JPH09297238A - Production of optical waveguide - Google Patents

Production of optical waveguide

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JPH09297238A
JPH09297238A JP8114503A JP11450396A JPH09297238A JP H09297238 A JPH09297238 A JP H09297238A JP 8114503 A JP8114503 A JP 8114503A JP 11450396 A JP11450396 A JP 11450396A JP H09297238 A JPH09297238 A JP H09297238A
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JP
Japan
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layer
substrate
fine particle
glass
glass fine
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Application number
JP8114503A
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Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Hattori
哲也 服部
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Publication of JPH09297238A publication Critical patent/JPH09297238A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To flatten the surface of a substrate where a core is to be formed or a buffer layer and to prevent deterioration in the transmission loss by coating a substrate with a resist layer and removing the surface of the resist layer and the surface of the substrate by dry etching to flatten the substrate surface. SOLUTION: A planar quartz substrate 10 is prepared (a). An almost flat resist layer 1 is formed on the surface of the quartz substrate 10 (b). The surface of the resist layer 1 is etched to an etching face 93 where scratches or rugged state on the surface of the quartz substrate 10 appear (c). Then the quartz substrate 10 and the resist layer 1 are etched at the same time. If etching is carried out under conditions to give different etching rates for the quartz glass and the resist, it increases rugged state. Therefore, conditions to give an equal etching rate for both are selected so that etching is continued while a flat surface is maintained. As a result, the surface of the quartz substrate 10 can be flattened (d).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
使用される光導波路の製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide used in an optical communication system.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光導波路の典型的な製造方法のフ
ローを図7に示す。先ず、火炎堆積法により、石英やシ
リコン等の基板101上にガラス微粒子102' を堆積
させ(同図(a))、次いでこれを1200℃以上の温
度で加熱し、堆積したガラス微粒子層を透明ガラス化し
てバッファ層102を形成する(同図(b)/ガラス組
成:SiO2 −B2 O3 −P2 O5 )。次に、火炎堆積
法により、バッファ層102上にコア用のガラス微粒子
層103' を堆積させ(同図(c))、この後、再び1
200℃以上の温度で加熱し、このガラス微粒子層10
3' を透明ガラス化してコア層103を形成する(同図
(d)/ガラス組成:SiO2 −B2 O3−P2 O5 −
GeO2 )。次に、フォトリソグラフィ技術により、コ
ア層103上にマスクパターンを形成した後、これをマ
スクとしてエッチングを行い、所望のパターンの光導波
路103aを形成する(同図(e))。そして、この上
に再び火炎堆積法でガラス微粒子層104' を堆積した
後(同図(f))、透明ガラス化してオーバクラッド層
104を形成する(同図(g)/ガラス組成:SiO2
−B2 O3 −P2 O5 )。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a flow of a typical method of manufacturing a conventional optical waveguide. First, glass particles 102 ′ are deposited on a substrate 101 such as quartz or silicon by a flame deposition method (FIG. 10A), and then heated at a temperature of 1200 ° C. or higher to make the deposited glass particle layer transparent. The glass is vitrified to form the buffer layer 102 (FIG. 2B / glass composition: SiO2-B2O3-P2O5). Next, a glass fine particle layer 103 ′ for core is deposited on the buffer layer 102 by the flame deposition method (FIG. 6C), and then 1 again.
This glass fine particle layer 10 is heated at a temperature of 200 ° C. or higher.
3'is made into a transparent glass to form the core layer 103 (FIG. 2 (d) / glass composition: SiO2-B2O3-P2O5-
GeO2). Next, a mask pattern is formed on the core layer 103 by a photolithography technique, and then etching is performed using this as a mask to form an optical waveguide 103a having a desired pattern ((e) in the figure). Then, a glass fine particle layer 104 'is again deposited thereon by the flame deposition method (FIG. 6 (f)), and then made into a transparent glass to form the overclad layer 104 (FIG. 6 (g) / glass composition: SiO2).
-B2 O3 -P2 O5).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようにし
て形成された光導波路も、基板上に傷や歪み等による凹
凸が生じている場合があり、基板上にバッファ層を設け
てもその表面には再び傷や凹凸が現われる。このように
凹凸のある面上では均一にコア層が形成されないために
伝送損失が増大する問題があった。そこで本発明の目的
は、コアを形成する基板あるいはバッファ層の表面を平
坦に形成し、伝送損失の劣化を防止できる光導波路の製
造方法を提供するものである。
However, the optical waveguide thus formed may also have irregularities due to scratches or distortion on the substrate, and even if a buffer layer is provided on the substrate, its surface is Scratches and irregularities appear again on. As described above, there is a problem that the transmission loss increases because the core layer is not uniformly formed on the uneven surface. Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical waveguide in which the surface of a substrate forming a core or a buffer layer is formed flat and the deterioration of transmission loss can be prevented.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明に係わる光導波路
の製造方法は、基板の表面を平坦に仕上げる第1工程
と、ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給
し、平坦化された基板の表面上に、コア用の第1ガラス
微粒子層を堆積させる第2工程と、前記第1ガラス微粒
子層を焼結して透明ガラス化する第3工程と、透明ガラ
ス化した前記第1ガラス微粒子層を所定のコア形状にパ
ターニングする第4工程と、パターニングされた前記第
1ガラス微粒子層上に、オーバクラッド用の第2ガラス
微粒子層を堆積させる第5工程と、堆積された前記第2
ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第6工程と
を備え、前記第1工程では、基板上に一旦レジスト層を
コーティングし、次いで該レジスト層及び基板の表面を
ドライエッチング法により除去して基板の表面を平坦に
仕上げることを特徴とする。
A method of manufacturing an optical waveguide according to the present invention comprises a first step of finishing the surface of a substrate to be flat, and an additive for increasing the refractive index of glass is supplied to a flame burner to flatten the surface. A second step of depositing a first glass fine particle layer for the core on the surface of the substrate, a third step of sintering the first glass fine particle layer to form a transparent glass, and the first transparent glass forming step. A fourth step of patterning the glass fine particle layer into a predetermined core shape; a fifth step of depositing a second glass fine particle layer for overcladding on the patterned first glass fine particle layer; Two
A sixth step of sintering the glass fine particle layer to obtain a transparent glass, in the first step, the substrate is once coated with a resist layer, and then the resist layer and the surface of the substrate are removed by a dry etching method. The feature is that the surface of the substrate is finished flat.

