JPH0948773A - プロスタグランジンの中間体及びその製造方法 - Google Patents
プロスタグランジンの中間体及びその製造方法Info
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- JPH0948773A JPH0948773A JP21652395A JP21652395A JPH0948773A JP H0948773 A JPH0948773 A JP H0948773A JP 21652395 A JP21652395 A JP 21652395A JP 21652395 A JP21652395 A JP 21652395A JP H0948773 A JPH0948773 A JP H0948773A
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Abstract
(57)【要約】
生理活性物質として有用なプロスタグランジンの合成中
間体の新規合成法および光学純度の高いプロスタグラン
ジン類の製造中間体としての新規光学活性化合物を提供
する。
間体の新規合成法および光学純度の高いプロスタグラン
ジン類の製造中間体としての新規光学活性化合物を提供
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプロスタグランジンの新
規な製造方法及び新規な中間体、より詳しくはプロスタ
グランジンの中間体として知られるコーレーラクトンの
前駆物質である、２−オキサ−ビシクロ［３，３，０］
オクタン−３−オン誘導体の新規な製造方法及びそこで
得られる新規な中間体に関するものである。
規な製造方法及び新規な中間体、より詳しくはプロスタ
グランジンの中間体として知られるコーレーラクトンの
前駆物質である、２−オキサ−ビシクロ［３，３，０］
オクタン−３−オン誘導体の新規な製造方法及びそこで
得られる新規な中間体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】プロスタグランジンは気管拡張作用、胃液
分泌抑制作用、血小板凝集作用など種々の薬理作用を有
するため、医薬品としての用途が期待されている化合物
である。そのプロスタグランジンの合成中間体である
（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６
−（アルコキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン誘導体の製造方法と
してはSTANLEY M.ROBERTS等の方法が知られている（文
献 Chem., Biochem., Pharmacol. Act. Prostanoids,
Incl. Proc. Symp., Meeting Date 1978, 122 - 37）。
しかしながら、かかる方法や従来の製造法では覚醒剤又
は覚醒剤原料であるメタンフェタミンやエフェドリンを
使用し光学分割を行うという煩雑なものである。
分泌抑制作用、血小板凝集作用など種々の薬理作用を有
するため、医薬品としての用途が期待されている化合物
である。そのプロスタグランジンの合成中間体である
（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６
−（アルコキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン誘導体の製造方法と
してはSTANLEY M.ROBERTS等の方法が知られている（文
献 Chem., Biochem., Pharmacol. Act. Prostanoids,
Incl. Proc. Symp., Meeting Date 1978, 122 - 37）。
しかしながら、かかる方法や従来の製造法では覚醒剤又
は覚醒剤原料であるメタンフェタミンやエフェドリンを
使用し光学分割を行うという煩雑なものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、覚醒剤原料を使用することによる上記の問題を解消
し、簡便なプロスタグランジンの製造方法を提供するこ
とにある。また、本発明の課題は、非常に光学純度の高
いプロスタグランジンの中間体を提供することにある。
は、覚醒剤原料を使用することによる上記の問題を解消
し、簡便なプロスタグランジンの製造方法を提供するこ
とにある。また、本発明の課題は、非常に光学純度の高
いプロスタグランジンの中間体を提供することにある。
【０００４】より具体的には、本発明の課題は、プロス
タグランジンの中間体である（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７
Ｒ）−（−）−２−オキサ−６−（アルコキシカルボニ
ル）−７−アセトキシビシクロ［３．３．０］オクタン
−３−オン誘導体、（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−
（アルコキシカルボニルメチル）−３−（アルコキシカ
ルボニル）−４−アセトキシシクロペンタノール誘導
体、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカルボニ
ルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）−４−アセ
トキシシクロペンタン−１−オン誘導体、アルキル（１
Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−（アルコキシカルボニ
ル）−３−アセトキシ−５−（アセトキシアルコキシカ
ルボニルメチリデン）シクロペンチル］アセテート誘導
体、アルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−
（アルコキシカルボニル）−３−ヒドロキシ−５−アル
コサリルシクロペンチル］アセテート誘導体、ジアルキ
ル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ−７−
アルコキシビシクロ［３．３．０］−オクタ−６−エン
−２，６−ジカルボキシレート誘導体、ジアルキル（１
Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビシク
ロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，６−ジカルボ
キシレート誘導体をそれぞれ製造する方法を提供するこ
とにある。
タグランジンの中間体である（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７
Ｒ）−（−）−２−オキサ−６−（アルコキシカルボニ
ル）−７−アセトキシビシクロ［３．３．０］オクタン
−３−オン誘導体、（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−
（アルコキシカルボニルメチル）−３−（アルコキシカ
ルボニル）−４−アセトキシシクロペンタノール誘導
体、（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカルボニ
ルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）−４−アセ
トキシシクロペンタン−１−オン誘導体、アルキル（１
Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−（アルコキシカルボニ
ル）−３−アセトキシ−５−（アセトキシアルコキシカ
ルボニルメチリデン）シクロペンチル］アセテート誘導
体、アルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−
（アルコキシカルボニル）−３−ヒドロキシ−５−アル
コサリルシクロペンチル］アセテート誘導体、ジアルキ
ル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ−７−
アルコキシビシクロ［３．３．０］−オクタ−６−エン
−２，６−ジカルボキシレート誘導体、ジアルキル（１
Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビシク
ロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，６−ジカルボ
キシレート誘導体をそれぞれ製造する方法を提供するこ
とにある。
【０００５】さらにまた、本発明の課題は、前記のプロ
スタグランジンの中間体を夫々提供することにある。
スタグランジンの中間体を夫々提供することにある。
【０００６】
【発明の開示】本発明者らは、上記の課題を解決すべく
新たな方法につき探求した結果、容易に入手可能な下記
一般式（６）で表される化合物を出発原料として効率良
くかつ高い光学純度をもって下記一般式（７）の化合物
を製造することができることを見いだした。すなわち、
本発明によるプロスタグランジン中間体の製造方法は以
下の工程図で示すことができる。
新たな方法につき探求した結果、容易に入手可能な下記
一般式（６）で表される化合物を出発原料として効率良
くかつ高い光学純度をもって下記一般式（７）の化合物
を製造することができることを見いだした。すなわち、
本発明によるプロスタグランジン中間体の製造方法は以
下の工程図で示すことができる。
【０００７】
【化２３】工程図１
【０００８】上記工程図１を概説すると下記のとおりで
ある。まず公知の物質である一般式（６）
ある。まず公知の物質である一般式（６）
【化２４】
【０００９】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，
５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］
オクタ−６−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体
を出発原料としこれをアルキル化させることにより新規
物質である一般式（１）
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，
５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］
オクタ−６−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体
を出発原料としこれをアルキル化させることにより新規
物質である一般式（１）
【００１０】
【化２５】
【００１１】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，
５Ｓ）−３−ヒドロキシ−７−アルコキシビシクロ
［３．３．０］オクタ−６−エン−２，６−ジカルボキ
シレート誘導体を合成する。
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，
５Ｓ）−３−ヒドロキシ−７−アルコキシビシクロ
