JP2000121859A - Production of buried optical fiber - Google Patents

Production of buried optical fiber

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JP2000121859A
JP2000121859A JP29418398A JP29418398A JP2000121859A JP 2000121859 A JP2000121859 A JP 2000121859A JP 29418398 A JP29418398 A JP 29418398A JP 29418398 A JP29418398 A JP 29418398A JP 2000121859 A JP2000121859 A JP 2000121859A
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JP
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core
optical waveguide
film
deposited
mask
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JP29418398A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuyuki Nakasendou
和之 中仙道
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate buried proximity core parts, to diminish residual strains by a high-temperature heat treatment, to eliminate the need for a special process know-how and to enhance the production yield. SOLUTION: A glass film which constitutes a lower clad film 12 is deposited by an ionization vapor deposition method or a plasma CVD method on a substrate 10 consisting of silicon or synthesize quartz, etc., (a). Amorphous silicon, etc., which constitute a mask 14 are deposited by a CVD method on this lower clad film 12 and a resist mask 16 is patterned thereon (b). The mask 14 is formed by RIE by using this resist mask 16 (c) and grooves 13 for forming the core parts are etched by using this mask 14 (d). A core layer 16 is deposited on the lower clad film 12 (e). The surface of the substrate is planarized by a chemical and mechanical polishing method in such a manner that the core material 16 remains only in the grooves 13 (f). An upper clad film 18 is deposited thereon (g).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信伝送システ
ムや光計測システムなどに使用される埋め込み型光導波
路の製造方法に関し、特に、コア部の形成方法を改善し
た埋め込み型光導波路の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a buried optical waveguide used in an optical communication transmission system or an optical measuring system, and more particularly to a method of manufacturing a buried optical waveguide in which a method of forming a core portion is improved. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の埋め込み型光導波路の作製方法と
しては、図2に示すような製造工程(Journal of Ligh
twave Technology Vol.6 NO.6, June 1988, 「Sili
ca -Based Single -Mode Waveguides on Silicon
and their Application to Guided -Wave Optical
Interferometers」)が採用されている。図2は、従来
の石英系光導波路の製造工程を示す工程断面図である。
この光導波路は、火炎加水分解堆積法と反応性イオンエ
ッチングによるフォトリソグラフィ工程を用いて形成さ
れており、以下に、従来の光導波路の製造工程について
説明する。まず、図2(a)に示されるように、基板2
0上に主成分が四塩化シリコンである気体状材料を酸水
素炎中で火炎加水分解して得られるガラス微粒子を吹き
付けて堆積させる。このとき、ガラス微粒子のドーパン
ト濃度を変えることによって、屈折率の異なる下部クラ
ッド層21とコア層23とを形成することによって、2
層構造とする。次いで、図2(b)では、(a)のガラ
ス微粒子膜(下部クラッド層21とコア層23)を電気
炉中で1000℃以上の高温加熱処理を行うことによっ
て、基板20上を覆う透明な下部クラッド膜22とコア
膜24の2層のガラス膜とする。次いで、図2(c)で
は、コア膜24上にマスクとなるアモルファスシリコン
26を化学気相成長法(CVD:Chemical Vapor Dep
osition)等を用いて堆積させ、LSI( Large Scale
Integration:大規模集積回路)の微細加工技術である
フォトリソグラフィ技術によってレジストマスク28を
形成する。
2. Description of the Related Art As a conventional method of fabricating a buried optical waveguide, a manufacturing process as shown in FIG.
twave Technology Vol.6 NO.6, June 1988, `` Sili
ca -Based Single -Mode Waveguides on Silicon
and their Application to Guided -Wave Optical
Interferometers ”) have been adopted. FIG. 2 is a process cross-sectional view showing a process for manufacturing a conventional silica-based optical waveguide.
This optical waveguide is formed using a photolithography process using a flame hydrolysis deposition method and reactive ion etching. Hereinafter, a conventional optical waveguide manufacturing process will be described. First, as shown in FIG.