【0005】また、本発明に係わる光導波路の他の製造
方法は、基板上にバッファ層を形成する第1工程と、バ
ッファ層の表面を平坦に仕上げる第2工程と、ガラスの
屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、平坦化さ
れたバッファ層の表面上に、コア用の第1ガラス微粒子
層を堆積させる第3工程と、前記第1ガラス微粒子層を
焼結して透明ガラス化する第4工程と、透明ガラス化し
た前記第1ガラス微粒子層を所定のコア形状にパターニ
ングする第5工程と、パターニングされた前記第1ガラ
ス微粒子層上に、オーバクラッド用の第2ガラス微粒子
層を堆積させる第6工程と、堆積された前記第2ガラス
微粒子層を焼結して透明ガラス化する第7工程とを備
え、前記第2工程では、バッファ層上に一旦レジスト層
をコーティングし、次いで該レジスト層及びバッファ層
の表面をドライエッチング法により除去してバッファ層
の表面を平坦に仕上げることを特徴とする。
Further, in another method of manufacturing an optical waveguide according to the present invention, a first step of forming a buffer layer on a substrate, a second step of finishing the surface of the buffer layer to be flat, and a refractive index of glass are increased. The third step of supplying the additive to the flame burner and depositing the first glass fine particle layer for the core on the flattened surface of the buffer layer, and sintering the first glass fine particle layer to obtain transparent vitrification. And a fifth step of patterning the transparent vitrified first glass fine particle layer into a predetermined core shape, and a second glass fine particle layer for overcladding on the patterned first glass fine particle layer. And a seventh step of sintering the deposited second glass fine particle layer into a transparent glass, and in the second step, a resist layer is once coated on the buffer layer, Ide, characterized in that to finish the surface of the resist layer and the buffer layer to flatten the surface of the buffer layer is removed by dry etching.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳細に説明する。図1及び図2は本
実施形態の光導波路の製造工程を示す図である。まず、
厚さ1mmの平板状の石英基板10を用意し(図1
(a))、アセトン液の中で表面を超音波洗浄した。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 are views showing a manufacturing process of the optical waveguide of the present embodiment. First,
A flat quartz substrate 10 having a thickness of 1 mm is prepared (see FIG.
(A)), the surface was ultrasonically cleaned in an acetone solution.