［３．３．０］オクタ−６−エン−２，６−ジカルボキ
シレート誘導体を合成する。
【００１２】次に一般式（１）で表される化合物を酸化
することで新規物質である一般式（２）
することで新規物質である一般式（２）
【化２６】
【００１３】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５
Ｓ）−２−［２−（アルコキシカルボニル）−３−ヒド
ロキシ−５−アルコサリルシクロペンチル］アセテート
誘導体を合成する。また一般式（２）の化合物をアセチ
ル化することにより、新規物質である一般式（３）
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５
Ｓ）−２−［２−（アルコキシカルボニル）−３−ヒド
ロキシ−５−アルコサリルシクロペンチル］アセテート
誘導体を合成する。また一般式（２）の化合物をアセチ
ル化することにより、新規物質である一般式（３）
【００１４】
【化２７】
【００１５】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるアルキル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−
２−［２−（アルコキシカルボニル）−３−アセトキシ
−５−（アセトキシアルコキシカルボニルメチリデン）
シクロペンチル］アセテート誘導体を生成する。次に一
般式（３）を酸化することでオレフィンをケトンに変換
した新規物質である一般式（４）
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表されるアルキル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−
２−［２−（アルコキシカルボニル）−３−アセトキシ
−５−（アセトキシアルコキシカルボニルメチリデン）
シクロペンチル］アセテート誘導体を生成する。次に一
般式（３）を酸化することでオレフィンをケトンに変換
した新規物質である一般式（４）
【００１６】
【化２８】
【００１７】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表される（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（ア
ルコキシカルボニルメチル）−３−（アルコキシカルボ
ニル）−４−アセトキシシクロペンタン−１−オン誘導
体を製造する。さらに一般式（４）で表される化合物の
ケトンを還元し新規物質である一般式（５）
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表される（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（ア
ルコキシカルボニルメチル）−３−（アルコキシカルボ
ニル）−４−アセトキシシクロペンタン−１−オン誘導
体を製造する。さらに一般式（４）で表される化合物の
ケトンを還元し新規物質である一般式（５）
【００１８】
【化２９】
【００１９】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも良く異なっ
ていても良い）で表される（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）
−２−（アルコキシカルボニルメチル）−３−（アルコ
キシカルボニル）−４−アセトキシシクロペンタノール
誘導体を得る。
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも良く異なっ
ていても良い）で表される（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）
−２−（アルコキシカルボニルメチル）−３−（アルコ
キシカルボニル）−４−アセトキシシクロペンタノール
誘導体を得る。
【００２０】最後に前記の一般式（５）で表される化合
物を 縮合剤を用いて環化させることによってコーリー
ラクトンの前駆物質である一般式（７）
物を 縮合剤を用いて環化させることによってコーリー
ラクトンの前駆物質である一般式（７）
【００２１】
【化３０】
【００２２】（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表される（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−
（−）−２−オキサ−６−（アルコキシカルボニル）−
７−アセトキシビシクロ［３．３．０］オクタン−３−
オン誘導体を製造する。
級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なってい
てもよい）で表される（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−
（−）−２−オキサ−６−（アルコキシカルボニル）−
７−アセトキシビシクロ［３．３．０］オクタン−３−
オン誘導体を製造する。
【００２３】この後常法に従い、既知のプロスタグラン
ジンを製造することができる。なお、出発原料である一
般式（６）で表される化合物は、下記工程図２で示され
る公知の方法により得ることができる（参考文献：Tetr
ahedron Letters 36,2255-2256(1995)、特開平７−１
１８２０７号公報）。
ジンを製造することができる。なお、出発原料である一
般式（６）で表される化合物は、下記工程図２で示され
る公知の方法により得ることができる（参考文献：Tetr
ahedron Letters 36,2255-2256(1995)、特開平７−１
１８２０７号公報）。
【００２４】
【化３１】工程図２
【００２５】本発明に係る各化合物ならびに製造方法に
つき、以下に詳細に説明する。本発明に係る一般式
（１）〜（７）で表される各化合物において、いずれも
Ｒ1及びＲ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基を表
し、Ｒ1及びＲ2は同一でもよく、異なっていてもよい。
低級アルキル基としてはＲ1及びＲ2はメチル基又はエチ
ル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。上記一般式
（６）（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜６の低級アルキル
基を示す）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，
５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］
オクタ−６−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体
は、例えば下記の反応式に示されているように、リパー
ゼにより光学分割したＣ2対称化合物である一般式
（８）で表わされる化合物に窒素気流下、−４５℃にて
予め調製されたＮａＢＨ（ＯＥｔ）3を加えることによ
り得ることができる。
つき、以下に詳細に説明する。本発明に係る一般式
（１）〜（７）で表される各化合物において、いずれも
Ｒ1及びＲ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基を表
し、Ｒ1及びＲ2は同一でもよく、異なっていてもよい。
低級アルキル基としてはＲ1及びＲ2はメチル基又はエチ
ル基が好ましく、メチル基が最も好ましい。上記一般式
（６）（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜６の低級アルキル
基を示す）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，
５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］
オクタ−６−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体
は、例えば下記の反応式に示されているように、リパー
ゼにより光学分割したＣ2対称化合物である一般式
（８）で表わされる化合物に窒素気流下、−４５℃にて
予め調製されたＮａＢＨ（ＯＥｔ）3を加えることによ
り得ることができる。
【００２６】一般式（１）（式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子
数１〜６の低級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一で
も異なっていてもよい）で表されるジアルキル（１Ｓ，
２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ，６Ｒ）−３−ヒドロキシ−７−アル
コキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，
６−ジカルボキシレート誘導体は一般式（６）で表され
る化合物のエノール型水酸基のみをアルキル化する。使
用するアルキル化剤としてはジアゾメタン・ジメチル硫
酸やメタノール・ｐ−トルエンスルホン酸、メタノール
・ＤＣＣなどが挙げられるがジアゾメタンを用いてメチ
ル化することが最も好ましい。
数１〜６の低級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2は同一で
も異なっていてもよい）で表されるジアルキル（１Ｓ，
２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ，６Ｒ）−３−ヒドロキシ−７−アル
コキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，
６−ジカルボキシレート誘導体は一般式（６）で表され
る化合物のエノール型水酸基のみをアルキル化する。使
用するアルキル化剤としてはジアゾメタン・ジメチル硫
酸やメタノール・ｐ−トルエンスルホン酸、メタノール
・ＤＣＣなどが挙げられるがジアゾメタンを用いてメチ
ル化することが最も好ましい。
【００２７】反応温度は−３０〜３０℃、好ましくは−
２０〜０℃である。使用する反応溶媒としてメタノー
ル、ＤＭＦ、エーテル等が挙げられるが、好ましくはエ
ーテルがよい。反応時間は使用する原料、溶媒、反応温
度等により異なるが、通常１０〜５０時間で好ましくは
１５〜２５時間である。反応終了後、窒素ガスを通し溶
媒を留去する。得られた粗生成物は、シリカゲルを充填
したカラムクロマトグラフィーを用いて分離精製され、
一般式（１）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３
Ｒ，５Ｓ，６Ｒ）−３−ヒドロキシ−７−アルコキシビ
シクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，６−ジカ
ルボキシレート誘導体を得ることができる。
