JPH09291092A - （フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法 - Google Patents
（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法Info
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- JPH09291092A JPH09291092A JP1707397A JP1707397A JPH09291092A JP H09291092 A JPH09291092 A JP H09291092A JP 1707397 A JP1707397 A JP 1707397A JP 1707397 A JP1707397 A JP 1707397A JP H09291092 A JPH09291092 A JP H09291092A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 （フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的に
かつ簡単に安価に製造することができる方法を提供す
る。 【解決手段】 一般式（１） 【化１８】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立してＨ、Ｆ、炭化水
素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 の
うちの少なくとも一つはＦであり、ＸａはＣｌ、Ｂｒま
たはＩを表す）で表されるフッ化アリールマグネシウム
誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、一般式
（２）「ＢＸｂ3 …（２）」（式中、ＸｂはＦ、Ｃ
ｌ、ＢｒまたはＩを表す）で表されるハロゲン化ホウ素
をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系
溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混
合すると共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応さ
せる。これにより、一般式（３） 【化１９】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 、Ｘｂは前記と同じ、ｎは２または
３である）で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物
が得られる。
かつ簡単に安価に製造することができる方法を提供す
る。 【解決手段】 一般式（１） 【化１８】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立してＨ、Ｆ、炭化水
素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 の
うちの少なくとも一つはＦであり、ＸａはＣｌ、Ｂｒま
たはＩを表す）で表されるフッ化アリールマグネシウム
誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、一般式
（２）「ＢＸｂ3 …（２）」（式中、ＸｂはＦ、Ｃ
ｌ、ＢｒまたはＩを表す）で表されるハロゲン化ホウ素
をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系
溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混
合すると共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応さ
せる。これにより、一般式（３） 【化１９】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ5 、Ｘｂは前記と同じ、ｎは２または
３である）で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物
が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、カチオン
錯体重合反応に供されるメタロセン触媒（重合触媒）の
助触媒として有用なトリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を製造する方法に関するものであ
る。
錯体重合反応に供されるメタロセン触媒（重合触媒）の
助触媒として有用なトリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を製造する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】（フッ化アリール）ホウ素化合物、とり
わけ、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素は、例
えば、カチオン錯体重合反応に供されるメタロセン触媒
（重合触媒）の活性を高める助触媒として有用な化合物
である。尚、メタロセン触媒は、ポリオレフィン重合用
触媒として、近年、特に注目されている。
わけ、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素は、例
えば、カチオン錯体重合反応に供されるメタロセン触媒
（重合触媒）の活性を高める助触媒として有用な化合物
である。尚、メタロセン触媒は、ポリオレフィン重合用
触媒として、近年、特に注目されている。
【０００３】上記のトリス（ペンタフルオロフェニル）
ホウ素を得る方法として、例えば、Proc. Chem. Soc.,
1963(July), 212 には、ブロモペンタフルオロベンゼン
とブチルリチウム（ＢｕＬｉ）とを反応させてなるペン
タフルオロベンゼンリチウムと、三塩化ホウ素とを反応
させることにより、トリス（ペンタフルオロフェニル）
ホウ素を得る方法が記載されている。しかしながら、こ
の方法は、反応系を−７８℃に冷却する必要があり、工
業的に実施するのが困難である。
ホウ素を得る方法として、例えば、Proc. Chem. Soc.,
1963(July), 212 には、ブロモペンタフルオロベンゼン
とブチルリチウム（ＢｕＬｉ）とを反応させてなるペン
タフルオロベンゼンリチウムと、三塩化ホウ素とを反応
させることにより、トリス（ペンタフルオロフェニル）
ホウ素を得る方法が記載されている。しかしながら、こ
の方法は、反応系を−７８℃に冷却する必要があり、工
業的に実施するのが困難である。
【０００４】そこで、上記の問題点を解決する方法とし
て、例えば、Z. Naturforsch., 20b, 5 (1965)には、グ
リニャール（Grignard）反応によってトリス（ペンタフ
ルオロフェニル）ホウ素を得る方法が記載されている。
この方法は、例えばペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体と
を鎖状エーテル系溶媒中で反応させるので、反応系を−
７８℃に冷却する必要がなく、上記の反応と比較して有
利である。さらに、例えば、特開平６−１９９８７１号
公報には、鎖状エーテル系溶媒中、または、鎖状エーテ
ル系溶媒と芳香族炭化水素系溶媒との混合溶媒中で、ハ
ロゲン化アリールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ
素とを反応させることにより、トリアリールホウ素を得
る方法が記載されている。
て、例えば、Z. Naturforsch., 20b, 5 (1965)には、グ
リニャール（Grignard）反応によってトリス（ペンタフ
ルオロフェニル）ホウ素を得る方法が記載されている。
この方法は、例えばペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体と
を鎖状エーテル系溶媒中で反応させるので、反応系を−
７８℃に冷却する必要がなく、上記の反応と比較して有
利である。さらに、例えば、特開平６−１９９８７１号
公報には、鎖状エーテル系溶媒中、または、鎖状エーテ
ル系溶媒と芳香族炭化水素系溶媒との混合溶媒中で、ハ
ロゲン化アリールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ
素とを反応させることにより、トリアリールホウ素を得
る方法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、ジエチルエーテル等の、比較的沸点が低
い鎖状エーテル系溶媒を用いるので、反応系を冷却しな
ければならない。このため、例えば（フッ化アリール）
ホウ素化合物を工業的に製造する場合には、冷却装置等
が必要となる。しかも、ジエチルエーテルは引火性が極
めて高い。また、上記従来の方法では、反応の制御が難
しく、テトラキス（フッ化アリール）ホウ素誘導体等の
ホウ素の四級化物等の副生成物が副生するため、トリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を選
択的に得ることが困難である。さらに、上記の鎖状エー
テル系溶媒は、環状エーテル系溶媒と比較して、一般
に、価格が高い。
来の方法では、ジエチルエーテル等の、比較的沸点が低
い鎖状エーテル系溶媒を用いるので、反応系を冷却しな
ければならない。このため、例えば（フッ化アリール）
ホウ素化合物を工業的に製造する場合には、冷却装置等
が必要となる。しかも、ジエチルエーテルは引火性が極
めて高い。また、上記従来の方法では、反応の制御が難
しく、テトラキス（フッ化アリール）ホウ素誘導体等の
ホウ素の四級化物等の副生成物が副生するため、トリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を選
択的に得ることが困難である。さらに、上記の鎖状エー
テル系溶媒は、環状エーテル系溶媒と比較して、一般
に、価格が高い。
【０００６】従って、上記従来の方法では、工業的に実
施することが困難であるという問題点、即ち、溶媒の取
り扱いが面倒であると共に、トリス（フッ化アリール）
ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の
（フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に
安価に製造することができないという問題点を有してい
る。尚、上記従来の方法において、環状エーテル系溶媒
を溶媒として用いると、該環状エーテル系溶媒の開環重
合等の副反応が起こる。また、上記従来の方法におい
て、芳香族炭化水素系溶媒のみを溶媒として用いると、
トリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリー
ル）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合
物の収率が低下する。
施することが困難であるという問題点、即ち、溶媒の取
り扱いが面倒であると共に、トリス（フッ化アリール）
ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の
（フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に
安価に製造することができないという問題点を有してい
る。尚、上記従来の方法において、環状エーテル系溶媒
を溶媒として用いると、該環状エーテル系溶媒の開環重
合等の副反応が起こる。また、上記従来の方法におい
て、芳香族炭化水素系溶媒のみを溶媒として用いると、
トリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリー
ル）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合
物の収率が低下する。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであり、その目的は、トリス（フッ化アリール）
ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の
（フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に
安価に製造することができる方法を提供することにあ
る。
たものであり、その目的は、トリス（フッ化アリール）
ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の
（フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に
安価に製造することができる方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明者等は、（フッ
化アリール）ホウ素化合物の製造方法について鋭意検討
した。その結果、フッ化アリールマグネシウム誘導体を
エーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハロゲン化ホウ
素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル
系溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に
混合すると共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応
させることにより、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造
することができることを見い出した。また、特定の構造
を有するフッ化アリールと、ハロゲン化炭化水素と、マ
グネシウムとを、エーテル系溶媒中、または、エーテル
系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させるこ
とによってフッ化アリールマグネシウム誘導体を得た
後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、ハロゲン
化ホウ素とを反応させることにより、フッ化アリールか
ら（フッ化アリール）ホウ素化合物を得る反応工程を実
質的に一段階（いわゆる１ｐｏｔ）にすることができ、
これにより、（フッ化アリール）ホウ素化合物をより一
層簡単かつ安価に製造することができることを見い出し
て、本発明を完成させるに至った。
化アリール）ホウ素化合物の製造方法について鋭意検討
した。その結果、フッ化アリールマグネシウム誘導体を
エーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハロゲン化ホウ
素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル
系溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に
混合すると共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応
させることにより、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造
することができることを見い出した。また、特定の構造
を有するフッ化アリールと、ハロゲン化炭化水素と、マ
グネシウムとを、エーテル系溶媒中、または、エーテル
系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させるこ
とによってフッ化アリールマグネシウム誘導体を得た
後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、ハロゲン
化ホウ素とを反応させることにより、フッ化アリールか
ら（フッ化アリール）ホウ素化合物を得る反応工程を実
質的に一段階（いわゆる１ｐｏｔ）にすることができ、
これにより、（フッ化アリール）ホウ素化合物をより一
層簡単かつ安価に製造することができることを見い出し
て、本発明を完成させるに至った。
【０００９】即ち、上記の課題を解決するために、請求
項１記載の発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物の製
造方法は、一般式（３）
項１記載の発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物の製
造方法は、一般式（３）
【００１０】
【化８】
【００１１】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘｂはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは
２または３である）で表される（フッ化アリール）ホウ
素化合物の製造方法に関するものであり、一般式（１）
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘｂはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは
２または３である）で表される（フッ化アリール）ホウ
素化合物の製造方法に関するものであり、一般式（１）
【００１２】
【化９】
【００１３】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘａは塩素原子、
臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるフッ化ア
リールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解して
なる溶液と、一般式（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系溶媒の
沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合する
と共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応させるこ
とを特徴としている。
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘａは塩素原子、
臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるフッ化ア
リールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解して
なる溶液と、一般式（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系溶媒の
沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合する
と共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応させるこ
とを特徴としている。
【００１４】請求項２記載の発明の（フッ化アリール）
ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決するため
に、請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法において、エーテル系溶媒を留去しながら反応
させる際の温度が、３０℃〜２００℃の範囲内であるこ
とを特徴としている。
ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決するため
に、請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法において、エーテル系溶媒を留去しながら反応
させる際の温度が、３０℃〜２００℃の範囲内であるこ
とを特徴としている。
【００１５】請求項３記載の発明の（フッ化アリール）
ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決するため
に、請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法において、エーテル系溶媒を留去しながら反応
させる際の（フッ化アリール）ホウ素化合物の濃度が
０．１重量％〜５０重量％の範囲内となるように、炭化
水素系溶媒の使用量を調節することを特徴としている。
ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決するため
に、請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法において、エーテル系溶媒を留去しながら反応
させる際の（フッ化アリール）ホウ素化合物の濃度が
０．１重量％〜５０重量％の範囲内となるように、炭化
水素系溶媒の使用量を調節することを特徴としている。
【００１６】請求項４記載の発明の（フッ化アリール）
ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決するため
に、請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法において、フッ化アリールマグネシウム誘導体
をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハロゲン化ホ
ウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、上記炭
化水素系溶媒に同時に混合することを特徴としている。
ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決するため