Glass particles obtained by flame hydrolysis of a gaseous material whose main component is silicon tetrachloride in an oxyhydrogen flame are sprayed and deposited on the top of the glass. At this time, by changing the dopant concentration of the glass fine particles to form the lower cladding layer 21 and the core layer 23 having different refractive indices, 2
It has a layer structure. Next, in FIG. 2B, the glass fine particle film (the lower clad layer 21 and the core layer 23) of FIG. The lower clad film 22 and the core film 24 are two-layer glass films. Next, in FIG. 2C, an amorphous silicon 26 serving as a mask is formed on the core film 24 by chemical vapor deposition (CVD).
osition) and LSI (Large Scale)
Integration: A resist mask 28 is formed by a photolithography technique which is a fine processing technique of a large scale integrated circuit.

【0003】次いで、図2(d)では、コア部を形成す
るためにレジストマスク28を用いて、アモルファスシ
リコン26をCBrF3ガス等による反応性イオンエッ
チング(RIE)により異方性エッチングすることによ
り、マスク26が形成される。次いで、図2(e)で
は、上述したアモルファスシリコンのマスク26を用い
て、C26ガス等による反応性イオンエッチング(RI
E)により異方性エッチングすることにより、コア膜の
不要な部分を除去し、リッジ状のコア膜を残すことによ
り、所望のコア部24を形成することができる。次い
で、図2(f)では、このリッジ状のコア部24を覆う
ように再び火炎加水分解堆積でガラス微粒子膜28を堆
積させる。ここでは、軟化点温度を下げコア部の埋め込
みを容易にするために、P25やB23等を添加するこ
とが一般的に行われている。最後に、このガラス微粒子
膜28を電気炉中で高温加熱処理を行って、コア部24
を覆う透明な上部クラッドガラス膜29を形成すること
により、光導波路が完成する。このように、従来の埋め
込み型光導波路は、上記した工程を経て製造されてい
る。この製造方法における利点は、コア部22を保護す
る厚いクラッド層(上下合わせて50μm厚)を堆積す
ることができ、しかも、数μm間隔にまで隣接させた2
本の光導波路のコア部の隙間にもクラッド材料が充填で
きるという点にあった。
Next, in FIG. 2D, an amorphous silicon 26 is anisotropically etched by reactive ion etching (RIE) using a CBrF 3 gas or the like using a resist mask 28 to form a core portion. And a mask 26 are formed. Next, in FIG. 2E, reactive ion etching (RI) using C 2 F 6 gas or the like is performed using the above-described amorphous silicon mask 26.
Unnecessary portions of the core film are removed by anisotropic etching according to E), and a desired core portion 24 can be formed by leaving a ridge-shaped core film. Next, in FIG. 2F, a glass fine particle film 28 is deposited again by flame hydrolysis deposition so as to cover the ridge-shaped core portion 24. Here, P 2 O 5 , B 2 O 3, or the like is generally added to lower the softening point temperature and facilitate the embedding of the core portion. Lastly, the glass fine particle film 28 is subjected to a high-temperature heat treatment in an electric furnace so that the core portion 24 is heated.
The optical waveguide is completed by forming a transparent upper clad glass film 29 covering the substrate. As described above, the conventional embedded optical waveguide is manufactured through the above-described steps. An advantage of this manufacturing method is that a thick cladding layer (upper and lower thicknesses of 50 μm) for protecting the core portion 22 can be deposited, and the adjacent cladding layers are arranged at intervals of several μm.
