JPH08227826A - 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH08227826A JPH08227826A JP7031251A JP3125195A JPH08227826A JP H08227826 A JPH08227826 A JP H08227826A JP 7031251 A JP7031251 A JP 7031251A JP 3125195 A JP3125195 A JP 3125195A JP H08227826 A JPH08227826 A JP H08227826A
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- Japan
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- insulation resistance
- ceramic capacitor
- voltage
- leakage current
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部構造欠陥品及び寿命劣化を起こす可能性
のある積層セラミックコンデンサとそれらの恐れの無い
積層セラミックコンデンサとを選別する積層セラミック
コンデンサのスクリーニング方法を提供することを目的
とするものである。 【構成】 積層セラミックコンデンサに直流電圧を印加
し、漏洩電流により絶縁抵抗を確認して絶縁抵抗の劣化
した製品を除去し、次に連続して前回とは逆の極性で同
様に直流電圧を印加し、漏洩電流による絶縁抵抗を確認
することにより、１回目の電圧印加では絶縁抵抗不良と
ならない積層セラミックコンデンサを、２回目の逆電界
の電圧印加で絶縁抵抗劣化品として除去することを特徴
とする積層セラミックコンデンサの全数スクリーニング
方法である。
のある積層セラミックコンデンサとそれらの恐れの無い
積層セラミックコンデンサとを選別する積層セラミック
コンデンサのスクリーニング方法を提供することを目的
とするものである。 【構成】 積層セラミックコンデンサに直流電圧を印加
し、漏洩電流により絶縁抵抗を確認して絶縁抵抗の劣化
した製品を除去し、次に連続して前回とは逆の極性で同
様に直流電圧を印加し、漏洩電流による絶縁抵抗を確認
することにより、１回目の電圧印加では絶縁抵抗不良と
ならない積層セラミックコンデンサを、２回目の逆電界
の電圧印加で絶縁抵抗劣化品として除去することを特徴
とする積層セラミックコンデンサの全数スクリーニング
方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器に用いられる
積層セラミックコンデンサに於いて、一様に製造された
製品の中から、内部構造欠陥品及びセット機器内での使
用期間中に寿命劣化を起こす可能性のある製品とそれら
の恐れの無いものとを、選別する積層セラミックコンデ
ンサのスクリーニング方法に関するものである。
積層セラミックコンデンサに於いて、一様に製造された
製品の中から、内部構造欠陥品及びセット機器内での使
用期間中に寿命劣化を起こす可能性のある製品とそれら
の恐れの無いものとを、選別する積層セラミックコンデ
ンサのスクリーニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】セット機器の小型軽量化・高性能化に伴
い、積層セラミックコンデンサも著しく小型化・大容量
化の開発が進められ、その結果１層の誘電体厚みが１０
μｍをきるという極めて薄層のものが用いられるように
なって来た。しかし誘電体層の薄層化に伴い、誘電体内
部のわずかな構造欠陥も積層セラミックコンデンサの信
頼性を低下させる原因となった。従来、薄層化されてい
ない積層セラミックコンデンサは、特性選別時にそのコ
ンデンサの定格電圧の５〜６倍の直流電圧を印加し、構
造欠陥を破壊状態にまで持っていき、漏洩電流により絶
縁抵抗を確認するということを２〜３回繰り返し行うこ
とによりスクリーニングして来た。しかしながら、薄層
化された積層セラミックコンデンサに於いては、上記方
法によるスクリーニングでは完全に欠陥品を取り除くこ
とが出来ず、抜き取りの高温負荷試験で直流印加電圧を
定格電圧の４倍に設定した加速試験により、製造ロット
としての出来映えについてロット判定を行っていた。
い、積層セラミックコンデンサも著しく小型化・大容量
化の開発が進められ、その結果１層の誘電体厚みが１０
μｍをきるという極めて薄層のものが用いられるように
なって来た。しかし誘電体層の薄層化に伴い、誘電体内
部のわずかな構造欠陥も積層セラミックコンデンサの信
頼性を低下させる原因となった。従来、薄層化されてい
ない積層セラミックコンデンサは、特性選別時にそのコ
ンデンサの定格電圧の５〜６倍の直流電圧を印加し、構
造欠陥を破壊状態にまで持っていき、漏洩電流により絶
縁抵抗を確認するということを２〜３回繰り返し行うこ
とによりスクリーニングして来た。しかしながら、薄層
化された積層セラミックコンデンサに於いては、上記方
法によるスクリーニングでは完全に欠陥品を取り除くこ
とが出来ず、抜き取りの高温負荷試験で直流印加電圧を
定格電圧の４倍に設定した加速試験により、製造ロット
としての出来映えについてロット判定を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のスク
リーニング方法では、ロット判定のため完全に欠陥品を
除去することが出来ず、又、高温負荷の加速試験は判定
までに長時間を必要とし、更に製造ロット内の良品のも
のまで一緒にＮＧ判定としてしまうので、生産性等の点
から実用的な方法ではないといえる。そこで本発明は、
積層セラミックコンデンサのスクリーニングを非破壊で
短時間のうえ確実に行うことを目的とするものである。
リーニング方法では、ロット判定のため完全に欠陥品を
除去することが出来ず、又、高温負荷の加速試験は判定
までに長時間を必要とし、更に製造ロット内の良品のも
のまで一緒にＮＧ判定としてしまうので、生産性等の点
から実用的な方法ではないといえる。そこで本発明は、
積層セラミックコンデンサのスクリーニングを非破壊で
短時間のうえ確実に行うことを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、まず積層セラミックコンデンサに直流電圧
を印加し、漏洩電流により絶縁抵抗を確認して絶縁抵抗
の劣化した製品を除去し、次に、連続して前回とは逆の
極性で直流電圧を印加し、１回目の電圧印加では絶縁抵
抗不良とならなかった積層セラミックコンデンサを、漏
洩電流による絶縁抵抗を確認することにより、２回目の
逆電界の電圧印加で絶縁抵抗劣化品として除去すること
を特徴とする積層セラミックコンデンサの全数スクリー
ニング方法である。
に本発明は、まず積層セラミックコンデンサに直流電圧
を印加し、漏洩電流により絶縁抵抗を確認して絶縁抵抗
の劣化した製品を除去し、次に、連続して前回とは逆の
極性で直流電圧を印加し、１回目の電圧印加では絶縁抵
抗不良とならなかった積層セラミックコンデンサを、漏
洩電流による絶縁抵抗を確認することにより、２回目の
逆電界の電圧印加で絶縁抵抗劣化品として除去すること
を特徴とする積層セラミックコンデンサの全数スクリー
ニング方法である。
【０００５】
【作用】このように、積層セラミックコンデンサの絶縁
抵抗を漏洩電流により確認しようとして積層セラミック
コンデンサに直流電圧を印加すると、分極作用によりセ
ラミックの結晶粒子内に存在する自発分極の方向が印加
された直流電圧の極性とは反対の方向にそろってしま
う。この後に前回と同じ極性で直流電圧を印加して漏洩
電流による絶縁抵抗を確認しようとすると、一度自発分
極の向きがそろっているため漏洩電流の値そのものが小
さくなり、かつバラツキも小さくなるため、絶縁抵抗劣
化品を確認しづらくなる。そこで、２回目は１回目とは
逆の極性で直流電圧を印加すると分極作用が反対方向に
もう一度行われることになり、漏洩電流値は１回目より
も大きくなり、バラツキも大きくなって絶縁劣化品を検
出しやすくなる。さらに逆電界の電圧を印加することに
より同電界時よりも積層セラミックコンデンサにかかる
ストレスも倍増され、内部構造欠陥が絶縁破壊状態にな
りやすくなる。その結果、１回目及び１回目とは逆電界
の２回目の直流電圧印加時の絶縁抵抗劣化品を除去する
スクリーニング方法により、積層セラミックコンデンサ
の構造欠陥品や寿命劣化の恐れのあるものを非破壊で、
短時間のうえ確実に全数をスクリーニングすることが可
能となる。
抵抗を漏洩電流により確認しようとして積層セラミック
コンデンサに直流電圧を印加すると、分極作用によりセ
ラミックの結晶粒子内に存在する自発分極の方向が印加
された直流電圧の極性とは反対の方向にそろってしま
う。この後に前回と同じ極性で直流電圧を印加して漏洩
電流による絶縁抵抗を確認しようとすると、一度自発分
極の向きがそろっているため漏洩電流の値そのものが小
さくなり、かつバラツキも小さくなるため、絶縁抵抗劣
化品を確認しづらくなる。そこで、２回目は１回目とは
逆の極性で直流電圧を印加すると分極作用が反対方向に
もう一度行われることになり、漏洩電流値は１回目より
も大きくなり、バラツキも大きくなって絶縁劣化品を検
出しやすくなる。さらに逆電界の電圧を印加することに
より同電界時よりも積層セラミックコンデンサにかかる
ストレスも倍増され、内部構造欠陥が絶縁破壊状態にな
りやすくなる。その結果、１回目及び１回目とは逆電界
の２回目の直流電圧印加時の絶縁抵抗劣化品を除去する
スクリーニング方法により、積層セラミックコンデンサ
の構造欠陥品や寿命劣化の恐れのあるものを非破壊で、
短時間のうえ確実に全数をスクリーニングすることが可
能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
【０００７】まず、薄層化工法により製造された積層セ
ラミックコンデンサ（形状＝２０１２タイプ、温度特性
＝Ｆ特性、定格電圧＝１６ｖ、静電容量＝１．０μＦ、
誘電体層厚み＝７μｍ、有効層数＝７０層）の常温で１
ｋＨｚに於ける静電容量Ｃ（μＦ）と誘電正接ｔａｎδ
（％）を測定し、その後定格の１６ｖ直流電圧を印加
し、印加開始６０秒後の絶縁抵抗ＩＲ（Ω）を測定し、
下記範囲内のものを初期良品として選別した。
ラミックコンデンサ（形状＝２０１２タイプ、温度特性
＝Ｆ特性、定格電圧＝１６ｖ、静電容量＝１．０μＦ、
誘電体層厚み＝７μｍ、有効層数＝７０層）の常温で１
ｋＨｚに於ける静電容量Ｃ（μＦ）と誘電正接ｔａｎδ
（％）を測定し、その後定格の１６ｖ直流電圧を印加
し、印加開始６０秒後の絶縁抵抗ＩＲ（Ω）を測定し、
下記範囲内のものを初期良品として選別した。
【０００８】Ｃ＝０．８〜１．８（μＦ） ｔａｎδ＝５．０（％）以下 ＩＲ＝５．０×１０8（Ω）以上 このようにして選別された試料２００個について、２回
目が１回目とは逆電界の直流電圧印加方法による絶縁抵
抗の２回選別を実施した。ここで、（図１）のように電
気特性測定用治具に直流の定電流電源１と１００ｋΩの
抵抗２とを直列に介して接続する。測定用治具（図示せ
ず）と抵抗２との間にはプローブをセットしてオシロス
コープ３にてコンデンサの漏洩電流をモニターする。こ
の測定用治具上に被測定物である積層セラミックコンデ
ンサ４を測定可能状態に取り付け、３００ｖの直流電圧
を１秒間積層セラミックコンデンサ４に印加し、印加か
ら１秒後の漏洩電流値を測定して絶縁抵抗不良品を取り
除く。次に前回とは逆の極性で直流電圧が印加されるよ
うに積層セラミックコンデンサ４の方向を変えて測定用
治具にセットし、同様に漏洩電流を測定して１回目では
検出できなかった絶縁抵抗不良品を除去する。その際選
別規格として、事前に３０個の確認をしていた結果によ
り漏洩電流の平均値を外れる値として、１回目は０．２
μＡ、２回目は０．３μＡという値を導き出しており、
漏洩電流がそれらの値を越えたものを不良と判定し、そ
の発生数は２００個中１１個（５．５％）という結果に
なり、（表１）にその詳細を示す。
目が１回目とは逆電界の直流電圧印加方法による絶縁抵
抗の２回選別を実施した。ここで、（図１）のように電
気特性測定用治具に直流の定電流電源１と１００ｋΩの
抵抗２とを直列に介して接続する。測定用治具（図示せ
ず）と抵抗２との間にはプローブをセットしてオシロス
コープ３にてコンデンサの漏洩電流をモニターする。こ
の測定用治具上に被測定物である積層セラミックコンデ
ンサ４を測定可能状態に取り付け、３００ｖの直流電圧
を１秒間積層セラミックコンデンサ４に印加し、印加か
ら１秒後の漏洩電流値を測定して絶縁抵抗不良品を取り
除く。次に前回とは逆の極性で直流電圧が印加されるよ
うに積層セラミックコンデンサ４の方向を変えて測定用
治具にセットし、同様に漏洩電流を測定して１回目では
検出できなかった絶縁抵抗不良品を除去する。その際選
別規格として、事前に３０個の確認をしていた結果によ
り漏洩電流の平均値を外れる値として、１回目は０．２
μＡ、２回目は０．３μＡという値を導き出しており、
漏洩電流がそれらの値を越えたものを不良と判定し、そ
の発生数は２００個中１１個（５．５％）という結果に
なり、（表１）にその詳細を示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】次に、上記方法で選別された製品につい
て、絶縁抵抗良品と不良品に分けてプリント基板へ半田
付けにて実装し、下記条件にて高温負荷試験を実施し
た。
て、絶縁抵抗良品と不良品に分けてプリント基板へ半田
付けにて実装し、下記条件にて高温負荷試験を実施し
た。
【００１１】試験槽温度＝８５±２℃ 印加電圧＝ＤＣ６４ｖ 試験時間＝１０００時間 このとき、（表１）に示す時間毎に絶縁抵抗ＩＲを測定
し、そのＩＲ値が５×１０7（Ω）以下になったものを
不良と判定し、その累積数を（表２）に示した。
し、そのＩＲ値が５×１０7（Ω）以下になったものを
不良と判定し、その累積数を（表２）に示した。
【００１２】
【表２】
【００１３】この結果によれば、逆電界による絶縁抵抗
２回選別での良品と判定されたものからは、高温負荷試
験にて不良と判定されたものは無かったのに対し、絶縁
抵抗不良と判定されたものは、試験個数こそ少ないが、
５００時間までに４分の３以上の９個がＩＲ不良と判定
された。
２回選別での良品と判定されたものからは、高温負荷試
験にて不良と判定されたものは無かったのに対し、絶縁
抵抗不良と判定されたものは、試験個数こそ少ないが、
５００時間までに４分の３以上の９個がＩＲ不良と判定
された。
【００１４】なお、本発明においては、１回目と２回目
に印加する直流電圧は同じ電圧の方が好ましい。
に印加する直流電圧は同じ電圧の方が好ましい。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、積層セラ
ミックコンデンサに直流電圧を印加し、漏洩電流により
絶縁抵抗を確認して絶縁抵抗の劣化した製品を除去し、
次に連続して前回とは逆の極性で同様に直流電圧を印加
し、漏洩電流による絶縁抵抗を確認することにより、１
回目の電圧印加では絶縁抵抗不良とならないコンデンサ
でも２回目の逆電界の電圧印加で絶縁抵抗不良と認めら
れたものを劣化品として除去するという方法で、高温負
荷試験に於いてＩＲ劣化を起こす可能性のあるものを予
め取り除くことができる。この方法によれば、従来のよ
うにロット判定でなく全数において長い時間をかけずに
確実なスクリーニングが行え、スクリーニング効率の向
上と製品の信頼性を確保することが出来る。
ミックコンデンサに直流電圧を印加し、漏洩電流により
絶縁抵抗を確認して絶縁抵抗の劣化した製品を除去し、
次に連続して前回とは逆の極性で同様に直流電圧を印加
し、漏洩電流による絶縁抵抗を確認することにより、１
回目の電圧印加では絶縁抵抗不良とならないコンデンサ
でも２回目の逆電界の電圧印加で絶縁抵抗不良と認めら
れたものを劣化品として除去するという方法で、高温負
荷試験に於いてＩＲ劣化を起こす可能性のあるものを予
め取り除くことができる。この方法によれば、従来のよ
うにロット判定でなく全数において長い時間をかけずに
確実なスクリーニングが行え、スクリーニング効率の向
上と製品の信頼性を確保することが出来る。
【図１】本発明の一実施例における積層セラミックコン
デンサのスクリーニングを行うための回路図
デンサのスクリーニングを行うための回路図
１ 定電流電源 ２ 抵抗 ３ オシロスコープ ４ 積層セラミックコンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】 積層セラミックコンデンサに直流電圧を
印加し、漏洩電流により絶縁抵抗を確認し、この絶縁抵
抗の劣化した製品を除去し、次に絶縁抵抗の劣化しなか
った積層セラミックコンデンサに連続して前回とは逆の
極性で直流電圧を印加し、漏洩電流による絶縁抵抗を確
認し、絶縁抵抗の劣化した製品を除去する積層セラミッ
クコンデンサのスクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7031251A JPH08227826A (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7031251A JPH08227826A (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227826A true JPH08227826A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12326151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7031251A Pending JPH08227826A (ja) | 1995-02-20 | 1995-02-20 | 積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227826A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046820A1 (fr) * | 1999-02-04 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede d'inspection de condensateurs ceramiques lamines |
| SG91838A1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-10-15 | Murata Manufacturing Co | Sorting method of monolithic ceramic capacitors |
| KR100463583B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2004-12-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 커패시터의 처리 방법 |
| WO2007062127A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Maxwell Technologies, Inc. | Capacitor screening |
| JP2009295606A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 積層セラミックコンデンサの試験方法および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2020064975A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの検査方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2024175949A (ja) * | 2023-06-07 | 2024-12-19 | 株式会社 東京ウエルズ | 検査装置及び検査方法 |
-
1995
- 1995-02-20 JP JP7031251A patent/JPH08227826A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG91838A1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-10-15 | Murata Manufacturing Co | Sorting method of monolithic ceramic capacitors |
| WO2000046820A1 (fr) * | 1999-02-04 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede d'inspection de condensateurs ceramiques lamines |
| US6437579B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Screening method for a multi-layered ceramic capacitor |
| KR100463583B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2004-12-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 커패시터의 처리 방법 |
| CN100414654C (zh) * | 2001-08-22 | 2008-08-27 | 株式会社村田制作所 | 处理陶瓷电容器的方法 |
| US7540885B2 (en) | 2001-08-22 | 2009-06-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of processing a ceramic capacitor |
| WO2007062127A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Maxwell Technologies, Inc. | Capacitor screening |
| JP2009295606A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-17 | Panasonic Corp | 積層セラミックコンデンサの試験方法および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2020064975A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの検査方法及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2024175949A (ja) * | 2023-06-07 | 2024-12-19 | 株式会社 東京ウエルズ | 検査装置及び検査方法 |
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