に、請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法において、フッ化アリールマグネシウム誘導体
をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハロゲン化ホ
ウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、上記炭
化水素系溶媒に同時に混合することを特徴としている。
【００１７】また、上記の課題を解決するために、請求
項５記載の発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物の製
造方法は、前記一般式（３）で表される（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物の製造方法に関するものであり、前記
一般式（１）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘
導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、前記一般
式（２）で表されるハロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒
に溶解してなる溶液とを、８０℃以下の温度で混合した
後、該混合溶液を、エーテル系溶媒の沸点よりも高い沸
点を有する炭化水素系溶媒に混合すると共に、該エーテ
ル系溶媒を留去しながら反応させることを特徴としてい
る。
項５記載の発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物の製
造方法は、前記一般式（３）で表される（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物の製造方法に関するものであり、前記
一般式（１）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘
導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、前記一般
式（２）で表されるハロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒
に溶解してなる溶液とを、８０℃以下の温度で混合した
後、該混合溶液を、エーテル系溶媒の沸点よりも高い沸
点を有する炭化水素系溶媒に混合すると共に、該エーテ
ル系溶媒を留去しながら反応させることを特徴としてい
る。
【００１８】上記の方法によれば、反応の制御が容易で
あるので、エーテル系溶媒が鎖状エーテル系溶媒にのみ
限定されない。つまり、取り扱いが比較的容易である環
状エーテル系溶媒を用いることができる。また、得られ
るトリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリ
ール）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化
合物が錯体や四級化物を形成しないので、精製が容易で
ある。これにより、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造
することができる。つまり、従来の方法と比較して、工
業的に有利であり、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を高収率並びに高選択率で得るこ
とができる。さらに、請求項２ないし請求項３記載の方
法によれば、（フッ化アリール）ホウ素化合物を、より
一層高純度で得ることができる。
あるので、エーテル系溶媒が鎖状エーテル系溶媒にのみ
限定されない。つまり、取り扱いが比較的容易である環
状エーテル系溶媒を用いることができる。また、得られ
るトリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリ
ール）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化
合物が錯体や四級化物を形成しないので、精製が容易で
ある。これにより、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造
することができる。つまり、従来の方法と比較して、工
業的に有利であり、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を高収率並びに高選択率で得るこ
とができる。さらに、請求項２ないし請求項３記載の方
法によれば、（フッ化アリール）ホウ素化合物を、より
一層高純度で得ることができる。
【００１９】また、請求項６記載の発明の（フッ化アリ
ール）ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決す
るために、請求項１ないし５の何れか１項に記載の（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法において、エー
テル系溶媒が環状エーテルであることを特徴としてい
る。
ール）ホウ素化合物の製造方法は、上記の課題を解決す
るために、請求項１ないし５の何れか１項に記載の（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法において、エー
テル系溶媒が環状エーテルであることを特徴としてい
る。
【００２０】請求項６記載の方法によれば、トリス（フ
ッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素
ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物をより一
層選択的にかつ簡単に安価に製造することができる。
ッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素
ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物をより一
層選択的にかつ簡単に安価に製造することができる。
【００２１】さらに、上記の課題を解決するために、請
求項７記載の発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法は、一般式（７）
求項７記載の発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物の
製造方法は、一般式（７）
【００２２】
【化１０】
【００２３】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子ま
たはヨウ素原子を表し、ｎは２または３である）で表さ
れる（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法に関す
るものであり、一般式（４）
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子ま
たはヨウ素原子を表し、ｎは２または３である）で表さ
れる（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法に関す
るものであり、一般式（４）
【００２４】
【化１１】
【００２５】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表す）で表されるフッ化アリールと、一般式
（５） Ｒ0 Ｘａ ……（５） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表し、Ｘａは塩素原子、臭
素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化
炭化水素と、マグネシウムとを、エーテル系溶媒中、ま
たは、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中
で反応させて、一般式（６）
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表す）で表されるフッ化アリールと、一般式
（５） Ｒ0 Ｘａ ……（５） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表し、Ｘａは塩素原子、臭
素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化
炭化水素と、マグネシウムとを、エーテル系溶媒中、ま
たは、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中
で反応させて、一般式（６）
【００２６】
【化１２】
【００２７】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原
子を表す）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導
体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、
前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素とを反応
させることを特徴としている。
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原
子を表す）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導
体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、
前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素とを反応
させることを特徴としている。
【００２８】請求項７記載の方法によれば、前記請求項
１ないし６記載の方法により得られる種々の効果に加え
て、フッ化アリールから（フッ化アリール）ホウ素化合
物を得る反応工程を実質的に一段階（いわゆる１ｐｏ
ｔ）にすることができる。従って、（フッ化アリール）
ホウ素化合物をより一層簡単かつ安価に製造することが
できる。
１ないし６記載の方法により得られる種々の効果に加え
て、フッ化アリールから（フッ化アリール）ホウ素化合
物を得る反応工程を実質的に一段階（いわゆる１ｐｏ
ｔ）にすることができる。従って、（フッ化アリール）
ホウ素化合物をより一層簡単かつ安価に製造することが
できる。
【００２９】以下に本発明を詳しく説明する。本発明に
かかる前記一般式（３）で表される（フッ化アリール）
ホウ素化合物の製造方法は、前記一般式（１）で表され
るフッ化アリールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒
に溶解してなる溶液と、前記一般式（２）で表されるハ
ロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と
を、エーテル系溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化
水素系溶媒に混合すると共に、該エーテル系溶媒を留去
しながら反応させる方法である。
かかる前記一般式（３）で表される（フッ化アリール）
ホウ素化合物の製造方法は、前記一般式（１）で表され
るフッ化アリールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒
に溶解してなる溶液と、前記一般式（２）で表されるハ
ロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と
を、エーテル系溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化
水素系溶媒に混合すると共に、該エーテル系溶媒を留去
しながら反応させる方法である。
【００３０】また、本発明にかかる前記一般式（３）で
表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法
は、前記一般式（１）で表されるフッ化アリールマグネ
シウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、
前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素をエーテ
ル系溶媒に溶解してなる溶液とを、８０℃以下の温度で
混合した後、該混合溶液を、エーテル系溶媒の沸点より
も高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合すると共に、
該エーテル系溶媒を留去しながら反応させる方法であ
る。
表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法
は、前記一般式（１）で表されるフッ化アリールマグネ
シウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、
前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素をエーテ
ル系溶媒に溶解してなる溶液とを、８０℃以下の温度で
混合した後、該混合溶液を、エーテル系溶媒の沸点より
も高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合すると共に、
該エーテル系溶媒を留去しながら反応させる方法であ
る。
【００３１】さらに、本発明にかかる前記一般式（７）
で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法
は、前記一般式（４）で表されるフッ化アリールと、前
記一般式（５）で表されるハロゲン化炭化水素と、マグ
ネシウムとを、エーテル系溶媒中、または、エーテル系
溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させて、前
記一般式（６）で表されるフッ化アリールマグネシウム
誘導体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体
と、前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素とを
反応させる方法である。
で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法
は、前記一般式（４）で表されるフッ化アリールと、前
記一般式（５）で表されるハロゲン化炭化水素と、マグ
ネシウムとを、エーテル系溶媒中、または、エーテル系
溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中で反応させて、前
記一般式（６）で表されるフッ化アリールマグネシウム
誘導体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体
と、前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素とを
反応させる方法である。
【００３２】本発明において出発物質として使用される
前記一般式（１）で表されるフッ化アリールマグネシウ
ム誘導体は、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 で示
される置換基が、それぞれ独立して水素原子、フッ素原
子、炭化水素基またはアルコキシ基で構成され、かつ、
該Ｒ1 〜Ｒ5 で示される置換基のうちの少なくとも一つ
がフッ素原子であり、Ｘａが塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子で構成される化合物である。
前記一般式（１）で表されるフッ化アリールマグネシウ
ム誘導体は、式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 で示
される置換基が、それぞれ独立して水素原子、フッ素原
子、炭化水素基またはアルコキシ基で構成され、かつ、
該Ｒ1 〜Ｒ5 で示される置換基のうちの少なくとも一つ
がフッ素原子であり、Ｘａが塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子で構成される化合物である。
【００３３】上記の炭化水素基とは、具体的には、アリ
ール基、炭素数１〜１２の直鎖状、枝分かれ鎖状、また
は環状のアルキル基、および、炭素数２〜１２の直鎖
状、枝分かれ鎖状、または環状のアルケニル基等を示
す。尚、上記の炭化水素基は、本発明にかかる反応に対
して不活性な官能基をさらに有していてもよい。該官能
基としては、具体的には、例えば、メトキシ基、メチル
チオ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、ｏ−アニス基、ｐ
−アニス基、トリメチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチ
ルシリルオキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられ
る。
ール基、炭素数１〜１２の直鎖状、枝分かれ鎖状、また
は環状のアルキル基、および、炭素数２〜１２の直鎖
状、枝分かれ鎖状、または環状のアルケニル基等を示
す。尚、上記の炭化水素基は、本発明にかかる反応に対
して不活性な官能基をさらに有していてもよい。該官能
基としては、具体的には、例えば、メトキシ基、メチル
チオ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、ｏ−アニス基、ｐ
−アニス基、トリメチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチ
ルシリルオキシ基、トリフルオロメチル基等が挙げられ
る。
【００３４】上記のアルコキシ基は、一般式（Ａ） −ＯＲa ……（Ａ） （式中、Ｒa は炭化水素基を表す）で表され、式中、Ｒ
a で示される炭化水素基とは、具体的には、例えば、ア
リール基、炭素数１〜１２の直鎖状、枝分かれ鎖状、ま
たは環状のアルキル基、および、炭素数２〜１２の直鎖
状、枝分かれ鎖状、または環状のアルケニル基等を示
す。尚、上記の炭化水素基は、本発明にかかる反応に対
して不活性な官能基をさらに有していてもよい。
a で示される炭化水素基とは、具体的には、例えば、ア
リール基、炭素数１〜１２の直鎖状、枝分かれ鎖状、ま
たは環状のアルキル基、および、炭素数２〜１２の直鎖
状、枝分かれ鎖状、または環状のアルケニル基等を示
す。尚、上記の炭化水素基は、本発明にかかる反応に対
して不活性な官能基をさらに有していてもよい。
【００３５】前記一般式（Ａ）で表されるアルコキシ基
としては、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、イソブトキシ基、 sec−ブトキシ基、ｔ−ブトキ
シ基、シクロヘキシルオキシ基、アリルオキシ基、フェ
ノキシ基等が挙げられる。
としては、具体的には、例えば、メトキシ基、エトキシ
基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、イソブトキシ基、 sec−ブトキシ基、ｔ−ブトキ
シ基、シクロヘキシルオキシ基、アリルオキシ基、フェ
ノキシ基等が挙げられる。
【００３６】上記のフッ化アリールマグネシウム誘導体
としては、具体的には、例えば、ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムクロライド、ペンタフルオロフェニルマ
グネシウムブロマイド、ペンタフルオロフェニルマグネ
シウムヨーダイド、１，２，３，５−テトラフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイド、１，２，４，５−テト
ラフルオロフェニルマグネシウムクロライド、１，２，
４−トリフルオロフェニルマグネシウムブロマイド、
１，３，５−トリフルオロフェニルマグネシウムヨーダ
イド、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−メチルフ
ェニルマグネシウムブロマイド、２，５−ジフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイド、２，５−ジフルオロ−
３−メチルフェニルマグネシウムクロライド、２，３，
４，６−テトラフルオロ−５−メチルフェニルマグネシ
ウムブロマイド、２，４，６−トリフルオロ−５−メチ
ルフェニルマグネシウムクロライド、２，３，５，６−
テトラフルオロ−４−メトキシフェニルマグネシウムブ
ロマイド、２，３，６−トリフルオロ−５−メトキシフ
ェニルマグネシウムクロライド、２，４，６−トリフル
オロ−５−メトキシフェニルマグネシウムブロマイド、
２，５−ジフルオロ−３−メトキシフェニルマグネシウ
ムクロライド、２，５−ジフルオロ−４−メトキシフェ
ニルマグネシウムブロマイド、２−フルオロフェニルマ
グネシウムブロマイド、４−フルオロフェニルマグネシ
ウムブロマイド、２−フルオロ−４−メチルフェニルマ
グネシウムブロマイド等が挙げられる。上記例示のフッ
化アリールマグネシウム誘導体のうち、ペンタフルオロ
フェニルマグネシウムブロマイドが特に好ましい。ま
た、フッ化アリールマグネシウム誘導体は、必要に応じ
て、二種類以上を併用することもできる。
としては、具体的には、例えば、ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムクロライド、ペンタフルオロフェニルマ
グネシウムブロマイド、ペンタフルオロフェニルマグネ
シウムヨーダイド、１，２，３，５−テトラフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイド、１，２，４，５−テト
