JPH09330855A - 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法Info
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- JPH09330855A JPH09330855A JP8146956A JP14695696A JPH09330855A JP H09330855 A JPH09330855 A JP H09330855A JP 8146956 A JP8146956 A JP 8146956A JP 14695696 A JP14695696 A JP 14695696A JP H09330855 A JPH09330855 A JP H09330855A
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- ceramic capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層セラミックコンデンサの内部電極と外部
電極の接続不完全品を簡単かつ精度良くスクリーニング
することを目的とする。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサの被測定品４
に直流電圧を印加し、その時の漏洩電流波形の挙動変化
を捉え、この挙動変化が異常を示した被測定品を一次選
別除去し、次に静電容量の測定で二次選別除去する。
電極の接続不完全品を簡単かつ精度良くスクリーニング
することを目的とする。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサの被測定品４
に直流電圧を印加し、その時の漏洩電流波形の挙動変化
を捉え、この挙動変化が異常を示した被測定品を一次選
別除去し、次に静電容量の測定で二次選別除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサのスクリーニング方法に関するものである。
ンデンサのスクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサの内部電極と
外部電極の接続不完全品の選別方法としては特開平３−
５２２１２号公報に開示されている。その方法は積層セ
ラミックコンデンサを二つ以上の異なる周波数で静電容
量を測定し、個々の積層セラミックコンデンサの、各周
波数における静電容量の比から内部電極と外部電極の接
続不完全品を判定し選別除去するものである。またはそ
の他に、積層セラミックコンデンサの内部電極と外部電
極の接続不完全品は、その静電容量が設計値よりも小さ
くなるため、特性選別時に容量小としても検出する方法
も一般的であった。
外部電極の接続不完全品の選別方法としては特開平３−
５２２１２号公報に開示されている。その方法は積層セ
ラミックコンデンサを二つ以上の異なる周波数で静電容
量を測定し、個々の積層セラミックコンデンサの、各周
波数における静電容量の比から内部電極と外部電極の接
続不完全品を判定し選別除去するものである。またはそ
の他に、積層セラミックコンデンサの内部電極と外部電
極の接続不完全品は、その静電容量が設計値よりも小さ
くなるため、特性選別時に容量小としても検出する方法
も一般的であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前者のス
クリーニング方法では少なくとも異なる周波数で２回の
測定を行わなければならず、個々の製品について二つの
周波数の静電容量値を１対１に対応して測定し、測定値
の比を求め選別するため複雑となる。また後者の静電容
量を通常の低電圧を印加して測定する方法では、内部電
極と外部電極の接続不完全品は静電容量の測定値が不安
定となるため、測定ごとの静電容量値の再現性が悪く、
特性選別を数回繰り返しても完全には除去出来ないとい
う問題があった。
クリーニング方法では少なくとも異なる周波数で２回の
測定を行わなければならず、個々の製品について二つの
周波数の静電容量値を１対１に対応して測定し、測定値
の比を求め選別するため複雑となる。また後者の静電容
量を通常の低電圧を印加して測定する方法では、内部電
極と外部電極の接続不完全品は静電容量の測定値が不安
定となるため、測定ごとの静電容量値の再現性が悪く、
特性選別を数回繰り返しても完全には除去出来ないとい
う問題があった。
【０００４】そこで本発明は、前記従来のスクリーニン
グ方法の問題点を解決し、積層セラミックコンデンサの
内部電極と外部電極の接続不完全品を簡単かつ精度良く
スクリーニングを行う方法を提供することを目的とす
る。
グ方法の問題点を解決し、積層セラミックコンデンサの
内部電極と外部電極の接続不完全品を簡単かつ精度良く
スクリーニングを行う方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の積層セラミックコンデンサのスクリーニング方
