JPH09304494A - 光磁界・電界センサ装置及びその温度特性の補償方法並びに温度センサ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 温度特性が十分に小さい光磁界・電界センサ
装置を提供する。 【解決手段】 光センサ部の温度当たりの挿入損失変化
の値及び光センサ部の温度当たりの感度変化の値が記憶
されたメモリ２７と、光変換器２の温度を検知する温度
センサ２４と、温度センサ２４により検出された光変換
器２の温度に基づいて、光変換器２から出射される光の
出力及び波長に対して温度特性を補償する演算を行うと
ともに、メモリ２７から光センサ部の温度当たりの挿入
損失変化の値と温度当たりの感度変化の値を読み込ん
で、その温度当たりの挿入損失変化の値と光センサ部１
における光の挿入損失の大きさとに基づいて、光センサ
部１の温度を算出し、その算出した温度と光センサ部の
温度当たりの感度変化の値とに基づいて、光センサ部１
の感度に対して温度特性を補償する演算を行うＣＰＵ２
６とを有する構成とし、光変換器２のみならず光センサ
部１の温度特性も補償するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁界センサ技術
及び光電界センサ技術に関し、例えば光磁界センサ及び
光電界センサの温度特性の補償に適用して有用な技術に
関する。

【０００２】

【従来の技術】図４には、従来の光磁界センサ装置また
は光電界センサ装置の概略が示されている。これらのセ
ンサ装置は、光磁界センサまたは光電界センサ（以下、
それら２つのセンサをまとめて単に光センサ部と称す
る）１に光を送り、かつ光センサ部１からのもどり光を
受けて光電変換を行う光変換器５と、光変換器５から送
られてくる光を磁界や電界の強さに基づき変調して光変
換器５へ戻す光センサ部１とが２本の光ファイバ３，３
及び光コネクタ４，４を介して相互に接続されて構成さ
れている。なお、光磁界センサ装置と光電界センサ装置
は同じ構成の装置であり、磁界の強さまたは電界の強さ
を検知するという用途が異なるだけであるので、本明細
書では両センサ装置をまとめて光磁界・電界センサ装置
と称する。

【０００３】光変換器５は、光センサ部１に送る光を発
する発光ダイオード（ＬＥＤ）５０、その発光ダイオー
ド５０を駆動する発光素子駆動回路５１、光センサ部１
からのもどり光を受けてその光信号を電流信号に変換す
るフォトダイオード（ＰＤ）５２、そのフォトダイオー
ド５２で生成された電流信号を電圧信号に変換する受光
回路５３、フォトダイオード５２の受光量が常に一定と
なるように発光素子駆動回路５１に受光回路５３の出力
信号をフィードバックさせる帰還回路５４、及び光変換
器５の温度特性と逆の特性を有し受光回路５３の出力信
号を増幅して光変換器５の温度特性の補償を行う温度補
償アンプ５５により構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光セン
サ部１は自己の温度特性を補償する機能を有していない
ため、一般的な使用形態のように光センサ部１と光変換
器５とが異なる温度環境下に設置された場合、以下のよ
うな問題があった。すなわち、従来、上記温度補償アン
プ５５により光変換器５自体の温度特性は補償される
が、光センサ部１の温度特性を補償することは不可能で
ある。従って、光変換器５と光センサ部１の両者の温度
特性を合せた特性を有する光磁界・電界センサ装置全体
の温度特性を十分に小さくすることはできない、という
ものである。

【０００５】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、温度特性が十分に小さい光磁界・電界セ
ンサ装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光磁界・電
界センサ装置及びその温度特性の補償方法は、光センサ
部の温度当たりの挿入損失変化の値と光センサ部の温度
当たりの感度変化の値とを予めメモリに記憶させてお
き、温度センサにより光変換器の温度を検知して光変換
器の温度特性の補償を行い、一方、メモリから光センサ
部の温度当たりの挿入損失変化の値と光センサ部の温度
当たりの感度変化の値を読み込み、光センサ部の温度当
たりの挿入損失変化の値と光センサ部における光の挿入
損失の大きさとに基づいて、光センサ部の温度を算出
し、その算出した光センサ部の温度と光センサ部の温度
当たりの感度変化の値とに基づいて、ＣＰＵにより光セ
ンサ部の感度に対して温度特性を補償する演算を行うよ
うにしたものである。

