JPH0930124A

JPH0930124A - 光情報記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0930124A
Application number: JP7255582A
Authority: JP
Inventors: Yujiro Kaneko; 裕治郎金子; Katsuyuki Yamada; 勝幸山田; Koji Deguchi; 浩司出口; Yuuki Nakamura; 有希中村
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1995-05-12
Filing date: 1995-09-07
Publication date: 1997-02-04

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｃ／Ｎや消去比が高く、多数回の繰り返しオ
ーバーライトが可能な相変化形光情報記録媒体を提供す
る。【構成】プラスチック基板上に少なくとも、Ａｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主な構成元素とする相変化形記録層を
設けた光情報記録媒体において、該相変化形記録層に含
有しているＮ、Ｏの量をそれぞれｘ，ｙ（ａｔｏｍ％）
とすると、１≦ｘ≦３かつｙ≦３であることを特徴とす
る光情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光情報記録媒体及びその
製造方法に関し、詳しくは、特に光ビームを照射するこ
とにより記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、
再生を行い、かつ書換えが可能であって光メモリー関連
機器に応用される相変化形光情報記録媒体、及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−非結晶相
間の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体
がよく知られている。この相変化形光情報記録媒体は、
特に光磁気メモリーでは困難な単一ビームによるオーバ
ーライトが可能であり、ドライブ側の光学系も単純であ
ることなどから、最近その研究開発が活発に行われるよ
うになっている。

【０００３】その代表的な例として、ＵＳＰ３５３０４
４１に開示されているように、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ
−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ
−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、
Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料が挙げ
られる。また安定性、高速初期化などの向上を目的に、
Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６１−２１９６９２号公
報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１−２７０１９０号公
報）、Ｐｂ（特開昭６２−１９４９０号公報）などを添
加した材料の提案や、記録／消去の繰り返し性能向上を
目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組
成比を特定した材料（特開昭６２−７３４３８号公報）
の提案などもなされている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれ
も相変化形書換え可能メモリー媒体として要求される諸
特性のすべてを満足しうるものではなかった。特にオー
バーライト時の消し残りによる消去比低下の防止、なら
びに繰り返し記録回数の向上が解決すべき最重要課題と
なっている。本発明の目的は、上記従来技術の実状に鑑
みてなされたもので、Ｃ／Ｎ、消去比、繰り返しオーバ
ーライト回数、寿命を向上させた光情報記録媒体及びそ
の製造方法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
達成するためにいろいろな角度から光情報記録媒体につ
いて研究検討を行ってきたが、以前より提案してきた高
Ｃ／Ｎ、高消去比が得られるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを
構成元素とした相変化形記録層（以下、単に「記録層」
と記すことがある）（特開平２−２３２７７９号公報）
に含有されるＮとＯの量を特定化することによって、さ
らに繰り返しオーバーライト特性が向上することを見出
した。本発明はそれに基づいてなされたものである。

【０００６】即ち、本発明の第一は、プラスチック基板
上に少なくとも、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主な構成元
素とする相変化形記録層を設けた光情報記録媒体におい
て、該相変化形記録層に含有しているＮ、Ｏの量をそれ
ぞれｘ，ｙ（ａｔｏｍ％）とすると、１≦ｘ≦３かつｙ
≦３であることを特徴とするものである。

【０００７】本発明の第二は、前記第一の発明の光情報
記録媒体の製造方法であって、特に記録層に含有される
酸素の量を３ａｔｏｍ％以下にコントロールする手段と
して、プラスチック基板上に少なくとも、記録層を形成
する前に、該プラスチック基板中に含まれる水分を除去
することを目的として、大気圧中６０℃以上にてベーキ
ングを行うことを特徴とするものである。

【０００８】本発明の第三は、前記第一の発明の光情報
記録媒体の別の製造方法であって、特に記録層に含有さ
れる酸素の量を３ａｔｏｍ％以下にコントロールする手
段として、プラスチック基板上に少なくとも、記録層を
形成する前に真空中に３０分以上放置しておくことを特
徴とするものである。

