JPH09307126A - 薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】絶縁基板上に形成した薄膜太陽電池の電極取り
出しのために基板裏面側に設けた第三電極層を、入射光
の反射および集電のための基板側の第三電極内層と、レ
ーザ加工時の基板表面側の他の層への影響を防ぐために
第三電極外層とからなる複合層としたとき、第三電極内
層と第三電極外層、第三電極外層と半導体層等の電池化
学的な反応、あるいはその反応による太陽電池特性の低
下を防止する。 【解決手段】表面側の第三電極外層７２としてＮｉある
いはその合金とし、基板１側の第三電極内層７１として
Ａｌあるいはその合金とする。これにより電気化学反
応、拡散あるいは合金反応が抑止され、第三電極外層７
２の変色や、太陽電池特性の低下が起きず、信頼性が向
上する。特に、第三電極内層７１の厚さを０．２〜０．
５μｍとし、また、第三電極外層７２の厚さを０．０５
〜０．５μｍとすれば、太陽電極池の曲線因子（ＦＦ）
が低下せず、内部応力による膜の剥離がない。

Description

【発明の詳細な説明】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板の一面上に形
成された光電変換層とそれを挟む電極層よりなる単位太
陽電池が基板の他面上に形成された接続電極層を用いて
接続される薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。

【従来の技術】太陽電池はクリーンなエネルギーとして
注目されており、その技術の進歩はめざましいものがあ
る。特に、アモルファス（非晶質）シリコンを主材料と
した光電変換層は大面積の成膜が容易で低価格であるた
め、それを用いた薄膜太陽電池に対する期待は大きい。
従来の薄膜太陽電池にはガラス基板が用いられていた
が、厚型で重く、割れやすい欠点があり、また、屋外の
屋根などへの適用時の作業性の改善等のため、薄型、軽
量化の要望が強くなっている。これらの要望に対して可
撓性のあるプラスチックフィルムあるいは箔状金属フィ
ルムを基板に用いた可撓性薄膜太陽電池の実用化が進み
つつある。薄膜太陽電池は、基板の一面上に光電変換層
が両面に電極層を備えて形成される。この電極層のう
ち、光の入射側に存在するものは、インジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの透明導電
材料よりなる透明電極層である。この透明電極層はシー
ト抵抗が大きいため、電流が透明電極層を流れることに
よる電力損失が大きくなってしまう。そのため従来は、
薄膜太陽電池を複数の幅の狭いユニットセルに分割し、
分割したユニットセルを隣接するユニットセルに電気的
に接続する直列接続構造をとっていた。これに対し、特
開平６−３４２９２４号で公知の薄膜太陽電池では、絶
縁性基板に貫通孔を開け、この貫通孔を利用して光電変
換層の反基板側にある透明電極層を基板裏面の接続電極
層と接続することにより、高シート抵抗の透明電極層を
流れる電流経路の距離を短縮できる。図７はそのような
薄膜太陽電池の断面構造図を概念的に示し、フィルム基
板１に第一貫通孔２を開けたのち、例えば金属膜からな
る第一電極層４を形成する。ついで第二貫通孔３を開け
たのち、光電変換層となるアモルファスシリコンなどの
薄膜半導体層６、ＩＴＯなど透明導電膜の第二電極層５
を積層する。この両層は、第二貫通孔３の内面を被覆
し、第二貫通孔３の下端まで達している。このあと、裏
面側を接続第三電極層７により被覆する。この第三電極
層７は、第一貫通孔２の内面の第一電極層４および第三
電極層７を介して基板１表面上の第一電極層４と接続さ
れる。また貫通孔３の内面の、第一電極層４とは半導体
層６により実質的に絶縁された第二電極層５および第三
電極層７を介して基板表面上の第二電極層６と接続され
る。このような構造で、基板表面上の第一電極層４、半
導体層６、第二電極層５を任意に分割して複数の単位太
陽電池とし、更に裏面の第三電極層７をスリット８、９
などの表面上の分割線と異なるパターンの分割線で分割
することにより、単位太陽電池の直列接続構造が出来上
がる。この場合、第一貫通孔２は単位太陽電池の集電に
役立ち、貫通孔３は各単位太陽電池内の直列構造に役立
つ。特に第三電極層７を入射光を反射させるための第三
電極内層７１と、スリット８形成時のレーザ光に対する
反射率を低めるための第三電極外層７２とからなる複合
層にすることが行われている。低反射率の材料を用いれ
ば、スリット８加工時等のレーザー光出力を低くでき、
基板表面側の損傷を防ぐことができる。第三電極層の組
み合わせとしては第三電極内層７１、第三電極外層７２
がそれぞれ銀（Ａｇ）とクロム（Ｃｒ）の組み合わせが
知られている。