２０〜０℃である。使用する反応溶媒としてメタノー
ル、ＤＭＦ、エーテル等が挙げられるが、好ましくはエ
ーテルがよい。反応時間は使用する原料、溶媒、反応温
度等により異なるが、通常１０〜５０時間で好ましくは
１５〜２５時間である。反応終了後、窒素ガスを通し溶
媒を留去する。得られた粗生成物は、シリカゲルを充填
したカラムクロマトグラフィーを用いて分離精製され、
一般式（１）で表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３
Ｒ，５Ｓ，６Ｒ）−３−ヒドロキシ−７−アルコキシビ
シクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，６−ジカ
ルボキシレート誘導体を得ることができる。
【００２８】一般式（２）で表されるアルキル（１Ｓ，
２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−（アルコキシカルボニ
ル）−３−ヒドロキシ−５−アルコサリルシクロペンチ
ル］アセテート誘導体は一般式（１）の化合物を酸化す
ることにより得ることができる。使用する酸化剤として
はＯｓＯ4，ＮａＩＯ4，オゾンガス等が挙げられるがオ
ゾンガスが最も好ましい。反応温度は−３０〜−１００
℃、好ましくは−７０〜−８０℃である。使用する反応
溶媒としてメタノール、エタノール、ＣＨ2Ｃｌ2等が挙
げられるが、好ましくはメタノールがよい。反応時間は
使用する原料、溶媒、反応温度等により異なるが、反応
液が青色になった時が反応完結である。
２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−（アルコキシカルボニ
ル）−３−ヒドロキシ−５−アルコサリルシクロペンチ
ル］アセテート誘導体は一般式（１）の化合物を酸化す
ることにより得ることができる。使用する酸化剤として
はＯｓＯ4，ＮａＩＯ4，オゾンガス等が挙げられるがオ
ゾンガスが最も好ましい。反応温度は−３０〜−１００
℃、好ましくは−７０〜−８０℃である。使用する反応
溶媒としてメタノール、エタノール、ＣＨ2Ｃｌ2等が挙
げられるが、好ましくはメタノールがよい。反応時間は
使用する原料、溶媒、反応温度等により異なるが、反応
液が青色になった時が反応完結である。
【００２９】反応終了後、窒素ガスを通しジメチルスル
フィドを加え、１５〜２５時間攪拌後溶媒を留去する。
得られた粗生成物は、シリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーを用いて分離精製され、一般式（２）の
化合物を得ることができる。
フィドを加え、１５〜２５時間攪拌後溶媒を留去する。
得られた粗生成物は、シリカゲルを充填したカラムクロ
マトグラフィーを用いて分離精製され、一般式（２）の
化合物を得ることができる。
【００３０】一般式（３）で表されるアルキル（１Ｒ，
２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−（アルコキシカルボニル）−
３−アセトキシ−５−（アセトキシアルコキシカルボニ
ルメチリデン）シクロペンチル］アセテート誘導体は一
般式（２）の化合物をアセチル化することにより容易に
得ることができる。アセチル化剤としてはアセチルクロ
リド、無水酢酸が挙げられ、好ましくは無水酢酸が最も
好ましい。反応温度は−５０〜８０℃、好ましくは室温
（１０〜３０℃）がよい。使用する反応溶媒としてピリ
ジン、トリエチルアミン、ＣＨ2Ｃｌ2等が挙げられる
が、好ましくはピリジンがよい。反応時間は、使用する
原料、溶媒、反応温度等により異なるが、通常１〜６０
時間、好ましくは３０〜４０時間である。反応終了後、
メタノール等のアルコールを用いて過剰の無水酢酸を分
解し、溶媒留去後、エーテル等の有機溶媒で抽出する。
抽出液を濃縮した後、粗生成物はシリカゲルを充填した
カラムクロマトグラフィーを用いて分離精製され、一般
式（３）の化合物を得ることができる。
２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−（アルコキシカルボニル）−
３−アセトキシ−５−（アセトキシアルコキシカルボニ
ルメチリデン）シクロペンチル］アセテート誘導体は一
般式（２）の化合物をアセチル化することにより容易に
得ることができる。アセチル化剤としてはアセチルクロ
リド、無水酢酸が挙げられ、好ましくは無水酢酸が最も
好ましい。反応温度は−５０〜８０℃、好ましくは室温
（１０〜３０℃）がよい。使用する反応溶媒としてピリ
ジン、トリエチルアミン、ＣＨ2Ｃｌ2等が挙げられる
が、好ましくはピリジンがよい。反応時間は、使用する
原料、溶媒、反応温度等により異なるが、通常１〜６０
時間、好ましくは３０〜４０時間である。反応終了後、
メタノール等のアルコールを用いて過剰の無水酢酸を分
解し、溶媒留去後、エーテル等の有機溶媒で抽出する。
抽出液を濃縮した後、粗生成物はシリカゲルを充填した
カラムクロマトグラフィーを用いて分離精製され、一般
式（３）の化合物を得ることができる。
【００３１】一般式（４）で表される（２Ｒ，３Ｒ，４
Ｒ）−２−（アルコキシカルボニルメチル）−３−（ア
ルコキシカルボニル）−４−アセトキシシクロペンタン
−１−オン誘導体は一般式（３）の化合物を酸化するこ
とにより得ることができる。使用する酸化剤としては
ＯｓＯ4，ＮａＩＯ4，オゾンガス等が挙げられるが、オ
ゾンガスが最も好ましい。反応温度は−３０〜−１００
℃、好ましくは−７０〜−８０℃である。使用する反応
溶媒としてメタノール、エタノール、ＣＨ2Ｃｌ2等が挙
げられるが、好ましくはメタノールがよい。反応時間は
使用する原料、溶媒、反応温度等により異なるが、反応
液が青色になった時が反応完結である。
Ｒ）−２−（アルコキシカルボニルメチル）−３−（ア
ルコキシカルボニル）−４−アセトキシシクロペンタン
−１−オン誘導体は一般式（３）の化合物を酸化するこ
とにより得ることができる。使用する酸化剤としては
ＯｓＯ4，ＮａＩＯ4，オゾンガス等が挙げられるが、オ
ゾンガスが最も好ましい。反応温度は−３０〜−１００
℃、好ましくは−７０〜−８０℃である。使用する反応
溶媒としてメタノール、エタノール、ＣＨ2Ｃｌ2等が挙
げられるが、好ましくはメタノールがよい。反応時間は
使用する原料、溶媒、反応温度等により異なるが、反応
液が青色になった時が反応完結である。
【００３２】反応終了後、窒素ガスを通しジメチルスル
フィドを加え、１５〜２５時間攪拌後溶媒を留去する。
この濃縮液をエーテル等の有機溶媒で抽出後、溶媒を留
去し得られた粗生成物は、シリカゲルを充填したカラム
クロマトグラフィーを用いて分離精製され、一般式
（４）の化合物を得ることができる。
フィドを加え、１５〜２５時間攪拌後溶媒を留去する。
この濃縮液をエーテル等の有機溶媒で抽出後、溶媒を留
去し得られた粗生成物は、シリカゲルを充填したカラム
クロマトグラフィーを用いて分離精製され、一般式
（４）の化合物を得ることができる。
【００３３】一般式（５）で表される（１Ｒ，２Ｒ，３
Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカルボニルメチル）−３
−（アルコキシカルボニル）−４−アセトキシシクロペ
ンタノール誘導体は一般式（４）の化合物のケトンを還
元することにより得ることができる。還元剤としては
ＮａＢＨ4、ＢＨ3ＳＭｅ2、Ｌｉ（ｔ−ＢｕＯ）3ＡｌＨ
等のホウ素やアルミニウム金属の還元剤が挙げられ、
Ｌｉ（ｔ−ＢｕＯ）3ＡｌＨが最も好ましい。反応温度
は−３０〜３０℃、好ましくは、−５〜５℃である。反
応溶媒としてはＴＨＦ、エーテル、ベンゼン、トルエン
等が挙げられ、好ましくはＴＨＦがよい。反応時間は使
用する原料、溶媒、反応温度等により異なるが、通常１
分から１０時間、好ましくは３〜１０分である。これは
ＴＬＣにより確認することができる。
Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカルボニルメチル）−３
−（アルコキシカルボニル）−４−アセトキシシクロペ
ンタノール誘導体は一般式（４）の化合物のケトンを還
元することにより得ることができる。還元剤としては
ＮａＢＨ4、ＢＨ3ＳＭｅ2、Ｌｉ（ｔ−ＢｕＯ）3ＡｌＨ
等のホウ素やアルミニウム金属の還元剤が挙げられ、
Ｌｉ（ｔ−ＢｕＯ）3ＡｌＨが最も好ましい。反応温度
は−３０〜３０℃、好ましくは、−５〜５℃である。反
応溶媒としてはＴＨＦ、エーテル、ベンゼン、トルエン
等が挙げられ、好ましくはＴＨＦがよい。反応時間は使
用する原料、溶媒、反応温度等により異なるが、通常１
分から１０時間、好ましくは３〜１０分である。これは
ＴＬＣにより確認することができる。
【００３４】上記反応終了後、希塩酸、希硫酸などの酸
性物質を用いて酸性化し溶媒留去後、残渣を塩化メチレ
ンで抽出を行う。得られた粗生成物は、シリカゲルを充
填したカラムクロマトグラフィーを用いて分離精製さ
れ、一般式（５）の化合物を得ることができる。一般式
（７）で表される（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）
−２−オキサ−６−（アルコキシカルボニル）−７−ア
セトキシビシクロ［３．３．０］オクタン−３−オン誘
導体を製造する方法は、一般式（５）を環化させること
により得ることができる。
性物質を用いて酸性化し溶媒留去後、残渣を塩化メチレ
ンで抽出を行う。得られた粗生成物は、シリカゲルを充
填したカラムクロマトグラフィーを用いて分離精製さ
れ、一般式（５）の化合物を得ることができる。一般式
（７）で表される（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）
−２−オキサ−６−（アルコキシカルボニル）−７−ア
セトキシビシクロ［３．３．０］オクタン−３−オン誘
導体を製造する方法は、一般式（５）を環化させること
により得ることができる。
【００３５】環化させる物質としてはＤＣＣ，オキシ塩
化リンやｐ−トルエンスルホン酸などの縮合剤がある
が、好ましくはｐ−トルエンスルホン酸がよい。反応溶
媒としてはトルエン、キシレン、ベンゼン、好ましくは
ベンゼンがよい。反応時間は使用する原料、溶媒、反応
温度等により異なるが、通常１〜８０時間、好ましくは
２０〜２５時間である。反応温度は使用する溶媒によっ
て異なるが通常１０〜１８０℃、好ましくは７０〜９０
℃である。
化リンやｐ−トルエンスルホン酸などの縮合剤がある
が、好ましくはｐ−トルエンスルホン酸がよい。反応溶
媒としてはトルエン、キシレン、ベンゼン、好ましくは
ベンゼンがよい。反応時間は使用する原料、溶媒、反応
温度等により異なるが、通常１〜８０時間、好ましくは
２０〜２５時間である。反応温度は使用する溶媒によっ
て異なるが通常１０〜１８０℃、好ましくは７０〜９０
℃である。
【００３６】これを適当な溶媒で抽出し、粗生成物はシ
リカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーを用いて
分離精製され、一般式（７）の化合物を得ることができ
