JPH0933616A - 電子ビームプローバ - Google Patents
電子ビームプローバInfo
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- JPH0933616A JPH0933616A JP7187262A JP18726295A JPH0933616A JP H0933616 A JPH0933616 A JP H0933616A JP 7187262 A JP7187262 A JP 7187262A JP 18726295 A JP18726295 A JP 18726295A JP H0933616 A JPH0933616 A JP H0933616A
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- electron
- chip
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、一の電子ビーム照射系のみで、良
品チップ、不良品チップの夫々に電子ビームを照射する
動的故障像取得法用電子ビームプローバを提供する。 【解決手段】 電子ビームプローバに電子ビームを２方
向にチョッパ切り替えする偏向器を設けることにより、
一の電子ビーム照射系のみで良品チップ、不良品チップ
の夫々に電子ビームを照射し、上記課題を達成する。
品チップ、不良品チップの夫々に電子ビームを照射する
動的故障像取得法用電子ビームプローバを提供する。 【解決手段】 電子ビームプローバに電子ビームを２方
向にチョッパ切り替えする偏向器を設けることにより、
一の電子ビーム照射系のみで良品チップ、不良品チップ
の夫々に電子ビームを照射し、上記課題を達成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
不良解析技術に関し、特に電子ビームプローバに関する
ものである。
不良解析技術に関し、特に電子ビームプローバに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程中および製造
完了後の各種試験によって、不良と判定された製品の不
良解析を実施することは、製造歩留まり、品質の向上を
図る上で重要であり、一般的には以下のような方法によ
り不良解析が行なわれる。即ち、不良と判定されたチッ
プは、まず電気的解析により不良発生の原因となる半導
体チップ上のポイントの発見が行なわれ、次にエッチン
グによる配線金属、層間絶縁膜等の除去や、集束イオン
ビームによる断面開孔が行なわれ、不良発生の原因とな
るポイントの電子顕微鏡観察等が行なわれる。そして、
これらの操作により、不良の発生原因を見付けられる。
完了後の各種試験によって、不良と判定された製品の不
良解析を実施することは、製造歩留まり、品質の向上を
図る上で重要であり、一般的には以下のような方法によ
り不良解析が行なわれる。即ち、不良と判定されたチッ
プは、まず電気的解析により不良発生の原因となる半導
体チップ上のポイントの発見が行なわれ、次にエッチン
グによる配線金属、層間絶縁膜等の除去や、集束イオン
ビームによる断面開孔が行なわれ、不良発生の原因とな
るポイントの電子顕微鏡観察等が行なわれる。そして、
これらの操作により、不良の発生原因を見付けられる。
【０００３】ここで、最近の複雑化、高密度化された半
導体デバイスでは、特に不良解析の最初のステップであ
る電気的解析による不良発生原因のポイントの発見が重
要となる。この電気的解析には種々の方法があるが、そ
の１つとして半導体チップの表面に電子ビームを照射
し、このチップ表面から放出される２次電子のエネルギ
ーを分析することで、チップ表面の配線の電圧波形や電
位分布を測定し、不良箇所を発見する方法がある。かか
る２次電子から得られる情報は、配線の電圧波形や電位
分布の情報であるため、これらの情報が期待値に対して
正しいかどうか判定して、不良発生原因のポイントを発
見することが必要となる。上記判定手段としては、測定
した電圧波形とＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ
Ｄｅｓｉｇｎ）でシミュレーションした電圧波形を比
較し故障個所を絞り混むガイデッドプローブ法や、良品
と不良品の半導体チップにおける配線の電位分布を実際
