JPH09312263A - 半導体素子の製造方法及びその装置 - Google Patents
半導体素子の製造方法及びその装置Info
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- JPH09312263A JPH09312263A JP12618996A JP12618996A JPH09312263A JP H09312263 A JPH09312263 A JP H09312263A JP 12618996 A JP12618996 A JP 12618996A JP 12618996 A JP12618996 A JP 12618996A JP H09312263 A JPH09312263 A JP H09312263A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管内におい
て、材料ガス濃度分布を均一にして均一な特性の半導体
素子を得ることができる半導体素子の製造方法及びその
装置を提供する。 【解決手段】 縦型減圧化学気相成長装置を用いた半導
体素子の製造方法において、材料ガスを炉の上方の第１
の材料ガス供給口４と第２の材料ガス供給口６より供給
し、希釈ガスを炉の下方の希釈ガス供給口１０より供給
するようにしたものである。
て、材料ガス濃度分布を均一にして均一な特性の半導体
素子を得ることができる半導体素子の製造方法及びその
装置を提供する。 【解決手段】 縦型減圧化学気相成長装置を用いた半導
体素子の製造方法において、材料ガスを炉の上方の第１
の材料ガス供給口４と第２の材料ガス供給口６より供給
し、希釈ガスを炉の下方の希釈ガス供給口１０より供給
するようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に係り、特に、表面に凹凸を持った粗面ポリシリコ
ン膜の製造方法及びその装置に関するものである。
方法に係り、特に、表面に凹凸を持った粗面ポリシリコ
ン膜の製造方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開平５−２１１１２２号公報に開示されるも
のがあった。従来の縦型減圧化学気相成長装置では、炉
芯管内の材料ガス供給圧及び排気圧を一定に設定して
も、実際の炉芯管内の材料ガス濃度及び圧力が、炉内の
上部と下部で異なり、濃度は下部が密で上部が粗になっ
ていた。
例えば、特開平５−２１１１２２号公報に開示されるも
のがあった。従来の縦型減圧化学気相成長装置では、炉
芯管内の材料ガス供給圧及び排気圧を一定に設定して
も、実際の炉芯管内の材料ガス濃度及び圧力が、炉内の
上部と下部で異なり、濃度は下部が密で上部が粗になっ
ていた。
【０００３】これが原因で、ボートに収納されるウエハ
上に形成される膜質が、ボート上部と下部に収納される
もので異なるという問題点があった。特に、粗面ポリシ
リコンは膜を形成する場合、ボートの上部下部で表面凹
凸の大きさや密度が異なり、この膜を半導体素子でのキ
ャパシタ部のストレッジノードに使用した場合に、素子
のキャパシタ容量が不均一になり、素子の信頼性を低下
させる。また、そのためにボートに収納できるウエハが
少なくなり、生産性を減少させていた。
上に形成される膜質が、ボート上部と下部に収納される
もので異なるという問題点があった。特に、粗面ポリシ
リコンは膜を形成する場合、ボートの上部下部で表面凹
凸の大きさや密度が異なり、この膜を半導体素子でのキ
ャパシタ部のストレッジノードに使用した場合に、素子
のキャパシタ容量が不均一になり、素子の信頼性を低下
させる。また、そのためにボートに収納できるウエハが
少なくなり、生産性を減少させていた。
【０００４】この問題を解決するために、炉芯管内に設
置する材料ガス導入口を多数設け、それぞれの導入口か
ら導入する材料ガス流量に勾配を持たせて、炉芯管内の
材料ガス濃度分布を均一にする方法がある。
置する材料ガス導入口を多数設け、それぞれの導入口か
ら導入する材料ガス流量に勾配を持たせて、炉芯管内の
材料ガス濃度分布を均一にする方法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の方法では、炉芯管内の材料ガス濃度分布は均一
にならず、特に、炉芯管下部において材料ガス濃度が高
くなり、粗面ポリシリコン膜を形成する場合には凹凸の
大きさが大きくなり、また、その密度も低下するため、
キャパシタ電極として使用した場合に、キャパシタ容量
が低下するという問題点があった。
た従来の方法では、炉芯管内の材料ガス濃度分布は均一
にならず、特に、炉芯管下部において材料ガス濃度が高
くなり、粗面ポリシリコン膜を形成する場合には凹凸の
大きさが大きくなり、また、その密度も低下するため、
キャパシタ電極として使用した場合に、キャパシタ容量
