JPH0935027A - 非接触メモリカード及び非接触メモリカード用アダプタ - Google Patents
非接触メモリカード及び非接触メモリカード用アダプタInfo
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- JPH0935027A JPH0935027A JP7187123A JP18712395A JPH0935027A JP H0935027 A JPH0935027 A JP H0935027A JP 7187123 A JP7187123 A JP 7187123A JP 18712395 A JP18712395 A JP 18712395A JP H0935027 A JPH0935027 A JP H0935027A
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- memory card
- coupling device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小型にして信号の伝送効率が高く、メモリカ
ードの高機能化にも好適な非接触メモリカード及びアダ
プタを提供する。 【構成】 所要の電子部品が実装されたプリント基板
と、当該プリント基板の端辺に取り付けられた電磁結合
装置10と、これらプリント基板及び電磁結合装置を収
納するケース40とから非接触メモリカードを構成す
る。前記ケース40は、樹脂製のカードフレーム40a
と、金属製の上板40b並びに下板40cとから構成す
る。上板40b及び下板40cの電磁結合装置10と対
向する部分に切欠41a,41bを設け、電磁結合装置
10を上板40b及び下板40cの外部に露出する。
ードの高機能化にも好適な非接触メモリカード及びアダ
プタを提供する。 【構成】 所要の電子部品が実装されたプリント基板
と、当該プリント基板の端辺に取り付けられた電磁結合
装置10と、これらプリント基板及び電磁結合装置を収
納するケース40とから非接触メモリカードを構成す
る。前記ケース40は、樹脂製のカードフレーム40a
と、金属製の上板40b並びに下板40cとから構成す
る。上板40b及び下板40cの電磁結合装置10と対
向する部分に切欠41a,41bを設け、電磁結合装置
10を上板40b及び下板40cの外部に露出する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非接触型のメモリカー
ド及び当該メモリカードと端末装置との間に介設される
アダプタに係り、特に、これらの装置に備えられる電磁
結合装置の伝送効率向上手段に関する。
ド及び当該メモリカードと端末装置との間に介設される
アダプタに係り、特に、これらの装置に備えられる電磁
結合装置の伝送効率向上手段に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、ICカードの一種であるメモリカ
ードは、電子手帳のデータベースをはじめとして、コン
ピュータの外部記録媒体や増設メモリなどに用いられて
おり、その需要及び利用分野は飛躍的に拡大している。
メモリカードと端末装置との結合方式には、ピン挿入方
式と非接触方式とがある。ピン挿入方式は、雄型コネク
タに備えられたピンを雌型コネクタに備えられたソケッ
トに差し込むことによって、両者を電気的に接続するも
のであって、例えば68ピン程度のピンを用いて信号を
やり取りをできるので、8ビットや16ビットのパラレ
ルデータ転送ができ、信号の高速な読み出し・書き込み
が可能となるという利点がある反面、ピンやソケットが
外部に露出しているために、汚染による接触不良やピン
の小型化に起因する耐挿抜性の低下などを発生しやすい
という欠点もある。これに対して、非接触方式は、光、
電磁気あるいは電波等のエネルギを利用して、信号の送
受信及び電力の供給等を行う方式であって、導体が外部
に露出しないため、上記のようなトラブルの発生が無
く、特に汚れた環境下での使用で有利であることから各
方面で実用化されている。
ードは、電子手帳のデータベースをはじめとして、コン
ピュータの外部記録媒体や増設メモリなどに用いられて
おり、その需要及び利用分野は飛躍的に拡大している。
メモリカードと端末装置との結合方式には、ピン挿入方
式と非接触方式とがある。ピン挿入方式は、雄型コネク
タに備えられたピンを雌型コネクタに備えられたソケッ
トに差し込むことによって、両者を電気的に接続するも
のであって、例えば68ピン程度のピンを用いて信号を
やり取りをできるので、8ビットや16ビットのパラレ
ルデータ転送ができ、信号の高速な読み出し・書き込み
が可能となるという利点がある反面、ピンやソケットが
外部に露出しているために、汚染による接触不良やピン
の小型化に起因する耐挿抜性の低下などを発生しやすい
という欠点もある。これに対して、非接触方式は、光、
電磁気あるいは電波等のエネルギを利用して、信号の送
受信及び電力の供給等を行う方式であって、導体が外部
に露出しないため、上記のようなトラブルの発生が無
く、特に汚れた環境下での使用で有利であることから各
方面で実用化されている。
【0003】前記したように、非接触で電力の供給や信
号の送受信を行う方式としては、光方式、電磁結合方式
及び電波方式などが提案されているが、低コストで実施
でき、かつ消費電力が小さいことなどから、現在のとこ
ろ、電磁結合方式が最も多く用いられている。図10
に、従来より知られた電磁結合方式のコネクタを備えた
非接触メモリカードの電子部品実装状態を示す。
号の送受信を行う方式としては、光方式、電磁結合方式
及び電波方式などが提案されているが、低コストで実施
でき、かつ消費電力が小さいことなどから、現在のとこ
ろ、電磁結合方式が最も多く用いられている。図10
に、従来より知られた電磁結合方式のコネクタを備えた
非接触メモリカードの電子部品実装状態を示す。
【0004】本例の非接触メモリカードは、マルチチャ