【0007】次に、図3に示すように、回転装置の円盤
5の上に洗浄された石英基板10を固定し、その上にノ
ボラック系樹脂等の有機物からなるレジストを滴下装置
のノズル7から滴下し、同時に円盤5を高速回転して基
板10の表面に略平坦なレジスト層1を形成した(図1
(b))。レジスト層1の厚さはレジストの粘度と回転
速度によって決まり、石英基板10上の傷あるいは凹凸
を覆うに十分な厚さとした。粘度は10〜300cp
s、回転速度は500〜5000rpmの範囲で調整し
た。
Next, as shown in FIG. 3, a cleaned quartz substrate 10 is fixed on a disk 5 of a rotating device, and a resist made of an organic substance such as novolac resin is fixed on the quartz substrate 10 through a nozzle 7 of a dropping device. At the same time, the disk 5 was rotated at high speed to form a substantially flat resist layer 1 on the surface of the substrate 10 (FIG. 1).
(B)). The thickness of the resist layer 1 is determined by the viscosity and rotation speed of the resist, and is set to a thickness sufficient to cover scratches or irregularities on the quartz substrate 10. Viscosity is 10 to 300 cp
s, the rotation speed was adjusted in the range of 500 to 5000 rpm.

【0008】次いで、図4に示すように、真空チャンバ
8内に配置された電極4の一方の側に石英基板10を固
定し、電極4の間にCF4 ガスとO2 ガスのエッチング
ガスを吹き込んで石英基板10の表面をエッチングし
た。エッチングガスは流量:200(sccm)、圧
力:1.0(Pa)、プラズマ発生電力:1.0(k
W)、加速電圧:100(V)以下で50μmエッチン
グした(図1(c))。エッチング速度は図5に示すよ
うに、一般に、石英ガラスとレジストでは相違してお
り、また電極間に送り込むCF4 ガスとO2 ガスの割合
によっても変化する。
Next, as shown in FIG. 4, the quartz substrate 10 is fixed to one side of the electrode 4 arranged in the vacuum chamber 8, and an etching gas of CF4 gas and O2 gas is blown between the electrodes 4. The surface of the quartz substrate 10 was etched. Etching gas flow rate: 200 (sccm), pressure: 1.0 (Pa), plasma generation power: 1.0 (k
W) and accelerating voltage: 100 (V) or less, 50 μm was etched (FIG. 1C). As shown in FIG. 5, the etching rate is generally different between quartz glass and resist, and also changes depending on the ratio of CF4 gas and O2 gas fed between the electrodes.

【0009】ところで、基板10上に設けられたレジス
ト層1の表面をエッチングしてゆくと、最初は図1
(c)の91 、92 に示すように全面がレジストである
が、さらに93 まで進むと、基板10の表面に生じてい
た傷あるいは凹凸が現われる。この状態では石英基板1
0とレジスト層1を同時にエッチングすることになる。
前述のように石英ガラスとレジストのエッチング速度が
相違する条件でエッチングを行なうと、エッチング速度
の相違によって益々凹凸が強調されることになる。そこ
で図5に示するように、両者のエッチング速度が等しく
なる条件/CF4 ガスがx%、O2 ガスが(1−x)%
に選択することによって平坦な面を保持しながらエッチ
ングを続けることができる。その結果、1図(d)に示
すように基板10の表面を平坦にエッチングすることが
できる。
By the way, when the surface of the resist layer 1 provided on the substrate 10 is etched, first, as shown in FIG.
As shown in 91 and 92 in (c), the entire surface is resist, but when it reaches 93, scratches or irregularities appearing on the surface of the substrate 10 appear. In this state, the quartz substrate 1
0 and the resist layer 1 are simultaneously etched.
When the etching is performed under the condition that the etching rates of the quartz glass and the resist are different from each other as described above, the unevenness is more and more emphasized due to the difference in the etching rate. Therefore, as shown in FIG. 5, the condition that both etching rates are equal / x% for CF4 gas and (1-x)% for O2 gas
By selecting, it is possible to continue etching while maintaining a flat surface. As a result, the surface of the substrate 10 can be flatly etched as shown in FIG.

