JPH09306232A - 導電性微粒子及び基板 - Google Patents
導電性微粒子及び基板Info
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- JPH09306232A JPH09306232A JP13760696A JP13760696A JPH09306232A JP H09306232 A JPH09306232 A JP H09306232A JP 13760696 A JP13760696 A JP 13760696A JP 13760696 A JP13760696 A JP 13760696A JP H09306232 A JPH09306232 A JP H09306232A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボールグリップアレイやフリップチック等の
導電接合方法によって電極基板及び半導体チップ等の素
子、又は、電極基板同士の接合を良好に行うことがで
き、かつ、弾力性に優れた導電性微粒子、並びに、それ
を用いて導電接合され、熱サイクルによる接続不良がな
い基板を提供する。 【解決手段】 樹脂からなる基材微粒子の表面にハンダ
濡れ性を有する金属メッキ層を有してなる導電性微粒
子。
導電接合方法によって電極基板及び半導体チップ等の素
子、又は、電極基板同士の接合を良好に行うことがで
き、かつ、弾力性に優れた導電性微粒子、並びに、それ
を用いて導電接合され、熱サイクルによる接続不良がな
い基板を提供する。 【解決手段】 樹脂からなる基材微粒子の表面にハンダ
濡れ性を有する金属メッキ層を有してなる導電性微粒
子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等の素子、
電極基板等を導電接合する際に用いられる導電性微粒子
及びそれを用いて導電接合された基板に関する。
電極基板等を導電接合する際に用いられる導電性微粒子
及びそれを用いて導電接合された基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子等の電子機器を製造する際
に、集積回路（ＬＳＩ）半導体チップと液晶表示パネル
等の電極を有する基板との接合においては、従来より導
電接合が行われている。導電接合に使用される材料とし
ては、例えば、特開昭６２−６１２０４号公報には、ハ
ンダ合金とプラスチック材料とを混練してなる導電性接
着シートが開示されており、特開昭６２−６１３９６号
公報、特開昭６２−１６１１８７号公報、特開昭６２−
１２７１９４号公報には、電極基板と半導体チップ等の
電子部品とをハンダを利用して導電接合するための材料
が開示されている。
に、集積回路（ＬＳＩ）半導体チップと液晶表示パネル
等の電極を有する基板との接合においては、従来より導
電接合が行われている。導電接合に使用される材料とし
ては、例えば、特開昭６２−６１２０４号公報には、ハ
ンダ合金とプラスチック材料とを混練してなる導電性接
着シートが開示されており、特開昭６２−６１３９６号
公報、特開昭６２−１６１１８７号公報、特開昭６２−
１２７１９４号公報には、電極基板と半導体チップ等の
電子部品とをハンダを利用して導電接合するための材料
が開示されている。
【０００３】また、導電性微粒子を用いて導電接合させ
る方法としては、例えば、特開昭６２−４１２３８号公
報には、銅からなる芯体の表面に厚さ０．１〜５μｍの
ニッケル又はニッケル合金の被覆層を設けた導電性充填
材が開示されており、実開昭６２−８６０１１号公報に
は、ハンダコートされたニッケル粒子が開示されてお
り、これらの導電性充填材は、有機高分子材料や塗料に
配合して接着剤として使用される。
る方法としては、例えば、特開昭６２−４１２３８号公
報には、銅からなる芯体の表面に厚さ０．１〜５μｍの
ニッケル又はニッケル合金の被覆層を設けた導電性充填
材が開示されており、実開昭６２−８６０１１号公報に
は、ハンダコートされたニッケル粒子が開示されてお
り、これらの導電性充填材は、有機高分子材料や塗料に
配合して接着剤として使用される。
【０００４】特開昭６２−１９９６１１号公報には、プ
ラチナ、パラジウム、金より選ばれる金属からなる導電
性外表面を有する球状粒子を含有した導電性組成物が開
示されており、特開平１−２４６７０５号公報、特開平
１−２４６７０６号公報には、銅粒子の表面に銀、ニッ