【発明が解決しようとする課題】しかし、銀（Ａｇ）と
クロム（Ｃｒ）との組合わせでは、Ｃｒが厚いほど太陽
電池の特性である曲線因子（ＦＦ）がよくなるが、０．
４μｍ以上にするとＣｒが剥離するという問題があつ
た。それらの厚さが０．４μｍ以上ないと第一、第二貫
通孔８、９を介した抵抗が十分低くならなかった。ま
た、０．４μｍ以上必要なためにその膜の応力などによ
り光電変換層側の剥離などが生じやすく、歩留まりが低
かった。その対策の一つとして、発明者は第三電極内層
７１、第三電極外層７２がそれぞれＡｇと銅（Ｃｕ）と
の組み合わせを提案した（特願平７−１２９８９１
号）。この組み合わせでは、第三金属層の剥離が無く、
また太陽電池特性の一つである曲線因子（ＦＦ）の大き
い太陽電池が得られた。しかし、第三電極内層として銀
（Ａｇ）、低反射率の第三電極外層７２としてＣｕの組
み合わせを用いた直列接続構造の薄膜太陽電池の両面
を、透明樹脂のエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）
により密着封止して薄膜太陽電池パネルを製造し、信頼
性試験項目の一つとして、高温高湿（８５℃、９５％Ｒ
Ｈ）中に長時間放置したところ、第一、第二貫通孔２、
３より第三電極層７側に回り込んだ半導体層６および第
二貫通孔３より回り込んだ第二電極層５と、第三電極外
層７２のＣｕとが反応し、Ｃｕ表面の一部に変色が見ら
れた。また、太陽電池の特性低下も見られた。ＥＶＡで
封止はしているが、ＥＶＡ自体が樹脂であるため、水分
の侵入を完全に防ぐことは不可能であり、それ故、Ａｇ
とＣｕとが直接接触している部分においては侵入した水
蒸気などの存在により電池化学反応が起こり、Ａｇの方
がＣｕより標準還元電位が高いのでＣｕが溶出したため
と考えられる。また、第三電極内層７１としてアルミニ
ウム（Ａｌ）を用いることができる。その場合は、Ａｌ
の方がＣｕより標準還元電位が低いので、Ｃｕの溶出は
発生しない。しかしやはり、第二貫通孔３から回り込ん
だ半導体層６との反応が起き、第三電極外層７２の表面
に変色が見られた。更に、また、第三電極内層７１とし
てＡｇ／ＩＴＯの複合層を用いた場合にもＣｕの溶出は
起きないが、ＩＴＯおよび貫通孔２、３から回り込んだ
半導体層５などと反応し、第三電極外層７２のＣｕの表
面が変色し、また太陽電池特性の低下を招くことがあっ
た。この第三電極外層７２として用いたＣｕの表面変色
および太陽電池特性の低下の問題を解決するため、発明
者は先に、特願平７−３０５５２７において、Ｃｕある
いはその合金よりなる第三電極外層７２と第三電極内層
７１との間に、導電性の中間層を挿入することを提案し
た。図８にその薄膜太陽電池の断面を示す。第三電極外
層７２と第三電極内層７１との間に、導電性の中間層７
３が挿入されている。第三電極内層７１はＡｇ、第三電
極外層７２は銅、中間層７３はＴｉである。図８に示し
たように中間層７３を挿入した薄膜太陽電池では、Ｃｕ
の表面変色および太陽電池特性の低下が防止できること
が上記出願に示されている。しかし、中間層７３を入れ
ることにより信頼性は確かに向上するが、薄膜太陽電池
の製造方法としては、中間層を形成するための工程を加
えなければならず、またそのための成膜装置が必要にな
る。例えば、ステッピングロール方式の成膜装置を用い
る場合、第三電極層７が三層構成であれば、そのための
反応室が三室必要となり、製品のコストアップにつなが
る。以上の問題に鑑み本発明の目的は、高温、高湿試験
等に耐え、長期信頼性の高い、そして製造の容易な薄膜
