JPH09312332A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09312332A JPH09312332A JP12727196A JP12727196A JPH09312332A JP H09312332 A JPH09312332 A JP H09312332A JP 12727196 A JP12727196 A JP 12727196A JP 12727196 A JP12727196 A JP 12727196A JP H09312332 A JPH09312332 A JP H09312332A
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- Japan
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- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子構造の変更および対策回路を用いること
なく、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を実現す
る。 【解決手段】 接続対象を接続するコンタクトを持つ半
導体装置において、内角が１２０°の正六角形コンタク
トを形成し、電荷を均等に分散させるように構成した。
なく、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を実現す
る。 【解決手段】 接続対象を接続するコンタクトを持つ半
導体装置において、内角が１２０°の正六角形コンタク
トを形成し、電荷を均等に分散させるように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子（デ
バイス）等の半導体装置における電荷集中防止コンタク
ト形状（六角形コンタクト）に関するものである。
バイス）等の半導体装置における電荷集中防止コンタク
ト形状（六角形コンタクト）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子におけるコンタクト形状は一
般的に四角である。また、コンタクト孔自身の電荷集中
度は球形に近付く程少なくなるため、４５°データを用
いた八角形を用いることが一般的である。微細加工デバ
イスにおけるエッチングレートの制約等により一つのコ
ンタクトによる大面積コンタクトは実現困難となってい
る。よって、大面積の上下層の接続については、前記コ
ンタクト形状による小面積コンタクトを複数配置するこ
とにより実現している。従来の四角形形状を図７に、八
角形形状を図８に示す。
般的に四角である。また、コンタクト孔自身の電荷集中
度は球形に近付く程少なくなるため、４５°データを用
いた八角形を用いることが一般的である。微細加工デバ
イスにおけるエッチングレートの制約等により一つのコ
ンタクトによる大面積コンタクトは実現困難となってい
る。よって、大面積の上下層の接続については、前記コ
ンタクト形状による小面積コンタクトを複数配置するこ
とにより実現している。従来の四角形形状を図７に、八
角形形状を図８に示す。
【０００３】大面積の上下層の接続は、主に駆動能力お
よび静電耐量向上を目的とした入出力回路部分に多く用
いられる。図７に示す従来構造においては、コンタクト
未開口部においてコンタクトエッジからＡ点およびＢ点
の距離差によって抵抗成分差が生じ、均等な電荷分散が
できず電荷集中ポイントが発生し静電耐量向上効果が薄
れる問題があった。このような問題は、上記コンタクト
孔自身の電荷集中度とは反対に、八角形等球形に近付く
ことにより、顕著に現れる。
よび静電耐量向上を目的とした入出力回路部分に多く用
いられる。図７に示す従来構造においては、コンタクト
未開口部においてコンタクトエッジからＡ点およびＢ点
の距離差によって抵抗成分差が生じ、均等な電荷分散が
できず電荷集中ポイントが発生し静電耐量向上効果が薄
れる問題があった。このような問題は、上記コンタクト
孔自身の電荷集中度とは反対に、八角形等球形に近付く
ことにより、顕著に現れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明では、素子構
造の変更および対策回路を用いることなく、均等な電荷
分散の可能なコンタクト形状を実現することを目的とす
る。
造の変更および対策回路を用いることなく、均等な電荷
分散の可能なコンタクト形状を実現することを目的とす
る。
【０００５】第１の発明は、正六角形コンタクトを形成
して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持つ半
導体装置を得ることを目的とする。
して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持つ半
導体装置を得ることを目的とする。
【０００６】第２の発明は、正六角形コンタクトを形成
するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔に配置し
て、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持ち、コ
ンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得ることを目
的とする。
するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔に配置し
て、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持ち、コ
ンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得ることを目
的とする。
【０００７】第３の発明は、内角が１８０°未満の四つ
の同一角と二つの同一角とで構成されたコンタクトを形
成して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持つ