法は、積層セラミックコンデンサに直流電圧を印加した
時の漏洩電流の挙動変化を捉え、この挙動変化が異常を
示した製品を内部電極と外部電極の接続不完全品として
一次選別除去し、次に静電容量を測定して静電容量不良
品を二次除去するものである。
本発明の積層セラミックコンデンサのスクリーニング方
法は、積層セラミックコンデンサに直流電圧を印加した
時の漏洩電流の挙動変化を捉え、この挙動変化が異常を
示した製品を内部電極と外部電極の接続不完全品として
一次選別除去し、次に静電容量を測定して静電容量不良
品を二次除去するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の積層セ
ラミックコンデンサのスクリーニング方法は、積層セラ
ミックコンデンサに直流電圧を印加した時の漏洩電流の
電流の挙動変化を捉え、この挙動変化が異常を示した製
品を内部電極と外部電極の接続不完全品と判断して一次
選別除去するものである。この方法は、積層セラミック
コンデンサの内部電極と外部電極の接続が不完全な場
合、直流電圧印加時にその接続部で放電が起こり、これ
により漏洩電流に放電によるパルス波形が重畳され、そ
の結果漏洩電流値の電流上昇として捉えることが出来
る。これが漏洩電流の挙動異常となる。次に静電容量を
測定して、二次選別除去するものである。
ラミックコンデンサのスクリーニング方法は、積層セラ
ミックコンデンサに直流電圧を印加した時の漏洩電流の
電流の挙動変化を捉え、この挙動変化が異常を示した製
品を内部電極と外部電極の接続不完全品と判断して一次
選別除去するものである。この方法は、積層セラミック
コンデンサの内部電極と外部電極の接続が不完全な場
合、直流電圧印加時にその接続部で放電が起こり、これ
により漏洩電流に放電によるパルス波形が重畳され、そ
の結果漏洩電流値の電流上昇として捉えることが出来
る。これが漏洩電流の挙動異常となる。次に静電容量を
測定して、二次選別除去するものである。
【０００７】また本発明の請求項２に記載の発明は印加
する直流電圧を１００Ｖより高くすることを特徴とする
請求項１記載の積層セラミックコンデンサのスクリーニ
ング方法であって、漏洩電流の挙動変化が表われやすく
するものである。
する直流電圧を１００Ｖより高くすることを特徴とする
請求項１記載の積層セラミックコンデンサのスクリーニ
ング方法であって、漏洩電流の挙動変化が表われやすく
するものである。
【０００８】さらに本発明の請求項３に記載の発明は直
流電圧の印加時間を１００ｍｓｅｃより長くすることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の積層セラミ
ックコンデンサのスクリーニング方法であって、漏洩電
流の挙動変化が表われやすくするものである。
流電圧の印加時間を１００ｍｓｅｃより長くすることを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の積層セラミ
ックコンデンサのスクリーニング方法であって、漏洩電
流の挙動変化が表われやすくするものである。
【０００９】（実施の形態１）図１は本発明の一実施形
態における積層セラミックコンデンサのスクリーニング
の回路図、図２は良品の漏洩電流波形図、図３は不良品
の漏洩電流波形図の一例である。図１において、１は被
測定品４に電圧を印加するための直流定電圧電源、２は
被測定品４と直列に接続された固定抵抗、３は被測定品
４と固定抵抗２との間にプローブを介してセットされた
被測定品４の漏洩電流をモニターするオシロスコープ、
５はスイッチである。
態における積層セラミックコンデンサのスクリーニング
の回路図、図２は良品の漏洩電流波形図、図３は不良品
の漏洩電流波形図の一例である。図１において、１は被
測定品４に電圧を印加するための直流定電圧電源、２は
被測定品４と直列に接続された固定抵抗、３は被測定品
４と固定抵抗２との間にプローブを介してセットされた
被測定品４の漏洩電流をモニターするオシロスコープ、
５はスイッチである。
【００１０】以上のように構成された回路を使用したス
クリーニング方法について説明する。
クリーニング方法について説明する。
【００１１】まず、Ｎｉ内部電極とＣｕ外部電極が形成
された、長さ２．０mm、幅１．２５mm、厚さ１．０mm、
静電容量１μＦ、定格電圧１６ＶのＦ特性積層セラミッ
クコンデンサを、室温で１ｋHzにおける静電容量とｔａ
ｎδを測定し、さらに定格の１６Ｖを１分間印加した後
の絶縁抵抗ＩＲを測定して下記範囲のものを初期良品と
した。
された、長さ２．０mm、幅１．２５mm、厚さ１．０mm、
静電容量１μＦ、定格電圧１６ＶのＦ特性積層セラミッ
クコンデンサを、室温で１ｋHzにおける静電容量とｔａ
ｎδを測定し、さらに定格の１６Ｖを１分間印加した後
の絶縁抵抗ＩＲを測定して下記範囲のものを初期良品と
した。
【００１２】静電容量＝０．８〜１．８μＦ ｔａｎδ≦６．０％ ＩＲ≧５×１０8Ω 前記測定を２回繰り返し初期良品４００個を選別した。