太陽電池およびその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発
明は、絶縁性基板の一面上に、基板側に第一電極層、反
対側に透明な第二電極層が設けられた光電変換層である
非晶質半導体層が積層され、基板の他面側に第三電極層
が設けられ、第一電極層、光電変換層および第二電極層
よりなる積層体および第三電極層がそれぞれ分割され、
第三電極層の一領域が基板に開けられた第一貫通孔を通
じて分割された積層体の一領域の第一電極層と接続さ
れ、また第三電極層の別の一領域が基板、第一電極層お
よび光電変換層に開けられた第二貫通孔を通じて前記積
層体領域に隣接する積層体領域の第二電極層と接続され
る薄膜太陽電池において、第三電極層の最外層部分がニ
ッケル（Ｎｉ）あるいはその合金よりなるものとする。
特に、第三電極内層がアルミニウム（Ａｌ）あるいはそ
の合金よりなることがよい。そのような組み合わせとす
れば、第三電極内層と第三電極外層との間に電池化学的
な反応が起きて第三電極外層が溶出したり変色したりす
ることがない。そして、第三電極内層の厚さが０．２〜
０．５μｍの範囲にあることがよい。Ａｌは従来用いら
れてきた銀（Ａｇ）に比べ比抵抗が１．７倍であり、Ａ
ｌの０．２μｍがＡｇの０．１μｍに相当する。第三電
極層における抵抗による損失の低減のため、Ａｌあるい
はその合金の厚さは厚い方がよいが、そのような層厚範
囲とすれば、太陽電池特性も向上する。そして、基板と
の熱膨張係数の差或いは膜形成時の熱による応力を抑え
る点から、０．５μｍ以下にする。しかし、弾性率がＣ
ｒの約１／３であるため、０．４μｍ以上にしても内部
応力が大きくなりすぎることがなく、光電変換層の剥離
などが生じない。また、第三電極層の最外層部分の厚さ
が０．０５〜０．５μｍの範囲にあることがよい。その
ような層厚範囲とすれば、Ｎｉのレーザ加工に用いられ
るＹＡＧレーザの波長０．５３μｍのレーザ光に対する
反射率は６０％で、クロム（Ｃｒ）の４０％よりは若干
高いものの、Ａｇの９４％、Ａｌの約７２％に比べれば
低く、第三電極層のパターニングのためのレーザ出力を
低くすることができ、光電変換層側の各層に損傷を与え
ることのない加工が行われる。抵抗による損失の低減の
ため、厚さは厚い方がよいが、そのような層厚範囲とす
れば、太陽電池特性も向上する。基板との熱膨張係数の
差或いは膜形成時の熱による応力を抑える点から、０．
５μｍ以下にする。しかし、弾性率がＣｒの約１／２で
あるため、０．４μｍ以上にしても剥離などが生じな
い。本発明にかかる薄膜太陽電池の製造方法としては、
絶縁性基板に第一貫通孔を開ける工程、基板の一面上に
第一電極層を成膜する工程、第一電極層に上に光電変換
層である半導体層および透明第二電極層を成膜する工
程、少なくとも基板および第一電極層に第二貫通孔を開
ける工程ならびに基板の他面上にＡｌあるいはその合金
よりなる第三電極内層部分を成膜する工程のあとに、Ｎ
ｉあるいはその合金よりなる第三電極外層部分を成膜す
る工程を備え、基板温度１００〜２５０℃の範囲で第三
電極外層を形成するものとする。そのようにすれば、Ａ
ｌあるいはその合金の第三電極内層をＮｉあるいはその
合金の第三電極外層が覆った形の第三電極層が形成され
る。２５０℃を越える基板温度で形成した場合、半導体
層中の不純物が拡散して初期特性の低下の原因となる
し、また、１００℃未満の基板温度にすると、太陽電池
特性の曲線因子（ＦＦ）が、若干の低下傾向を示すが、
その間の温度範囲ではそれらの問題を免れることができ
る。

【発明の実施の形態】絶縁性基板にはアラミド、ポリエ
ーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリイミドなどのプラスチックフィルムを用い
る。基板の両側の第一電極層および第三電極内層（直列
接続用電極層）は、通常同一材料を用いてスパッタ法で
成膜し、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの単層
膜或いはＡｇ／透明導電膜などの多層膜を用いる。中間
層は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、Ａｌ、タンタル（Ｔａ）の
うちの一つあるいはそれらのひとつを主体とした合金、
例えばアルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金など
を用いる。以下図７、８と共通の部分に同一の符号を付
した図面を引用しながら、本発明の実施例について述べ
る。 ［実施例］図１は、本発明の実施例の薄膜太陽電池の部
分断面図である。絶縁性基板１上に、上下に第二電極層
５、第一電極層４をもつ光電変換層となるアモルファス
シリコンの薄膜半導体層６が形成されている。第二電極
層５は透明導電膜のＩＴＯ、第一電極層４は銀である。
絶縁性基板１の下面には、第三電極内層７１と第三電極
層７２とが形成されている。絶縁性基板１に接する第三
電極内層７１はＡｌ、第三電極外層７２はＮｉである。
絶縁性基板１には、第一、第二の貫通孔２、３が開けら
れ、第一貫通孔２の内側では、第一電極層４、第三電極
内層７１、半導体層６、第三電極外層７２とが積層され
ている。第一電極層４と第三電極内層７１とが直接重ね
られているので、絶縁性基板１上の第一電極層４の電位
が絶縁性基板１の下面の第三電極外層７２に取り出され
ている。第二貫通孔３の内側では、半導体層６、第二電
極層５、第三電極外層７２が積層されている。第二電極
層５と第三電極外層７２とが直接重ねられているので、
半導体層６の電位が絶縁性基板１の下面の第三電極外層
７２に取り出されている。すなわち、第一電極層４も第
二電極層５も、基板１の下面の第三電極層７として取り
出すことができる。従って、基板１表面上の第一電極層
４、半導体層５、第二電極層６にスリット９を設け、基
板１裏面の第三電極内層、外層７１、７２に表面上のス
リット９と異なるパターンのスリット８を設け、分割し
て複数の単位太陽電池とし、単位太陽電池を直列に接続
した構造の薄膜太陽電池が構成される。第三電極層７を
第三電極内層７２と第三電極層７２の二層で構成したの
は、入射光を反射させる目的の第三電極内層７１と、ス
リット８形成時のレーザ光に対する反射率を低める目的
の第三電極外層７２とを重ねた訳である。低反射率の材
料を用いれば、スリット８加工時等のレーザー光出力を
低くでき、基板表面側の損傷を防ぐことができる。図２
（ａ）ないし（ｃ）および図３（ａ）ないし（ｅ）は図
１に示した薄膜太陽電池の主な製造工程順に示した主な
製造工程ごとに断面図である。図２（ａ）は、基板１の
断面図である。基板１の素材は、本実施例では膜厚50μ
ｍのアラミドを用いた。ＰＥＳ、ＰＥＮ、ＰＥＴ、ポリ
イミドなどの絶縁性プラスチックフィルムを用いること
も出来る。また、膜厚は実施例では５０μｍのものを用
いたがこの厚さに限定されるものではない。この基板１
にレーザ加工により、直径１ｍｍの第一貫通孔２を形成
する［同図（ｂ）］。なお、この場合の孔の形状は必ず
しも円である必要はなく、むしろ太陽電池の特性を向上
させるためには第一貫通孔２の面積は出来るだけ小さ
く、しかも周辺の長さが出来る限り長くなる形状が良
い。基板１の表面に第一電極層４、およびそれと反対側
の面に第三電極内層７１となる金属をスパッタ法により
形成する［同図（ｃ）］。このとき、スパッタ蒸着され
る金属は第一貫通孔２の内面にも蒸着され、上面の第一
電極層４と反対側の第三電極内層７１とは接続される。
材料としては、Ａｌを用いた。他に銀（Ａｇ）やＡｇ／
透明導電層などの多層構造膜などを用いることができ
る。第一電極層４、第三電極内層７１のどちらが先でも
かまわないが、好ましくは、第一電極層４を先に形成す
る。この後、レーザ加工により、直径１ｍｍの第二貫通
孔３を形成する［図３（ａ）］。なお、この場合も孔形
状は必ずしも円である必要はなく、第二貫通孔３の面積
は出来るだけ小さく、しかも周辺の長さが出来る限り長
くなる形状が良いのは第一貫通孔と同じである。次に、
光電変換層となる半導体層６を形成する［同図
（ｂ）］。本実施例では通常のグロー放電分解法により
堆積される水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）系の材料を用いてｎ−ｉ−ｐ接合を形成した。この
ときも、半導体層６は第一貫通孔２、第二貫通孔３の内