There is a point that the gap between the core portions of the optical waveguide can be filled with the clad material.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の埋め込み型光導波路の製造方法にあっては、
下部クラッド層21とコア層23の2層を堆積した後
(図2(b))と、ガラス微粒子膜28を堆積した後
(図2(g))の計2回において、高温熱処理工程が必
要であったため、添加不純物の材料の違いによる熱膨張
係数の差により、残留応力が大きくなって、光導波路の
特性を劣化させてしまうという問題があった。また、ガ
ラス微粒子を取り扱うための特別なプロセスノウハウを
必要とするため、製造歩留まりが低くなるという問題が
あった。そこで、上記した高温熱処理によるガラス化工
程の不要な成膜方法としては、イオン化蒸着法やプラズ
マCVD法などがあるが、この成膜手法を用いた場合、
数μm間隔で隣接する2本の光導波路コア部の間にクラ
ッド材を確実に充填することができなくなるという問題
があった。本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので
あり、光導波路のコア部を形成するにあたって、高温熱
処理工程による残留応力を小さくし、近接コア部の埋め
込みを容易にするとともに、特別なプロセスノウハウを
必要としない、製造歩留まりの高い埋め込み光導波路の
製造方法を提供することを目的とする。
However, in such a conventional method of manufacturing a buried optical waveguide,
A high-temperature heat treatment step is required twice after depositing the lower cladding layer 21 and the core layer 23 (FIG. 2B) and after depositing the glass fine particle film 28 (FIG. 2G). Therefore, there is a problem that the residual stress increases due to the difference in the thermal expansion coefficient due to the difference in the material of the added impurity, and the characteristics of the optical waveguide are deteriorated. Further, since special process know-how for handling glass particles is required, there is a problem that the production yield is reduced. Therefore, as a film formation method that does not require a vitrification step by the above-described high-temperature heat treatment, there are an ionization vapor deposition method, a plasma CVD method, and the like.
There has been a problem that the cladding material cannot be reliably filled between two adjacent optical waveguide core portions at intervals of several μm. The present invention has been made in view of the above circumstances, and when forming a core portion of an optical waveguide, reduces residual stress due to a high-temperature heat treatment step, facilitates embedding of a nearby core portion, and has special process know-how. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a buried optical waveguide which does not require a high manufacturing yield and has a high production yield.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明は、基板上に下部クラッド層
を堆積する工程と、前記下部クラッド層に光導波路のパ
ターンを形成する溝をエッチング加工により形成する工
程と、前記下部クラッド層上にコア層を堆積させ、前記
溝に埋め込まれたコア材料のみを残して表面を平坦化す
る工程と、コア材料が前記溝に埋め込まれ、表面が平坦
化された前記下部クラッド層上に上部クラッド層を堆積
させる工程と、を含むものである。これによれば、基板
上に下部クラッド層を堆積し、その下部クラッド層に光
導波路のパターンを形成する溝をエッチング加工した
後、全面にコア層を堆積させ、溝に埋め込まれたコア材
料のみを残して表面を平坦化し、その上に上部クラッド
層を堆積させるようにする。このため、2本の光導波路
のコア部の間が近接している場合であってもクラッド材
などを容易に充填することができる。
To achieve the above object, according to the present invention, a step of depositing a lower cladding layer on a substrate and a step of forming an optical waveguide pattern in the lower cladding layer are provided. Forming an etching process, depositing a core layer on the lower cladding layer, flattening the surface leaving only the core material embedded in the groove, the core material is embedded in the groove, Depositing an upper cladding layer on the lower cladding layer having a planarized surface. According to this, a lower clad layer is deposited on a substrate, a groove for forming a pattern of an optical waveguide is etched in the lower clad layer, and then a core layer is deposited on the entire surface, and only the core material embedded in the groove is formed. , And the upper cladding layer is deposited thereon. For this reason, even when the core portions of the two optical waveguides are close to each other, the cladding material or the like can be easily filled.

