JPH0944841A - 磁気記録媒体、及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体、及びその製造方法Info
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- JPH0944841A JPH0944841A JP18757095A JP18757095A JPH0944841A JP H0944841 A JPH0944841 A JP H0944841A JP 18757095 A JP18757095 A JP 18757095A JP 18757095 A JP18757095 A JP 18757095A JP H0944841 A JPH0944841 A JP H0944841A
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- magnetic
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 走行性に優れた磁気記録媒体を提供すること
である。 【解決手段】 支持体と、この支持体の一面側に設けら
れた磁性層と、この磁性層上に設けられた保護層と、こ
の保護層上に設けられた潤滑剤層と、前記支持体の他面
側に設けられた金属薄膜型のバックコート層と、このバ
ックコート層の表面を疎水性に改質する改質剤と、疎水
性に改質されたバックコート層上に設けられた潤滑剤層
とを具備する磁気記録媒体。
である。 【解決手段】 支持体と、この支持体の一面側に設けら
れた磁性層と、この磁性層上に設けられた保護層と、こ
の保護層上に設けられた潤滑剤層と、前記支持体の他面
側に設けられた金属薄膜型のバックコート層と、このバ
ックコート層の表面を疎水性に改質する改質剤と、疎水
性に改質されたバックコート層上に設けられた潤滑剤層
とを具備する磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体には、非磁性支持体であるフィルム上に磁性粉や
バインダを溶剤中に分散させた磁性塗料を塗布してなる
塗布型のものと、バインダを用いず、金属磁性粒子をフ
ィルム上に堆積させてなる金属薄膜型のものとがある。
録媒体には、非磁性支持体であるフィルム上に磁性粉や
バインダを溶剤中に分散させた磁性塗料を塗布してなる
塗布型のものと、バインダを用いず、金属磁性粒子をフ
ィルム上に堆積させてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層（磁性膜）にバインダを含まないことから、
磁性材料の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。特に、ハイビジョン方式やデジタル記録方式の出
現した今日にあっては、高密度記録の観点から、金属薄
膜型の磁気記録媒体に対する要請が高まる一方である。
このような金属薄膜型の磁気記録媒体は、磁性膜の表面
が平滑なことや磁性膜中に潤滑剤を含まないこと等か
ら、磁性膜上に保護層（保護膜）が設けられている。例
えば、金属磁性膜上にダイヤモンドライクカーボン等の
カーボン膜を設けることが提案されている。
は、磁性層（磁性膜）にバインダを含まないことから、
磁性材料の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。特に、ハイビジョン方式やデジタル記録方式の出
現した今日にあっては、高密度記録の観点から、金属薄
膜型の磁気記録媒体に対する要請が高まる一方である。
このような金属薄膜型の磁気記録媒体は、磁性膜の表面
が平滑なことや磁性膜中に潤滑剤を含まないこと等か
ら、磁性膜上に保護層（保護膜）が設けられている。例
えば、金属磁性膜上にダイヤモンドライクカーボン等の
カーボン膜を設けることが提案されている。
【０００４】ところで、金属薄膜型の磁気記録媒体にあ
ってもバックコート層が設けられていることは塗布型の
磁気記録媒体の場合と同様である。但し、塗布型の磁気
記録媒体の場合におけるバックコート層はカーボンブラ
ック含有塗料を塗布して構成されたものに過ぎなかった
が、金属薄膜型の磁気記録媒体の場合におけるバックコ
ート層は、カーボンブラック含有塗料を塗布して構成さ
れる他、金属磁性膜の場合と同様にバインダ樹脂を含ま
ない金属薄膜により構成される場合がある。
ってもバックコート層が設けられていることは塗布型の
磁気記録媒体の場合と同様である。但し、塗布型の磁気
記録媒体の場合におけるバックコート層はカーボンブラ
ック含有塗料を塗布して構成されたものに過ぎなかった
が、金属薄膜型の磁気記録媒体の場合におけるバックコ
ート層は、カーボンブラック含有塗料を塗布して構成さ
れる他、金属磁性膜の場合と同様にバインダ樹脂を含ま
ない金属薄膜により構成される場合がある。
【０００５】バックコート層を金属薄膜型のタイプのも
のとした場合にあっても、磁性膜上の保護層（ダイヤモ
ンドライクカーボン膜）や金属薄膜型のバックコート層
