージ１０上に搬送した後、ウエハステ
ージ１１上の基準マーク部材１６が投影光学系２１の露
光フィールド内に位置するようにウエハステージ１１を
駆動する。そして、不図示のレチクルアライメントセン
サを用いて、レチクル６を基準マーク部材１６に対して
位置決めする。そして、中央制御系１５は露光対象とす
るレチクル及びウエハの各種条件が記録されている不図
示の露光用のデータファイルからレチクル６上のレチク
ルマークＲＭの位置、及び露光対象のウエハの各ショッ
ト領域のウエハマークの位置を読み込む。
【００３６】次に、ステップ１０２において、その読み
込まれたレチクルマークＲＭ及びウエハマークの位置に
対応するようにＴＴＲ方式のアライメントセンサ１を移
動する。そして、ステップ１０３において、アライメン
トセンサ１の精密な調整が可能なレベルの光量が得られ
るように、第１ハービングガラス５０を回転させて、ア
ライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 のＭ方向（非計測方
向）でのテレセントリック性を調整する。この調整は、
計測方向と直交する非計測方向にアライメント照明光を
傾けることで、途中の光学系によるアライメント照明光
のケラレを防止するために行うものであり、例えば光電
検出素子４１ｃでの光量が最大になるようにアライメン
ト照明光の傾きを調整する。
込まれたレチクルマークＲＭ及びウエハマークの位置に
対応するようにＴＴＲ方式のアライメントセンサ１を移
動する。そして、ステップ１０３において、アライメン
トセンサ１の精密な調整が可能なレベルの光量が得られ
るように、第１ハービングガラス５０を回転させて、ア
ライメント照明光ＬＢ1 ，ＬＢ2 のＭ方向（非計測方
向）でのテレセントリック性を調整する。この調整は、
計測方向と直交する非計測方向にアライメント照明光を
傾けることで、途中の光学系によるアライメント照明光
のケラレを防止するために行うものであり、例えば光電
検出素子４１ｃでの光量が最大になるようにアライメン
ト照明光の傾きを調整する。
【００３７】次に、ステップ１０４においてアライメン
トセンサ１の２波長のアライメント照明光の照射位置の
ずれ量の調整をおこなう。この調整は、ウエハ上の様々
な層により波長に対する反射率の特性が異なり、例えば
ウエハからの２波長の各ヘテロダインビームの位相が１
８０°程度ずれると十分な強度のウエハビート信号が得
られなくなることから、両波長のヘテロダインビームの
位相を合わせるために行われるものである。
トセンサ１の２波長のアライメント照明光の照射位置の
ずれ量の調整をおこなう。この調整は、ウエハ上の様々
な層により波長に対する反射率の特性が異なり、例えば
ウエハからの２波長の各ヘテロダインビームの位相が１
８０°程度ずれると十分な強度のウエハビート信号が得
られなくなることから、両波長のヘテロダインビームの
位相を合わせるために行われるものである。
【００３８】本例では前述のように、僅かに異なる波長
λ1 ，λ2 の２色の照明光からなるアライメント照明光
を用いている。別々の波長の照明光を用いる場合、それ
らの照明光のウエハ上の照射位置が異なると、波長毎に
別々のアライメントセンサを用いない限り計測結果に誤
差が生ずることになる。そのため直視プリズム５２を用
いて２つの照明光のウエハ９上での照射位置の相対関係
を調整する。なお、ＬＩＡ方式ではウエハマーク上に波
長別に干渉縞が形成されるため、波長毎の照明光の照射
位置を同一の位置に合わせることは、波長別の干渉縞の
位相を合わせること（縞合わせ）を意味する。２つの照
明光の照射位置を合わせるにはいくつかの方法が考えら
れるが、本例では２つのレーザ照明光の強度をそれぞれ
変化させて調整する。
λ1 ，λ2 の２色の照明光からなるアライメント照明光
を用いている。別々の波長の照明光を用いる場合、それ
らの照明光のウエハ上の照射位置が異なると、波長毎に
別々のアライメントセンサを用いない限り計測結果に誤
差が生ずることになる。そのため直視プリズム５２を用
いて２つの照明光のウエハ９上での照射位置の相対関係
を調整する。なお、ＬＩＡ方式ではウエハマーク上に波
長別に干渉縞が形成されるため、波長毎の照明光の照射
位置を同一の位置に合わせることは、波長別の干渉縞の
位相を合わせること（縞合わせ）を意味する。２つの照
明光の照射位置を合わせるにはいくつかの方法が考えら
れるが、本例では２つのレーザ照明光の強度をそれぞれ
変化させて調整する。
【００３９】先ず、２つの光源３１Ａ，３１Ｂの内、例
えば光源３１Ｂからのレーザビームだけによる結果を得
るため、光源３１Ａを消灯する。この場合、光源３１Ａ
からダイクロイックミラー４２までの間にシャッタを設
け、そのシャッタの開閉により対応してもよい。その状
態でウエハ基準マークとレチクルマークＲＭとにアライ
メント照明光を照射し、ウエハビート信号とレチクルビ
ート信号との位相差φ 1 を求める。次に、光源３１Ａを
点灯し、光源３１Ｂを消灯して同様の計測を行い、ウエ
ハビート信号とレチクルビート信号との位相差φ2 を求
める。２つの位相差Δφ（＝φ1 −φ2 ）が所定の許容
値内になるまで直視プリズム５２の相対回転角を調整し
て、２波長のアライメント照明光の照射位置を合致させ
る。この場合、レチクルビート信号の代わりに、光電検
出素子３８から出力される参照信号を使用してもよい。