ンネル方式の電磁結合装置を用いた例えばSRAMカー
ドであって、プリント基板5には、電磁結合装置10を
構成するコイル2a,2b,2c,2d,2e,2f,
2g,2h,2i,2j及び磁性コア3a,3b,3
c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,3jと、各
コイルで受け取った信号を所定の電圧まで増幅するアン
プ16a,16b,16c,16dと、増幅した信号を
デジタル波形に変換するコンパレータ17a,17b,
17cと、データの読み出し・書き込みの制御を行う制
御IC15と、データを記憶する例えばSRAMなどの
メモリIC9a,9bと、前記メモリIC9a,9bに
記憶されているデータを保持するための電池8a,8b
と、交流で供給される電力を直流に整流し、定電圧に安
定化する電力変換IC18とが実装されている。
ンネル方式の電磁結合装置を用いた例えばSRAMカー
ドであって、プリント基板5には、電磁結合装置10を
構成するコイル2a,2b,2c,2d,2e,2f,
2g,2h,2i,2j及び磁性コア3a,3b,3
c,3d,3e,3f,3g,3h,3i,3jと、各
コイルで受け取った信号を所定の電圧まで増幅するアン
プ16a,16b,16c,16dと、増幅した信号を
デジタル波形に変換するコンパレータ17a,17b,
17cと、データの読み出し・書き込みの制御を行う制
御IC15と、データを記憶する例えばSRAMなどの
メモリIC9a,9bと、前記メモリIC9a,9bに
記憶されているデータを保持するための電池8a,8b
と、交流で供給される電力を直流に整流し、定電圧に安
定化する電力変換IC18とが実装されている。
【0005】磁性コア3a,3b,3c,3d,3e,
3f,3g,3hに巻かれたコイル2a,2b,2c,
2d,2e,2f,2g,2hは8ビットのデータ信号
及びアドレス信号のやり取りをパラレル形式で行うもの
であり、磁性コア3iに巻かれたコイル2iはリードや
ライトなどの命令信号を受け取るものであって、その巻
線数は、それぞれ同じにしてある。一方、磁性コア3j
に巻かれたコイル2jは、電力及びクロックを受け取る
ものであって、安定した電力の受け取りができるよう
に、他のコイル2a〜2jに比べて巻線数を多くしてあ
る。これに伴って、磁性コア3jは、他の磁性コア3a
〜3jに比べて大型になっている。なお、磁性コア3j
を大型化する方法のほかに、複数個の電力用コイル部を
用いる方法もある。
3f,3g,3hに巻かれたコイル2a,2b,2c,
2d,2e,2f,2g,2hは8ビットのデータ信号
及びアドレス信号のやり取りをパラレル形式で行うもの
であり、磁性コア3iに巻かれたコイル2iはリードや
ライトなどの命令信号を受け取るものであって、その巻
線数は、それぞれ同じにしてある。一方、磁性コア3j
に巻かれたコイル2jは、電力及びクロックを受け取る
ものであって、安定した電力の受け取りができるよう
に、他のコイル2a〜2jに比べて巻線数を多くしてあ
る。これに伴って、磁性コア3jは、他の磁性コア3a
〜3jに比べて大型になっている。なお、磁性コア3j
を大型化する方法のほかに、複数個の電力用コイル部を
用いる方法もある。
【0006】また、図10においては、コイル2a〜2
j及び磁性コア3a〜3jがそれぞれ個別にプリント基
板5の短辺部に配置されているが、各コイル2a〜2j
及び磁性コア3a〜3jを一体に樹脂モールドしてなる
電磁結合コネクタを、プリント基板5の短辺部に配置す
ることもできる。図11に、非接触メモリカードに適用
される電磁結合コネクタの一例を示す。本例の電磁結合
コネクタは、図11に拡大して示すように、コイル2
a,2b,2c・・・・が巻回された磁性コア3a,3
b,3c・・・を、例えば銅板製のコア支持体21上に
所定の配列で接着し、各コイルの末端を例えば銅板製の
外部リード22に電気的に接続した後、これらを、例え
ばSiO2 フィラー入りのエポキシ樹脂24にて一体に
モールドすることによって作製される。この構成におい
ては、全体を樹脂にてモールドしてあるため、外部から
の異物や水分の進入が無く、また、内部の部品が機械的
に保護されることから、より信頼性の高い電磁結合装置
とすることができる。本明細書においては、個々のコイ
ル2a〜2jと磁性コア3a〜3jとの組、及びその集
合体、並びに1又は複数個のコイル2a〜2jと磁性コ
ア3a〜3jとの組を樹脂モールドしてなる電磁結合コ
ネクタを総称して、「電磁結合装置10」という。
j及び磁性コア3a〜3jがそれぞれ個別にプリント基
板5の短辺部に配置されているが、各コイル2a〜2j
及び磁性コア3a〜3jを一体に樹脂モールドしてなる
電磁結合コネクタを、プリント基板5の短辺部に配置す
ることもできる。図11に、非接触メモリカードに適用
される電磁結合コネクタの一例を示す。本例の電磁結合
コネクタは、図11に拡大して示すように、コイル2
a,2b,2c・・・・が巻回された磁性コア3a,3
b,3c・・・を、例えば銅板製のコア支持体21上に
所定の配列で接着し、各コイルの末端を例えば銅板製の
外部リード22に電気的に接続した後、これらを、例え
ばSiO2 フィラー入りのエポキシ樹脂24にて一体に
モールドすることによって作製される。この構成におい
ては、全体を樹脂にてモールドしてあるため、外部から
の異物や水分の進入が無く、また、内部の部品が機械的
に保護されることから、より信頼性の高い電磁結合装置
とすることができる。本明細書においては、個々のコイ
ル2a〜2jと磁性コア3a〜3jとの組、及びその集
合体、並びに1又は複数個のコイル2a〜2jと磁性コ
ア3a〜3jとの組を樹脂モールドしてなる電磁結合コ
ネクタを総称して、「電磁結合装置10」という。
【0007】上記構成の電磁結合装置10を備えると、
マルチチャンネル方式により同時に多ビットの信号のや
り取りが可能となるため、高速なデータ転送ができる。
マルチチャンネル方式により同時に多ビットの信号のや