上に、走行性の観点から、潤滑剤を設けることが考えら
れる。しかし、単に、潤滑剤を塗布したのみでは、不充
分なことが判って来た。すなわち、潤滑剤を設けたベー
スが一方ではダイヤモンドライクカーボンであるのに対
して、他方では金属であり、両者の性質が大幅に異なる
ことから、各々の面にある潤滑剤量に変動が起き、初期
の状態が維持されておらず、走行性が低下することが判
った。つまり、磁気テープは、通常、巻回状態にあり、
この為、保護層（ダイヤモンドライクカーボン膜）と金
属薄膜型のバックコート層とは重なった（接触した）状
態にある。従って、保護層（ダイヤモンドライクカーボ
ン膜）上に設けられた潤滑剤と金属薄膜型のバックコー
ト層上に設けられた潤滑剤とは接触状態にあり、磁気テ
ープの巻解時にあっては剥がされるようになり、潤滑剤
の吸着力の相違から一方には潤滑剤が多量に付き、他方
では潤滑剤が少なくなり、この為に走行性が低下すると
考えられた。
のとした場合にあっても、磁性膜上の保護層（ダイヤモ
ンドライクカーボン膜）や金属薄膜型のバックコート層
上に、走行性の観点から、潤滑剤を設けることが考えら
れる。しかし、単に、潤滑剤を塗布したのみでは、不充
分なことが判って来た。すなわち、潤滑剤を設けたベー
スが一方ではダイヤモンドライクカーボンであるのに対
して、他方では金属であり、両者の性質が大幅に異なる
ことから、各々の面にある潤滑剤量に変動が起き、初期
の状態が維持されておらず、走行性が低下することが判
った。つまり、磁気テープは、通常、巻回状態にあり、
この為、保護層（ダイヤモンドライクカーボン膜）と金
属薄膜型のバックコート層とは重なった（接触した）状
態にある。従って、保護層（ダイヤモンドライクカーボ
ン膜）上に設けられた潤滑剤と金属薄膜型のバックコー
ト層上に設けられた潤滑剤とは接触状態にあり、磁気テ
ープの巻解時にあっては剥がされるようになり、潤滑剤
の吸着力の相違から一方には潤滑剤が多量に付き、他方
では潤滑剤が少なくなり、この為に走行性が低下すると
考えられた。
【０００６】そこで、各々の面に適した潤滑剤を各々塗
布することを考えたが、磁気テープが巻回状態にある
と、この時、潤滑剤の混和が起こり、良好な走行性が維
持できなくなると思われた。更なる検討を鋭意押し進め
て行った結果、金属薄膜型のバックコート層の表面特性
を保護層の表面特性に近づけておけば良いとの結論に到
達した。それでは、如何なる表面特性に改質すれば良い
かの問題に入って行った。この問題に対する検討が鋭意
押し進められて行った結果、金属薄膜型のバックコート
層を疎水性にしておけば良いとの啓示を得るに至った。
布することを考えたが、磁気テープが巻回状態にある
と、この時、潤滑剤の混和が起こり、良好な走行性が維
持できなくなると思われた。更なる検討を鋭意押し進め
て行った結果、金属薄膜型のバックコート層の表面特性
を保護層の表面特性に近づけておけば良いとの結論に到
達した。それでは、如何なる表面特性に改質すれば良い
かの問題に入って行った。この問題に対する検討が鋭意
押し進められて行った結果、金属薄膜型のバックコート
層を疎水性にしておけば良いとの啓示を得るに至った。
【０００７】このような知見に基づいて本発明が達成さ
れたものであり、本発明は走行性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
れたものであり、本発明は走行性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、支
持体と、この支持体の一面側に設けられた磁性層と、こ
の磁性層上に設けられた保護層と、この保護層上に設け
られた潤滑剤層と、前記支持体の他面側に設けられた金
属薄膜型のバックコート層と、このバックコート層の表
面を疎水性に改質する改質剤と、疎水性に改質されたバ
ックコート層上に設けられた潤滑剤層とを具備すること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
持体と、この支持体の一面側に設けられた磁性層と、こ
の磁性層上に設けられた保護層と、この保護層上に設け
られた潤滑剤層と、前記支持体の他面側に設けられた金
属薄膜型のバックコート層と、このバックコート層の表
面を疎水性に改質する改質剤と、疎水性に改質されたバ
ックコート層上に設けられた潤滑剤層とを具備すること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００９】又、支持体の一面側に磁性層を設ける磁性
層形成工程と、磁性層形成工程で設けられた磁性層上に
保護層を設ける保護層形成工程と、支持体の他面側に金
属薄膜型のバックコート層を設けるバックコート層形成
工程と、バックコート層形成工程で設けられたバックコ
ート層の表面を疎水性に改質する改質工程と、保護層形
成工程で設けられた保護層、及び改質工程で疎水性に改
質されたバックコート層の表面に潤滑剤を設ける潤滑剤
層形成工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法によって達成される。