【0006】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の埋め込み型光導波路の製造方法において、前記下部ク
ラッド層を堆積させる工程と、前記上部クラッド層を堆
積させる工程とに、熱処理によるガラス化工程が不要な
成膜方法を用いるものである。これによれば、請求項1
に記載の埋め込み型光導波路の製造方法に、熱処理によ
るガラス化工程が不要な成膜方法を用いたため、高温熱
処理工程による残留応力が小さくなり、近接コア部の埋
め込みが容易に行えるとともに、特別なプロセスノウハ
ウも不要になることから、製造歩留まりを高くすること
ができる。請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の
埋め込み型光導波路の製造方法において、前記熱処理に
よるガラス化工程が不要な成膜方法として、イオン化蒸
着法またはプラズマCVD法の少なくとも一方を用いて
行うものである。これによれば、イオン化蒸着法やプラ
ズマCVD法などを用いて成膜するようにしたため、熱
処理によるガラス化工程が不要な成膜方法を実現するこ
とができる。
According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a buried optical waveguide according to the first aspect, the step of depositing the lower clad layer and the step of depositing the upper clad layer are performed by heat treatment. A film forming method that does not require a vitrification step is used. According to this, Claim 1
In the method of manufacturing the embedded optical waveguide described in (1), a film forming method that does not require a vitrification step by heat treatment is used, so that the residual stress due to the high-temperature heat treatment step is reduced, and the adjacent core portion can be easily buried. Since no process know-how is required, the production yield can be increased. According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a buried optical waveguide according to the second aspect, at least one of an ionization vapor deposition method and a plasma CVD method is used as a film forming method that does not require a vitrification step by the heat treatment. It is what you do. According to this, since the film is formed by using the ionization vapor deposition method, the plasma CVD method, or the like, a film formation method which does not require a vitrification step by heat treatment can be realized.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。図1は、本実施の形態に係
る埋め込み光導波路の製造工程を示す工程断面図であ
り、ここでは、特に石英系の光導波路を製造する場合に
ついて説明する。本実施の形態の特徴は、熱処理による
ガラス化工程の不要な成膜方法を使用した場合であって
も、近接するコア部間の埋め込みを容易に行えるように
した点にある。本実施の形態の製造方法は、まず、図1
(a)に示されるように、シリコン、あるいは合成石英
等から成る基板10上に、下部クラッド膜12となるガ
ラス膜を熱処理によるガラス化工程の不要な成膜方法で
あるイオン化蒸着法、あるいはプラズマCVD法等によ
り堆積させるようにする。次いで、図1(b)に示され
るように、堆積した下部クラッド膜12上にマスク14
となるアモルファスシリコン等をCVD法等で堆積させ
た後、LSI微細加工技術であるフォトリソグラフィ技
術を用いて、その上にレジストマスク15をパターニン
グする。次いで、コア部形成用の溝を作成するため、上
記レジストマスク15に対してエッチャントとしてCB
rF3ガス等を用い、反応性イオンエッチング(RI
E)によりアモルファスシリコンから成るマスク14を
形成するようにする(図1(c))。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a process cross-sectional view showing a manufacturing process of a buried optical waveguide according to the present embodiment. Here, a case where a quartz-based optical waveguide is manufactured will be particularly described. A feature of the present embodiment is that even when a film forming method that does not require a vitrification step by a heat treatment is used, embedding between adjacent core portions can be easily performed. First, the manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in (a), a glass film serving as a lower cladding film 12 is formed on a substrate 10 made of silicon, synthetic quartz, or the like by an ionization vapor deposition method, which is a film formation method that does not require a vitrification step by heat treatment, or plasma. It is deposited by a CVD method or the like. Next, as shown in FIG. 1B, a mask 14 is formed on the deposited lower clad film 12.
After depositing amorphous silicon or the like by CVD or the like, a resist mask 15 is patterned thereon using a photolithography technique which is an LSI fine processing technique. Next, in order to form a groove for forming a core portion, CB is used as an etchant for the resist mask 15.
using rF 3 gas or the like, reactive ion etching (RI
By E), a mask 14 made of amorphous silicon is formed (FIG. 1C).