が低下するという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、縦型減圧
化学気相成長装置の炉芯管内において、材料ガス濃度分
布を均一にして、均一な特性の半導体素子を得ることが
できる半導体素子の製造方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
化学気相成長装置の炉芯管内において、材料ガス濃度分
布を均一にして、均一な特性の半導体素子を得ることが
できる半導体素子の製造方法及びその装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕縦型減圧化学気相成長装置を用いた半導体素子の
製造方法において、材料ガスを炉の上方の複数箇所より
供給し、希釈ガスを炉の下方より供給するようにしたも
のである。
成するために、 〔１〕縦型減圧化学気相成長装置を用いた半導体素子の
製造方法において、材料ガスを炉の上方の複数箇所より
供給し、希釈ガスを炉の下方より供給するようにしたも
のである。
【０００８】このように、材料ガス供給口を炉中央部よ
り上部に２箇所以上に設け、炉下部に設置された希釈ガ
ス供給口より希釈ガスを供給するようにしたので、炉下
部での材料ガス濃度を希釈することができ、炉内の材料
ガス濃度を均一にできる。よって、従来のように炉内で
の温度勾配を持たせることなく、炉内の材料ガス濃度を
均一にすることができ、材料ガス濃度分布を均一にして
均一な特性の半導体素子を得ることができる。
り上部に２箇所以上に設け、炉下部に設置された希釈ガ
ス供給口より希釈ガスを供給するようにしたので、炉下
部での材料ガス濃度を希釈することができ、炉内の材料
ガス濃度を均一にできる。よって、従来のように炉内で
の温度勾配を持たせることなく、炉内の材料ガス濃度を
均一にすることができ、材料ガス濃度分布を均一にして
均一な特性の半導体素子を得ることができる。
【０００９】〔２〕上記〔１〕記載の半導体素子の製造
方法において、前記材料ガスはシランガスであり、前記
希釈ガスはＮ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスである。このよう
に、前記材料ガスとしてシランガスを用い、前記希釈ガ
スとしては、Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスを用いることに
より、炉内における半導体素子の成膜の均一化を図るこ
とができる。
方法において、前記材料ガスはシランガスであり、前記
希釈ガスはＮ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスである。このよう
に、前記材料ガスとしてシランガスを用い、前記希釈ガ
スとしては、Ｎ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスを用いることに
より、炉内における半導体素子の成膜の均一化を図るこ
とができる。
【００１０】〔３〕上記〔１〕記載の半導体素子の製造
方法において、前記材料ガスはシランガスであり、前記
希釈ガスはＮ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスであり、粗面ポリ
シリコン膜を生成するようにしたものである。したがっ
て、炉下部での材料ガス過多を抑制できるので、さらに
炉の上下での粗面ポリシリコン膜の均一性を向上させる
ことができる。
方法において、前記材料ガスはシランガスであり、前記
希釈ガスはＮ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスであり、粗面ポリ
シリコン膜を生成するようにしたものである。したがっ
て、炉下部での材料ガス過多を抑制できるので、さらに
炉の上下での粗面ポリシリコン膜の均一性を向上させる
ことができる。
【００１１】〔４〕縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管
において、インナー炉芯管内上部に配置される複数個の
材料ガス供給口と、前記インナー炉芯管内下部に配置さ
れる希釈ガス供給口とを配置するようにしたものであ
る。したがって、炉下部での材料ガス濃度を希釈するこ
とができ、炉内の材料ガス濃度を均一化できる縦型減圧
化学気相成長装置の炉芯管を提供することができる。
において、インナー炉芯管内上部に配置される複数個の
材料ガス供給口と、前記インナー炉芯管内下部に配置さ
れる希釈ガス供給口とを配置するようにしたものであ
る。したがって、炉下部での材料ガス濃度を希釈するこ
とができ、炉内の材料ガス濃度を均一化できる縦型減圧
化学気相成長装置の炉芯管を提供することができる。
【００１２】〔５〕縦型減圧化学気相成長装置を用いた
半導体素子の製造方法において、材料ガスを炉の上方よ
り供給し、前記炉の下部において前記材料ガスの炉内面
における消費を高めるようにしたものである。このよう