【０００７】ここで、光センサ部の温度当たりの挿入損
失変化の値と光センサ部の温度当たりの感度変化の値と
を求めるには、上記装置を２つの異なる温度環境下で動
作させ、その温度差と、光センサ部における光の挿入損
失の差及び光センサ部の感度の差とからそれぞれ算出す
るようにしてもよい。

【０００８】また、本発明に係る温度センサ装置は、光
センサ部の温度当たりの挿入損失変化の値を予めメモリ
に記憶させておき、温度センサにより光変換器の温度を
検知して光変換器の温度特性の補償を行い、一方、メモ
リから光センサ部の温度当たりの挿入損失変化の値を読
み込み、その光センサ部の温度当たりの挿入損失変化の
値と光センサ部における光の挿入損失の大きさとに基づ
いて、ＣＰＵにより光センサ部の温度を算出するように
したものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る光磁界・電
界センサ装置の一例を示すブロック図である。この光磁
界・電界センサ装置は、光センサ部（光磁界センサまた
は光電界センサ）１に光を送り、かつ光センサ部１から
のもどり光を受けて光電変換を行う光変換器２と、光変
換器２から送られてくる光を磁界や電界の強さに基づき
変調して光変換器２へ戻す周知の構成の光センサ部１と
が２本の光ファイバ（光路）３，３及び光コネクタ４，
４を介して相互に接続されてなる構成を有している。

【００１０】光変換器２は、光センサ部１に送る光を発
する発光ダイオード等の発光素子２０と、その発光素子
２０を駆動する周知の構成の発光素子駆動回路２１と、
光センサ部１からのもどり光を受けてその光信号を電流
信号に変換するフォトダイオード等の受光素子２２と、
受光素子２２で生成された電流信号を電圧信号に変換し
て出力する周知の構成の受光回路２３と、光変換器２の
温度を測定して得られた電流信号を電圧信号に変換して
出力する周知の構成の温度センサ２４と、発光素子駆動
回路２１、受光回路２３及び温度センサ２４の各出力信
号（アナログ信号）をデジタル信号に変換してＣＰＵ
（演算処理装置）２６に出力する周知の構成のＡ／Ｄ
（アナログ／デジタル）変換器２５と、発光素子駆動回
路２１、受光回路２３及び温度センサ２４から送られて
くる各信号に基づいて温度補償の演算を行い、光センサ
部１が置かれた環境の磁界または電界に対応した検出信
号を出力するＣＰＵ２６と、光センサ部１の温度当たり
の挿入損失変化の値及び光センサ部１の温度当たりの感
度変化の値が記憶されたメモリ（記憶装置）２７とを備
えた構成となっている。

【００１１】この光変換器２では、発光素子駆動回路２
１により発光素子２０が常時一定の電流で駆動されるよ
うに制御されている。なお、発光素子駆動回路２１から
Ａ／Ｄ変換器２５を介してＣＰＵ２６へ出力される信号
は、温度補償演算の際に発光素子２０の駆動電流値を検
知するためのモニタ用の信号である。

【００１２】図２は、光変換器２から出射されて光セン
サ部１に入射する光のパワー（同図（Ａ））及びその入
射した光が変調されて光センサ部１から光変換器２へ出
射される際の光パワー（同図（Ｂ））を測定した一例を
表す特性図である。図２（Ａ）の光センサ部１に入射す
る光はＤＣ（直流）成分のみの光である。一方、図２
（Ｂ）のもどり光は、ＤＣ成分に光センサ部１の変調に
よるＡＣ（交流）成分が重畳されていることがわかる。