層形成工程と、磁性層形成工程で設けられた磁性層上に
保護層を設ける保護層形成工程と、支持体の他面側に金
属薄膜型のバックコート層を設けるバックコート層形成
工程と、バックコート層形成工程で設けられたバックコ
ート層の表面を疎水性に改質する改質工程と、保護層形
成工程で設けられた保護層、及び改質工程で疎水性に改
質されたバックコート層の表面に潤滑剤を設ける潤滑剤
層形成工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法によって達成される。
【００１０】尚、上記本発明において、保護層としては
各種のものが考えられるが、カーボン膜、特にダイヤモ
ンドライクカーボン膜であることが好ましい。又、塗布
型の磁性層を排除するものではないが、本発明にあって
は、磁性層は金属薄膜型の磁性膜であることが好まし
い。改質剤としては低分子で疎水性の液体が用いられ、
又、潤滑剤としては疎水基を有する含フッ素系の潤滑剤
が用いられる。尚、言うまでもないが、これ以外のもの
であっても良い。
各種のものが考えられるが、カーボン膜、特にダイヤモ
ンドライクカーボン膜であることが好ましい。又、塗布
型の磁性層を排除するものではないが、本発明にあって
は、磁性層は金属薄膜型の磁性膜であることが好まし
い。改質剤としては低分子で疎水性の液体が用いられ、
又、潤滑剤としては疎水基を有する含フッ素系の潤滑剤
が用いられる。尚、言うまでもないが、これ以外のもの
であっても良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明は、支持体と、この支持体
の一面側に設けられた磁性層と、この磁性層上に設けら
れた保護層と、この保護層上に設けられた潤滑剤層と、
前記支持体の他面側に設けられた金属薄膜型のバックコ
ート層と、このバックコート層の表面を疎水性に改質す
る改質剤と、疎水性に改質されたバックコート層上に設
けられた潤滑剤層とを具備するものである。
の一面側に設けられた磁性層と、この磁性層上に設けら
れた保護層と、この保護層上に設けられた潤滑剤層と、
前記支持体の他面側に設けられた金属薄膜型のバックコ
ート層と、このバックコート層の表面を疎水性に改質す
る改質剤と、疎水性に改質されたバックコート層上に設
けられた潤滑剤層とを具備するものである。
【００１２】又、支持体の一面側に磁性層を設ける磁性
層形成工程と、磁性層形成工程で設けられた磁性層上に
保護層を設ける保護層形成工程と、支持体の他面側に金
属薄膜型のバックコート層を設けるバックコート層形成
工程と、バックコート層形成工程で設けられたバックコ
ート層の表面を疎水性に改質する改質工程と、保護層形
成工程で設けられた保護層、及び改質工程で疎水性に改
質されたバックコート層の表面に潤滑剤を設ける潤滑剤
層形成工程とを具備するものである。
層形成工程と、磁性層形成工程で設けられた磁性層上に
保護層を設ける保護層形成工程と、支持体の他面側に金
属薄膜型のバックコート層を設けるバックコート層形成
工程と、バックコート層形成工程で設けられたバックコ
ート層の表面を疎水性に改質する改質工程と、保護層形
成工程で設けられた保護層、及び改質工程で疎水性に改
質されたバックコート層の表面に潤滑剤を設ける潤滑剤
層形成工程とを具備するものである。
【００１３】尚、保護層はカーボン膜、特にダイヤモン
ドライクカーボン膜である。又、磁性層は金属薄膜型の
磁性膜である。改質剤としては低分子で疎水性の液体が
用いられ、又、潤滑剤としては疎水基を有する含フッ素
系の潤滑剤が用いられる。本発明の磁気記録媒体におけ
る支持体は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも
良いが、一般的には非磁性のものが用いられる。例え
ば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂等の高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料が用いられる。
ドライクカーボン膜である。又、磁性層は金属薄膜型の
磁性膜である。改質剤としては低分子で疎水性の液体が
用いられ、又、潤滑剤としては疎水基を有する含フッ素
系の潤滑剤が用いられる。本発明の磁気記録媒体におけ
る支持体は、磁性を有するものでも、非磁性のものでも
良いが、一般的には非磁性のものが用いられる。例え
ば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化
ビニル系の樹脂等の高分子材料、ガラスやセラミック等
の無機系材料が用いられる。
【００１４】支持体の一面（表面）に磁性層、特に金属
薄膜型の磁性膜が一層以上（一層であっても、二層以上
の多層型のものでも良い）設けられる。尚、この金属薄
膜型の磁性膜は、その厚さが１０００〜２５００Å、よ
り好ましくは１５００〜２０００Å程度である。すなわ
ち、例えば無電解メッキ等の湿式メッキ手段、蒸着法、