に、炉下部での炉内面での材料ガスを炉内面において消
費させるようにしたので、炉下部での材料ガス過多を抑
制でき、炉内の材料ガス濃度を均一化することができ
る。
半導体素子の製造方法において、材料ガスを炉の上方よ
り供給し、前記炉の下部において前記材料ガスの炉内面
における消費を高めるようにしたものである。このよう
に、炉下部での炉内面での材料ガスを炉内面において消
費させるようにしたので、炉下部での材料ガス過多を抑
制でき、炉内の材料ガス濃度を均一化することができ
る。
【００１３】〔６〕上記〔５〕記載の半導体素子の製造
方法において、前記材料ガスの炉内面における接触面積
を増加させるようにしたものである。このように、炉下
部での炉内面での材料ガスの接触面積を増加させること
により、炉下部での材料ガス過多を抑制でき、炉内の材
料ガス濃度を均一化することができる。
方法において、前記材料ガスの炉内面における接触面積
を増加させるようにしたものである。このように、炉下
部での炉内面での材料ガスの接触面積を増加させること
により、炉下部での材料ガス過多を抑制でき、炉内の材
料ガス濃度を均一化することができる。
【００１４】〔７〕縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管
において、インナー炉芯管内上部に配置される材料ガス
供給口と、前記インナー炉芯管内下部に形成されるリン
グ状突起を設けるようにしたものである。したがって、
炉下部での炉内面のリング状突起によって材料ガスの接
触面積を増加させることができ、炉下部での材料ガス過
多を抑制でき、炉内の材料ガス濃度を均一化できる縦型
減圧化学気相成長装置の炉芯管を提供することができ
る。
において、インナー炉芯管内上部に配置される材料ガス
供給口と、前記インナー炉芯管内下部に形成されるリン
グ状突起を設けるようにしたものである。したがって、
炉下部での炉内面のリング状突起によって材料ガスの接
触面積を増加させることができ、炉下部での材料ガス過
多を抑制でき、炉内の材料ガス濃度を均一化できる縦型
減圧化学気相成長装置の炉芯管を提供することができ
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示す縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管の断面図
である。この図において、１はアウター炉芯管、２はイ
ンナー炉芯管、３は第１の材料ガス供給配管、４は第１
の材料ガス供給口、５は第２の材料ガス供給配管、６は
第２の材料ガス供給口、７は真空排気口、８は材料ガス
流量制御装置、９は希釈ガス供給配管、１０は希釈ガス
供給口、１１は希釈ガス流量制御装置、２０はウエハが
搭載されるボートである。
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示す縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管の断面図
である。この図において、１はアウター炉芯管、２はイ
ンナー炉芯管、３は第１の材料ガス供給配管、４は第１
の材料ガス供給口、５は第２の材料ガス供給配管、６は
第２の材料ガス供給口、７は真空排気口、８は材料ガス
流量制御装置、９は希釈ガス供給配管、１０は希釈ガス
供給口、１１は希釈ガス流量制御装置、２０はウエハが
搭載されるボートである。
【００１６】縦型ＬＰＣＶＤ炉で粗面ポリシリコン膜を
生成する時に、図１に示すように、インナー炉芯管２の
上部（炉中央部より上部）に、２箇所以上の材料ガス供
給口（反応ガス供給口）を設ける。ここでは、第１の材
料ガス供給口４と第２の材料ガス供給口６とを配置し、
インナー炉芯管２の下部に、水素、窒素あるいはアルゴ
ンガスの希釈ガス供給口１０を設け、それぞれのガス流
量をガス流量制御装置８，１１で制御するようにしてい
る。
生成する時に、図１に示すように、インナー炉芯管２の
上部（炉中央部より上部）に、２箇所以上の材料ガス供
給口（反応ガス供給口）を設ける。ここでは、第１の材
料ガス供給口４と第２の材料ガス供給口６とを配置し、
インナー炉芯管２の下部に、水素、窒素あるいはアルゴ
ンガスの希釈ガス供給口１０を設け、それぞれのガス流
量をガス流量制御装置８，１１で制御するようにしてい
る。
【００１７】以上のＬＰＣＶＤ炉において、成膜設定温
度は５６０℃〜５８０℃、これは従来のＬＰＣＶＤ法と
異なり、炉内に温度勾配を持たせる必要がなくなったこ
とを示す。例えば、材料ガスとしてのシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）供給口４，６より、各々７０〜１２０ｓｃｃｍの
ＳｉＨ4 を供給する。また、希釈ガス供給口１０より、
５〜１０ｓｃｃｍの希釈ガスを供給し、凹凸の高さが７
００〜１０００Åの粗面ポリシリコン膜を形成する。