り取りが可能となるため、高速なデータ転送ができる。
【0008】図12は、電子部品が実装されたプリント
基板を内蔵した非接触メモリカードの斜視図である。こ
の図から明らかなように、本例の非接触メモリカード2
0は、電磁結合装置10を備えたプリント基板5が、樹
脂製のカードフレーム6aと金属製の上板6bと同じく
金属製の下板6cとからなるケース6内に収納され、電
磁結合装置10が、当該ケース6の短辺部に配置されて
いる。かように、本例の非接触メモリカード20は、プ
リント基板5及び電磁結合装置10を、金属製の上板6
b及び下板6cを備えた高剛性のケース6内に収納した
ので、プリント基板5及び電磁結合装置10の保護効果
が高く、耐久性及び信頼性に優れる。
基板を内蔵した非接触メモリカードの斜視図である。こ
の図から明らかなように、本例の非接触メモリカード2
0は、電磁結合装置10を備えたプリント基板5が、樹
脂製のカードフレーム6aと金属製の上板6bと同じく
金属製の下板6cとからなるケース6内に収納され、電
磁結合装置10が、当該ケース6の短辺部に配置されて
いる。かように、本例の非接触メモリカード20は、プ
リント基板5及び電磁結合装置10を、金属製の上板6
b及び下板6cを備えた高剛性のケース6内に収納した
ので、プリント基板5及び電磁結合装置10の保護効果
が高く、耐久性及び信頼性に優れる。
【0009】電磁結合装置10が付設された非接触メモ
リカード20は、図13に示すように、端末装置30に
挿入されて使用される。端末装置30には、その側面部
に非接触メモリカード20の挿入口25が設けられ、そ
の奥に、非接触メモリカード20に付設された電磁結合
装置10と対向して信号のやり取りを行うための端末側
の電磁結合装置10’が設置されている。この端末側の
電磁結合装置10’も、各コイル部の配列が逆になって
いることを除いて、前記の電磁結合装置10と同様に構
成される。
リカード20は、図13に示すように、端末装置30に
挿入されて使用される。端末装置30には、その側面部
に非接触メモリカード20の挿入口25が設けられ、そ
の奥に、非接触メモリカード20に付設された電磁結合
装置10と対向して信号のやり取りを行うための端末側
の電磁結合装置10’が設置されている。この端末側の
電磁結合装置10’も、各コイル部の配列が逆になって
いることを除いて、前記の電磁結合装置10と同様に構
成される。
【0010】図14に、非接触メモリカード20側の電
磁結合装置10と端末装置30側の電磁結合装置10’
との間で行われる電磁結合の様子を、端末装置30より
非接触メモリカード20に電力を供給する場合を例にと
って説明する。
磁結合装置10と端末装置30側の電磁結合装置10’
との間で行われる電磁結合の様子を、端末装置30より
非接触メモリカード20に電力を供給する場合を例にと
って説明する。
【0011】端末装置30側の電磁結合装置10’に内
蔵される電力用コイル2’に電流11’が流れると、磁
性コア3’内に磁束12’が発生する。発生した磁束
は、コアギャップGcを飛び越えて対岸の非接触メモリ
カード20側の電磁結合装置10に内蔵される磁性コア
3に流れ、これに巻線されたコイル2と鎖交して誘導電
流11を発生する。これによって、非接触メモリカード
20に電力を供給することができる。
蔵される電力用コイル2’に電流11’が流れると、磁
性コア3’内に磁束12’が発生する。発生した磁束
は、コアギャップGcを飛び越えて対岸の非接触メモリ
カード20側の電磁結合装置10に内蔵される磁性コア
3に流れ、これに巻線されたコイル2と鎖交して誘導電
流11を発生する。これによって、非接触メモリカード
20に電力を供給することができる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】然るに、電磁結合装置
10の上下を金属製の上板6b及び下板6cにて完全に
覆うと、コアからの漏洩磁束がこれら上板6b及び下板
6cに流れて渦電流損を生じ、電力及び信号の伝送効率
が低くなることが実験によって確認された。電力及び信
号の伝送効率が低くなると、所要レベルの電力及び信号
を伝送するに必要な電力用コイル部及び信号用コイル部
が大型化するため、定められた寸法内に所定数量のコイ
ル部を備えることが困難になったり、あるいは信号用コ
イル部を増加する余地が小さくなってメモリカードの高
機能化が妨げられるといった不都合が生じやすくなる。
10の上下を金属製の上板6b及び下板6cにて完全に
覆うと、コアからの漏洩磁束がこれら上板6b及び下板
6cに流れて渦電流損を生じ、電力及び信号の伝送効率
が低くなることが実験によって確認された。電力及び信
号の伝送効率が低くなると、所要レベルの電力及び信号
を伝送するに必要な電力用コイル部及び信号用コイル部
が大型化するため、定められた寸法内に所定数量のコイ
ル部を備えることが困難になったり、あるいは信号用コ
イル部を増加する余地が小さくなってメモリカードの高
機能化が妨げられるといった不都合が生じやすくなる。
【0013】なお、かかる不都合は、非接触メモリカー
ドのみならず、非接触メモリカードと端末装置等の外部
装置との間に介設されるアダプタであって、前記電磁結
合装置10と同様の電磁結合装置を備えたものにおいて
も発生する。
ドのみならず、非接触メモリカードと端末装置等の外部
装置との間に介設されるアダプタであって、前記電磁結
合装置10と同様の電磁結合装置を備えたものにおいて
も発生する。
【0014】本発明は、上記した従来技術の不備を解消
するためになされたものであって、その目的は、小型に
して信号の伝送効率が高く、メモリカードの高機能化に
も好適な非接触メモリカード及びアダプタを提供するこ
とにある。
するためになされたものであって、その目的は、小型に
して信号の伝送効率が高く、メモリカードの高機能化に
も好適な非接触メモリカード及びアダプタを提供するこ
とにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、非接触メモリカードに関しては、デー
タ記憶用メモリと、電磁結合により相手方装置と前記デ
ータ記憶用メモリとの間の信号の送受信及び相手方装置
からの電力の受給を行う電磁結合装置と、これらデータ
記憶用メモリ及び電磁結合装置を収納する金属製の上板
及び下板を有するケースとを備えた非接触メモリカード
において、前記上板及び下板の前記電磁結合装置と対向
する部分に切欠部を設けるという構成にした。
めに、本発明は、非接触メモリカードに関しては、デー
タ記憶用メモリと、電磁結合により相手方装置と前記デ
ータ記憶用メモリとの間の信号の送受信及び相手方装置
からの電力の受給を行う電磁結合装置と、これらデータ
記憶用メモリ及び電磁結合装置を収納する金属製の上板
及び下板を有するケースとを備えた非接触メモリカード
において、前記上板及び下板の前記電磁結合装置と対向
する部分に切欠部を設けるという構成にした。
【0016】また、非接触メモリカード用アダプタに関
しては、非接触メモリカードに備えられた電磁結合装置
と結合される第1の電磁結合装置と、相手方装置に備え
られた電磁結合装置と結合される第2の電磁結合装置
と、これら第1及び第2の電磁結合装置を収納する金属
製の上板及び下板を有するケースとを備えた非接触メモ
リカード用アダプタにおいて、前記上板及び下板の前記
各電磁結合装置と対向する部分のうち、少なくともいず
れか一方の電磁結合装置と対向する部分に、切欠部を設
けるという構成にした。
しては、非接触メモリカードに備えられた電磁結合装置
と結合される第1の電磁結合装置と、相手方装置に備え
られた電磁結合装置と結合される第2の電磁結合装置
と、これら第1及び第2の電磁結合装置を収納する金属
製の上板及び下板を有するケースとを備えた非接触メモ
リカード用アダプタにおいて、前記上板及び下板の前記
各電磁結合装置と対向する部分のうち、少なくともいず
れか一方の電磁結合装置と対向する部分に、切欠部を設
けるという構成にした。
【0017】
【作用】電磁結合装置を上板及び下板が金属板にて形成
されたケースに収納してなる装置において、前記上板及
び下板の電磁結合装置と対向する部分に切欠部を設ける
と、電磁結合装置からの漏洩磁束によって前記上板及び
下板にて発生する渦電流損が減少し、電力及び信号の伝
送効率が改善される。よって、所要レベルの電力及び信
号を伝送するに必要な電力用コイル部及び信号用コイル
部を小型化することができるので、非接触型メモリカー
ドやアダプタの設計を容易化できると共に、定められた
寸法内へのより多数のコイル部の設定が可能になり、多
チャンネル化による非接触型メモリカードのより一層の
高機能化を図れる。
されたケースに収納してなる装置において、前記上板及
び下板の電磁結合装置と対向する部分に切欠部を設ける
と、電磁結合装置からの漏洩磁束によって前記上板及び
下板にて発生する渦電流損が減少し、電力及び信号の伝
送効率が改善される。よって、所要レベルの電力及び信
号を伝送するに必要な電力用コイル部及び信号用コイル
部を小型化することができるので、非接触型メモリカー
ドやアダプタの設計を容易化できると共に、定められた
寸法内へのより多数のコイル部の設定が可能になり、多
チャンネル化による非接触型メモリカードのより一層の
高機能化を図れる。
【0018】
〈第1実施例〉第1実施例に係る非接触型メモリカード
を、図1〜図4を用いて説明する。図1は本例に係る非
接触メモリカードの平面図、図2は図1のA−A断面
図、図3は非接触メモリカードと端末装置側の電磁結合
装置との結合状態を示す要部断面図、図4は電磁結合装
置に対する切欠の端辺位置と電力供給効率との関係を示
すグラフ図である。
を、図1〜図4を用いて説明する。図1は本例に係る非
接触メモリカードの平面図、図2は図1のA−A断面
図、図3は非接触メモリカードと端末装置側の電磁結合
装置との結合状態を示す要部断面図、図4は電磁結合装
置に対する切欠の端辺位置と電力供給効率との関係を示
すグラフ図である。
【0019】図1及び図2において、符号40は、プリ
ント基板5及び電磁結合装置10を収納するケースを示
し、当該ケース40は、樹脂製のカードフレーム40a
と、例えば非磁性ステンレス等の金属板からなる上板4
0b並びに下板40cとから構成されている。プリント
基板5及び電磁結合装置10の構成、並びにプリント基
板5に実装される電子部品の種類や配列については、従
来例に係る非接触メモリカードと同じであるので、重複
を避けるため、説明を省略する。
ント基板5及び電磁結合装置10を収納するケースを示
し、当該ケース40は、樹脂製のカードフレーム40a
と、例えば非磁性ステンレス等の金属板からなる上板4
0b並びに下板40cとから構成されている。プリント
基板5及び電磁結合装置10の構成、並びにプリント基
板5に実装される電子部品の種類や配列については、従
来例に係る非接触メモリカードと同じであるので、重複
を避けるため、説明を省略する。
【0020】本例メモリカードの特徴とするところは、
図1及び図2に示すように、前記上板40b及び下板4
0cの電磁結合装置10と対向する部分に切欠41a,
41bを設け、電磁結合装置10を上板40b及び下板
40cの外部に露出したことにある。
図1及び図2に示すように、前記上板40b及び下板4
0cの電磁結合装置10と対向する部分に切欠41a,
41bを設け、電磁結合装置10を上板40b及び下板
40cの外部に露出したことにある。
【0021】図4の横軸には、電磁結合装置10を構成
する電力受給用磁性コア3jのプリント基板5側の端面
を“0”、当該磁性コア3jの相手側装置側の端面を
“1”としたときの切欠41a,41bの端辺の突出し
量dが目盛られ、縦軸には、金属製の上板40b及び下
板40cがないときの電力供給効率を100%とした場
合の相対電力供給効率が目盛られている。この図から明
らかなように、切欠41a,41bの突出し量dが0.