直流スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、
直流マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパ
ッタ法、イオンビームスパッタ法などの乾式メッキ手段
により金属薄膜型の磁性膜が設けられる。特に、斜め蒸
着法などの乾式メッキ手段により形成される。尚、この
金属薄膜型の磁性層を構成する材料としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、
Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用
いられる。
薄膜型の磁性膜が一層以上（一層であっても、二層以上
の多層型のものでも良い）設けられる。尚、この金属薄
膜型の磁性膜は、その厚さが１０００〜２５００Å、よ
り好ましくは１５００〜２０００Å程度である。すなわ
ち、例えば無電解メッキ等の湿式メッキ手段、蒸着法、
直流スパッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、
直流マグネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパ
ッタ法、イオンビームスパッタ法などの乾式メッキ手段
により金属薄膜型の磁性膜が設けられる。特に、斜め蒸
着法などの乾式メッキ手段により形成される。尚、この
金属薄膜型の磁性層を構成する材料としては、例えばＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、
Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、
あるいはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用
いられる。
【００１５】尚、斜め蒸着法などによって金属系磁性膜
を設ける際に、酸化性ガス（例えば、酸素、オゾン、こ
れらの混合ガス等）や酸素イオンあるいは酸素ラディカ
ルを供給し、金属系磁性膜の表層部分が酸化されるよう
にしても良い。あるいは、反応性に富む窒素化合物、窒
素イオンや窒素ラディカルを供給し、金属系磁性膜の表
層部分が窒化されるようにしても良い。若しくは、反応
性に富む炭素化合物、炭素イオンや炭素ラディカルを供
給し、金属系磁性膜の表層部分が炭化されるようにして
も良い。従って、このような酸化膜、窒化膜あるいは炭
化膜を保護膜と考えても良いが、後述する通り、格別な
保護膜が設けられることが好ましい。
を設ける際に、酸化性ガス（例えば、酸素、オゾン、こ
れらの混合ガス等）や酸素イオンあるいは酸素ラディカ
ルを供給し、金属系磁性膜の表層部分が酸化されるよう
にしても良い。あるいは、反応性に富む窒素化合物、窒
素イオンや窒素ラディカルを供給し、金属系磁性膜の表
層部分が窒化されるようにしても良い。若しくは、反応
性に富む炭素化合物、炭素イオンや炭素ラディカルを供
給し、金属系磁性膜の表層部分が炭化されるようにして
も良い。従って、このような酸化膜、窒化膜あるいは炭
化膜を保護膜と考えても良いが、後述する通り、格別な
保護膜が設けられることが好ましい。
【００１６】支持体の他面（裏面）には、バックコート
層、特に金属薄膜型のバックコート膜（金属系膜）が設
けられる。すなわち、例えば無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着法、直流スパッタ法、交流スパッタ法、高
周波スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波
マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など
の乾式メッキ手段により金属系膜が設けられる。尚、こ
のバックコート膜は、その厚さが１０００〜３０００
Å、より好ましくは１５００〜２５００Å程度である。
バックコート膜を構成する金属粒子の材料としては、例
えばＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｔｉなどの
金属が用いられる。又、Ｃｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中から選ばれる一つ、若しくは二
つ以上）系合金、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｔｉ合金等が用い
られる。尚、Ｃｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，
Ｎｉの群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系
合金におけるＣｕ含有量は７０〜９０ａｔ％、Ａｌ含有
量は８〜２５ａｔ％、Ｍｎ含有量が０．５〜４ａｔ％
で、Ｆｅ含有量が０．４〜５ａｔ％で、Ｎｉ含有量が
０．４〜４ａｔ％であり、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの総含有量