度は５６０℃〜５８０℃、これは従来のＬＰＣＶＤ法と
異なり、炉内に温度勾配を持たせる必要がなくなったこ
とを示す。例えば、材料ガスとしてのシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）供給口４，６より、各々７０〜１２０ｓｃｃｍの
ＳｉＨ4 を供給する。また、希釈ガス供給口１０より、
５〜１０ｓｃｃｍの希釈ガスを供給し、凹凸の高さが７
００〜１０００Åの粗面ポリシリコン膜を形成する。
【００１８】このように、材料ガス供給口４、６を炉の
上部に設けた理由は、材料ガスであるシランガスが空気
よりも重いからである。そして、材料ガス供給口４、６
を複数設けた理由は、詳細なメカニズムはわからない
が、シランガスがよりシリコンに速く変換（反応して）
するようにするためである。
上部に設けた理由は、材料ガスであるシランガスが空気
よりも重いからである。そして、材料ガス供給口４、６
を複数設けた理由は、詳細なメカニズムはわからない
が、シランガスがよりシリコンに速く変換（反応して）
するようにするためである。
【００１９】仮に、材料ガス供給口を一つにすると、ウ
エハ上でのシリコンへの変換反応が遅いため、シランガ
スがウエハとの反応をせずに、どんどん炉芯管の下部へ
流れていってしまい、結果として、炉芯管下部に位置す
るウエハでの反応量が多くなってしまう。よって、炉芯
管上部と下部とでは生成される膜の形状が大きく異なっ
てしまう。
エハ上でのシリコンへの変換反応が遅いため、シランガ
スがウエハとの反応をせずに、どんどん炉芯管の下部へ
流れていってしまい、結果として、炉芯管下部に位置す
るウエハでの反応量が多くなってしまう。よって、炉芯
管上部と下部とでは生成される膜の形状が大きく異なっ
てしまう。
【００２０】更に、従来は材料ガス（シランガス）供給
口が一つであったために、炉芯管下部に溜まるシランガ
スの濃度が高くなっていた。そのため、炉芯管の下部の
温度を低く設定し、反応速度を上部よりも抑える必要が
あった。しかし、温度を上部と下部とで異ならせると、
粗面ポリシリコンの膜厚（膜の高さ）はほぼ揃えられる
が、粗面ポリシリコンの形状（ポリシリコンの１つ１つ
の大きさ）は揃わなくなる。
口が一つであったために、炉芯管下部に溜まるシランガ
スの濃度が高くなっていた。そのため、炉芯管の下部の
温度を低く設定し、反応速度を上部よりも抑える必要が
あった。しかし、温度を上部と下部とで異ならせると、
粗面ポリシリコンの膜厚（膜の高さ）はほぼ揃えられる
が、粗面ポリシリコンの形状（ポリシリコンの１つ１つ
の大きさ）は揃わなくなる。
【００２１】上記のように、この実施例によれば、材料
ガス供給口を炉中央部より上部に２箇所以上設け、炉下
部に設置された希釈ガス供給口より希釈ガスを供給する
ようにしたので、炉下部での材料ガス濃度を希釈するこ
とができ、炉内の材料ガス濃度を均一にできるので、温
度を上部と下部とで異ならせる必要がなくなる。これに
より、ウエハ面上に形成される膜のボート上下での均一
性が良くなる。
ガス供給口を炉中央部より上部に２箇所以上設け、炉下
部に設置された希釈ガス供給口より希釈ガスを供給する
ようにしたので、炉下部での材料ガス濃度を希釈するこ
とができ、炉内の材料ガス濃度を均一にできるので、温
度を上部と下部とで異ならせる必要がなくなる。これに
より、ウエハ面上に形成される膜のボート上下での均一
性が良くなる。
【００２２】よって、粗面ポリシリコン膜の凹凸の密度
（ポリシリコン粒の密度）と大きさ（ポリシリコンの１
つ１つの大きさ）の均一性が向上することになり、スト
レッジノードに使用した時のキャパシタ容量の均一性が
向上するので素子の信頼性が良くなる。また、炉内での
均一性が向上するので、１バッチ当たりのウエハ処理可
能枚数が多くなり、生産のスループット向上を図ること
ができる。
（ポリシリコン粒の密度）と大きさ（ポリシリコンの１
つ１つの大きさ）の均一性が向上することになり、スト
レッジノードに使用した時のキャパシタ容量の均一性が
向上するので素子の信頼性が良くなる。また、炉内での
均一性が向上するので、１バッチ当たりのウエハ処理可
能枚数が多くなり、生産のスループット向上を図ること
ができる。
【００２３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図２は本発明の第２実施例を示す縦型減圧化学気相
成長装置のインナー炉芯管の構造を示す図、図３は図２
のＡ部拡大図である。従来の縦型ＬＰＣＶＤ炉において
は、図４に示すように、インナー炉芯管２１の下部での
材料ガス濃度が過多になり、炉上下部間におけるボート
２２のウエハ２３、２４で形成される粗面ポリシリコン
膜形状が異なる問題があった。
る。図２は本発明の第２実施例を示す縦型減圧化学気相
成長装置のインナー炉芯管の構造を示す図、図３は図２
のＡ部拡大図である。従来の縦型ＬＰＣＶＤ炉において