ラフルオロフェニルマグネシウムクロライド、１，２，
４−トリフルオロフェニルマグネシウムブロマイド、
１，３，５−トリフルオロフェニルマグネシウムヨーダ
イド、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−メチルフ
ェニルマグネシウムブロマイド、２，５−ジフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイド、２，５−ジフルオロ−
３−メチルフェニルマグネシウムクロライド、２，３，
４，６−テトラフルオロ−５−メチルフェニルマグネシ
ウムブロマイド、２，４，６−トリフルオロ−５−メチ
ルフェニルマグネシウムクロライド、２，３，５，６−
テトラフルオロ−４−メトキシフェニルマグネシウムブ
ロマイド、２，３，６−トリフルオロ−５−メトキシフ
ェニルマグネシウムクロライド、２，４，６−トリフル
オロ−５−メトキシフェニルマグネシウムブロマイド、
２，５−ジフルオロ−３−メトキシフェニルマグネシウ
ムクロライド、２，５−ジフルオロ−４−メトキシフェ
ニルマグネシウムブロマイド、２−フルオロフェニルマ
グネシウムブロマイド、４−フルオロフェニルマグネシ
ウムブロマイド、２−フルオロ−４−メチルフェニルマ
グネシウムブロマイド等が挙げられる。上記例示のフッ
化アリールマグネシウム誘導体のうち、ペンタフルオロ
フェニルマグネシウムブロマイドが特に好ましい。ま
た、フッ化アリールマグネシウム誘導体は、必要に応じ
て、二種類以上を併用することもできる。
【００３７】フッ化アリールマグネシウム誘導体の製造
方法は、特に限定されるものではない。フッ化アリール
マグネシウム誘導体は、例えば、塩化フッ化アリール、
臭化フッ化アリール、ヨウ化フッ化アリール等のハロゲ
ン化フッ化アリールと、マグネシウムとの反応によって
得られる。
方法は、特に限定されるものではない。フッ化アリール
マグネシウム誘導体は、例えば、塩化フッ化アリール、
臭化フッ化アリール、ヨウ化フッ化アリール等のハロゲ
ン化フッ化アリールと、マグネシウムとの反応によって
得られる。
【００３８】また、例えば、前記一般式（１）中の少な
くともＲ1 、Ｒ5 で示される置換基が、何れもフッ素原
子であるフッ化アリールマグネシウム誘導体、即ち、前
記一般式（６）で表されるフッ化アリールマグネシウム
誘導体は、少なくとも水素原子の両隣（オルト位）にフ
ッ素原子を有するフッ化アリール、即ち、前記一般式
（４）で表されるフッ化アリールと、前記一般式（５）
で表されるハロゲン化炭化水素と、マグネシウムとの反
応によって得ることができる。尚、前記一般式（４）で
表されるフッ化アリールを出発物質とする（フッ化アリ
ール）ホウ素化合物の製造方法については、後段で詳述
する。
くともＲ1 、Ｒ5 で示される置換基が、何れもフッ素原
子であるフッ化アリールマグネシウム誘導体、即ち、前
記一般式（６）で表されるフッ化アリールマグネシウム
誘導体は、少なくとも水素原子の両隣（オルト位）にフ
ッ素原子を有するフッ化アリール、即ち、前記一般式
（４）で表されるフッ化アリールと、前記一般式（５）
で表されるハロゲン化炭化水素と、マグネシウムとの反
応によって得ることができる。尚、前記一般式（４）で
表されるフッ化アリールを出発物質とする（フッ化アリ
ール）ホウ素化合物の製造方法については、後段で詳述
する。
【００３９】前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホ
ウ素は、式中、Ｘｂがフッ素原子、塩素原子、臭素原子
またはヨウ素原子で構成される化合物であり、具体的に
は、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、お
よび三ヨウ化ホウ素が挙げられる。このうち、三フッ化
ホウ素が特に好ましい。また、ハロゲン化ホウ素は、必
要に応じて、二種類以上を併用することもできる。尚、
ハロゲン化ホウ素は、例えば、ジエチルエーテル錯体や
テトラヒドロフラン錯体等のエーテル錯体になっていて
もよい。
ウ素は、式中、Ｘｂがフッ素原子、塩素原子、臭素原子
またはヨウ素原子で構成される化合物であり、具体的に
は、三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素、お
よび三ヨウ化ホウ素が挙げられる。このうち、三フッ化
ホウ素が特に好ましい。また、ハロゲン化ホウ素は、必
要に応じて、二種類以上を併用することもできる。尚、
ハロゲン化ホウ素は、例えば、ジエチルエーテル錯体や
テトラヒドロフラン錯体等のエーテル錯体になっていて
もよい。
【００４０】上記のエーテル系溶媒は、フッ化アリール
マグネシウム誘導体、ハロゲン化ホウ素、並びに、必要
に応じてフッ化アリールおよびハロゲン化炭化水素を溶
解し、かつ、本発明にかかる反応に対して不活性な液体
状の化合物であればよく、特に限定されるものではな
い。エーテル系溶媒としては、具体的には、例えば、ジ
エチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、
ジペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、１，２
−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、ジ−
２−メトキシエチルエーテル等の鎖状エーテル；テトラ
ヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサ
ン等の環状エーテル；等が挙げられる。これら化合物
は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併
用してもよい。上記例示の化合物のうち、ジエチルエー
テル、およびテトラヒドロフランが、反応がより一層進
行し易いのでより好ましい。また、上記例示の化合物を
二種類以上、併用する場合には、該エーテル系溶媒は、
少なくともジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン
を含んでいることがより好ましい。本発明にかかる製造
方法においては、エーテル系溶媒として、環状エーテル
を用いることができる。さらに、本発明にかかる反応に
対して支障が無い範囲内で、エーテル系溶媒と共に、炭
化水素系溶媒を用いる（併用する）こともできる。
マグネシウム誘導体、ハロゲン化ホウ素、並びに、必要
に応じてフッ化アリールおよびハロゲン化炭化水素を溶
解し、かつ、本発明にかかる反応に対して不活性な液体
状の化合物であればよく、特に限定されるものではな
い。エーテル系溶媒としては、具体的には、例えば、ジ
エチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエーテル、
ジペンチルエーテル、ジイソペンチルエーテル、１，２
−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン、ジ−
２−メトキシエチルエーテル等の鎖状エーテル；テトラ
ヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサ
ン等の環状エーテル；等が挙げられる。これら化合物
は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を併
用してもよい。上記例示の化合物のうち、ジエチルエー
テル、およびテトラヒドロフランが、反応がより一層進
行し易いのでより好ましい。また、上記例示の化合物を
二種類以上、併用する場合には、該エーテル系溶媒は、
少なくともジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン
を含んでいることがより好ましい。本発明にかかる製造
方法においては、エーテル系溶媒として、環状エーテル
を用いることができる。さらに、本発明にかかる反応に
対して支障が無い範囲内で、エーテル系溶媒と共に、炭
化水素系溶媒を用いる（併用する）こともできる。
【００４１】エーテル系溶媒の使用量は、特に限定され
るものではないが、例えば、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体、または、ハロゲン化ホウ素の濃度が、０．１
重量％〜８０重量％程度となる量が好ましい。尚、エー
テル系溶媒にフッ化アリールマグネシウム誘導体、また
は、ハロゲン化ホウ素を溶解させる方法は、特に限定さ
れるものではない。つまり、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液の調製方
法、並びに、ハロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解
してなる溶液の調製方法は、特に限定されるものではな
い。
るものではないが、例えば、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体、または、ハロゲン化ホウ素の濃度が、０．１
重量％〜８０重量％程度となる量が好ましい。尚、エー
テル系溶媒にフッ化アリールマグネシウム誘導体、また
は、ハロゲン化ホウ素を溶解させる方法は、特に限定さ
れるものではない。つまり、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液の調製方
法、並びに、ハロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解
してなる溶液の調製方法は、特に限定されるものではな
い。
【００４２】フッ化アリールマグネシウム誘導体とハロ
ゲン化ホウ素とのモル比（フッ化アリールマグネシウム
誘導体／ハロゲン化ホウ素）は、特に限定されるもので
はないが、１．０〜５．０の範囲内がより好ましい。そ
して、上記のモル比を２．５以上、５．０以下の範囲
内、さらに好ましくは２．７以上、４．０以下の範囲
内、特に好ましくは２．８以上、３．７以下の範囲内に
することにより、前記一般式（３）中のｎが３である
（フッ化アリール）ホウ素化合物、即ち、トリス（フッ
化アリール）ホウ素を選択的に得ることができる。ま
た、上記のモル比を１．０以上、２．５未満の範囲内、
さらに好ましくは１．２以上、２．４以下の範囲内、特
に好ましくは１．３以上、２．３以下の範囲内にするこ
とにより、前記一般式（３）中のｎが２である（フッ化
アリール）ホウ素化合物、即ち、ビス（フッ化アリー
ル）ホウ素ハライドを主生成物とすることができる。上
記のモル比が１．０よりも小さいと、未反応のハロゲン
化ホウ素が多くなる。また、上記のモル比が５．０より
も大きいと、未反応のフッ化アリールマグネシウム誘導
体が多くなる。従って、トリス（フッ化アリール）ホウ
素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ
化アリール）ホウ素化合物を効率的に製造することがで
きなくなる場合がある。
ゲン化ホウ素とのモル比（フッ化アリールマグネシウム
誘導体／ハロゲン化ホウ素）は、特に限定されるもので
はないが、１．０〜５．０の範囲内がより好ましい。そ
して、上記のモル比を２．５以上、５．０以下の範囲
内、さらに好ましくは２．７以上、４．０以下の範囲
内、特に好ましくは２．８以上、３．７以下の範囲内に
することにより、前記一般式（３）中のｎが３である
（フッ化アリール）ホウ素化合物、即ち、トリス（フッ
化アリール）ホウ素を選択的に得ることができる。ま
た、上記のモル比を１．０以上、２．５未満の範囲内、
さらに好ましくは１．２以上、２．４以下の範囲内、特
に好ましくは１．３以上、２．３以下の範囲内にするこ
とにより、前記一般式（３）中のｎが２である（フッ化
アリール）ホウ素化合物、即ち、ビス（フッ化アリー
ル）ホウ素ハライドを主生成物とすることができる。上
記のモル比が１．０よりも小さいと、未反応のハロゲン
化ホウ素が多くなる。また、上記のモル比が５．０より
も大きいと、未反応のフッ化アリールマグネシウム誘導
体が多くなる。従って、トリス（フッ化アリール）ホウ
素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ
化アリール）ホウ素化合物を効率的に製造することがで
きなくなる場合がある。
【００４３】上記の炭化水素系溶媒は、エーテル系溶媒
の沸点よりも高い沸点を有すると共に、目的物であるト
リス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリー
ル）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合
物を溶解し、かつ、本発明にかかる反応に対して不活性
な液体状の化合物であればよく、特に限定されるもので
はない。炭化水素系溶媒としては、具体的には、例え
ば、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカ
ン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカ
ン、ヘキサデカン、オクタデカン、パラフィン、石油エ
ーテル等の、直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状の脂肪
族炭化水素等が挙げられる。これら化合物は、一種類の
みを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよ
い。さらに、炭化水素系溶媒には、本発明にかかる反応
に対して支障が無い範囲内で、ベンゼン、トルエン、ｏ
−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，２，３
−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼ
ン、１，２，５−トリメチルベンゼン、１，３，５−ト
リメチルベンゼン、エチルベンゼン、プロピルベンゼ
ン、ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素が混合されてい
てもよい。また、炭化水素系溶媒の沸点は、６０℃以上
がより好ましい。尚、炭化水素系溶媒およびエーテル系
溶媒は、共沸組成物を形成しないことがより望ましい。
の沸点よりも高い沸点を有すると共に、目的物であるト
リス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリー
ル）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合
物を溶解し、かつ、本発明にかかる反応に対して不活性
な液体状の化合物であればよく、特に限定されるもので
はない。炭化水素系溶媒としては、具体的には、例え
ば、ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、シクロヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカ
ン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカ
ン、ヘキサデカン、オクタデカン、パラフィン、石油エ
ーテル等の、直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状の脂肪
族炭化水素等が挙げられる。これら化合物は、一種類の
みを用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよ
い。さらに、炭化水素系溶媒には、本発明にかかる反応
に対して支障が無い範囲内で、ベンゼン、トルエン、ｏ
−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、１，２，３
−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼ
ン、１，２，５−トリメチルベンゼン、１，３，５−ト
リメチルベンゼン、エチルベンゼン、プロピルベンゼ
ン、ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素が混合されてい
てもよい。また、炭化水素系溶媒の沸点は、６０℃以上
がより好ましい。尚、炭化水素系溶媒およびエーテル系
溶媒は、共沸組成物を形成しないことがより望ましい。
【００４４】エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒の好
適な組み合わせとしては、ジエチルエーテルおよびヘキ
サン、ジエチルエーテルおよびシクロヘキサン、ジエチ
ルエーテルおよびヘプタン、ジエチルエーテルおよびオ
クタン、ジエチルエーテルおよびＩｓｏｐａｒＥ（商品
名；Ｅｘｘｏｎ社製、炭素数が１０程度のイソパラフィ
ンの混合物）、ジエチルエーテルおよびデカン、ジエチ
ルエーテルおよびオクタデカン、ジエチルエーテルおよ
び流動パラフィン、テトラヒドロフランおよびヘプタ
ン、テトラヒドロフランおよびオクタン、テトラヒドロ
フランおよびＩｓｏｐａｒＥ、テトラヒドロフランおよ
びデカン、テトラヒドロフランおよびオクタデカン、テ
トラヒドロフランおよび流動パラフィン、等が挙げられ
る。
適な組み合わせとしては、ジエチルエーテルおよびヘキ
サン、ジエチルエーテルおよびシクロヘキサン、ジエチ
ルエーテルおよびヘプタン、ジエチルエーテルおよびオ
クタン、ジエチルエーテルおよびＩｓｏｐａｒＥ（商品
名；Ｅｘｘｏｎ社製、炭素数が１０程度のイソパラフィ
ンの混合物）、ジエチルエーテルおよびデカン、ジエチ
ルエーテルおよびオクタデカン、ジエチルエーテルおよ
び流動パラフィン、テトラヒドロフランおよびヘプタ
ン、テトラヒドロフランおよびオクタン、テトラヒドロ
フランおよびＩｓｏｐａｒＥ、テトラヒドロフランおよ
びデカン、テトラヒドロフランおよびオクタデカン、テ
トラヒドロフランおよび流動パラフィン、等が挙げられ
る。
【００４５】また、炭化水素系溶媒の使用量は、特に限
定されるものではないが、例えば、エーテル系溶媒を留
去しながら反応させる際における、目的物であるトリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物の濃
度が、より好ましくは０．１重量％〜８０重量％の範囲
内、さらに好ましくは０．１重量％〜５０重量％の範囲
内となるように調節すればよい。特に、該濃度を０．１
重量％〜５０重量％の範囲内に調節することによって、
（フッ化アリール）ホウ素化合物を、より一層高純度で
得ることができる。上記濃度を調節する方法は、特に限
定されるものではないが、例えば、エーテル系溶媒を留
去しながら反応させる際に、炭化水素系溶媒を反応系に
適宜追加する方法；反応器に蒸留塔を設け、炭化水素系
溶媒とエーテル系溶媒とを分留して該炭化水素系溶媒を
反応系に還流する方法；等がより好ましい。
定されるものではないが、例えば、エーテル系溶媒を留
去しながら反応させる際における、目的物であるトリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物の濃
度が、より好ましくは０．１重量％〜８０重量％の範囲
内、さらに好ましくは０．１重量％〜５０重量％の範囲
内となるように調節すればよい。特に、該濃度を０．１
重量％〜５０重量％の範囲内に調節することによって、
（フッ化アリール）ホウ素化合物を、より一層高純度で
得ることができる。上記濃度を調節する方法は、特に限
定されるものではないが、例えば、エーテル系溶媒を留
去しながら反応させる際に、炭化水素系溶媒を反応系に
適宜追加する方法；反応器に蒸留塔を設け、炭化水素系
溶媒とエーテル系溶媒とを分留して該炭化水素系溶媒を
反応系に還流する方法；等がより好ましい。
【００４６】フッ化アリールマグネシウム誘導体をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液（以下、マグネシウム誘
導体溶液と称する）、および、ハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液（以下、ハロゲン化ホウ
素溶液と称する）を、炭化水素系溶媒に混合する混合順
序は、特に限定されるものではない。混合順序として
は、具体的には、マグネシウム誘導体溶液およびハロゲ
ン化ホウ素溶液を実質的に同時に炭化水素系溶媒に混合
する混合順序、並びに、マグネシウム誘導体溶液および
ハロゲン化ホウ素溶液を混合した後、該混合溶液を炭化
水素系溶媒に混合する混合順序が特に好ましい。
テル系溶媒に溶解してなる溶液（以下、マグネシウム誘
導体溶液と称する）、および、ハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液（以下、ハロゲン化ホウ
素溶液と称する）を、炭化水素系溶媒に混合する混合順
序は、特に限定されるものではない。混合順序として
は、具体的には、マグネシウム誘導体溶液およびハロゲ
ン化ホウ素溶液を実質的に同時に炭化水素系溶媒に混合
する混合順序、並びに、マグネシウム誘導体溶液および
ハロゲン化ホウ素溶液を混合した後、該混合溶液を炭化
水素系溶媒に混合する混合順序が特に好ましい。
【００４７】尚、エーテル系溶媒の存在下でフッ化アリ
ールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素とを長時間
接触させると、副反応が起こってトリス（フッ化アリー
ル）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等
の（フッ化アリール）ホウ素化合物の収率および選択率
が低下し易い。このため、マグネシウム誘導体溶液およ
びハロゲン化ホウ素溶液を混合した後、該混合溶液を炭
化水素系溶媒に混合する場合には、上記の混合溶液を炭
化水素系溶媒に出来るだけ速やかに混合することが望ま
しい。
ールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素とを長時間
接触させると、副反応が起こってトリス（フッ化アリー
ル）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等
の（フッ化アリール）ホウ素化合物の収率および選択率
が低下し易い。このため、マグネシウム誘導体溶液およ
びハロゲン化ホウ素溶液を混合した後、該混合溶液を炭
化水素系溶媒に混合する場合には、上記の混合溶液を炭
化水素系溶媒に出来るだけ速やかに混合することが望ま
しい。
【００４８】さらに、マグネシウム誘導体溶液およびハ
ロゲン化ホウ素溶液を混合する場合における両者の混合
温度は、好ましくは８０℃以下、より好ましくは−４０
℃〜７０℃の範囲内、さらに好ましくは−２０℃〜５０
℃の範囲内に調節する。８０℃以下の温度でマグネシウ
ム誘導体溶液およびハロゲン化ホウ素溶液を混合するこ
とにより、副反応を抑制することができる。該混合温度
が８０℃を越えると、副反応を抑制することが困難とな
り、トリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化ア
リール）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素
化合物の収率および選択率が低下する。尚、混合温度を
−４０℃よりも低く調節しても、上記の温度範囲内で混
合する場合と比較して、顕著な効果が得られない。
ロゲン化ホウ素溶液を混合する場合における両者の混合
温度は、好ましくは８０℃以下、より好ましくは−４０
℃〜７０℃の範囲内、さらに好ましくは−２０℃〜５０
℃の範囲内に調節する。８０℃以下の温度でマグネシウ
ム誘導体溶液およびハロゲン化ホウ素溶液を混合するこ
とにより、副反応を抑制することができる。該混合温度
が８０℃を越えると、副反応を抑制することが困難とな
り、トリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化ア
リール）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素
化合物の収率および選択率が低下する。尚、混合温度を
−４０℃よりも低く調節しても、上記の温度範囲内で混
合する場合と比較して、顕著な効果が得られない。
【００４９】マグネシウム誘導体溶液およびハロゲン化
ホウ素溶液を上記の炭化水素系溶媒に混合する混合方
法、若しくは、マグネシウム誘導体溶液とハロゲン化ホ
ウ素溶液とを混合する混合方法は、特に限定されるもの
ではないが、連続的若しくは逐次的に滴下することが好
ましい。
ホウ素溶液を上記の炭化水素系溶媒に混合する混合方
法、若しくは、マグネシウム誘導体溶液とハロゲン化ホ
ウ素溶液とを混合する混合方法は、特に限定されるもの
ではないが、連続的若しくは逐次的に滴下することが好
ましい。
【００５０】マグネシウム誘導体溶液およびハロゲン化
ホウ素溶液を、非水溶媒である上記の炭化水素系溶媒に
混合すると共に、エーテル系溶媒を留去しながら攪拌す
ることにより、該炭化水素系溶媒中でフッ化アリールマ
グネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素との反応が進行す
る。反応時においては、反応系に水が存在すると、フッ
化アリールマグネシウム誘導体が水と反応して分解す
る。従って、上記の反応は、窒素ガス等の不活性ガス雰
囲気下で行うことが望ましい。また、前記の混合時にお
いても、反応系、即ち、反応容器内は、窒素ガス等の不
活性ガスによって置換されていることが望ましい。さら
に、上記のエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、およびハ
ロゲン化ホウ素は、水分を含んでいないことが望まし
い。尚、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、およびハロ
ゲン化ホウ素の脱水方法は、特に限定されるものではな
い。
ホウ素溶液を、非水溶媒である上記の炭化水素系溶媒に
混合すると共に、エーテル系溶媒を留去しながら攪拌す
ることにより、該炭化水素系溶媒中でフッ化アリールマ
グネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素との反応が進行す
る。反応時においては、反応系に水が存在すると、フッ
化アリールマグネシウム誘導体が水と反応して分解す
る。従って、上記の反応は、窒素ガス等の不活性ガス雰
囲気下で行うことが望ましい。また、前記の混合時にお
いても、反応系、即ち、反応容器内は、窒素ガス等の不
活性ガスによって置換されていることが望ましい。さら
に、上記のエーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、およびハ
ロゲン化ホウ素は、水分を含んでいないことが望まし
い。尚、エーテル系溶媒、炭化水素系溶媒、およびハロ
ゲン化ホウ素の脱水方法は、特に限定されるものではな
い。
【００５１】エーテル系溶媒は、フッ化アリールマグネ
シウム誘導体とハロゲン化ホウ素との反応が完結するま
でに留去すればよい。留去するタイミングとしては、具
体的には、例えば、マグネシウム誘導体溶液および／
またはハロゲン化ホウ素溶液を炭化水素系溶媒に混合し
た後、留去する；マグネシウム誘導体溶液および／ま
たはハロゲン化ホウ素溶液を炭化水素系溶媒に混合しな
がら、留去する（混合と留去とを同時に行う）；等が挙
げられるが、特に限定されるものではない。但し、前記
した理由により、エーテル系溶媒は、出来るだけ速やか
に留去することが望ましい。このため、マグネシウム誘
導体溶液および／またはハロゲン化ホウ素溶液を炭化水
素系溶媒に混合しながら、留去することが特に好まし
い。
シウム誘導体とハロゲン化ホウ素との反応が完結するま
でに留去すればよい。留去するタイミングとしては、具
体的には、例えば、マグネシウム誘導体溶液および／
またはハロゲン化ホウ素溶液を炭化水素系溶媒に混合し
た後、留去する；マグネシウム誘導体溶液および／ま
たはハロゲン化ホウ素溶液を炭化水素系溶媒に混合しな
がら、留去する（混合と留去とを同時に行う）；等が挙
げられるが、特に限定されるものではない。但し、前記
した理由により、エーテル系溶媒は、出来るだけ速やか
に留去することが望ましい。このため、マグネシウム誘
導体溶液および／またはハロゲン化ホウ素溶液を炭化水
素系溶媒に混合しながら、留去することが特に好まし
い。
【００５２】エーテル系溶媒を留去する際の温度は、３
０℃〜２００℃の範囲内、より好ましくは３０℃〜１５
０℃の範囲内に調節する。これにより、エーテル系溶媒
の残存量を少なくすることができる。特に、該温度を３
０℃〜１５０℃の範囲内に調節することによって、（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物を、より一層高純度で得る
ことができる。エーテル系溶媒の留去は、常圧（大気
圧）、減圧、加圧の何れで実施してもよい。
０℃〜２００℃の範囲内、より好ましくは３０℃〜１５
０℃の範囲内に調節する。これにより、エーテル系溶媒
の残存量を少なくすることができる。特に、該温度を３
０℃〜１５０℃の範囲内に調節することによって、（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物を、より一層高純度で得る
ことができる。エーテル系溶媒の留去は、常圧（大気
圧）、減圧、加圧の何れで実施してもよい。
【００５３】反応温度は、３０℃〜２００℃の範囲内、
より好ましくは３０℃〜１７０℃の範囲内、さらに好ま
しくは３０℃〜１５０℃の範囲内に調節する。反応温度
が３０℃未満であると、反応の進行が遅くなり、トリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を効
率的に製造することができなくなるので好ましくない。
また、反応温度が２００℃を越えると、反応を制御する
ことが困難となる。
より好ましくは３０℃〜１７０℃の範囲内、さらに好ま
しくは３０℃〜１５０℃の範囲内に調節する。反応温度
が３０℃未満であると、反応の進行が遅くなり、トリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を効
率的に製造することができなくなるので好ましくない。
また、反応温度が２００℃を越えると、反応を制御する
ことが困難となる。
【００５４】反応時間は、上記反応が完結するように、
反応温度や、フッ化アリールマグネシウム誘導体とハロ
ゲン化ホウ素との組み合わせ、モル比等に応じて、適宜
設定すればよい。また、反応圧力は、特に限定されるも
のではなく、常圧（大気圧）、減圧、加圧の何れであっ
てもよい。
反応温度や、フッ化アリールマグネシウム誘導体とハロ
ゲン化ホウ素との組み合わせ、モル比等に応じて、適宜
設定すればよい。また、反応圧力は、特に限定されるも
のではなく、常圧（大気圧）、減圧、加圧の何れであっ
てもよい。
【００５５】上記の方法により、前記一般式（３）で表
される（フッ化アリール）ホウ素化合物が生成する。ま
た、一般式（Ｂ） ＭｇＸａＸｂ ……（Ｂ） （式中、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を
表し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨ
ウ素原子を表す）で表されるハロゲン化マグネシウムが
副生される。尚、該ハロゲン化マグネシウムは、必要に
応じて、（フッ化アリール）ホウ素化合物と分離すれば
よい。該分離方法は、特に限定されるものではない。そ
して、二種類以上のフッ化アリールマグネシウム誘導体
を混合して用いた場合には、数種類の（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物の混合物が得られる。
される（フッ化アリール）ホウ素化合物が生成する。ま
た、一般式（Ｂ） ＭｇＸａＸｂ ……（Ｂ） （式中、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を
表し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨ
ウ素原子を表す）で表されるハロゲン化マグネシウムが
副生される。尚、該ハロゲン化マグネシウムは、必要に
応じて、（フッ化アリール）ホウ素化合物と分離すれば
よい。該分離方法は、特に限定されるものではない。そ
して、二種類以上のフッ化アリールマグネシウム誘導体
を混合して用いた場合には、数種類の（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物の混合物が得られる。
【００５６】上記の方法によれば、反応の制御が容易で
あるので、エーテル系溶媒が鎖状エーテル系溶媒にのみ
限定されない。つまり、取り扱いが比較的容易である環
状エーテル系溶媒を用いることができる。また、得られ
るトリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリ
ール）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化
合物が錯体や四級化物を形成しないので、精製が容易で
ある。これにより、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造
することができる。つまり、従来の方法と比較して、工
業的に有利であり、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を高収率並びに高選択率で得るこ
とができる。（フッ化アリール）ホウ素化合物、とりわ
け、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素は、例え
ば、メタロセン触媒（重合触媒）の活性を高める助触媒
として有用である。さらに、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体がペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマ
イドである場合には、トリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ホウ素やビス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素ハ
ライド等の（ペンタフルオロフェニル）ホウ素化合物を
効率的にかつ簡単に安価に製造することができる。
あるので、エーテル系溶媒が鎖状エーテル系溶媒にのみ
限定されない。つまり、取り扱いが比較的容易である環
状エーテル系溶媒を用いることができる。また、得られ
るトリス（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリ
ール）ホウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化
合物が錯体や四級化物を形成しないので、精製が容易で
ある。これにより、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造
することができる。つまり、従来の方法と比較して、工
業的に有利であり、トリス（フッ化アリール）ホウ素や
ビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化ア
リール）ホウ素化合物を高収率並びに高選択率で得るこ
とができる。（フッ化アリール）ホウ素化合物、とりわ
け、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素は、例え
ば、メタロセン触媒（重合触媒）の活性を高める助触媒
として有用である。さらに、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体がペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマ
イドである場合には、トリス（ペンタフルオロフェニ
ル）ホウ素やビス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素ハ
ライド等の（ペンタフルオロフェニル）ホウ素化合物を
効率的にかつ簡単に安価に製造することができる。
【００５７】次に、前記一般式（４）で表されるフッ化
アリールを出発物質とする（フッ化アリール）ホウ素化
合物の製造方法について説明する。
アリールを出発物質とする（フッ化アリール）ホウ素化
合物の製造方法について説明する。
【００５８】前記一般式（４）で表されるフッ化アリー
ルとしては、具体的には、例えば、ペンタフルオロベン
ゼン、１，２，３，５−テトラフルオロベンゼン、１，
２，４，５−テトラフルオロベンゼン、１，２，４−ト
リフルオロベンゼン、１，３，５−トリフルオロベンゼ
ン、１，３−ジフルオロベンゼン、２，３，５，６−テ
トラフルオロトルエン、２，３，４，６−テトラフルオ
ロトルエン、２，３，５−トリフルオロトルエン、２，
４，６−トリフルオロトルエン、２，４−ジフルオロト
ルエン、２，３，５，６−テトラフルオロアニソール、
２，３，４，６−テトラフルオロアニソール、２，４，
５−トリフルオロアニソール、２，４，６−トリフルオ
ロアニソール、２，４−ジフルオロアニソール、３，５
−ジフルオロアニソール等が挙げられる。
ルとしては、具体的には、例えば、ペンタフルオロベン
ゼン、１，２，３，５−テトラフルオロベンゼン、１，
２，４，５−テトラフルオロベンゼン、１，２，４−ト
リフルオロベンゼン、１，３，５−トリフルオロベンゼ
ン、１，３−ジフルオロベンゼン、２，３，５，６−テ
トラフルオロトルエン、２，３，４，６−テトラフルオ
ロトルエン、２，３，５−トリフルオロトルエン、２，
４，６−トリフルオロトルエン、２，４−ジフルオロト
ルエン、２，３，５，６−テトラフルオロアニソール、
２，３，４，６−テトラフルオロアニソール、２，４，
５−トリフルオロアニソール、２，４，６−トリフルオ
ロアニソール、２，４−ジフルオロアニソール、３，５
−ジフルオロアニソール等が挙げられる。
【００５９】前記一般式（５）で表されるハロゲン化炭
化水素は、式中、Ｒ0 で示される置換基が炭化水素基で
あり、Ｘａが塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で構
成される化合物である。上記の炭化水素基とは、具体的
には、例えば、アリール基、炭素数１〜１２の直鎖状、
枝分かれ鎖状、または環状のアルキル基、および、炭素
数２〜１２の直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状のアル
ケニル基等を示す。尚、上記の炭化水素基は、本発明に
かかる反応に対して不活性な官能基をさらに有していて
もよい。該官能基としては、具体的には、例えば、メト
キシ基、メチルチオ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、ｏ
−アニス基、ｐ−アニス基、トリメチルシリル基、ジメ
チル−ｔ−ブチルシリルオキシ基、トリフルオロメチル
基等が挙げられる。
化水素は、式中、Ｒ0 で示される置換基が炭化水素基で
あり、Ｘａが塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子で構
成される化合物である。上記の炭化水素基とは、具体的
には、例えば、アリール基、炭素数１〜１２の直鎖状、
枝分かれ鎖状、または環状のアルキル基、および、炭素
数２〜１２の直鎖状、枝分かれ鎖状、または環状のアル
ケニル基等を示す。尚、上記の炭化水素基は、本発明に
かかる反応に対して不活性な官能基をさらに有していて
もよい。該官能基としては、具体的には、例えば、メト
キシ基、メチルチオ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、ｏ
−アニス基、ｐ−アニス基、トリメチルシリル基、ジメ
チル−ｔ−ブチルシリルオキシ基、トリフルオロメチル
基等が挙げられる。
【００６０】上記のハロゲン化炭化水素としては、具体
的には、例えば、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチ
ル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化ｎ−
プロピル、臭化ｎ−プロピル、ヨウ化ｎ−プロピル、塩
化イソプロピル、臭化イソプロピル、ヨウ化イソプロピ
ル、塩化ｎ−ブチル、臭化ｎ−ブチル、ヨウ化ｎ−ブチ
ル、塩化イソブチル、臭化イソブチル、ヨウ化イソブチ
ル、塩化 sec−ブチル、臭化 sec−ブチル、ヨウ化 sec
−ブチル、塩化ｔ−ブチル、臭化ｔ−ブチル、ヨウ化ｔ
−ブチル、塩化ヘキシル、臭化ヘキシル、ヨウ化ヘキシ
ル、塩化シクロヘキシル、臭化シクロヘキシル、ヨウ化
シクロヘキシル、塩化アリル、臭化アリル、ヨウ化アリ
ル、塩化ベンゼン、臭化ベンゼン、ヨウ化ベンゼン等が
挙げられる。上記例示のハロゲン化炭化水素のうち、塩
化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化イソプロピ
ル、臭化イソプロピル、ヨウ化イソプロピル、塩化アリ
ル、臭化アリル、ヨウ化アリルが特に好ましい。また、
ハロゲン化炭化水素は、必要に応じて、二種類以上を併
用することもできる。
的には、例えば、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチ
ル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化ｎ−
プロピル、臭化ｎ−プロピル、ヨウ化ｎ−プロピル、塩
化イソプロピル、臭化イソプロピル、ヨウ化イソプロピ
ル、塩化ｎ−ブチル、臭化ｎ−ブチル、ヨウ化ｎ−ブチ
ル、塩化イソブチル、臭化イソブチル、ヨウ化イソブチ
ル、塩化 sec−ブチル、臭化 sec−ブチル、ヨウ化 sec
−ブチル、塩化ｔ−ブチル、臭化ｔ−ブチル、ヨウ化ｔ
−ブチル、塩化ヘキシル、臭化ヘキシル、ヨウ化ヘキシ
ル、塩化シクロヘキシル、臭化シクロヘキシル、ヨウ化
シクロヘキシル、塩化アリル、臭化アリル、ヨウ化アリ
ル、塩化ベンゼン、臭化ベンゼン、ヨウ化ベンゼン等が
挙げられる。上記例示のハロゲン化炭化水素のうち、塩
化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化イソプロピ
ル、臭化イソプロピル、ヨウ化イソプロピル、塩化アリ
ル、臭化アリル、ヨウ化アリルが特に好ましい。また、
ハロゲン化炭化水素は、必要に応じて、二種類以上を併
用することもできる。
【００６１】フッ化アリールに対するハロゲン化炭化水
素の割合は、特に限定されるものではないが、０．５当
量以上がより好ましく、０．５当量〜３．０当量の範囲
内がさらに好ましく、０．８当量〜１．５当量の範囲内
が特に好ましい。ハロゲン化炭化水素の割合が０．５当
量未満であると、未反応のフッ化アリールが多くなり、
前記一般式（６）で表されるフッ化アリールマグネシウ
ム誘導体を効率的に調製することができなくなる場合が
ある。
素の割合は、特に限定されるものではないが、０．５当
量以上がより好ましく、０．５当量〜３．０当量の範囲
内がさらに好ましく、０．８当量〜１．５当量の範囲内
が特に好ましい。ハロゲン化炭化水素の割合が０．５当
量未満であると、未反応のフッ化アリールが多くなり、
前記一般式（６）で表されるフッ化アリールマグネシウ
ム誘導体を効率的に調製することができなくなる場合が
ある。
【００６２】上記マグネシウムは、反応がより一層進行
し易いように、表面積が比較的広い形状、例えば、粉末
状、粒状、薄片状（リボン状）等であることが望まし