【００１３】次に上記初期良品４００個中の２００個に
ついて、直流電圧を印加する本発明のスクリーニングを
実施した。このとき漏洩電流の被測定品４は、直流定電
圧電源１と１００ｋΩの固定抵抗２とを直列に接続す
る。被測定品４と固定抵抗２との間にセットしたオシロ
スコープ３で被測定品の漏洩電流波形をモニターした。
測定治具（図示せず）に被測定品（積層セラミックコン
デンサ）４を取り付け、３００Ｖの直流電圧を１秒間印
加し、そのときの漏洩電流波形をオシロスコープ３によ
って観察した。積層セラミックコンデンサに３００Ｖの
直流電圧を印加したときに、正規の漏洩電流波形に０．
１μＡ以上の放電によるパルス電流波形が重畳された電
流値上昇が生じたもの、またさらに直流電圧印加１秒後
の漏洩電流値が０．２０μＡ（３０個測定し、その平均
値が０．１４μＡであったので）を越えるものも内部電
極と外部電極の接続不完全品とした。前記方法によるス
クリーニング結果、初期良品２００個中から４１個の不
良品を除去できた。このときの良品の漏洩電流波形及
び、不良品の漏洩電流波形の一例は図２、図３に示すよ
うなものであった。
ついて、直流電圧を印加する本発明のスクリーニングを
実施した。このとき漏洩電流の被測定品４は、直流定電
圧電源１と１００ｋΩの固定抵抗２とを直列に接続す
る。被測定品４と固定抵抗２との間にセットしたオシロ
スコープ３で被測定品の漏洩電流波形をモニターした。
測定治具（図示せず）に被測定品（積層セラミックコン
デンサ）４を取り付け、３００Ｖの直流電圧を１秒間印
加し、そのときの漏洩電流波形をオシロスコープ３によ
って観察した。積層セラミックコンデンサに３００Ｖの
直流電圧を印加したときに、正規の漏洩電流波形に０．
１μＡ以上の放電によるパルス電流波形が重畳された電
流値上昇が生じたもの、またさらに直流電圧印加１秒後
の漏洩電流値が０．２０μＡ（３０個測定し、その平均
値が０．１４μＡであったので）を越えるものも内部電
極と外部電極の接続不完全品とした。前記方法によるス
クリーニング結果、初期良品２００個中から４１個の不
良品を除去できた。このときの良品の漏洩電流波形及
び、不良品の漏洩電流波形の一例は図２、図３に示すよ
うなものであった。
【００１４】次に前記一次スクリーニング方法で良品と
して選別された１５９個と上記４００個の内の残りの初
期良品２００個について、静電容量を再度測定を行い、
この結果を（表１）に示す。
して選別された１５９個と上記４００個の内の残りの初
期良品２００個について、静電容量を再度測定を行い、
この結果を（表１）に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】（表１）に示す静電容量不良は規格値の下
限である０．８μＦ以下のものである。表から明らかな
ように、本発明の３００Ｖの高電圧を印加し、その時の
漏洩電流波形の挙動変化を捉えるスクリーニング方法に
よる良品の中からは静電容量小不良は発生しなかったの
に対し、従来の静電容量のみで得た初期良品は再測定し
たものの中から静電容量小不良品が３６個発生した。つ
まり従来の低電圧印加の静電容量の選別方法では接続部
の不完全な状態のまま静電容量が測定されるため測定値
がふらつき、再現性が悪く、良品と判断されたり、また
は不良品と判断されたりする場合が発生するのである。
限である０．８μＦ以下のものである。表から明らかな
ように、本発明の３００Ｖの高電圧を印加し、その時の
漏洩電流波形の挙動変化を捉えるスクリーニング方法に
よる良品の中からは静電容量小不良は発生しなかったの
に対し、従来の静電容量のみで得た初期良品は再測定し
たものの中から静電容量小不良品が３６個発生した。つ
まり従来の低電圧印加の静電容量の選別方法では接続部
の不完全な状態のまま静電容量が測定されるため測定値
がふらつき、再現性が悪く、良品と判断されたり、また
は不良品と判断されたりする場合が発生するのである。
【００１７】尚、本発明の実施形態において直流印加電
圧が１００Ｖより低い電圧では内部電極と外部電極の接
続部で放電が発生しづらく、漏洩電流波形の挙動変化と
して捉えにくい。またさらに、直流電圧の印加時間が１
００ｍｓｅｃより短いと漏洩電流波形が急峻に立ち下が
っている領域であるため、放電によるパルス波形の重畳
を電流上昇の現象として捉えることが困難となり実用的
ではなかった。
圧が１００Ｖより低い電圧では内部電極と外部電極の接
続部で放電が発生しづらく、漏洩電流波形の挙動変化と
して捉えにくい。またさらに、直流電圧の印加時間が１
００ｍｓｅｃより短いと漏洩電流波形が急峻に立ち下が
っている領域であるため、放電によるパルス波形の重畳
を電流上昇の現象として捉えることが困難となり実用的
ではなかった。
【００１８】
【発明の効果】以上のごとく本発明は、積層セラミック
コンデンサに直流電圧を印加した時の漏洩電流の挙動変
化を捉え、この挙動変化が異常を示した製品を、前記積
層セラミックコンデンサの内部電極と外部電極の接続不
完全として一次選別除去し、次に静電容量の測定で不良