は、図４に示すように、インナー炉芯管２１の下部での
材料ガス濃度が過多になり、炉上下部間におけるボート
２２のウエハ２３、２４で形成される粗面ポリシリコン
膜形状が異なる問題があった。
【００２４】これに対し、第２実施例では図２に示すよ
うに、インナー炉芯管３１の下部内側にリング状の突起
３２を備えるようにしたものである。また、このリング
状の突起３２はボート３４及びそれに設置されるウエハ
（図示なし）とは接触しないように構成する。これによ
り、インナー炉芯管３１上部からのウエハ上への材料ガ
ス供給が抑制される。
うに、インナー炉芯管３１の下部内側にリング状の突起
３２を備えるようにしたものである。また、このリング
状の突起３２はボート３４及びそれに設置されるウエハ
（図示なし）とは接触しないように構成する。これによ
り、インナー炉芯管３１上部からのウエハ上への材料ガ
ス供給が抑制される。
【００２５】図５はその材料ガス供給の抑制についての
説明図である。この図に示すように、インナー炉芯管３
１の下部の内側にリング状の突起３２を設けるようにし
ているので、シランガス３３が上方より導入されると、
リング状の突起３２に接することになり、その接触面積
が増大する。このように、シランガス３３のインナー炉
芯管３１内部での接触面積が広くなることにより、材料
ガスの消費が多くなる。よって、炉下部での材料ガス濃
度過多を抑制できる。なお、３４はボート、３５はウエ
ハである。
説明図である。この図に示すように、インナー炉芯管３
１の下部の内側にリング状の突起３２を設けるようにし
ているので、シランガス３３が上方より導入されると、
リング状の突起３２に接することになり、その接触面積
が増大する。このように、シランガス３３のインナー炉
芯管３１内部での接触面積が広くなることにより、材料
ガスの消費が多くなる。よって、炉下部での材料ガス濃
度過多を抑制できる。なお、３４はボート、３５はウエ
ハである。
【００２６】ＣＶＤ法は、被堆積体の表面との反応によ
り堆積物を生成するものである。従って、インナー炉芯
管３１の内壁においても反応が生ずる。すなわち、シラ
ンガスが接する面積が大きくなる、つまり、上部から導
入されるシランガスの消費が多くなるので、その分だ
け、ウエハに供給されるシランガスの量が低減される。
り堆積物を生成するものである。従って、インナー炉芯
管３１の内壁においても反応が生ずる。すなわち、シラ
ンガスが接する面積が大きくなる、つまり、上部から導
入されるシランガスの消費が多くなるので、その分だ
け、ウエハに供給されるシランガスの量が低減される。
【００２７】このことを利用して、炉芯管下部における
材料ガス濃度の上昇を抑えることができる。なお、空気
よりも重いシランガスが下部に多く溜まったとしても、
ウエハ３５に実際に供給されるシランガスの量が低減さ
れるので、インナー炉芯管３１の上部と下部とで生成さ
れる粗面ポリシリコン膜の形状が均一化される。
材料ガス濃度の上昇を抑えることができる。なお、空気
よりも重いシランガスが下部に多く溜まったとしても、
ウエハ３５に実際に供給されるシランガスの量が低減さ
れるので、インナー炉芯管３１の上部と下部とで生成さ
れる粗面ポリシリコン膜の形状が均一化される。
【００２８】上記したように、炉下部での材料ガス過多
を抑制できるので、さらに炉の上下での粗面ポリシリコ
ン膜の均一性を向上させることができる。なお、本発明
は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨
に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の
範囲から排除するものではない。
を抑制できるので、さらに炉の上下での粗面ポリシリコ
ン膜の均一性を向上させることができる。なお、本発明
は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨
に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の
範囲から排除するものではない。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、材料ガス供給口を
炉中央部より上部に、２箇所以上に設け、炉下部に設置
された希釈ガス供給口より希釈ガスを供給するようにし
たので、炉下部での材料ガス濃度を希釈することがで
き、炉内の材料ガス濃度を均一にできる。
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、材料ガス供給口を
炉中央部より上部に、２箇所以上に設け、炉下部に設置
された希釈ガス供給口より希釈ガスを供給するようにし
たので、炉下部での材料ガス濃度を希釈することがで
き、炉内の材料ガス濃度を均一にできる。
【００３０】したがって、従来のように炉内での温度勾