に比較して故障個所を絞り込む方法が開発され用いられ
ている。
導体デバイスでは、特に不良解析の最初のステップであ
る電気的解析による不良発生原因のポイントの発見が重
要となる。この電気的解析には種々の方法があるが、そ
の１つとして半導体チップの表面に電子ビームを照射
し、このチップ表面から放出される２次電子のエネルギ
ーを分析することで、チップ表面の配線の電圧波形や電
位分布を測定し、不良箇所を発見する方法がある。かか
る２次電子から得られる情報は、配線の電圧波形や電位
分布の情報であるため、これらの情報が期待値に対して
正しいかどうか判定して、不良発生原因のポイントを発
見することが必要となる。上記判定手段としては、測定
した電圧波形とＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ
Ｄｅｓｉｇｎ）でシミュレーションした電圧波形を比
較し故障個所を絞り混むガイデッドプローブ法や、良品
と不良品の半導体チップにおける配線の電位分布を実際
に比較して故障個所を絞り込む方法が開発され用いられ
ている。
【０００４】後者の良品と不良品の半導体チップにおけ
る配線の電位分布を実際に比較して故障個所を絞り込む
方法としては、中村らが、日本学術振興会荷電粒子ビー
ムの工業への応用第１３２委員会第１２８回研究会資料
ｐ．１２３（１９９４）で報告した動的故障像取得法
（ＡＦＩ：Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｆａｕｌｔ Ｉｍａｇ
ｉｎｇ）がある。この方法は、半導体チップの良品およ
び不良品のそれぞれの電位分布を示す電位コントラスト
像（電位がハイレベルの箇所は暗く、ローレベルの箇所
は明るく観察される）を、１つのディスプレイの同一箇
所に交互に高速に表示することによって良品と不良品の
差即ち故障像を得るものである。図３はこれを示したも
ので、良品（ａ）と不良品（ｂ）で電位に差が生じた配
線（不良箇所）は、明度が等しい他の部分（良品箇所）
と異なり明度が交互に変化するため点滅して表示され
（ｃ）、容易で迅速な不良解析が可能となる。
る配線の電位分布を実際に比較して故障個所を絞り込む
方法としては、中村らが、日本学術振興会荷電粒子ビー
ムの工業への応用第１３２委員会第１２８回研究会資料
ｐ．１２３（１９９４）で報告した動的故障像取得法
（ＡＦＩ：Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｆａｕｌｔ Ｉｍａｇ
ｉｎｇ）がある。この方法は、半導体チップの良品およ
び不良品のそれぞれの電位分布を示す電位コントラスト
像（電位がハイレベルの箇所は暗く、ローレベルの箇所
は明るく観察される）を、１つのディスプレイの同一箇
所に交互に高速に表示することによって良品と不良品の
差即ち故障像を得るものである。図３はこれを示したも
ので、良品（ａ）と不良品（ｂ）で電位に差が生じた配
線（不良箇所）は、明度が等しい他の部分（良品箇所）
と異なり明度が交互に変化するため点滅して表示され
（ｃ）、容易で迅速な不良解析が可能となる。
【０００５】次に、この動的故障像取得法を実現するた
めに中村らが提案しているシステムを図４に示す。本シ
ステムでは、電子ビームプローバの鏡体１の試料ステー
ジ８が、該試料ステージ８を高速で移動できる良／不良
チップ自動切り替えユニット７上に取り付けられ、電子
銃４から放射され、コンデンサレンズ２、対物レンズ３
で収束された電子ビーム１１が、試料ステージ８が高速
で移動することにより、良品チップ９および不良品チッ
プ１０上に、高速で切り替えられながら照射できるよう
になっている。良品チップ９、不良品チップ１０の電位
コントラスト像は、制御用ワークステーション６のディ
スプレイ上に表示され、電位に差が生じた配線は図３
（ｃ）に示したように点滅して表示されることで故障像
が得られる。なお、良品チップ９、不良品チップ１０は
ＬＳＩテスタ５で動作されている。
めに中村らが提案しているシステムを図４に示す。本シ
ステムでは、電子ビームプローバの鏡体１の試料ステー
ジ８が、該試料ステージ８を高速で移動できる良／不良
チップ自動切り替えユニット７上に取り付けられ、電子
銃４から放射され、コンデンサレンズ２、対物レンズ３
で収束された電子ビーム１１が、試料ステージ８が高速
で移動することにより、良品チップ９および不良品チッ
プ１０上に、高速で切り替えられながら照射できるよう
になっている。良品チップ９、不良品チップ１０の電位
コントラスト像は、制御用ワークステーション６のディ
スプレイ上に表示され、電位に差が生じた配線は図３
（ｃ）に示したように点滅して表示されることで故障像
が得られる。なお、良品チップ９、不良品チップ１０は
ＬＳＩテスタ５で動作されている。
【０００６】図５は、図４の良／不良チップ自動切り替
えユニット７を用いる代わりに電子ビームプローバを２
台、すなわち鏡体１を２台用いて、良品チップ９、不良
品チップ１０の電位コントラスト像を１つのディスプレ
イの同一箇所に交互に高速に表示することによって、良
品と不良品の差（故障像）を得るシステムである。
えユニット７を用いる代わりに電子ビームプローバを２
台、すなわち鏡体１を２台用いて、良品チップ９、不良
品チップ１０の電位コントラスト像を１つのディスプレ
イの同一箇所に交互に高速に表示することによって、良
品と不良品の差（故障像）を得るシステムである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように動的故障
像取得法を実現するために２つのシステムが考えられて
いるが、それぞれに問題があった。即ち、図４のシステ
ムでは、良／不良チップ自動切り替えユニット７によ
り、試料ステージ８を高速にかつ高い位置精度で動作さ
せる必要がある。この場合の位置精度としては、半導体
チップ上の配線幅以下即ち１．０μｍ程度以下の精度が
要求され、動作速度即ち良品チップ９と不良品チップ１
０の変換速度としては、１秒以下の速度が要求される。
このように高速・高精度で試料ステージ８を移動させな
ければ、図３（ｃ）に示したような明度が交互に変化し
点滅して見える故障像は得られず、このような機械精度
を得ることは非常に困難である。一方、図５に示すシス
テムでは、良品チップ９と不良品チップ１０を高速・高
精度で動作させる必要はないが、電子ビームプローバを
２台用いているためシステム自体が非常に高価になると
いう欠点がある。そこで、本発明は、一の電子ビーム照
射系のみで、良品チップ、不良品チップの夫々に電子ビ
ームを照射する動的故障像取得法用の電子ビームプロー
バを提供することを目的とする。
像取得法を実現するために２つのシステムが考えられて
いるが、それぞれに問題があった。即ち、図４のシステ
ムでは、良／不良チップ自動切り替えユニット７によ
り、試料ステージ８を高速にかつ高い位置精度で動作さ
せる必要がある。この場合の位置精度としては、半導体
チップ上の配線幅以下即ち１．０μｍ程度以下の精度が
要求され、動作速度即ち良品チップ９と不良品チップ１
０の変換速度としては、１秒以下の速度が要求される。
このように高速・高精度で試料ステージ８を移動させな
ければ、図３（ｃ）に示したような明度が交互に変化し
点滅して見える故障像は得られず、このような機械精度
を得ることは非常に困難である。一方、図５に示すシス
テムでは、良品チップ９と不良品チップ１０を高速・高
精度で動作させる必要はないが、電子ビームプローバを
２台用いているためシステム自体が非常に高価になると
いう欠点がある。そこで、本発明は、一の電子ビーム照
射系のみで、良品チップ、不良品チップの夫々に電子ビ
ームを照射する動的故障像取得法用の電子ビームプロー
バを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、発明者らは鋭意
研究の結果、電子ビームプローバに電子ビームを２方向
にチョッパ切り替えする偏向器を設けることにより、一
の電子ビーム照射系のみで良品チップ、不良品チップの
夫々に電子ビームを照射でき、試料ステージの移動なし
に動的故障像取得法が実施できることを見出し、本発明
を完成した。
研究の結果、電子ビームプローバに電子ビームを２方向
にチョッパ切り替えする偏向器を設けることにより、一
の電子ビーム照射系のみで良品チップ、不良品チップの
夫々に電子ビームを照射でき、試料ステージの移動なし
に動的故障像取得法が実施できることを見出し、本発明
を完成した。
【０００９】即ち、本発明は半導体集積回路のチップ表
面に電子ビームを照射し、該チップ表面から放出される
２次電子のエネルギを分析することで、該チップ表面の
配線の電圧波形や電位分布を測定する電子ビームプロー
バであって、電子ビームを放出する１つの電子銃と、該
電子銃から放出された電子ビームを集束する１つのコン
デンサレンズと、該コンデンサレンズで集束された電子
ビームを２方向にチョッパ切替する第１偏向器と、該第
１偏向器により２方向に放出された２つの電子ビーム
を、チップ表面に対して垂直方向になるように軌道修正
する第２偏向器と、該軌道修正された電子ビームを集束
する対物レンズとを備えることを特徴とする電子ビーム
プローバの構造にある。
面に電子ビームを照射し、該チップ表面から放出される
２次電子のエネルギを分析することで、該チップ表面の
配線の電圧波形や電位分布を測定する電子ビームプロー
バであって、電子ビームを放出する１つの電子銃と、該
電子銃から放出された電子ビームを集束する１つのコン
デンサレンズと、該コンデンサレンズで集束された電子
ビームを２方向にチョッパ切替する第１偏向器と、該第
１偏向器により２方向に放出された２つの電子ビーム
を、チップ表面に対して垂直方向になるように軌道修正
する第２偏向器と、該軌道修正された電子ビームを集束
する対物レンズとを備えることを特徴とする電子ビーム
プローバの構造にある。
【００１０】上記構成によれば、電子ビームプローバ
が、１つの電子銃と、１つのコンデンサレンズと、第１
偏向器と、第２偏向器と、対物レンズとを備えることに
より（図１）、第１偏向器でチョッパ切替した電子ビー
ムを第１ステージ上に設置した良品チップおよび不良品
チップに夫々照射することが可能となり、従来のような
該第１ステージの高速移動（図４）を行わずに動的故障
像取得法による故障解析（図３）が可能となる。
が、１つの電子銃と、１つのコンデンサレンズと、第１
偏向器と、第２偏向器と、対物レンズとを備えることに
より（図１）、第１偏向器でチョッパ切替した電子ビー
ムを第１ステージ上に設置した良品チップおよび不良品
チップに夫々照射することが可能となり、従来のような
該第１ステージの高速移動（図４）を行わずに動的故障
像取得法による故障解析（図３）が可能となる。
【００１１】また、本発明は半導体集積回路のチップ表
面に電子ビームを照射し、該チップ表面から放出される
２次電子のエネルギを分析することで、該チップ表面の
配線の電圧波形や電位分布を測定する電子ビームプロー
バであって、電子ビームを放出する２つの電子銃と、該
電子銃から放出された２つの電子ビームを、それぞれ独
立した状態で集束する２つのコンデンサレンズと、該コ
ンデンサレンズで集束された２つの電子ビームを、それ
ぞれ独立した状態で集束する２つの対物レンズとを備え
ることを特徴とする構造であっても良い。
面に電子ビームを照射し、該チップ表面から放出される
２次電子のエネルギを分析することで、該チップ表面の
配線の電圧波形や電位分布を測定する電子ビームプロー
バであって、電子ビームを放出する２つの電子銃と、該
電子銃から放出された２つの電子ビームを、それぞれ独
立した状態で集束する２つのコンデンサレンズと、該コ
ンデンサレンズで集束された２つの電子ビームを、それ
ぞれ独立した状態で集束する２つの対物レンズとを備え
ることを特徴とする構造であっても良い。
【００１２】上記構成によれば、電子ビームプローバ
が、２つの電子銃と、２つのコンデンサレンズと、２つ
の対物レンズとを備えることにより、一の電子ビームプ
ローバ内に２系統の電子銃等の電子ビーム照射系を設け
ることができ（図２）、電子ビームプローバ自体を２台
設けていた従来例（図５）に比べて構成の簡単なシステ
ムで、動的故障像取得法による故障解析（図３）が可能
となる。
が、２つの電子銃と、２つのコンデンサレンズと、２つ
の対物レンズとを備えることにより、一の電子ビームプ
ローバ内に２系統の電子銃等の電子ビーム照射系を設け
ることができ（図２）、電子ビームプローバ自体を２台
設けていた従来例（図５）に比べて構成の簡単なシステ
ムで、動的故障像取得法による故障解析（図３）が可能
となる。
【００１３】尚、本発明は、半導体集積回路のチップ表
面に電子ビームを照射し、該チップ表面から放出される
２次電子のエネルギを分析することにより、該チップ表
面の配線の電圧波形や電位分布を調べて故障解析を行う
ものであるため、単に２次電子の量を測定することによ
り故障解析を行う方法では不可能であった故障箇所（例
えば電極等の表面形状には欠陥がなくても、電極等の抵
抗値等に問題がある場合）の発見も可能である。
面に電子ビームを照射し、該チップ表面から放出される
２次電子のエネルギを分析することにより、該チップ表
面の配線の電圧波形や電位分布を調べて故障解析を行う
ものであるため、単に２次電子の量を測定することによ
り故障解析を行う方法では不可能であった故障箇所（例
えば電極等の表面形状には欠陥がなくても、電極等の抵
抗値等に問題がある場合）の発見も可能である。
【００１４】
実施の形態１ 図１は本発明の実施の形態１を示したものである。図
中、１は鏡体、２はコンデンサレンズ、３は対物レン
ズ、４は電子銃、５はＬＳＩテスタ、６は制御用ワーク
ステーション、８ａは第２ステージ、８ｂ、８ｃは第１
ステージ、９は良品チップ、１０は不良品チップ、１１
は電子ビーム、１２は第１偏向器、１３は第２偏向器を
示す。ここで、本発明は、１台の電子ビームプローバで
良品チップ９、不良品チップ１０のそれぞれに独立した
電子ビームを照射できるように構成した鏡体を持つもの
であり、対物レンズ３は、良品チップ９、不良品チップ
１０のそれぞれに対して配置したものである。
中、１は鏡体、２はコンデンサレンズ、３は対物レン
ズ、４は電子銃、５はＬＳＩテスタ、６は制御用ワーク
ステーション、８ａは第２ステージ、８ｂ、８ｃは第１
ステージ、９は良品チップ、１０は不良品チップ、１１
は電子ビーム、１２は第１偏向器、１３は第２偏向器を
示す。ここで、本発明は、１台の電子ビームプローバで
良品チップ９、不良品チップ１０のそれぞれに独立した
電子ビームを照射できるように構成した鏡体を持つもの
であり、対物レンズ３は、良品チップ９、不良品チップ
１０のそれぞれに対して配置したものである。
【００１５】図１において、１つの電子銃４から放出さ
れ、コンデンサレンズ２で収束された電子ビーム１１
は、第１偏向器１２を用いて２方向にチョッパ切り替え
で分けられ、第２偏向器１３を用いてチップに垂直に照
射できる軌道に修正された後、対物レンズ３を介して良
品チップ９、不良品チップ１０にそれぞれ照射される。
本実施の形態は、図５に示した２つの電子ビームプロー
バを用いた従来例のシステムと同一の機能を奏するもの
で、鏡体１が１つの場合（図４）、従来必要であった良
／不良チップ自動切り替えユニット７を用いずに、動的
故障像取得法を実現することを可能とするものである。
れ、コンデンサレンズ２で収束された電子ビーム１１
は、第１偏向器１２を用いて２方向にチョッパ切り替え
で分けられ、第２偏向器１３を用いてチップに垂直に照
射できる軌道に修正された後、対物レンズ３を介して良
品チップ９、不良品チップ１０にそれぞれ照射される。
本実施の形態は、図５に示した２つの電子ビームプロー
バを用いた従来例のシステムと同一の機能を奏するもの
で、鏡体１が１つの場合（図４）、従来必要であった良
／不良チップ自動切り替えユニット７を用いずに、動的
故障像取得法を実現することを可能とするものである。
【００１６】また、対物レンズで集束された２つの電子
ビームを、独立した状態で照射する２つのチップを夫々
配置し、１つはＸ軸方向およびＹ軸方向に可動であり、
他の１つはＸ軸およびＹ軸ともに固定されている２つの
第１ステージ８ｂ、８ｃと、該２つの第１ステージを隣
接して配置したＸ軸およびＹ軸方向に可動な第２ステー
ジ８ａを備えることにより、上記電子ビームが、良／不
良チップの対応する場所に正確に照射されるように、調
整することができる。
ビームを、独立した状態で照射する２つのチップを夫々
配置し、１つはＸ軸方向およびＹ軸方向に可動であり、
他の１つはＸ軸およびＹ軸ともに固定されている２つの
第１ステージ８ｂ、８ｃと、該２つの第１ステージを隣
接して配置したＸ軸およびＹ軸方向に可動な第２ステー
ジ８ａを備えることにより、上記電子ビームが、良／不
良チップの対応する場所に正確に照射されるように、調
整することができる。
【００１７】実施の形態２ 図２は本発明の実施の形態２を示したものである。図１
と同一符号は同一部分を示す。図２の実施の形態の構成
は、図５に示した従来例では独立して設けられていた２
つの電子ビームプローバの構成部品を、１つの鏡体１内
に設けた構造をとっており、図５に示した２つの電子ビ
ームプローバを用いた従来例のシステムと同一の機能を
奏するものである。
と同一符号は同一部分を示す。図２の実施の形態の構成
は、図５に示した従来例では独立して設けられていた２
つの電子ビームプローバの構成部品を、１つの鏡体１内
に設けた構造をとっており、図５に示した２つの電子ビ
ームプローバを用いた従来例のシステムと同一の機能を
奏するものである。
【００１８】尚、本実施の形態においても、対物レンズ
で集束された２つの電子ビームを、独立した状態で照射
する２つのチップを夫々配置し、１つはＸ軸方向および
Ｙ軸方向に可動であり、他の１つはＸ軸およびＹ軸とも
に固定されている２つの第１ステージ８ｂ、８ｃと、該
２つの第１ステージを隣接して配置したＸ軸およびＹ軸
方向に可動な第２ステージ８ａを備えることにより、上
記電子ビームが、良／不良チップの対応する場所に正確
に照射されるように、調整することができる。
で集束された２つの電子ビームを、独立した状態で照射
する２つのチップを夫々配置し、１つはＸ軸方向および
Ｙ軸方向に可動であり、他の１つはＸ軸およびＹ軸とも
に固定されている２つの第１ステージ８ｂ、８ｃと、該
２つの第１ステージを隣接して配置したＸ軸およびＹ軸
方向に可動な第２ステージ８ａを備えることにより、上
記電子ビームが、良／不良チップの対応する場所に正確
に照射されるように、調整することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、電子ビームプローバが、１つの電子銃と、１つ
のコンデンサレンズと、第１偏向器と、第２偏向器と、
対物レンズとを備えることにより、動的故障像取得法に
おいて従来必要とされた第１ステージの高精度な高速動
作の制御が不要となり、容易かつ安価に高精度な動的故
障像取得法の実施が可能となる。
よれば、電子ビームプローバが、１つの電子銃と、１つ
のコンデンサレンズと、第１偏向器と、第２偏向器と、
対物レンズとを備えることにより、動的故障像取得法に
おいて従来必要とされた第１ステージの高精度な高速動
作の制御が不要となり、容易かつ安価に高精度な動的故
障像取得法の実施が可能となる。
【００２０】また本発明によれば、電子ビームプローバ
が、２つの電子銃と、２つのコンデンサレンズと、２つ
の対物レンズとを備えることにより、従来に比べて安価
な装置で動的故障像取得法の実施が可能となる。
が、２つの電子銃と、２つのコンデンサレンズと、２つ
の対物レンズとを備えることにより、従来に比べて安価
な装置で動的故障像取得法の実施が可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態１にかかる電子ビームプ
ローバの構成図である。
ローバの構成図である。
【図２】 本発明の実施の形態２にかかる電子ビームプ
ローバの構成図である。
ローバの構成図である。
【図３】 動的故障像取得法によるチップの電位分布を
示すコントラスト像の図である。 （ａ） 良品チップの電位分布を示すコントラスト像 （ｂ） 不良品チップの電位分布を示すコントラスト像 （ｃ） チップの故障像
示すコントラスト像の図である。 （ａ） 良品チップの電位分布を示すコントラスト像 （ｂ） 不良品チップの電位分布を示すコントラスト像 （ｃ） チップの故障像
【図４】 従来の電子ビームプローバの構成図である。
【図５】 従来の電子ビームプローバの構成図である。
１ 鏡体、２ コンデンサレンズ、３ 対物レンズ、４
電子銃、５ ＬＳＩテスタ、６ 制御用ワークステー
ション、７ 良／不良チップ自動切り替えユニット、８
試料ステージ、８ａ 第２ステージ、８ｂ、８ｃ 第
１ステージ、９良品チップ、１０ 不良品チップ、１１
電子ビーム、１２ 第１偏向器、１３ 第２偏向器、
１０１ ローレベル像、１０２ ハイレベル像、１０３
点滅像。
電子銃、５ ＬＳＩテスタ、６ 制御用ワークステー
ション、７ 良／不良チップ自動切り替えユニット、８
試料ステージ、８ａ 第２ステージ、８ｂ、８ｃ 第
１ステージ、９良品チップ、１０ 不良品チップ、１１
電子ビーム、１２ 第１偏向器、１３ 第２偏向器、
１０１ ローレベル像、１０２ ハイレベル像、１０３
点滅像。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体集積回路のチップ表面に電子ビー
ムを照射し、該チップ表面から放出される２次電子のエ
ネルギを分析することで、該チップ表面の配線の電圧波
形や電位分布を測定する電子ビームプローバにおいて、 電子ビームを放出する１つの電子銃と、 該電子銃から放出された電子ビームを集束する１つのコ
ンデンサレンズと、 該コンデンサレンズで集束された電子ビームを２方向に
チョッパ切替する第１偏向器と、 該第１偏向器により２方向に放出された２つの電子ビー
ムを、チップ表面に対して垂直方向になるように軌道修
正する第２偏向器と、 該軌道修正された電子ビームを集束する対物レンズとを
備えることを特徴とする電子ビームプローバ。 - 【請求項２】 半導体集積回路のチップ表面に電子ビー
ムを照射し、該チップ表面から放出される２次電子のエ
ネルギを分析することで、該チップ表面の配線の電圧波
形や電位分布を測定する電子ビームプローバにおいて、 電子ビームを放出する２つの電子銃と、 該電子銃から放出された２つの電子ビームを、それぞれ
独立した状態で集束する２つのコンデンサレンズと、 該コンデンサレンズで集束された２つの電子ビームを、
それぞれ独立した状態で集束する２つの対物レンズとを
備えることを特徴とする電子ビームプローバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7187262A JPH0933616A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 電子ビームプローバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7187262A JPH0933616A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 電子ビームプローバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0933616A true JPH0933616A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16202904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7187262A Pending JPH0933616A (ja) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | 電子ビームプローバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0933616A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815960B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Electron beam test system and electron beam test method |
| US6839646B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-01-04 | Seiko Epson Corporation | Electron beam test system and electron beam test method |
-
1995
- 1995-07-24 JP JP7187262A patent/JPH0933616A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815960B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-11-09 | Seiko Epson Corporation | Electron beam test system and electron beam test method |
| US6839646B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-01-04 | Seiko Epson Corporation | Electron beam test system and electron beam test method |
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