半導体装置を得ることを目的とする。
の同一角と二つの同一角とで構成されたコンタクトを形
成して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持つ
半導体装置を得ることを目的とする。
【０００８】第４の発明は、内角が１８０°未満の四つ
の同一角と二つの同一角とで構成されたコンタクトを形
成するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔に配置
して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持ち、
コンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得ることを
目的とする。
の同一角と二つの同一角とで構成されたコンタクトを形
成するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔に配置
して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持ち、
コンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得ることを
目的とする。
【０００９】第５の発明は、電荷均等分散コンタクトに
より拡散層−配線間接続を性能よく行える半導体装置を
得ることを目的とする。
より拡散層−配線間接続を性能よく行える半導体装置を
得ることを目的とする。
【００１０】第６の発明は、電荷均等分散コンタクトに
より多層配線における下層配線−上層配線間接続を性能
よく行える半導体装置を得ることを目的とする。
より多層配線における下層配線−上層配線間接続を性能
よく行える半導体装置を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体装置
では、接続対象を接続するコンタクトを持つ半導体装置
において、内角が１２０°の正六角形コンタクトを形成
し、電荷を均等に分散させるようにしたものである。
では、接続対象を接続するコンタクトを持つ半導体装置
において、内角が１２０°の正六角形コンタクトを形成
し、電荷を均等に分散させるようにしたものである。
【００１２】第２の発明の半導体装置では、接続対象を
接続するコンタクトを持つ半導体装置において、内角が
１２０°の正六角形コンタクトを形成して、電荷を均等
に分散させるようにするとともに、コンタクト間絶縁層
を各々１２０°の間隔に配置するようにしたものであ
る。
接続するコンタクトを持つ半導体装置において、内角が
１２０°の正六角形コンタクトを形成して、電荷を均等
に分散させるようにするとともに、コンタクト間絶縁層
を各々１２０°の間隔に配置するようにしたものであ
る。
【００１３】第３の発明の半導体装置では、接続対象を
接続するコンタクトを持つ半導体装置において、内角が
１８０°未満の四つの同一角と二つの同一角とで構成さ
れた電荷均等分散コンタクトを形成したものである。
接続するコンタクトを持つ半導体装置において、内角が
１８０°未満の四つの同一角と二つの同一角とで構成さ
れた電荷均等分散コンタクトを形成したものである。
【００１４】第４の発明の半導体装置では、接続対象を
接続するコンタクトを持つ半導体装置において、内角が
１８０°未満の四つの同一角と二つの同一角とで構成さ
れた電荷均等分散コンタクトを形成するとともに、コン
タクト間絶縁層を各々所定の間隔に配置するようにした
ものである。
接続するコンタクトを持つ半導体装置において、内角が
１８０°未満の四つの同一角と二つの同一角とで構成さ
れた電荷均等分散コンタクトを形成するとともに、コン
タクト間絶縁層を各々所定の間隔に配置するようにした
ものである。
【００１５】第５の発明の半導体装置では、前記コンタ
クトにより拡散層−配線間接続を行うようにしたもので
ある。
クトにより拡散層−配線間接続を行うようにしたもので
ある。
【００１６】第６の発明の半導体装置では、前記コンタ
クトにより多層配線における下層配線−上層配線間接続
を行うようにしたものである。
クトにより多層配線における下層配線−上層配線間接続
を行うようにしたものである。
【００１７】
実施の形態１．図１は、この発明の六角形コンタクトの
実施の形態１を示す図である。また、図２は、図１の断
面図を示し、図３は図１の拡大図を示す。図１および図
７において、１は配線からなる第１の接続対象、２はト
ランジスタの能動領域若しくは拡散抵抗・保護ダイオー
ド等の第２の接続対象である。３は配線からなる第１の
接続対象１と第２の接続対象２との接続を目的とするコ
ンタクトである。
実施の形態１を示す図である。また、図２は、図１の断
面図を示し、図３は図１の拡大図を示す。図１および図
７において、１は配線からなる第１の接続対象、２はト
ランジスタの能動領域若しくは拡散抵抗・保護ダイオー
ド等の第２の接続対象である。３は配線からなる第１の
接続対象１と第２の接続対象２との接続を目的とするコ
ンタクトである。
【００１８】図中の全てのコンタクト３は、内角が１２
０°の正六角形であり、同一のコンタクト間隔により配
置されている。
０°の正六角形であり、同一のコンタクト間隔により配
置されている。
【００１９】コンタクト間隔をＬとしたときの、図７の
コンタクトエッジからＡ点およびＢ点までの距離を、以
下に示す。 Ａ点までの距離 ＬＡ１＝Ｌ／２ Ｂ点までの距離 ＬＢ１＝Ｌ／２×ＳＱＲ２ 距離差 ΔＬ１＝ＬＢ１−ＬＡ１＝０．２０７Ｌ
コンタクトエッジからＡ点およびＢ点までの距離を、以
下に示す。 Ａ点までの距離 ＬＡ１＝Ｌ／２ Ｂ点までの距離 ＬＢ１＝Ｌ／２×ＳＱＲ２ 距離差 ΔＬ１＝ＬＢ１−ＬＡ１＝０．２０７Ｌ
【００２０】同様に、図１のコンタクトエッジからＡ点
およびＢ点までの距離を、以下に示す。 Ａ点までの距離 ＬＡ２＝Ｌ／２ Ｂ点までの距離 ＬＢ２＝Ｌ／ＳＱＲ３ 距離差 ΔＬ２＝ＬＢ２−ＬＡ２＝０．０７７Ｌ