が１〜６ａｔ％であることが好ましい。又、Ａｌ−Ｓｉ
系合金におけるＡｌ含有量は１５〜７０ａｔ％、Ｓｉ含
有量が１５〜７０ａｔ％であることが好ましい。
層、特に金属薄膜型のバックコート膜（金属系膜）が設
けられる。すなわち、例えば無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着法、直流スパッタ法、交流スパッタ法、高
周波スパッタ法、直流マグネトロンスパッタ法、高周波
マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など
の乾式メッキ手段により金属系膜が設けられる。尚、こ
のバックコート膜は、その厚さが１０００〜３０００
Å、より好ましくは１５００〜２５００Å程度である。
バックコート膜を構成する金属粒子の材料としては、例
えばＡｌ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｆｅ，Ｔｉなどの
金属が用いられる。又、Ｃｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭ
ｎ，Ｆｅ，Ｎｉの群の中から選ばれる一つ、若しくは二
つ以上）系合金、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｔｉ合金等が用い
られる。尚、Ｃｕ−Ａｌ−Ｘ（但し、ＸはＭｎ，Ｆｅ，
Ｎｉの群の中から選ばれる一つ、若しくは二つ以上）系
合金におけるＣｕ含有量は７０〜９０ａｔ％、Ａｌ含有
量は８〜２５ａｔ％、Ｍｎ含有量が０．５〜４ａｔ％
で、Ｆｅ含有量が０．４〜５ａｔ％で、Ｎｉ含有量が
０．４〜４ａｔ％であり、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉの総含有量
が１〜６ａｔ％であることが好ましい。又、Ａｌ−Ｓｉ
系合金におけるＡｌ含有量は１５〜７０ａｔ％、Ｓｉ含
有量が１５〜７０ａｔ％であることが好ましい。
【００１７】又、バックコート膜の成膜時に、酸化性ガ
スや酸素イオンあるいは酸素ラディカルを供給し、金属
系膜の表層部分が酸化されるようにしても良い。あるい
は、反応性に富む窒素化合物、窒素イオンや窒素ラディ
カルを供給し、金属系膜の表層部分が窒化されるように
しても良い。若しくは、反応性に富む炭素化合物、炭素
イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系膜の表層部分
が炭化されるようにしても良い。尚、反応性に富む炭素
化合物、炭素イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系
膜の表層部分を炭化することは、後述の保護層（カーボ
ン膜）に似通って来るから好ましい。
スや酸素イオンあるいは酸素ラディカルを供給し、金属
系膜の表層部分が酸化されるようにしても良い。あるい
は、反応性に富む窒素化合物、窒素イオンや窒素ラディ
カルを供給し、金属系膜の表層部分が窒化されるように
しても良い。若しくは、反応性に富む炭素化合物、炭素
イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系膜の表層部分
が炭化されるようにしても良い。尚、反応性に富む炭素
化合物、炭素イオンや炭素ラディカルを供給し、金属系
膜の表層部分を炭化することは、後述の保護層（カーボ
ン膜）に似通って来るから好ましい。
【００１８】上記金属薄膜型の磁性膜や金属薄膜型のバ
ックコート膜は、磁性膜を成膜した後、バックコート膜
を成膜しても良い。逆に、バックコート膜を成膜した
後、磁性膜を成膜しても良い。あるいは、ほぼ同一の工
程で成膜されても良い。尚、工程的には、磁性膜の上に
保護膜が設けられるから、バックコート膜を成膜した
後、磁性膜を成膜するようにすることが好ましい。
ックコート膜は、磁性膜を成膜した後、バックコート膜
を成膜しても良い。逆に、バックコート膜を成膜した
後、磁性膜を成膜しても良い。あるいは、ほぼ同一の工
程で成膜されても良い。尚、工程的には、磁性膜の上に
保護膜が設けられるから、バックコート膜を成膜した
後、磁性膜を成膜するようにすることが好ましい。
【００１９】上記磁性膜の表面には保護膜が設けられ
る。この保護膜を構成する材料としては、硬度が高い無
機材料が用いられる。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒
化物、炭化物などが挙げられる。更に、カーボンあるい
はボロンナイトライド等も用いることが出来る。中で
も、ダイヤモンドライクカーボンは好ましい。このダイ
ヤモンドライクカーボン等からなる保護膜は、その厚さ
が１０〜１０００Å程度である。特に、３０〜２００Å
程度が好ましい。
る。この保護膜を構成する材料としては、硬度が高い無
機材料が用いられる。例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ等の金属の酸化物、窒