えば光源３１Ｂからのレーザビームだけによる結果を得
るため、光源３１Ａを消灯する。この場合、光源３１Ａ
からダイクロイックミラー４２までの間にシャッタを設
け、そのシャッタの開閉により対応してもよい。その状
態でウエハ基準マークとレチクルマークＲＭとにアライ
メント照明光を照射し、ウエハビート信号とレチクルビ
ート信号との位相差φ 1 を求める。次に、光源３１Ａを
点灯し、光源３１Ｂを消灯して同様の計測を行い、ウエ
ハビート信号とレチクルビート信号との位相差φ2 を求
める。２つの位相差Δφ（＝φ1 −φ2 ）が所定の許容
値内になるまで直視プリズム５２の相対回転角を調整し
て、２波長のアライメント照明光の照射位置を合致させ
る。この場合、レチクルビート信号の代わりに、光電検
出素子３８から出力される参照信号を使用してもよい。
【００４０】次に、ステップ１０５において、アライメ
ントセンサ１の２つの光源３１Ａ，３１Ｂを点灯し、ア
ライメント照明光を照射し、２波長のアライメント照明
光のウエハ９上の照射位置を計測する。先のステップ１
０２においてアライメントセンサ１は、露光用のデータ
ファイルに基づきレチクルマークＲＭ及びウエハマーク
の位置に対応して移動されていたが、上述のＭ方向のテ
レセントリック性の調整及び波長の異なる２つの照明光
のウエハ９上での照射位置の位置ずれ量の調整等の光学
調整を行ったことにより、アライメント照明光の照射位
置が当初露光用のデータファイルに基づいて設定した位
置からずれている。
ントセンサ１の２つの光源３１Ａ，３１Ｂを点灯し、ア
ライメント照明光を照射し、２波長のアライメント照明
光のウエハ９上の照射位置を計測する。先のステップ１
０２においてアライメントセンサ１は、露光用のデータ
ファイルに基づきレチクルマークＲＭ及びウエハマーク
の位置に対応して移動されていたが、上述のＭ方向のテ
レセントリック性の調整及び波長の異なる２つの照明光
のウエハ９上での照射位置の位置ずれ量の調整等の光学
調整を行ったことにより、アライメント照明光の照射位
置が当初露光用のデータファイルに基づいて設定した位
置からずれている。
【００４１】そのため、ウエハステージ１１を駆動し
て、基準マーク部材１６のウエハ基準マークをアライメ
ント照明光に対して移動させ、得られるウエハビート信
号の信号強度が最も大きくなる位置を求める。その求め
られた位置が光学調整後のアライメント照明光の照射位
置となる。ウエハ用のレーザ干渉計によりウエハステー
ジ１１の位置を計測することにより、露光用のデータフ
ァイルで指定された照射位置と実測された照射位置との
誤差を検出する。そして、その照射位置の誤差が許容範
囲内にあるかどうかを判定する。アライメント照明光の
照射位置の誤差が許容範囲内の場合はステップ１０６に
進み、照射位置の誤差が許容範囲内にない場合は、アラ
イメントセンサ１を移動してアライメント照明光の照射
位置を目標位置に一致させるようにする。
て、基準マーク部材１６のウエハ基準マークをアライメ
ント照明光に対して移動させ、得られるウエハビート信
号の信号強度が最も大きくなる位置を求める。その求め
られた位置が光学調整後のアライメント照明光の照射位
置となる。ウエハ用のレーザ干渉計によりウエハステー
ジ１１の位置を計測することにより、露光用のデータフ
ァイルで指定された照射位置と実測された照射位置との
誤差を検出する。そして、その照射位置の誤差が許容範
囲内にあるかどうかを判定する。アライメント照明光の
照射位置の誤差が許容範囲内の場合はステップ１０６に
進み、照射位置の誤差が許容範囲内にない場合は、アラ
イメントセンサ１を移動してアライメント照明光の照射
位置を目標位置に一致させるようにする。
【００４２】この場合、アライメントセンサ１の移動に
よりアライメント照明光のＭ方向のテレセントリック性
等が変わる恐れがある。そこで、次のステップ１０６に
おいて、アライメント照明光のＭ方向のテレセントリッ
ク性、及び２波長のアライメント照明光の照射位置の相
対的なずれ量がそれぞれ許容範囲かどうかを調べ、それ
ぞれが許容範囲内であればステップ１０８に進み、少な
くとも一方が許容範囲内でなければステップ１０３に戻
って上述の調整動作を繰り返す。
よりアライメント照明光のＭ方向のテレセントリック性
等が変わる恐れがある。そこで、次のステップ１０６に
おいて、アライメント照明光のＭ方向のテレセントリッ
ク性、及び２波長のアライメント照明光の照射位置の相
対的なずれ量がそれぞれ許容範囲かどうかを調べ、それ
ぞれが許容範囲内であればステップ１０８に進み、少な
くとも一方が許容範囲内でなければステップ１０３に戻
って上述の調整動作を繰り返す。
【００４３】次に、ステップ１０８において、アライメ
ントセンサ１のＳ方向のテレセントリック性を調整す
る。この場合、ウエハ９の高さ方向の位置が変化しても
計測結果が変わらないように、第２ハービングガラス５
１の回転角を調整することにより、２つのアライメント
照明光の対称軸がウエハ９の表面に対して計測方向（Ｘ
方向）に垂直に落射するように調整する。実際には、ウ
エハステージ１１上に固定された基準マーク部材１６の
ウエハ基準マークを上下させ、その位置の計測結果が変
わらないようにアライメント照明光のテレセントリック
性を調整する。なお、このステップ１０８におけるＳ方
向のテレセントリック性の調整により、アライメント照
明光の照射位置がずれるか、又は他の光学特性の調整項