【0008】次いで、上述したアモルファスシリコンか
ら成るマスク14に対して、エッチャントとしてC26
ガス等を用い、反応性イオンエッチング(RIE)によ
って不要な部分を除去することにより、コア部を形成す
るための溝13を形成する(図1(d))。次いで、図
1(e)に示されるように、上記溝13にコア材料を埋
め込むため、下部クラッド膜12上にコア層16を堆積
させる。この堆積させるコア層16は、コア部として屈
折率の調整を行う必要から、TiO2、GeO2等を数W
t%添加したSiO2膜を用いている。次いで、図1
(f)に示されるように、基板の表面をウエットエッチ
ング等の化学的研磨法、あるいは研磨材等を用いた機械
的研磨法などによって平坦化を行い、溝13内にのみコ
ア材料16が残るようにする。そして、最後に、図1
(g)に示されるように、コア材料16が埋め込まれ、
表面が平坦化された下部クラッド膜12上に、上部クラ
ッド膜18を成膜することにより、埋め込み型光導波路
が完成する。勿論、この上部クラッド膜18の成膜方法
についても、熱処理によるガラス化工程が不要なイオン
化蒸着法やプラズマCVD法などが用いられる。
Next, C 2 F 6 is used as an etchant for the mask 14 made of amorphous silicon.
Using a gas or the like, an unnecessary portion is removed by reactive ion etching (RIE) to form a groove 13 for forming a core portion (FIG. 1D). Next, as shown in FIG. 1E, a core layer 16 is deposited on the lower clad film 12 to bury the core material in the groove 13. Since the core layer 16 to be deposited is required to adjust the refractive index as a core portion, TiO 2 , GeO 2, etc. are several W
An SiO 2 film to which t% is added is used. Then, FIG.
As shown in (f), the surface of the substrate is planarized by a chemical polishing method such as wet etching or a mechanical polishing method using an abrasive, etc., so that the core material 16 remains only in the groove 13. To do. And finally, Figure 1
As shown in (g), the core material 16 is embedded,
By forming an upper clad film 18 on the lower clad film 12 having a flattened surface, a buried optical waveguide is completed. Of course, as the method of forming the upper cladding film 18, an ionization vapor deposition method or a plasma CVD method that does not require a vitrification step by heat treatment is used.

【0009】以上説明したように、上記実施の形態によ
れば、コア部16を形成するにあたって、下部クラッド
膜12に溝13を形成し、この溝13にコア材料を埋め
込んで表面を平坦化した後、上部クラッド膜18を堆積
するようにしたため、複数のコア部が数μmオーダーで
近接するような場合であっても、コア部の間にクラッド
材を確実に充填することができる。特に、上記製造方法
を用いれば、高温熱処理によるガラス化工程の不要なイ
オン化蒸着法やプラズマCVD法などを用いて成膜する
場合であっても、近接するコア部間の埋め込みを容易に
行うことができる上、熱膨脹係数差による残留応力を極
限まで小さく抑えることができ、特別なプロセスノウハ
ウを必要としないため、製造歩留まりの高い埋め込み型
光導波路を製造することができる。なお、上記実施の形
態では、光導波路材料として、石英光導波路・プラスチ
ック光導波路・光半導体光導波路・光学結晶(ニオブ酸
リチウム、タンタル酸リチウム他)を用いた光導波路等
の各種の光導波路に適用することができる。
As described above, according to the above embodiment, when forming the core portion 16, the groove 13 is formed in the lower clad film 12, and the core material is buried in the groove 13 to flatten the surface. Thereafter, since the upper clad film 18 is deposited, the clad material can be reliably filled between the core portions even when a plurality of core portions are close to each other on the order of several μm. In particular, when the above manufacturing method is used, even when a film is formed by using an ionization vapor deposition method or a plasma CVD method that does not require a vitrification step by a high-temperature heat treatment, it is easy to embed between adjacent core portions. In addition, the residual stress due to the difference in thermal expansion coefficient can be minimized, and special process know-how is not required, so that a buried optical waveguide having a high production yield can be manufactured. In the above embodiment, various optical waveguides such as a quartz optical waveguide, a plastic optical waveguide, an optical semiconductor optical waveguide, and an optical waveguide using an optical crystal (lithium niobate, lithium tantalate, etc.) are used as the optical waveguide material. Can be applied.