る。本発明に係る新規化合物はコーリーラクトンを経由
してプロスタグランジン類縁化合物を下記工程図３で記
される工程によって製造する際の中間体として極めて有
用な化合物である。
リカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーを用いて
分離精製され、一般式（７）の化合物を得ることができ
る。本発明に係る新規化合物はコーリーラクトンを経由
してプロスタグランジン類縁化合物を下記工程図３で記
される工程によって製造する際の中間体として極めて有
用な化合物である。
【００３７】
【化３２】工程図 ３
【００３８】以下に、本発明による製造方法ならびにプ
ロスタグランジンの中間体を実験例及び実施例により説
明するが、本発明は、これらにより限定されるべきもの
ではない。
ロスタグランジンの中間体を実験例及び実施例により説
明するが、本発明は、これらにより限定されるべきもの
ではない。
【００３９】なお、融点（ｍｐ）は全て柳本融点測定器
で測定し未補正である。 1ＨＮＭＲはVarian XL-300お
よびJEOLEX-270で測定し、化学シフト値はtetramethyls
ilane（ＴＭＳ）を内部標識物質としてｐｐｍで示し
た。旋光度はHoriba Sepa -200，ＩＲはJASCOIR-810で
測定し、ｃｍ-1で示した。ＭＳスペクトルは、JEOLJMX-
SX 102A QQで７０ｅＶの直接導入法で測定した。カラ
ムクロマトグラフィーのシリカゲルは Wakogel C-200
(Wako Pure Chemical), Wakogel C-300 (Wako PureChem
ical),Kieselgel 60 (Merck)を用いた。反応に用いた無
水溶媒は、常法に従い用時調整した。
で測定し未補正である。 1ＨＮＭＲはVarian XL-300お
よびJEOLEX-270で測定し、化学シフト値はtetramethyls
ilane（ＴＭＳ）を内部標識物質としてｐｐｍで示し
た。旋光度はHoriba Sepa -200，ＩＲはJASCOIR-810で
測定し、ｃｍ-1で示した。ＭＳスペクトルは、JEOLJMX-
SX 102A QQで７０ｅＶの直接導入法で測定した。カラ
ムクロマトグラフィーのシリカゲルは Wakogel C-200
(Wako Pure Chemical), Wakogel C-300 (Wako PureChem
ical),Kieselgel 60 (Merck)を用いた。反応に用いた無
水溶媒は、常法に従い用時調整した。
【００４０】実験例１（出発原料の製法） ジメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−ジヒド
ロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，
６−ジカルボキシレート［６］：Ｎ2気流下、−４５℃
にてジメチル（１Ｓ，５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビ
シクロ［３．３．０］オクタ−２，６−ジエン−２，６
−ジカルボキシレート（０．４６２６ｇ，１．８２ｍｏ
ｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍｌ）溶液にあらかじめ調製した
ＮａＢＨ（ＯＥｔ）3＊の無水ＥｔＯＨ溶液（５．６９
ｍｌ，２．１９ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃まで昇温し、
１時間攪拌した後、０℃にて１Ｎ−ＨＣｌを加えｐＨ＝
７を確認し、溶媒を留去し残渣をＥｔ2Ｏで抽出した。
ロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−２，
６−ジカルボキシレート［６］：Ｎ2気流下、−４５℃
にてジメチル（１Ｓ，５Ｓ）−３，７−ジヒドロキシビ
シクロ［３．３．０］オクタ−２，６−ジエン−２，６
−ジカルボキシレート（０．４６２６ｇ，１．８２ｍｏ
ｌ）の無水ＴＨＦ（５ｍｌ）溶液にあらかじめ調製した
ＮａＢＨ（ＯＥｔ）3＊の無水ＥｔＯＨ溶液（５．６９
ｍｌ，２．１９ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃まで昇温し、
１時間攪拌した後、０℃にて１Ｎ−ＨＣｌを加えｐＨ＝
７を確認し、溶媒を留去し残渣をＥｔ2Ｏで抽出した。
【００４１】抽出液を乾燥、濾過後、溶媒を留去して得
られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥ
ｔ：ヘキサン：ジクロロメタン＝１：３：２）で精製
し、ジメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−ジ
ヒドロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−
２，６−ジカルボキシレート（１９２．９ｍｇ，４１．
４％）を得、同時に原料（２５９．５ｍｇ，５６．１
％）を回収した。 ＊還元試薬｛ＮａＢＨ（ＯＥｔ ） 3｝の調製・・・・・
・・ＮａＢＨ4（３．７０７０ｇ，９７．９９ｍｍｏ
ｌ）の無水ＥｔＯＨ（２５５ｍｌ）溶液を１時間加熱還
流して調製した。
られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥ
ｔ：ヘキサン：ジクロロメタン＝１：３：２）で精製
し、ジメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−ジ
ヒドロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン−
２，６−ジカルボキシレート（１９２．９ｍｇ，４１．
４％）を得、同時に原料（２５９．５ｍｇ，５６．１
％）を回収した。 ＊還元試薬｛ＮａＢＨ（ＯＥｔ ） 3｝の調製・・・・・
・・ＮａＢＨ4（３．７０７０ｇ，９７．９９ｍｍｏ
ｌ）の無水ＥｔＯＨ（２５５ｍｌ）溶液を１時間加熱還
流して調製した。
【００４２】無色結晶 ｍｐ ５８−６１℃；［α］ D
25＋３６．１７（ｃ １．１９，ＭｅＯＨ）；1Ｈ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２７０ＭＨｚ）δ：１．４９及び
１．６７（ｍ，１Ｈ），２．３４及び２．４０（ｍ，１
Ｈ），２．９１−２．４２（ｍ，４Ｈ），２．７３及び
３．０２（ｍ，１Ｈ），３．１５及び３，２５（ｍ，１
Ｈ），３．７５及び３．７６（ｓ，３Ｈ），３．７６及
び３．７７（ｓ，３Ｈ），４．２８及び４．５３（ｍ，
１Ｈ），１０．３６（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣ
ｌ3）：３６３０−３３４０，１７２４，１６５８，１
６１６ｃｍ-1 ；ＭＳ ｍ／ｚ ２５６（Ｍ+）；計算
値：Ｃ12Ｈ16Ｏ6：Ｃ，５６．２５；Ｈ，６．２９，実
測値：Ｃ，５６．２５；Ｈ，６．１９
25＋３６．１７（ｃ １．１９，ＭｅＯＨ）；1Ｈ−
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，２７０ＭＨｚ）δ：１．４９及び
１．６７（ｍ，１Ｈ），２．３４及び２．４０（ｍ，１
Ｈ），２．９１−２．４２（ｍ，４Ｈ），２．７３及び
３．０２（ｍ，１Ｈ），３．１５及び３，２５（ｍ，１
Ｈ），３．７５及び３．７６（ｓ，３Ｈ），３．７６及
び３．７７（ｓ，３Ｈ），４．２８及び４．５３（ｍ，
１Ｈ），１０．３６（ｂｒ．ｓ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣ
ｌ3）：３６３０−３３４０，１７２４，１６５８，１
６１６ｃｍ-1 ；ＭＳ ｍ／ｚ ２５６（Ｍ+）；計算
値：Ｃ12Ｈ16Ｏ6：Ｃ，５６．２５；Ｈ，６．２９，実
測値：Ｃ，５６．２５；Ｈ，６．１９
【００４３】
【実施例】 実施例１ ジメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ
−７−メトキシビシクロ［３．３．０］オクト−６−エ
ン−２，６−ジカルボキシレート（１）：実験例１で得
られたジメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−
ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン
−２，６−ジカルボキシレート（２．４５ｇ，９．５６
ｍｍｏｌ）のＥｔ2Ｏ（２５０ｍｌ）−ＭｅＯＨ（３０
ｍｌ）溶液に、０℃にてＣＨ2Ｎ2のＥｔ2Ｏ溶液を加え
た。氷浴下２０時間静置し反応を終了を確認後、窒素ガ
スを３０分間通し、溶媒を留去してジメチル（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ−７−メトキシビシ
クロ［３．３．０］オクト−６−エン−２，６−ジカル
ボキシレートの粗生成物（淡泊色油状）を得る。また別
に、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（Ａ
ｃＯＥｔ：ヘキサン＝２：１）で精製し各種データを採
取した。
−７−メトキシビシクロ［３．３．０］オクト−６−エ
ン−２，６−ジカルボキシレート（１）：実験例１で得
られたジメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，７−
ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−エン
−２，６−ジカルボキシレート（２．４５ｇ，９．５６
ｍｍｏｌ）のＥｔ2Ｏ（２５０ｍｌ）−ＭｅＯＨ（３０
ｍｌ）溶液に、０℃にてＣＨ2Ｎ2のＥｔ2Ｏ溶液を加え
た。氷浴下２０時間静置し反応を終了を確認後、窒素ガ
スを３０分間通し、溶媒を留去してジメチル（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ−７−メトキシビシ
クロ［３．３．０］オクト−６−エン−２，６−ジカル
ボキシレートの粗生成物（淡泊色油状）を得る。また別
に、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（Ａ
ｃＯＥｔ：ヘキサン＝２：１）で精製し各種データを採
取した。
【００４４】無色油状；［α］ D 24＋８０．５８（ｃ
０．８９，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，
３００ＭＨｚ）δ：１．５１（ｄｄｄ，Ｊ＝１３．０，
１０．１，８．０Ｈｚ，１Ｈ），２．３４（ｂｒ．ｓ，
１Ｈ，ＯＨ），２．４４−２．６０（ｍ，２Ｈ），２．
６４−２．７７（ｍ，２Ｈ），２．９３−３．０３
（ｍ，１Ｈ），３．２６−３．３８（ｍ，１Ｈ），３，
７１（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７６（ｓ，３Ｈ，
ＣＯＯＭｅ），３．８５（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ），４．２