目に影響があるときには、必要に応じてステップ１０３
〜１０５の何れかに戻るようにしてもよい。
ントセンサ１のＳ方向のテレセントリック性を調整す
る。この場合、ウエハ９の高さ方向の位置が変化しても
計測結果が変わらないように、第２ハービングガラス５
１の回転角を調整することにより、２つのアライメント
照明光の対称軸がウエハ９の表面に対して計測方向（Ｘ
方向）に垂直に落射するように調整する。実際には、ウ
エハステージ１１上に固定された基準マーク部材１６の
ウエハ基準マークを上下させ、その位置の計測結果が変
わらないようにアライメント照明光のテレセントリック
性を調整する。なお、このステップ１０８におけるＳ方
向のテレセントリック性の調整により、アライメント照
明光の照射位置がずれるか、又は他の光学特性の調整項
目に影響があるときには、必要に応じてステップ１０３
〜１０５の何れかに戻るようにしてもよい。
【００４４】以上の作業でアライメントセンサ１の光学
的な調整が終了し、次にステップ１０９でアライメント
センサ１の光軸と投影光学系２１の光軸ＡＸとのずれ量
を計測するためのベースラインチェックが行われる。ベ
ースラインチェックは、ウエハステージ１１上の基準マ
ーク部材１６上のウエハ基準マークを用いて実行する。
的な調整が終了し、次にステップ１０９でアライメント
センサ１の光軸と投影光学系２１の光軸ＡＸとのずれ量
を計測するためのベースラインチェックが行われる。ベ
ースラインチェックは、ウエハステージ１１上の基準マ
ーク部材１６上のウエハ基準マークを用いて実行する。
【００４５】以上でベースラインチェックを含む一連の
アライメントセンサ１に対する光学系のセットアップが
終了し、露光動作に入る。そして、以下のＤ／Ｄ方式の
露光工程において、以上で求められた相対関係を維持す
るように露光が行われることになる。先ず、ステップ１
１０において、ウエハ９をウエハステージ１１上にロー
ドし、不図示のサーチアライメントセンサにより、粗い
位置決めであるサーチアライメントを行う。サーチアラ
イメントによってウエハ９上の大体のショットの配列座
標は求まっており、次のステップ１１１において、Ｄ／
Ｄ方式によりレチクル６の回路パターンをウエハ９上の
各ショット領域に露光する。Ｄ／Ｄ方式は、前述のよう
に、露光対象のショット領域毎にアライメントセンサ１
によりレチクルマークＲＭとウエハマークＷＭとの位置
合わせを行って、当該ショット領域に露光するもので、
Ｄ／Ｄ方式では、グローバルアライメントと呼ばれる複
数のショット領域の計測結果に基づいて配列座標を求め
る方式に対し、ウエハ内の非線形誤差等の影響が低減さ
れる利点がある。更に、本例では、ウエハマークＷＭと
レチクルマークＲＭとを露光位置において計測するた
め、重ね合わせ精度がウエハステージの位置決め誤差に
影響されない。また、本例の効果はＤ／Ｄ方式に限定さ
れるものでなく、ＴＴＲ方式のアライメントセンサを使
用して、グローバルアライメント方式でアライメントを
行う場合も同様の効果が得られる。
アライメントセンサ１に対する光学系のセットアップが
終了し、露光動作に入る。そして、以下のＤ／Ｄ方式の
露光工程において、以上で求められた相対関係を維持す
るように露光が行われることになる。先ず、ステップ１
１０において、ウエハ９をウエハステージ１１上にロー
ドし、不図示のサーチアライメントセンサにより、粗い
位置決めであるサーチアライメントを行う。サーチアラ
イメントによってウエハ９上の大体のショットの配列座
標は求まっており、次のステップ１１１において、Ｄ／
Ｄ方式によりレチクル６の回路パターンをウエハ９上の
各ショット領域に露光する。Ｄ／Ｄ方式は、前述のよう
に、露光対象のショット領域毎にアライメントセンサ１
によりレチクルマークＲＭとウエハマークＷＭとの位置
合わせを行って、当該ショット領域に露光するもので、
Ｄ／Ｄ方式では、グローバルアライメントと呼ばれる複
数のショット領域の計測結果に基づいて配列座標を求め
る方式に対し、ウエハ内の非線形誤差等の影響が低減さ
れる利点がある。更に、本例では、ウエハマークＷＭと
レチクルマークＲＭとを露光位置において計測するた
め、重ね合わせ精度がウエハステージの位置決め誤差に
影響されない。また、本例の効果はＤ／Ｄ方式に限定さ
れるものでなく、ＴＴＲ方式のアライメントセンサを使
用して、グローバルアライメント方式でアライメントを
行う場合も同様の効果が得られる。
【００４６】以上、本例によれば、レチクルマークＲＭ
及びウエハマークＷＭの位置に合わせてアライメントセ
ンサ１を移動すると共に、アライメントセンサのテレセ
ントリック性、及びアライメント照明光を構成する波長
の異なる２色の照明光のウエハ９上での相対的な照射位
置等の光学的調整を自動的に行うので、ウエハマークの
打ち換えによって両マークの位置が変化しても、高精度
に重ね合わせして露光することができる。
及びウエハマークＷＭの位置に合わせてアライメントセ
ンサ１を移動すると共に、アライメントセンサのテレセ
ントリック性、及びアライメント照明光を構成する波長
の異なる２色の照明光のウエハ９上での相対的な照射位
置等の光学的調整を自動的に行うので、ウエハマークの
打ち換えによって両マークの位置が変化しても、高精度
に重ね合わせして露光することができる。
【００４７】次に、本発明のアライメント方法の実施の
形態の第２の例について図３を参照して説明する。第１