面にも堆積される。その上に第二電極層５である透明電
極層を形成する［同図（ｃ）］。本実施例ではスパッタ
法によるＩＴＯの例を示した。ＺｎＯなどの酸化物導電
膜を用いることもできる。このＩＴＯ形成時に一部の第
一貫通孔２の部分をマスクで覆うなどしてその部分には
ＩＴＯが形成されないようにする。続いて、基板１の裏
面の第三電極内層７１上に、第三電極外層７２としてＮ
ｉをスパッタ蒸着する［同図（ｄ）］。このとき、第三
電極外層７２のＮｉのスパッタ条件としては、基板温度
２５０℃以下で形成することが望ましい。それより高い
温度で形成した場合、半導体層６にダメージが生じ、特
性が低下することがある。２５０℃以下でＮｉをスパッ
タした場合には、それらの現象は観測されず、安定した
特性を示した。さらに、１００℃未満の温度でＮｉを形
成すると、太陽電池特性の曲線因子（ＦＦ）が少し低下
する傾向を示した。従って、１００〜２５０℃の範囲内
で形成するのが最も好ましい。最後に、ＹＡＧレーザー
により第三電極層７および第一電極層４、半導体層６、
第二電極層５の積層体にそれぞれ所定のパターンのスリ
ツト８、９を形成して分割し、直列構造を作製する［同
図（ｅ）］。この実施例で、第三電極内層７１にＡｌを
用いたが、その際のＡｌの厚さが太陽電池の特性に影響
することを見いだした。図４に、薄膜太陽電池の曲線因
子（ＦＦ）のＡｌ厚さ依存性を示す。横軸はＡｌ厚さ、
縦軸はＦＦである。比較のため、Ａｇの場合の厚さ依存
性も示した。いずれの場合も第三電極外層７２は、厚さ
０．２μｍのＮｉとした。図より第三電極内層７１のＡ
ｌは０．２μｍ以上の膜厚が必要であり、好ましくは、
０．３μｍ以上の膜厚が良いことがわかる。但し、厚す
ぎると剥離などの原因となるので０．５μｍ以下が望ま
しい。また、第三電極外層７２のＮｉの厚さが太陽電池
の特性に影響することを見いだした。図５に、薄膜太陽
電池の曲線因子（ＦＦ）のＮｉ厚さ依存性を示す。横軸
はＮｉ厚さ、縦軸はＦＦである。比較のため、Ｃｒの場
合の厚さ依存性も示した。いずれの場合も第三電極内層
７１は、厚さ０．４μｍのＡｌとした。従来用いられて
きたＣｒは０．４μｍ以上必要なのに対して、Ｎｉを用
いた場合については０．０５μｍ以上、望ましくは０．
２μｍ以上あれば良いことがわかる。この場合も余り厚
くすると、応力が大きくなるので０．０５〜０．５μｍ
の範囲が良い。基板の貫通孔を介した抵抗、レーザー分
離加工などの点からもこの程度の厚さで十分である。特
に、０．１〜０．２μｍの厚さとすれば、太陽電池特性
としては十分に機能を果たすので、かなり薄膜化できる
ことになる。その結果、応力などによる剥離が減少し、
歩留まりを向上させることができる。また、基板１と第
三電極内層７１との界面に付着力を補うＺｎＯ等の界面
層を入れてもかまわないことがわかった。以上述べた実
施例では、直列接続を形成する際に用いるレーザー波長
（０．５３μｍ）での反射率が５５％程度と低く、スリ
ット８、９を加工する際に加工面と反対側の面に損傷を
与えることなく良好な加工が可能であった。更に、この
直列接続構造の薄膜太陽電池を、ＥＶＡ樹脂により封止
したのち、８５℃、９５％ＲＨの高温高湿雰囲気中での
に放置試験を行った。図６はその高温、高湿試験におけ
る太陽電池の効率の変化を示す。横軸は時間、縦軸は初
期値を１とした効率の相対値である。比較のため、第三
電極内層と外層との間に中間層を形成した従来例の薄膜
太陽電池も同時に試験した。本実施例の薄膜太陽電池
は、従来例と変わらず、２０００時間程度まで安定した
特性を示している。すなわち、集電のための第三電極内
層７１にＡｌ、レーザー加工時の低反射率膜のための第
三電極外層７２にＮｉを用いた本実施例の薄膜太陽電池
は、第三電極内層７１と第三電極外層７２との間、第三
電極外層７２と第二電極層５あるいは半導体層６との間
に電池化学反応、合金反応或いは接触にによる反応が発
生せず、信頼性が高い。またそのため、第三電極内層７
１と第三電極外層７２との間に中間層を介在させる必要
がなく、例えばステッピングロール方式の成膜装置を用
いる場合、真空室が二室で済み、装置コスト的にも低コ
スト化が図れる。Ａｇを使用していないことも、薄膜太
陽電池の低コスト化に向いた構造といえる。また第三電
極外層７２が薄い層でよいので、従来用いられてきたＣ
ｒのように、厚すぎて剥離するというような問題も起き
ない。第三電極内層７１は、純Ａｌに限らず、例えば、
Ｓｉなどを含んだＡｌ合金でも同様な効果を得られるこ
と、第三電極外層７２は、純Ｎｉに限らず、例えばＴ
ｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏなどを含んだＮｉ合金でも同様な
効果を得られることがわかった。尚、第三電極外層７２
にＮｉを用いた場合、中間層を入れることにより第三電
極内層７１としてＡｇを使用することもできる。