２−４．３３（ｍ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：３６
４０−３３２０，２９５０，１７２３，１６９２，１６
２５ｃｍ-1 ；ＭＳ ｍ／ｚ ２７０（Ｍ+）；計算値：
Ｃ13Ｈ18Ｏ6：Ｃ，５７．７７；Ｈ，６．７１，実測
値：Ｃ，５７．５８；Ｈ，６．６７
０．８９，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，
３００ＭＨｚ）δ：１．５１（ｄｄｄ，Ｊ＝１３．０，
１０．１，８．０Ｈｚ，１Ｈ），２．３４（ｂｒ．ｓ，
１Ｈ，ＯＨ），２．４４−２．６０（ｍ，２Ｈ），２．
６４−２．７７（ｍ，２Ｈ），２．９３−３．０３
（ｍ，１Ｈ），３．２６−３．３８（ｍ，１Ｈ），３，
７１（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７６（ｓ，３Ｈ，
ＣＯＯＭｅ），３．８５（ｓ，３Ｈ，ＯＭｅ），４．２
２−４．３３（ｍ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：３６
４０−３３２０，２９５０，１７２３，１６９２，１６
２５ｃｍ-1 ；ＭＳ ｍ／ｚ ２７０（Ｍ+）；計算値：
Ｃ13Ｈ18Ｏ6：Ｃ，５７．７７；Ｈ，６．７１，実測
値：Ｃ，５７．５８；Ｈ，６．６７
【００４５】実施例２ メチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−メトキ
シカルボニル−３−ヒドロキシ−５−メトキサリルシク
ロペンチル］アセテート（２）：実施例１で得られたジ
メチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ−
７−メトキシビシクロ［３．３．０］オクト−６−エン
−２，６−ジカルボキシレートのＭｅＯＨ（１００ｍ
ｌ）溶液に−７８℃にてＯ3ガスを通した。反応液が青
色になったのを確認した後、さらに１時間Ｏ3ガスを通
した。反応液を室温まで昇温し、Ｍｅ2Ｓ（２．９７
ｇ，４７．８ｍｍｏｌ）を加えて２０時間攪拌、溶媒を
留去してメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２
−メトキシカルボニル−３−ヒドロキシ−５−メトキサ
リルシクロペンチル］アセテートの粗生成物（淡黄色油
状）を得る。
シカルボニル−３−ヒドロキシ−５−メトキサリルシク
ロペンチル］アセテート（２）：実施例１で得られたジ
メチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキシ−
７−メトキシビシクロ［３．３．０］オクト−６−エン
−２，６−ジカルボキシレートのＭｅＯＨ（１００ｍ
ｌ）溶液に−７８℃にてＯ3ガスを通した。反応液が青
色になったのを確認した後、さらに１時間Ｏ3ガスを通
した。反応液を室温まで昇温し、Ｍｅ2Ｓ（２．９７
ｇ，４７．８ｍｍｏｌ）を加えて２０時間攪拌、溶媒を
留去してメチル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２
−メトキシカルボニル−３−ヒドロキシ−５−メトキサ
リルシクロペンチル］アセテートの粗生成物（淡黄色油
状）を得る。
【００４６】淡黄色油状；；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，
３００ＭＨｚ）δ：１．９０ （ｄｔ，Ｊ＝１３．８，
６．４Ｈｚ，１Ｈ），２．３６（ｄｔ， Ｊ＝１３．
６，７．７Ｈｚ，Ｈ2，１Ｈ），２，５７−２．６５
（ｍ，２Ｈ），２．７１（ｄｄＪ＝１０．３，６．８Ｈ
ｚ，１Ｈ），２．８１−２．９４（ｍ，１Ｈ），３．６
２（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７４（ｓ，３Ｈ，Ｃ
ＯＯＭｅ），３．８９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），４．
１０（ｄｔ，Ｊ＝８．１，６．６Ｈｚ，１Ｈ）：４．４
４（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣ
ｌ3）：，ＭＳ ｍ／ｚ３０２（Ｍ+）。
３００ＭＨｚ）δ：１．９０ （ｄｔ，Ｊ＝１３．８，
６．４Ｈｚ，１Ｈ），２．３６（ｄｔ， Ｊ＝１３．
６，７．７Ｈｚ，Ｈ2，１Ｈ），２，５７−２．６５
（ｍ，２Ｈ），２．７１（ｄｄＪ＝１０．３，６．８Ｈ
ｚ，１Ｈ），２．８１−２．９４（ｍ，１Ｈ），３．６
２（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７４（ｓ，３Ｈ，Ｃ
ＯＯＭｅ），３．８９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），４．
１０（ｄｔ，Ｊ＝８．１，６．６Ｈｚ，１Ｈ）：４．４
４（ｑ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣ
ｌ3）：，ＭＳ ｍ／ｚ３０２（Ｍ+）。
【００４７】実施例３ メチル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−｛２−メトキシカル
ボニル−３−アセトキシ−５−［アセトキシ（メトキシ
カルボニル）メチリデン］シクロペンチル｝アセテート
（３）：Ｎ2気流下、０℃にて実施例２で得られたメ
チル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−メトキシ
カルボニル−３−ヒドロキシ−５−メトキサリルシクロ
ペンチル］アセテートの無水ピリジン（６ｍｌ）溶液に
無水酢酸（４ｍｌ）を滴下した。
ボニル−３−アセトキシ−５−［アセトキシ（メトキシ
カルボニル）メチリデン］シクロペンチル｝アセテート
（３）：Ｎ2気流下、０℃にて実施例２で得られたメ
チル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−メトキシ
カルボニル−３−ヒドロキシ−５−メトキサリルシクロ
ペンチル］アセテートの無水ピリジン（６ｍｌ）溶液に
無水酢酸（４ｍｌ）を滴下した。
【００４８】室温下、３６時間攪拌した後、再び０℃に
てＭｅＯＨ（５ｍｌ）を加えて２０分間攪拌し、残った
無水酢酸を分解した。反応液はＭｅＯＨを減圧留去後Ｅ
ｔ2Ｏで希釈し、これを飽和ＮＨ4Ｃｌ溶液で洗浄し、乾
燥、濾過し、溶媒を留去して得られた粗生成物をカラム
クロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：ヘキサン＝１：１）
で精製し、メチル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−｛２−メ
トキシカルボニル−３−アセトキシ−５−［アセトキシ
（メトキシカルボニル）メチリデン］シクロペンチル｝
アセテート［ｍｉｘｔｕｒｅ（５：１）（Ｚ体を主生成
物とする二重結合の立体異性体），３．５７ｇ，９６．
５％］を得た。
てＭｅＯＨ（５ｍｌ）を加えて２０分間攪拌し、残った
無水酢酸を分解した。反応液はＭｅＯＨを減圧留去後Ｅ
ｔ2Ｏで希釈し、これを飽和ＮＨ4Ｃｌ溶液で洗浄し、乾
燥、濾過し、溶媒を留去して得られた粗生成物をカラム
クロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：ヘキサン＝１：１）
で精製し、メチル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−｛２−メ
トキシカルボニル−３−アセトキシ−５−［アセトキシ
（メトキシカルボニル）メチリデン］シクロペンチル｝
アセテート［ｍｉｘｔｕｒｅ（５：１）（Ｚ体を主生成
物とする二重結合の立体異性体），３．５７ｇ，９６．
５％］を得た。
【００４９】黄色油状；1Ｈ−ＮＭＲ ＊（ＣＤＣｌ3，３
００ＭＨｚ）δ：２．０７（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），２．
２４（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），２．５７−２．７１（ｍ，
２Ｈ），３．０１−３．０９（ｍ，２Ｈ），３．４３−
３．５５（ｍ，２Ｈ），３．６９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭ
ｅ），３．７１（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７７
（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），５．４０（ｄｔ，Ｊ＝６．
３，５．０Ｈｚ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：２９５
５，１７３８ｃｍ-1 ＊1Ｈ−ＮＭＲは、主生成物について解析を行った。
００ＭＨｚ）δ：２．０７（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），２．
２４（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），２．５７−２．７１（ｍ，
２Ｈ），３．０１−３．０９（ｍ，２Ｈ），３．４３−
３．５５（ｍ，２Ｈ），３．６９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭ
ｅ），３．７１（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７７
（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），５．４０（ｄｔ，Ｊ＝６．
３，５．０Ｈｚ，１Ｈ）；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：２９５
５，１７３８ｃｍ-1 ＊1Ｈ−ＮＭＲは、主生成物について解析を行った。
【００５０】実施例４ （２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メトキシカルボニルメチ
ル）−３−（メトキシカルボニル）−４−アセトキシシ
クロペンタン−１−オン（４）：実施例３で得られたメ
チル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−｛２−メトキシカルボ
ニル−３−アセトキシ−５−［アセトキシ（メトキシカ
ルボニル）メチリデン］シクロペンチル｝アセテート
（３．５７ｇ，９．２３ｍｍｏｌ）のＭｅＯＨ（１００
ｍｌ）溶液に−７８℃にてＯ3ガスを通した。反応液が
青色になったのを確認した後、さらに１時間Ｏ3ガスを
通し、Ｎ2ガスを通してＯ3ガスを追いだし、反応液を室
温まで昇温、Ｍｅ2Ｓ（２．８７ｇ，４６．１ｍｍｏ
ｌ）を加えて２４時間攪拌した。ＭｅＯＨを留去した残
渣をＥｔ2Ｏ（２５０ｍｌ）で希釈、有機層を水（５ｍ
ｌ×５）で洗浄し、乾燥、濾過後、溶媒を留去して（２
Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メトキシカルボニルメチル）