の例においては、アライメントセンサ１に対して、露光
用のデータファイルで指定されたマーク位置に応じた位
置のみを設定した。しかしながら、本例ではこの位置設
定に加えて、Ｍ方向のテレセントリック性を調整する第
１ハービングガラス５０の回転角、２色の照明光のウエ
ハ上での相対照射位置を調整する直視プリズム５２の回
転角、及びＳ方向のテレセントリック性を調整する第２
ハービングガラス５１の回転角等の各光学的調整要素の
光学計算上の設定位置と、マーク位置（アライメントセ
ンサ１の位置）との関係式を記憶しておき、この関係式
に基づき、レチクルマーク及びウエハマークの位置に合
わせてこれらの光学的調整要素が自動的に設定されるよ
うにしたものである。
形態の第２の例について図３を参照して説明する。第１
の例においては、アライメントセンサ１に対して、露光
用のデータファイルで指定されたマーク位置に応じた位
置のみを設定した。しかしながら、本例ではこの位置設
定に加えて、Ｍ方向のテレセントリック性を調整する第
１ハービングガラス５０の回転角、２色の照明光のウエ
ハ上での相対照射位置を調整する直視プリズム５２の回
転角、及びＳ方向のテレセントリック性を調整する第２
ハービングガラス５１の回転角等の各光学的調整要素の
光学計算上の設定位置と、マーク位置（アライメントセ
ンサ１の位置）との関係式を記憶しておき、この関係式
に基づき、レチクルマーク及びウエハマークの位置に合
わせてこれらの光学的調整要素が自動的に設定されるよ
うにしたものである。
【００４８】図３は、本例のアライメント方法を説明す
るためのフローチャートを示し、この図３において、図
１のフローチャートにおけるステップに対応する工程に
は同一符号を付してその詳細説明を省略する。図３のス
テップ１０１で、レチクルアライメントが終了し、露光
用のデータファイルからレチクルマーク及びウエハ上の
ショット領域のウエハマークの位置が読み込まれた後、
ステップ１２１で、それら両マークの位置及び記憶され
ている関係式より、それら光学的調整要素の設定位置が
中央制御系１５により演算される。そして、ステップ１
２２では、その読み込まれたレチクルマークＲＭ及びウ
エハマークの位置に対応するようにＴＴＲ方式のアライ
メントセンサ１を移動する。そして、各光学的調整要素
が中央制御系１５で演算された設定位置に自動的に調整
される。
るためのフローチャートを示し、この図３において、図
１のフローチャートにおけるステップに対応する工程に
は同一符号を付してその詳細説明を省略する。図３のス
テップ１０１で、レチクルアライメントが終了し、露光
用のデータファイルからレチクルマーク及びウエハ上の
ショット領域のウエハマークの位置が読み込まれた後、
ステップ１２１で、それら両マークの位置及び記憶され
ている関係式より、それら光学的調整要素の設定位置が
中央制御系１５により演算される。そして、ステップ１
２２では、その読み込まれたレチクルマークＲＭ及びウ
エハマークの位置に対応するようにＴＴＲ方式のアライ
メントセンサ１を移動する。そして、各光学的調整要素
が中央制御系１５で演算された設定位置に自動的に調整
される。
【００４９】そして、以下の工程において、ステップ１
２２で調整されたアライメントセンサ１の各光学的調整
要素の設定位置の確認が行われる。先ずステップ１０３
Ａにおいて、図１のステップ１０３と同様な方法によ
り、アライメント照明光のＭ方向のテレセントリック性
が確認のため計測される。この場合、計測された結果が
許容範囲内にない場合は、第１ハービングガラス５０を
駆動して、Ｍ方向のテレセントリック性が許容範囲内に
入るように微調整する。次に、ステップ１０４Ａに移行
し、図１のステップ１０４と同様な方法により、アライ
メントセンサ１からアライメント照明光をウエハ基準マ
ーク上に照射し、２つの異なる波長の照明光のウエハ基
準マーク上での照射位置のずれ量が確認のため計測され
る。この場合も、その照射位置のずれ量が許容範囲内に
ない場合は、直視プリズム５２を駆動して、照射位置の
ずれ量が許容範囲内に入るように微調整する。
２２で調整されたアライメントセンサ１の各光学的調整
要素の設定位置の確認が行われる。先ずステップ１０３
Ａにおいて、図１のステップ１０３と同様な方法によ
り、アライメント照明光のＭ方向のテレセントリック性
が確認のため計測される。この場合、計測された結果が
許容範囲内にない場合は、第１ハービングガラス５０を
駆動して、Ｍ方向のテレセントリック性が許容範囲内に
入るように微調整する。次に、ステップ１０４Ａに移行
し、図１のステップ１０４と同様な方法により、アライ
メントセンサ１からアライメント照明光をウエハ基準マ
ーク上に照射し、２つの異なる波長の照明光のウエハ基
準マーク上での照射位置のずれ量が確認のため計測され
る。この場合も、その照射位置のずれ量が許容範囲内に
ない場合は、直視プリズム５２を駆動して、照射位置の
ずれ量が許容範囲内に入るように微調整する。
【００５０】以上のステップ１０３Ａ，１０４Ａで微調
整を行った場合には、アライメント照明光の照射位置に
微小なずれが発生する恐れがある。そこで、ステップ１
０５Ａにおいて照射位置の誤差を確認する。そして、こ
の照射位置の誤差が許容範囲を外れていた場合は、アラ
イメントセンサ１を移動してアライメントセンサ１から
のアライメント照明光の照射位置の誤差を微調整する。
そして、次のステップ１０８Ａにおいて、図１のステッ