【０００９】本発明の第四は、前記第一の発明の光情報
記録媒体の別の製造方法であって、特に記録層に含有さ
れる酸素の量を２ａｔｏｍ％以下にコントロールする手
段として、プラスチック基板上に少なくとも、記録層を
形成する前に、記録層への酸素の混入量を低減すること
を目的として、プラスチック基板の表面をスパッタリン
グによるエッチングを行うことを特徴とするものであ
る。そのときのエッチングは、Ａｒ、Ｎ₂の少なくとも
一種以上を導入し、１〜８×１０Ｅ−１Ｐａの雰囲気中
で行うのが望ましい。

【００１０】本発明の第五は、前記第一の発明の光情報
記録媒体の別の製造方法であって、特に記録層に含有さ
れる酸素の量を３ａｔｏｍ％以下にコントロールする手
段として、記録層を形成する際に、該相変化形記録層へ
の酸素の混入量を低減することを目的として、記録層成
膜時の酸素分圧を２×１０Ｅ−１Ｐａ以下とすることを
特徴とするものである。

【００１１】本発明の第六は、前記第一の発明の光情報
記録媒体の別の製造方法であって、特に記録層に含有さ
れる酸素の量を３ａｔｏｍ％以下にコントロールする手
段として、記録層を形成する際に、記録層への酸素の混
入量を低減することを目的として、記録層を成膜する際
に用いるスパッタリング用ターゲット材に含まれる酸素
の量が５００ｐｐｍ以下とすることを特徴とするもので
ある。

【００１２】本発明の第七は前記第一の発明の光情報記
録媒体における相変化形記録層が、両面から誘電体膜に
よる保護層によって被覆された構成になっていることを
特徴とするものである。このときの保護層は酸化膜であ
り、その保護層に含有される酸素の量が１０ａｔｏｍ％
以下であるのが望ましい。

【００１３】以下、本発明をさらに詳細に説明する。図
１は本発明の光情報記録媒体の代表的な一例の概略断面
図である。この図面において、１はプラスチック基板、
２は第一保護層、３は記録層、４は第二保護層、５は反
射放熱層を表している。

【００１４】本発明の光情報記録媒体における基板１と
しては、ガラスが破損しやすく高価であることや、プリ
グループの形成が容易でないため、射出形成によって得
られるプラスチック基板を用いるのが有効である。具体
的なプラスチック基板の材料としては、ポリカーボネー
ト（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、
アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等が挙げられる
が、その中でも耐熱性があり、射出成形時の転写性が良
いポリカーボネート（ＰＣ）がもっとも実用的である。
これらの基板はディスク形状をしており、厚みは０．６
〜１．２ｍｍ程度が適当である。

【００１５】本発明の光情報記録媒体において記録層は
主たる構成元素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであり、その
中に窒素（Ｎ）と酸素（Ｏ）を含んでいる。ところで、
本発明者らは先にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅからなる材料
が高Ｃ／Ｎ、高消去比が得られる相変化形記録材料（特
開平４−２３２７７９号公報）として知られていること
を指摘した。これらＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ系記録層の
安定状態（未記録部）は、電子顕微鏡観察、電子線回
折、Ｘ線回折を行った結果から、結晶相の化学量論組成
あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ₂と少なくともＩｎと
Ｓｂからなるアモルファス相が混合状態で存在している
ことがわかっている。その混合状態は化学量論組成ある
いはそれに近いＡｇＳｂＴｅ₂結晶相中に少なくともＩ
ｎとＳｂからなるアモルファス相が分散した状態、ある
いは少なくともＩｎとＳｂからなるアモルファス相中に
ＡｇＳｂＴｅ₂結晶相が分散した状態あるいはこれらが
混在した状態をとることができる。

【００１６】アモルファス相は一般に等方性の高い構造
を持つといわれている。一方、ＡｇＳｂＴｅ₂も等方向
的な結晶構造である立法晶構造を持つため、例えばレー
ザー光により高温から急冷されたアモルファス相となる
際（記録→準安定状態への転移）には高速で均一な相変
化がおこり、物理的、化学的にばらつきの少ないアモル
ファス相となる。このアモルファス相の微細な構造は解
析が困難であり、詳細は不明であるが、例えばアモルフ
ァス相の化学量論組成あるいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ
₂と少なくともＩｎとＳｂからなるアモルファス相の組
み合わせ、又は全く別の単一アモルファス相になってい
ると考えられる。