5を超えると、相対電力供給効率値が90%を下回り、
かつその突出し量dが大きくなるにしたがって、相対電
力供給効率が急激に低下する。そして、切欠41a,4
1bの突出し量dが1.0に近くなると、相対電力供給
効率は約10%まで低下する。
する電力受給用磁性コア3jのプリント基板5側の端面
を“0”、当該磁性コア3jの相手側装置側の端面を
“1”としたときの切欠41a,41bの端辺の突出し
量dが目盛られ、縦軸には、金属製の上板40b及び下
板40cがないときの電力供給効率を100%とした場
合の相対電力供給効率が目盛られている。この図から明
らかなように、切欠41a,41bの突出し量dが0.
5を超えると、相対電力供給効率値が90%を下回り、
かつその突出し量dが大きくなるにしたがって、相対電
力供給効率が急激に低下する。そして、切欠41a,4
1bの突出し量dが1.0に近くなると、相対電力供給
効率は約10%まで低下する。
【0022】図1及び図2に示した本例の非接触メモリ
カードは、切欠41a,41bの端辺が電磁結合装置1
0を構成する樹脂モールド24の後端に当接されている
ので、切欠41a,41bの突出し量dは“0”よりも
小さな値であり、100%近い相対電力供給効率を得る
ことができる。なお、図4においては、切欠41a,4
1bの端辺位置と電力用コイル部の電力供給効率との関
係のみを表示したが、切欠41a,41bの端辺位置と
信号用コイル部の信号伝達効率との関係においても、ほ
ぼ同様の特性を有する。したがって、本例の非接触メモ
リカードは、信号伝達効率についても、100%近い相
対信号伝達効率を得ることができる。
カードは、切欠41a,41bの端辺が電磁結合装置1
0を構成する樹脂モールド24の後端に当接されている
ので、切欠41a,41bの突出し量dは“0”よりも
小さな値であり、100%近い相対電力供給効率を得る
ことができる。なお、図4においては、切欠41a,4
1bの端辺位置と電力用コイル部の電力供給効率との関
係のみを表示したが、切欠41a,41bの端辺位置と
信号用コイル部の信号伝達効率との関係においても、ほ
ぼ同様の特性を有する。したがって、本例の非接触メモ
リカードは、信号伝達効率についても、100%近い相
対信号伝達効率を得ることができる。
【0023】〈第2実施例〉第2実施例に係る非接触メ
モリカードを、図5を用いて説明する。図5は本例に係
る非接触メモリカードの要部断面図である。
モリカードを、図5を用いて説明する。図5は本例に係
る非接触メモリカードの要部断面図である。
【0024】図5に示すように、本例の非接触メモリカ
ードは、ケース40を構成する金属製の上板40b及び
下板40cを電磁結合装置10の上方及び下方に配置
し、上板40b及び下板40cに形成された切欠41
a,41bの端辺を、電磁結合装置10を構成する磁性
コア3jの中央部に合致させている。
ードは、ケース40を構成する金属製の上板40b及び
下板40cを電磁結合装置10の上方及び下方に配置
し、上板40b及び下板40cに形成された切欠41
a,41bの端辺を、電磁結合装置10を構成する磁性
コア3jの中央部に合致させている。
【0025】前出の図4から明らかなように、切欠41
a,41bの端辺を磁性コア3jの中央部に合致させた
場合にも、90%以上の相対電力供給効率を得ることが
でき、実用に供することができる。また、信号伝達効率
についても、90%以上の相対信号伝達効率を得ること
ができ、実用に供することができる。かように、本例の
非接触メモリカードは、電磁結合装置10を完全に露出
した場合よりも相対電力供給効率及び相対信号伝達効率
が若干劣化するが、電磁結合装置10の一部を金属製の
上板40b及び下板40cにて覆うことができるので、
電磁結合装置10を完全に露出した場合よりも、電磁結
合装置10の保護効果を向上できる。
a,41bの端辺を磁性コア3jの中央部に合致させた
場合にも、90%以上の相対電力供給効率を得ることが
でき、実用に供することができる。また、信号伝達効率
についても、90%以上の相対信号伝達効率を得ること
ができ、実用に供することができる。かように、本例の
非接触メモリカードは、電磁結合装置10を完全に露出
した場合よりも相対電力供給効率及び相対信号伝達効率
が若干劣化するが、電磁結合装置10の一部を金属製の
上板40b及び下板40cにて覆うことができるので、
電磁結合装置10を完全に露出した場合よりも、電磁結
合装置10の保護効果を向上できる。
【0026】〈第3実施例〉第3実施例に係る非接触メ
モリカードを、図6を用いて説明する。図6は本例に係
る非接触メモリカードの要部断面図である。
モリカードを、図6を用いて説明する。図6は本例に係
る非接触メモリカードの要部断面図である。
【0027】この図から明らかなように、本例の非接触
メモリカードは、金属製の上板40b及び下板40cを
樹脂モールドし、当該樹脂モールド42の一端を上板4
0b及び下板40cに形成された切欠41a,41bの
端辺よりも前方に突出し、当該突出部分にて電磁結合装
置10の上面及び下面を覆っている。なお、図6には、
切欠41a,41bの端辺を電磁結合装置10を構成す
る樹脂モールド24の後端部に合致させた場合が図示さ
れているが、切欠41a,41bの端辺位置について
は、必要とする相対電力供給効率及び相対信号伝達効率
を得られる範囲で適宜調整することができることは勿論
である。
メモリカードは、金属製の上板40b及び下板40cを
樹脂モールドし、当該樹脂モールド42の一端を上板4
0b及び下板40cに形成された切欠41a,41bの
端辺よりも前方に突出し、当該突出部分にて電磁結合装
置10の上面及び下面を覆っている。なお、図6には、
切欠41a,41bの端辺を電磁結合装置10を構成す
る樹脂モールド24の後端部に合致させた場合が図示さ
れているが、切欠41a,41bの端辺位置について
は、必要とする相対電力供給効率及び相対信号伝達効率
を得られる範囲で適宜調整することができることは勿論