プ１０８と同様な方法により、アライメント照明光のＳ
方向のテレセントリック性が確認のため計測される。計
測された結果が許容範囲内にない場合は、第２ハービン
グガラス５１を駆動してＳ方向のテレセントリック性が
許容範囲内に入るように微調整する。そして、次のステ
ップ１０９に移行し、図１の工程と同様にベースライン
チェックが行われ、ステップ１１０でサーチアライメン
トが行われた後、ステップ１１１でＤ／Ｄ方式により露
光が行われる。
整を行った場合には、アライメント照明光の照射位置に
微小なずれが発生する恐れがある。そこで、ステップ１
０５Ａにおいて照射位置の誤差を確認する。そして、こ
の照射位置の誤差が許容範囲を外れていた場合は、アラ
イメントセンサ１を移動してアライメントセンサ１から
のアライメント照明光の照射位置の誤差を微調整する。
そして、次のステップ１０８Ａにおいて、図１のステッ
プ１０８と同様な方法により、アライメント照明光のＳ
方向のテレセントリック性が確認のため計測される。計
測された結果が許容範囲内にない場合は、第２ハービン
グガラス５１を駆動してＳ方向のテレセントリック性が
許容範囲内に入るように微調整する。そして、次のステ
ップ１０９に移行し、図１の工程と同様にベースライン
チェックが行われ、ステップ１１０でサーチアライメン
トが行われた後、ステップ１１１でＤ／Ｄ方式により露
光が行われる。
【００５１】本例では、アライメントセンサ１の位置を
設定するのと同時に、中央制御系１５に記憶された関係
式に基づき各光学的調整要素の設定位置が調整されるた
め、ステップ１０３Ａ〜１０８Ａでは、それらの各光学
的調整要素の設定位置の確認動作だけで殆ど十分であ
り、アライメントセンサ１の各光学的調整要素の調整の
ための設定時間が短縮される。但し、本例でもステップ
１０５Ａの後に、図１のステップ１０６と同様に光学特
性を計測する工程を設け、必要に応じてステップ１０３
Ａ等に戻ってもよい。
設定するのと同時に、中央制御系１５に記憶された関係
式に基づき各光学的調整要素の設定位置が調整されるた
め、ステップ１０３Ａ〜１０８Ａでは、それらの各光学
的調整要素の設定位置の確認動作だけで殆ど十分であ
り、アライメントセンサ１の各光学的調整要素の調整の
ための設定時間が短縮される。但し、本例でもステップ
１０５Ａの後に、図１のステップ１０６と同様に光学特
性を計測する工程を設け、必要に応じてステップ１０３
Ａ等に戻ってもよい。
【００５２】次に、本発明のアライメント方法の実施の
形態の第３の例について図４を参照して説明する。本例
においては、予め複数のウエハマークの位置において前
述の第１の例におけるステップ１０３〜１０８と同じ作
業を行って、その最終状態における各光学的調整要素の
設定位置を補間テーブルに記憶し、その記憶された設定
位置に基づきアライメントセンサ１の光学的調整要素を
設定するものである。この場合、測定位置はアライメン
トセンサ１の可動範囲の中の少なくとも３点以上とす
る。例えば、レチクルのパターン領域の１つの辺に等間
隔で配置された５点において計測を行う。
形態の第３の例について図４を参照して説明する。本例
においては、予め複数のウエハマークの位置において前
述の第１の例におけるステップ１０３〜１０８と同じ作
業を行って、その最終状態における各光学的調整要素の
設定位置を補間テーブルに記憶し、その記憶された設定
位置に基づきアライメントセンサ１の光学的調整要素を
設定するものである。この場合、測定位置はアライメン
トセンサ１の可動範囲の中の少なくとも３点以上とす
る。例えば、レチクルのパターン領域の１つの辺に等間
隔で配置された５点において計測を行う。
【００５３】図４は、本例のアライメント方法を説明す
るためのフローチャートを示し、この図４において、図
３のフローチャートにおけるステップに対応する工程に
は同一符号を付してその詳細説明を省略する。ステップ
１０１で、レチクルアライメントが終了し、露光用のデ
ータファイルからレチクルマーク及びウエハ上のショッ
ト領域のウエハマークの位置が読み込まれた後、ステッ
プ１３１Ａで、そのウエハマークの位置に応じた各光学
的調整要素の設定位置を計算するためのデータが補間テ
ーブルから読み込まれる。そして、ステップ１３１Ｂで
中央制御系１５によりウエハマークの位置に対応する各
光学的調整要素の設定位置が演算される。この場合、実
際に使用される位置がデータファイルによって指定され
ると、前述の予め求めておいた例えば５箇所のレチクル
マーク及びウエハマークの位置での各光学的調整要素の
設定位置を補間することにより、指定位置での各光学的
調整要素の設定位置が計算される。そして、ステップ１
２２において、その読み込まれたレチクルマーク及びウ
エハマークの位置に対応するようにＴＴＲ方式のアライ
メントセンサ１を移動する。そして、各光学的調整要素
が中央制御系１５で演算された設定位置に自動的に調整
される。以降の工程は図３のフローチャートと同様であ
る。
るためのフローチャートを示し、この図４において、図
３のフローチャートにおけるステップに対応する工程に
は同一符号を付してその詳細説明を省略する。ステップ
１０１で、レチクルアライメントが終了し、露光用のデ
ータファイルからレチクルマーク及びウエハ上のショッ
ト領域のウエハマークの位置が読み込まれた後、ステッ
プ１３１Ａで、そのウエハマークの位置に応じた各光学