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
三電極内層にＡｌあるいはその合金、第三電極外層にＮ
ｉあるいはその合金を用いた本実施例の薄膜太陽電池
は、中間層などを介在させなくとも、両層間或いは第二
電極層、半導体層との電池化学反応、合金反応等が発生
しない。その結果、信頼性の高い、薄膜太陽電池を低コ
ストで製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の薄膜太陽電池の部分断面図

【図２】（ａ）ないし（ｃ）は図１の薄膜太陽電池の製
造工程の前半を順に示す断面図

【図３】（ａ）ないし（ｅ）は図２（ｃ）に続く薄膜太
陽電池の製造工程を順に示す断面図

【図４】第三電極内層の材料および膜厚と太陽電池の曲
線因子との関係線図

【図５】第三電極外層の材料および膜厚と太陽電池の曲
線因子との関係線図

【図６】本発明の一実施例の薄膜太陽電池および比較例
の薄膜太陽電池の高温、高湿中放置試験における効率の
劣化曲線図

【図７】従来の薄膜太陽電池の部分断面図

【図８】従来の別の薄膜太陽電池の部分断面図

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ 第一貫通孔 ３ 第二貫通孔 ４ 第一電極層 ５ 第二電極層 ６ 半導体層 ７ 第三電極層 ７１ 第三電極内層 ７２ 第三電極外層 ７３ 中間層 ８ スリット ９ スリット

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁性基板の一面上に、基板側に第一電極
   層、反対側に透明な第二電極層が設けられた光電変換層
   である非晶質半導体層が積層され、基板の他面側に第三
   電極層が設けられ、第一電極層、光電変換層および第二
   電極層よりなる積層体および第三電極層がそれぞれ分割
   され、第三電極層の一領域が基板に開けられた第一貫通
   孔を通じて分割された積層体の一領域の第一電極層と接
   続され、また第三電極層の別の一領域が基板、第一電極
   層および光電変換層に開けられた第二貫通孔を通じて前
   記積層体領域に隣接する積層体領域の第二電極層と接続
   される薄膜太陽電池において、第三電極層の最外層部分
   がニッケルあるいはその合金よりなることを特徴とする
   薄膜太陽電池。
2. 【請求項２】第三電極層の内層部分がアルミニウムある
   いはその合金よりなることを特徴とする請求項１記載の
   薄膜太陽電池。
3. 【請求項３】第三電極層の内層部分の厚さが０．２〜
   ０．５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項２記載
   の薄膜太陽電池の製造方法。
4. 【請求項４】第三電極層の最外層部分の厚さが０．０５
   〜０．５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１な
   いし３のいずれかに記載の薄膜太陽電池。
5. 【請求項５】絶縁性基板に第一貫通孔を開ける工程、基
   板の一面上に第一電極層を成膜する工程、第一電極層に
   上に光電変換層である半導体層および透明第二電極層を
   成膜する工程、少なくとも基板および第一電極層に第二
   貫通孔を開ける工程ならびに基板の他面上に第三電極層
   の内層部分を成膜する工程のあとに、第三電極層のニッ
   ケルあるいはその合金よりなる最外層部分を成膜する工
   程を備えた薄膜太陽電池の製造方法において、 基板温度１００〜２５０℃の範囲で第三電極層の最外層
   部分を成膜することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方
   法。