い。フッ化アリールに対するマグネシウムの割合は、特
に限定されるものではないが、０．５当量以上がより好
ましく、０．５当量〜３．０当量の範囲内がさらに好ま
しく、０．８当量〜１．５当量の範囲内が特に好まし
い。マグネシウムの割合が０．５当量未満であると、未
反応のフッ化アリールが多くなり、フッ化アリールマグ
ネシウム誘導体を効率的に調製することができなくなる
場合がある。
し易いように、表面積が比較的広い形状、例えば、粉末
状、粒状、薄片状（リボン状）等であることが望まし
い。フッ化アリールに対するマグネシウムの割合は、特
に限定されるものではないが、０．５当量以上がより好
ましく、０．５当量〜３．０当量の範囲内がさらに好ま
しく、０．８当量〜１．５当量の範囲内が特に好まし
い。マグネシウムの割合が０．５当量未満であると、未
反応のフッ化アリールが多くなり、フッ化アリールマグ
ネシウム誘導体を効率的に調製することができなくなる
場合がある。
【００６３】前記一般式（６）で表されるフッ化アリー
ルマグネシウム誘導体を経由する反応に好適なエーテル
系溶媒としては、前記例示の鎖状エーテル、環状エーテ
ル等が挙げられる。これら化合物は、一種類のみを用い
てもよく、また、二種類以上を併用してもよい。上記例
示の化合物のうち、ジエチルエーテル、およびテトラヒ
ドロフランが、反応がより一層進行し易いのでより好ま
しい。また、上記例示の化合物を二種類以上、併用する
場合には、該エーテル系溶媒は、少なくともジエチルエ
ーテルまたはテトラヒドロフランを含んでいることがよ
り好ましい。
ルマグネシウム誘導体を経由する反応に好適なエーテル
系溶媒としては、前記例示の鎖状エーテル、環状エーテ
ル等が挙げられる。これら化合物は、一種類のみを用い
てもよく、また、二種類以上を併用してもよい。上記例
示の化合物のうち、ジエチルエーテル、およびテトラヒ
ドロフランが、反応がより一層進行し易いのでより好ま
しい。また、上記例示の化合物を二種類以上、併用する
場合には、該エーテル系溶媒は、少なくともジエチルエ
ーテルまたはテトラヒドロフランを含んでいることがよ
り好ましい。
【００６４】エーテル系溶媒の使用量は、特に限定され
るものではないが、例えば、得られるフッ化アリールマ
グネシウム誘導体の濃度が、０．１重量％〜８０重量％
程度となる量が好ましい。
るものではないが、例えば、得られるフッ化アリールマ
グネシウム誘導体の濃度が、０．１重量％〜８０重量％
程度となる量が好ましい。
【００６５】前記一般式（６）で表されるフッ化アリー
ルマグネシウム誘導体を経由する反応に好適な炭化水素
系溶媒としては、前記例示の脂肪族炭化水素、芳香族炭
化水素等が挙げられる。これら化合物は、一種類のみを
用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。
ルマグネシウム誘導体を経由する反応に好適な炭化水素
系溶媒としては、前記例示の脂肪族炭化水素、芳香族炭
化水素等が挙げられる。これら化合物は、一種類のみを
用いてもよく、また、二種類以上を併用してもよい。
【００６６】また、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒と
の混合比率は、両者が均一に混合されて混合溶媒となる
比率であればよく、特に限定されるものではないが、容
量比で、１：０〜１：１０の範囲内が好ましい。また、
非水溶媒である混合溶媒の使用量は、特に限定されるも
のではないが、例えば、得られるフッ化アリールマグネ
シウム誘導体の濃度が、０．１重量％〜８０重量％程度
となる量が好ましい。
の混合比率は、両者が均一に混合されて混合溶媒となる
比率であればよく、特に限定されるものではないが、容
量比で、１：０〜１：１０の範囲内が好ましい。また、
非水溶媒である混合溶媒の使用量は、特に限定されるも
のではないが、例えば、得られるフッ化アリールマグネ
シウム誘導体の濃度が、０．１重量％〜８０重量％程度
となる量が好ましい。
【００６７】エーテル系溶媒、または、エーテル系溶媒
と炭化水素系溶媒との混合溶媒（以下、両者をまとめて
単に溶媒と記す）に、フッ化アリール、ハロゲン化炭化
水素、およびマグネシウムを混合する混合順序は、特に
限定されるものではない。混合順序としては、具体的に
は、例えば、フッ化アリール、ハロゲン化炭化水素、
およびマグネシウムを実質的に同時に溶媒に混合する；
フッ化アリールおよびマグネシウムを溶媒に混合した
後、ハロゲン化炭化水素を混合する；フッ化アリール
を溶媒に混合した後、ハロゲン化炭化水素およびマグネ
シウムを実質的に同時に混合する；マグネシウムを溶
媒に混合した後、フッ化アリールおよびハロゲン化炭化
水素を実質的に同時に混合する；マグネシウムを溶媒
に混合した後、フッ化アリールを混合し、次いで、ハロ
ゲン化炭化水素を混合する；フッ化アリールおよびハ
ロゲン化炭化水素を溶媒に混合した後、マグネシウムを
混合する；等が挙げられる。上記例示の方法のうち、フ
ッ化アリールおよびマグネシウムを溶媒に混合した後、
ハロゲン化炭化水素を混合する混合順序が特に好まし
い。
と炭化水素系溶媒との混合溶媒（以下、両者をまとめて
単に溶媒と記す）に、フッ化アリール、ハロゲン化炭化
水素、およびマグネシウムを混合する混合順序は、特に
限定されるものではない。混合順序としては、具体的に
は、例えば、フッ化アリール、ハロゲン化炭化水素、
およびマグネシウムを実質的に同時に溶媒に混合する；
フッ化アリールおよびマグネシウムを溶媒に混合した
後、ハロゲン化炭化水素を混合する；フッ化アリール
を溶媒に混合した後、ハロゲン化炭化水素およびマグネ
シウムを実質的に同時に混合する；マグネシウムを溶
媒に混合した後、フッ化アリールおよびハロゲン化炭化
水素を実質的に同時に混合する；マグネシウムを溶媒
に混合した後、フッ化アリールを混合し、次いで、ハロ
ゲン化炭化水素を混合する；フッ化アリールおよびハ
ロゲン化炭化水素を溶媒に混合した後、マグネシウムを
混合する；等が挙げられる。上記例示の方法のうち、フ
ッ化アリールおよびマグネシウムを溶媒に混合した後、
ハロゲン化炭化水素を混合する混合順序が特に好まし
い。
【００６８】フッ化アリールおよび／またはハロゲン化
炭化水素を上記の溶媒に混合する混合方法は、特に限定
されるものではないが、連続的若しくは逐次的に滴下す
ることが好ましい。フッ化アリールやハロゲン化炭化水
素を滴下することにより、反応をより一層容易に制御す
ることができる。尚、滴下方法は、特に限定されるもの
ではない。フッ化アリールやハロゲン化炭化水素は、そ
のまま滴下してもよく、また、溶媒を加えて薄めた状態
で滴下してもよい。
炭化水素を上記の溶媒に混合する混合方法は、特に限定
されるものではないが、連続的若しくは逐次的に滴下す
ることが好ましい。フッ化アリールやハロゲン化炭化水
素を滴下することにより、反応をより一層容易に制御す
ることができる。尚、滴下方法は、特に限定されるもの
ではない。フッ化アリールやハロゲン化炭化水素は、そ
のまま滴下してもよく、また、溶媒を加えて薄めた状態
で滴下してもよい。
【００６９】フッ化アリールおよび／またはハロゲン化
炭化水素を上記の溶媒に混合する際の混合温度は、特に
限定されるものではないが、ハロゲン化炭化水素を溶媒
に混合する際には、混合温度を、−２０℃以上、当該溶
媒の還流温度以下、より好ましくは−２０℃〜１００℃
の範囲内、さらに好ましくは２０℃〜７０℃の範囲内に
調節する。上記の温度範囲内でハロゲン化炭化水素を溶
媒に混合することにより、反応をより一層容易に制御す
ることができる。該混合温度を−２０℃よりも低く調節
しても、上記の温度範囲内で混合する場合と比較して、
顕著な効果が得られないので、工業的に不利である。ま
た、混合温度が当該溶媒の還流温度を越えると、反応を
制御することが困難となる。尚、混合温度を、−２０℃
以上、当該溶媒の還流温度以下の範囲内に調節すること
は、工業的に容易である。
炭化水素を上記の溶媒に混合する際の混合温度は、特に
限定されるものではないが、ハロゲン化炭化水素を溶媒
に混合する際には、混合温度を、−２０℃以上、当該溶
媒の還流温度以下、より好ましくは−２０℃〜１００℃
の範囲内、さらに好ましくは２０℃〜７０℃の範囲内に
調節する。上記の温度範囲内でハロゲン化炭化水素を溶
媒に混合することにより、反応をより一層容易に制御す
ることができる。該混合温度を−２０℃よりも低く調節
しても、上記の温度範囲内で混合する場合と比較して、
顕著な効果が得られないので、工業的に不利である。ま
た、混合温度が当該溶媒の還流温度を越えると、反応を
制御することが困難となる。尚、混合温度を、−２０℃
以上、当該溶媒の還流温度以下の範囲内に調節すること
は、工業的に容易である。
【００７０】フッ化アリール、ハロゲン化炭化水素、お
よびマグネシウムを、非水溶媒である上記の溶媒に混合
した後、攪拌することにより、該溶媒中で三者の反応が
進行する。そして、マグネシウムは、反応の進行に伴っ
て徐々に溶解する。反応時においては、反応系に水が存
在すると、生成するフッ化アリールマグネシウム誘導体
が水と反応して分解する。従って、上記の反応は、窒素
ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。ま
た、前記の混合時においても、反応系、即ち、反応容器
内は、窒素ガス等の不活性ガスによって置換されている
ことが望ましい。さらに、上記の溶媒、フッ化アリー
ル、およびハロゲン化炭化水素は、水分を含んでいない
ことが望ましい。尚、フッ化アリール、ハロゲン化炭化
水素、および溶媒の脱水方法は、特に限定されるもので
はない。
よびマグネシウムを、非水溶媒である上記の溶媒に混合
した後、攪拌することにより、該溶媒中で三者の反応が
進行する。そして、マグネシウムは、反応の進行に伴っ
て徐々に溶解する。反応時においては、反応系に水が存
在すると、生成するフッ化アリールマグネシウム誘導体
が水と反応して分解する。従って、上記の反応は、窒素
ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。ま
た、前記の混合時においても、反応系、即ち、反応容器
内は、窒素ガス等の不活性ガスによって置換されている
ことが望ましい。さらに、上記の溶媒、フッ化アリー
ル、およびハロゲン化炭化水素は、水分を含んでいない
ことが望ましい。尚、フッ化アリール、ハロゲン化炭化
水素、および溶媒の脱水方法は、特に限定されるもので
はない。
【００７１】反応温度は、３０℃以上、当該溶媒の還流
温度以下、より好ましくは３０℃〜２００℃の範囲内、
さらに好ましくは３０℃〜７０℃の範囲内に調節する。
反応温度が３０℃未満であると、反応の進行が遅くな
り、フッ化アリールマグネシウム誘導体を効率的に調製
することができなくなるので好ましくない。また、反応
温度が当該溶媒の還流温度を越えると、反応を制御する
ことが困難となる。
温度以下、より好ましくは３０℃〜２００℃の範囲内、
さらに好ましくは３０℃〜７０℃の範囲内に調節する。
反応温度が３０℃未満であると、反応の進行が遅くな
り、フッ化アリールマグネシウム誘導体を効率的に調製
することができなくなるので好ましくない。また、反応
温度が当該溶媒の還流温度を越えると、反応を制御する
ことが困難となる。
【００７２】反応時間は、上記反応が完結するように、
反応温度や、フッ化アリールとハロゲン化炭化水素との
組み合わせ、使用量等に応じて、適宜設定すればよい。
また、反応圧力は、特に限定されるものではなく、常
圧、減圧、加圧の何れであってもよい。
反応温度や、フッ化アリールとハロゲン化炭化水素との
組み合わせ、使用量等に応じて、適宜設定すればよい。
また、反応圧力は、特に限定されるものではなく、常
圧、減圧、加圧の何れであってもよい。
【００７３】上記の方法により、前記一般式（６）で表
されるフッ化アリールマグネシウム誘導体が生成する。
つまり、フッ化アリールマグネシウム誘導体の溶液が得
られる。また、一般式（Ｃ） Ｒ0 Ｈ ……（Ｃ） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表す）で表される炭化水素
が副生される。尚、該炭化水素は、必要に応じて、フッ
化アリールマグネシウム誘導体と分離すればよい。該分
離方法は、特に限定されるものではない。
されるフッ化アリールマグネシウム誘導体が生成する。
つまり、フッ化アリールマグネシウム誘導体の溶液が得
られる。また、一般式（Ｃ） Ｒ0 Ｈ ……（Ｃ） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表す）で表される炭化水素
が副生される。尚、該炭化水素は、必要に応じて、フッ
化アリールマグネシウム誘導体と分離すればよい。該分
離方法は、特に限定されるものではない。
【００７４】そして、上記の方法により得られたフッ化
アリールマグネシウム誘導体と、前記一般式（２）で表
されるハロゲン化ホウ素とを反応させる（in-situ で反
応させる）ことにより、前記一般式（７）で表される
（フッ化アリール）ホウ素化合物が得られる。フッ化ア
リールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素とのモル
比は、特に限定されるものではないが、前記例示の範囲
内がより好ましい。
アリールマグネシウム誘導体と、前記一般式（２）で表
されるハロゲン化ホウ素とを反応させる（in-situ で反
応させる）ことにより、前記一般式（７）で表される
（フッ化アリール）ホウ素化合物が得られる。フッ化ア
リールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素とのモル
比は、特に限定されるものではないが、前記例示の範囲
内がより好ましい。
【００７５】フッ化アリールマグネシウム誘導体の溶液
と、ハロゲン化ホウ素とを混合する混合方法は、特に限
定されるものではなく、該溶液にハロゲン化ホウ素を一
度に添加してもよく、或いは連続的若しくは逐次的に滴
下してもよい。ハロゲン化ホウ素は、そのまま混合して
もよく、また、溶媒を加えて薄めた状態で混合してもよ
い。
と、ハロゲン化ホウ素とを混合する混合方法は、特に限
定されるものではなく、該溶液にハロゲン化ホウ素を一
度に添加してもよく、或いは連続的若しくは逐次的に滴
下してもよい。ハロゲン化ホウ素は、そのまま混合して
もよく、また、溶媒を加えて薄めた状態で混合してもよ
い。
【００７６】フッ化アリールマグネシウム誘導体の溶液
と、ハロゲン化ホウ素とを混合する際の混合温度や反応
温度は、特に限定されるものではないが、前記例示の範
囲内に調節することがより好ましい。また、反応時間
は、上記反応が完結するように、反応温度や、フッ化ア
リールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素との組み
合わせ、使用量等に応じて、適宜設定すればよい。ま
た、反応圧力は、特に限定されるものではなく、常圧、
減圧、加圧の何れであってもよい。このうち、前記一般
式（３）で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物を
製造する際に採用する反応条件を採用することがより好
ましい。
と、ハロゲン化ホウ素とを混合する際の混合温度や反応
温度は、特に限定されるものではないが、前記例示の範
囲内に調節することがより好ましい。また、反応時間
は、上記反応が完結するように、反応温度や、フッ化ア
リールマグネシウム誘導体とハロゲン化ホウ素との組み
合わせ、使用量等に応じて、適宜設定すればよい。ま
た、反応圧力は、特に限定されるものではなく、常圧、
減圧、加圧の何れであってもよい。このうち、前記一般
式（３）で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物を
製造する際に採用する反応条件を採用することがより好
ましい。
【００７７】上記の方法により、前記一般式（７）で表
される（フッ化アリール）ホウ素化合物が生成する。ま
た、前記一般式（Ｂ）で表されるハロゲン化マグネシウ
ムが副生される。尚、該ハロゲン化マグネシウムは、必
要に応じて、（フッ化アリール）ホウ素化合物と分離す
ればよい。該分離方法は、特に限定されるものではな
い。
される（フッ化アリール）ホウ素化合物が生成する。ま
た、前記一般式（Ｂ）で表されるハロゲン化マグネシウ
ムが副生される。尚、該ハロゲン化マグネシウムは、必
要に応じて、（フッ化アリール）ホウ素化合物と分離す
ればよい。該分離方法は、特に限定されるものではな
い。
【００７８】上記の方法によれば、上述した種々の効果
に加えて、フッ化アリールから（フッ化アリール）ホウ
素化合物を得る反応工程を実質的に一段階（いわゆる１
ｐｏｔ）にすることができる。従って、（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物をより一層簡単かつ安価に製造するこ
とができる。
に加えて、フッ化アリールから（フッ化アリール）ホウ
素化合物を得る反応工程を実質的に一段階（いわゆる１
ｐｏｔ）にすることができる。従って、（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物をより一層簡単かつ安価に製造するこ
とができる。
【００７９】
【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるもの
ではない。
【００８０】〔実施例１〕温度計、滴下ロート、攪拌
機、窒素ガス導入管、およびジムロート型冷却器を備え
た１００ｍｌの四ツ口フラスコを混合容器とした。該混
合容器内を、数回にわたって窒素ガス置換した後、混合
容器に、エーテル系溶媒としてのテトラヒドロフラン３
５ｍｌと、ハロゲン化ホウ素としての三フッ化ホウ素テ
トラヒドロフラン錯体１．８１５９ｇ（１２．８１ミリ
モル）とを仕込んだ。また、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体としてのペンタフルオロフェニルマグネシウム
ブロマイド３７．９ミリモルを含むテトラヒドロフラン
溶液（マグネシウム誘導体溶液）３５ｍｌを、滴下ロー
トに仕込んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシウムブ
ロマイドと三フッ化ホウ素テトラヒドロフラン錯体との
モル比は、３．０であった。
機、窒素ガス導入管、およびジムロート型冷却器を備え
た１００ｍｌの四ツ口フラスコを混合容器とした。該混
合容器内を、数回にわたって窒素ガス置換した後、混合
容器に、エーテル系溶媒としてのテトラヒドロフラン３
５ｍｌと、ハロゲン化ホウ素としての三フッ化ホウ素テ
トラヒドロフラン錯体１．８１５９ｇ（１２．８１ミリ
モル）とを仕込んだ。また、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体としてのペンタフルオロフェニルマグネシウム
ブロマイド３７．９ミリモルを含むテトラヒドロフラン
溶液（マグネシウム誘導体溶液）３５ｍｌを、滴下ロー
トに仕込んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシウムブ
ロマイドと三フッ化ホウ素テトラヒドロフラン錯体との
モル比は、３．０であった。
【００８１】次いで、窒素気流下、上記の内容物（ハロ
ゲン化ホウ素溶液）を攪拌しながら、上記のテトラヒド
ロフラン溶液を２５℃（混合温度）で１５分間かけて滴
下した。これにより、混合溶液を得た。そして、この混
合溶液を用いて、以下に示す反応および操作等を直ちに
実施した。
ゲン化ホウ素溶液）を攪拌しながら、上記のテトラヒド
ロフラン溶液を２５℃（混合温度）で１５分間かけて滴
下した。これにより、混合溶液を得た。そして、この混
合溶液を用いて、以下に示す反応および操作等を直ちに
実施した。
【００８２】温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導
入管、およびリービッヒ型冷却器を備えた３００ｍｌの
四ツ口フラスコを反応容器とした。また、リービッヒ型
冷却器の出口側先端部には、受器を取り付けると共に、
真空ポンプ等を備えたいわゆる真空排気ラインを接続し
た。上記の反応容器内を、数回にわたって窒素ガス置換
した後、反応容器に、炭化水素系溶媒としてのＩｓｏｐ
ａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）２００ｍｌを仕込ん
だ。また、上記の混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。
尚、反応容器内、つまり、反応系は、常圧とした。
入管、およびリービッヒ型冷却器を備えた３００ｍｌの
四ツ口フラスコを反応容器とした。また、リービッヒ型
冷却器の出口側先端部には、受器を取り付けると共に、
真空ポンプ等を備えたいわゆる真空排気ラインを接続し
た。上記の反応容器内を、数回にわたって窒素ガス置換
した後、反応容器に、炭化水素系溶媒としてのＩｓｏｐ
ａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）２００ｍｌを仕込ん
だ。また、上記の混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。
尚、反応容器内、つまり、反応系は、常圧とした。
【００８３】次いで、窒素気流下、上記の炭化水素系溶
媒を攪拌しながら６０℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で滴下した。混合溶液の凡そ半量を滴下し終わった
時点で、残りの混合溶液を滴下しながら、反応系を徐々
に減圧状態にし、テトラヒドロフランの留去を開始し
た。そして、１．５時間かけて混合溶液の滴下を終了し
た。この時点での反応系の圧力は、２５０ｍｍＨｇとな
った。