的調整要素の設定位置を計算するためのデータが補間テ
ーブルから読み込まれる。そして、ステップ１３１Ｂで
中央制御系１５によりウエハマークの位置に対応する各
光学的調整要素の設定位置が演算される。この場合、実
際に使用される位置がデータファイルによって指定され
ると、前述の予め求めておいた例えば５箇所のレチクル
マーク及びウエハマークの位置での各光学的調整要素の
設定位置を補間することにより、指定位置での各光学的
調整要素の設定位置が計算される。そして、ステップ１
２２において、その読み込まれたレチクルマーク及びウ
エハマークの位置に対応するようにＴＴＲ方式のアライ
メントセンサ１を移動する。そして、各光学的調整要素
が中央制御系１５で演算された設定位置に自動的に調整
される。以降の工程は図３のフローチャートと同様であ
る。
【００５４】本例によれば、第２の例と同様にアライメ
ントセンサ１の光学的調整のための設定時間の短縮を図
ることができる。なお、前述の予め求めておいた各光学
的調整要素の設定値に対して、アライメントセンサ１の
駆動範囲内の各位置に対して予め補間した値による補間
テーブルを用意しておき、実際にレチクルマーク及びウ
エハマークの位置が指定されたときには、その補間テー
ブルから各光学的調整要素の設定位置を引き出すだけ
で、実際のレチクルマーク及びウエハマークの位置に合
わせた設定を行うことも可能である。また、単純に補間
するのではなく、第２の例で述べたようなアライメント
センサ１の位置と各光学的調整要素の光学計算上の設定
位置との関係式に基づいて補間を行うことも可能であ
る。
ントセンサ１の光学的調整のための設定時間の短縮を図
ることができる。なお、前述の予め求めておいた各光学
的調整要素の設定値に対して、アライメントセンサ１の
駆動範囲内の各位置に対して予め補間した値による補間
テーブルを用意しておき、実際にレチクルマーク及びウ
エハマークの位置が指定されたときには、その補間テー
ブルから各光学的調整要素の設定位置を引き出すだけ
で、実際のレチクルマーク及びウエハマークの位置に合
わせた設定を行うことも可能である。また、単純に補間
するのではなく、第２の例で述べたようなアライメント
センサ１の位置と各光学的調整要素の光学計算上の設定
位置との関係式に基づいて補間を行うことも可能であ
る。
【００５５】次に、第３の例の変形例について図５を参
照して説明する。第３の例は、ウエハマークの位置がデ
ータファイルによって指定されると、予め求めておいた
各光学的調整要素の設定位置を補間することにより、指
定位置での設定位置を予測するものであった。それに対
して、本例では、その補間値に基づきアライメントセン
サ１の各光学的調整要素を調整し、その指定されたレチ
クルマーク及びウエハマークの位置に合わせてアライメ
ントセンサ１を移動した後、各各光学的調整要素の設定
位置を再度微調整を行って、そのときのアライメントセ
ンサの位置と各光学的調整要素の微調整後の設定値を先
程用いた補間テーブルに書き加えるか、又は、既にその
位置に対する情報が存在した場合には書き直すことで、
補間テーブルの信頼性を高めるものである。
照して説明する。第３の例は、ウエハマークの位置がデ
ータファイルによって指定されると、予め求めておいた
各光学的調整要素の設定位置を補間することにより、指
定位置での設定位置を予測するものであった。それに対
して、本例では、その補間値に基づきアライメントセン
サ１の各光学的調整要素を調整し、その指定されたレチ
クルマーク及びウエハマークの位置に合わせてアライメ
ントセンサ１を移動した後、各各光学的調整要素の設定
位置を再度微調整を行って、そのときのアライメントセ
ンサの位置と各光学的調整要素の微調整後の設定値を先
程用いた補間テーブルに書き加えるか、又は、既にその
位置に対する情報が存在した場合には書き直すことで、
補間テーブルの信頼性を高めるものである。
【００５６】図５は、本変形例のアライメント方法を説
明するためのフローチャートを示し、この図５におい
て、ステップ１０８Ａでアライメントセンサ１のＳ方向
のテレセントリック性を調整した後、ステップ１４８に
おいて、ステップ１０３Ａ〜１０８Ａで微調整された各
光学的調整要素の設定位置のデータを補間テーブルに書
き込む。この場合、既にアライメントセンサ１の同一の
設定位置に対するデータがあるときには、そのデータを
書き直すようにする。それ以外は図４のフローチャート
と同一のステップであるので説明を省略する。
明するためのフローチャートを示し、この図５におい
て、ステップ１０８Ａでアライメントセンサ１のＳ方向
のテレセントリック性を調整した後、ステップ１４８に
おいて、ステップ１０３Ａ〜１０８Ａで微調整された各
光学的調整要素の設定位置のデータを補間テーブルに書
き込む。この場合、既にアライメントセンサ１の同一の
設定位置に対するデータがあるときには、そのデータを
書き直すようにする。それ以外は図４のフローチャート
と同一のステップであるので説明を省略する。
【００５７】同一ロットのウエハは同様のショット配列
となる場合が多く、本例のようにステップ１４８での動
作を繰り返すことで、補間テーブルの精度が高められ
る。なお、上述実施例ではアライメントセンサとしてＬ
ＩＡ方式のアライメントセンサを使用したが、本発明は
例えばＦＩＡ方式のアライメントセンサに対しても同様
に適用できる。
となる場合が多く、本例のようにステップ１４８での動