【0010】次に、表面を平坦にエッチングした基板1
0を用いて図2に示した工程にしたがって光導波路を形
成する。酸水素火炎中に、原料ガスとしてSiCl4 、
BCl3 、GeCl4 を導入し、火炎加水分解反応に
よりB、P、Geが添加されたSiO2 微粒子を発生さ
せて石英基板10上に堆積した(図2(a))。堆積し
たコアガラスの微粒子層11’を1500℃で4時間焼
結して厚さ8μmのコア層11を形成した(図2
(b))。
Next, the substrate 1 whose surface is flatly etched
0 is used to form an optical waveguide according to the process shown in FIG. In the oxyhydrogen flame, SiCl4 as a source gas,
BCl3 and GeCl4 were introduced, and by flame hydrolysis reaction, B2, P and Ge added SiO2 particles were generated and deposited on the quartz substrate 10 (FIG. 2 (a)). The deposited core glass fine particle layer 11 ′ was sintered at 1500 ° C. for 4 hours to form a core layer 11 having a thickness of 8 μm (FIG. 2).
(B)).

【0011】次に、コア層11上に厚さ1μmの感光性
レジスト層20を形成する(図2(c))。レジスト層
20は、帯状をなしその幅はコアの寸法と等しく選択さ
れる。
Next, a photosensitive resist layer 20 having a thickness of 1 μm is formed on the core layer 11 (FIG. 2 (c)). The resist layer 20 is strip-shaped and its width is selected to be equal to the dimensions of the core.

【0012】次いで、レジスト層20をエッチングマス
クとして反応性イオネッチングを行い、コア層11の露
出部分を基板10の上面が露出するまで除去する(図2
(d))。これにより、石英基板10上に柱状のコア部
材11aが形成される。
Next, reactive ionization is performed using the resist layer 20 as an etching mask to remove the exposed portion of the core layer 11 until the upper surface of the substrate 10 is exposed (FIG. 2).
(D)). As a result, the columnar core member 11a is formed on the quartz substrate 10.

【0013】次に、酸水素火炎中に、原料ガスとしてS
iCl4 、BCl3 、POCl3 を導入し、火炎加水分
解反応によりB、Pが添加されたSiO2微粒子を発生
させて堆積した(図2(e))。堆積したオーバクラッ
ド層の微粒子層12’を1200℃で4時間焼結して厚
さ30μmのオーバクラッド層12を得た(図2
(f))。導波路の構造は、コア断面形状が8μm×8
μm、比屈折率差が0.3%となるように合成した。石
英基板10とオーバクラッド層12は一体となって一つ
のクラッド層を構成しており、導波路はこのクラッド層
内に埋め込まれた状態で固定される。以上の工程を経て
作製した直線光導波路の導波損失は、0.06±0.0
3dB/cmであった。
Next, in the oxyhydrogen flame, S is used as a source gas.
iCl4, BCl3, and POCl3 were introduced, and flame hydrolysis reaction was performed to generate and deposit SiO2 particles to which B and P were added (FIG. 2 (e)). The deposited overclad fine particle layer 12 ′ was sintered at 1200 ° C. for 4 hours to obtain an overclad layer 12 having a thickness of 30 μm (FIG. 2).
(F)). The waveguide structure has a core cross-sectional shape of 8 μm × 8.
μm and the relative refractive index difference was 0.3%. The quartz substrate 10 and the over clad layer 12 are integrated to form a clad layer, and the waveguide is fixed while being embedded in the clad layer. The waveguide loss of the linear optical waveguide manufactured through the above steps is 0.06 ± 0.0
It was 3 dB / cm.

【0014】〈比較例〉前述した実施形態と同様に光導
波路を製造したが、比較例では基板10上を平坦化する
第1の工程は行なわず、基板10上に直接図2に示した
工程によってコア層11、オーバクラッド層12を形成
した。基板の表面全体に約1μmの凹凸が存在してい
た。作製された直線光導波路の導波損失は、0.6±
0.1dB/cmであった。
<Comparative Example> An optical waveguide was manufactured in the same manner as in the above-described embodiment, but in the comparative example, the first step of flattening the substrate 10 was not performed, and the step shown in FIG. The core layer 11 and the overclad layer 12 were formed by. Unevenness of about 1 μm was present on the entire surface of the substrate. The waveguide loss of the fabricated linear optical waveguide is 0.6 ±
It was 0.1 dB / cm.