【0010】[0010]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、2本の光導波路のコア部の間が近接して
いる場合であっても、その間にクラッド材などを容易に
充填することができる。請求項2に記載の発明によれ
ば、高温熱処理工程による残留応力が小さくなり、近接
コア部の埋め込みが容易に行えるとともに、特別なプロ
セスノウハウも不要になることから、製造歩留まりを高
くすることができる。請求項3に記載の発明によれば、
熱処理によるガラス化工程が不要な成膜方法を実現する
ことができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, even when the core portions of the two optical waveguides are close to each other, the cladding material or the like can be easily provided therebetween. Can be filled. According to the second aspect of the present invention, the residual stress due to the high-temperature heat treatment step is reduced, the adjacent core portion can be easily buried, and no special process know-how is required, so that the production yield can be increased. it can. According to the invention described in claim 3,
A film formation method that does not require a vitrification step by heat treatment can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)乃至(g)は本実施の形態に係る埋め込み
光導波路の製造工程を示す工程断面図である。
FIGS. 1A to 1G are process cross-sectional views showing a manufacturing process of a buried optical waveguide according to the present embodiment.

【図2】(a)乃至(g)は従来の石英系光導波路の製造
工程を示す工程断面図である。
FIGS. 2A to 2G are process cross-sectional views showing a process for manufacturing a conventional silica-based optical waveguide.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 12 下部クラッド膜(下部クラッド層) 13 溝 14 マスク 16 コア部(コア層、コア材料) 18 上部クラッド膜(上部クラッド層) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 12 Lower clad film (lower clad layer) 13 Groove 14 Mask 16 Core part (core layer, core material) 18 Upper clad film (upper clad layer)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に下部クラッド層を堆積する工程
と、 前記下部クラッド層に光導波路のパターンを形成する溝
をエッチング加工により形成する工程と、 前記下部クラッド層上にコア層を堆積させ、前記溝に埋
め込まれたコア材料のみを残して表面を平坦化する工程
と、 コア材料が前記溝に埋め込まれ、表面が平坦化された前
記下部クラッド層上に上部クラッド層を堆積させる工程
と、 を含むことを特徴とする埋め込み型光導波路の製造方
法。
A step of depositing a lower clad layer on the substrate; a step of forming a groove for forming an optical waveguide pattern in the lower clad layer by etching; and a step of depositing a core layer on the lower clad layer. Planarizing the surface while leaving only the core material embedded in the groove; and depositing an upper clad layer on the lower clad layer having the core material embedded in the groove and having a planarized surface. A method for manufacturing a buried optical waveguide, comprising:
【請求項2】 前記下部クラッド層を堆積させる工程
と、前記上部クラッド層を堆積させる工程とに、熱処理
によるガラス化工程が不要な成膜方法を用いることを特
徴とする請求項1に記載の埋め込み型光導波路の製造方
法。
2. The method according to claim 1, wherein the step of depositing the lower cladding layer and the step of depositing the upper cladding layer use a film forming method that does not require a vitrification step by heat treatment. A method for manufacturing a buried optical waveguide.
【請求項3】 前記熱処理によるガラス化工程が不要な
成膜方法として、イオン化蒸着法またはプラズマCVD
法の少なくとも一方を用いて行うことを特徴とする請求
項2に記載の埋め込み型光導波路の製造方法。
3. A film forming method which does not require a vitrification step by the heat treatment, is an ionization vapor deposition method or a plasma CVD method.
3. The method according to claim 2, wherein the method is performed using at least one of the methods.
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