およびＢ点までの距離を、以下に示す。 Ａ点までの距離 ＬＡ２＝Ｌ／２ Ｂ点までの距離 ＬＢ２＝Ｌ／ＳＱＲ３ 距離差 ΔＬ２＝ＬＢ２−ＬＡ２＝０．０７７Ｌ
【００２１】よって、ΔＬ１−ΔＬ２＝０．１３Ｌとな
り、本形状により距離差を約１／３に縮小でき、本形状
の使用により電荷集中の防止による静電耐量の向上が可
能となる。
り、本形状により距離差を約１／３に縮小でき、本形状
の使用により電荷集中の防止による静電耐量の向上が可
能となる。
【００２２】この発明の実施の形態の特徴は、図３に示
すように、内角が１２０°の正六角形コンタクトをコン
タクト間の絶縁層が各々１２０°の間隔に配置された形
状である。
すように、内角が１２０°の正六角形コンタクトをコン
タクト間の絶縁層が各々１２０°の間隔に配置された形
状である。
【００２３】この形態は、配線間接続および素子−配線
間接続を含む全ての下層−上層間接続に適用できる。
間接続を含む全ての下層−上層間接続に適用できる。
【００２４】この発明の実施の形態によれば、内角が１
２０°の正六角形コンタクトを形成して、素子構造の変
更および対策回路を用いることなく、均等な電荷分散の
可能なコンタクト形状を実現することができる。
２０°の正六角形コンタクトを形成して、素子構造の変
更および対策回路を用いることなく、均等な電荷分散の
可能なコンタクト形状を実現することができる。
【００２５】実施の形態２．図４は、この発明の六角形
コンタクトの実施の形態２を示す図である。図４に示す
六角形は、内角が１８０°未満の六つの内角による四つ
の同一角と二つの同一角で構成された六角形状である。
コンタクトの実施の形態２を示す図である。図４に示す
六角形は、内角が１８０°未満の六つの内角による四つ
の同一角と二つの同一角で構成された六角形状である。
【００２６】前記六角形状の配置により、絶縁層領域の
均等性は、実施の形態１と同様の効果が得られる。これ
は、絶縁層領域のコンタクトに対する均等性について六
角形状が理想形となることを表す。
均等性は、実施の形態１と同様の効果が得られる。これ
は、絶縁層領域のコンタクトに対する均等性について六
角形状が理想形となることを表す。
【００２７】この発明の実施の形態の特徴は、内角が１
８０°未満の六つの内角で構成され、そのうち四つが同
一角で、残り二つが同一角で構成された六角形コンタク
ト形状である。
８０°未満の六つの内角で構成され、そのうち四つが同
一角で、残り二つが同一角で構成された六角形コンタク
ト形状である。
【００２８】この発明の実施の形態によれば、内角が１
８０°未満の六つの内角で構成され、そのうち四つが同
一角で、残り二つが同一角で構成された六角形コンタク
ト形状のコンタクトを形成して、素子構造の変更および
対策回路を用いることなく、均等な電荷分散の可能なコ
ンタクト形状を実現することができる。
８０°未満の六つの内角で構成され、そのうち四つが同
一角で、残り二つが同一角で構成された六角形コンタク
ト形状のコンタクトを形成して、素子構造の変更および
対策回路を用いることなく、均等な電荷分散の可能なコ
ンタクト形状を実現することができる。
【００２９】実施の形態３．図５は、この発明の六角形
コンタクトの実施の形態３を示す図である。また、図６
は図５の断面図を示す。図５において、１は上層配線、
２は下層配線である。３は上層配線１と下層配線２との
接続を目的とするコンタクトである。
コンタクトの実施の形態３を示す図である。また、図６
は図５の断面図を示す。図５において、１は上層配線、
２は下層配線である。３は上層配線１と下層配線２との
接続を目的とするコンタクトである。
【００３０】得られる効果については、実施の形態１と
同一であり、内角が１２０°の正六角形コンタクトを形
成して、上層配線１と下層配線２との接続を目的とする
コンタクト３において、素子構造の変更および対策回路
を用いることなく、均等な電荷分散の可能なコンタクト
形状を実現することができる。
同一であり、内角が１２０°の正六角形コンタクトを形
成して、上層配線１と下層配線２との接続を目的とする
コンタクト３において、素子構造の変更および対策回路
を用いることなく、均等な電荷分散の可能なコンタクト
形状を実現することができる。
【００３１】この形態は、無限層配線デバイスにおける
全ての下層−上層間接続における実施の形態１および２
のコンタクト形状の使用に適用できる。
全ての下層−上層間接続における実施の形態１および２
のコンタクト形状の使用に適用できる。
【００３２】
【発明の効果】第１の発明によれば、正六角形コンタク
トを形成して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状
を持つ半導体装置を得ることができる。
トを形成して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状
を持つ半導体装置を得ることができる。
【００３３】第２の発明によれば、正六角形コンタクト
を形成するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔に
配置して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持
ち、コンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得るこ
とができる。
を形成するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔に
配置して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を持
ち、コンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得るこ
とができる。
【００３４】第３の発明によれば、内角が１８０°未満
の四つの同一角と二つの同一角とで構成されたコンタク
トを形成して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状
