JPH0936038A - 投影露光装置、これに使用される透過率調節フィルター及びその製造方法 - Google Patents
投影露光装置、これに使用される透過率調節フィルター及びその製造方法Info
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- JPH0936038A JPH0936038A JP8155608A JP15560896A JPH0936038A JP H0936038 A JPH0936038 A JP H0936038A JP 8155608 A JP8155608 A JP 8155608A JP 15560896 A JP15560896 A JP 15560896A JP H0936038 A JPH0936038 A JP H0936038A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 投影露光装置とこれに使用される透過率調節
フィルター及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は光源、バンドパスフィルター、
フライアイレンズ、アパーチュアー、半反射ミラー、中
間レンズ、マスクブラインド、コンデンサーレンズ及び
投影レンズを有する投影露光装置において、前記投影露
光装置は透過率調節機能を行う透過率調節フィルターが
さらに具備されたことを特徴とする投影露光装置を提供
する。本発明による投影露光装置は光強度の高い特定部
分の光強度を低くして全体的に均一の光強度を有するこ
とになる。従って、半導体装置をその設計により製造す
るにおいて、露光工程の影響に因するパターンの不均一
現象を減らしうる。
フィルター及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は光源、バンドパスフィルター、
フライアイレンズ、アパーチュアー、半反射ミラー、中
間レンズ、マスクブラインド、コンデンサーレンズ及び
投影レンズを有する投影露光装置において、前記投影露
光装置は透過率調節機能を行う透過率調節フィルターが
さらに具備されたことを特徴とする投影露光装置を提供
する。本発明による投影露光装置は光強度の高い特定部
分の光強度を低くして全体的に均一の光強度を有するこ
とになる。従って、半導体装置をその設計により製造す
るにおいて、露光工程の影響に因するパターンの不均一
現象を減らしうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は投影露光装置、これ
に使用される透過率調節フィルター及びその製造方法に
係り、特に透過率を部分的に調節しうる透過率調節フィ
ルターを装着して光強度を均一にしうる投影露光装置と
これに使用される透過率調節フィルター及びその製造方
法に関する。
に使用される透過率調節フィルター及びその製造方法に
係り、特に透過率を部分的に調節しうる透過率調節フィ
ルターを装着して光強度を均一にしうる投影露光装置と
これに使用される透過率調節フィルター及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体装置はその幾何学的な
構造が投影露光方法として具現される。この幾何学的な
構造において、同じ機能をする素子のパターンは全て同
じ形と同じ大きさを有することが一般的である。即ち、
同じ線幅及び厚さを有するように設計されている。従っ
て、様々の工程を経って具現された半導体装置のパター
ンは設計通りの線幅及び厚さを有するべきである。しか
し、半導体装置の製造工程では様々の原因に因してパタ
ーン等が設計通りの線幅及び厚さを有しにくい。その理
由はパターン等が数百の工程を経ながら物理的、化学的
に均一な工程の影響が受けられないことにある。その中
で特に投影露光工程において、その照射される光が均一
でないためパターンの線幅及び厚さの不均一現象が発生
する。ここで、通常の投影露光装置を使用した時ウェー
ハ上での光強度の分布を説明する。
構造が投影露光方法として具現される。この幾何学的な
構造において、同じ機能をする素子のパターンは全て同
じ形と同じ大きさを有することが一般的である。即ち、
同じ線幅及び厚さを有するように設計されている。従っ
て、様々の工程を経って具現された半導体装置のパター
ンは設計通りの線幅及び厚さを有するべきである。しか
し、半導体装置の製造工程では様々の原因に因してパタ
ーン等が設計通りの線幅及び厚さを有しにくい。その理
由はパターン等が数百の工程を経ながら物理的、化学的
に均一な工程の影響が受けられないことにある。その中
で特に投影露光工程において、その照射される光が均一
でないためパターンの線幅及び厚さの不均一現象が発生
する。ここで、通常の投影露光装置を使用した時ウェー
ハ上での光強度の分布を説明する。
【０００３】図１は一般的な投影露光装置を示した概略
図である。具体的に、通常の投影露光装置は光を発生す
る光源１０と、前記光源から発生した光の方向を変える
第１全反射ミラー１２と、前記第１全反射ミラー１２か
ら反射されて来る光を特定波長帯に選択的に透過させる
バンドパスフィルター１４と、前記バンドパスフィルタ
ー１４を透過して来た光を均一な強度を有するように調
整するフライアイレンズ１６と、前記フライアイレンズ
１６を透過した光を一定の形で透過させるアパーチュア
ー１８と、前記アパーチュアー１８を透過した光を半反
射及び半透過させる半反射ミラー２０と、前記半反射ミ
ラー２０から反射されて来た光量をモニターする光量セ
ンサー２２と、前記半反射ミラーを透過した光を伝達す
る第１中間レンズ２４と、前記第１中間レンズ２４を透
過した光を露光面積の大きさで調節するマスクブライン
ド２６と、前記マスクブラインド２６を透過した光を伝
達する第２中間レンズ２８と、前記第２中間レンズ２８
を透過した光の方向を変える第２全反射ミラー３０と、
前記第２全反射ミラー３０から反射されて来る光をフォ
トマスクに転写するコンデンサーレンズ３２と、前記コ
ンデンサーレンズを透過した光をパターンの形の通りに
透過させるフォトマスク３４と、前記フォトマスクを透
過した光の倍率を調整して窮極的に半導体基板に露光す
る投影レンズ３６と、前記投影レンズ３６から出る光を
受取ってパターンが形成されるウェーハ３８で構成され
ている。
図である。具体的に、通常の投影露光装置は光を発生す
る光源１０と、前記光源から発生した光の方向を変える
第１全反射ミラー１２と、前記第１全反射ミラー１２か
ら反射されて来る光を特定波長帯に選択的に透過させる
バンドパスフィルター１４と、前記バンドパスフィルタ
ー１４を透過して来た光を均一な強度を有するように調
整するフライアイレンズ１６と、前記フライアイレンズ
１６を透過した光を一定の形で透過させるアパーチュア
ー１８と、前記アパーチュアー１８を透過した光を半反
射及び半透過させる半反射ミラー２０と、前記半反射ミ
ラー２０から反射されて来た光量をモニターする光量セ
ンサー２２と、前記半反射ミラーを透過した光を伝達す
る第１中間レンズ２４と、前記第１中間レンズ２４を透
過した光を露光面積の大きさで調節するマスクブライン
ド２６と、前記マスクブラインド２６を透過した光を伝
達する第２中間レンズ２８と、前記第２中間レンズ２８
を透過した光の方向を変える第２全反射ミラー３０と、
前記第２全反射ミラー３０から反射されて来る光をフォ
トマスクに転写するコンデンサーレンズ３２と、前記コ
ンデンサーレンズを透過した光をパターンの形の通りに
透過させるフォトマスク３４と、前記フォトマスクを透
過した光の倍率を調整して窮極的に半導体基板に露光す
る投影レンズ３６と、前記投影レンズ３６から出る光を
受取ってパターンが形成されるウェーハ３８で構成され
ている。
【０００４】図２乃至図４は従来の投影露光装置を利用
して露光した時ウェーハ上の光強度の分布を示した図面
である。
して露光した時ウェーハ上の光強度の分布を示した図面
である。
【０００５】具体的に、図２は部材符号Ａで示したよう
にウェーハの周辺部に比べて中央部の光強度が高く投影
露光された状態を示し、図３は部材符号Ｂで示したよう
にウェーハの周辺部に比べて中央部の光強度が低く投影
露光された状態を示し、図４は部材符号Ｃで示したよう
に周辺の特定部分が高い光強度で投影露光された状態を
示す。
にウェーハの周辺部に比べて中央部の光強度が高く投影
露光された状態を示し、図３は部材符号Ｂで示したよう
にウェーハの周辺部に比べて中央部の光強度が低く投影
露光された状態を示し、図４は部材符号Ｃで示したよう
に周辺の特定部分が高い光強度で投影露光された状態を
示す。
【０００６】前述したように、従来の投影露光装置は前
記バンドパスフィルター乃至投影レンズに達するまで光
の透過率を選択的に調節して透過させうる機能を有する
部分がないため図２乃至図４に示したように光の不均一
な光強度によりウェーハが影響を受けてそのパターンが
不均一になる現象を補正できない。このような現象は結
局半導体装置でパターンの線幅及び厚さの不均一現象を
起こす。
記バンドパスフィルター乃至投影レンズに達するまで光
の透過率を選択的に調節して透過させうる機能を有する
部分がないため図２乃至図４に示したように光の不均一
な光強度によりウェーハが影響を受けてそのパターンが
不均一になる現象を補正できない。このような現象は結
局半導体装置でパターンの線幅及び厚さの不均一現象を
起こす。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は前記従来の投影露光装置の問題点を解決するために投
影される光強度を均一にしうる投影露光装置を提供する
ことにある。
は前記従来の投影露光装置の問題点を解決するために投
影される光強度を均一にしうる投影露光装置を提供する
ことにある。
【０００８】本発明の他の目的は前記投影露光装置に使
用される透過率調節フィルターを提供することにある。
用される透過率調節フィルターを提供することにある。
【０００９】本発明のまた他の目的は前記透過率調節フ
ィルターの製造方法を提供することにある。
ィルターの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、光源、バンドパスフィルター、フライアイ
レンズ、アパーチュアー、半反射ミラー、中間レンズ、
マスクブラインド、コンデンサーレンズ及び投影レンズ
を有する投影露光装置において、前記投影露光装置は透
過率調節機能を行う透過率調節フィルターが具備された
ことを特徴とする投影露光装置を提供する。
に本発明は、光源、バンドパスフィルター、フライアイ
レンズ、アパーチュアー、半反射ミラー、中間レンズ、
マスクブラインド、コンデンサーレンズ及び投影レンズ
を有する投影露光装置において、前記投影露光装置は透
過率調節機能を行う透過率調節フィルターが具備された
ことを特徴とする投影露光装置を提供する。
【００１１】前記透過率調節フィルターは前記バンドパ
スフィルターの一部に透過率を低める透過率調節膜を形
成して構成し、前記透過率調節フィルターは前記半反射
ミラーの一部に透過率を低める透過率調節膜を形成して
構成することもできる。前記透過率調節フィルターは前
記アパーチュアーまたはマスクブラインドに透過率調節
機能を有する透過率調節マスクをさらに設けて構成しう
る。
スフィルターの一部に透過率を低める透過率調節膜を形
成して構成し、前記透過率調節フィルターは前記半反射
ミラーの一部に透過率を低める透過率調節膜を形成して
構成することもできる。前記透過率調節フィルターは前
記アパーチュアーまたはマスクブラインドに透過率調節
機能を有する透過率調節マスクをさらに設けて構成しう
る。
【００１２】また、本発明は光源、バンドパスフィルタ
ー、フライアイレンズ、アパーチュアー、半反射ミラ
ー、中間レンズ、マスクブラインド、コンデンサーレン
ズ及び投影レンズを有する投影露光装置において、前記
バンドパスフィルターまたは半反射ミラーは透過率調節
機能を行う透過率調節フィルターがさらに具備されたこ
とを特徴とする投影露光装置を提供する。
ー、フライアイレンズ、アパーチュアー、半反射ミラ
ー、中間レンズ、マスクブラインド、コンデンサーレン
ズ及び投影レンズを有する投影露光装置において、前記
バンドパスフィルターまたは半反射ミラーは透過率調節
機能を行う透過率調節フィルターがさらに具備されたこ
とを特徴とする投影露光装置を提供する。
【００１３】前記他の目的を達成するために、本発明は
透過率を調節しうる投影露光装置に使用される透過率調
節フィルターにおいて、前記透過率調節フィルターは基
板と、前記基板の一部に形成された透過率調節膜で構成
されていることを特徴とする透過率調節フィルターを提
供する。
透過率を調節しうる投影露光装置に使用される透過率調
節フィルターにおいて、前記透過率調節フィルターは基
板と、前記基板の一部に形成された透過率調節膜で構成
されていることを特徴とする透過率調節フィルターを提
供する。
【００１４】前記透過率調節膜はクロム膜またはアルミ
ニウム膜で構成し、前記基板は透明ガラスで構成する。
ニウム膜で構成し、前記基板は透明ガラスで構成する。
【００１５】前記また他の目的を達成するために、本発
明は透過率を調節しうる投影露光装置に使用される透過
率調節フィルターにおいて、前記透過率調節フィルター
の製造方法は基板上に感光膜を形成する段階と、前記感
光膜を露光して現像し、基板を露出する感光膜パターン
を形成する段階と、前記感光膜パターンが形成された基
板の全面に透過率調節膜を形成する段階と、前記感光膜
パターン上に形成された透過率調節膜及び前記感光膜パ
ターンを除去して基板上に透過率調節膜パターンを形成
する段階を含むことを特徴とする透過率調節フィルター
の製造方法を提供する。
明は透過率を調節しうる投影露光装置に使用される透過
率調節フィルターにおいて、前記透過率調節フィルター
の製造方法は基板上に感光膜を形成する段階と、前記感
光膜を露光して現像し、基板を露出する感光膜パターン
を形成する段階と、前記感光膜パターンが形成された基
板の全面に透過率調節膜を形成する段階と、前記感光膜
パターン上に形成された透過率調節膜及び前記感光膜パ
ターンを除去して基板上に透過率調節膜パターンを形成
する段階を含むことを特徴とする透過率調節フィルター
の製造方法を提供する。
【００１６】前記基板は透明ガラスで構成し、前記透過
率調節膜はクロム膜またはアルミニウム膜で構成する。
前記感光膜パターン上に形成された透過率調節膜はリフ
トーオフ工程を利用して除去する。
率調節膜はクロム膜またはアルミニウム膜で構成する。
前記感光膜パターン上に形成された透過率調節膜はリフ
トーオフ工程を利用して除去する。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、本発明の投影露光装置に使
用される透過率調節フィルターを説明する。図５乃至図
６は本発明による透過率調節フィルターを示した図面で
ある。
用される透過率調節フィルターを説明する。図５乃至図
６は本発明による透過率調節フィルターを示した図面で
ある。
【００１８】具体的に、図５に示した透過率調節フィル
ターは２つの透過率の差を調節するように第１の透過率
を有する領域Ｄと、第２の透過率を有する領域Ｅで構成
されている。また、図６に示した透過率調節フィルター
は３つの透過率の差を調節するように第１の透過率を有
する領域Ｄと、第２の透過率を有する領域Ｅ、第３の透
過率を有する領域Ｆで構成されている。
ターは２つの透過率の差を調節するように第１の透過率
を有する領域Ｄと、第２の透過率を有する領域Ｅで構成
されている。また、図６に示した透過率調節フィルター
は３つの透過率の差を調節するように第１の透過率を有
する領域Ｄと、第２の透過率を有する領域Ｅ、第３の透
過率を有する領域Ｆで構成されている。
【００１９】本発明は前記図５及び図６に示したように
透過率調節機能を行う透過率調節フィルターを図１の前
記バンドパスフィルター、アパーチュアー、半反射ミラ
ーまたはマスクブラインドに付加して光強度を調節しう
る。また、前記図１のバンドパスフィルター１４または
半反射ミラー２０に透過率調節膜を形成して透過率調節
機能を有する透過率調節フィルターの役割を行ったり、
アパーチュアー１８またはマスクブラインド２６に透過
率調節機能を有する透過率調節マスクを装着して光強度
を調節しうる。
透過率調節機能を行う透過率調節フィルターを図１の前
記バンドパスフィルター、アパーチュアー、半反射ミラ
ーまたはマスクブラインドに付加して光強度を調節しう
る。また、前記図１のバンドパスフィルター１４または
半反射ミラー２０に透過率調節膜を形成して透過率調節
機能を有する透過率調節フィルターの役割を行ったり、
アパーチュアー１８またはマスクブラインド２６に透過
率調節機能を有する透過率調節マスクを装着して光強度
を調節しうる。
【００２０】図７は本発明の投影露光装置を利用して露
光した時ウェーハ上の光強度の分布を示した図面であ
る。具体的に、何れか１つの部分の光強度が強かったり
弱かったりすることなく均等な分布を示すので露光工程
での光強度に因したパターンの不均一現象を抑制しう
る。
光した時ウェーハ上の光強度の分布を示した図面であ
る。具体的に、何れか１つの部分の光強度が強かったり
弱かったりすることなく均等な分布を示すので露光工程
での光強度に因したパターンの不均一現象を抑制しう
る。
【００２１】次いで、本発明による透過率調節フィルタ
ーを製造する方法を説明する。
ーを製造する方法を説明する。
【００２２】図８乃至図１１は本発明による透過率調節
フィルターの製造方法を順次的に示した図面である。
フィルターの製造方法を順次的に示した図面である。
【００２３】図８は基板５０上に感光膜５５を形成する
段階を示す。具体的に、基板５０上に感光膜５５を形成
する。前記基板５０は透明な基板（ガラス基板）または
図１に示したバンドパスフィルター、半反射ミラーを使
用しうる。本実施例ではガラス基板を利用する。
段階を示す。具体的に、基板５０上に感光膜５５を形成
する。前記基板５０は透明な基板（ガラス基板）または
図１に示したバンドパスフィルター、半反射ミラーを使
用しうる。本実施例ではガラス基板を利用する。
【００２４】図９は前記感光膜５５を選択的に露光して
現像する段階を示す。具体的に、前記感光膜５５を選択
的に露光して現像し、感光膜パターン５５ａを形成す
る。この際、露光用の光は紫外線やレーザー光線または
電子ビームを利用して後続工程で透過率調節膜が形成さ
れる部分のみ選択的に露光する。
現像する段階を示す。具体的に、前記感光膜５５を選択
的に露光して現像し、感光膜パターン５５ａを形成す
る。この際、露光用の光は紫外線やレーザー光線または
電子ビームを利用して後続工程で透過率調節膜が形成さ
れる部分のみ選択的に露光する。
【００２５】図１０は透過率調節膜６０を形成する段階
を示す。具体的に、前記感光膜パターン５５ａが形成さ
れた基板５０の全面に透過率を減らしうる物質、即ち透
過率調節膜６０を化学的または物理的方法で形成する。
前記透過率を減らしうる物質でクロムやアルミニウム等
をスパッタリング方法として形成することが望ましい。
この際、透過率調節膜６０の透過率は膜厚により調節さ
れる。
を示す。具体的に、前記感光膜パターン５５ａが形成さ
れた基板５０の全面に透過率を減らしうる物質、即ち透
過率調節膜６０を化学的または物理的方法で形成する。
前記透過率を減らしうる物質でクロムやアルミニウム等
をスパッタリング方法として形成することが望ましい。
この際、透過率調節膜６０の透過率は膜厚により調節さ
れる。
【００２６】図１１は本発明による透過率調節フィルタ
ーを完成する段階を示す。具体的に、前記感光膜パター
ン５５ａ及び前記感光膜パターン５５ａ上に形成された
透過率調節膜６０をリフトーオフ方法を利用して除去
し、基板５０上に透過率調節膜パターン６０ａを形成し
て透過率調節フィルターを完成する。
ーを完成する段階を示す。具体的に、前記感光膜パター
ン５５ａ及び前記感光膜パターン５５ａ上に形成された
透過率調節膜６０をリフトーオフ方法を利用して除去
し、基板５０上に透過率調節膜パターン６０ａを形成し
て透過率調節フィルターを完成する。
【００２７】本発明で、図６に示したように３つ以上の
透過率の差が要求される透過率調節フィルターの場合、
前記図８乃至図１１の段階を繰返して光の透過率をもう
一段階低くすべきの部分に透過率調節膜をもう一層形成
したり厚く形成して具現しうる。また、本発明による透
過率調節フィルターはバンドパスフィルター、半反射ミ
ラーまたは透明なガラスを基板として使用することによ
り透過率調節フィルター多数の形態で具現しうる。
透過率の差が要求される透過率調節フィルターの場合、
前記図８乃至図１１の段階を繰返して光の透過率をもう
一段階低くすべきの部分に透過率調節膜をもう一層形成
したり厚く形成して具現しうる。また、本発明による透
過率調節フィルターはバンドパスフィルター、半反射ミ
ラーまたは透明なガラスを基板として使用することによ
り透過率調節フィルター多数の形態で具現しうる。
【００２８】なお、本発明は前記実施例に限定されな
く、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野で通常
の知識を有する者により可能であることは明白である。
く、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野で通常
の知識を有する者により可能であることは明白である。
【００２９】
【発明の効果】本発明による投影露光装置は光強度の高
い特定部分の光強度を低めて全体的に均一の光強度を有
することになる。従って、半導体装置をその設計構造に
より製造するにおいて、露光工程の影響に因するパター
ンの不均一現象を減らしうる。
い特定部分の光強度を低めて全体的に均一の光強度を有
することになる。従って、半導体装置をその設計構造に
より製造するにおいて、露光工程の影響に因するパター
ンの不均一現象を減らしうる。
【図１】 一般的な投影露光装置を示した概略図であ
る。
る。
【図２】 従来の投影露光装置を利用して露光した時ウ
ェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
ェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
【図３】 従来の投影露光装置を利用して露光した時ウ
ェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
ェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
【図４】 従来の投影露光装置を利用して露光した時ウ
ェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
ェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
【図５】 本発明による透過率調節フィルターを示した
図面である。
図面である。
【図６】 本発明による透過率調節フィルターを示した
図面である。
図面である。
【図７】 本発明の投影露光装置を利用して露光した時
ウェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
ウェーハ上の光強度の分布を示した図面である。
【図８】 本発明による透過率調節フィルターの製造方
法を順次的に示した図面である。
法を順次的に示した図面である。
【図９】 本発明による透過率調節フィルターの製造方
法を順次的に示した図面である。
法を順次的に示した図面である。
【図１０】 本発明による透過率調節フィルターの製造
方法を順次的に示した図面である。
方法を順次的に示した図面である。
【図１１】 本発明による透過率調節フィルターの製造
方法を順次的に示した図面である。
方法を順次的に示した図面である。
１０…光源、 １２…第１全反射ミラー、１４…
バンドパスフィルター、１６…フライアイレンズ、１８
…アパーチュアー、２０…半反射ミラー、２２…光量セ
ンサー、２４…第１中間レンズ、２６…マスクブライン
ド、２８…第２中間レンズ、３０…第２全反射ミラー、
３２…コンデンサーレンズ、３４…フォトマスク、３６
…投影レンズ、３８…ウェーハ、５０…基板、
５５…感光膜、６０…透過率調整膜。
バンドパスフィルター、１６…フライアイレンズ、１８
…アパーチュアー、２０…半反射ミラー、２２…光量セ
ンサー、２４…第１中間レンズ、２６…マスクブライン
ド、２８…第２中間レンズ、３０…第２全反射ミラー、
３２…コンデンサーレンズ、３４…フォトマスク、３６
…投影レンズ、３８…ウェーハ、５０…基板、
５５…感光膜、６０…透過率調整膜。
Claims (12)
- 【請求項１】 光源、バンドパスフィルター、フライア
イレンズ、アパーチュアー、半反射ミラー、中間レン
ズ、マスクブラインド、コンデンサーレンズ及び投影レ
ンズを有する投影露光装置において、 前記投影露光装置は透過率調節機能を行う透過率調節フ
ィルターがさらに具備されたことを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項２】 前記透過率調節フィルターは前記バンド
パスフィルターの一部に透過率を低める透過率調節膜を
形成して構成することを特徴とする請求項１に記載の投
影露光装置。 - 【請求項３】 前記透過率調節フィルターは前記半反射
ミラーの一部に透過率を低める透過率調節膜を形成して
構成することを特徴とする請求項１に記載の投影露光装
置。 - 【請求項４】 前記透過率調節フィルターは前記アパー
チュアーまたはマスクブラインドに透過率調節機能を有
する透過率調節マスクをさらに設けて構成することを特
徴とする請求項１に記載の投影露光装置。 - 【請求項５】 光源、バンドパスフィルター、フライア
イレンズ、アパーチュアー、半反射ミラー、中間レン
ズ、マスクブラインド、コンデンサーレンズ及び投影レ
ンズを有する投影露光装置において、 前記バンドパスフィルターまたは半反射ミラーは透過率
調節機能を行う透過率調節フィルターがさらに具備され
たことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項６】 透過率を調節しうる投影露光装置に使用
される透過率調節フィルターにおいて、 前記透過率調節フィルターは基板と、前記基板の一部に
形成された透過率調節膜で構成されていることを特徴と
する透過率調節フィルター。 - 【請求項７】 前記透過率調節膜はクロム膜またはアル
ミニウム膜であることを特徴とする請求項６に記載の透
過率調節フィルター。 - 【請求項８】 前記基板は透明ガラスであることを特徴
とする請求項６に記載の透過率調節フィルター。 - 【請求項９】 透過率を調節しうる投影露光装置に使用
される透過率調節フィルターにおいて、 前記透過率調節フィルターの製造方法は基板上に感光膜