品を二次選別除去するものであり、積層セラミックコン
デンサの内部電極と外部電極の接続不完全品を簡単かつ
精度良くスクリーニングすることができる。
コンデンサに直流電圧を印加した時の漏洩電流の挙動変
化を捉え、この挙動変化が異常を示した製品を、前記積
層セラミックコンデンサの内部電極と外部電極の接続不
完全として一次選別除去し、次に静電容量の測定で不良
品を二次選別除去するものであり、積層セラミックコン
デンサの内部電極と外部電極の接続不完全品を簡単かつ
精度良くスクリーニングすることができる。
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックコン
デンサのスクリーニングを行う回路図
デンサのスクリーニングを行う回路図
【図２】同、積層セラミックコンデンサの良品の漏洩電
流の波形図
流の波形図
【図３】同、積層セラミックコンデンサの不良品の漏洩
電流の波形図
電流の波形図
１ 直流定電圧電源 ２ 固定抵抗 ３ オシロスコープ ４ 被測定品 ５ スイッチ
Claims (3)
- 【請求項１】 積層セラミックコンデンサに直流電圧を
印加した時の漏洩電流の挙動変化を捉え、この挙動変化
が異常を示した製品を、前記積層セラミックコンデンサ
の内部電極と外部電極の接続不完全として一次選別除去
し、次に静電容量の測定で不良品を二次選別除去するこ
とを特徴とする積層セラミックコンデンサのスクリーニ
ング方法。 - 【請求項２】 印加する直流電圧を１００Ｖより高くす
ることを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコン
デンサのスクリーニング方法。 - 【請求項３】 直流電圧の印加時間を１００ｍｓｅｃよ
り長くすることを特徴とする請求項１または請求項２に
記載の積層セラミックコンデンサのスクリーニング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8146956A JPH09330855A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8146956A JPH09330855A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330855A true JPH09330855A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15419390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8146956A Pending JPH09330855A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330855A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046820A1 (fr) * | 1999-02-04 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede d'inspection de condensateurs ceramiques lamines |
| WO2023074627A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | Ｙｕｒｉホールディングス株式会社 | コンデンサの検査方法及びそれに用いる検査装置 |
-
1996
- 1996-06-10 JP JP8146956A patent/JPH09330855A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046820A1 (fr) * | 1999-02-04 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede d'inspection de condensateurs ceramiques lamines |
| US6437579B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Screening method for a multi-layered ceramic capacitor |
| WO2023074627A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | Ｙｕｒｉホールディングス株式会社 | コンデンサの検査方法及びそれに用いる検査装置 |
| JP2023064684A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-11 | Ｙｕｒｉホールディングス株式会社 | コンデンサの検査方法及びそれに用いる検査装置 |
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