【００１３】また、もどり光のＤＣ成分のパワーは、光
センサ部１に入射する光のＤＣ成分のパワーよりも小さ
くなっていることがわかる。これは、光センサ部１に入
射した光の光量が光センサ部１を通過することにより減
衰されるからである。従って、光変換器２の発光出力
（ＤＣ成分のみである）と光変換器２の受光電圧（ＤＣ
成分にＡＣ成分が重畳されている）のＤＣ成分とを比較
し、その差を求めることにより、光センサ部１の挿入損
失が求まる。なお、光センサ部１の挿入損失には、光フ
ァイバ３，３及び光コネクタ４，４における損失分も含
まれている。

【００１４】次に、上記構成の光磁界・電界センサ装置
の動作を説明する。光変換器２の発光素子駆動回路２１
は、発光素子２０に定電流を流して発光素子２０を駆動
する。発光素子２０は一定出力の光を出射する。発光素
子２０から出射された光は一方の経路の光コネクタ４及
び光ファイバ３を通って光センサ部１に入射する。光セ
ンサ部１は、光変換器２から送られてきた光を磁界また
は電界により変調する。光センサ部１で変調された光は
もう一方の経路の光ファイバ３及び光コネクタ４を通っ
て光変換器２に入射する。光変換器２は、光センサ部１
からのもどり光を受光素子２２で受ける。受光素子２２
は、受けた光を電流信号に変換して受光回路２３に出力
する。受光回路２３は受光素子２２から入力される電流
信号を電圧信号に変換する。

【００１５】受光回路２３で変換された電圧信号（受光
電圧信号）は、Ａ／Ｄ変換器２５によりデジタル信号に
変換されてＣＰＵ２６に送られる。また、ＣＰＵ２６に
は、温度センサ２４及び発光素子駆動回路２１からそれ
ぞれ光変換器２の温度の検知信号及び発光素子２０の駆
動電流のモニタ用の信号が、Ａ／Ｄ変換器２５によりデ
ジタル変換されて入力される。ＣＰＵ２６は、それら光
変換器２の温度検知信号、発光素子２０の駆動電流のモ
ニタ用の信号及び受光回路２３から送られてくる受光電
圧信号に基づいて、光センサ部１及び光変換器２の温度
補償の演算を所定の手順で行い、温度特性の補償された
検出信号を出力する。その際、ＣＰＵ２６は、メモリ２
７から、光センサ部１の温度当たりの挿入損失変化の値
と光センサ部１の温度当たりの感度変化の値をそれぞれ
読み込んで演算処理を行う。

【００１６】温度補償演算の具体的な処理内容は、以下
の通りである。光変換器２の温度特性は、主として発光
素子２０の発光出力と発光波長が温度に依存することに
より発生する。温度変化による発光波長の変動値及び発
光出力の変動値は、発光素子２０を形成する半導体材料
に特有のものであり、既知の値である。従って、温度変
化による発光波長の変動値及び温度変化による発光出力
の変動値と、光変換器２内の温度センサ２４にて検知さ
れた光変換器２の温度とに基づいて、発光素子２０から
発せられる光の波長及び出力の温度特性の補償を行う。

【００１７】ここで、発光素子２０から発せられる光の
出力の変化及び光センサ部１の挿入損失は受光回路２３
の受光電圧に影響を及ぼす。また、光センサ部１は発光
波長−感度特性を有するので、発光素子２０から発せら
れる光の波長の変化は光センサ部１の感度に影響を及ぼ
す。

【００１８】受光回路２３の受光電圧のＤＣ成分を抽出
し、それと光変換器２自体の温度特性が補償された発光
出力（ＤＣ成分のみ）との差と、メモリ２７から読み出
された光センサ部１の温度当たりの挿入損失変化の値と
から、光センサ部１の温度が算出される。その算出され
た光センサ部１の温度とメモリ２７から読み出された光
センサ部１の温度当たりの感度変化の値とに基づいて、
光センサ部１の感度の温度特性の補償を行う。即ち電界
（磁界）の大きさは、受光電圧のＡＣ成分の振幅に対応
しており、この振幅値と電界（磁界）の大きさとの関係
（感度）が補正されることになる。

【００１９】光センサ部１の温度当たりの挿入損失変化
の値及び感度変化の値は以下のようにして求められる。
通常、光センサ部１の温度−挿入損失特性及び温度−感
度特性は個々のセンサ毎に異なるので、光センサ部１と
光変換器２とを光ファイバ３，３及び光コネクタ４，４
により接続し、それらを同一の温度環境下に置く。その
環境の温度を適当に選択されてなる温度（基準温度）に
設定する。光変換器２から光センサ部１へ光を入射さ
せ、そのもどり光を光変換器２で受ける。

【００２０】また、光センサ部１及び光変換器２が置か
れた環境の温度を基準温度からずれた温度に設定し、光
変換器２から出射され光センサ部１を経由して戻ってく
る光を光変換器２で受ける。前記挿入損失変化の値を求
める場合には、それら２つの異なる温度環境下において
それぞれ得られた受光回路２３の受光電圧のＤＣ成分の
差（変動分）から、発光素子２０の発光出力の温度特性
を差し引くことによって、光センサ部１の温度当たりの
挿入損失変化の値が得られる。

【００２１】一方、前記感度変化の値を求める場合に
は、それら２つの異なる温度環境下においてそれぞれ得
られた光センサ部１の感度の差（変動分）から、発光素
子２０の発光波長の温度特性を差し引くことによって、
光センサ部１の温度当たりの感度変化の値が得られる。
それら得られた挿入損失変化の値及び感度変化の値を予
めメモリ２７に記憶させておく。

【００２２】上記実施例によれば、光センサ部１の温度
当たりの挿入損失変化の値と光センサ部１の温度当たり
の感度変化の値をそれぞれ予め測定してメモリ２７に記
憶させておき、それらをメモリ２７から読み出して温度
補償の演算を行うので、光変換器２のみならず、光セン
サ部１の温度特性も補償することができる。従って、光
磁界・電界センサ装置全体の温度特性が十分に小さくな
り、光磁界センサまたは光電界センサとしての検出精度
が向上する。また、光センサ部１に温度特性の小さい光
学結晶を使用せずに済むので、コスト低減が可能とな
る。さらに、光センサ部１の温度を演算により求めるこ
とができるので、光センサ部１を温度センサとして利用
することにより本装置を温度センサ装置として使用する
ことができる。

【００２３】図３は、本発明に係る光磁界・電界センサ
装置の他の例を示すブロック図である。この第２実施例
の光磁界・電界センサ装置が上記第１の実施例と異なる
のは、光変換器２Ａにおいて、受光素子２２の受光量が
常時一定となるようにＣＰＵ２６及び発光素子駆動回路
２１により発光素子２０の駆動が制御されている点であ
る。

【００２４】すなわち、光変換器２Ａは、発光ダイオー
ド等の発光素子２０と、発光素子駆動回路２１と、フォ
トダイオード等の受光素子２２と、受光回路２３と、温
度センサ２４と、受光回路２３及び温度センサ２４から
それぞれ出力されるアナログの受光電圧信号及び温度信
号をデジタル信号に変換してＣＰＵ２６に出力するＡ／
Ｄ変換器２５と、受光回路２３及び温度センサ２４から
送られてくる各信号に基づいて温度補償の演算を行い、
光センサ部１が置かれた環境の磁界または電界に対応し
た検出信号を出力するとともに駆動制御信号を生成して
発光素子駆動回路２１へ出力するＣＰＵ２６と、ＣＰＵ
２６から出力された駆動制御信号（デジタル信号）をア
ナログ信号に変換して発光素子駆動回路２１ヘ出力する
周知の構成のＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換器２８
と、メモリ２７とを備えた構成となっている。この光変
換器２Ａは、２本の光ファイバ３，３及び光コネクタ
４，４を介して光センサ部１と相互に接続されている。
なお、上記第１実施例と同じ構成については、同一の符
号を付してその詳細な説明を省略する。