化物、炭化物などが挙げられる。更に、カーボンあるい
はボロンナイトライド等も用いることが出来る。中で
も、ダイヤモンドライクカーボンは好ましい。このダイ
ヤモンドライクカーボン等からなる保護膜は、その厚さ
が１０〜１０００Å程度である。特に、３０〜２００Å
程度が好ましい。
【００２０】ダイヤモンドライクカーボン等よりなる保
護膜は、例えばＣＶＤ手段を用いて成膜される。すなわ
ち、真空槽内に配設された供給側ロールから冷却キャン
ロールを経て巻取側ロールに走行している支持体（金属
系磁性膜）に対してＣＶＤ装置を作動させ、冷却キャン
ロールに添接されている金属系磁性膜に対して炭化水素
系ガスのプラズマを吹き付けると、表面にダイヤモンド
ライクカーボン膜が成膜される。
護膜は、例えばＣＶＤ手段を用いて成膜される。すなわ
ち、真空槽内に配設された供給側ロールから冷却キャン
ロールを経て巻取側ロールに走行している支持体（金属
系磁性膜）に対してＣＶＤ装置を作動させ、冷却キャン
ロールに添接されている金属系磁性膜に対して炭化水素
系ガスのプラズマを吹き付けると、表面にダイヤモンド
ライクカーボン膜が成膜される。
【００２１】カーボン膜、特にダイヤモンドライクカー
ボン膜を形成する為の炭化水素系ガスとしては、メタン
等のパラフィン系炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水
素、あるいはこれらの同族体や誘導体のようなＮを環構
成要素として含む窒素含有環状炭化水素を挙げることが
出来る。又、Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｎ2 ，ＮＨ3 ，ＮＯ2 ，ＮＯ
等も炭化水素系のガスと併用出来る。
ボン膜を形成する為の炭化水素系ガスとしては、メタン
等のパラフィン系炭化水素、ベンゼン等の芳香族炭化水
素、あるいはこれらの同族体や誘導体のようなＮを環構
成要素として含む窒素含有環状炭化水素を挙げることが
出来る。又、Ｈ2 ，Ｏ2 ，Ｎ2 ，ＮＨ3 ，ＮＯ2 ，ＮＯ
等も炭化水素系のガスと併用出来る。
【００２２】バックコート膜が金属系材料でなるのに対
して保護膜は無機系材料でなる。この為、保護膜が疎水
性であるのに対して、バックコート膜は親水性である。
従って、バックコート膜を疎水性に改質する。この目的
を達成する為、疎水性改質剤が用いられる。例えば、ア
ルキル基などの脂肪族炭化水素や芳香族炭化水素のよう
に、常温で液体（低分子）であり、疎水性を示す化合物
が用いられる。具体的には、トルエン、キシレン、ベン
ゼン、メチルエチルケトン等の有機溶媒が挙げられる。
このような疎水性改質剤をバックコート膜の表面に湿式
塗布あるいは超音波噴霧などの手段により塗布し、加熱
・乾燥させる。これによって、疎水性改質剤がバックコ
ート膜表面に強く付く。
して保護膜は無機系材料でなる。この為、保護膜が疎水
性であるのに対して、バックコート膜は親水性である。
従って、バックコート膜を疎水性に改質する。この目的
を達成する為、疎水性改質剤が用いられる。例えば、ア
ルキル基などの脂肪族炭化水素や芳香族炭化水素のよう
に、常温で液体（低分子）であり、疎水性を示す化合物
が用いられる。具体的には、トルエン、キシレン、ベン
ゼン、メチルエチルケトン等の有機溶媒が挙げられる。
このような疎水性改質剤をバックコート膜の表面に湿式
塗布あるいは超音波噴霧などの手段により塗布し、加熱
・乾燥させる。これによって、疎水性改質剤がバックコ
ート膜表面に強く付く。
【００２３】保護膜（カーボン膜）−磁性膜−支持体−
疎水性改質バックコート膜の積層体の表面上に潤滑剤が
設けられる。潤滑剤は、これを含む溶液を塗布すること
によって構成される。潤滑剤層の厚さは１０〜２００Å
であることが好ましい。特に、好ましいのは１５〜５０
Åである。用いられる潤滑剤はパーフロオロポリエーテ
ル、例えばＲ−ＣＦ2 −（ＯＣ2 Ｆ4 ）p −（ＯＣ
Ｆ2 ）q −ＯＣＦ2 −Ｒ，φ−ＣＦ2 −（ＯＣ2 Ｆ4 ）
p −（ＯＣＦ2 ）q −ＯＣＦ2 −Ｒ，Ｆ−（Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）Ｆ−ＣＦ2 Ｏ）l −ＣＦ（ＣＦ3 ）Ｒ，Ｆ−（Ｃ
（ＣＦ3 ）Ｆ−ＣＦ2 Ｏ）l −ＣＦ（ＣＦ3 ）φ〔ｎ，
ｌ，ｐ，ｑは１〜５０の自然数で、平均分子量は５００
〜２００００、ＲはＣn Ｈ2n+1などの脂肪族炭化水素
基、φはフェニル基などの芳香族炭化水素基）等が挙げ
られる。
疎水性改質バックコート膜の積層体の表面上に潤滑剤が
設けられる。潤滑剤は、これを含む溶液を塗布すること
によって構成される。潤滑剤層の厚さは１０〜２００Å
であることが好ましい。特に、好ましいのは１５〜５０
Åである。用いられる潤滑剤はパーフロオロポリエーテ
ル、例えばＲ−ＣＦ2 −（ＯＣ2 Ｆ4 ）p −（ＯＣ
Ｆ2 ）q −ＯＣＦ2 −Ｒ，φ−ＣＦ2 −（ＯＣ2 Ｆ4 ）
p −（ＯＣＦ2 ）q −ＯＣＦ2 −Ｒ，Ｆ−（Ｃ（Ｃ
Ｆ3 ）Ｆ−ＣＦ2 Ｏ）l −ＣＦ（ＣＦ3 ）Ｒ，Ｆ−（Ｃ