媒を攪拌しながら６０℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で滴下した。混合溶液の凡そ半量を滴下し終わった
時点で、残りの混合溶液を滴下しながら、反応系を徐々
に減圧状態にし、テトラヒドロフランの留去を開始し
た。そして、１．５時間かけて混合溶液の滴下を終了し
た。この時点での反応系の圧力は、２５０ｍｍＨｇとな
った。
【００８４】滴下終了後、窒素気流下、反応系の減圧度
をさらに高めながら、反応液を６０℃（反応温度）で３
時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了時点での反
応系の圧力は、８０ｍｍＨｇとなった。
をさらに高めながら、反応液を６０℃（反応温度）で３
時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了時点での反
応系の圧力は、８０ｍｍＨｇとなった。
【００８５】反応終了後、反応液を室温に冷却し、次い
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液
（濾液）の状態で得た。
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液
（濾液）の状態で得た。
【００８６】トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
の収率は、19Ｆ−ＮＭＲを測定することにより求めた。
即ち、ｐ−フルオロトルエンを内部標準として用い、19
Ｆ−ＮＭＲを、所定の条件下で測定した。そして、得ら
れた19Ｆ−ＮＭＲのチャートから、ｐ−フルオロトルエ
ンのフッ素原子の積分値と、トリス（ペンタフルオロフ
ェニル）ホウ素におけるペンタフルオロフェニル基のオ
ルト位のフッ素原子の積分値とを求め、両積分値からト
リス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の量を算出し
た。その結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ
素の収率は、７６．８モル％であった。
の収率は、19Ｆ−ＮＭＲを測定することにより求めた。
即ち、ｐ−フルオロトルエンを内部標準として用い、19
Ｆ−ＮＭＲを、所定の条件下で測定した。そして、得ら
れた19Ｆ−ＮＭＲのチャートから、ｐ−フルオロトルエ
ンのフッ素原子の積分値と、トリス（ペンタフルオロフ
ェニル）ホウ素におけるペンタフルオロフェニル基のオ
ルト位のフッ素原子の積分値とを求め、両積分値からト
リス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の量を算出し
た。その結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ
素の収率は、７６．８モル％であった。
【００８７】〔実施例２〕実施例１と同様の混合容器内
を、数回にわたって窒素ガス置換した。該混合容器に、
テトラヒドロフラン３５ｍｌと、三フッ化ホウ素テトラ
ヒドロフラン錯体１．７７１２ｇ（１２．４９ミリモ
ル）とを仕込んだ。また、ペンタフルオロフェニルマグ
ネシウムブロマイド３７．８１ミリモルを含むテトラヒ
ドロフラン溶液３５ｍｌを、滴下ロートに仕込んだ。ペ
ンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドと三フッ
化ホウ素テトラヒドロフラン錯体とのモル比は、３．０
であった。
を、数回にわたって窒素ガス置換した。該混合容器に、
テトラヒドロフラン３５ｍｌと、三フッ化ホウ素テトラ
ヒドロフラン錯体１．７７１２ｇ（１２．４９ミリモ
ル）とを仕込んだ。また、ペンタフルオロフェニルマグ
ネシウムブロマイド３７．８１ミリモルを含むテトラヒ
ドロフラン溶液３５ｍｌを、滴下ロートに仕込んだ。ペ
ンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドと三フッ
化ホウ素テトラヒドロフラン錯体とのモル比は、３．０
であった。
【００８８】次いで、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、上記のテトラヒドロフラン溶液を２５℃（混
合温度）で５分間かけて滴下した。これにより、混合溶
液を得た。そして、この混合溶液を用いて、以下に示す
反応および操作等を直ちに実施した。
しながら、上記のテトラヒドロフラン溶液を２５℃（混
合温度）で５分間かけて滴下した。これにより、混合溶
液を得た。そして、この混合溶液を用いて、以下に示す
反応および操作等を直ちに実施した。
【００８９】実施例１と同様の反応容器内を、数回にわ
たって窒素ガス置換した。該反応容器に、炭化水素系溶
媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）
２００ｍｌを仕込んだ。また、上記の混合溶液を滴下ロ
ートに仕込んだ。尚、反応容器内、つまり、反応系は、
常圧とした。
たって窒素ガス置換した。該反応容器に、炭化水素系溶
媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）
２００ｍｌを仕込んだ。また、上記の混合溶液を滴下ロ
ートに仕込んだ。尚、反応容器内、つまり、反応系は、
常圧とした。
【００９０】次いで、窒素気流下、上記の炭化水素系溶
媒を攪拌しながら８５℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で滴下した。混合溶液の凡そ半量を滴下し終わった
時点で、残りの混合溶液を滴下しながら、反応系を徐々
に減圧状態にし、テトラヒドロフランの留去を開始し
た。そして、１．５時間かけて混合溶液の滴下を終了し
た。この時点での反応系の圧力は、４５０ｍｍＨｇとな
った。
媒を攪拌しながら８５℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で滴下した。混合溶液の凡そ半量を滴下し終わった
時点で、残りの混合溶液を滴下しながら、反応系を徐々
に減圧状態にし、テトラヒドロフランの留去を開始し
た。そして、１．５時間かけて混合溶液の滴下を終了し
た。この時点での反応系の圧力は、４５０ｍｍＨｇとな
った。
【００９１】滴下終了後、窒素気流下、反応系の減圧度
をさらに高めながら、反応液を６０℃（反応温度）で１
時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了時点での反
応系の圧力は、８０ｍｍＨｇとなった。
をさらに高めながら、反応液を６０℃（反応温度）で１
時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了時点での反
応系の圧力は、８０ｍｍＨｇとなった。
【００９２】反応終了後、反応液を室温に冷却し、次い
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液
（濾液）の状態で得た。
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液
（濾液）の状態で得た。
【００９３】トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の収率
は、６９．２モル％であった。また、上記の濾過で得た
濾残（不溶物）をジエチルエーテルで抽出することによ
り、抽出液を得た。そして、この抽出液に含まれている
トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の量を、実施
例１の方法と同様の方法で求めた。その結果、該抽出液
には、収率で２２．５モル％に相当する量のトリス（ペ
ンタフルオロフェニル）ホウ素が含まれていた。従っ
て、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の全収率
は、９１．７モル％であった。
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の収率
は、６９．２モル％であった。また、上記の濾過で得た
濾残（不溶物）をジエチルエーテルで抽出することによ
り、抽出液を得た。そして、この抽出液に含まれている
トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の量を、実施
例１の方法と同様の方法で求めた。その結果、該抽出液
には、収率で２２．５モル％に相当する量のトリス（ペ
ンタフルオロフェニル）ホウ素が含まれていた。従っ
て、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の全収率
は、９１．７モル％であった。
【００９４】〔実施例３〕実施例１と同様の混合容器内
を、数回にわたって窒素ガス置換した。該混合容器に、
エーテル系溶媒としてのジエチルエーテル１０ｍｌと、
ハロゲン化ホウ素としての三フッ化ホウ素ジエチルエー
テル錯体３．３９５ｇ（２３．９０ミリモル）とを仕込
んだ。また、ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロ
マイド３８．５７ミリモルを含むジエチルエーテル溶液
３５ｍｌを、滴下ロートに仕込んだ。ペンタフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチ
ルエーテル錯体とのモル比は、１．６であった。
を、数回にわたって窒素ガス置換した。該混合容器に、
エーテル系溶媒としてのジエチルエーテル１０ｍｌと、
ハロゲン化ホウ素としての三フッ化ホウ素ジエチルエー
テル錯体３．３９５ｇ（２３．９０ミリモル）とを仕込
んだ。また、ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロ
マイド３８．５７ミリモルを含むジエチルエーテル溶液
３５ｍｌを、滴下ロートに仕込んだ。ペンタフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチ
ルエーテル錯体とのモル比は、１．６であった。
【００９５】次いで、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、上記のジエチルエーテル溶液を２５℃（混合
温度）で３０分間かけて滴下した。これにより、混合溶
液を得た。そして、この混合溶液を用いて、以下に示す
反応および操作等を直ちに実施した。
しながら、上記のジエチルエーテル溶液を２５℃（混合
温度）で３０分間かけて滴下した。これにより、混合溶
液を得た。そして、この混合溶液を用いて、以下に示す
反応および操作等を直ちに実施した。
【００９６】温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導
入管、およびリービッヒ型冷却器を備えた３００ｍｌの
四ツ口フラスコを反応容器とした。また、リービッヒ型
冷却器の出口側先端部には、受器を取り付けた。上記の
反応容器内を、数回にわたって窒素ガス置換した後、反
応容器に、炭化水素系溶媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商
品名；Ｅｘｘｏｎ社製）２００ｍｌを仕込んだ。また、
上記の混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。尚、反応容器
内、つまり、反応系は、常圧とした。
入管、およびリービッヒ型冷却器を備えた３００ｍｌの
四ツ口フラスコを反応容器とした。また、リービッヒ型
冷却器の出口側先端部には、受器を取り付けた。上記の
反応容器内を、数回にわたって窒素ガス置換した後、反
応容器に、炭化水素系溶媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商
品名；Ｅｘｘｏｎ社製）２００ｍｌを仕込んだ。また、
上記の混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。尚、反応容器
内、つまり、反応系は、常圧とした。
【００９７】次いで、窒素気流下、上記の炭化水素系溶
媒を攪拌しながら９０℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で１時間かけて滴下した。また、混合溶液の滴下と
同時に、ジエチルエーテルを含む留出液の留去を開始し
た。
媒を攪拌しながら９０℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で１時間かけて滴下した。また、混合溶液の滴下と
同時に、ジエチルエーテルを含む留出液の留去を開始し
た。
【００９８】滴下終了後、窒素気流下、反応液を１１０
℃（反応温度）に昇温し、該温度で１時間攪拌して反応
（熟成）させた。
℃（反応温度）に昇温し、該温度で１時間攪拌して反応
（熟成）させた。
【００９９】反応終了後、反応液を室温に冷却し、次い
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのビス（ペンタ
フルオロフェニル）ホウ素フルオライドを、炭化水素系
溶媒の溶液（濾液）の状態で得た。
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのビス（ペンタ
フルオロフェニル）ホウ素フルオライドを、炭化水素系
溶媒の溶液（濾液）の状態で得た。
【０１００】ビス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素フ
ルオライドの収率を、実施例１の方法と同様の方法で求
めた。その結果、ビス（ペンタフルオロフェニル）ホウ
素フルオライドの収率は、９２．５モル％であった。
ルオライドの収率を、実施例１の方法と同様の方法で求
めた。その結果、ビス（ペンタフルオロフェニル）ホウ
素フルオライドの収率は、９２．５モル％であった。
【０１０１】〔実施例４〕温度計、２つの滴下ロート、
攪拌機、窒素ガス導入管、およびリービッヒ型冷却器を
備えた３００ｍｌの四ツ口フラスコを反応容器とした。
また、リービッヒ型冷却器の出口側先端部には、受器を
取り付けると共に、真空ポンプ等を備えたいわゆる真空
排気ラインを接続した。上記の反応容器内を、数回にわ
たって窒素ガス置換した後、反応容器に、炭化水素系溶
媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）
２００ｍｌを仕込んだ。また、一方の滴下ロートに、テ
トラヒドロフラン３５ｍｌと三フッ化ホウ素テトラヒド
ロフラン錯体１．８１２８ｇ（１２．７９ミリモル）と
を仕込むと共に、他方の滴下ロートに、ペンタフルオロ
フェニルマグネシウムブロマイド３７．３０ミリモルを
含むテトラヒドロフラン溶液３５ｍｌを仕込んだ。ペン
タフルオロフェニルマグネシウムブロマイドと三フッ化
ホウ素テトラヒドロフラン錯体とのモル比は、２．９で
あった。尚、反応容器内、つまり、反応系は、常圧とし
た。
攪拌機、窒素ガス導入管、およびリービッヒ型冷却器を
備えた３００ｍｌの四ツ口フラスコを反応容器とした。
また、リービッヒ型冷却器の出口側先端部には、受器を
取り付けると共に、真空ポンプ等を備えたいわゆる真空
排気ラインを接続した。上記の反応容器内を、数回にわ
たって窒素ガス置換した後、反応容器に、炭化水素系溶
媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）
２００ｍｌを仕込んだ。また、一方の滴下ロートに、テ
トラヒドロフラン３５ｍｌと三フッ化ホウ素テトラヒド
ロフラン錯体１．８１２８ｇ（１２．７９ミリモル）と
を仕込むと共に、他方の滴下ロートに、ペンタフルオロ
フェニルマグネシウムブロマイド３７．３０ミリモルを
含むテトラヒドロフラン溶液３５ｍｌを仕込んだ。ペン
タフルオロフェニルマグネシウムブロマイドと三フッ化
ホウ素テトラヒドロフラン錯体とのモル比は、２．９で
あった。尚、反応容器内、つまり、反応系は、常圧とし
た。
【０１０２】次いで、窒素気流下、上記の炭化水素系溶
媒を攪拌しながら６４℃に昇温し、上記２つの滴下ロー
トに仕込んだテトラヒドロフラン溶液を、該温度で実質
的に同時に滴下した。各テトラヒドロフラン溶液の凡そ
半量を滴下し終わった時点で、残りの各テトラヒドロフ
ラン溶液を滴下しながら、反応系を徐々に減圧状態に
し、テトラヒドロフランの留去を開始した。そして、１
時間かけて両テトラヒドロフラン溶液の滴下を終了し
た。この時点での反応系の圧力は、２５０ｍｍＨｇとな
った。また、反応液の温度は、５５℃となった。
媒を攪拌しながら６４℃に昇温し、上記２つの滴下ロー
トに仕込んだテトラヒドロフラン溶液を、該温度で実質
的に同時に滴下した。各テトラヒドロフラン溶液の凡そ
半量を滴下し終わった時点で、残りの各テトラヒドロフ
ラン溶液を滴下しながら、反応系を徐々に減圧状態に
し、テトラヒドロフランの留去を開始した。そして、１
時間かけて両テトラヒドロフラン溶液の滴下を終了し
た。この時点での反応系の圧力は、２５０ｍｍＨｇとな
った。また、反応液の温度は、５５℃となった。
【０１０３】滴下終了後、窒素気流下、反応系の減圧度
をさらに高めながら、反応液を５５℃（反応温度）で２
時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了時点での反
応系の圧力は、８０ｍｍＨｇとなった。
をさらに高めながら、反応液を５５℃（反応温度）で２
時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了時点での反
応系の圧力は、８０ｍｍＨｇとなった。
【０１０４】反応終了後、反応液を室温に冷却し、次い
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液
（濾液）の状態で得た。
で、窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、
（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペン
タフルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液
（濾液）の状態で得た。
【０１０５】トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の収率
は、４１．９モル％であった。また、上記の濾過で得た
濾残（不溶物）をジエチルエーテルで抽出することによ
り、抽出液を得た。そして、この抽出液に含まれている
トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の量を、実施
例１の方法と同様の方法で求めた。その結果、該抽出液
には、収率で２１．４モル％に相当する量のトリス（ペ
ンタフルオロフェニル）ホウ素が含まれていた。従っ
て、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の全収率
は、６３．３モル％であった。
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の収率
は、４１．９モル％であった。また、上記の濾過で得た
濾残（不溶物）をジエチルエーテルで抽出することによ
り、抽出液を得た。そして、この抽出液に含まれている
トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の量を、実施
例１の方法と同様の方法で求めた。その結果、該抽出液
には、収率で２１．４モル％に相当する量のトリス（ペ
ンタフルオロフェニル）ホウ素が含まれていた。従っ
て、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の全収率
は、６３．３モル％であった。
【０１０６】〔実施例５〕フッ化アリールを出発物質と
して（フッ化アリール）ホウ素化合物を製造した。即
ち、温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導入管、お
よび還流冷却器を備えた反応容器内を、充分に窒素ガス
置換した。該反応容器に、マグネシウム２．３２０ｇ
（０．０９５モル）、フッ化アリールとしてのペンタフ
ルオロベンゼン１５．１１０ｇ（０．０９０モル）、お
よび溶媒（エーテル系溶媒）としてのジエチルエーテル
２０ｍｌを仕込んだ。また、ハロゲン化炭化水素として
の臭化イソプロピル１１．７０７ｇ（０．０９５モル）
をジエチルエーテル５ｍｌに混合してなる混合溶液を滴
下ロートに仕込んだ。ペンタフルオロベンゼンに対する
臭化イソプロピルの割合、並びに、ペンタフルオロベン
ゼンに対するマグネシウムの割合は、それぞれ約１．０
６当量であった。
して（フッ化アリール）ホウ素化合物を製造した。即
ち、温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導入管、お
よび還流冷却器を備えた反応容器内を、充分に窒素ガス
置換した。該反応容器に、マグネシウム２．３２０ｇ
（０．０９５モル）、フッ化アリールとしてのペンタフ
ルオロベンゼン１５．１１０ｇ（０．０９０モル）、お
よび溶媒（エーテル系溶媒）としてのジエチルエーテル
２０ｍｌを仕込んだ。また、ハロゲン化炭化水素として
の臭化イソプロピル１１．７０７ｇ（０．０９５モル）
をジエチルエーテル５ｍｌに混合してなる混合溶液を滴
下ロートに仕込んだ。ペンタフルオロベンゼンに対する
臭化イソプロピルの割合、並びに、ペンタフルオロベン
ゼンに対するマグネシウムの割合は、それぞれ約１．０
６当量であった。
【０１０７】そして、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、上記の混合溶液を１時間かけて滴下した。滴
下終了後、窒素気流下、反応液を６５．０℃（反応温
度）で３時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了