作を繰り返すことで、補間テーブルの精度が高められ
る。なお、上述実施例ではアライメントセンサとしてＬ
ＩＡ方式のアライメントセンサを使用したが、本発明は
例えばＦＩＡ方式のアライメントセンサに対しても同様
に適用できる。
【００５８】このように本発明は上述の実施の形態に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
【００５９】
【発明の効果】本発明によるアライメント方法によれ
ば、対象となる基板上の位置合わせ用マークの位置に合
わせてアライメント系が移動した際には、最適な状態に
アライメント系の光学特性が調整されるため、マスクと
基板とを高精度に位置合わせできる利点がある。
ば、対象となる基板上の位置合わせ用マークの位置に合
わせてアライメント系が移動した際には、最適な状態に
アライメント系の光学特性が調整されるため、マスクと
基板とを高精度に位置合わせできる利点がある。
【００６０】また、第２工程で調整される光学特性が、
アライメント系のテレセントリック性又はアライメント
光の基板上での照射位置である場合には、それぞれ光束
のケラレが少なくなるか、若しくは基板の高さ変化によ
る検出誤差が少なくなるか、又は検出信号のＳＮ比が向
上する。また、アライメント光が、波長の異なる複数の
光束からなり、アライメント系がその複数の光束による
基板上の位置合わせ用マークからの回折光を検出し、第
２工程で調整される光学特性が、基板上でのその複数の
光束の照射位置の相対的な位置ずれ量である場合には、
例えばその複数の光束の照射位置の相対的な位置ずれ量
が所定の範囲内になるようにアライメント系の光学特性
を調整することにより複数波長の照明光を用いてＬＩＡ
方式等で位置検出を行う際の検出信号のＳＮ比を向上で
きる。
アライメント系のテレセントリック性又はアライメント
光の基板上での照射位置である場合には、それぞれ光束
のケラレが少なくなるか、若しくは基板の高さ変化によ
る検出誤差が少なくなるか、又は検出信号のＳＮ比が向
上する。また、アライメント光が、波長の異なる複数の
光束からなり、アライメント系がその複数の光束による
基板上の位置合わせ用マークからの回折光を検出し、第
２工程で調整される光学特性が、基板上でのその複数の
光束の照射位置の相対的な位置ずれ量である場合には、
例えばその複数の光束の照射位置の相対的な位置ずれ量
が所定の範囲内になるようにアライメント系の光学特性
を調整することにより複数波長の照明光を用いてＬＩＡ
方式等で位置検出を行う際の検出信号のＳＮ比を向上で
きる。
【００６１】また、第２工程終了後、更に光学特性を測
定し、この測定結果が所定の状態から所定の許容値を越
えてずれているときにその第２工程を繰り返す場合に
は、光学特性は最終的に許容値以内となり、高精度に位
置合わせできる。また、アライメント系の設定位置と光
学特性を所定の状態にするためのアライメント系の調整
量との関係を予め求めて記憶しておき、第２工程で、ア
ライメント系の設定位置、及び記憶してある関係に基づ
いて定まる調整量だけアライメント系を調整する場合に
は、アライメント系の光学特性の調整時間が短縮され、
スループット（生産性）が向上する利点がある。
定し、この測定結果が所定の状態から所定の許容値を越
えてずれているときにその第２工程を繰り返す場合に
は、光学特性は最終的に許容値以内となり、高精度に位
置合わせできる。また、アライメント系の設定位置と光
学特性を所定の状態にするためのアライメント系の調整
量との関係を予め求めて記憶しておき、第２工程で、ア
ライメント系の設定位置、及び記憶してある関係に基づ
いて定まる調整量だけアライメント系を調整する場合に
は、アライメント系の光学特性の調整時間が短縮され、
スループット（生産性）が向上する利点がある。
【図１】本発明によるアライメント方法の実施の形態の
第１の例を示すフローチャートである。
第１の例を示すフローチャートである。
【図２】本発明によるアライメント方法の実施の形態で
使用される投影露光装置の一例を示す図である。
使用される投影露光装置の一例を示す図である。
【図３】本発明によるアライメント方法の実施の形態の
第２の例を示すフローチャートである。
第２の例を示すフローチャートである。
【図４】本発明によるアライメント方法の実施の形態の
第３の例を示すフローチャートである。
第３の例を示すフローチャートである。
【図５】図４の第３の例の変形例を示すフローチャート
である。
である。
【図６】従来のアライメント方法の一例を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
１ ＴＴＲ方式のアライメントセンサ ２ アライメント光学系 ６ レチクル ９ ウエハ １１ ウエハステージ １４ センサ駆動系 １５ 中央制御系 ２１ 投影光学系 ３１Ａ，３１Ｂ 光源 ＬＢ1 ，ＬＢ2 アライメント照明光 ５０ 第１ハービングガラス ５１ 第２ハービングガラス ５２ 直視プリズム ＲＭ レチクルマーク ＷＭ ウエハマーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｍ
Claims (5)
- 【請求項１】 露光光のもとでマスク上のパターンを投
影光学系を介して感光性の基板上に転写する投影露光装
置で、所定のアライメント光を用いて前記投影光学系を
介して前記マスク上の位置合わせ用マークと前記基板上