（ＣＦ3 ）Ｆ−ＣＦ2 Ｏ）l −ＣＦ（ＣＦ3 ）φ〔ｎ，
ｌ，ｐ，ｑは１〜５０の自然数で、平均分子量は５００
〜２００００、ＲはＣn Ｈ2n+1などの脂肪族炭化水素
基、φはフェニル基などの芳香族炭化水素基）等が挙げ
られる。
【００２４】
【実施例１】図１は、本発明に係る磁気記録媒体の概略
図である。同図中、１は７μｍ厚のＰＥＴフィルム、２
はＰＥＴフィルム１の表面に設けられたＣｏ系磁性合金
からなる１８００Å厚さの金属系磁性膜、３は金属系磁
性膜２上に設けられた７５Å厚さのダイヤモンドライク
カーボン膜、４はＰＥＴフィルム１の裏面に設けられた
Ｃｕ−Ａｌ系合金からなる２０００Å厚さの金属系膜
（バックコート膜）である。
図である。同図中、１は７μｍ厚のＰＥＴフィルム、２
はＰＥＴフィルム１の表面に設けられたＣｏ系磁性合金
からなる１８００Å厚さの金属系磁性膜、３は金属系磁
性膜２上に設けられた７５Å厚さのダイヤモンドライク
カーボン膜、４はＰＥＴフィルム１の裏面に設けられた
Ｃｕ−Ａｌ系合金からなる２０００Å厚さの金属系膜
（バックコート膜）である。
【００２５】尚、このような金属薄膜型の磁気記録媒体
は、先ず、ＰＥＴフィルム１を蒸着装置に装填し、装置
内のルツボに充填されたＣｕ−Ａｌ系合金に電子ビーム
を照射し、酸素ガスを導入しながらＰＥＴフィルム１の
裏面にＣｕ−Ａｌ系合金粒子を蒸着させた後、斜め蒸着
装置に案内し、装置内のルツボに充填されたＣｏ系磁性
合金に電子ビームを照射し、酸素ガスを導入しながらＰ
ＥＴフィルム１の表面にＣｏ系磁性合金粒子を蒸着させ
る。その後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に案内し、金属
系磁性膜２上にダイヤモンドライクカーボン膜３を設け
る。
は、先ず、ＰＥＴフィルム１を蒸着装置に装填し、装置
内のルツボに充填されたＣｕ−Ａｌ系合金に電子ビーム
を照射し、酸素ガスを導入しながらＰＥＴフィルム１の
裏面にＣｕ−Ａｌ系合金粒子を蒸着させた後、斜め蒸着
装置に案内し、装置内のルツボに充填されたＣｏ系磁性
合金に電子ビームを照射し、酸素ガスを導入しながらＰ
ＥＴフィルム１の表面にＣｏ系磁性合金粒子を蒸着させ
る。その後、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に案内し、金属
系磁性膜２上にダイヤモンドライクカーボン膜３を設け
る。
【００２６】５は、バックコート膜４、金属系磁性膜
２、ダイヤモンドライクカーボン膜３の成膜後、バック
コート膜４の表面に超音波噴霧によりメチルエチルケト
ンを吹き付け、加熱・乾燥することにより付着させられ
た疎水性改質剤層である。６ａ，６ｂは、疎水性改質剤
層５が設けられた後、塗布手段により設けられた２０Å
厚さの潤滑剤（フォンブリンＡＭ２００１（モンテカチ
ーニ社製））層である。
２、ダイヤモンドライクカーボン膜３の成膜後、バック
コート膜４の表面に超音波噴霧によりメチルエチルケト
ンを吹き付け、加熱・乾燥することにより付着させられ
た疎水性改質剤層である。６ａ，６ｂは、疎水性改質剤
層５が設けられた後、塗布手段により設けられた２０Å
厚さの潤滑剤（フォンブリンＡＭ２００１（モンテカチ
ーニ社製））層である。
【００２７】
【実施例２】実施例１において、メチルエチルケトンの
代わりにベンゼンを用いた以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
代わりにベンゼンを用いた以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
【００２８】
【実施例３】実施例１において、メチルエチルケトンの
代わりにトルエンを用いた以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
代わりにトルエンを用いた以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
【００２９】
【実施例４】実施例１において、メチルエチルケトンの
代わりにキシレンを用いた以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
代わりにキシレンを用いた以外は実施例１に準じて行
い、磁気テープを得た。
【００３０】
【比較例１】実施例１において、疎水性改質剤層５を設
けなかった以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
けなかった以外は実施例１に準じて行い、磁気テープを
得た。
【００３１】
【特性】上記各例で得た磁気テープを８ｍｍ幅にスリッ
トし、カセットに装填してＨｉ８ｍｍＶＴＲ用テーブカ
セットを得た。そして、各々について、ジッター及びス
