JPH09315896A - 酸化物単結晶薄膜の合成方法 - Google Patents
酸化物単結晶薄膜の合成方法Info
- Publication number
- JPH09315896A JPH09315896A JP13450096A JP13450096A JPH09315896A JP H09315896 A JPH09315896 A JP H09315896A JP 13450096 A JP13450096 A JP 13450096A JP 13450096 A JP13450096 A JP 13450096A JP H09315896 A JPH09315896 A JP H09315896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- substrate
- thin film
- raw material
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ゾル−ゲル法を用いた光反応によって、単結
晶基板表面に酸化物単結晶の薄膜をエピタキシャル成長
させる方法を提供する。 【解決手段】 単結晶基板１の表面１ａを原料前駆体溶
液３に接触させ、励起光を該基板１の裏面１ｂ側から照
射して表面１ａから原料前駆体溶液３に入射させること
により、原料前駆体を分解して単結晶基板１の表面１ａ
に酸化物単結晶をエピタキシャル成長させる。励起光の
単結晶基板１の表面１ａでの入射角θが全反射臨界角と
なるように、裏面１ｂ側への励起光の照射角度を調整す
ることが好ましい。
晶基板表面に酸化物単結晶の薄膜をエピタキシャル成長
させる方法を提供する。 【解決手段】 単結晶基板１の表面１ａを原料前駆体溶
液３に接触させ、励起光を該基板１の裏面１ｂ側から照
射して表面１ａから原料前駆体溶液３に入射させること
により、原料前駆体を分解して単結晶基板１の表面１ａ
に酸化物単結晶をエピタキシャル成長させる。励起光の
単結晶基板１の表面１ａでの入射角θが全反射臨界角と
なるように、裏面１ｂ側への励起光の照射角度を調整す
ることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ゾルーゲル法を用
いて酸化物単結晶薄膜を基板上にエピタキシャルに成長
させる方法に関する。
いて酸化物単結晶薄膜を基板上にエピタキシャルに成長
させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ゾル−ゲル法を用いて基板上に単
結晶薄膜をエピタキシャル成長させる場合、有機金属化
合物を加水分解して目的物質の水和物やそのコロイドを
含む懸濁液から超微粒子を基板上に沈降させ、これを熱
処理することで単結晶薄膜をエピタキシャル成長させて
いた。
結晶薄膜をエピタキシャル成長させる場合、有機金属化
合物を加水分解して目的物質の水和物やそのコロイドを
含む懸濁液から超微粒子を基板上に沈降させ、これを熱
処理することで単結晶薄膜をエピタキシャル成長させて
いた。
【０００３】特に、ゾル−ゲル法により酸化物を合成す
るときは、原料の金属アルコキシドと水を反応させて加
水分解と脱水縮重合を起こさせる。このときの加水分解
反応と脱水縮重合によって酸化物微粒子が形成され、こ
の微粒子が凝集してネットワーク構造をつくることによ
りゲル化する。このゲルを焼成することによって、ガラ
スや窯業原料粉末等を作製することができる。
るときは、原料の金属アルコキシドと水を反応させて加
水分解と脱水縮重合を起こさせる。このときの加水分解
反応と脱水縮重合によって酸化物微粒子が形成され、こ
の微粒子が凝集してネットワーク構造をつくることによ
りゲル化する。このゲルを焼成することによって、ガラ
スや窯業原料粉末等を作製することができる。
【０００４】この方法を利用して酸化物薄膜を合成する
場合には、スピンコート法や基板引き上げ法などにより
基板表面にゲルの薄膜を形成し、これを焼成して作製し
ていた。しかし、この方法では加水分解反応と脱水縮重
合が一気に起こってゲル化するので、多結晶化しやすか
った。また、エピタキシャル成長させるためには、この
薄膜を更に熱処理して結晶格子の再配列を行う必要があ
った。
場合には、スピンコート法や基板引き上げ法などにより
基板表面にゲルの薄膜を形成し、これを焼成して作製し
ていた。しかし、この方法では加水分解反応と脱水縮重
合が一気に起こってゲル化するので、多結晶化しやすか
った。また、エピタキシャル成長させるためには、この