ケル、金、パラジウム等の耐酸化性金属からなる層を有
する球状微粒子を含有した導電性ペーストが開示されて
いる。この他に、銀の微粉をエポキシ樹脂中に混合さ
せ、粒子状に成型した導電性微粒子を使用する方法も提
案されている。
ラチナ、パラジウム、金より選ばれる金属からなる導電
性外表面を有する球状粒子を含有した導電性組成物が開
示されており、特開平１−２４６７０５号公報、特開平
１−２４６７０６号公報には、銅粒子の表面に銀、ニッ
ケル、金、パラジウム等の耐酸化性金属からなる層を有
する球状微粒子を含有した導電性ペーストが開示されて
いる。この他に、銀の微粉をエポキシ樹脂中に混合さ
せ、粒子状に成型した導電性微粒子を使用する方法も提
案されている。
【０００５】これらの技術では、銅、ニッケル等の金属
球状粒子を芯体としており、その表面がパラジウム、金
等の金属で被覆された微粒子を使用している。しかしな
がら、銅等の金属粒子を芯体として使用すると、導電性
微粒子が硬く、弾力性が悪いので、接合部分に応力が集
中しやすく、得られる電子機器の信頼性を低下させる欠
点があり、芯体となる金属球状粒子の粒径分布が広くな
りすぎたり、表面を被覆している金属が高価である等の
問題点もあった。また、銀の微粉をエポキシ樹脂中に混
合したものを粒子状に成型して使用すると、電気抵抗値
を下げることが困難である。
球状粒子を芯体としており、その表面がパラジウム、金
等の金属で被覆された微粒子を使用している。しかしな
がら、銅等の金属粒子を芯体として使用すると、導電性
微粒子が硬く、弾力性が悪いので、接合部分に応力が集
中しやすく、得られる電子機器の信頼性を低下させる欠
点があり、芯体となる金属球状粒子の粒径分布が広くな
りすぎたり、表面を被覆している金属が高価である等の
問題点もあった。また、銀の微粉をエポキシ樹脂中に混
合したものを粒子状に成型して使用すると、電気抵抗値
を下げることが困難である。
【０００６】更に、接合に際して、有機高分子材料等を
接着剤として使用しているため、導電性微粒子により電
気的接続が行われ、有機高分子材料等により機械的接続
が行われるので、このような接合方法で接合された電子
部品は、高温になると有機高分子材料等が熱膨張して電
気的接続が不良となったり、電気抵抗値が増大する等の
問題点があった。
接着剤として使用しているため、導電性微粒子により電
気的接続が行われ、有機高分子材料等により機械的接続
が行われるので、このような接合方法で接合された電子
部品は、高温になると有機高分子材料等が熱膨張して電
気的接続が不良となったり、電気抵抗値が増大する等の
問題点があった。
【０００７】有機高分子材料等の接着剤を使用しない導
電接合方法としては、現在、ボールグリップアレイ（Ｂ
ＧＡ）やフリップチック等が行われており、導電性微粒
子としてハンダ粒子が広く使用されている。しかしなが
ら、ハンダ粒子は、加熱溶融させて接合する際に、接合
部分のハンダが拡がりやすいこと、隣接する電極をショ
ートさせやすいこと、電極基板と半導体チップ等の電子
部品との間隔が変化すると、特定の接合部分に負荷が掛
かりやすいこと等の問題点があった。
電接合方法としては、現在、ボールグリップアレイ（Ｂ
ＧＡ）やフリップチック等が行われており、導電性微粒
子としてハンダ粒子が広く使用されている。しかしなが
ら、ハンダ粒子は、加熱溶融させて接合する際に、接合
部分のハンダが拡がりやすいこと、隣接する電極をショ
ートさせやすいこと、電極基板と半導体チップ等の電子
部品との間隔が変化すると、特定の接合部分に負荷が掛
かりやすいこと等の問題点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑
み、ＢＧＡやフリップチック等の導電接合方法によって
電極基板及び半導体チップ等の素子、又は、電極基板同
士の接合を良好に行うことができ、かつ、弾力性に優れ
た導電性微粒子、並びに、それを用いて導電接合され、
熱サイクルによる接続不良がない基板を提供することを
目的とする。
み、ＢＧＡやフリップチック等の導電接合方法によって
電極基板及び半導体チップ等の素子、又は、電極基板同
士の接合を良好に行うことができ、かつ、弾力性に優れ
た導電性微粒子、並びに、それを用いて導電接合され、
熱サイクルによる接続不良がない基板を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、樹脂から
なる基材微粒子の表面にハンダ濡れ性を有する金属メッ
キ層を有してなる導電性微粒子によって達成することが
できる。以下に本発明を詳述する。
なる基材微粒子の表面にハンダ濡れ性を有する金属メッ
キ層を有してなる導電性微粒子によって達成することが
できる。以下に本発明を詳述する。
【００１０】本発明で使用される基材微粒子は、樹脂か
らなる。上記樹脂としては特に限定されず、例えば、フ
ェノール樹脂、アミノ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、ポリ
イミド樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の架橋型又
は非架橋型合成樹脂；有機−無機ハイブリッド重合体等
が挙げられる。
らなる。上記樹脂としては特に限定されず、例えば、フ
ェノール樹脂、アミノ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、ポリ
イミド樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等の架橋型又
は非架橋型合成樹脂；有機−無機ハイブリッド重合体等
が挙げられる。
【００１１】上記基材微粒子の圧縮硬さ（Ｋ値）は、１
００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2 が好ましい。１００ｋｇ／
ｍｍ2 未満であると、実用的でなく、１０００ｋｇ／ｍ
ｍ2を超えると、硬すぎるために導電性微粒子として使
用すると、接合部分に応力が掛かりやすい。ここで、Ｋ
値とは、下記式（１）で定義される値であり、球体の硬
さを普遍的かつ定量的に表すものである。 Ｋ＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ-3/2／Ｒ-1/2 （１） 式中、Ｆは、基材微粒子の１０％圧縮変形における荷重
値（ｋｇ）を表し、Ｓは、圧縮変位（ｍｍ）を表し、Ｒ
は、粒子の半径（ｍｍ）を表す。
００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2 が好ましい。１００ｋｇ／
ｍｍ2 未満であると、実用的でなく、１０００ｋｇ／ｍ
ｍ2を超えると、硬すぎるために導電性微粒子として使
用すると、接合部分に応力が掛かりやすい。ここで、Ｋ
値とは、下記式（１）で定義される値であり、球体の硬
さを普遍的かつ定量的に表すものである。 Ｋ＝（３／√２）・Ｆ・Ｓ-3/2／Ｒ-1/2 （１） 式中、Ｆは、基材微粒子の１０％圧縮変形における荷重
値（ｋｇ）を表し、Ｓは、圧縮変位（ｍｍ）を表し、Ｒ
は、粒子の半径（ｍｍ）を表す。
【００１２】上記基材微粒子の平均粒子径は、１μｍ〜
３ｍｍが好ましい。１μｍ未満であると、電極基板同士
が直接接触してショートするおそれがあり、３ｍｍを超
えると、微細ピッチ電極接合が困難となることがある。
３ｍｍが好ましい。１μｍ未満であると、電極基板同士
が直接接触してショートするおそれがあり、３ｍｍを超
えると、微細ピッチ電極接合が困難となることがある。
【００１３】本発明１の導電性微粒子は、基材微粒子の
表面にハンダ濡れ性を有する金属メッキ層を有する。本
明細書中、ハンダ濡れ性とは、加熱溶融されたハンダを
均一かつ途切れることなく滑らかに拡がらせる性質、及
び、加熱時に、溶融されたハンダと一つの液相を形成す
ることができ、冷却時に共晶することができる性質を意
味する。
表面にハンダ濡れ性を有する金属メッキ層を有する。本
明細書中、ハンダ濡れ性とは、加熱溶融されたハンダを
均一かつ途切れることなく滑らかに拡がらせる性質、及
び、加熱時に、溶融されたハンダと一つの液相を形成す
ることができ、冷却時に共晶することができる性質を意
味する。
【００１４】上記ハンダ濡れ性を有する金属メッキ層を
形成する金属としては特に限定されず、例えば、銅、
金、鉄、ニッケル、錫、高融点ハンダ等が挙げられる。
なかでも、ハンダ濡れ性が良好である高融点ハンダを使
用してメッキ層を形成することが好ましい。上記高融点
ハンダの融点は、３００℃以上が好ましい。
形成する金属としては特に限定されず、例えば、銅、
金、鉄、ニッケル、錫、高融点ハンダ等が挙げられる。
なかでも、ハンダ濡れ性が良好である高融点ハンダを使
用してメッキ層を形成することが好ましい。上記高融点
ハンダの融点は、３００℃以上が好ましい。
【００１５】上記金属メッキ層の厚みは、０．０１〜５