である。
【0028】本例の非接触メモリカードは、電磁結合装
置10を樹脂モールド42にて完全に覆うことができる
ので、電磁結合装置10の全部又は一部を露出した場合
に比べて、電磁結合装置10の保護効果に優れると共
に、美観的にも優れる。
置10を樹脂モールド42にて完全に覆うことができる
ので、電磁結合装置10の全部又は一部を露出した場合
に比べて、電磁結合装置10の保護効果に優れると共
に、美観的にも優れる。
【0029】〈第4実施例〉第4実施例に係る非接触メ
モリカードを、図7を用いて説明する。図7は本例に係
る非接触メモリカードの平面図である。
モリカードを、図7を用いて説明する。図7は本例に係
る非接触メモリカードの平面図である。
【0030】この図から明らかなように、本例の非接触
メモリカードは、電磁結合装置10に備えられる電力用
コイル部43及び信号用コイル部44のうち、電力用コ
イル部43と対向する部分にのみ、金属製の上板40b
及び下板40cに切欠41a,41bを形成したことを
特徴とする。なお、この場合も、切欠41a,41bの
端辺位置については、必要とする相対電力供給効率及び
相対信号伝達効率を得られる範囲で適宜調整することが
できる。また、切欠41a,41bの開設部に樹脂モー
ルドを施し、当該樹脂モールドにて電磁結合装置10を
カバーすることもできる。
メモリカードは、電磁結合装置10に備えられる電力用
コイル部43及び信号用コイル部44のうち、電力用コ
イル部43と対向する部分にのみ、金属製の上板40b
及び下板40cに切欠41a,41bを形成したことを
特徴とする。なお、この場合も、切欠41a,41bの
端辺位置については、必要とする相対電力供給効率及び
相対信号伝達効率を得られる範囲で適宜調整することが
できる。また、切欠41a,41bの開設部に樹脂モー
ルドを施し、当該樹脂モールドにて電磁結合装置10を
カバーすることもできる。
【0031】本例の非接触メモリカードは、電力用コイ
ル部43と対向する部分にのみ切欠41a,41bを形
成したので、信号用コイル部44を介して伝送される信
号の伝送効率が低下するが、この伝送効率の低下分はプ
リント基板5に実装される信号処理回路を工夫すること
によって補償可能であるので、実用に供することができ
る。
ル部43と対向する部分にのみ切欠41a,41bを形
成したので、信号用コイル部44を介して伝送される信
号の伝送効率が低下するが、この伝送効率の低下分はプ
リント基板5に実装される信号処理回路を工夫すること
によって補償可能であるので、実用に供することができ
る。
【0032】本例の非接触メモリカードは、電力用コイ
ル部及び信号用コイル部の双方に切欠を設ける場合に比
べて切欠41a,41bを著しく小さくできるので、非
接触メモリカードの美観を向上できるという効果があ
る。
ル部及び信号用コイル部の双方に切欠を設ける場合に比
べて切欠41a,41bを著しく小さくできるので、非
接触メモリカードの美観を向上できるという効果があ
る。
【0033】〈第5実施例〉本発明を応用した非接触メ
モリカード用アダプタの一例を、図8及び図9を用いて
説明する。図8は本例アダプタの断面図、図9は電磁結
合装置に対する上板及び下板の設定位置と電力供給効率
との関係を示すグラフ図である。
モリカード用アダプタの一例を、図8及び図9を用いて
説明する。図8は本例アダプタの断面図、図9は電磁結
合装置に対する上板及び下板の設定位置と電力供給効率
との関係を示すグラフ図である。
【0034】図8に示すように、一般に非接触メモリカ
ード用アダプタは、端末装置に備えられた電磁結合装置
10’と電磁結合される第1の電磁結合装置10aと、
非接触メモリカードに備えられた電磁結合装置10と電
磁結合される第2の電磁結合装置10bと、第1及び第
2の電磁結合装置10a,10bを接続する配線パター
ンが形成されたプリント基板5aと、これらの各電磁結
合装置10a,10b及びプリント基板5aを収納する
ケース50とから構成されており、ケース50の第2の
電磁結合装置10bの設定側には、非接触メモリカード
の電磁結合装置10設定部を挿入するための幅広の挿入
口51が形成されている。
ード用アダプタは、端末装置に備えられた電磁結合装置
10’と電磁結合される第1の電磁結合装置10aと、
非接触メモリカードに備えられた電磁結合装置10と電
磁結合される第2の電磁結合装置10bと、第1及び第
2の電磁結合装置10a,10bを接続する配線パター
ンが形成されたプリント基板5aと、これらの各電磁結
合装置10a,10b及びプリント基板5aを収納する
ケース50とから構成されており、ケース50の第2の
電磁結合装置10bの設定側には、非接触メモリカード
の電磁結合装置10設定部を挿入するための幅広の挿入
口51が形成されている。
【0035】本例のアダプタは、ケース50の上板50
b及び下板50cが金属板をもって構成されている。ケ
ース50の第1の電磁結合装置10aの設定側について
は、前記第1実施例〜第4実施例に示した非接触メモリ
カードにおける電磁結合装置10の設定部と同様に構成
され、かつその外形は、非接触メモリカードの電磁結合
装置10の設定部と同形同大に形成される。一方、ケー
ス50の第2の電磁結合装置10bの設定側には、非接
触メモリカード20の電磁結合装置設定部を挿入するた
めの幅広の挿入口51が形成されており、磁性コア3j
の上面と上板50bとの間隔S1及び磁性コア3jの下
面と下板50cとの間隔S2 とは、それぞれ磁性コア3
jの厚さtの1/2以上の大きさに設定されている。
b及び下板50cが金属板をもって構成されている。ケ
ース50の第1の電磁結合装置10aの設定側について
は、前記第1実施例〜第4実施例に示した非接触メモリ
カードにおける電磁結合装置10の設定部と同様に構成
され、かつその外形は、非接触メモリカードの電磁結合
装置10の設定部と同形同大に形成される。一方、ケー
ス50の第2の電磁結合装置10bの設定側には、非接
