JPH09324274A - レーザーｃｖｄ装置、及び薄膜の製造方法 - Google Patents
レーザーｃｖｄ装置、及び薄膜の製造方法Info
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- JPH09324274A JPH09324274A JP14455996A JP14455996A JPH09324274A JP H09324274 A JPH09324274 A JP H09324274A JP 14455996 A JP14455996 A JP 14455996A JP 14455996 A JP14455996 A JP 14455996A JP H09324274 A JPH09324274 A JP H09324274A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】比較的低いエネルギーのレーザー装置を用い
て、大面積の基板に均一な薄膜を容易に形成することが
できるレーザーＣＶＤ装置、及びそれを用いた薄膜の製
造方法を提供する。 【解決手段】ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内部の
基板上の空間にレーザー光を導入するレーザーＣＶＤ装
置において、基板４と集束されたレーザー光８又は９と
の間に基板４の面よりも小さい開口部１４を有するマス
ク１３が基板４と分離して配置され、基板４をマスク１
３に対して平行方向に移動させる手段１５が備えられて
いる。
て、大面積の基板に均一な薄膜を容易に形成することが
できるレーザーＣＶＤ装置、及びそれを用いた薄膜の製
造方法を提供する。 【解決手段】ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内部の
基板上の空間にレーザー光を導入するレーザーＣＶＤ装
置において、基板４と集束されたレーザー光８又は９と
の間に基板４の面よりも小さい開口部１４を有するマス
ク１３が基板４と分離して配置され、基板４をマスク１
３に対して平行方向に移動させる手段１５が備えられて
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光を照射
して基板上に薄膜を形成するレーザーＣＶＤ装置、及び
それを用いた薄膜製造方法に関する。
して基板上に薄膜を形成するレーザーＣＶＤ装置、及び
それを用いた薄膜製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物誘電体薄膜の形成を目的と
したＣＶＤ法による薄膜の製造方法としては、成膜のた
めのエネルギーを主に熱エネルギーの形で原料ガスに供
給するものが知られている。
したＣＶＤ法による薄膜の製造方法としては、成膜のた
めのエネルギーを主に熱エネルギーの形で原料ガスに供
給するものが知られている。
【０００３】しかしながら、この薄膜製造方法では酸化
物誘電体薄膜が化学量論組成に対して酸素不足となり易
い。更に半導体分野に適用する場合には基板温度に制約
があり、熱エネルギーのみでは原料ガスの分解反応など
が十分に行なわれない場合がある。このため、反応室に
レーザー光を導入し、このレーザー光の有するエネルギ
ー及び光化学反応によって酸化物薄膜の形成を助ける方
法がある（例えば、特開平５−７８８４７号公報）。
物誘電体薄膜が化学量論組成に対して酸素不足となり易
い。更に半導体分野に適用する場合には基板温度に制約
があり、熱エネルギーのみでは原料ガスの分解反応など
が十分に行なわれない場合がある。このため、反応室に
レーザー光を導入し、このレーザー光の有するエネルギ
ー及び光化学反応によって酸化物薄膜の形成を助ける方
法がある（例えば、特開平５−７８８４７号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ー光を利用した従来の方法で酸化物薄膜を形成しようと
すると、例えば特開平５−７８８４７号に開示されてい
るように、基板上の全面をレーザー光で覆う必要があっ
た。
ー光を利用した従来の方法で酸化物薄膜を形成しようと
すると、例えば特開平５−７８８４７号に開示されてい
るように、基板上の全面をレーザー光で覆う必要があっ
た。
【０００５】したがって、この方法で大面積の基板に成
膜しようとすると非常に高エネルギーのレーザー光源が
必要となり、コスト的、構成的に不利になるという欠点
を有していた。
膜しようとすると非常に高エネルギーのレーザー光源が