−３−（メトキシカルボニル）−４−アセトキシシクロ
ペンタン−１−オン粗生成物（淡黄色油状）を得る。
ル）−３−（メトキシカルボニル）−４−アセトキシシ
クロペンタン−１−オン（４）：実施例３で得られたメ
チル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−｛２−メトキシカルボ
ニル−３−アセトキシ−５−［アセトキシ（メトキシカ
ルボニル）メチリデン］シクロペンチル｝アセテート
（３．５７ｇ，９．２３ｍｍｏｌ）のＭｅＯＨ（１００
ｍｌ）溶液に−７８℃にてＯ3ガスを通した。反応液が
青色になったのを確認した後、さらに１時間Ｏ3ガスを
通し、Ｎ2ガスを通してＯ3ガスを追いだし、反応液を室
温まで昇温、Ｍｅ2Ｓ（２．８７ｇ，４６．１ｍｍｏ
ｌ）を加えて２４時間攪拌した。ＭｅＯＨを留去した残
渣をＥｔ2Ｏ（２５０ｍｌ）で希釈、有機層を水（５ｍ
ｌ×５）で洗浄し、乾燥、濾過後、溶媒を留去して（２
Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メトキシカルボニルメチル）
−３−（メトキシカルボニル）−４−アセトキシシクロ
ペンタン−１−オン粗生成物（淡黄色油状）を得る。
【００５１】淡黄色油状；；1Ｈ−ＮＭＲ （ＣＤＣｌ3，
３００ＭＨｚ）δ：２．０９（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），
２．４８（ｄｄ，Ｊ＝１８．８，８．７Ｈｚ，１Ｈ），
２．６９−２．９６（ｍ，３Ｈ），３．０２（ｄｄｄ，
Ｊ＝１８．７，８．１，０．８Ｈｚ，１Ｈ），３．２３
（ｄｄ．Ｊ＝１１．０，８．５Ｈｚ，１Ｈ），３．６９
（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７６（ｓ，３Ｈ，ＣＯ
ＯＭｅ），５．４７（ｑ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ
４），；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：；ＭＳ ｍ／ｚ ２７２
（Ｍ+）
３００ＭＨｚ）δ：２．０９（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），
２．４８（ｄｄ，Ｊ＝１８．８，８．７Ｈｚ，１Ｈ），
２．６９−２．９６（ｍ，３Ｈ），３．０２（ｄｄｄ，
Ｊ＝１８．７，８．１，０．８Ｈｚ，１Ｈ），３．２３
（ｄｄ．Ｊ＝１１．０，８．５Ｈｚ，１Ｈ），３．６９
（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７６（ｓ，３Ｈ，ＣＯ
ＯＭｅ），５．４７（ｑ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ
４），；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：；ＭＳ ｍ／ｚ ２７２
（Ｍ+）
【００５２】実施例５ （１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メトキシカルボニ
ルメチル）−３−（メトキシカルボニル）−４−アセト
キシシクロペンタノール （５）：Ｎ2気流下、０℃に
て実施例４で得られた（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メ
トキシカルボニルメチル）−３−（メトキシカルボニ
ル）−４−アセトキシシクロペンタン−１−オンの粗生
成物の無水ＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液にＬｉ（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）3ＡＩＨ（３．５２ｇ，１３．８ｍｍｏｌ）を加え
た。同温度にて５分間攪拌した後、反応液に１Ｎ−ＨＣ
ｌ（１０ｍｌ）を加え、溶媒を留去し残渣をＣＨ2Ｃｌ2
で抽出した。抽出液を乾燥、濾過後、溶媒を留去して標
題化合物の粗生成物（白色油状）を得る。また別に、得
られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥ
ｔ：ヘキサン＝１：１）で精製し、各種データを採取し
た。
ルメチル）−３−（メトキシカルボニル）−４−アセト
キシシクロペンタノール （５）：Ｎ2気流下、０℃に
て実施例４で得られた（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メ
トキシカルボニルメチル）−３−（メトキシカルボニ
ル）−４−アセトキシシクロペンタン−１−オンの粗生
成物の無水ＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液にＬｉ（ｔ−Ｂｕ
Ｏ）3ＡＩＨ（３．５２ｇ，１３．８ｍｍｏｌ）を加え
た。同温度にて５分間攪拌した後、反応液に１Ｎ−ＨＣ
ｌ（１０ｍｌ）を加え、溶媒を留去し残渣をＣＨ2Ｃｌ2
で抽出した。抽出液を乾燥、濾過後、溶媒を留去して標
題化合物の粗生成物（白色油状）を得る。また別に、得
られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥ
ｔ：ヘキサン＝１：１）で精製し、各種データを採取し
た。
【００５３】白色粘性油状；； ［α］ D 23−２．０７
（ｃ ０．８０，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
3，３００ＭＨｚ）δ：２．０４（ｓ，３Ｈ，ＯＡ
ｃ），２．１０−２．１６（ｍ，２Ｈ，Ｃ５），２．３
４−２．４５（ｍ，１Ｈ，Ｃ２），２．５７（ｄ ｏｆ
Ａ ｐａｒｔ ｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１６．５，Ｊ＝
８．５Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１’），２．５７（ｔ，Ｊ＝５．
２Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ３），２．７０（ｄ ｏｆ Ｂ ｐａ
ｒｔ ｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１６．５，Ｊ＝５．４Ｈｚ，
１Ｈ，Ｃ１’）３．３６（ｂｒ．ｓ，１Ｈ，ＯＨ），
３．７１（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７３（ｓ，３
Ｈ，ＣＯＯＭｅ），４．１０（ｑ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１
Ｈ，Ｃ１），５．３６（ｑ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ
４）
（ｃ ０．８０，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
3，３００ＭＨｚ）δ：２．０４（ｓ，３Ｈ，ＯＡ
ｃ），２．１０−２．１６（ｍ，２Ｈ，Ｃ５），２．３
４−２．４５（ｍ，１Ｈ，Ｃ２），２．５７（ｄ ｏｆ
Ａ ｐａｒｔ ｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１６．５，Ｊ＝
８．５Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１’），２．５７（ｔ，Ｊ＝５．
２Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ３），２．７０（ｄ ｏｆ Ｂ ｐａ
ｒｔ ｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１６．５，Ｊ＝５．４Ｈｚ，
１Ｈ，Ｃ１’）３．３６（ｂｒ．ｓ，１Ｈ，ＯＨ），
３．７１（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），３．７３（ｓ，３
Ｈ，ＣＯＯＭｅ），４．１０（ｑ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１
Ｈ，Ｃ１），５．３６（ｑ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ
４）
【００５４】実施例６ （１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６
−（メトキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン（７）：実施例５で
得られた（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メトキシ
カルボニルメチル）−３−（メトキシカルボニル）−４
−アセトキシシクロペンタノールのベンゼン（２００ｍ
ｌ）溶液にｐ−ＴｓＯＨ／Ｈ2Ｏ（３５１ｍｇ，１．８
５ｍｍｏｌ）を加え反応液を加熱還流した。２４時間還
流後、反応液を冷却し、飽和食塩水中に注ぎＥｔ2Ｏお
よびＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。抽出液を乾燥、濾過後、溶
媒を留去して得られた粗生成物をカラムクロマトグラフ
ィー（ＡｃＯＥｔ：ヘキサン＝１：２）で精製し、（１
Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６−
（メトキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン（１．２１ｇ，５
４．０％）を得た。
−（メトキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン（７）：実施例５で
得られた（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（メトキシ
カルボニルメチル）−３−（メトキシカルボニル）−４
−アセトキシシクロペンタノールのベンゼン（２００ｍ
ｌ）溶液にｐ−ＴｓＯＨ／Ｈ2Ｏ（３５１ｍｇ，１．８
５ｍｍｏｌ）を加え反応液を加熱還流した。２４時間還
流後、反応液を冷却し、飽和食塩水中に注ぎＥｔ2Ｏお
よびＣＨ2Ｃｌ2で抽出した。抽出液を乾燥、濾過後、溶
媒を留去して得られた粗生成物をカラムクロマトグラフ
ィー（ＡｃＯＥｔ：ヘキサン＝１：２）で精製し、（１
Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６−
（メトキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン（１．２１ｇ，５
４．０％）を得た。
【００５５】無色油状； ［α］ D 25−５９．１９（ｃ
１．３９，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，
３００ＭＨｚ）δ：２．０５（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），