触メモリカード20の電磁結合装置設定部を挿入するた
めの幅広の挿入口51が形成されており、磁性コア3j
の上面と上板50bとの間隔S1及び磁性コア3jの下
面と下板50cとの間隔S2 とは、それぞれ磁性コア3
jの厚さtの1/2以上の大きさに設定されている。
【0036】図9の横軸には、電磁結合装置10bを構
成する電力受給用磁性コア3jの表面と前記ケース50
を構成する上板50b及び下板50cとの距離Dが電力
受給用磁性コア3jの厚さtの倍数で目盛られ、縦軸に
は、金属製の上板50b及び下板50cが電力受給用磁
性コア3jの表面から無限大とみなせる距離に配置した
ときの電力供給効率を100%とした場合の相対電力供
給効率が目盛られている。この図から明らかなように、
上板50b及び下板50cの配設位置を、電力受給用磁
性コア3jの表面からその厚さtの1/2以上離隔する
と、90%以上の相対電力供給効率が得られる。なお、
図9においては、上板50b及び下板50cの設定位置
と電力用コイル部の電力供給効率との関係のみを表示し
たが、上板50b及び下板50cの設定位置と信号用コ
イル部の信号伝達効率との関係においても、ほぼ同様の
特性を有する。したがって、本例の非接触メモリカード
は、信号伝達効率についても、90%以上の相対値を得
ることができる。
成する電力受給用磁性コア3jの表面と前記ケース50
を構成する上板50b及び下板50cとの距離Dが電力
受給用磁性コア3jの厚さtの倍数で目盛られ、縦軸に
は、金属製の上板50b及び下板50cが電力受給用磁
性コア3jの表面から無限大とみなせる距離に配置した
ときの電力供給効率を100%とした場合の相対電力供
給効率が目盛られている。この図から明らかなように、
上板50b及び下板50cの配設位置を、電力受給用磁
性コア3jの表面からその厚さtの1/2以上離隔する
と、90%以上の相対電力供給効率が得られる。なお、
図9においては、上板50b及び下板50cの設定位置
と電力用コイル部の電力供給効率との関係のみを表示し
たが、上板50b及び下板50cの設定位置と信号用コ
イル部の信号伝達効率との関係においても、ほぼ同様の
特性を有する。したがって、本例の非接触メモリカード
は、信号伝達効率についても、90%以上の相対値を得
ることができる。
【0037】なお、前記第1〜第4各実施例において
は、ケース40を樹脂製のカードフレーム40aと金属
製の上板40b及び下板40cとから構成したが、ケー
ス40の全体を金属板にて形成することもできる。
は、ケース40を樹脂製のカードフレーム40aと金属
製の上板40b及び下板40cとから構成したが、ケー
ス40の全体を金属板にて形成することもできる。
【0038】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ケ
ースの上板及び下板を金属板にて形成したので、高剛性
の非接触メモリカード及びアダプタを構成できると共
に、当該上板及び下板の電磁結合装置と対向する部分に
切欠部を設けたので、電力及び信号の伝達効率の低下を
緩和することができ、非接触メモリカード及びアダプタ
の信頼性を改善できる。
ースの上板及び下板を金属板にて形成したので、高剛性
の非接触メモリカード及びアダプタを構成できると共
に、当該上板及び下板の電磁結合装置と対向する部分に
切欠部を設けたので、電力及び信号の伝達効率の低下を
緩和することができ、非接触メモリカード及びアダプタ
の信頼性を改善できる。
【図1】第1実施例に係る非接触メモリカードの平面図
である。
である。
【図2】図1のA−A断面図である。
【図3】第1実施例に係る非接触メモリカードと端末装
置側に備えられた電磁結合装置との結合状態を示す要部
断面図である。
置側に備えられた電磁結合装置との結合状態を示す要部
断面図である。
【図4】電磁結合装置に対する切欠の端辺位置と電力供
給効率との関係を示すグラフ図である。
給効率との関係を示すグラフ図である。
【図5】第2実施例に係る非接触メモリカードの要部断
面図である。
面図である。
【図6】第3実施例に係る非接触メモリカードの要部断
面図である。
面図である。
【図7】第4実施例に係る非接触メモリカードの平面図
である。
である。
【図8】実施例に係るアダプタの断面図である。
【図9】電磁結合装置に対する上板及び下板の設定位置
と電力供給効率との関係を示すグラフ図である。
と電力供給効率との関係を示すグラフ図である。
【図10】電磁結合装置を備えた非接触メモリカードの
電子部品実装状態を示す斜視図である。
電子部品実装状態を示す斜視図である。
【図11】電磁結合コネクタの構成を示す透視図であ
る。
る。
【図12】従来例に係る非接触メモリカードの斜視図で
ある。
ある。
【図13】非接触メモリカードに備えられた電磁結合装
置と端末装置内に備えられた電磁結合装置との結合状態
を示す透視図である。
置と端末装置内に備えられた電磁結合装置との結合状態
を示す透視図である。
【図14】電磁結合装置間の電磁結合の様子を示す説明
図である。
図である。
2a〜2j コイル 3a〜3j 磁性コア 5 プリント基板 10 電磁結合装置 40,50 ケース 40a,50a カードフレーム 40b,50b 上板 40c,50c 下板 41a,41b 切欠 42 樹脂モールド 43 電力用コイル部 44 及び信号用コイル部 51 挿入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 丈 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内
Claims (7)
- 【請求項1】 データ記憶用メモリと、電磁結合により
相手方装置と前記データ記憶用メモリとの間の信号の送
受信及び相手方装置からの電力の受給を行う電磁結合装
置と、これらデータ記憶用メモリ及び電磁結合装置を収
納する金属製の上板及び下板を有するケースとを備えた
非接触メモリカードにおいて、前記上板及び下板の前記
電磁結合装置と対向する部分に、切欠部を設けたことを