配を持たせることなく、炉内の材料ガス濃度を均一にす
ることができ、材料ガス濃度分布を均一にして均一な特
性の半導体素子を得ることができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、前記材料ガスとし
てシランガスを用い、前記希釈ガスとしてはＮ2 、
Ｈ2 、Ａｒガス等の不活性ガスを用いることにより、炉
内における半導体素子の成膜の均一化を図ることができ
る。
配を持たせることなく、炉内の材料ガス濃度を均一にす
ることができ、材料ガス濃度分布を均一にして均一な特
性の半導体素子を得ることができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、前記材料ガスとし
てシランガスを用い、前記希釈ガスとしてはＮ2 、
Ｈ2 、Ａｒガス等の不活性ガスを用いることにより、炉
内における半導体素子の成膜の均一化を図ることができ
る。
【００３１】（３）請求項３記載の発明によれば、炉下
部での材料ガス過多を抑制できるので、さらに炉の上下
での粗面ポリシリコン膜の均一性を向上させることがで
きる。 （４）請求項４記載の発明によれば、炉下部での材料ガ
ス濃度を希釈することができ、炉内の材料ガス濃度を均
一化できる縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管を提供す
ることができる。
部での材料ガス過多を抑制できるので、さらに炉の上下
での粗面ポリシリコン膜の均一性を向上させることがで
きる。 （４）請求項４記載の発明によれば、炉下部での材料ガ
ス濃度を希釈することができ、炉内の材料ガス濃度を均
一化できる縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管を提供す
ることができる。
【００３２】（５）請求項５記載の発明によれば、炉下
部での炉内面での材料ガスを炉内面において消費させる
ようにしたので、炉下部での材料ガス過多を抑制でき、
炉内の材料ガス濃度を均一化できる。 （６）請求項６記載の発明によれば、炉下部での炉内面
での材料ガスの接触面積を増加させることにより、炉下
部での材料ガス過多を抑制でき、炉内の材料ガス濃度を
均一化することができる。
部での炉内面での材料ガスを炉内面において消費させる
ようにしたので、炉下部での材料ガス過多を抑制でき、
炉内の材料ガス濃度を均一化できる。 （６）請求項６記載の発明によれば、炉下部での炉内面
での材料ガスの接触面積を増加させることにより、炉下
部での材料ガス過多を抑制でき、炉内の材料ガス濃度を
均一化することができる。
【００３３】（７）請求項７記載の発明によれば、炉下
部での炉内面のリング状突起によって材料ガスの接触面
積を増加させることができ、炉下部での材料ガス過多を
抑制でき、炉内の材料ガス濃度を均一化できる縦型減圧
化学気相成長装置の炉芯管を提供することができる。
部での炉内面のリング状突起によって材料ガスの接触面
積を増加させることができ、炉下部での材料ガス過多を
抑制でき、炉内の材料ガス濃度を均一化できる縦型減圧
化学気相成長装置の炉芯管を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す縦型減圧化学気相成
長装置の炉芯管の断面図である。
長装置の炉芯管の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す縦型減圧化学気相成
長装置のインナー炉芯管の構造を示す図である。
長装置のインナー炉芯管の構造を示す図である。
【図３】図２のＡ部拡大図である。
【図４】従来の縦型減圧化学気相成長装置のインナー炉
芯管の模式図である。
芯管の模式図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す縦型減圧化学気相成
長装置のインナー炉芯管における材料ガス供給の抑制に
ついての説明図である。
長装置のインナー炉芯管における材料ガス供給の抑制に
ついての説明図である。
１ アウター炉芯管 ２，３１ インナー炉芯管 ３ 第１の材料ガス供給配管 ４ 第１の材料ガス供給口 ５ 第２の材料ガス供給配管 ６ 第２の材料ガス供給口 ７ 真空排気口 ８ 材料ガス流量制御装置 ９ 希釈ガス供給配管 １０ 希釈ガス供給口 １１ 希釈ガス流量制御装置 ２０，３４ ボート ３２ リング状の突起 ３３ シランガス ３５ ウエハ
Claims (7)
- 【請求項１】 縦型減圧化学気相成長装置を用いた半導
体素子の製造方法において、（ａ）材料ガスを炉の上方
の複数箇所より供給し、（ｂ）希釈ガスを炉の下方より
供給することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記材料ガスはシランガスであり、前記希釈ガ
スはＮ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスである半導体素子の製造