必要となり、コスト的、構成的に不利になるという欠点
を有していた。
【０００６】そこで、本発明の目的は、比較的低いエネ
ルギーのレーザー装置を用いて、大面積の基板に均一な
薄膜を容易に形成することができるレーザーＣＶＤ装
置、及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することに
ある。
ルギーのレーザー装置を用いて、大面積の基板に均一な
薄膜を容易に形成することができるレーザーＣＶＤ装
置、及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のレーザーＣＶＤ装置は、ＣＶＤ装置の反応
室外部より反応室内部の基板上の空間にレーザー光を導
入するレーザーＣＶＤ装置において、前記基板と集束さ
れたレーザー光との間に前記基板の面よりも小さい開口
部を有するマスクが前記基板と分離して配置され、前記
基板を前記マスクに対して平行方向に移動させる手段が
備えられていることを特徴とする。
め、本発明のレーザーＣＶＤ装置は、ＣＶＤ装置の反応
室外部より反応室内部の基板上の空間にレーザー光を導
入するレーザーＣＶＤ装置において、前記基板と集束さ
れたレーザー光との間に前記基板の面よりも小さい開口
部を有するマスクが前記基板と分離して配置され、前記
基板を前記マスクに対して平行方向に移動させる手段が
備えられていることを特徴とする。
【０００８】又、ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内
部の基板上にレーザー光を照射するレーザーＣＶＤ装置
において、前記基板と集束されたレーザー光との間に前
記基板の面よりも小さい開口部を有するマスクが前記基
板と分離して配置され、前記基板を前記マスクに対して
平行方向に移動させる手段が備えられていることを特徴
とする。
部の基板上にレーザー光を照射するレーザーＣＶＤ装置
において、前記基板と集束されたレーザー光との間に前
記基板の面よりも小さい開口部を有するマスクが前記基
板と分離して配置され、前記基板を前記マスクに対して
平行方向に移動させる手段が備えられていることを特徴
とする。
【０００９】さらに、本発明の薄膜の製造方法は、ＣＶ
Ｄ装置の反応室外部より反応室内部の基板上の空間にレ
ーザー光を導入して成膜するレーザーＣＶＤ法による薄
膜の製造方法において、前記基板と集束されたレーザー
光との間に前記基板の面よりも小さい開口部を有するマ
スクを配置し、該開口部の上に原料ガスと前記集束され
たレーザー光を導入するとともに、前記基板を前記マス
クに対して平行方向に移動させて前記基板上の露出部分
を変えることを特徴とする。
Ｄ装置の反応室外部より反応室内部の基板上の空間にレ
ーザー光を導入して成膜するレーザーＣＶＤ法による薄
膜の製造方法において、前記基板と集束されたレーザー
光との間に前記基板の面よりも小さい開口部を有するマ
スクを配置し、該開口部の上に原料ガスと前記集束され
たレーザー光を導入するとともに、前記基板を前記マス
クに対して平行方向に移動させて前記基板上の露出部分
を変えることを特徴とする。
【００１０】又、ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内
部の基板上にレーザー光を照射して成膜するレーザーＣ
ＶＤ法による薄膜の製造方法において、前記基板と集束
されたレーザー光との間に前記基板の面よりも小さい開
口部を有するマスクを配置し、該開口部に原料ガスと前
記集束されたレーザー光を導入するとともに、前記基板
を前記マスクに対して平行方向に移動させて前記基板上
の露出部分を変えることを特徴とする。
部の基板上にレーザー光を照射して成膜するレーザーＣ
ＶＤ法による薄膜の製造方法において、前記基板と集束
されたレーザー光との間に前記基板の面よりも小さい開
口部を有するマスクを配置し、該開口部に原料ガスと前
記集束されたレーザー光を導入するとともに、前記基板
を前記マスクに対して平行方向に移動させて前記基板上
の露出部分を変えることを特徴とする。
【００１１】又、前記薄膜は、酸化物誘電体薄膜である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１２】上記構成とすることにより、特別に高エネ
ルギー光源を用いなくても、ＣＶＤ原料ガスが基板と接
触するマスク開口部に、常に反応に十分なエネルギーを
持つレーザー光を照射することができる。又、基板を移
動させることにより、基板各部の成膜時間を調節するこ
とができる。