特徴とする非接触メモリカード。 - 【請求項2】 請求項1に記載の非接触メモリカードに
おいて、前記電磁結合装置が、電力用コイル部と信号用
コイル部とから構成されていることを特徴とする非接触
メモリカード。 - 【請求項3】 請求項2に記載の非接触メモリカードに
おいて、前記電磁結合装置を構成する各コイル部が、磁
性材料からなるコアと、当該コアに巻回されたコイル
と、これらコア及びコイルを一体にモールドする樹脂モ
ールドとから構成されていることを特徴とする非接触メ
モリカード。 - 【請求項4】 請求項1に記載の非接触メモリカードに
おいて、前記切欠部が樹脂板にて塞がれ、前記電磁結合
装置が前記ケースより外部に露出しない構造になってい
ることを特徴とする非接触メモリカード。 - 【請求項5】 請求項1に記載の非接触メモリカードに
おいて、前記切欠部が、前記電磁結合装置を構成する電
力用コイル部及び信号用コイル部のうち、電力用コイル
部と対向する部分にのみ形成されていることを特徴とす
る非接触メモリカード。 - 【請求項6】 請求項1に記載の非接触メモリカードに
おいて、前記切欠部の端辺を、前記電磁結合装置を構成
するコアの長さ方向の中央部か、それよりも内側に設定
したことを特徴とする非接触メモリカード。 - 【請求項7】 非接触メモリカードに備えられた電磁結
合装置と結合される第1の電磁結合装置と、相手方装置
に備えられた電磁結合装置と結合される第2の電磁結合
装置と、これら第1及び第2の電磁結合装置を収納する
金属製の上板及び下板を有するケースとを備えた非接触
メモリカード用アダプタにおいて、前記上板及び下板の
前記各電磁結合装置と対向する部分のうち、少なくとも
いずれか一方の電磁結合装置と対向する部分に、切欠部
を設けたことを特徴とする非接触メモリカード用アダプ
タ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7187123A JPH0935027A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 非接触メモリカード及び非接触メモリカード用アダプタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7187123A JPH0935027A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 非接触メモリカード及び非接触メモリカード用アダプタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0935027A true JPH0935027A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16200522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7187123A Withdrawn JPH0935027A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 非接触メモリカード及び非接触メモリカード用アダプタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0935027A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142327A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 非接触給電装置 |
JP2009124040A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 給電装置、受電装置及びその製造方法、非接触型データ及び電力伝送装置 |
JP2010119003A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Smart:Kk | 携帯電話におけるワイヤレスカップリング方式とその製造方法 |
JP2011180878A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toppan Printing Co Ltd | 情報処理装置 |
JP2015220357A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 株式会社デンソー | 電力伝送用パッドおよび非接触電力伝送システム |
-
1995
- 1995-07-24 JP JP7187123A patent/JPH0935027A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003142327A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 非接触給電装置 |
JP2009124040A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 給電装置、受電装置及びその製造方法、非接触型データ及び電力伝送装置 |
JP2010119003A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Smart:Kk | 携帯電話におけるワイヤレスカップリング方式とその製造方法 |
JP2011180878A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toppan Printing Co Ltd | 情報処理装置 |
JP2015220357A (ja) * | 2014-05-19 | 2015-12-07 | 株式会社デンソー | 電力伝送用パッドおよび非接触電力伝送システム |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |