JPH09325352A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH09325352A JPH09325352A JP14542196A JP14542196A JPH09325352A JP H09325352 A JPH09325352 A JP H09325352A JP 14542196 A JP14542196 A JP 14542196A JP 14542196 A JP14542196 A JP 14542196A JP H09325352 A JPH09325352 A JP H09325352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- electrode
- display device
- photocell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光電池を用いて照明手段からの光を電力に変
換し、これを駆動回路の電源として供給することによ
り、液晶表示装置の消費電力を低減させる。 【解決手段】 光電池を画素部を避けるように形成する
ことによって開口率を低下させる事なく、低消費電力化
を図ることができる。また、トップゲート構造のＴＦＴ
を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置におい
ては、前記光電池をＴＦＴのチャネル領域の遮光膜とし
て機能させることができる。
換し、これを駆動回路の電源として供給することによ
り、液晶表示装置の消費電力を低減させる。 【解決手段】 光電池を画素部を避けるように形成する
ことによって開口率を低下させる事なく、低消費電力化
を図ることができる。また、トップゲート構造のＴＦＴ
を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置におい
ては、前記光電池をＴＦＴのチャネル領域の遮光膜とし
て機能させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トップゲート構造
のＴＦＴをスイッチング素子として有するアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置に関する。
のＴＦＴをスイッチング素子として有するアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高品質の表示が得られるアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置は、薄型，軽量，低消費
電力という特徴を生かし、携帯情報端末やＯＡ用機器等
多くの分野で用いられている。
ブマトリクス型の液晶表示装置は、薄型，軽量，低消費
電力という特徴を生かし、携帯情報端末やＯＡ用機器等
多くの分野で用いられている。
【０００３】従来のアクティブマトリクス型の液晶表示
装置は、図３に示すようにソースバスライン２１及びゲ
ートバスライン２２が直交差するように形成されてお
り、該交差部近傍にはスイッチング素子２３が設けられ
ている。そして、該素子を介して画素電極が接続されて
おり、該画素電極と対向電極とによって液晶層２４が挾
持されている。前記画素電極は、前記スイッチング素子
２３を前記ゲートバスライン２２から入力される信号を
用いて制御することによって任意に選択できるようにな
っており、選択された画素電極には前記ソースバスライ
ン２１から入力される信号によって所望の電圧が書き込
まれる。前記スイッチング素子２３としては、ＴＦＴ
（Thin-Film-Transistor）で代表される３端子素子や、
ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）で代表される２端子
素子が実用化されている。なかでも、ＴＦＴは高品位の
表示が可能であることから、現在では最も多く実用化さ
れている。
装置は、図３に示すようにソースバスライン２１及びゲ
ートバスライン２２が直交差するように形成されてお
り、該交差部近傍にはスイッチング素子２３が設けられ
ている。そして、該素子を介して画素電極が接続されて
おり、該画素電極と対向電極とによって液晶層２４が挾
持されている。前記画素電極は、前記スイッチング素子
２３を前記ゲートバスライン２２から入力される信号を
用いて制御することによって任意に選択できるようにな
っており、選択された画素電極には前記ソースバスライ
ン２１から入力される信号によって所望の電圧が書き込
まれる。前記スイッチング素子２３としては、ＴＦＴ
（Thin-Film-Transistor）で代表される３端子素子や、
ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）で代表される２端子
素子が実用化されている。なかでも、ＴＦＴは高品位の
表示が可能であることから、現在では最も多く実用化さ
れている。
【０００４】ＴＦＴの構造には、大きく分けて２通りの
ものがある。すなわち、ａ−Ｓｉを半導体層とし、ゲー
ト電極を該半導体層の直下に形成するボトムゲート構造
のものと、多結晶Ｓｉを半導体層とし、ゲート電極を該
半導体層の直上に形成するトップゲート構造のものであ
る。多結晶Ｓｉは、キャリア移動度が高い、画素の高密
度化に適している、基板上に駆動回路を一体化させるこ
とが可能である、等の点においてａ−Ｓｉよりも優れた
特性を有している。
ものがある。すなわち、ａ−Ｓｉを半導体層とし、ゲー
ト電極を該半導体層の直下に形成するボトムゲート構造
のものと、多結晶Ｓｉを半導体層とし、ゲート電極を該
半導体層の直上に形成するトップゲート構造のものであ
る。多結晶Ｓｉは、キャリア移動度が高い、画素の高密
度化に適している、基板上に駆動回路を一体化させるこ
とが可能である、等の点においてａ−Ｓｉよりも優れた
特性を有している。
【０００５】図４に従来のトップゲート構造のＴＦＴを
有するアクティブマトリクス基板の平面図を、図５に図
４のＢ−Ｂ断面図を示す。図４及び図５において、２５
は画素電極、２６は透光性基板、２７は遮光膜、２８は
絶縁膜、２９は半導体層、３０はゲート絶縁膜、３１は
ゲート電極である。なお、照明手段は前記透光性基板２
６の下側に配置される。前記半導体層２９は、製造過程
においてチャネル領域３２、ソース電極３３、ドレイン
電極３４が形成されており、該ソース電極３３はソース
バスライン２１に、該ドレイン電極３４は画素電極２５
に接続される。
有するアクティブマトリクス基板の平面図を、図５に図
４のＢ−Ｂ断面図を示す。図４及び図５において、２５
は画素電極、２６は透光性基板、２７は遮光膜、２８は
絶縁膜、２９は半導体層、３０はゲート絶縁膜、３１は
ゲート電極である。なお、照明手段は前記透光性基板２
６の下側に配置される。前記半導体層２９は、製造過程
においてチャネル領域３２、ソース電極３３、ドレイン
電極３４が形成されており、該ソース電極３３はソース
バスライン２１に、該ドレイン電極３４は画素電極２５
に接続される。
【０００６】図５に示される遮光膜２７は、照明手段か
らの光が直接ＴＦＴの半導体層２９内のチャネル領域３
２に入射するのを防ぐために形成されている。これは、
ＴＦＴがオフ状態時において、照射手段からの光が直接
ＴＦＴの半導体層２９内のチャネル領域３２に入射した
場合、該チャネル領域３２中に電子やホールが形成され
てしまい、リーク電流が大きくなってしまうことを防止
するためである。通常、前記遮光膜２７はタンタル等の
金属によって形成されている。
らの光が直接ＴＦＴの半導体層２９内のチャネル領域３
２に入射するのを防ぐために形成されている。これは、
ＴＦＴがオフ状態時において、照射手段からの光が直接
ＴＦＴの半導体層２９内のチャネル領域３２に入射した
場合、該チャネル領域３２中に電子やホールが形成され
てしまい、リーク電流が大きくなってしまうことを防止
するためである。通常、前記遮光膜２７はタンタル等の
金属によって形成されている。
【０００７】ところで、近年、アクティブマトリクス型
の液晶表示装置の、ノートパソコン等の携帯情報機器へ
の需要が高まって来ており、更なる低消費電力化が必要
となってきている。そこで、照明手段からの光を光電池
を用いて電力に換え、この電力を駆動用電源に用いる方
法が特開平６−１６０８８９号公報に開示されている。
の液晶表示装置の、ノートパソコン等の携帯情報機器へ
の需要が高まって来ており、更なる低消費電力化が必要
となってきている。そこで、照明手段からの光を光電池
を用いて電力に換え、この電力を駆動用電源に用いる方
法が特開平６−１６０８８９号公報に開示されている。
【０００８】該公報では、各ＴＦＴ・画素と対応する数
量の光起電手段を液晶表示手段内の各画素対応位置に設
け、該光起電手段を直列又は並列に接続し、外部制御デ
ータに基づき液晶表示をする液晶表示手段に対する駆動
電源として接続する電源バスを具備することによって、
外部電源による低消費電力化を図ることが開示されてい
る。
量の光起電手段を液晶表示手段内の各画素対応位置に設
け、該光起電手段を直列又は並列に接続し、外部制御デ
ータに基づき液晶表示をする液晶表示手段に対する駆動
電源として接続する電源バスを具備することによって、
外部電源による低消費電力化を図ることが開示されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平６−１６０８８９号公報では、前記光起電手段が、
該基板上に形成された画素電極と同一平面上に形成され
ているため、前記画素電極はその面積が減少されること
を余儀なくされてしまうので、開口率が小さくなり、輝
度が低下してしまうという問題点があった。また、これ
を解消するために、従来と同等の輝度を得ようとすると
照明手段の照度を上げる必要があるが、この場合かえっ
て消費電力が増加してしまうという問題点があった。
開平６−１６０８８９号公報では、前記光起電手段が、
該基板上に形成された画素電極と同一平面上に形成され
ているため、前記画素電極はその面積が減少されること
を余儀なくされてしまうので、開口率が小さくなり、輝
度が低下してしまうという問題点があった。また、これ
を解消するために、従来と同等の輝度を得ようとすると
照明手段の照度を上げる必要があるが、この場合かえっ
て消費電力が増加してしまうという問題点があった。
【００１０】また、前記公報では、前記光起電手段を各
画素対応位置に設けているため、これらを直列又は並列
に接続する際、別途配線を形成する必要があるため、作
製工程が複雑になるという問題点があった。
画素対応位置に設けているため、これらを直列又は並列
に接続する際、別途配線を形成する必要があるため、作
製工程が複雑になるという問題点があった。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、開口率を低下させる事なく、かつ有効に光電
池を配置させることによって外部電源による低消費電力
化を図ることが可能となる液晶表示装置を提供するもの
である。
のであり、開口率を低下させる事なく、かつ有効に光電
池を配置させることによって外部電源による低消費電力
化を図ることが可能となる液晶表示装置を提供するもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液晶表示装置は、電極が形成された２枚の基板間に液晶
が挾持され、該基板間内に複数の画素がマトリクス状に
形成された液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面
から前記液晶表示パネルに光を照射する照明手段と、前
記複数の画素に信号を入力する駆動回路とを具備してな
る液晶表示装置において、前記２枚の基板のうち、前記
照明手段側基板の電極形成面上であって、前記画素と重
ならない位置に光電池が設けられており、前記電極は、
該光電池を覆うように形成された絶縁膜上に形成されて
いることを特徴とするものである。
液晶表示装置は、電極が形成された２枚の基板間に液晶
が挾持され、該基板間内に複数の画素がマトリクス状に
形成された液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面
から前記液晶表示パネルに光を照射する照明手段と、前
記複数の画素に信号を入力する駆動回路とを具備してな
る液晶表示装置において、前記２枚の基板のうち、前記
照明手段側基板の電極形成面上であって、前記画素と重
ならない位置に光電池が設けられており、前記電極は、
該光電池を覆うように形成された絶縁膜上に形成されて
いることを特徴とするものである。
【００１３】本発明の請求項２記載の液晶表示装置は、
請求項１記載の液晶表示装置において、前記液晶表示装
置がトップゲート構造の薄膜トランジスタをスイッチン
グ素子として有するアクティブマトリクス型の液晶表示
装置であり、前記光電池が前記薄膜トランジスタの半導
体層よりも下層に形成されており、かつ前記光電池が少
なくとも前記半導体層のチャネル領域と重なるように形
成されていることを特徴とするものである。
請求項１記載の液晶表示装置において、前記液晶表示装
置がトップゲート構造の薄膜トランジスタをスイッチン
グ素子として有するアクティブマトリクス型の液晶表示
装置であり、前記光電池が前記薄膜トランジスタの半導
体層よりも下層に形成されており、かつ前記光電池が少
なくとも前記半導体層のチャネル領域と重なるように形
成されていることを特徴とするものである。
【００１４】本発明の請求項３記載の液晶表示装置は、
請求項１または２記載の液晶表示装置において、前記光
電池の少なくとも一方の電極は一定の電位に保持されて
いることを特徴とするものである。
請求項１または２記載の液晶表示装置において、前記光
電池の少なくとも一方の電極は一定の電位に保持されて
いることを特徴とするものである。
【００１５】本発明の請求項４記載の液晶表示装置は、
請求項１乃至３記載の液晶表示装置において、前記光電
池が一体的に形成されていることを特徴とするものであ
る。
請求項１乃至３記載の液晶表示装置において、前記光電
池が一体的に形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１６】以下、上記構成による作用を説明する。
【００１７】本発明の請求項１記載の構成によれば、電
極と光電池とが異なる面上に形成されるので、光電池を
電極配線の下に配置することが可能となり、画素の開口
率を低下させることなく外部電源による低消費電力化を
図ることができる。
極と光電池とが異なる面上に形成されるので、光電池を
電極配線の下に配置することが可能となり、画素の開口
率を低下させることなく外部電源による低消費電力化を
図ることができる。
【００１８】本発明の請求項２記載の構成によれば、前
記光電池がトップゲート構造の薄膜トランジスタのチャ
ネル領域の遮光膜として機能するため、ＴＦＴのオフ状
態時におけるリーク電流の増加を抑えることができる。
記光電池がトップゲート構造の薄膜トランジスタのチャ
ネル領域の遮光膜として機能するため、ＴＦＴのオフ状
態時におけるリーク電流の増加を抑えることができる。
【００１９】本発明の請求項３記載の構成によれば、光
電池の上部電極を一定の電位に保持することによって、
上部電極のフローティングを抑えることができる。
電池の上部電極を一定の電位に保持することによって、
上部電極のフローティングを抑えることができる。
【００２０】本発明の請求項４記載の構成によれば、個
々に光電池を形成した場合にこれらを接続するのに必要
な配線を別途形成する必要をなくすことができ、工程数
を大幅に削減することができる。
々に光電池を形成した場合にこれらを接続するのに必要
な配線を別途形成する必要をなくすことができ、工程数
を大幅に削減することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
１及び図２を用いて詳細に説明する。
１及び図２を用いて詳細に説明する。
【００２２】図１は本実施の形態の液晶表示装置におけ
るトップゲート構造のＴＦＴを有するアクティブマトリ
クス基板の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図で
ある。図１において、１は画素電極、２は光電池であ
る。なお、図１においては説明を分かりやすくするため
にソースバスライン、ゲートバスライン、ＴＦＴ等を省
略してある。また、図２において、３は透光性基板、４
は電極、５はｐ型半導体層、６はｉ型半導体層、７はｎ
型半導体層、８は電極、９は絶縁膜、１０は半導体層、
１１はゲート絶縁膜、１２はゲート電極を示している。
なお、照明手段は前記透光性基板３の下側に配置され
る。５，６，７の各半導体層を４，８の下部及び上部電
極によって挾持することによって光電池２を形成してい
る。また、前記半導体層１０は製造過程においてチャネ
ル領域１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５が形成
されており、該ソース電極１４はソースバスライン１６
に、該ドレイン電極１５は画素電極１に接続される。
るトップゲート構造のＴＦＴを有するアクティブマトリ
クス基板の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ断面図で
ある。図１において、１は画素電極、２は光電池であ
る。なお、図１においては説明を分かりやすくするため
にソースバスライン、ゲートバスライン、ＴＦＴ等を省
略してある。また、図２において、３は透光性基板、４
は電極、５はｐ型半導体層、６はｉ型半導体層、７はｎ
型半導体層、８は電極、９は絶縁膜、１０は半導体層、
１１はゲート絶縁膜、１２はゲート電極を示している。
なお、照明手段は前記透光性基板３の下側に配置され
る。５，６，７の各半導体層を４，８の下部及び上部電
極によって挾持することによって光電池２を形成してい
る。また、前記半導体層１０は製造過程においてチャネ
ル領域１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５が形成
されており、該ソース電極１４はソースバスライン１６
に、該ドレイン電極１５は画素電極１に接続される。
【００２３】本実施形態の液晶表示装置は、図１から分
かるように、光電池２は前記画素電極１を避ける位置に
形成されているので、前記光電池２によって画素の開口
率を低下させることがなくなる。また、図２から分かる
ように、前記光電池２は少なくともＴＦＴのチャネル領
域１３と重なるように設けてられているので、前記ＴＦ
Ｔのチャネル領域１３が前記光電池２によって遮光され
ることとなり、従来の構造で形成していた遮光膜が不要
となる。
かるように、光電池２は前記画素電極１を避ける位置に
形成されているので、前記光電池２によって画素の開口
率を低下させることがなくなる。また、図２から分かる
ように、前記光電池２は少なくともＴＦＴのチャネル領
域１３と重なるように設けてられているので、前記ＴＦ
Ｔのチャネル領域１３が前記光電池２によって遮光され
ることとなり、従来の構造で形成していた遮光膜が不要
となる。
【００２４】さらに、前記光電池２は一体的に形成され
ているので、これらを個々に形成した場合に必要となる
配線を形成する必要がなくなり、工程数を大幅に削減す
ることができる。また、光電池の面積が大きくなるの
で、光電池による起電力も増加し、外部電源による消費
電力を更に小さくすることができる。
ているので、これらを個々に形成した場合に必要となる
配線を形成する必要がなくなり、工程数を大幅に削減す
ることができる。また、光電池の面積が大きくなるの
で、光電池による起電力も増加し、外部電源による消費
電力を更に小さくすることができる。
【００２５】次に、本実施形態における液晶表示装置に
用いられるアクティブマトリクス基板の製造方法につい
て以下に説明する。
用いられるアクティブマトリクス基板の製造方法につい
て以下に説明する。
【００２６】まず、透光性基板３上にＩＴＯ等の透明電
極をスパッタ等の手法によって形成し、前記光電池２の
下部電極４とする。続いて光電池２の受光層となるｐ型
半導体層５、ｉ型半導体層６、ｎ型半導体層７をそれぞ
れａ−Ｓｉを用いてプラズマＣＶＤ等の手法によって形
成する。ここでは、ｐ型半導体層５のドーピングガスに
はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を、またｎ型半導体層７ドーピン
グガスにはホスフィン（ＰＨ3）をそれぞれ使用した。
極をスパッタ等の手法によって形成し、前記光電池２の
下部電極４とする。続いて光電池２の受光層となるｐ型
半導体層５、ｉ型半導体層６、ｎ型半導体層７をそれぞ
れａ−Ｓｉを用いてプラズマＣＶＤ等の手法によって形
成する。ここでは、ｐ型半導体層５のドーピングガスに
はジボラン（Ｂ2Ｈ6）を、またｎ型半導体層７ドーピン
グガスにはホスフィン（ＰＨ3）をそれぞれ使用した。
【００２７】続いてｎ型半導体層７の上にＡｌやＣｒ等
の金属を形成し前記光電池２の上部電極８とした後、こ
れらの積層体のうち表示部にかかる部分を図１に示す形
状にエッチングし、残りの一部を電源取出し端子として
パターニングする。
の金属を形成し前記光電池２の上部電極８とした後、こ
れらの積層体のうち表示部にかかる部分を図１に示す形
状にエッチングし、残りの一部を電源取出し端子として
パターニングする。
【００２８】以上のように光電池２を形成した後、該光
電池２とこの上部に形成するＴＦＴとの電機的分離を行
うために、ＳｉＯ2やＳｉＮx等の絶縁膜９を形成する。
この絶縁膜は薄く形成すると前記光電池２の上部電極８
の電位が上部のＴＦＴに影響を与え、リーク電流の上
昇、しきい値電圧のシフト等を引き起こしてしまうた
め、例えば絶縁膜９にＳｉＯ2を用いた場合、少なくと
も３００ｎｍ程度の膜厚に形成する必要がある。
電池２とこの上部に形成するＴＦＴとの電機的分離を行
うために、ＳｉＯ2やＳｉＮx等の絶縁膜９を形成する。
この絶縁膜は薄く形成すると前記光電池２の上部電極８
の電位が上部のＴＦＴに影響を与え、リーク電流の上
昇、しきい値電圧のシフト等を引き起こしてしまうた
め、例えば絶縁膜９にＳｉＯ2を用いた場合、少なくと
も３００ｎｍ程度の膜厚に形成する必要がある。
【００２９】その後は、従来と同様の手法によってＴＦ
Ｔを形成する。このとき、ＴＦＴの半導体層１０に形成
されるチャネル領域１３が前記光電池５と重なるように
形成する。
Ｔを形成する。このとき、ＴＦＴの半導体層１０に形成
されるチャネル領域１３が前記光電池５と重なるように
形成する。
【００３０】さらに、前記光電池２の電源取出し端子と
駆動回路とを接続し、光電池２によって得られた電力を
駆動回路に供給できるようにする。このとき、光電池２
の上部電極８を一定の電位、例えばアースに落としてお
けば、該電極８のフローティングを抑えることができ、
光電池２側からチャネル１３へ電界がかかるのを防ぐこ
とができる。
駆動回路とを接続し、光電池２によって得られた電力を
駆動回路に供給できるようにする。このとき、光電池２
の上部電極８を一定の電位、例えばアースに落としてお
けば、該電極８のフローティングを抑えることができ、
光電池２側からチャネル１３へ電界がかかるのを防ぐこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置においては、電極が形成された２枚の基板間に液晶
が挾持され、該基板間内に複数の画素がマトリクス状に
形成された液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面
から前記液晶表示パネルに光を照射する照明手段と、前
記複数の画素に信号を入力する駆動回路とを具備してな
る液晶表示装置において、前記２枚の基板のうち、前記
照明手段側基板の電極形成面上であって、前記画素と重
ならない位置に光電池が設けられており、前記電極は、
該光電池を覆うように形成された絶縁膜上に形成されて
いるので、従来の開口率を低下させることなく、外部電
源による消費電力を小さく抑えることができるという効
果を奏する。
装置においては、電極が形成された２枚の基板間に液晶
が挾持され、該基板間内に複数の画素がマトリクス状に
形成された液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面
から前記液晶表示パネルに光を照射する照明手段と、前
記複数の画素に信号を入力する駆動回路とを具備してな
る液晶表示装置において、前記２枚の基板のうち、前記
照明手段側基板の電極形成面上であって、前記画素と重
ならない位置に光電池が設けられており、前記電極は、
該光電池を覆うように形成された絶縁膜上に形成されて
いるので、従来の開口率を低下させることなく、外部電
源による消費電力を小さく抑えることができるという効
果を奏する。
【００３２】また、前記液晶表示装置がトップゲート構
造の薄膜トランジスタをスイッチング素子として有する
アクティブマトリクス型の液晶表示装置である場合は、
前記光電池を前記薄膜トランジスタの半導体層よりも下
層に形成し、かつ前記光電池が少なくとも前記半導体層
のチャネル領域と重なるように形成することによって前
記光電池を遮光膜として利用することができるという効
果を奏する。
造の薄膜トランジスタをスイッチング素子として有する
アクティブマトリクス型の液晶表示装置である場合は、
前記光電池を前記薄膜トランジスタの半導体層よりも下
層に形成し、かつ前記光電池が少なくとも前記半導体層
のチャネル領域と重なるように形成することによって前
記光電池を遮光膜として利用することができるという効
果を奏する。
【００３３】また、前記光電池の一方の電極を一定の電
位に保持することにより、該光電池の上部電極のフロー
ティングを防止することができるので、該光電池側から
チャネル１３へ電界が掛かるのを防ぐことができるとい
う効果を奏する。
位に保持することにより、該光電池の上部電極のフロー
ティングを防止することができるので、該光電池側から
チャネル１３へ電界が掛かるのを防ぐことができるとい
う効果を奏する。
【００３４】さらに、前記光電池を一体的に形成するこ
とにより、個々に複数形成した場合に比べて、それらを
配線する手間を省くことができるという効果を奏する。
また、光電池の面積が大きくなるので、外部電源による
消費電力を更に小さくすることができるという効果を奏
する。
とにより、個々に複数形成した場合に比べて、それらを
配線する手間を省くことができるという効果を奏する。
また、光電池の面積が大きくなるので、外部電源による
消費電力を更に小さくすることができるという効果を奏
する。
【図１】本発明の液晶表示装置に用いるアクティブマト
リクス基板の平面図である。
リクス基板の平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】液晶表示装置の構成を示す図である。
【図４】従来の液晶表示装置に用いるアクティブマトリ
クス基板の平面図である。
クス基板の平面図である。
【図５】図４におけるＢ−Ｂ断面図である。
１ 画素電極 ２ 光電池 ３ 透光性基板 ４ 下部電極 ５ ｐ型半導体層 ６ ｉ型半導体層 ７ ｎ型半導体層 ８ 上部電極 ９ 絶縁膜 １０ 半導体層 １１ ゲート絶縁膜 １２ ゲート電極 １３ チャネル領域 １４ ソース電極 １５ ドレイン電極 １６ ソースバスライン
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｑ
Claims (4)
- 【請求項１】 電極が形成された２枚の基板間に液晶が
挾持され、該基板間内に複数の画素がマトリクス状に形
成された液晶表示パネルと、該液晶表示パネルの背面か
ら前記液晶表示パネルに光を照射する照明手段と、前記
複数の画素に信号を入力する駆動回路とを具備してなる
液晶表示装置において、 前記２枚の基板のうち、前記照明手段側基板の電極形成
面上であって、前記画素と重ならない位置に光電池が設
けられており、前記電極は、該光電池を覆うように形成
された絶縁膜上に形成されていることを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】 前記液晶表示装置がトップゲート構造の
薄膜トランジスタをスイッチング素子として有するアク
ティブマトリクス型の液晶表示装置であり、前記光電池
が前記薄膜トランジスタの半導体層よりも下層に形成さ
れており、かつ前記光電池が少なくとも前記半導体層の
チャネル領域と重なるように形成されていることを特徴
とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記光電池の一方の電極は一定の電位に
保持されていることを特徴とする請求項１または２記載
の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記光電池は一体的に形成されているこ
とを特徴とする請求項１乃至３記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542196A JPH09325352A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542196A JPH09325352A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09325352A true JPH09325352A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15384868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14542196A Pending JPH09325352A (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09325352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008134661A (ja) * | 2008-02-14 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池付反射型ディスプレイ |
| JP2014211654A (ja) * | 2008-02-14 | 2014-11-13 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 発電ブラックマスクを有する装置およびそれを製造する方法 |
-
1996
- 1996-06-07 JP JP14542196A patent/JPH09325352A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008134661A (ja) * | 2008-02-14 | 2008-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池付反射型ディスプレイ |
| JP4697239B2 (ja) * | 2008-02-14 | 2011-06-08 | 凸版印刷株式会社 | 太陽電池付反射型ディスプレイ |
| JP2014211654A (ja) * | 2008-02-14 | 2014-11-13 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 発電ブラックマスクを有する装置およびそれを製造する方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6812912B2 (en) | Active matrix display device with storage capacitor for each pixel | |
| US5650637A (en) | Active matrix assembly | |
| US5365079A (en) | Thin film transistor and display device including same | |
| EP0186036B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| KR20180076661A (ko) | 표시 장치용 기판과 그를 포함하는 표시 장치 | |
| US7391397B2 (en) | Display device | |
| US8810757B2 (en) | Liquid crystal display device including a light-blocking member | |
| US6819385B2 (en) | Transflective pixel structure | |
| JP2001051303A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US8164094B2 (en) | Pixel structure and fabricating method thereof | |
| JPH08116062A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR930008238B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그것을 사용한 액정표시장치 | |
| CN109509793A (zh) | 薄膜晶体管、其制造方法及电子装置 | |
| US5677547A (en) | Thin film transistor and display device including same | |
| US20050206827A1 (en) | Image display device | |
| CN100444405C (zh) | 双栅级薄膜电晶体与像素结构及其制造方法 | |
| TWI451177B (zh) | 主動元件、畫素結構、驅動電路以及顯示面板 | |
| CN110992835B (zh) | 阵列基板、显示装置及其驱动方法 | |
| JPH09325352A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH10111519A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| JPH0695157A (ja) | 液晶表示装置 | |
| CN100371815C (zh) | 制作液晶显示器的薄膜晶体管的方法 | |
| JP4167796B2 (ja) | 液晶装置およびその製造方法ならびに電子機器 | |
| US20210327911A1 (en) | Active matrix substrate and display device | |
| JP2002006341A (ja) | 液晶装置およびその製造方法 |