００μｍが好ましい。０．０１μｍ未満であると、導電
接合に使用された場合、加熱により表面から金属メッキ
層が剥離するおそれがあり、更に、導電メッキ層の厚み
が薄いために好ましい導電性が得られないことがある。
一方、５００μｍを超えると、導電メッキ層の厚みが厚
くなりすぎて、基材微粒子の機械的特性が失われること
がある。上記金属メッキ層を形成する金属として、高融
点ハンダを使用する場合、金属メッキ層の厚みは、０．
０１〜１００μｍが好ましい。
００μｍが好ましい。０．０１μｍ未満であると、導電
接合に使用された場合、加熱により表面から金属メッキ
層が剥離するおそれがあり、更に、導電メッキ層の厚み
が薄いために好ましい導電性が得られないことがある。
一方、５００μｍを超えると、導電メッキ層の厚みが厚
くなりすぎて、基材微粒子の機械的特性が失われること
がある。上記金属メッキ層を形成する金属として、高融
点ハンダを使用する場合、金属メッキ層の厚みは、０．
０１〜１００μｍが好ましい。
【００１６】上記金属メッキ層の形成方法としては特に
限定されず、例えば、無電解メッキ、溶融メッキ、拡散
メッキ、電気メッキ、溶射、蒸着等が挙げられる。これ
らの方法を単独で、又は、これらを組み合わせることに
より上記金属メッキ層を形成することができる。
限定されず、例えば、無電解メッキ、溶融メッキ、拡散
メッキ、電気メッキ、溶射、蒸着等が挙げられる。これ
らの方法を単独で、又は、これらを組み合わせることに
より上記金属メッキ層を形成することができる。
【００１７】本発明１の導電性微粒子は、必要に応じ
て、上記金属メッキ層の下地メッキ層を形成してもよ
い。上記下地メッキ層を形成する金属としては特に限定
されず、例えば、ニッケル等が挙げられる。
て、上記金属メッキ層の下地メッキ層を形成してもよ
い。上記下地メッキ層を形成する金属としては特に限定
されず、例えば、ニッケル等が挙げられる。
【００１８】本発明１の導電性微粒子は、基材微粒子と
して樹脂粒子を使用しているので、弾力性に優れ、導電
接合に使用された場合に接合部分に応力が掛かりにくい
うえ、対向する電極基板等の間隔を一定に保持すること
ができる。また、温度変化による電極基板、素子等の熱
膨張及び収縮による電極間の相対位置のズレによる剪断
応力を緩和することができる。
して樹脂粒子を使用しているので、弾力性に優れ、導電
接合に使用された場合に接合部分に応力が掛かりにくい
うえ、対向する電極基板等の間隔を一定に保持すること
ができる。また、温度変化による電極基板、素子等の熱
膨張及び収縮による電極間の相対位置のズレによる剪断
応力を緩和することができる。
【００１９】更に、本発明１の導電性微粒子は、基材微
粒子の表面にハンダ濡れ性を有する金属メッキ層を有し
ているので、導電接合に使用された場合、接合部分に充
分量の共晶ハンダが浸透し、接合させる電極基板等に本
発明１の導電性微粒子が充分に接着されるため、接触抵
抗値を極めて低いレベルに保つことができる。
粒子の表面にハンダ濡れ性を有する金属メッキ層を有し
ているので、導電接合に使用された場合、接合部分に充
分量の共晶ハンダが浸透し、接合させる電極基板等に本
発明１の導電性微粒子が充分に接着されるため、接触抵
抗値を極めて低いレベルに保つことができる。
【００２０】本発明２は、素子及び電極基板、又は、２
枚以上の電極基板が、導電接合されてなる基板である。
上記素子としては特に限定されず、例えば、ＬＳＩ半導
体チップ、コンデンサーチップ等が挙げられる。上記電
極基板としては特に限定されず、例えば、ガラス板、セ
ラミック板、合成樹脂製板等の表面にＩＴＯ等で電極を
形成させたもの等が挙げられる。
枚以上の電極基板が、導電接合されてなる基板である。
上記素子としては特に限定されず、例えば、ＬＳＩ半導
体チップ、コンデンサーチップ等が挙げられる。上記電
極基板としては特に限定されず、例えば、ガラス板、セ
ラミック板、合成樹脂製板等の表面にＩＴＯ等で電極を
形成させたもの等が挙げられる。
【００２１】上記導電接合は、上記素子及び上記電極基
板の接合部分、又は、上記２枚以上の電極基板の接合部
分が、上記導電性微粒子を介して接合されているもので
ある。上記導電接合の方法としては特に限定されず、例
えば、ＢＧＡ、フリップチック等が挙げられる。上記導
電接合は、例えば、以下のようにして行うことができ
る。ＬＳＩ半導体チップの接合部分に、クリームハンダ
を５０〜８０μｍの厚さでスクリーン印刷する。その上