【００２５】この第２実施例においても、光センサ部１
に入射する光のパワー及び光センサ部１から出射される
光のパワーは、それぞれ図２（Ａ），（Ｂ）に示す特性
図と同様の特性を有している。すなわち、光センサ部１
の入射光はＤＣ成分のみの光であり、一方、出射光はＤ
Ｃ成分（前記入射光のＤＣ成分よりも光センサ部１の挿
入損失分だけ小さい）にＡＣ成分が重畳された光であ
る。

【００２６】発光素子駆動回路２１は、ＣＰＵ２６から
送られてくる駆動制御信号により、受光回路２３の受光
電圧のＤＣ成分の大きさが予め設定された基準値よりも
大きい場合には発光素子２０に流す駆動電流量を小さく
するように制御され、一方、受光回路２３の受光電圧の
ＤＣ成分の大きさが基準値よりも小さい場合には発光素
子２０に流す駆動電流量を大きくするように制御され
る。つまり、受光回路２３、Ａ／Ｄ変換器２５、ＣＰＵ
２６、Ｄ／Ａ変換器２８及び発光素子駆動回路２１によ
り帰還回路が構成されていることになる。受光電圧の基
準値は、予めメモリに記憶されていてＣＰＵ２６により
適宜読み出されるようになっているか、または本装置の
稼動開始にあたってダイアル等により初期設定される。

【００２７】次に、第２実施例の光磁界・電界センサ装
置の動作を説明する。光変換器２Ａの発光素子駆動回路
２１は、受光電圧のＤＣ成分の大きさが常時一定となる
ように制御された駆動電流を発光素子２０に流す。それ
によって、発光素子２０は適宜発光出力が制御された光
を出射する。発光素子２０から出射された光は、上記第
１実施例と同じ経路をたどって光変換器２Ａの受光素子
２２に入射し、受光素子２２により電流信号に変換さ
れ、さらに受光回路２３により電圧信号に変換される。

【００２８】受光回路２３で変換された受光電圧信号
は、Ａ／Ｄ変換器２５によりデジタル変換されてＣＰＵ
２６に送られる。また、ＣＰＵ２６には、温度センサ２
４から光変換器２Ａの温度の検知信号がＡ／Ｄ変換器２
５を介して入力される。ＣＰＵ２６は、それら光変換器
２Ａの温度検知信号及び受光回路２３から送られてくる
受光電圧信号に基づいて、光センサ部１及び光変換器２
Ａの温度補償の演算を所定の手順で行い、温度特性の補
償された検出信号を出力する。その際、ＣＰＵ２６は、
メモリ２７から、光センサ部１の温度当たりの挿入損失
変化の値と光センサ部１の温度当たりの感度変化の値を
それぞれ読み込んで演算処理を行う。

【００２９】また、ＣＰＵ２６は受光回路２３の受光電
圧を常時監視し、受光電圧のＤＣ成分の大きさが一定と
なるように駆動制御信号を生成し、Ｄ／Ａ変換器２８を
介して発光素子駆動回路２１に出力する。それによっ
て、上述したように発光素子駆動回路２１が制御されて
発光素子２０に流れる駆動電流が適宜増減される。

【００３０】温度補償演算の具体的な処理内容は、以下
の通りである。上記第１実施例と同様にして、温度変化
による発光波長の変動値及び発光出力の変動値と、温度
センサ２４により検知された光変換器２Ａの温度とに基
づいて、発光素子２０から発せられる光の波長及び出力
の温度特性の補償を行う。発光素子２０の発光出力の変
化及び光センサ部１の挿入損失は、受光電圧のＤＣ成分
の大きさを一定に保とうとする発光素子駆動回路２１の
制御量に影響を及ぼす。また、発光素子２０の発光波長
の変化は光センサ部１の感度に影響を及ぼす。

【００３１】発光出力の温度特性及び光センサ部１の挿
入損失による発光素子２０の駆動電流の変動分、すなわ
ち発光素子駆動回路２１の制御量から光変換器２Ａ自体
の温度特性に起因した制御量分を差し引き、それとメモ
リ２７から読み出された光センサ部１の温度当たりの挿
入損失変化の値とから、光センサ部１の温度が算出され
る。その算出された光センサ部１の温度とメモリ２７か
ら読み出された光センサ部１の温度当たりの感度変化の
値とに基づいて、光センサ部１の感度の温度特性の補償
を行う。

【００３２】光センサ部１の温度当たりの挿入損失変化
の値は以下のようにして求められる。光センサ部１と光
変換器２Ａとを光ファイバ３，３及び光コネクタ４，４
により接続する。その状態で、基準温度と基準温度から
ずれた温度の場合について、光変換器２Ａから光センサ
部１へ光を入射させ、そのもどり光を光変換器２Ａで受
ける。基準温度からずれた際の発光素子駆動回路２１の
制御量から、発光素子２０の発光出力の温度特性に起因
した発光素子駆動回路２１の制御量を差し引くことによ
って、光センサ部１の温度当たりの挿入損失変化の値が
得られる。光センサ部１の温度当たりの感度変化の値は
上記第１実施例の場合と同様にして得られる。得られた
挿入損失変化の値及び感度変化の値を予めメモリ２７に
記憶させておく。

【００３３】この第２の実施例によれば、上記第１の実
施例と同様に、光磁界センサまたは光電界センサとして
の検出精度が向上する、コスト低減が可能となる、本装
置を温度センサ装置として使用することができる、とい
う効果が得られる。

【００３４】なお、光変換器は上記各実施例の構成のも
のに限らず、種々設計変更可能であるのは言うまでもな
い。例えば、光変換器が、従来のように補償アンプによ
り光変換器自体の温度特性の補償を行うような構成にな
っていても良い。その場合には、デジタル変換された受
光回路２３の受光電圧信号をＣＰＵ２６に入力させて光
センサ部１の温度特性の補償の演算処理を行い、その信
号を補償アンプに入力させて光変換器自体の温度特性を
補償するようにしてもよいし、受光回路２３の受光電圧
信号を補償アンプに入力させて光変換器自体の温度特性
が補償された信号をデジタル変換してＣＰＵ２６に入力
させて光センサ部１の温度特性の補償を行うようにして
も良い。

【００３５】また、光センサ部１と光変換器２，２Ａと
は光ファイバ３に限らず、酸化シリコンよりなる基板を
利用した光導波路などで接続されていても良い。

【００３６】さらに、上記各実施例では、発光素子２０
を定電流で駆動する場合と受光電圧が一定となるように
発光素子２０の駆動電流を制御する場合について説明し
たが、本発明は、発光素子２０の発光量が一定となるよ
うに温度センサ２４で検知した温度に基づいて発光素子
２０の駆動電流を制御する場合にも適用可能である。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、光変換器と光センサ部
の両方の温度特性を補償することができるので、光磁界
・電界センサ装置全体の温度特性が十分に小さくなり、
光磁界センサまたは光電界センサとしての検出精度が向
上する。また、光センサ部に温度特性の小さい光学結晶
を使用せずに済むので、コストが下がる。さらに、光セ
ンサ部を温度センサとする新規な構成の温度センサ装置
が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁界・電界センサ装置の一例を
示すブロック図である。

【図２】本発明に係る光磁界・電界センサ装置の光セン
サ部の入射光及び出射光のパワーの測定例を表す特性図
である。

【図３】本発明に係る光磁界・電界センサ装置の他の例
を示すブロック図である。である。

【図４】従来の光磁界・電界センサ装置のブロック図で
ある。

【符号の説明】

１ 光センサ部（光磁界センサまたは光電界センサ） ２，２Ａ 光変換器 ３ 光路（光ファイバ） ２４ 温度センサ ２６ 演算装置（ＣＰＵ） ２７ メモリ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射する光を磁界や電界の強さに基づき
   変調して出射する光センサ部と、該光センサ部に光を送
   り、かつ該光センサ部から戻ってくる光を受けて光電変
   換を行う光変換器とが、光路を介して相互に接続されて
   なるセンサ装置であって、前記光センサ部の温度当たり
   の挿入損失変化の値及び同光センサ部の温度当たりの感
   度変化の値が記憶されたメモリと、前記光変換器の温度
   を検知する温度センサと、前記メモリから光センサ部の
   温度当たりの挿入損失変化の値及び光センサ部の温度当
   たりの感度変化の値を読み込んで前記光センサ部の温度
   特性を補償する演算を行う演算装置とを備え、前記演算
   装置は、前記光センサ部の温度当たりの挿入損失変化の
   値と前記光センサ部における光の挿入損失の大きさとに
   基づいて、前記光センサ部の温度を算出し、その算出し
   た光センサ部の温度と光センサ部の温度当たりの感度変
   化の値とに基づいて、前記光センサ部の感度に対して温
   度特性を補償する演算を行うようにされていることを特
   徴とする光磁界・電界センサ装置。
2. 【請求項２】 入射する光を磁界や電界の強さに基づき
   変調して出射する光センサ部と、該光センサ部に光を送
   り、かつ該光センサ部から戻ってくる光を受けて光電変
   換を行う光変換器とが、光路を介して相互に接続されて
   なるセンサ装置の温度特性を補償するにあたって、前記
   光変換器の温度を計り、その計った光変換器の温度に基
   づいて、前記光変換器から出射される光の出力及び波長
   に対して温度特性の補償を行うとともに、前記光センサ
   部の温度当たりの挿入損失変化の値と前記光センサ部に
   おける光の挿入損失の大きさとに基づいて、前記光セン
   サ部の温度を算出し、その算出した光センサ部の温度と
   光センサ部の温度当たりの感度変化の値とに基づいて、
   前記光センサ部の感度に対して温度特性を補償する演算
   を行うようにしたことを特徴とする光磁界・電界センサ
   装置の温度特性の補償方法。
3. 【請求項３】 光センサ部の温度当たりの挿入損失変化
   の値を求めるにあたって、光センサ部と光変換器とを光
   路を介して接続し、その状態のままそれらを少なくとも
   ２つの異なる温度環境下で動作させ、その温度差と、そ
   れら少なくとも２つの異なる温度環境下においてそれぞ
   れ得られた光センサ部における光の挿入損失を比較して
   得られた変動分から、前記光変換器から出射される光の
   出力の温度特性分を差し引いた値とに基づいて、算出す
   るようにしたことを特徴とする請求項２記載の光磁界・
   電界センサ装置の温度特性の補償方法。
4. 【請求項４】 光センサ部の温度当たりの感度変化の値
   を求めるにあたって、光センサ部と光変換器とを光路を
   介して接続し、その状態のままそれらを少なくとも２つ
   の異なる温度環境下で動作させ、その温度差と、それら
   少なくとも２つの異なる温度環境下においてそれぞれ得
   られた光センサ部の感度を比較して得られた変動分か
   ら、前記光変換器から出射される光の波長の温度特性分
   を差し引いた値とに基づいて、算出するようにしたこと
   を特徴とする請求項２記載の光磁界・電界センサ装置の
   温度特性の補償方法。
5. 【請求項５】 入射する光を温度に対応した挿入損失で
   もって減衰させて出射する光センサ部と、該光センサ部
   に光を送り、かつ該光センサ部から戻ってくる光を受け
   て光電変換を行う光変換器とが、光路を介して相互に接
   続されてなるセンサ装置であって、前記光センサ部の温
   度当たりの挿入損失変化の値が記憶されたメモリと、前
   記光変換器の温度を検知する温度センサと、該温度セン
   サにより検出された光変換器の温度に基づいて、前記光
   変換器から出射される光の出力の温度特性の補償を行う
   手段と、前記メモリから光センサ部の温度当たりの挿入
   損失変化の値を読み込み、その読み込んだ光センサ部の
   温度当たりの挿入損失変化の値と前記光センサ部におけ
   る光の挿入損失の大きさとに基づいて、前記光センサ部
   の温度を算出する演算装置とを備えたことを特徴とする
   温度センサ装置。