２．３１（ｔ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ８），２．５
４（ｄ ｏｆ Ａ ｐａｒｔｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１８．
４，Ｊ＝２．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ４），２．９４（ｄｏｆ
Ｂ ｐａｒｔ ｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１８．４，Ｊ＝１
０．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ４），２．９６（ｔ，Ｊ＝３．６
Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ６），３．３６（ｄｄｄｄ，Ｊ＝１０．
９，６．８，３．６，２．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ５），３．
７４（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），５．１１（ｄｔ，Ｊ＝
６．８，３．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１），５．４０（ｑ，Ｊ
＝３．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１）；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：２
９５５，１７６８，１７３７ｃｍ-1；ＭＳ（ＦＡＢ）ｍ
／ｚ ２４３｛（Ｍ＋Ｈ）+｝；計算値：Ｃ11Ｈ14Ｏ6：
Ｃ，５４．５４；Ｈ，５．８３，実測値：Ｃ，５４．４
２；Ｈ，５．８４
１．３９，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，
３００ＭＨｚ）δ：２．０５（ｓ，３Ｈ，ＯＡｃ），
２．３１（ｔ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ，Ｃ８），２．５
４（ｄ ｏｆ Ａ ｐａｒｔｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１８．
４，Ｊ＝２．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ４），２．９４（ｄｏｆ
Ｂ ｐａｒｔ ｏｆ ＡＢ，ＪAB＝１８．４，Ｊ＝１
０．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ４），２．９６（ｔ，Ｊ＝３．６
Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ６），３．３６（ｄｄｄｄ，Ｊ＝１０．
９，６．８，３．６，２．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ５），３．
７４（ｓ，３Ｈ，ＣＯＯＭｅ），５．１１（ｄｔ，Ｊ＝
６．８，３．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１），５．４０（ｑ，Ｊ
＝３．６Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１）；ＩＲ（ＣＨＣｌ3）：２
９５５，１７６８，１７３７ｃｍ-1；ＭＳ（ＦＡＢ）ｍ
／ｚ ２４３｛（Ｍ＋Ｈ）+｝；計算値：Ｃ11Ｈ14Ｏ6：
Ｃ，５４．５４；Ｈ，５．８３，実測値：Ｃ，５４．４
２；Ｈ，５．８４
【００５６】実験例２ （１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６
−カルボキシ−７−アセトキシビシクロ［３．３．０］
オクタン−３−オン：Ｎ2気流下、０℃にてＡｌＢｒ
3（７．０２ｇ，２６．３ｍｍｏｌ）のＭｅ2Ｓ溶液（３
０ｍｌ）に実施例６で得られた（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７
Ｒ）−（−）−２−オキサ−６−（メトキシカルボニ
ル）−７−アセトキシビシクロ［３．３．０］オクタン
−３−オンのＭｅ2Ｓ（１０ｍｌ）溶液を加えた。同温
度にて１時間攪拌し、反応液を飽和食塩水中に注ぎ２Ｎ
−ＨＣｌを加えてｐＨ＝１．０を確認した後、塩析を行
いながらＡｃＯＥｔで抽出した。抽出液を乾燥、濾過
後、溶媒を留去して得られた残渣をＡｃＯＥｔで洗浄し
て（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−
６−カルボキシ−７−アセトキシビシクロ［３．３．
０］オクタン−３−オン（７０２ｍｇ，７０．１％）を
得た。
−カルボキシ−７−アセトキシビシクロ［３．３．０］
オクタン−３−オン：Ｎ2気流下、０℃にてＡｌＢｒ
3（７．０２ｇ，２６．３ｍｍｏｌ）のＭｅ2Ｓ溶液（３
０ｍｌ）に実施例６で得られた（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７
Ｒ）−（−）−２−オキサ−６−（メトキシカルボニ
ル）−７−アセトキシビシクロ［３．３．０］オクタン
−３−オンのＭｅ2Ｓ（１０ｍｌ）溶液を加えた。同温
度にて１時間攪拌し、反応液を飽和食塩水中に注ぎ２Ｎ
−ＨＣｌを加えてｐＨ＝１．０を確認した後、塩析を行
いながらＡｃＯＥｔで抽出した。抽出液を乾燥、濾過
後、溶媒を留去して得られた残渣をＡｃＯＥｔで洗浄し
て（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−
６−カルボキシ−７−アセトキシビシクロ［３．３．
０］オクタン−３−オン（７０２ｍｇ，７０．１％）を
得た。
【００５７】無色結晶 ｍｐ ２０５〜２０８℃；
［α］ D 25−８３．６１（ｃ ０．７１，ピリジ
ン）； ＭＳ（ＦＡＢ）ｍ／ｚ ２２９｛（Ｍ＋
Ｈ）+｝；計算値：Ｃ10Ｈ12Ｏ6：Ｃ，５２．６３；Ｈ，
５．３０，実測値：Ｃ，５２．００；Ｈ ，５．３３
［α］ D 25−８３．６１（ｃ ０．７１，ピリジ
ン）； ＭＳ（ＦＡＢ）ｍ／ｚ ２２９｛（Ｍ＋
Ｈ）+｝；計算値：Ｃ10Ｈ12Ｏ6：Ｃ，５２．６３；Ｈ，
５．３０，実測値：Ｃ，５２．００；Ｈ ，５．３３
【００５８】実験例３（コーリーラクトン製法） （１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−２−オキサ−６−（ヒド
ロキシメチル）−７−アセトキシビシクロ［３．３．
０］オクタン−３−オン：Ｎ2気流下、０℃にて実験例
２で得られた（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２
−オキサ−６−カルボキシ−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン（５００ｍｇ，２．
１９ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液にＢＨ3
−Ｍｅ2Ｓの無水 ＴＨＦ（２．０Ｍ）溶液（１．３１
ｍｌ，２．６３ｍｍｏｌ）を滴下した。同温度で１２時
間攪拌した後、さらにＢＨ3−Ｍｅ2Ｓの無水ＴＨＦ溶液
（２１９μｌ，４３８μｍｏｌ）を滴下した。さらに３
時間攪拌した後、Ｈ2Ｏ（５ｍｌ）を加え、反応液を飽
和食塩水中に注ぎ、塩析を行いながらＡｃＯＥｔで抽出
した。抽出液を乾燥、濾過後、溶媒を留去して得られた
残渣をカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：ヘキサ
ン＝３：１）で精製して（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−
２−オキサ−６−（ヒドロキシメチル）−７−アセトキ
シビシクロ［３．３．０］オクタン−３−オン（３８４
ｍｇ，８１．９％）を得た。
ロキシメチル）−７−アセトキシビシクロ［３．３．
０］オクタン−３−オン：Ｎ2気流下、０℃にて実験例
２で得られた（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２
−オキサ−６−カルボキシ−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン（５００ｍｇ，２．
１９ｍｍｏｌ）の無水ＴＨＦ（３０ｍｌ）溶液にＢＨ3
−Ｍｅ2Ｓの無水 ＴＨＦ（２．０Ｍ）溶液（１．３１
ｍｌ，２．６３ｍｍｏｌ）を滴下した。同温度で１２時
間攪拌した後、さらにＢＨ3−Ｍｅ2Ｓの無水ＴＨＦ溶液
（２１９μｌ，４３８μｍｏｌ）を滴下した。さらに３
時間攪拌した後、Ｈ2Ｏ（５ｍｌ）を加え、反応液を飽
和食塩水中に注ぎ、塩析を行いながらＡｃＯＥｔで抽出
した。抽出液を乾燥、濾過後、溶媒を留去して得られた
残渣をカラムクロマトグラフィー（ＡｃＯＥｔ：ヘキサ
ン＝３：１）で精製して（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−
２−オキサ−６−（ヒドロキシメチル）−７−アセトキ
シビシクロ［３．３．０］オクタン−３−オン（３８４
ｍｇ，８１．９％）を得た。
【００５９】； ［α］ D 25−３８．５５；1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ）δ：２．０６（ｓ，３
Ｈ，ＯＡｃ），２．０７−２．１４（ｍ，１Ｈ），２．
１８−２．２７（ｍ，１Ｈ），２．３５−２．５６
（ｍ，３Ｈ），２．８０−２．９３（ｍ，２Ｈ），３．
５５−３．６８（ｍ，２Ｈ），５．００（ｄｔ，Ｊ＝
６．３，１．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１），５．１０（ｄｔ，
Ｊ＝６．４，４．４Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ７）
Ｒ（ＣＤＣｌ3，３００ＭＨｚ）δ：２．０６（ｓ，３
Ｈ，ＯＡｃ），２．０７−２．１４（ｍ，１Ｈ），２．
１８−２．２７（ｍ，１Ｈ），２．３５−２．５６
（ｍ，３Ｈ），２．８０−２．９３（ｍ，２Ｈ），３．
５５−３．６８（ｍ，２Ｈ），５．００（ｄｔ，Ｊ＝
６．３，１．９Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ１），５．１０（ｄｔ，
Ｊ＝６．４，４．４Ｈｚ，１Ｈ，Ｃ７）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/757 9546−4Ｈ Ｃ０７Ｃ 69/757 Ｃ
Claims (12)
- 【請求項１】 一般式（５） 【化１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表される（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキ
シカルボニルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）
−４−アセトキシシクロペンタノール誘導体から縮合剤
を用いて一般式（７） 【化２】 （式中、Ｒ1は炭素原子数１〜６の低級アルキル基を示
す）で表される（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−
２−オキサ−６−（アルコキシカルボニル）−７−アセ
トキシビシクロ［３．３．０］オクタン−３−オン誘導
体を製造する方法。 - 【請求項２】 一般式（５）で表わされる（１Ｒ，２
Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカルボニルメチ
ル）−３−（アルコキシカルボニル）−４−アセトキシ
シクロペンタノール誘導体が、一般式（６）で表される
化合物 【化３】 をアルキル化し一般式（１）で表される化合物 【化４】 とし、これを酸化により一般式（２）で表される化合物 【化５】 にし、つぎにアセチル化反応により一般式（３）で表さ
れる化合物 【化６】 にし、これを酸化により一般式（４）で表される化合物 【化７】 にし、そして一般式（４）で表される化合物を還元して
得られたものであることを特徴とする請求項１に記載の
（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−（−）−２−オキサ−６
−（アルコキシカルボニル）−７−アセトキシビシクロ
［３．３．０］オクタン−３−オン誘導体を製造する方
法。 - 【請求項３】一般式（５） 【化８】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表される（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキ
シカルボニルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）
−４−アセトキシシクロペンタノール誘導体。 - 【請求項４】 一般式（４） 【化９】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1 ，Ｒ2は同一でも異なっていてもよい）の
（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカルボニルメ
チル）−３−（アルコキシカルボニル）−４−アセトキ
シシクロペンタン−１−オン誘導体を還元し、一般式
（５） 【化１０】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表される（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキ
シカルボニルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）
−４−アセトキシシクロペンタノール誘導体を製造する
方法。 - 【請求項５】 一般式（４） 【化１１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表される（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカル
ボニルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）−４−
アセトキシシクロペンタン−１−オン誘導体。 - 【請求項６】 一般式（３） 【化１２】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）の
アルキル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−（アルコキ
シカルボニル）−３−アセトキシ−５−（アセトキシア
ルコキシカルボニルメチリデン）シクロペンチル］アセ
テート誘導体を酸化し、一般式（４） 【化１３】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表される（２Ｒ，３Ｒ，４Ｒ）−２−（アルコキシカル
ボニルメチル）−３−（アルコキシカルボニル）−４−
アセトキシシクロペンタン−１−オン誘導体を製造する
方法。 - 【請求項７】 一般式（３） 【化１４】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表されるアルキル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−
（アルコキシカルボニル）−３−アセトキシ−５−（ア
セトキシアルコキシカルボニルメチリデン）シクロペン
チル］アセテート誘導体。 - 【請求項８】 一般式（２） 【化１５】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は低級アルキル基を示し、Ｒ1及びＲ2
は同一でも異なっていてもよい）のアルキル（１Ｓ，２
Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−［２−（アルコキシカルボニ
ル）−３−ヒドロキシ−５−アルコサリルシクロペンチ
ル］アセテート誘導体をアセチル化する事を特徴とする
一般式（３） 【化１６】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表されるアルキル（１Ｒ，２Ｒ，３Ｒ）−２−［２−
（アルコキシカルボニル）−３−アセトキシ−５−（ア
セトキシアルコキシカルボニルメチリデン）シクロペン
チル］アセテート誘導体を製造する方法。 - 【請求項９】 一般式（２） 【化１７】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表されるアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−
［２−（アルコキシカルボニル）−３−ヒドロキシ−５
−アルコサリルシクロペンチル］アセテート誘導体。 - 【請求項１０】 一般式（１） 【化１８】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）の
ジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキ
シ−７−アルコキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６
−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体を酸化し、
一般式（２） 【化１９】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表されるアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−２−
［２−（アルコキシカルボニル）−３−ヒドロキシ−５
−アルコサリルシクロペンチル］アセテート誘導体を製
造する方法。 - 【請求項１１】 一般式（１） 【化２０】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−
ヒドロキシ−７−アルコキシビシクロ［３．３．０］オ
クタ−６−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体。 - 【請求項１２】 一般式（６） 【化２１】 （式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）で
表されるジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３，
７−ジヒドロキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６−
エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体をアルキル化
させることを特徴とする一般式（１） 【化２２】 （式中、Ｒ1，Ｒ2は炭素原子数１〜６の低級アルキル基
を示し、Ｒ1及びＲ2は同一でも異なっていてもよい）の
ジアルキル（１Ｓ，２Ｒ，３Ｒ，５Ｓ）−３−ヒドロキ
シ−７−アルコキシビシクロ［３．３．０］オクタ−６
−エン−２，６−ジカルボキシレート誘導体を製造する
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21652395A JPH0948773A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | プロスタグランジンの中間体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21652395A JPH0948773A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | プロスタグランジンの中間体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0948773A true JPH0948773A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16689771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21652395A Pending JPH0948773A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | プロスタグランジンの中間体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0948773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103160289A (zh) * | 2009-12-30 | 2013-06-19 | 福州华映视讯有限公司 | 用于光学补偿弯曲模式液晶显示器的液晶组成物 |
| CN103160286B (zh) * | 2009-12-30 | 2014-09-17 | 福州华映视讯有限公司 | 用于光学补偿弯曲模式液晶显示器的液晶组成物 |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP21652395A patent/JPH0948773A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103160289A (zh) * | 2009-12-30 | 2013-06-19 | 福州华映视讯有限公司 | 用于光学补偿弯曲模式液晶显示器的液晶组成物 |
| CN103160286B (zh) * | 2009-12-30 | 2014-09-17 | 福州华映视讯有限公司 | 用于光学补偿弯曲模式液晶显示器的液晶组成物 |
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