に、本発明１の導電性微粒子を配置し、上記ＬＳＩ半導
体チップと同様に接合部分にクリームハンダをスクリー
ン印刷した電極基板を重ね合わせ、約３００℃で加熱し
て接合する。
板の接合部分、又は、上記２枚以上の電極基板の接合部
分が、上記導電性微粒子を介して接合されているもので
ある。上記導電接合の方法としては特に限定されず、例
えば、ＢＧＡ、フリップチック等が挙げられる。上記導
電接合は、例えば、以下のようにして行うことができ
る。ＬＳＩ半導体チップの接合部分に、クリームハンダ
を５０〜８０μｍの厚さでスクリーン印刷する。その上
に、本発明１の導電性微粒子を配置し、上記ＬＳＩ半導
体チップと同様に接合部分にクリームハンダをスクリー
ン印刷した電極基板を重ね合わせ、約３００℃で加熱し
て接合する。
【００２２】
【発明の実施の形態】ここで、本発明２の基板を、図を
参照しながら詳述する。図１は、Ｃｕ電極３を有するセ
ラミック板２と、Ｃｕ電極３を有するガラスファイバー
強化エポキシ板６とを導電性微粒子４を用いて導電接合
した基板である。セラミック板２には、ＬＳＩ半導体チ
ップ１が接続されている。導電性微粒子４は、本発明１
の導電性微粒子である。
参照しながら詳述する。図１は、Ｃｕ電極３を有するセ
ラミック板２と、Ｃｕ電極３を有するガラスファイバー
強化エポキシ板６とを導電性微粒子４を用いて導電接合
した基板である。セラミック板２には、ＬＳＩ半導体チ
ップ１が接続されている。導電性微粒子４は、本発明１
の導電性微粒子である。
【００２３】セラミック板２側のＣｕ電極３及びガラス
ファイバー強化エポキシ樹脂板６側のＣｕ電極３の間
は、共晶ハンダ５によって導電性微粒子４が接着されて
いる。また、電極基板同士だけではなく、ＬＳＩ半導体
チップ１とセラミック板２との接続部分も、導電性微粒
子４を使用して導電接合したものであってもよい。
ファイバー強化エポキシ樹脂板６側のＣｕ電極３の間
は、共晶ハンダ５によって導電性微粒子４が接着されて
いる。また、電極基板同士だけではなく、ＬＳＩ半導体
チップ１とセラミック板２との接続部分も、導電性微粒
子４を使用して導電接合したものであってもよい。
【００２４】本発明２の基板は、ＬＳＩ半導体チップ等
の素子や電極基板と導電性微粒子とが接触する部分が共
晶ハンダにより充分に接合されているので、接触抵抗値
を極めて低いレベルに保つことができ、接合部分のハン
ダが拡がることなく、隣接する電極をショートさせるこ
とはない。
の素子や電極基板と導電性微粒子とが接触する部分が共
晶ハンダにより充分に接合されているので、接触抵抗値
を極めて低いレベルに保つことができ、接合部分のハン
ダが拡がることなく、隣接する電極をショートさせるこ
とはない。
【００２５】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
【００２６】実施例１ ジビニルベンゼン及びテトラメチロールメタンテトラア
クリレート（重量比１／１）からなる共重合架橋体微粒
子を基材微粒子として用いた（平均粒子径６５０μｍ、
標準偏差１９μｍ）。無電解メッキ法により、０．１８
μｍ厚みのニッケル層を下地メッキ層として形成した。
この微粒子２７ｇを用いて図２に示した電気メッキ装置
により、高融点ハンダメッキを行った。メッキ浴は、鉛
が１１．５ｇ／Ｌ、錫が３．５ｇ／Ｌの組成からなる水
溶液を使用し、浴電圧１１．６Ｖ、電流密度２Ａ／ｄｍ
2 の条件下で、５分間メッキを行った。その結果、５μ
ｍ厚さのハンダ層を有する導電性微粒子を得た。
クリレート（重量比１／１）からなる共重合架橋体微粒
子を基材微粒子として用いた（平均粒子径６５０μｍ、
標準偏差１９μｍ）。無電解メッキ法により、０．１８
μｍ厚みのニッケル層を下地メッキ層として形成した。
この微粒子２７ｇを用いて図２に示した電気メッキ装置
により、高融点ハンダメッキを行った。メッキ浴は、鉛
が１１．５ｇ／Ｌ、錫が３．５ｇ／Ｌの組成からなる水
溶液を使用し、浴電圧１１．６Ｖ、電流密度２Ａ／ｄｍ
2 の条件下で、５分間メッキを行った。その結果、５μ
ｍ厚さのハンダ層を有する導電性微粒子を得た。
【００２７】図１に示したガラスファイバー強化エポキ
シ樹脂製電極基板のＣｕ電極部に、スクリーン印刷によ
りクリームハンダを８０μｍの厚さで形成した。つい
で、この上に、上記導電性微粒子を配置した。同様に、
クリームハンダを塗布したセラミック製の電極基板を互
いの電極部が対向する配置で重ね合わせ、３００℃に加
熱しながら接合させた。両基板電極間の導電接合状態は
良好であり、−４０℃／１２０℃の熱サイクル試験を１
０００サイクル実施した後も、性能低下は全く認められ
なかった。
シ樹脂製電極基板のＣｕ電極部に、スクリーン印刷によ
りクリームハンダを８０μｍの厚さで形成した。つい
で、この上に、上記導電性微粒子を配置した。同様に、
クリームハンダを塗布したセラミック製の電極基板を互
いの電極部が対向する配置で重ね合わせ、３００℃に加
熱しながら接合させた。両基板電極間の導電接合状態は
良好であり、−４０℃／１２０℃の熱サイクル試験を１
０００サイクル実施した後も、性能低下は全く認められ
なかった。
【００２８】実施例２ ニッケルメッキ時間を９分間としたこと以外は実施例１
と同様の条件でメッキを行った。その結果、１１μｍ厚
さのハンダ層を有する導電性微粒子を得た。この微粒子
を用いて、実施例１と同様の基板接合試験を行った結
果、両基板電極間の導電接合状態は良好であり、−４０
℃／１２０℃の熱サイクル試験を１０００サイクル実施
した後も、性能低下は全く認められなかった。
と同様の条件でメッキを行った。その結果、１１μｍ厚
さのハンダ層を有する導電性微粒子を得た。この微粒子
を用いて、実施例１と同様の基板接合試験を行った結
果、両基板電極間の導電接合状態は良好であり、−４０
℃／１２０℃の熱サイクル試験を１０００サイクル実施
した後も、性能低下は全く認められなかった。
【００２９】比較例１ ジビニルベンゼン及びテトラメチロールメタンテトラア
クリレート（重量比１／１）からなる共重合架橋体微粒
子を基材微粒子として用いた（平均粒子径６５０μｍ、
標準偏差１９μｍ）。無電解メッキ法により、０．１８
μｍ厚みのニッケル層を形成した。この微粒子を用い
て、図１に示したガラスファイバー強化エポキシ樹脂製
電極基板のＣｕ電極部にスクリーン印刷によりクリーム
ハンダを８０μｍ厚さで形成した。ついで、この上に、
上記ニッケル被覆微粒子を配置した。同様に、クリーム
ハンダを塗布したセラミック製の電極基板を互いの電極
部が対向する配置で重ね合わせ、３００℃に加熱しなが
ら接合させた。両基板電極間の導電接合状態は不良であ
り、その原因を調べたところ、加熱時にクリームハンダ
中のフラックスの作用により、ニッケルメッキ層の基材
表面からの剥離が生じていることが明らかとなった。
クリレート（重量比１／１）からなる共重合架橋体微粒
子を基材微粒子として用いた（平均粒子径６５０μｍ、
標準偏差１９μｍ）。無電解メッキ法により、０．１８
μｍ厚みのニッケル層を形成した。この微粒子を用い
て、図１に示したガラスファイバー強化エポキシ樹脂製
電極基板のＣｕ電極部にスクリーン印刷によりクリーム
ハンダを８０μｍ厚さで形成した。ついで、この上に、
上記ニッケル被覆微粒子を配置した。同様に、クリーム
ハンダを塗布したセラミック製の電極基板を互いの電極
部が対向する配置で重ね合わせ、３００℃に加熱しなが
ら接合させた。両基板電極間の導電接合状態は不良であ
り、その原因を調べたところ、加熱時にクリームハンダ
中のフラックスの作用により、ニッケルメッキ層の基材
表面からの剥離が生じていることが明らかとなった。
【００３０】
【発明の効果】本発明の導電性微粒子及び基板は上述の
構成よりなるので、電極基板及び素子、又は、電極基板
同士の接合を良好に行うことができ、熱サイクルによる
接続不良がなく、ＬＳＩ半導体チップ等の電子部品と電
極基板とを導電接合する液晶表示素子等の製造に好適に
使用することができる。
構成よりなるので、電極基板及び素子、又は、電極基板
同士の接合を良好に行うことができ、熱サイクルによる
接続不良がなく、ＬＳＩ半導体チップ等の電子部品と電
極基板とを導電接合する液晶表示素子等の製造に好適に
使用することができる。
【図１】本発明の基板の一実施形態を表す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の導電性微粒子を製造する際に使用する
電気メッキ装置の断面図である。
電気メッキ装置の断面図である。
１ ＬＳＩ半導体チップ ２ セラミック板 ３ Ｃｕ電極 ４ 導電性微粒子 ５ 共晶ハンダ ６ ガラスファイバー強化エポキシ樹脂板 １１ カバー １２ 電極 １２ａ陽極 １３ 回転軸 １４ 蓋 １５ 容器 １６ メッキ液供給管 １７ メッキ液排出管 １８ 開口部 ２１ 底板 ２２ 接触リング（陰極） ２３ 多孔質リング
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂からなる基材微粒子の表面にハンダ
濡れ性を有する金属メッキ層を有してなることを特徴と
する導電性微粒子。 - 【請求項２】 素子及び電極基板、又は、２枚以上の電
極基板が、導電接合されてなる基板であって、前記導電
接合は、前記素子及び前記電極基板の接合部分、又は、
前記２枚以上の電極基板の接合部分が、請求項１記載の
導電性微粒子を介して、共晶ハンダにより接合されてい
るものであることを特徴とする基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13760696A JP3505321B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 導電性微粒子及び基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13760696A JP3505321B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 導電性微粒子及び基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003363563A Division JP2004149923A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 導電性微粒子及び基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306232A true JPH09306232A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3505321B2 JP3505321B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=15202625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13760696A Expired - Fee Related JP3505321B2 (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | 導電性微粒子及び基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3505321B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1329911A1 (en) * | 2000-08-04 | 2003-07-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive fine particles, method for plating fine particles, and substrate structural body |
-
1996
- 1996-05-07 JP JP13760696A patent/JP3505321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1329911A1 (en) * | 2000-08-04 | 2003-07-23 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Conductive fine particles, method for plating fine particles, and substrate structural body |
| EP1329911A4 (en) * | 2000-08-04 | 2006-11-08 | Sekisui Chemical Co Ltd | CONDUCTIVE FINE PARTICLES, FINE PARTICLE ELECTRODEPOSITION METHOD, AND SUBSTRATE STRUCTURAL BODY |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3505321B2 (ja) | 2004-03-08 |
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