薄膜を更に熱処理して結晶格子の再配列を行う必要があ
った。
【０００５】また、光反応を用いてゾルの加水分解と脱
水縮重合を進め、酸化物薄膜を合成する形成することも
知られている。例えば、光反応基のβ−ジケトン等で化
学修飾された金属アルコキシドからなる前駆体溶液の薄
膜を基板上に形成し、この薄膜に光を照射して光の照射
された部分のみをゲル化させることにより、パターニン
グされた酸化物薄膜を形成する方法があった（特開平７
−３２０５３９号公報参照）。
水縮重合を進め、酸化物薄膜を合成する形成することも
知られている。例えば、光反応基のβ−ジケトン等で化
学修飾された金属アルコキシドからなる前駆体溶液の薄
膜を基板上に形成し、この薄膜に光を照射して光の照射
された部分のみをゲル化させることにより、パターニン
グされた酸化物薄膜を形成する方法があった（特開平７
−３２０５３９号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したゾル−ゲル法
を用いる薄膜の合成においても、エピタキシャルに単結
晶薄膜を成長させるためには、基板の表面からの結晶格
子配列の情報を継続して伝える必要があり、このために
は基板表面での化学反応過程が重要となる。
を用いる薄膜の合成においても、エピタキシャルに単結
晶薄膜を成長させるためには、基板の表面からの結晶格
子配列の情報を継続して伝える必要があり、このために
は基板表面での化学反応過程が重要となる。
【０００７】これまで報告されている単結晶薄膜をエピ
タキシャル成長させた例は、基板の上にゲルを堆積させ
た後、このゲルのランダムな原子配列を熱処理等により
再配列させて結晶化する方法であった。しかし、この熱
処理等により結晶を再配列する方法では、ゲル体内での
核生成により多結晶化したり、ゲルから結晶へ変わると
きの構造の変化による体積収縮が非常に大きいため表面
粗さが増大したり、更には空孔や亀裂、粒界等が生成さ
れやすく、広い範囲での平滑な単結晶化ができなかっ
た。
タキシャル成長させた例は、基板の上にゲルを堆積させ
た後、このゲルのランダムな原子配列を熱処理等により
再配列させて結晶化する方法であった。しかし、この熱
処理等により結晶を再配列する方法では、ゲル体内での
核生成により多結晶化したり、ゲルから結晶へ変わると
きの構造の変化による体積収縮が非常に大きいため表面
粗さが増大したり、更には空孔や亀裂、粒界等が生成さ
れやすく、広い範囲での平滑な単結晶化ができなかっ
た。
【０００８】また、光反応を用いた酸化物薄膜の合成で
は、光の照射された部分の前駆体だけが反応してゲル化
されるため、基板表面からの結晶格子配列の情報がその
部分に伝わり難く、酸化物をエピタキシャル成長させこ
とはできなかった。
は、光の照射された部分の前駆体だけが反応してゲル化
されるため、基板表面からの結晶格子配列の情報がその
部分に伝わり難く、酸化物をエピタキシャル成長させこ
とはできなかった。
【０００９】本発明は、このような従来の問題点を解決
し、ゾル−ゲル法を用いた光反応によって、基板表面に
酸化物単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させる方法を
提供することを目的としている。
し、ゾル−ゲル法を用いた光反応によって、基板表面に
酸化物単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させる方法を
提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供する方法は、単結晶基板の表面を原料
前駆体溶液に接触させ、励起光を該単結晶基板の裏面側
から照射して表面から原料前駆体溶液に入射させること
により、原料前駆体を分解して単結晶基板の表面から酸
化物単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とす
るものである。
め、本発明が提供する方法は、単結晶基板の表面を原料
前駆体溶液に接触させ、励起光を該単結晶基板の裏面側
から照射して表面から原料前駆体溶液に入射させること
により、原料前駆体を分解して単結晶基板の表面から酸
化物単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とす
るものである。
【００１１】また、上記本発明の酸化物単結晶薄膜の合
成方法においては、励起光の単結晶基板表面での入射角
が全反射臨界角となるように、単結晶基板の裏面側への
励起光の照射角度を調整することが好ましい。