を持つ半導体装置を得ることができる。
の四つの同一角と二つの同一角とで構成されたコンタク
トを形成して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状
を持つ半導体装置を得ることができる。
【００３５】第４の発明によれば、内角が１８０°未満
の四つの同一角と二つの同一角とで構成されたコンタク
トを形成するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔
に配置して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を
持ち、コンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得る
ことができる。
の四つの同一角と二つの同一角とで構成されたコンタク
トを形成するとともに、コンタクト間絶縁層を所定間隔
に配置して、均等な電荷分散の可能なコンタクト形状を
持ち、コンタクトの縮小配置が可能な半導体装置を得る
ことができる。
【００３６】第５の発明によれば、電荷均等分散コンタ
クトにより拡散層−配線間接続を性能よく行える半導体
装置を得ることができる。
クトにより拡散層−配線間接続を性能よく行える半導体
装置を得ることができる。
【００３７】第６の発明によれば、電荷均等分散コンタ
クトにより多層配線における下層配線−上層配線間接続
を性能よく行える半導体装置を得ることができる。
クトにより多層配線における下層配線−上層配線間接続
を性能よく行える半導体装置を得ることができる。
【図１】 この発明の一実施形態による半導体素子−配
線間接続を示す上面図である。
線間接続を示す上面図である。
【図２】 図１の断面図である。
【図３】 図１の拡大図である。
【図４】 この発明の他の実施形態による半導体素子−
配線間接続を示す上面図である。
配線間接続を示す上面図である。
【図５】 この発明の他の実施形態による上層配線−下
層配線接続を示す上面図である。
層配線接続を示す上面図である。
【図６】 図５の断面図である。
【図７】 従来技術による半導体素子−配線間接続を示
す上面図である（四角形形状）。
す上面図である（四角形形状）。
【図８】 従来技術による半導体素子−配線間接続を示
す上面図である（八角形形状）。
す上面図である（八角形形状）。
１ 配線からなる第１の接続対象、２ 第２の接続対
象、３ コンタクト。
象、３ コンタクト。
Claims (6)
- 【請求項１】 接続対象を接続するコンタクトを持つ半
導体装置において、内角が１２０°の正六角形コンタク
トを形成し、電荷を均等に分散させるようにしたことを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 接続対象を接続するコンタクトを持つ半
導体装置において、内角が１２０°の正六角形コンタク
トを形成して、電荷を均等に分散させるようにするとと
もに、コンタクト間絶縁層を各々１２０°の間隔に配置
するようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 接続対象を接続するコンタクトを持つ半
導体装置において、内角が１８０°未満の四つの同一角
と二つの同一角とで構成された電荷均等分散コンタクト
を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 接続対象を接続するコンタクトを持つ半
導体装置において、内角が１８０°未満の四つの同一角
と二つの同一角とで構成された電荷均等分散コンタクト
を形成するとともに、コンタクト間絶縁層を各々所定の
間隔に配置するようにしたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項５】 前記コンタクトにより拡散層−配線間接
続を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のい
ずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記コンタクトにより多層配線における
下層配線−上層配線間接続を行うことを特徴とする請求
項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727196A JPH09312332A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727196A JPH09312332A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312332A true JPH09312332A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14955876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12727196A Pending JPH09312332A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312332A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741724B2 (en) | 2007-04-02 | 2010-06-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP12727196A patent/JPH09312332A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7741724B2 (en) | 2007-04-02 | 2010-06-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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