を形成する段階と、 前記感光膜を露光して現像し、基板を露出する感光膜パ
ターンを形成する段階と、 前記感光膜パターンが形成された基板の全面に透過率調
節膜を形成する段階と、 前記感光膜パターン上に形成された透過率調節膜及び前
記感光膜パターンを除去して基板上に透過率調節膜パタ
ーンを形成する段階を含むことを特徴とする透過率調節
フィルターの製造方法。 - 【請求項１０】 前記基板は透明ガラスであることを特
徴とする請求項９に記載の透過率調節フィルターの製造
方法。 - 【請求項１１】 前記透過率調節膜はクロム膜またはア
ルミニウム膜であることを特徴とする請求項９に記載の
透過率調節フィルターの製造方法。 - 【請求項１２】 前記感光膜パターン上に形成された透
過率調節膜はリフトーオフ工程を行って除去することを
特徴とする請求項９に記載の透過率調節フィルターの製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950020816A KR970007509A (ko) | 1995-07-14 | 1995-07-14 | 투영노광장치, 이에 사용되는 투과율 조절필터 및 그 제조방법 |
| KR95P20816 | 1995-07-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936038A true JPH0936038A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=19420665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8155608A Withdrawn JPH0936038A (ja) | 1995-07-14 | 1996-06-17 | 投影露光装置、これに使用される透過率調節フィルター及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936038A (ja) |
| KR (1) | KR970007509A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010150550A1 (ja) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 株式会社ニコン | 光学素子、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2011022529A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Mejiro Precision:Kk | 光源装置及び露光装置 |
-
1995
- 1995-07-14 KR KR1019950020816A patent/KR970007509A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-06-17 JP JP8155608A patent/JPH0936038A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010150550A1 (ja) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | 株式会社ニコン | 光学素子、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JPWO2010150550A1 (ja) * | 2009-06-25 | 2012-12-10 | 株式会社ニコン | 光学素子、照明装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| JP2011022529A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Mejiro Precision:Kk | 光源装置及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970007509A (ko) | 1997-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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