【0015】〈別の実施形態〉基板上の不純物による伝
送損失の影響を避けるために、図6に示すようにバッフ
ァ層13を設けた後にコア用の第1ガラス微粒子層1
1’を堆積させる場合がある(図6(a))。バッファ
層13を設けても基板上に傷等が存在していると、バッ
ファ層13の表面にも傷による凹凸が現われるのでバッ
ファ層13の表面を平坦にすることが必要となる。この
場合にも前述の図1と同様の方法によって、バッファ層
13の表面を平坦にドライエッチングする。この時は、
バッファ層13のエッチング速度とレジスト層のエッチ
ング速度が等しくなる条件でエッチングする。以下、図
6に示した工程に従ってエッチングされたバッファ層1
3の上にコア層11を形成し(同図(b))、・・・オ
ーバクラッド層12を設けて(同図(f))光導波路を
形成する。バッファ層13は、基板10上にガラス微粒
子を堆積し、次いでこれを1200℃以上の温度で加熱
し、堆積したガラス微粒子層を透明ガラス化して形成す
る(ガラス組成:SiO2 −B2 O3 −P2 O5 )。
<Another Embodiment> In order to avoid the influence of transmission loss due to impurities on the substrate, the first glass fine particle layer 1 for core is provided after the buffer layer 13 is provided as shown in FIG.
1 ′ may be deposited (FIG. 6 (a)). Even if the buffer layer 13 is provided, if a scratch or the like is present on the substrate, unevenness due to the scratch also appears on the surface of the buffer layer 13. Therefore, it is necessary to make the surface of the buffer layer 13 flat. Also in this case, the surface of the buffer layer 13 is dry-etched flat by a method similar to that of FIG. At this time,
Etching is performed under the condition that the etching rate of the buffer layer 13 is equal to the etching rate of the resist layer. Hereinafter, the buffer layer 1 etched according to the process shown in FIG.
3, the core layer 11 is formed (FIG. 3B), and the overclad layer 12 is provided (FIG. 3F) to form an optical waveguide. The buffer layer 13 is formed by depositing glass particles on the substrate 10 and then heating the glass particles at a temperature of 1200 ° C. or higher to make the deposited glass particle layer transparent vitrified (glass composition: SiO 2 —B 2 O 3 —P 2 O 5). ).

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
The present invention is embodied in the form described above and has the following effects.

【0017】基板上に傷や歪み等による凹凸が発生して
も、基板の表面を平坦に仕上げてから導波路を形成する
ので凹凸による伝送損失の劣化を防止することが出来
る。
Even if irregularities due to scratches or distortion occur on the substrate, since the waveguide is formed after finishing the surface of the substrate flat, it is possible to prevent the deterioration of transmission loss due to the irregularities.

【0018】基板上に発生した傷や歪み等による凹凸を
ドライエッチングによって除去するので、凹凸と同時に
表面の不純物も除かれるので伝送損失の改善効果が大き
い。
Since the irregularities due to scratches or strains generated on the substrate are removed by dry etching, impurities on the surface are removed at the same time as the irregularities, so that the transmission loss is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施形態に係わる光導波路の前半の製造工程
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a first half manufacturing process of an optical waveguide according to the present embodiment.

【図2】本実施形態に係わる光導波路の後半の製造工程
を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of the latter half of the optical waveguide according to the present embodiment.

【図3】レジスト層の製造法を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a method of manufacturing a resist layer.

【図4】ドライエッチング法を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a dry etching method.

【図5】エッチング速度に関する特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing characteristics relating to an etching rate.

【図6】本実施形態に係わる光導波路の他の製造工程を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing another manufacturing process of the optical waveguide according to the present embodiment.