【００１７】また、逆にこのような均一性の高いアモル
ファス相から等方向的な結晶構造への転移において（消
去→安定状態への転移）は結晶化も均一に起こり、従っ
て消去比は非常に高いものとなる。また混在状態ではサ
イズ効果による融点効果が起こるため、比較的低い温度
では相転移を起こすことができる。即ち、記録媒体とし
ては記録感度が向上する。このような混合状態はＡｇＩ
ｎＴｅ₂とＳｂとを原材料で用いることにより作成する
ことができる。

【００１８】成膜時の記録膜は、原材料の化学構造を反
映しＡｇＩｎＴｅ₂とＳｂのアモルファス相になってい
ると考えられる。これは結晶化転移点（１９０〜２００
℃）付近の温度で熱処理を施すことによりＡｇＩｎＴｅ
₂とＳｂの結晶相が得られることで確認できる。このよ
うな記録膜を適当なパワーのレーザー光、又は熱等によ
り初期化することにより、初めて微細な化学量論組成あ
るいはそれに近いＡｇＳｂＴｅ₂と少なくともＩｎとＳ
ｂからなるアモルファス相の均一な混相を作成すること
ができる。すなわちＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを少なくと
も含む系において、成膜時の記録膜に対して初期化プロ
セスとして置換反応を起こさせ、構造変化させることに
より適切な構造を得ることができる。このプロセスは成
膜時の記録膜を加熱し、融解あるいはそれに近い活性な
状態にし、その後適切な冷却速度で冷却することからな
るものである。冷却速度が早過ぎれば記録膜はアモルフ
ァス構造となり、逆に遅すぎると好ましい微細な混相構
造とはならず、Ｉｎ、Ｓｂからなる相も結晶化する。

【００１９】本発明では、高寿命、及び繰り返しオーバ
ーライト特性に向上を目的に、これらＡｇ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ、Ｔｅに窒素（Ｎ）を添加している。ＮはＡｇ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｔｅの少なくとも１つの元素と化合物を形成
していたり、或いは、Ｎ単体で存在していたりする。記
録層中のＮ含有量が増加すると、屈折率（ｎ）が小さく
なり、一方、吸収係数（ｋ）は大きくなる（図２、図
３）。そのためディスク化したときの反射率等は大きく
変化する（図４）。また、記録層中のＮ含有量には適正
範囲が存在する。Ｎ含有量をｘ（ａｔｏｍ％）とする
と、１≦ｘ≦３が適正範囲である。

【００２０】このように一定量のＮを含有させた記録層
を形成する手段のひとつとして、スパッタリングが挙げ
られるが、具体的にはＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの各金属
末を混合して焼結させたものをスパッタリング用ターゲ
ット材とし、ＡｒガスとＮ₂ガスを導入しながらスパッ
タリングを行う方法が適している。また本発明では、記
録層中の酸素（Ｏ）の含有量も規定している。具体的に
はＯ含有量をｙ（ａｔｏｍ％）とすると、ｙ≦３が適正
範囲である。ＯはＮと同様に含有量が増加すると、屈折
率（ｎ）が小さくなり、吸収係数（ｋ）は大きくなる。
また、結晶状態からアモルファス状態へ転移する速度
（転移速度）も遅くなる。しかしＮと異なって増加すれ
ばするほど寿命が短くなり、また繰り返しオーバーライ
ト特性も悪化する、したがって、Ｏ含有量は３ａｔｏｍ
％以下でなければならない。

【００２１】このように記録層中に含有される酸素の量
を３ａｔｏｍ％以下にコントロールする手段としては、
プラスチック基板上に少なくとも、記録層を形成する前
に、該プラスチック基板中に含まれる水分を除去するこ
とを目的として、大気圧中６０℃以上にてベーキングを
行う方法がある。つまり、ＰＣ等のプラスチック基板は
吸湿性が高く、射出成形後数十分放置しただけで多くの
水分を含んでしまう。そのまま真空槽にいれてスパッタ
リングを行うと、プラスチック基板中の水分がＯとなっ
て記録層中に取り込まれてしまう。したがって真空槽に
いれる前に、大気中でベーキングを行って脱水しておく
ことが重要である。ベーキング条件とＰＣ基板１枚あた
りの脱水量との関係を図６に示す。図６から、ベーキン
グは６０℃以上にて行うと効果的である。

【００２２】また記録層に含有される酸素の量を３ａｔ
ｏｍ％以下にコントロールする別の手段として、プラス
チック基板上に少なくとも、記録層を形成する前に真空
中に３０分以上放置しておく方法がある。真空中での放
置は、ベーキングと同様にプラスチック基板の脱水が目
的である。放置時間と真空槽内の真空圧との関係を図７
に示す。図７から、放置時間は３０分以上が効果的であ
る。

【００２３】また記録層に含有される酸素の量を３ａｔ
ｏｍ％以下にコントロールする別の手段として、プラス
チック基板上に少なくとも、記録層を形成する前に、記
録層への酸素の混入量を低減することを目的として、プ
ラスチック基板の表面をスパッタリングによるエッチン
グを行う方法がある。エッチングは、やはり同様にプラ
スチック基板の脱水が目的である。その時のエッチング
は、Ａｒ、Ｎ₂の少なくとも一種以上を導入し、１〜８
×１０Ｅ−１Ｐａ雰囲気中で行う。

【００２４】また記録層に含有される酸素の量を３ａｔ
ｏｍ％以下にコントロールする別の手段として、記録層
を形成する際に、該相変化形記録層への酸素の混入量を
低減することを目的として、記録層成膜時の酸素分圧を
２×１０Ｅ−２Ｐａ以下とする方法がある。

【００２５】また記録層を形成する前に、該相変化形記
録層への酸素の混入量を低減することを目的として、該
相変化形記録層を成膜する際に用いるスパッタリング用
ターゲット材に含まれる酸素の量が５００ｐｐｍ以下と
する方法がある。

【００２６】本発明の光情報記録媒体では、プラスチッ
ク基板１上にまず第一保護層２を設ける。そして記録層
３を形成した後、さらに第二保護層４を設ける。ディス
ク化した後に記録層を外部からの酸素等から保護するた
めに、誘電体膜のような保護層で両面から被覆する必要
がある。従って、この第一保護層２及び第二保護層４は
基板１からの水や酸素の浸入を防ぎ、それ自身の耐食性
が高く、かつ記録層３との反応性が小さな材料でなけれ
ばならない。

【００２７】これら保護層の具体的な材料としては、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂等の金属酸
化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の金
属窒素化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₅、ＴａＳ₄等の金属硫化
物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等
の炭化物やダイヤモンドカーボン、或いはそれらの混合
物が一般に知られている（特公平４−７４７８５号公
報）。

【００２８】しかしまた一方で、繰り返しオーバーライ
トが行われる際、記録層３には、結晶化とアモルファス
化が短時間で繰り返し行われるため熱的ダメージが蓄積
され、第一保護層２や第二保護層４と記録層３との界面
で部分的な剥離を生じやすくなる。従って、これら保護
層２、４は繰り返しオーバーライトを良好にするために
プラスチック基板１や記録層３との密着力が大きい材料
を選ぶことが重要である。したがって本発明では第一保
護層２及び第二保護層４用材料として、１０ａｔｏｍ％
以下である酸化膜を用いている。第一保護層２の膜厚は
１００〜３００ｎｍ、第二保護層４の膜厚は５〜２００
ｎｍが好ましい。

【００２９】本発明の光情報記録媒体では、第二保護層
４の上に反射放熱層５を設ける。この反射放熱層５は反
射層と放熱層の二つの役割を兼ね備えていなければなら
ないため、反射率が高く、かつ熱伝導性率がある程度高
い材料で形成される。具体的にはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ等の
金属材料またはその合金を用いることができ、その中で
もＴｉ、Ｓｉ、Ｃｒ等が１〜３重量％含有したＡｌ合金
が適している。反射放熱層５の膜厚としては、３０〜３
００ｎｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。３０ｎ
ｍよりも薄くなると反射放熱層の機能を果たさなくな
り、逆に３００ｎｍよりも厚くなると記録感度の低下を
きたしたり、界面剥離を生じやすくなる。

【００３０】実際に、本発明の光情報記録媒体をつくる
際には、保護層及び反射放熱層についてはスパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法等の方法によって形成すること
ができる。但し、本発明の光情報記録媒体は、これまで
説明してきたような各種の層を有するものに限定される
ものではなく、例えば反射放熱層等の上に有機保護膜を
設けてもよく、またそれらを接着剤によって張り合わせ
てもよい。

【００３１】

【実施例】次に、実施例をあげて本発明をさらに具体的
に説明する。

【００３２】実施例１直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグループ付きＰ
Ｃ基板を予め大気中で８０℃、２時間でプリベークした
後、スパッタ装置の真空槽内にセットして２時間放置し
た。その後Ａｒガスを導入し、圧力を２×１０Ｅ−１Ｐ
ａに調整して基板ホルダーに３００ＷのＲＦパワーを投
入することによってＰＣ基板のエッチングを１２０秒行
った。その後、ＰＣ基板を隣の真空槽に搬送し、同じく
Ａｒガスにて圧力を２×１０Ｅ−１Ｐａに調整し、（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀の第一保護層を１８０ｎｍ厚に
形成した。さらに同様な方法によってＡｇ_8.8Ｉｎ_19.0
Ｓｂ_46.4Ｔｅ_25.8の組成のターゲット材（酸素含有量２
００ｐｐｍ）を用い、Ａｒ：１１０ＳＣＣＭ、Ｎ₂：２
ＳＣＣＭを導入して圧力を２×１０Ｅ−１Ｐａ（その時
のＯ分圧：１×１０Ｅ−２Ｐａ）に調整し、スパッタリ
ングによってＡｇＩｎＳｂＴｅ膜を２０ｎｍ厚に形成し
た。そのときのＮの含有量は１ａｔｏｍ％、Ｏ含有量は
１ａｔｏｍ％である。その後第二保護層である（Ｚｎ
Ｓ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜を２５ｎｍ厚に形成した。最後
に反射放熱層としてＡｌ合金膜を１００ｎｍ厚に形成し
た後、真空槽から大気中へ搬出し、本発明の光情報記録
媒体を得た。

【００３３】実施例２〜１６及び比較例１〜４ベーキング、真空放置、エッチングの有無や、ターゲッ
ト中のＯ量、それらのために変化する膜中Ｏ量、及び膜
中Ｎ量は表１に示すとおりとし、その他は実施例１と同
様にして実施例２〜１６と比較例１〜４の光情報記録媒
体を得た。なお、これら実施例１〜１６及び比較例１〜
４の光情報記録媒体は、いずれも反射放熱層上にさらに
アクリル系紫外線硬化樹脂からなる有機保護膜をスピナ
ーによって５〜１０μｍに塗布し、ＵＶ硬化させた。上
記で作成した２０種の光情報記録媒体の線速は２．４ｍ
／ｓとし、Ｃ／Ｎ、消去比、繰り返しオーバーライト回
数、寿命（１０年以上ありを○、未満を×とした）を表
２に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ系記録膜の中のＮ、Ｏの含有量を規定することによ
って、Ｃ／Ｎ、消去比、繰り返しオーバーライト回数、
寿命が飛躍的に向上する。請求項２の発明によれば、プ
ラスチック基板を大気中６０℃以上でベーキングを行う
ことによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜の中のＯの含
有量を低減することができ、繰り返しオーバーライト回
数、寿命が飛躍的に向上する。請求項３の発明によれ
ば、プラスチック基板を真空中に３０分以上放置するこ
とによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜の中のＯの含有
量を低減することができ、繰り返しオーバーライト回
数、寿命が飛躍的に向上する。請求項４の発明によれ
ば、プラスチック基板の表面をスパッタリングによるエ
ッチングを行うことによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録
膜の中のＯの含有量を低減することができ、繰り返しオ
ーバーライト回数、寿命が飛躍的に向上する。請求項５
の発明によれば、プラスチック基板の表面を特定の条件
でのスパッタリングによるエッチングを行うことによっ
て、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜の中のＯの含有量を低減
することができ、繰り返しオーバーライト回数、寿命が
飛躍的に向上する。請求項６の発明によれば、記録層成
膜時の酸素分圧を特定化することによって、ＡｇＩｎＳ
ｂＴｅ系記録膜の中のＯの含有量を低減することがで
き、繰り返しオーバーライト回数、寿命が飛躍的に向上
する。請求項７の発明によれば、記録層成膜時に用いる
スパッタリングターゲット材に含まれるＯの量を特定化
することによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜の中のＯ
の含有量を低減することができ、繰り返しオーバーライ
ト回数、寿命が飛躍的に向上する。請求項８の発明によ
れば、記録層を両面から誘電体膜による保護層によって
被覆することによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜の中
のＯの含有量を低減することができ、繰り返しオーバー
ライト回数、寿命が飛躍的に向上する。請求項９の発明
によれば、記録層を両面から特定量のＯを含む酸化膜で
被覆することによって、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系記録膜の中
のＯの含有量を低減することができ、繰り返しオーバー
ライト回数、寿命が飛躍的に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光情報記録媒体の一例の断面図。

【図２】記録層のＮ含有量とｎ（屈折率）との関係を表
わした図。

【図３】記録層のＮ含有量とｋ（吸収係数）との関係を
表わした図。

【図４】記録層のＮ含有量と反射率との関係を表わした
図。

【図５】記録層のＮ含有量と転移線速度との関係を表わ
した図。

【図６】ベーキング条件とＰＣ基板１枚当たりの脱水量
との関係を表わした図。

【図７】プラスチック基板の真空中での放置時間と真空
槽内の真空圧との関係を表わした図。

【符号の説明】１プラスチック基板２第一保護層３記録層４第二保護層５反射放熱層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中村有希東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラスチック基板上に少なくとも、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主な構成元素とする相変化形記
録層を設けた光情報記録媒体において、該相変化形記録
層に含有しているＮ、Ｏの量をそれぞれｘ，ｙ（ａｔｏ
ｍ％）とすると、１≦ｘ≦３かつｙ≦３であることを特
徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】該プラスチック基板上に少なくとも、請
求項１の相変化形記録層を形成する前に、該プラスチッ
ク基板中に含まれる水分を除去することを目的として、
大気圧中６０℃以上にてベーキングを行うことを特徴と
する光情報記録媒体の製造方法。
【請求項３】該プラスチック基板上に少なくとも、請
求項１の相変化形記録層を形成する前に、該プラスチッ
ク基板中に含まれる水分を除去することを目的として、
真空中に３０分以上放置しておくことを特徴とする光情
報記録媒体の製造方法。
【請求項４】該プラスチック基板上に少なくとも、請
求項１の相変化形記録層を形成する前に、該相変化形記
録層へのＯの混入量を低減することを目的として、該プ
ラスチック基板の表面をスパッタリングによるエッチン
グを行うことを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項５】該プラスチック基板の表面をスパッタリ
ングによるエッチングを行う際、Ａｒ、Ｎ₂の少なくと
も一種以上を導入し、１〜８×１０Ｅ−１Ｐａの雰囲気
中で行うことを特徴とする請求項４記載の光情報記録媒
体の製造方法。
【請求項６】該プラスチック基板上に少なくとも、請
求項１の相変化形記録層を形成する際に、該相変化形記
録層へのＯの混入量を低減することを目的として、該相
変化形記録層成膜時の酸素分圧を２×１０Ｅ−２Ｐａ以
下とすることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項７】該プラスチック基板上に少なくとも、請
求項１の相変化形記録層を形成する前に、該相変化形記
録層への酸素の混入を低減することを目的として、該相
変化形記録層を成膜する際に用いるスパッタリング用タ
ーゲット材に含まれる酸素の量が５００ｐｐｍ以下とす
ることを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
【請求項８】該相変化形記録層が、両面から誘電体膜
による保護層によって被覆された構成になっていること
を特徴とする請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項９】該保護層が酸化膜であり、該保護層に含
有されるＯの量が１０ａｔｏｍ％以下であることを特徴
とする請求項８記載の光情報記録媒体。