チル耐久性を調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ ジッター（ｎｓ） スチル耐久性（ｄＢ） ７ＭＨｚ ３ＭＨｚ 実施例１ ４８ ０．３ ０．２ 実施例２ ４９ ０．４ ０．２ 実施例３ ４９ ０．３ ０．３ 実施例４ ４７ ０．５ ０．２ 比較例１ ６１ １．８ ０．９ ジッター：市販のジッターメータを用いて１００％ｗｈｉｔｅの信号で測定 スチル耐久性：市販のＨｉ８ｍｍＶＴＲを改造し、１０時間のスチル再生を 行い、７ＭＨｚ及び３ＭＨｚでの出力低下を測定 これによれば、本発明の磁気テープは繰り返し使用され
てもダメージを受け難く、耐久性に富むものであり、記
録再生特性に優れていることが判る。
トし、カセットに装填してＨｉ８ｍｍＶＴＲ用テーブカ
セットを得た。そして、各々について、ジッター及びス
チル耐久性を調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ ジッター（ｎｓ） スチル耐久性（ｄＢ） ７ＭＨｚ ３ＭＨｚ 実施例１ ４８ ０．３ ０．２ 実施例２ ４９ ０．４ ０．２ 実施例３ ４９ ０．３ ０．３ 実施例４ ４７ ０．５ ０．２ 比較例１ ６１ １．８ ０．９ ジッター：市販のジッターメータを用いて１００％ｗｈｉｔｅの信号で測定 スチル耐久性：市販のＨｉ８ｍｍＶＴＲを改造し、１０時間のスチル再生を 行い、７ＭＨｚ及び３ＭＨｚでの出力低下を測定 これによれば、本発明の磁気テープは繰り返し使用され
てもダメージを受け難く、耐久性に富むものであり、記
録再生特性に優れていることが判る。
【００３２】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、走行性が良
く、耐久性に優れたものである。
く、耐久性に優れたものである。
【図１】本発明になる磁気記録媒体の概略図
１ ＰＥＴフィルム（支持体） ２ 金属系磁性膜（磁性層） ３ ダイヤモンドライクカーボン膜（保護層） ４ 金属系膜（バックコート層） ５ 疎水性改質剤層 ６ａ，６ｂ 潤滑剤層
Claims (7)
- 【請求項１】 支持体と、この支持体の一面側に設けら
れた磁性層と、この磁性層上に設けられた保護層と、こ
の保護層上に設けられた潤滑剤層と、前記支持体の他面
側に設けられた金属薄膜型のバックコート層と、このバ
ックコート層の表面を疎水性に改質する改質剤と、疎水
性に改質されたバックコート層上に設けられた潤滑剤層
とを具備することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 保護層がカーボン膜であることを特徴と
する請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 保護層がダイヤモンドライクカーボン膜
であることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記
録媒体。 - 【請求項４】 磁性層が金属薄膜型の磁性膜であること
を特徴とする請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 改質剤が低分子で疎水性の液体であるこ
とを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 潤滑剤が疎水基を有する含フッ素系の潤
滑剤であることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 支持体の一面側に磁性層を設ける磁性層
形成工程と、 磁性層形成工程で設けられた磁性層上に保護層を設ける
保護層形成工程と、 支持体の他面側に金属薄膜型のバックコート層を設ける
バックコート層形成工程と、 バックコート層形成工程で設けられたバックコート層の
表面を疎水性に改質する改質工程と、 保護層形成工程で設けられた保護層、及び改質工程で疎
水性に改質されたバックコート層の表面に潤滑剤を設け
る潤滑剤層形成工程とを具備することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18757095A JPH0944841A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18757095A JPH0944841A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944841A true JPH0944841A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16208416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18757095A Pending JPH0944841A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944841A (ja) |
-
1995
- 1995-07-24 JP JP18757095A patent/JPH0944841A/ja active Pending
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