【図7】従来の光導波路の製造工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of a conventional optical waveguide.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:レジスト層 2:ドライエッチングガス 3:排気ガス 4:電極 5:加速電源 6:回転装置の円盤 7:滴下装置のノズル 8:真空チャンバ 9:ドライエッチングの方向 91 、92 ・・:エッチングの面 10:基板 11:コア層 11’:コア部のガラス微粒子層 12:オーバクラッド層 12’:オーバクラッド部のガラス微粒子層 13:バッファ層 13’:バッファ部のガラス微粒子層 20:感光性レジスト層 1: Resist layer 2: Dry etching gas 3: Exhaust gas 4: Electrode 5: Acceleration power supply 6: Disk of rotating device 7: Nozzle of dropping device 8: Vacuum chamber 9: Direction of dry etching 91, 92 ・ ・: Etching Surface 10: Substrate 11: Core Layer 11 ': Glass Particulate Layer of Core Part 12: Overclad Layer 12': Glass Particulate Layer of Overclad Part 13: Buffer Layer 13 ': Glass Particulate Particle Layer of Buffer Part 20: Photosensitive Resist layer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の表面を平坦に仕上げる第1工程
と、 ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、
平坦化された基板の表面上に、コア用の第1ガラス微粒
子層を堆積させる第2工程と、 前記第1ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第
3工程と、 透明ガラス化した前記第1ガラス微粒子層を所定のコア
形状にパターニングする第4工程と、 パターニングされた前記第1ガラス微粒子層上に、オー
バクラッド用の第2ガラス微粒子層を堆積させる第5工
程と、 堆積された前記第2ガラス微粒子層を焼結して透明ガラ
ス化する第6工程とを備え、 前記第1工程では、基板上に一旦レジスト層をコーティ
ングし、次いで該レジスト層及び基板の表面をドライエ
ッチング法により除去して基板の表面を平坦に仕上げる
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
1. A first step of finishing the surface of a substrate to be flat, and an additive for increasing a refractive index of glass are supplied to a flame burner,
A second step of depositing a first glass fine particle layer for a core on the flattened surface of the substrate, a third step of sintering the first glass fine particle layer to make it a transparent vitrification, and a transparent vitrification A fourth step of patterning the first glass fine particle layer into a predetermined core shape, a fifth step of depositing a second glass fine particle layer for overcladding on the patterned first glass fine particle layer, and And a sixth step of sintering the second glass fine particle layer into a transparent glass, and in the first step, the substrate is once coated with a resist layer, and then the resist layer and the surface of the substrate are dry-etched. A method for manufacturing an optical waveguide, characterized in that the surface of the substrate is flattened by removing it by a method.
【請求項2】 基板とレジスト層のエッチング速度が等
しい条件でドライエッチングすることを特徴とする請求
項1に記載の光導波路の製造方法。
2. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 1, wherein the dry etching is performed under the condition that the etching rates of the substrate and the resist layer are equal to each other.
【請求項3】 基板上にバッファ層を形成する第1工程
と、 バッファ層の表面を平坦に仕上げる第2工程と、 ガラスの屈折率を高める添加物を火炎バーナに供給し、
平坦化されたバッファ層の表面上に、コア用の第1ガラ
ス微粒子層を堆積させる第3工程と、 前記第1ガラス微粒子層を焼結して透明ガラス化する第
4工程と、 透明ガラス化した前記第1ガラス微粒子層を所定のコア
形状にパターニングする第5工程と、 パターニングされた前記第1ガラス微粒子層上に、オー
バクラッド用の第2ガラス微粒子層を堆積させる第6工
程と、 堆積された前記第2ガラス微粒子層を焼結して透明ガラ
ス化する第7工程とを備え、 前記第2工程では、バッファ層上に一旦レジスト層をコ
ーティングし、次いで該レジスト層及びバッファ層の表
面をドライエッチング法により除去してバッファ層の表
面を平坦に仕上げることを特徴とする光導波路の製造方
法。
3. A first step of forming a buffer layer on a substrate, a second step of flattening the surface of the buffer layer, and an additive for increasing the refractive index of glass are supplied to a flame burner,
A third step of depositing a first glass fine particle layer for the core on the flattened surface of the buffer layer, a fourth step of sintering the first glass fine particle layer to make it a transparent vitrification, and a transparent vitrification A fifth step of patterning the first glass fine particle layer into a predetermined core shape, and a sixth step of depositing a second glass fine particle layer for overcladding on the patterned first glass fine particle layer, 7th step of sintering the second glass fine particle layer thus formed into a transparent glass, and in the second step, a resist layer is once coated on the buffer layer, and then the resist layer and the surface of the buffer layer are coated. Is removed by dry etching to finish the surface of the buffer layer flat.
【請求項4】 バッファ層とレジスト層のエッチング速
度が等しい条件でドライエッチングすることを特徴とす
る請求項3に記載の光導波路の製造方法。
4. The method of manufacturing an optical waveguide according to claim 3, wherein the dry etching is performed under the condition that the etching rates of the buffer layer and the resist layer are equal.
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