成方法においては、励起光の単結晶基板表面での入射角
が全反射臨界角となるように、単結晶基板の裏面側への
励起光の照射角度を調整することが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】従来の光反応による酸化物の合成
では、基板上に形成したゾル膜の表面から光が照射され
ていたため、ゾルの表面付近でのみ光反応が起こり、基
板表面での反応が殆ど起こらない。そのため、基板表面
ではなく、ゾル中に微結晶核が生成される結果、得られ
る酸化物薄膜は多結晶膜となり、基板表面からエピタキ
シャル成長させることはできなかった。
では、基板上に形成したゾル膜の表面から光が照射され
ていたため、ゾルの表面付近でのみ光反応が起こり、基
板表面での反応が殆ど起こらない。そのため、基板表面
ではなく、ゾル中に微結晶核が生成される結果、得られ
る酸化物薄膜は多結晶膜となり、基板表面からエピタキ
シャル成長させることはできなかった。
【００１３】そこで本発明においては、励起光を基板の
裏面側から照射することによって、励起光が基板中を通
過して表面から原料前駆体溶液に入射し、光反応による
前駆体の分解縮重合を基板表面で起こすようにしたもの
である。その結果、原料前駆体溶液中に余分な加水分解
された分子が発生せず、基板表面でのみ結晶核生成が起
こることになり、基板表面に前駆体の分解した分子が結
合して酸化物単結晶薄膜がエピタキシャル成長する。
裏面側から照射することによって、励起光が基板中を通
過して表面から原料前駆体溶液に入射し、光反応による
前駆体の分解縮重合を基板表面で起こすようにしたもの
である。その結果、原料前駆体溶液中に余分な加水分解
された分子が発生せず、基板表面でのみ結晶核生成が起
こることになり、基板表面に前駆体の分解した分子が結
合して酸化物単結晶薄膜がエピタキシャル成長する。
【００１４】更に、基板裏面からの励起光の照射角度を
調整することによって、基板表面から原料前駆体溶液に
出射される時の励起光を全反射させること、即ち励起光
の基板表面への入射角を全反射臨界角とすることが好ま
しい。基板表面に全反射臨界角で入射した励起光は、基
板表面と原料前駆体溶液の境界面に沿って進むので、原
料前駆体溶液中への光の侵入による溶液中での前駆体の
分解縮重合反応をほぼ完全に防ぐことができ、より完全
な酸化物単結晶薄膜をエピタキシャル成長させることが
できるからである。
調整することによって、基板表面から原料前駆体溶液に
出射される時の励起光を全反射させること、即ち励起光
の基板表面への入射角を全反射臨界角とすることが好ま
しい。基板表面に全反射臨界角で入射した励起光は、基
板表面と原料前駆体溶液の境界面に沿って進むので、原
料前駆体溶液中への光の侵入による溶液中での前駆体の
分解縮重合反応をほぼ完全に防ぐことができ、より完全
な酸化物単結晶薄膜をエピタキシャル成長させることが
できるからである。
【００１５】励起光としては、紫外光、可視光、赤外光
のいずれでも良いが、波長３５０ｎｍ以下の紫外光が反
応を促進する作用が強く、特に好ましい。光源として
は、水銀ランプ、エキシマレーザー、Ｎ2レーザー、Ｙ
ＡＧレーザー、自由電子レーザー、ＳＯＲ光などを用い
ることができる。尚、原料前駆体の特定の結合を励起す
る場合には、波長可変レーザーを利用する。
のいずれでも良いが、波長３５０ｎｍ以下の紫外光が反
応を促進する作用が強く、特に好ましい。光源として
は、水銀ランプ、エキシマレーザー、Ｎ2レーザー、Ｙ
ＡＧレーザー、自由電子レーザー、ＳＯＲ光などを用い
ることができる。尚、原料前駆体の特定の結合を励起す
る場合には、波長可変レーザーを利用する。
【００１６】また、原料前駆体溶液の調整は、従来のゾ
ル−ゲル法を用いた光反応による酸化物の合成の場合と
同様である。即ち、原料は金属アルコキシドであるが、
必要に応じて、これに溶媒を添加したり、β−ジケトン
等の光反応基により光反応の安定化を図ったり、加水分
解を進めやすくするため水を加えたり、触媒を加えたり
して原料前駆体溶液を調整する。例えば、金属アルコキ
シドにβ−ジケトンのような光反応基を混合して還流
し、得られた光反応基で化学修飾された金属アルコキシ
ドに更に溶媒と水を加えることにより原料前駆体溶液と
する。
ル−ゲル法を用いた光反応による酸化物の合成の場合と
同様である。即ち、原料は金属アルコキシドであるが、
必要に応じて、これに溶媒を添加したり、β−ジケトン
等の光反応基により光反応の安定化を図ったり、加水分
解を進めやすくするため水を加えたり、触媒を加えたり