ルギー光源を用いなくても、ＣＶＤ原料ガスが基板と接
触するマスク開口部に、常に反応に十分なエネルギーを
持つレーザー光を照射することができる。又、基板を移
動させることにより、基板各部の成膜時間を調節するこ
とができる。
【００１３】したがって、例えば酸化物誘電体薄膜の製
造において、基板温度が低い条件でも、化学量論組成に
近く極めて均一性の高い大面積の誘電体薄膜を得ること
ができる。
造において、基板温度が低い条件でも、化学量論組成に
近く極めて均一性の高い大面積の誘電体薄膜を得ること
ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】まず、本発明のレーザーＣＶＤ装
置について、図面に基づき説明する。図１は、本発明の
レーザーＣＶＤ装置を示す断面図である。図２は、図１
の中で、基板、マスク、集束されたレーザー光の位置関
係を示す斜視図である。
置について、図面に基づき説明する。図１は、本発明の
レーザーＣＶＤ装置を示す断面図である。図２は、図１
の中で、基板、マスク、集束されたレーザー光の位置関
係を示す斜視図である。
【００１５】このレーザーＣＶＤ装置は加熱体より供給
される熱エネルギーとレーザー光によって供給されるエ
ネルギーにより原料ガスの分解、励起、膜形成を行なう
ものである。
される熱エネルギーとレーザー光によって供給されるエ
ネルギーにより原料ガスの分解、励起、膜形成を行なう
ものである。
【００１６】図１において、１は反応室であり、この反
応室には内圧が調整可能なように真空ポンプ２が付設さ
れている。３はヒータを内蔵した基板保持台であり、こ
の基板保持台３の上には薄膜形成の対象となる基板４が
載置される。５は反応室内に原料ガスを供給するノズル
であり、この原料ガスは気化器６、７で気化されてキャ
リアガス、酸化ガスなどとともに供給される。８又は９
はレーザー光であり、レーザー発生装置１０で発生さ
れ、光学系を通して所定のサイズの平行光に集束され、
レーザー入射窓１１を通して反応室１内に導入され、レ
ーザー吸収壁１２に吸収される。１３は、レーザー光８
又は９と基板４の間に基板４即ち基板保持台３と分離し
て反応室１の内壁に固定された、基板４の面よりも小さ
い開口部１４を有するマスクである。そして、図２に示
すように、マスク１３の開口部１４の幅は、基板４の直
径よりも小さくレーザー光８の幅よりも小さい。さらに
図１において、１５は基板保持台３の支持駆動部であ
り、基板４を載置した基板保持台３をマスク１３の面に
対して平行方向に移動させることができるようになって
いる。
応室には内圧が調整可能なように真空ポンプ２が付設さ
れている。３はヒータを内蔵した基板保持台であり、こ
の基板保持台３の上には薄膜形成の対象となる基板４が
載置される。５は反応室内に原料ガスを供給するノズル
であり、この原料ガスは気化器６、７で気化されてキャ
リアガス、酸化ガスなどとともに供給される。８又は９
はレーザー光であり、レーザー発生装置１０で発生さ
れ、光学系を通して所定のサイズの平行光に集束され、
レーザー入射窓１１を通して反応室１内に導入され、レ
ーザー吸収壁１２に吸収される。１３は、レーザー光８
又は９と基板４の間に基板４即ち基板保持台３と分離し
て反応室１の内壁に固定された、基板４の面よりも小さ
い開口部１４を有するマスクである。そして、図２に示
すように、マスク１３の開口部１４の幅は、基板４の直
径よりも小さくレーザー光８の幅よりも小さい。さらに
図１において、１５は基板保持台３の支持駆動部であ
り、基板４を載置した基板保持台３をマスク１３の面に
対して平行方向に移動させることができるようになって
いる。
【００１７】次に、上記レーザーＣＶＤ装置を用いた薄
膜の製造方法を、酸化物誘電体薄膜であるＳｒＴｉＯ3
を例とし図３を参照して説明する。
膜の製造方法を、酸化物誘電体薄膜であるＳｒＴｉＯ3
を例とし図３を参照して説明する。
【００１８】（実施例１）まず、ＳｒＴｉＯ3 膜を形成
する基板として直径１０２ｍｍのＳｉ基板４１を準備し
た。なお、このＳｉ基板４１は熱処理して表面にＳｉＯ
2 膜４２が形成され、その上にスパッタリング法でＴｉ
膜４３が形成されたものを用いた。その後、Ｔｉ膜４３
の上に、スパッタリング法でＰｔ膜４４を形成した。
する基板として直径１０２ｍｍのＳｉ基板４１を準備し
た。なお、このＳｉ基板４１は熱処理して表面にＳｉＯ
2 膜４２が形成され、その上にスパッタリング法でＴｉ
膜４３が形成されたものを用いた。その後、Ｔｉ膜４３
の上に、スパッタリング法でＰｔ膜４４を形成した。