方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記材料ガスはシランガスであり、前記希釈ガ
スはＮ2 、Ｈ2 、Ａｒ等のガスであり、粗面ポリシリコ
ン膜を生成することを特徴とする半導体素子の製造方
法。 - 【請求項４】 縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管にお
いて、（ａ）インナー炉芯管内上部に配置される複数個
の材料ガス供給口と、（ｂ）前記インナー炉芯管内下部
に配置される希釈ガス供給口とを配置することを特徴と
する縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管。 - 【請求項５】 縦型減圧化学気相成長装置を用いた半導
体素子の製造方法において、（ａ）材料ガスを炉の上方
より供給し、（ｂ）前記炉の下部において前記材料ガス
の炉内面における消費を高めることを特徴とする半導体
素子の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体素子の製造方法に
おいて、前記材料ガスの炉内面における接触面積を増加
させることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 縦型減圧化学気相成長装置の炉芯管にお
いて、（ａ）インナー炉芯管内上部に配置される材料ガ
ス供給口と、（ｂ）前記インナー炉芯管内下部に形成さ
れるリング状突起を具備する縦型減圧化学気相成長装置
の炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12618996A JP3434972B2 (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12618996A JP3434972B2 (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312263A true JPH09312263A (ja) | 1997-12-02 |
| JP3434972B2 JP3434972B2 (ja) | 2003-08-11 |
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ID=14928906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12618996A Expired - Lifetime JP3434972B2 (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | 半導体素子の製造方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3434972B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118836A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置用反応管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2017022233A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置の運転方法 |
| CN107488836A (zh) * | 2017-08-31 | 2017-12-19 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种多晶硅薄膜的沉积方法 |
| KR102034766B1 (ko) * | 2018-04-12 | 2019-10-22 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP12618996A patent/JP3434972B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2019186531A (ja) * | 2018-04-12 | 2019-10-24 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| CN110379730A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-10-25 | 株式会社尤金科技 | 衬底处理设备和衬底处理方法 |
| CN110379730B (zh) * | 2018-04-12 | 2023-06-06 | 株式会社尤金科技 | 衬底处理设备和衬底处理方法 |
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