後、ジエチルエーテル２０ｍｌを加えることにより反応
液を希釈した。これにより、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体としてのペンタフルオロフェニルマグネシウム
ブロマイドを、ジエチルエーテル溶液の状態で得た。
しながら、上記の混合溶液を１時間かけて滴下した。滴
下終了後、窒素気流下、反応液を６５．０℃（反応温
度）で３時間攪拌して反応（熟成）させた。反応終了
後、ジエチルエーテル２０ｍｌを加えることにより反応
液を希釈した。これにより、フッ化アリールマグネシウ
ム誘導体としてのペンタフルオロフェニルマグネシウム
ブロマイドを、ジエチルエーテル溶液の状態で得た。
【０１０８】ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロ
マイドの反応収率は、19Ｆ−ＮＭＲを測定することによ
り求めた。即ち、測定試料は、反応終了後の反応液の一
部を抜き取り、窒素雰囲気下、該反応液に重水素化ベン
ゼンを混合することにより調製した。また、19Ｆ−ＮＭ
Ｒは、所定の条件下で測定した。そして、得られた19Ｆ
−ＮＭＲのチャートから、ペンタフルオロベンゼンのメ
タ位のフッ素原子の積分値と、ペンタフルオロフェニル
マグネシウムブロマイドにおけるペンタフルオロフェニ
ル基のメタ位のフッ素原子の積分値とを求め、両積分値
からペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドの
量を算出した。
マイドの反応収率は、19Ｆ−ＮＭＲを測定することによ
り求めた。即ち、測定試料は、反応終了後の反応液の一
部を抜き取り、窒素雰囲気下、該反応液に重水素化ベン
ゼンを混合することにより調製した。また、19Ｆ−ＮＭ
Ｒは、所定の条件下で測定した。そして、得られた19Ｆ
−ＮＭＲのチャートから、ペンタフルオロベンゼンのメ
タ位のフッ素原子の積分値と、ペンタフルオロフェニル
マグネシウムブロマイドにおけるペンタフルオロフェニ
ル基のメタ位のフッ素原子の積分値とを求め、両積分値
からペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドの
量を算出した。
【０１０９】その結果、ペンタフルオロフェニルマグネ
シウムブロマイドの反応収率は、８８．０モル％であっ
た。そして、得られたペンタフルオロフェニルマグネシ
ウムブロマイドのジエチルエーテル溶液を用いて以下の
反応を行った。
シウムブロマイドの反応収率は、８８．０モル％であっ
た。そして、得られたペンタフルオロフェニルマグネシ
ウムブロマイドのジエチルエーテル溶液を用いて以下の
反応を行った。
【０１１０】温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導
入管、および還流冷却器を備えた反応容器内を、充分に
窒素ガス置換した。該反応容器に、三フッ化ホウ素ジエ
チルエーテル錯体３．１９８ｇと、ジエチルエーテル２
０ｍｌとを仕込んだ。また、上記ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムブロマイドのジエチルエーテル溶液を滴
下ロートに仕込んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシ
ウムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体
とのモル比は、３．５であった。
入管、および還流冷却器を備えた反応容器内を、充分に
窒素ガス置換した。該反応容器に、三フッ化ホウ素ジエ
チルエーテル錯体３．１９８ｇと、ジエチルエーテル２
０ｍｌとを仕込んだ。また、上記ペンタフルオロフェニ
ルマグネシウムブロマイドのジエチルエーテル溶液を滴
下ロートに仕込んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシ
ウムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体
とのモル比は、３．５であった。
【０１１１】そして、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、滴下ロート内のジエチルエーテル溶液を０．
５時間かけて滴下した。滴下開始時の内容物の温度は２
５℃であり、滴下中の内容物の温度（混合温度）は３６
℃に達した。
しながら、滴下ロート内のジエチルエーテル溶液を０．
５時間かけて滴下した。滴下開始時の内容物の温度は２
５℃であり、滴下中の内容物の温度（混合温度）は３６
℃に達した。
【０１１２】滴下終了後、窒素気流下、反応液を３７℃
（反応温度）で３時間攪拌して反応（熟成）させた。こ
れにより、（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのト
リス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を、ジエチルエ
ーテル溶液の状態で得た。
（反応温度）で３時間攪拌して反応（熟成）させた。こ
れにより、（フッ化アリール）ホウ素化合物としてのト
リス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素を、ジエチルエ
ーテル溶液の状態で得た。
【０１１３】トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、三フッ化ホウ素に対するトリス（ペンタフルオロ
フェニル）ホウ素の収率は、８８．７モル％であった。
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、三フッ化ホウ素に対するトリス（ペンタフルオロ
フェニル）ホウ素の収率は、８８．７モル％であった。
【０１１４】〔実施例６〕フッ化アリールを出発物質と
して（フッ化アリール）ホウ素化合物を製造した。即
ち、実施例５と同様の反応容器内を、充分に窒素ガス置
換した。該反応容器に、マグネシウム２．１８４ｇ
（０．０９０モル）、ペンタフルオロベンゼン１５．１
２８ｇ（０．０９０モル）、およびジエチルエーテル１
５ｍｌを仕込んだ。また、臭化イソプロピル１２．１８
９ｇ（０．０９９モル）をジエチルエーテル１０ｍｌに
混合してなる混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。ペンタ
フルオロベンゼンに対する臭化イソプロピルの割合は、
１．１０当量であり、ペンタフルオロベンゼンに対する
マグネシウムの割合は、１．００当量であった。
して（フッ化アリール）ホウ素化合物を製造した。即
ち、実施例５と同様の反応容器内を、充分に窒素ガス置
換した。該反応容器に、マグネシウム２．１８４ｇ
（０．０９０モル）、ペンタフルオロベンゼン１５．１
２８ｇ（０．０９０モル）、およびジエチルエーテル１
５ｍｌを仕込んだ。また、臭化イソプロピル１２．１８
９ｇ（０．０９９モル）をジエチルエーテル１０ｍｌに
混合してなる混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。ペンタ
フルオロベンゼンに対する臭化イソプロピルの割合は、
１．１０当量であり、ペンタフルオロベンゼンに対する
マグネシウムの割合は、１．００当量であった。
【０１１５】そして、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、上記の混合溶液を５５分間かけて滴下した。
滴下終了後、窒素気流下、反応液を６１．０℃（反応温
度）で４時間攪拌して反応（熟成）させた。これによ
り、フッ化アリールマグネシウム誘導体としてのペンタ
フルオロフェニルマグネシウムブロマイドを、ジエチル
エーテル溶液の状態で得た。
しながら、上記の混合溶液を５５分間かけて滴下した。
滴下終了後、窒素気流下、反応液を６１．０℃（反応温
度）で４時間攪拌して反応（熟成）させた。これによ
り、フッ化アリールマグネシウム誘導体としてのペンタ
フルオロフェニルマグネシウムブロマイドを、ジエチル
エーテル溶液の状態で得た。
【０１１６】ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロ
マイドの反応収率を、実施例５の方法と同様の方法で求
めた。その結果、ペンタフルオロフェニルマグネシウム
ブロマイドの反応収率は、８５．７モル％であった。そ
して、得られたペンタフルオロフェニルマグネシウムブ
ロマイドのジエチルエーテル溶液を用いて以下の反応を
行った。
マイドの反応収率を、実施例５の方法と同様の方法で求
めた。その結果、ペンタフルオロフェニルマグネシウム
ブロマイドの反応収率は、８５．７モル％であった。そ
して、得られたペンタフルオロフェニルマグネシウムブ
ロマイドのジエチルエーテル溶液を用いて以下の反応を
行った。
【０１１７】温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導
入管、および還流冷却器を備えた混合容器内を、充分に
窒素ガス置換した。該混合容器に、三フッ化ホウ素ジエ
チルエーテル錯体２．９９４ｇ（０．０２１モル）と、
ジエチルエーテル２０ｍｌとを仕込んだ。また、上記ペ
ンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドのジエチ
ルエーテル溶液と、ジエチルエーテル２５ｍｌとを滴下
ロートに仕込んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体と
のモル比は、３．６６であった。
入管、および還流冷却器を備えた混合容器内を、充分に
窒素ガス置換した。該混合容器に、三フッ化ホウ素ジエ
チルエーテル錯体２．９９４ｇ（０．０２１モル）と、
ジエチルエーテル２０ｍｌとを仕込んだ。また、上記ペ
ンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイドのジエチ
ルエーテル溶液と、ジエチルエーテル２５ｍｌとを滴下
ロートに仕込んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシウ
ムブロマイドと三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体と
のモル比は、３．６６であった。
【０１１８】そして、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、滴下ロート内のジエチルエーテル溶液を８０
分間かけて滴下した。滴下終了後、窒素気流下、混合溶
液を室温で一晩攪拌した。そして、この混合溶液を用い
て、以下に示す反応および操作等を実施した。
しながら、滴下ロート内のジエチルエーテル溶液を８０
分間かけて滴下した。滴下終了後、窒素気流下、混合溶
液を室温で一晩攪拌した。そして、この混合溶液を用い
て、以下に示す反応および操作等を実施した。
【０１１９】温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導
入管、および還流冷却器を備えた反応容器内を、充分に
窒素ガス置換した。該反応容器に、炭化水素系溶媒とし
てのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）３００
ｍｌを仕込んだ。また、上記方法により調製した混合溶
液を滴下ロートに仕込んだ。
入管、および還流冷却器を備えた反応容器内を、充分に
窒素ガス置換した。該反応容器に、炭化水素系溶媒とし
てのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘｘｏｎ社製）３００
ｍｌを仕込んだ。また、上記方法により調製した混合溶
液を滴下ロートに仕込んだ。
【０１２０】次いで、窒素気流下、上記の炭化水素系溶
媒を攪拌しながら１１５℃に昇温し、上記の混合溶液を
該温度で１時間かけて滴下した。また、混合溶液の滴下
と同時に、ジエチルエーテルを含む留出液の留去を開始
した。滴下終了後、窒素気流下、反応容器内を１２３℃
（反応温度）まで徐々に昇温することによってジエチル
エーテルを含む留出液の留去をさらに行った。
媒を攪拌しながら１１５℃に昇温し、上記の混合溶液を
該温度で１時間かけて滴下した。また、混合溶液の滴下
と同時に、ジエチルエーテルを含む留出液の留去を開始
した。滴下終了後、窒素気流下、反応容器内を１２３℃
（反応温度）まで徐々に昇温することによってジエチル
エーテルを含む留出液の留去をさらに行った。
【０１２１】反応終了後、反応液を室温に冷却した後、
窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペンタフ
ルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液（濾
液）の状態で得た。
窒素雰囲気下、該反応液を濾過した。これにより、（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物としてのトリス（ペンタフ
ルオロフェニル）ホウ素を、炭化水素系溶媒の溶液（濾
液）の状態で得た。
【０１２２】トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、三フッ化ホウ素に対するトリス（ペンタフルオロ
フェニル）ホウ素の収率は、７３．１モル％であった。
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、三フッ化ホウ素に対するトリス（ペンタフルオロ
フェニル）ホウ素の収率は、７３．１モル％であった。
【０１２３】〔実施例７〕温度計、滴下ロート、攪拌
機、窒素ガス導入管、およびジムロート型冷却器を備え
た１，０００ｍｌの四ツ口フラスコを混合容器とした。
該混合容器内を、数回にわたって窒素ガス置換した後、
混合容器に、ジエチルエーテル３５０ｍｌと三フッ化ホ
ウ素ジエチルエーテル錯体３３．７１２７ｇ（２３７．
５３ミリモル）とを仕込んだ。また、ペンタフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイド７０７．４ミリモルを含
むジエチルエーテル溶液３６０ｍｌを滴下ロートに仕込
んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイド
と三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体とのモル比は、
３．０であった。尚、混合容器内は、常圧とした。
機、窒素ガス導入管、およびジムロート型冷却器を備え
た１，０００ｍｌの四ツ口フラスコを混合容器とした。
該混合容器内を、数回にわたって窒素ガス置換した後、
混合容器に、ジエチルエーテル３５０ｍｌと三フッ化ホ
ウ素ジエチルエーテル錯体３３．７１２７ｇ（２３７．
５３ミリモル）とを仕込んだ。また、ペンタフルオロフ
ェニルマグネシウムブロマイド７０７．４ミリモルを含
むジエチルエーテル溶液３６０ｍｌを滴下ロートに仕込
んだ。ペンタフルオロフェニルマグネシウムブロマイド
と三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体とのモル比は、
３．０であった。尚、混合容器内は、常圧とした。
【０１２４】次いで、窒素気流下、上記の内容物を攪拌
しながら、滴下ロート内のジエチルエーテル溶液を１時
間かけて滴下した。滴下開始時の混合容器内の温度は２
５℃であり、滴下中の内容物の温度は３４℃に達した。
これにより、混合溶液６７０．８ｇを得た。そして、こ
の混合溶液を用いて、以下に示す反応および操作等を直
ちに実施した。
しながら、滴下ロート内のジエチルエーテル溶液を１時
間かけて滴下した。滴下開始時の混合容器内の温度は２
５℃であり、滴下中の内容物の温度は３４℃に達した。
これにより、混合溶液６７０．８ｇを得た。そして、こ
の混合溶液を用いて、以下に示す反応および操作等を直
ちに実施した。
【０１２５】温度計、滴下ロート、攪拌機、窒素ガス導
入管、および段数１０段のオールダーショウ(Oldersha
w) 蒸留塔を備えた３，０００ｍｌの四ツ口フラスコを
反応容器とした。また、蒸留塔から留出する留出液を受
ける受器を所定位置に取り付けた。上記の反応容器内
を、数回にわたって窒素ガス置換した後、反応容器に、
炭化水素系溶媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘ
ｘｏｎ社製）１，０５６．０ｇを仕込んだ。また、上記
の混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。尚、反応容器内、
つまり、反応系は、常圧とした。
入管、および段数１０段のオールダーショウ(Oldersha
w) 蒸留塔を備えた３，０００ｍｌの四ツ口フラスコを
反応容器とした。また、蒸留塔から留出する留出液を受
ける受器を所定位置に取り付けた。上記の反応容器内
を、数回にわたって窒素ガス置換した後、反応容器に、
炭化水素系溶媒としてのＩｓｏｐａｒＥ（商品名；Ｅｘ
ｘｏｎ社製）１，０５６．０ｇを仕込んだ。また、上記
の混合溶液を滴下ロートに仕込んだ。尚、反応容器内、
つまり、反応系は、常圧とした。
【０１２６】次いで、窒素気流下、上記の炭化水素系溶
媒を攪拌しながら９５℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で１時間かけて滴下した。また、混合溶液の滴下と
同時に、ジエチルエーテルを含む留出液の留去を開始し
た。滴下終了後、窒素気流下、反応容器内を１２５℃
（反応温度）まで徐々に昇温することによってジエチル
エーテルを含む留出液の留去をさらに行うと共に、該温
度で所定時間、反応（熟成）させた。留出液の全量は７
９２．９ｇであり、このうち、ジエチルエーテル留分は
４０４．６ｇであった。従って、ジエチルエーテルの回
収率は９２．１重量％であった。また、反応終了時点に
おける反応液中のトリス（ペンタフルオロフェニル）ホ
ウ素の濃度を、実施例１の方法に準じて求めた。その結
果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の濃度
は、１２．９重量％であった。
媒を攪拌しながら９５℃に昇温し、上記の混合溶液を該
温度で１時間かけて滴下した。また、混合溶液の滴下と
同時に、ジエチルエーテルを含む留出液の留去を開始し
た。滴下終了後、窒素気流下、反応容器内を１２５℃
（反応温度）まで徐々に昇温することによってジエチル
エーテルを含む留出液の留去をさらに行うと共に、該温
度で所定時間、反応（熟成）させた。留出液の全量は７
９２．９ｇであり、このうち、ジエチルエーテル留分は
４０４．６ｇであった。従って、ジエチルエーテルの回
収率は９２．１重量％であった。また、反応終了時点に
おける反応液中のトリス（ペンタフルオロフェニル）ホ
ウ素の濃度を、実施例１の方法に準じて求めた。その結
果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の濃度
は、１２．９重量％であった。
【０１２７】反応終了後、ＩｓｏｐａｒＥを２，２７
５．７ｇ加えることにより反応液を希釈した。次いで、
反応液を室温に冷却した後、窒素雰囲気下、該反応液を
濾過した。これにより、（フッ化アリール）ホウ素化合
物としてのトリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
を、炭化水素系溶媒の溶液（濾液）の状態で得た。
５．７ｇ加えることにより反応液を希釈した。次いで、
反応液を室温に冷却した後、窒素雰囲気下、該反応液を
濾過した。これにより、（フッ化アリール）ホウ素化合
物としてのトリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
を、炭化水素系溶媒の溶液（濾液）の状態で得た。
【０１２８】トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の収率
は、９５．９モル％であった。また、上記溶液（濾液）
に含まれるジエチルエーテルの残存量を、ｐ−フルオロ
トルエンを内部標準として用い、 1Ｈ−ＮＭＲを測定す
ることにより求めた。その結果、トリス（ペンタフルオ
ロフェニル）ホウ素に対するジエチルエーテルの残存量
は、４．７モル％であった。
の収率を、実施例１の方法と同様の方法で求めた。その
結果、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホウ素の収率
は、９５．９モル％であった。また、上記溶液（濾液）
に含まれるジエチルエーテルの残存量を、ｐ−フルオロ
トルエンを内部標準として用い、 1Ｈ−ＮＭＲを測定す
ることにより求めた。その結果、トリス（ペンタフルオ
ロフェニル）ホウ素に対するジエチルエーテルの残存量
は、４．７モル％であった。
【０１２９】
【発明の効果】本発明の（フッ化アリール）ホウ素化合
物の製造方法は、以上のように、一般式（３）
物の製造方法は、以上のように、一般式（３）
【０１３０】
【化１３】
【０１３１】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘｂはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは
２または３である）で表される（フッ化アリール）ホウ
素化合物の製造方法に関するものであり、一般式（１）
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘｂはフッ素原
子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは
２または３である）で表される（フッ化アリール）ホウ
素化合物の製造方法に関するものであり、一般式（１）
【０１３２】
【化１４】