【００１９】次に、Ｐｔ膜４４の上に、図１に示すレー
ザーＣＶＤ装置を用い、表１に示す条件でＳｒＴｉＯ3
膜を形成した。
ザーＣＶＤ装置を用い、表１に示す条件でＳｒＴｉＯ3
膜を形成した。
【００２０】即ち、Ｐｔ膜４４を形成したＳｉからなる
基板４を反応室１内の基板保持台３上に載置した。その
後、反応室１を減圧にし、基板４を所定温度に加熱した
後、気化器で気化させたＳｒ原料ガスとＴｉ原料ガスを
キャリアガスとしてのＡｒガス及び酸化性ガスとしての
Ｏ2 ガスとともに、ノズル５より反応室１内のマスク１
３の開口部１４上に導入した。一方、レーザー発生装置
１０より発生させて所定サイズの平行光に集束させたレ
ーザー光８をマスク１３の開口部１４の上に導入して、
原料ガスを分解、励起して基板４（ＳｉＯ２膜、Ｔｉ膜
及びＰｔ膜を有するＳｉ基板４１）の上にＳｒＴｉＯ3
膜４５を形成した。このとき、基板保持台３を一定速度
で移動させて基板４の表面の全ての部分が１２０分間マ
スク開口部１４の下に位置するようにした。なお、後で
電気特性を測定するときに、Ｐｔ膜を下部電極として取
り出せるように基板４上に１０ｍｍ角のマスクをセット
しておいた。
基板４を反応室１内の基板保持台３上に載置した。その
後、反応室１を減圧にし、基板４を所定温度に加熱した
後、気化器で気化させたＳｒ原料ガスとＴｉ原料ガスを
キャリアガスとしてのＡｒガス及び酸化性ガスとしての
Ｏ2 ガスとともに、ノズル５より反応室１内のマスク１
３の開口部１４上に導入した。一方、レーザー発生装置
１０より発生させて所定サイズの平行光に集束させたレ
ーザー光８をマスク１３の開口部１４の上に導入して、
原料ガスを分解、励起して基板４（ＳｉＯ２膜、Ｔｉ膜
及びＰｔ膜を有するＳｉ基板４１）の上にＳｒＴｉＯ3
膜４５を形成した。このとき、基板保持台３を一定速度
で移動させて基板４の表面の全ての部分が１２０分間マ
スク開口部１４の下に位置するようにした。なお、後で
電気特性を測定するときに、Ｐｔ膜を下部電極として取
り出せるように基板４上に１０ｍｍ角のマスクをセット
しておいた。
【００２１】
【表１】
【００２２】成膜後、Ｘ線回折によって膜の分析を行な
ったところ、ＳｒＴｉＯ3 のピークが確認された。
ったところ、ＳｒＴｉＯ3 のピークが確認された。
【００２３】次に、このＳｒＴｉＯ3 からなる薄膜の上
に直径０．５ｍｍのＡｇ膜４６を５ｍｍ間隔に約３００
点蒸着した。その後、下部電極のＰｔ膜と上部電極のＡ
ｇ膜とを対向電極として静電容量を測定した。測定結果
の平均値を表２に示す。
に直径０．５ｍｍのＡｇ膜４６を５ｍｍ間隔に約３００
点蒸着した。その後、下部電極のＰｔ膜と上部電極のＡ
ｇ膜とを対向電極として静電容量を測定した。測定結果
の平均値を表２に示す。
【００２４】
【表２】
【００２５】なお、比較のために、レーザー光８を照射
しないものであって他の条件は実施例１と同様にしたも
の（比較例１）、及びレーザー光８の幅を４０ｍｍから
１２０ｍｍと広げるとともにマスク１３を除去して基板
全面にレーザー光を導入したものであって他の条件は実
施例１と同様にしたもの（比較例２）を作製した。
しないものであって他の条件は実施例１と同様にしたも
の（比較例１）、及びレーザー光８の幅を４０ｍｍから
１２０ｍｍと広げるとともにマスク１３を除去して基板
全面にレーザー光を導入したものであって他の条件は実
施例１と同様にしたもの（比較例２）を作製した。
【００２６】その後、実施例１と同様に、Ｘ線回折によ
る膜の分析と、静電容量の測定を行なった。その結果、
いずれの比較例においてもＳｒＴｉＯ3 に起因するピー
クは認められなかった。又、静電容量の平均値は表２に
示す通りである。
る膜の分析と、静電容量の測定を行なった。その結果、
いずれの比較例においてもＳｒＴｉＯ3 に起因するピー
クは認められなかった。又、静電容量の平均値は表２に
示す通りである。
【００２７】表２に示す通り、実施例１においては比較
例１、２と比較して著しく高い静電容量が得られた。ま
た次式で定義される静電容量のばらつきＲ1 は３．２％
と小さく良好であった。
例１、２と比較して著しく高い静電容量が得られた。ま
た次式で定義される静電容量のばらつきＲ1 は３．２％
と小さく良好であった。
【００２８】Ｒ1 ＝（Ｃmax.−Ｃmin.）／Ｃave. 次に実施例１で得られたＳｒＴｉＯ3 薄膜を切断し、膜
厚分布を測定した。測定した膜厚の平均は１９０ｎｍ
で、次式で定義される膜厚ばらつきＲ2 は２．９％と小
さく良好であった。
厚分布を測定した。測定した膜厚の平均は１９０ｎｍ
で、次式で定義される膜厚ばらつきＲ2 は２．９％と小
さく良好であった。
【００２９】Ｒ２＝（ｔmax.−ｔmin.）／ｔave. （実施例２）実施例１ではレーザー光は基板面に対して
平行に入射し、基板には直接照射していないが、基板に
照射した場合も同様の効果が得られる。つまり図１にお
いて、レーザー光８に代えてレーザー光９を用いて成膜
を行なうことができる。この場合の実施例を説明する。
平行に入射し、基板には直接照射していないが、基板に
照射した場合も同様の効果が得られる。つまり図１にお
いて、レーザー光８に代えてレーザー光９を用いて成膜
を行なうことができる。この場合の実施例を説明する。
【００３０】まず、実施例１と同様にして、Ｐｔ膜を形
成したＳｉからなる基板を準備した。その後、Ｐｔ膜の
上に、図１に示すレーザーＣＶＤ装置を用い、表３に示
す条件でＳｒＴｉＯ3 薄膜を形成した。即ち、集束され
たレーザー光９を反応容器内に導入して基板に直接照射
した。表３中のレーザー入射角はレーザー光の基板に対
する角度である。
成したＳｉからなる基板を準備した。その後、Ｐｔ膜の
上に、図１に示すレーザーＣＶＤ装置を用い、表３に示
す条件でＳｒＴｉＯ3 薄膜を形成した。即ち、集束され
たレーザー光９を反応容器内に導入して基板に直接照射
した。表３中のレーザー入射角はレーザー光の基板に対
する角度である。
【００３１】
【表３】
【００３２】成膜後、Ｘ線回折によって膜の分析を行な
ったところＳｒＴｉＯ3 のピークが確認された。
ったところＳｒＴｉＯ3 のピークが確認された。
【００３３】その後、実施例１と同様にして、Ａｇ膜を
形成してコンデンサを作製したところ、静電容量の平均
値１２２０ｐＦ、静電容量のばらつき４．３％と、良好
であった。又、ＳｒＴｉＯ3 膜厚の平均は１７０ｎｍ、
膜厚のばらつきは３．０％と良好であった。
形成してコンデンサを作製したところ、静電容量の平均
値１２２０ｐＦ、静電容量のばらつき４．３％と、良好
であった。又、ＳｒＴｉＯ3 膜厚の平均は１７０ｎｍ、
膜厚のばらつきは３．０％と良好であった。
【００３４】なお、上記実施例では、薄膜として酸化物
誘電体薄膜の１つであるＳｒＴｉＯ3 膜を製造する場合
について説明したが、本発明はこれのみに限定されるも
のではない。ＢａＴｉＯ3 、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 、
ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 などの薄膜の製
造においても、化学両論組成のずれを抑えた均一性の高
い大面積の薄膜を基板温度が低い条件で得ることができ
る。
誘電体薄膜の１つであるＳｒＴｉＯ3 膜を製造する場合
について説明したが、本発明はこれのみに限定されるも
のではない。ＢａＴｉＯ3 、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 、
ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 などの薄膜の製
造においても、化学両論組成のずれを抑えた均一性の高
い大面積の薄膜を基板温度が低い条件で得ることができ
る。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、マスクと集束されたレーザー光を用いることに
より大面積基板においてもレーザー光の単位面積当たり
のエネルギーを高めることができるため、基板温度が低
い条件でも化学量論組成に近い薄膜を得ることができ
る。又、基板を移動させることにより、基板各部の成膜
時間を調節することができる。
よれば、マスクと集束されたレーザー光を用いることに
より大面積基板においてもレーザー光の単位面積当たり
のエネルギーを高めることができるため、基板温度が低
い条件でも化学量論組成に近い薄膜を得ることができ
る。又、基板を移動させることにより、基板各部の成膜
時間を調節することができる。
【００３６】したがって、例えば酸化物誘電体薄膜の製
造において、基板温度が低い条件でも、化学量論組成に
近く極めて均一性の高い大面積の誘電体薄膜を得ること
ができる。
造において、基板温度が低い条件でも、化学量論組成に
近く極めて均一性の高い大面積の誘電体薄膜を得ること
ができる。
【図１】本発明のレーザーＣＶＤ装置を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１の中で、基板、マスク、レーザー光の位置
関係を示す斜視図である。
関係を示す斜視図である。
【図３】本発明の方法により製造した誘電体薄膜を用い
たコンデンサの断面図である。
たコンデンサの断面図である。
１ 反応室 ３ 基板保持台 ４ 基板 ５ ノズル ８、９ レーザー光 １３ マスク １４ マスクの開口部 １５ 基板保持台の支持駆動部 ４１ Ｓｉ基板 ４４ Ｐｔ膜 ４５ ＳｒＴｉＯ3 膜 ４６ Ａｇ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｃ 21/822 (72)発明者 李 効民 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内部
の基板上の空間にレーザー光を導入するレーザーＣＶＤ
装置において、前記基板と集束されたレーザー光との間
に前記基板の面よりも小さい開口部を有するマスクが前
記基板と分離して配置され、前記基板を前記マスクに対
して平行方向に移動させる手段が備えられていることを
特徴とする、レーザーＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内部
の基板上にレーザー光を照射するレーザーＣＶＤ装置に
おいて、前記基板と集束されたレーザー光との間に前記
基板の面よりも小さい開口部を有するマスクが前記基板
と分離して配置され、前記基板を前記マスクに対して平
行方向に移動させる手段が備えられていることを特徴と
する、レーザーＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内部
の基板上の空間にレーザー光を導入して成膜するレーザ
ーＣＶＤ法による薄膜の製造方法において、前記基板と
集束されたレーザー光との間に前記基板の面よりも小さ
い開口部を有するマスクを配置し、該開口部の上に原料
ガスと前記集束されたレーザー光を導入するとともに、
前記基板を前記マスクに対して平行方向に移動させて前
記基板上の露出部分を変えることを特徴とする、薄膜の
製造方法。 - 【請求項４】 ＣＶＤ装置の反応室外部より反応室内部
の基板上にレーザー光を照射して成膜するレーザーＣＶ
Ｄ法による薄膜の製造方法において、前記基板と集束さ
れたレーザー光との間に前記基板の面よりも小さい開口
部を有するマスクを配置し、該開口部に原料ガスと前記
集束されたレーザー光を導入するとともに、前記基板を
前記マスクに対して平行方向に移動させて前記基板上の
露出部分を変えることを特徴とする、薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 前記薄膜は、酸化物誘電体薄膜であるこ
とを特徴とする、請求項３又は請求項４記載の薄膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14455996A JPH09324274A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | レーザーｃｖｄ装置、及び薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14455996A JPH09324274A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | レーザーｃｖｄ装置、及び薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09324274A true JPH09324274A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15365085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14455996A Pending JPH09324274A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | レーザーｃｖｄ装置、及び薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09324274A (ja) |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP14455996A patent/JPH09324274A/ja active Pending
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