して原料前駆体溶液を調整する。例えば、金属アルコキ
シドにβ−ジケトンのような光反応基を混合して還流
し、得られた光反応基で化学修飾された金属アルコキシ
ドに更に溶媒と水を加えることにより原料前駆体溶液と
する。
【００１７】上記の本発明方法により、単結晶基板の表
面から酸化物を順にエピタキシャル成長させることがで
きるので、大面積の均一な酸化物単結晶薄膜を簡単に合
成することができる。尚、本発明方法の対象となる酸化
物は、ゾル−ゲル法で合成できる酸化物であれば良く、
例えば水晶（ＳｉＯ2）、ＧｅＯ2、ＬｉＮｂＯ3、Ｌｉ
ＴａＯ3、ＺｒＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＰＺＴ、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、高温超電導
酸化物などを合成することが可能である。また、使用す
る単結晶基板は、目的とする酸化物に応じて適宜選択す
る。
面から酸化物を順にエピタキシャル成長させることがで
きるので、大面積の均一な酸化物単結晶薄膜を簡単に合
成することができる。尚、本発明方法の対象となる酸化
物は、ゾル−ゲル法で合成できる酸化物であれば良く、
例えば水晶（ＳｉＯ2）、ＧｅＯ2、ＬｉＮｂＯ3、Ｌｉ
ＴａＯ3、ＺｒＯ2、ＳｒＴｉＯ3、ＰＺＴ、ＢａＴｉ
Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、高温超電導
酸化物などを合成することが可能である。また、使用す
る単結晶基板は、目的とする酸化物に応じて適宜選択す
る。
【００１８】
【実施例】図１に示す工程図に従って、薄膜の原料であ
るゲルマニウムテトラエトキシドＧｅ(ＯＣ2Ｈ5)4と、
光反応基としてのβ−ジケトンとを混合し、還流して反
応させた。このβ−ジケトンで化学修飾されたＧｅ(Ｏ
Ｃ2Ｈ5)4に、エタノールと水を混合して、原料前駆体溶
液とした。
るゲルマニウムテトラエトキシドＧｅ(ＯＣ2Ｈ5)4と、
光反応基としてのβ−ジケトンとを混合し、還流して反
応させた。このβ−ジケトンで化学修飾されたＧｅ(Ｏ
Ｃ2Ｈ5)4に、エタノールと水を混合して、原料前駆体溶
液とした。
【００１９】単結晶基板としては、水晶基板のｚ面を使
用した。図２に示すように、単結晶基板１の表面１ａが
容器２に入れた上記原料前駆体溶液３と接触するように
単結晶基板１を保持しながら、原料前駆体溶液３と接触
している表面１ａの反対側の面（裏面１ｂ）から、レン
ズ５で平行光線にした水銀ランプ４の紫外光を光ファイ
バ６で導入して照射した。
用した。図２に示すように、単結晶基板１の表面１ａが
容器２に入れた上記原料前駆体溶液３と接触するように
単結晶基板１を保持しながら、原料前駆体溶液３と接触
している表面１ａの反対側の面（裏面１ｂ）から、レン
ズ５で平行光線にした水銀ランプ４の紫外光を光ファイ
バ６で導入して照射した。
【００２０】この時、単結晶基板１の表面１ａにおける
紫外光の入射角θが全反射臨界角度となるように、単結
晶基板１の裏面１ｂに照射する紫外光を調整した。入射
角θを全反射臨界角とすることで、紫外光は図２に示す
ごとく単結晶基板１の表面１ａと原料前駆体溶液３の境
界面に平行に出射する。
紫外光の入射角θが全反射臨界角度となるように、単結
晶基板１の裏面１ｂに照射する紫外光を調整した。入射
角θを全反射臨界角とすることで、紫外光は図２に示す
ごとく単結晶基板１の表面１ａと原料前駆体溶液３の境
界面に平行に出射する。
【００２１】尚、この実施例において、原料前駆体溶液
中のＧｅ(ＯＣ2Ｈ5)4の濃度は０.５モル／リットルと
し、照射した紫外光の波長は２００ｎｍ、及び照射時間
は１０時間とした。
中のＧｅ(ＯＣ2Ｈ5)4の濃度は０.５モル／リットルと
し、照射した紫外光の波長は２００ｎｍ、及び照射時間
は１０時間とした。
【００２２】その結果、紫外光を照射した部分と照射し
ていない部分では段差ができ、単結晶基板１の表面１ａ
に薄膜７が１μｍの厚さで形成されていることがわかっ
た。この薄膜を薄膜Ｘ線回析法及びφスキャンにより測
定したところ、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）の単結晶
薄膜であった。
ていない部分では段差ができ、単結晶基板１の表面１ａ
に薄膜７が１μｍの厚さで形成されていることがわかっ
た。この薄膜を薄膜Ｘ線回析法及びφスキャンにより測
定したところ、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）の単結晶
薄膜であった。
【００２３】尚、ＧｅＯ2以外の酸化物の単結晶薄膜に
ついても、原料と単結晶基板材料及び励起光波長を変更
すれば、上記と同様の方法により合成することができ
る。
ついても、原料と単結晶基板材料及び励起光波長を変更
すれば、上記と同様の方法により合成することができ
る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、単結晶基板表面から原
料前駆体の加水分解と脱水縮合を進めることができ、全
体に均一な酸化物単結晶薄膜を低温でエピタキシャル成
長させることができる。
料前駆体の加水分解と脱水縮合を進めることができ、全
体に均一な酸化物単結晶薄膜を低温でエピタキシャル成
長させることができる。
【図１】本発明方法を示す工程図である。
【図２】本発明方法における光の進行を示す概略の説明
図である。
図である。
１ 単結晶基板 １ａ 表面 １ｂ 裏面 ２ 容器 ３ 原料前駆体溶液 ４ 水銀ランプ ５ レンズ ６ 光ファイバ ７ 薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶基板の表面を原料前駆体溶液に接
触させ、励起光を該単結晶基板の裏面側から照射して表
面から原料前駆体溶液に入射させることにより、原料前
駆体を分解して単結晶基板の表面から酸化物単結晶をエ
ピタキシャル成長させることを特徴とする酸化物単結晶
薄膜の合成方法。 - 【請求項２】 励起光の単結晶基板表面での入射角が全
反射臨界角となるように、単結晶基板の裏面側への励起
光の照射角度を調整することを特徴とする、請求項１に
記載の酸化物単結晶薄膜の合成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13450096A JPH09315896A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 酸化物単結晶薄膜の合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13450096A JPH09315896A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 酸化物単結晶薄膜の合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09315896A true JPH09315896A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15129784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13450096A Pending JPH09315896A (ja) | 1996-05-29 | 1996-05-29 | 酸化物単結晶薄膜の合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09315896A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104088008A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-08 | 吉林师范大学 | 一种用于制备胶体晶体的系统及胶体晶体的制备方法 |
| US9512521B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-12-06 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method of and manufacturing apparatus for metal oxide film |
-
1996
- 1996-05-29 JP JP13450096A patent/JPH09315896A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9512521B2 (en) | 2011-04-28 | 2016-12-06 | Ricoh Company, Ltd. | Manufacturing method of and manufacturing apparatus for metal oxide film |
| CN104088008A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-10-08 | 吉林师范大学 | 一种用于制备胶体晶体的系统及胶体晶体的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Turner et al. | Thin films of macroporous metal oxides | |
| JP2768442B2 (ja) | 半導体含有ガラスの製造法 | |
| JP2002093243A (ja) | 紫外透明導電膜とその製造方法 | |
| JPH04204525A (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶薄膜 | |
| Thomas et al. | Optical properties of sol–gel processed amorphous and crystalline SrTiO3 thin films | |
| Sakka | History of ferroelectric materials prepared by sol-gel method | |
| Xu et al. | Preparation and characterization of germanium sulfide based sol-gel planar waveguides | |
| JPH09315896A (ja) | 酸化物単結晶薄膜の合成方法 | |
| EP1420274B1 (en) | Method of manufacturing a diffraction grating | |
| Ono et al. | Processing of highly oriented LiNbO3 films for waveguides from aqueous solution | |
| EP0940368A1 (en) | PROCESS FOR PREPARING In 2?O 3?-SnO 2? PRECURSOR SOL AND PROCESS FOR PREPARING THIN FILM OF In 2?O 3?-SnO 2? | |
| JPH07206451A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
| Tanahashi et al. | Photoinduced formation of small gold particles in silica gels | |
| JPH05257103A (ja) | 強誘電体薄膜及びその作製方法 | |
| Neves et al. | Synthesis and Characterization of the β-BaB 2 O 4 Phase Obtained by the Polymeric Precursor Method | |
| JP4178224B2 (ja) | 酸化イットリウム粉末の製造方法 | |
| JP2524174B2 (ja) | 光学機能性を有する石英ガラスの製造方法 | |
| US5275843A (en) | Manufacture of β-BaB2 O4 film by a sol-gel method | |
| US20050175852A1 (en) | Thin silica film and silica-titania composite film, and method for preparing them | |
| JP2004091310A (ja) | ニオブ酸リチウム薄膜作製用ニオブ酸リチウム前駆体粒子、その製造方法、ニオブ酸リチウム薄膜作製用ニオブ酸リチウム前駆体溶液、およびニオブ酸リチウム薄膜の作製方法 | |
| Mikolášová et al. | Water-soluble polymers as chelating agents for the deposition of Er 3+/Yb 3+: LiNbO 3 waveguiding films | |
| Hagberg et al. | Electrical and optical properties of alkoxide-derived lithium niobate thin layers | |
| JPH05897A (ja) | ＬｉＮｂＯ３の配向膜を有する複合結晶体およびその製法 | |
| JP3121361B2 (ja) | Ｔｉ含有ニオブ酸リチウム薄膜及びその製造方法 | |
| JP2619249B2 (ja) | 半導体ドープガラス薄膜の製造方法 |