【０１３３】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 は
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘａは塩素原子、
臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるフッ化ア
リールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解して
なる溶液と、一般式（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系溶媒の
沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合する
と共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応させる方
法である。
それぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基ま
たはアルコキシ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの
少なくとも一つはフッ素原子であり、Ｘａは塩素原子、
臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるフッ化ア
リールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解して
なる溶液と、一般式（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系溶媒の
沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合する
と共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応させる方
法である。
【０１３４】本発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物
の製造方法は、以上のように、エーテル系溶媒を留去し
ながら反応させる際の温度が、３０℃〜２００℃の範囲
内である方法である。
の製造方法は、以上のように、エーテル系溶媒を留去し
ながら反応させる際の温度が、３０℃〜２００℃の範囲
内である方法である。
【０１３５】本発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物
の製造方法は、以上のように、エーテル系溶媒を留去し
ながら反応させる際の（フッ化アリール）ホウ素化合物
の濃度が０．１重量％〜５０重量％の範囲内となるよう
に、炭化水素系溶媒の使用量を調節する方法である。
の製造方法は、以上のように、エーテル系溶媒を留去し
ながら反応させる際の（フッ化アリール）ホウ素化合物
の濃度が０．１重量％〜５０重量％の範囲内となるよう
に、炭化水素系溶媒の使用量を調節する方法である。
【０１３６】本発明の（フッ化アリール）ホウ素化合物
の製造方法は、以上のように、フッ化アリールマグネシ
ウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハ
ロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と
を、上記炭化水素系溶媒に同時に混合する方法である。
の製造方法は、以上のように、フッ化アリールマグネシ
ウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハ
ロゲン化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と
を、上記炭化水素系溶媒に同時に混合する方法である。
【０１３７】また、本発明の（フッ化アリール）ホウ素
化合物の製造方法は、以上のように、前記一般式（３）
で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法
に関するものであり、前記一般式（１）で表されるフッ
化アリールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解
してなる溶液と、前記一般式（２）で表されるハロゲン
化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、８
０℃以下の温度で混合した後、該混合溶液を、エーテル
系溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に
混合すると共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応
させる方法である。
化合物の製造方法は、以上のように、前記一般式（３）
で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法
に関するものであり、前記一般式（１）で表されるフッ
化アリールマグネシウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解
してなる溶液と、前記一般式（２）で表されるハロゲン
化ホウ素をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、８
０℃以下の温度で混合した後、該混合溶液を、エーテル
系溶媒の沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に
混合すると共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応
させる方法である。
【０１３８】上記の方法によれば、エーテル系溶媒が鎖
状エーテル系溶媒にのみ限定されないので、取り扱いが
比較的容易である環状エーテル系溶媒を用いることがで
きる。また、得られるトリス（フッ化アリール）ホウ素
やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化
アリール）ホウ素化合物が錯体や四級化物を形成しない
ので、精製が容易である。これにより、トリス（フッ化
アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハラ
イド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的にか
つ簡単に安価に製造することができる。つまり、従来の
方法と比較して、工業的に有利であり、トリス（フッ化
アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハラ
イド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を高収率並び
に高選択率で得ることができるという効果を奏する。
状エーテル系溶媒にのみ限定されないので、取り扱いが
比較的容易である環状エーテル系溶媒を用いることがで
きる。また、得られるトリス（フッ化アリール）ホウ素
やビス（フッ化アリール）ホウ素ハライド等の（フッ化
アリール）ホウ素化合物が錯体や四級化物を形成しない
ので、精製が容易である。これにより、トリス（フッ化
アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハラ
イド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を選択的にか
つ簡単に安価に製造することができる。つまり、従来の
方法と比較して、工業的に有利であり、トリス（フッ化
アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホウ素ハラ
イド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物を高収率並び
に高選択率で得ることができるという効果を奏する。
【０１３９】また、本発明の（フッ化アリール）ホウ素
化合物の製造方法は、以上のように、エーテル系溶媒が
環状エーテルである方法である。これにより、トリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物をよ
り一層選択的にかつ簡単に安価に製造することができる
という効果を奏する。
化合物の製造方法は、以上のように、エーテル系溶媒が
環状エーテルである方法である。これにより、トリス
（フッ化アリール）ホウ素やビス（フッ化アリール）ホ
ウ素ハライド等の（フッ化アリール）ホウ素化合物をよ
り一層選択的にかつ簡単に安価に製造することができる
という効果を奏する。
【０１４０】さらに、本発明の（フッ化アリール）ホウ
素化合物の製造方法は、以上のように、一般式（７）
素化合物の製造方法は、以上のように、一般式（７）
【０１４１】
【化１５】
【０１４２】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子ま
たはヨウ素原子を表し、ｎは２または３である）で表さ
れる（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法に関す
るものであり、一般式（４）
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子ま
たはヨウ素原子を表し、ｎは２または３である）で表さ
れる（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法に関す
るものであり、一般式（４）
【０１４３】
【化１６】
【０１４４】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表す）で表されるフッ化アリールと、一般式
（５） Ｒ0 Ｘａ ……（５） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表し、Ｘａは塩素原子、臭
素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化
炭化水素と、マグネシウムとを、エーテル系溶媒中、ま
たは、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中
で反応させて、一般式（６）
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表す）で表されるフッ化アリールと、一般式
（５） Ｒ0 Ｘａ ……（５） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表し、Ｘａは塩素原子、臭
素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化
炭化水素と、マグネシウムとを、エーテル系溶媒中、ま
たは、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中
で反応させて、一般式（６）
【０１４５】
【化１７】
【０１４６】（式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原
子を表す）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導
体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、
前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素とを反応
させる方法である。
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原
子を表す）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導
体を得た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、
前記一般式（２）で表されるハロゲン化ホウ素とを反応
させる方法である。
【０１４７】上記の方法によれば、上述した種々の効果
に加えて、フッ化アリールから（フッ化アリール）ホウ
素化合物を得る反応工程を実質的に一段階（いわゆる１
ｐｏｔ）にすることができる。従って、（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物をより一層簡単かつ安価に製造するこ
とができるという効果を奏する。
に加えて、フッ化アリールから（フッ化アリール）ホウ
素化合物を得る反応工程を実質的に一段階（いわゆる１
ｐｏｔ）にすることができる。従って、（フッ化アリー
ル）ホウ素化合物をより一層簡単かつ安価に製造するこ
とができるという効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三井 均 大阪府吹田市西御旅町５番８号 株式会社 日本触媒内
Claims (7)
- 【請求項１】一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの少なくとも一
つはフッ素原子であり、Ｘａは塩素原子、臭素原子また
はヨウ素原子を表す）で表されるフッ化アリールマグネ
シウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、
一般式（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液とを、エーテル系溶媒の
沸点よりも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合する
と共に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応させるこ
とを特徴とする一般式（３） 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの少なくとも一
つはフッ素原子であり、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは２または３であ
る）で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造
方法。 - 【請求項２】エーテル系溶媒を留去しながら反応させる
際の温度が、３０℃〜２００℃の範囲内であることを特
徴とする請求項１記載の（フッ化アリール）ホウ素化合
物の製造方法。 - 【請求項３】エーテル系溶媒を留去しながら反応させる
際の（フッ化アリール）ホウ素化合物の濃度が０．１重
量％〜５０重量％の範囲内となるように、炭化水素系溶
媒の使用量を調節することを特徴とする請求項１記載の
（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法。 - 【請求項４】フッ化アリールマグネシウム誘導体をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液と、ハロゲン化ホウ素を
エーテル系溶媒に溶解してなる溶液とを、上記炭化水素
系溶媒に同時に混合することを特徴とする請求項１記載
の（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法。 - 【請求項５】一般式（１） 【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの少なくとも一
つはフッ素原子であり、Ｘａは塩素原子、臭素原子また
はヨウ素原子を表す）で表されるフッ化アリールマグネ
シウム誘導体をエーテル系溶媒に溶解してなる溶液と、
一般式（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素をエー
テル系溶媒に溶解してなる溶液とを、８０℃以下の温度
で混合した後、該混合溶液を、エーテル系溶媒の沸点よ
りも高い沸点を有する炭化水素系溶媒に混合すると共
に、該エーテル系溶媒を留去しながら反応させることを
特徴とする一般式（３） 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はそれぞれ独立
して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキ
シ基を表し、かつ、該Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの少なくとも一
つはフッ素原子であり、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、
臭素原子またはヨウ素原子を表し、ｎは２または３であ
る）で表される（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造
方法。 - 【請求項６】エーテル系溶媒が環状エーテルであること
を特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載の
（フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法。 - 【請求項７】一般式（４） 【化５】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立して水素原
子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表
す）で表されるフッ化アリールと、一般式（５） Ｒ0 Ｘａ ……（５） （式中、Ｒ0 は炭化水素基を表し、Ｘａは塩素原子、臭
素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化
炭化水素と、マグネシウムとを、エーテル系溶媒中、ま
たは、エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒中
で反応させて、一般式（６） 【化６】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立して水素原
子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表
し、Ｘａは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表
す）で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導体を得
た後、該フッ化アリールマグネシウム誘導体と、一般式
（２） ＢＸｂ3 ……（２） （式中、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子または
ヨウ素原子を表す）で表されるハロゲン化ホウ素とを反
応させることを特徴とする一般式（７） 【化７】 （式中、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立して水素原
子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表
し、Ｘｂはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ
素原子を表し、ｎは２または３である）で表される（フ
ッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1707397A JPH09291092A (ja) | 1996-02-28 | 1997-01-30 | （フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-41743 | 1996-02-28 | ||
| JP4174396 | 1996-02-28 | ||
| JP1707397A JPH09291092A (ja) | 1996-02-28 | 1997-01-30 | （フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09291092A true JPH09291092A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=26353541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1707397A Pending JPH09291092A (ja) | 1996-02-28 | 1997-01-30 | （フッ化アリール）ホウ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09291092A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006080538A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Stabilizing method and stabilized composition for aryl boron compounds |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1707397A patent/JPH09291092A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006080538A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Stabilizing method and stabilized composition for aryl boron compounds |
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