の位置合わせ用マークとの相対的な位置ずれ量を検出す
るアライメント系を用いて、前記マスクと前記基板との
位置合わせを行うアライメント方法において、 前記アライメント系を前記基板上の位置合わせ用マーク
の形成位置に応じて移動自在に配置し、 前記アライメント系を前記基板上の位置合わせ用マーク
の位置に合わせて移動する第１工程と、 前記アライメント系の光学特性を所定の状態に向けて調
整する第２工程と、 を有することを特徴とするアライメント方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のアライメント方法であっ
て、 前記第２工程で調整される光学特性は、前記アライメン
ト系のテレセントリック性又は前記アライメント光の前
記基板上での照射位置であることを特徴とするアライメ
ント方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のアライメント方法であっ
て、 前記アライメント光は、波長の異なる複数の光束からな
り、前記アライメント系は前記複数の光束による前記基
板上の位置合わせ用マークからの回折光を検出し、前記
第２工程で調整される光学特性は、前記基板上での前記
複数の光束の照射位置の相対的な位置ずれ量であること
を特徴とするアライメント方法。 - 【請求項４】 請求項１、２、又は３記載のアライメン
ト方法であって、 前記第２工程終了後、更に前記光学特性を測定し、該測
定結果が前記所定の状態から所定の許容値を越えてずれ
ているときに前記第２工程を繰り返すことを特徴とする
アライメント方法。 - 【請求項５】 請求項１、２、又は３記載のアライメン
ト方法であって、 前記アライメント系の設定位置と前記光学特性を前記所
定の状態にするための前記アライメント系の調整量との
関係を予め求めて記憶しておき、前記第２工程で、前記
アライメント系の設定位置、及び前記記憶してある関係
に基づいて定まる調整量だけ前記アライメント系を調整
することを特徴とするアライメント方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201992A JPH0950136A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | アライメント方法 |
| KR1019960032551A KR970012023A (ko) | 1995-08-08 | 1996-08-05 | 투영 노광 시스템에서 마스크 및 감광성 기판을 정렬하기 위한 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201992A JPH0950136A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | アライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950136A true JPH0950136A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16450155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7201992A Withdrawn JPH0950136A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | アライメント方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950136A (ja) |
| KR (1) | KR970012023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157037A (en) * | 1988-07-15 | 1992-10-20 | Basf Aktiengesellschaft | α-arylacrylates substituted by a heterocyclic radical, and fungicides which contain these compounds |
-
1995
- 1995-08-08 JP JP7201992A patent/JPH0950136A/ja not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-08-05 KR KR1019960032551A patent/KR970012023A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5157037A (en) * | 1988-07-15 | 1992-10-20 | Basf Aktiengesellschaft | α-arylacrylates substituted by a heterocyclic radical, and fungicides which contain these compounds |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970012023A (ko) | 1997-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |