JPH09331230A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH09331230A JPH09331230A JP17065196A JP17065196A JPH09331230A JP H09331230 A JPH09331230 A JP H09331230A JP 17065196 A JP17065196 A JP 17065196A JP 17065196 A JP17065196 A JP 17065196A JP H09331230 A JPH09331230 A JP H09331230A
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- JP
- Japan
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- filter
- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode
- reflector
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の１次−３次縦結合ＤＭＳフィルタの二
段縦続接続構成においては、通過帯域近傍の高周波側
（中心周波数から高周波側に＋３．５ＭＨｚから＋４．
５ＭＨｚの周波数帯 ）で減衰量十分に取れないという
欠点があった。本発明は上記課題を解決するためになさ
れたものである。 【解決手段】 四ほう酸リチウム基板上に形成した縦結
合ＤＭＳフィルタにおいて、反射器の電極指本数Ｍと、
前記反射器の電極周期λrに対するＩＤＴの周期λiの比
λi／λrとが、 0.0008×Ｍ＋0.965≦λi／λr≦0.0015×Ｍ＋0.971 または 0.00055×Ｍ＋0.951≦λi／λr≦0.0006×Ｍ＋0.957 の関係である弾性表面波デバイスである。
段縦続接続構成においては、通過帯域近傍の高周波側
（中心周波数から高周波側に＋３．５ＭＨｚから＋４．
５ＭＨｚの周波数帯 ）で減衰量十分に取れないという
欠点があった。本発明は上記課題を解決するためになさ
れたものである。 【解決手段】 四ほう酸リチウム基板上に形成した縦結
合ＤＭＳフィルタにおいて、反射器の電極指本数Ｍと、
前記反射器の電極周期λrに対するＩＤＴの周期λiの比
λi／λrとが、 0.0008×Ｍ＋0.965≦λi／λr≦0.0015×Ｍ＋0.971 または 0.00055×Ｍ＋0.951≦λi／λr≦0.0006×Ｍ＋0.957 の関係である弾性表面波デバイスである。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は弾性表面波デバイスに関
し、特にインターディジタル・トランスジューサ（以
下、ＩＤＴと云う）間の音響結合を用いて構成する数１
０ＭＨｚ乃至１ＧＨｚ帯の弾性表面波デバイスに関す
る。
し、特にインターディジタル・トランスジューサ（以
下、ＩＤＴと云う）間の音響結合を用いて構成する数１
０ＭＨｚ乃至１ＧＨｚ帯の弾性表面波デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ここ数年、８００ＭＨｚ乃至１．５ＧＨ
ｚ帯の携帯電話が急速に普及し、それに伴って受信部に
用いられる１ｓｔＩＦフィルタとして、中帯域バンドパ
スフィルタ（比帯域幅が０．３％程度）の需要が増大し
ている。該フィルタとして水晶ＳＴカット基板を用いた
一方向性トランスバーサル型フィルタが用いられている
が、多数のＩＤＴ総対数を必要とするため基板サイズが
大きくなり小型化には適さない。従来から圧電基板上に
複数個のＩＤＴをこれらＩＤＴが励起する弾性表面波
（以下、ＳＡＷと云う）の伝搬方向に沿って平行に近接
配置し、前記複数個のＩＤＴ下で音響結合を生ぜしめて
複数のモードを励起し、その複数の共振周波数を利用し
て通過帯域フィルタを構成した所謂縦結合多重モードＳ
ＡＷフィルタ（以下、縦結合ＤＭＳフィルタと云う）が
数多く用いられてきた。
ｚ帯の携帯電話が急速に普及し、それに伴って受信部に
用いられる１ｓｔＩＦフィルタとして、中帯域バンドパ
スフィルタ（比帯域幅が０．３％程度）の需要が増大し
ている。該フィルタとして水晶ＳＴカット基板を用いた
一方向性トランスバーサル型フィルタが用いられている
が、多数のＩＤＴ総対数を必要とするため基板サイズが
大きくなり小型化には適さない。従来から圧電基板上に
複数個のＩＤＴをこれらＩＤＴが励起する弾性表面波
（以下、ＳＡＷと云う）の伝搬方向に沿って平行に近接
配置し、前記複数個のＩＤＴ下で音響結合を生ぜしめて
複数のモードを励起し、その複数の共振周波数を利用し
て通過帯域フィルタを構成した所謂縦結合多重モードＳ
ＡＷフィルタ（以下、縦結合ＤＭＳフィルタと云う）が
数多く用いられてきた。
【０００３】例えば、圧電基板として水晶ＳＴカットを
用いると比較的狭帯域のバンドパスフィルタ（比帯域幅
が０．０５％程度）を構成することができ、また、３６
度Ｙカットリチウムタンタレートを用いると比較的広帯
域のバンドパスフィルタ（比帯域幅２〜３％程度）を構
成することが出来る。縦結合ＤＭＳフィルタは、トラン
スバーサル型フィルタとは構成が異なり、反射器間に電
極指対数の比較的少ないＩＤＴを複数個近接配置するこ
とにより、振動エネルギーを反射器間に閉じ込めるもの
であるから、弾性表面波フィルタの小型化に適してい
る。また、水晶ＳＴカットと３６度Ｙカットリチウムタ
ンタレートのほぼ中間の電気機械結合係数を有する４５
度Ｘカット四ほう酸リチウムを用いて縦結合ＤＭＳフィ
ルタを構成すれば、中帯域のバンドパスフィルタを実現
することができ、且つ、小型化が可能となる。
用いると比較的狭帯域のバンドパスフィルタ（比帯域幅
が０．０５％程度）を構成することができ、また、３６
度Ｙカットリチウムタンタレートを用いると比較的広帯
域のバンドパスフィルタ（比帯域幅２〜３％程度）を構
成することが出来る。縦結合ＤＭＳフィルタは、トラン
スバーサル型フィルタとは構成が異なり、反射器間に電
極指対数の比較的少ないＩＤＴを複数個近接配置するこ
とにより、振動エネルギーを反射器間に閉じ込めるもの
であるから、弾性表面波フィルタの小型化に適してい
る。また、水晶ＳＴカットと３６度Ｙカットリチウムタ
ンタレートのほぼ中間の電気機械結合係数を有する４５
度Ｘカット四ほう酸リチウムを用いて縦結合ＤＭＳフィ
ルタを構成すれば、中帯域のバンドパスフィルタを実現
することができ、且つ、小型化が可能となる。
【０００４】図３は、１次−３次モードを利用した縦結
合ＤＭＳフィルタの構成法を示す模式図である。４５度
Ｘカット四ほう酸リチウム基板５の主面上の中央にＩＤ
Ｔ６と、その両側にＩＤＴ７ａ、７ｂと、最外側に反射
器８ａ、８ｂとを前記ＩＤＴ６、７ａおよび７ｂによっ
て励起される弾性表面波の伝搬方向に沿って平行に近接
配置する。ＩＤＴ６、７ａおよび７ｂを近接配置するこ
とにより、前記ＩＤＴ下で音響結合を生じせしめ、その
結果、１次モードと３次モードを強勢に励振することが
できる。この２つのモードを利用して、ＩＤＴ６の一方
の端子を入力とし、他方の端子を接地し、さらにＩＤＴ
７ａと７ｂのそれぞれ一方の端子を接地し、それぞれの
他方の端子を接続し出力とすれば、１次−３次縦結合Ｄ
ＭＳフィルタが構成できる。
合ＤＭＳフィルタの構成法を示す模式図である。４５度
Ｘカット四ほう酸リチウム基板５の主面上の中央にＩＤ
Ｔ６と、その両側にＩＤＴ７ａ、７ｂと、最外側に反射
器８ａ、８ｂとを前記ＩＤＴ６、７ａおよび７ｂによっ
て励起される弾性表面波の伝搬方向に沿って平行に近接
配置する。ＩＤＴ６、７ａおよび７ｂを近接配置するこ
とにより、前記ＩＤＴ下で音響結合を生じせしめ、その
結果、１次モードと３次モードを強勢に励振することが
できる。この２つのモードを利用して、ＩＤＴ６の一方
の端子を入力とし、他方の端子を接地し、さらにＩＤＴ
７ａと７ｂのそれぞれ一方の端子を接地し、それぞれの
他方の端子を接続し出力とすれば、１次−３次縦結合Ｄ
ＭＳフィルタが構成できる。
【０００５】図４のフィルタ構成は、図３の１次−３次
縦結合ＤＭＳフィルタを１枚の圧電基板上にＡ、Ｂ二つ
並列配置し、それらを縦続接続して構成したものであ
る。その構成は、４５度Ｘカット四ほう酸リチウム基板
９の中央にＩＤＴ１０と、その両側にＩＤＴ１１ａ、１
１ｂと、更に最外側に反射器１２ａ、１２ｂとを配置し
縦結合ＤＭＳフィルタＡを構成し、更に、同一パラメー
タの縦結合ＤＭＳフィルタＢを構成し、前記フィルタ
Ａ、Ｂを縦続接続するようにリード電極を配線する。縦
結合ＤＭＳフィルタＡ、Ｂを二個縦続構成とすれば単独
の場合よりも、減衰量を大きくすることができる。ま
た、前記フィルタＡ、Ｂは必ずしも同一パラメータであ
る必要はなく、インピーダンスの整合に留意すればパラ
メータｇ異なるものを組み合わせてもよい。ＩＤＴ、反
射器およびリード電極等は、蒸着あるいはスパッタ等を
用いてアルミニュウム（Ａｌ）あるいはアルミニュウム
合金を圧電基板上に付着し、フォトリソグラフィ手法で
これを所望のパターンに形成するのが一般的である。
縦結合ＤＭＳフィルタを１枚の圧電基板上にＡ、Ｂ二つ
並列配置し、それらを縦続接続して構成したものであ
る。その構成は、４５度Ｘカット四ほう酸リチウム基板
９の中央にＩＤＴ１０と、その両側にＩＤＴ１１ａ、１
１ｂと、更に最外側に反射器１２ａ、１２ｂとを配置し
縦結合ＤＭＳフィルタＡを構成し、更に、同一パラメー
タの縦結合ＤＭＳフィルタＢを構成し、前記フィルタ
Ａ、Ｂを縦続接続するようにリード電極を配線する。縦
結合ＤＭＳフィルタＡ、Ｂを二個縦続構成とすれば単独
の場合よりも、減衰量を大きくすることができる。ま
た、前記フィルタＡ、Ｂは必ずしも同一パラメータであ
る必要はなく、インピーダンスの整合に留意すればパラ
メータｇ異なるものを組み合わせてもよい。ＩＤＴ、反
射器およびリード電極等は、蒸着あるいはスパッタ等を
用いてアルミニュウム（Ａｌ）あるいはアルミニュウム
合金を圧電基板上に付着し、フォトリソグラフィ手法で
これを所望のパターンに形成するのが一般的である。
【０００６】しかし、例えば、上記図４の構成の１次−
３次縦結合ＤＭＳフィルタを一般的設計手法に基づき設
計すると下記のようなパラメータ得られ、そのフィルタ
特性は図６のような濾波特性なる。 ＩＤＴ電極総対数 １４０対 反射器本数 ６０本 ＩＤＴ電極交叉長 １５λi λi／λr ０．９８２ ここで、λiは図５（ａ）に示すＩＤＴの電極周期であ
り、λrは図５（ｂ）に示す反射器の電極周期である。
図６の濾波特性から明らかなように通過域近傍の高周波
側（中心周波数から高周波側に＋３．５ＭＨｚから＋
４．５ＭＨｚ離れた周波数帯 ）の減衰量が十分に得ら
れないという欠点がある。なお、通過帯域の低周波側に
も−１ＭＨｚあたりと−１．５ＭＨｚあたりに減衰が取
れていない部分があるが、これは第二ＩＦフィルタとロ
ーカル発振器を適宜選択することにより解決することが
出来ることが知られている。上述の欠点を改善するため
に、従来は、更にもう一つの同様なフィルタを縦続接続
した３段縦続接続構成とすることにより必要とする減衰
量を得ていた。
３次縦結合ＤＭＳフィルタを一般的設計手法に基づき設
計すると下記のようなパラメータ得られ、そのフィルタ
特性は図６のような濾波特性なる。 ＩＤＴ電極総対数 １４０対 反射器本数 ６０本 ＩＤＴ電極交叉長 １５λi λi／λr ０．９８２ ここで、λiは図５（ａ）に示すＩＤＴの電極周期であ
り、λrは図５（ｂ）に示す反射器の電極周期である。
図６の濾波特性から明らかなように通過域近傍の高周波
側（中心周波数から高周波側に＋３．５ＭＨｚから＋
４．５ＭＨｚ離れた周波数帯 ）の減衰量が十分に得ら
れないという欠点がある。なお、通過帯域の低周波側に
も−１ＭＨｚあたりと−１．５ＭＨｚあたりに減衰が取
れていない部分があるが、これは第二ＩＦフィルタとロ
ーカル発振器を適宜選択することにより解決することが
出来ることが知られている。上述の欠点を改善するため
に、従来は、更にもう一つの同様なフィルタを縦続接続
した３段縦続接続構成とすることにより必要とする減衰
量を得ていた。
【０００７】
【発明が解決しようする課題】しかしながら、三段縦続
接続構成とすれば、高周波側の阻止域に現れていたスプ
リアスを低減することができるもののフィルタの挿入損
失が増大する、フィルタの形状が大きくなる、あるいは
縦続段数が増加するに伴って良品率も低下してコスト増
大となる等の欠点があり、小型化、高性能化が進んでい
る携帯電話のＩＦフィルタに対する要求を満足すること
が出来ないという問題があった。本発明は上記課題を解
決するためになされたものであって、比帯域幅が０．３
％程度で、通過域近傍の高周波側の減衰量が大きく且
つ、小型な弾性表面波フィルタを提供することにある。
接続構成とすれば、高周波側の阻止域に現れていたスプ
リアスを低減することができるもののフィルタの挿入損
失が増大する、フィルタの形状が大きくなる、あるいは
縦続段数が増加するに伴って良品率も低下してコスト増
大となる等の欠点があり、小型化、高性能化が進んでい
る携帯電話のＩＦフィルタに対する要求を満足すること
が出来ないという問題があった。本発明は上記課題を解
決するためになされたものであって、比帯域幅が０．３
％程度で、通過域近傍の高周波側の減衰量が大きく且
つ、小型な弾性表面波フィルタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る弾性表面波デバイスの請求項１記載の発
明は、四ほう酸リチウム単結晶圧電基板上に三個のＩＤ
Ｔを当該電極が励起する弾性表面波の伝搬方向に沿って
近接配置すると共に、前記三個のＩＤＴの両側に反射器
を配置し、前記三個のＩＤＴ間に音響結合を生ぜしめ且
つ、反射器間に閉じ込めることにより１次及び３次のモ
ードを強勢に励起するように構成したＳＡＷフィルタに
おいて、前記反射器の電極指本数Ｍと、前記反射器の電
極周期λrに対する前記ＩＤＴの周期λiの比λi／λrと
が、
に本発明に係る弾性表面波デバイスの請求項１記載の発
明は、四ほう酸リチウム単結晶圧電基板上に三個のＩＤ
Ｔを当該電極が励起する弾性表面波の伝搬方向に沿って
近接配置すると共に、前記三個のＩＤＴの両側に反射器
を配置し、前記三個のＩＤＴ間に音響結合を生ぜしめ且
つ、反射器間に閉じ込めることにより１次及び３次のモ
ードを強勢に励起するように構成したＳＡＷフィルタに
おいて、前記反射器の電極指本数Ｍと、前記反射器の電
極周期λrに対する前記ＩＤＴの周期λiの比λi／λrと
が、
【０００９】
【数１】
【００１０】または
【００１１】
【数２】
【００１２】の関係であることを特徴とする弾性表面波
デバイスである。
デバイスである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態に基づいて詳細に説明する。本発明者は、フィル
タ通過域近傍の高周波側の減衰量を大きくすべく、あら
ゆる設計パラメータについて検討を行った。図１は、反
射器の電極周期λrに対するＩＤＴの電極周期λiの比λ
i／λrと、反射器の電極本数Ｍとの関係を示す図であ
る。図１の斜線で示した部分即ち、領域Ａ及びＢの意味
するところは、該領域内のパラメータを採用して二段縦
続接続型縦結合ＤＭＳフィルタを設計すれば、フィルタ
の通過帯域近傍の高周波側（中心周波数から高周波側に
＋３．５ＭＨｚから＋４．５ＭＨｚ離れた周波数帯 ）
の阻止域減衰量が３５ｄＢ以上得られるλi／λrの範囲
を表している。図１から明らかなように前記領域Ａは直
線１と直線２で囲まれ、前記領域Ｂは直線３と直線４で
囲まれる。この直線１を近似的に多項式で表すと
の形態に基づいて詳細に説明する。本発明者は、フィル
タ通過域近傍の高周波側の減衰量を大きくすべく、あら
ゆる設計パラメータについて検討を行った。図１は、反
射器の電極周期λrに対するＩＤＴの電極周期λiの比λ
i／λrと、反射器の電極本数Ｍとの関係を示す図であ
る。図１の斜線で示した部分即ち、領域Ａ及びＢの意味
するところは、該領域内のパラメータを採用して二段縦
続接続型縦結合ＤＭＳフィルタを設計すれば、フィルタ
の通過帯域近傍の高周波側（中心周波数から高周波側に
＋３．５ＭＨｚから＋４．５ＭＨｚ離れた周波数帯 ）
の阻止域減衰量が３５ｄＢ以上得られるλi／λrの範囲
を表している。図１から明らかなように前記領域Ａは直
線１と直線２で囲まれ、前記領域Ｂは直線３と直線４で
囲まれる。この直線１を近似的に多項式で表すと
【００１４】
【数３】
【００１５】となり、同様に直線２を近似的に多項式で
表すと
表すと
【００１６】
【数４】
【００１７】となる。また、直線３、直線４もそれぞれ
次式で表されて
次式で表されて
【００１８】
【数５】
【００１９】
【数６】
【００２０】となる。
【００２１】従って、４５度Ｘカット四ほう酸リチウム
基板上に、図１における領域ＡあるいはＢ内の値を用い
て、縦続接続型縦結合ＤＭＳフィルタを構成すれば、フ
ィルタ通過域近傍の高周波側の減衰量を大きく改善する
ことができる。例えば、反射器本数を６０本としたと
き、最適なλi／λrは式（１）より０．９８４〜０．９
９３となる。
基板上に、図１における領域ＡあるいはＢ内の値を用い
て、縦続接続型縦結合ＤＭＳフィルタを構成すれば、フ
ィルタ通過域近傍の高周波側の減衰量を大きく改善する
ことができる。例えば、反射器本数を６０本としたと
き、最適なλi／λrは式（１）より０．９８４〜０．９
９３となる。
【００２２】このとき ＩＤＴ総対数 １４０本 ＩＤＴ交叉長 １５λi とし、
【００２３】
【数７】
【００２４】とすれば、該二段縦続接続型縦結合ＤＭＳ
フィルタの通過特性は図２に示すようにフィルタ通過域
近傍の高周波側の域減衰量が４１ｄＢと従来設計より大
幅に改善できる。
フィルタの通過特性は図２に示すようにフィルタ通過域
近傍の高周波側の域減衰量が４１ｄＢと従来設計より大
幅に改善できる。
【００２５】即ち、λi／λrの値が領域Ａ又はＢ内であ
れば、縦結合ＤＭＳフィルタを２個縦続接続した構成で
あってもフィルタ通過域近傍の高周波側の減衰量が十分
に確保でき、従来のようにＤＭＳフィルタを３段縦続接
続する必要がないので、フィルタの低損失化、小型化及
び低コスト化が実現できる。なお、以上本発明を同一の
パラメータを有する２つのＤＭＳフィルタを縦続接続す
る例を用いて説明してきたが、本発明はこの電極構造に
限定されるものではなく、フィルタＡ、Ｂのパラメータ
が異なっていてもよく、また縦続段数も２段のみに限定
されるものでなく、例えば、３段縦続接続構成に本発明
を適用すれば上述したように２段に比べ挿入損失が大き
くなるものの４段縦続接続するよりは、小さな挿入損失
にて４段の場合と同等もしくはそれ以上に通過域近傍の
高周波側の減衰量を増大することができるのである。
れば、縦結合ＤＭＳフィルタを２個縦続接続した構成で
あってもフィルタ通過域近傍の高周波側の減衰量が十分
に確保でき、従来のようにＤＭＳフィルタを３段縦続接
続する必要がないので、フィルタの低損失化、小型化及
び低コスト化が実現できる。なお、以上本発明を同一の
パラメータを有する２つのＤＭＳフィルタを縦続接続す
る例を用いて説明してきたが、本発明はこの電極構造に
限定されるものではなく、フィルタＡ、Ｂのパラメータ
が異なっていてもよく、また縦続段数も２段のみに限定
されるものでなく、例えば、３段縦続接続構成に本発明
を適用すれば上述したように２段に比べ挿入損失が大き
くなるものの４段縦続接続するよりは、小さな挿入損失
にて４段の場合と同等もしくはそれ以上に通過域近傍の
高周波側の減衰量を増大することができるのである。
【００２６】
【発明の効果】本発明は以上説明した如く構成するもの
であるから、四ほう酸リチウム単結晶基板を用いて１次
−３次縦結合ＤＭＳフィルタを構成する場合において、
フィルタ通過域近傍の高周波側の域減衰量を大きく改善
することが出来る。従って、通過帯域近傍の高周波側
（中心周波数＋３．５〜＋４．５ＭＨｚ ）において、
同等の減衰量を実現する際に縦続接続段数を減らすこと
ができるためフィルタの低損失化、小型化、低コスト化
等に著しい効果を発揮することが可能である。
であるから、四ほう酸リチウム単結晶基板を用いて１次
−３次縦結合ＤＭＳフィルタを構成する場合において、
フィルタ通過域近傍の高周波側の域減衰量を大きく改善
することが出来る。従って、通過帯域近傍の高周波側
（中心周波数＋３．５〜＋４．５ＭＨｚ ）において、
同等の減衰量を実現する際に縦続接続段数を減らすこと
ができるためフィルタの低損失化、小型化、低コスト化
等に著しい効果を発揮することが可能である。
【図１】反射器の電極周期λrに対するＩＤＴ電極の周
期λiの比λi／λrと反射器の電極本数Ｍとの関係を示
す図である。
期λiの比λi／λrと反射器の電極本数Ｍとの関係を示
す図である。
【図２】本発明になる二段縦続接続型１次−３次縦結合
多重モードＳＡＷフィルタの濾波特性を示す図でる。
多重モードＳＡＷフィルタの濾波特性を示す図でる。
【図３】１次−３次モードを利用した縦結合二重モード
ＳＡＷフィルタの構成を示す模式図である。
ＳＡＷフィルタの構成を示す模式図である。
【図４】１次−３次モードを利用した二段縦続接続型縦
結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す模式図であ
る。
結合二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す模式図であ
る。
【図５】（ａ）はＩＤＴの模式図とその電極周期λiを
示す図、（ｂ）は反射器の模式図とその電極周期λrを
示す図である。
示す図、（ｂ）は反射器の模式図とその電極周期λrを
示す図である。
【図６】従来の二段縦続接続型縦結合多重モードＳＡＷ
フィルタの濾波特性を示す図である。
フィルタの濾波特性を示す図である。
１、３ 最適設計領域Ａ，Ｂのλi／λrの上限を示す
直線 ２、４ 最適設計領域Ａ，Ｂのλi／λrの下限を示す
直線 Ａ、Ｂ 通過帯域の高周波側近傍の減衰量を確保する
ためのパラメータ最適設計領域
直線 ２、４ 最適設計領域Ａ，Ｂのλi／λrの下限を示す
直線 Ａ、Ｂ 通過帯域の高周波側近傍の減衰量を確保する
ためのパラメータ最適設計領域
Claims (1)
- 【請求項１】 四ほう酸リチウム単結晶圧電基板上に三
個のＩＤＴを当該電極が励起する弾性表面波の伝搬方向
に沿って近接配置すると共に、前記三個のＩＤＴの両側
に反射器を配置し、前記三個のＩＤＴ間に音響結合を生
ぜしめ且つ、反射器間に閉じ込めることにより１次及び
３次のモードを強勢に励起するように構成したＳＡＷフ
ィルタにおいて、 前記反射器の電極指本数Ｍと、前記反射器の電極周期λ
rに対する前記ＩＤＴの周期λiの比λi／λrが、 【数１】 または 【数２】 であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17065196A JPH09331230A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17065196A JPH09331230A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331230A true JPH09331230A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15908838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17065196A Pending JPH09331230A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09331230A (ja) |
-
1996
- 1996-06-10 JP JP17065196A patent/JPH09331230A/ja active Pending
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