JPH09289186A - Cleaning device - Google Patents

Cleaning device

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JPH09289186A
JPH09289186A JP3201697A JP3201697A JPH09289186A JP H09289186 A JPH09289186 A JP H09289186A JP 3201697 A JP3201697 A JP 3201697A JP 3201697 A JP3201697 A JP 3201697A JP H09289186 A JPH09289186 A JP H09289186A
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cleaning liquid
cleaning
nozzle
rotating
substrate
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Kazuhiko Shiba
一彦 柴
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PURETETSUKU KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable both the front and rear of a target substrate to be precisely cleaned, by a method wherein the target substrate is kept rotating in a horizontal state, cleaning liquid is sprayed on the front of the substrate together with high-frequency sonic waves, and cleaning liquid is sprayed against the rear of the substrate at the same time. SOLUTION: A semiconductor wafer 64 placed on a support block 20 located on the upper ends of four support rods 18 fixed to a rotating disc 16 is rotated. In this state, cleaning liquid or pure water is sprayed upwards on the rear of the semiconductor wafer 64 from jet orifices 26 provided to the upper part of a shower nozzle 27. On the other hand, pure water is sprayed on the surface of the rotating wafer 64 together with high-frequency sonic waves from a circular jet orifice 45 of a nozzle case 46 fitted to the lower end of a cylindrical main body 43 making high-frequency sonic waves penetrate through the semiconductor wafer 64. At the same time, a high-frequency nozzle 41 is made to reciprocate in a range which is corresponding to the radius of the wafer 64 as shown by an arrow A.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ガラス基板、
半導体ウェハや磁気ディスク等の被洗浄基板を洗浄する
ための洗浄装置に関する。
[0001] The present invention relates to a liquid crystal glass substrate,
The present invention relates to a cleaning device for cleaning a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer and a magnetic disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶ガラス基板、半導体ウェハ、
磁気ディスク等の被処理物を洗浄するには、処理槽内に
前記被洗浄基板を複数枚垂直に立てて配置し、前記処理
槽内に洗浄液を収容した後、前記処理槽底部に振動子を
振動させて高周波音波を前記洗浄液に放射して前記処理
槽内の複数枚の被洗浄基板を一度に洗浄することが行わ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal glass substrates, semiconductor wafers,
In order to clean an object to be processed such as a magnetic disk, a plurality of the substrates to be cleaned are set upright in a processing tank, a cleaning liquid is stored in the processing tank, and then a vibrator is placed at the bottom of the processing tank. It is practiced to vibrate and radiate high frequency sound waves to the cleaning liquid to clean a plurality of substrates to be cleaned in the processing tank at one time.

【0003】しかしながら、前記方法では液晶ガラス基
板の大面積化、半導体ウェハの大口径化に伴ってそれら
被処理物全体を均一に洗浄することが困難になり、洗浄
むらを生じる問題があった。また、液晶ガラス基板に形
成される薄膜トランジスタや前記半導体ウェハに形成さ
れる素子の微細化、高集積化に伴ってそれら基板の表面
側(素子等の形成面側)の精密洗浄のみならず裏面側も
精密洗浄することが要求されている。
However, the above method has a problem that it becomes difficult to uniformly clean the entire object to be processed as the area of the liquid crystal glass substrate increases and the diameter of the semiconductor wafer increases, which causes uneven cleaning. In addition, as the thin film transistors formed on the liquid crystal glass substrate and the elements formed on the semiconductor wafer are miniaturized and highly integrated, not only the front surface side (element forming surface side) of the substrate is precisely cleaned but also the back surface side. Is also required to be precision washed.

【0004】このようなことから、被洗浄基板(例えば
半導体ウェハ)を枚葉式で搬送し、前記搬送経路でリン
スシャワー、薬液スクラブ、純水スクラブ、高周波洗浄
ノズルによる洗浄、純水シャワー、スピンドライを行っ
て洗浄することが行われている。
Therefore, the substrate to be cleaned (for example, a semiconductor wafer) is conveyed in a single-wafer type, and the rinse path, the chemical solution scrub, the pure water scrub, the high frequency cleaning nozzle, the pure water shower, and the spin are conveyed along the transfer path. Drying and washing are performed.

【0005】しかしながら、スクラブ洗浄は半導体ウェ
ハの表裏面に一対のスポンジ状ロールを機械的に接触さ
せて洗浄を行うため、前記ウェハの表裏面に傷が発生し
たり、前記ロールからの汚染微粒子(パーティクル)の
再付着、再汚染を招く問題があった。
However, in scrub cleaning, a pair of sponge-like rolls are mechanically brought into contact with the front and back surfaces of a semiconductor wafer for cleaning, so that scratches are generated on the front and back surfaces of the wafer and contaminant particles ( There was a problem of reattachment and recontamination of particles.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウェハのような被洗浄基板の表裏面を同時に精密洗浄
することが可能な高周波洗浄装置を提供しようとするも
のである。本発明の別の目的は、大型の遮蔽部材を用い
ることなく、洗浄液の飛散による半導体ウェハのような
被洗浄基板の再汚染を防止した洗浄装置を提供しようと
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high frequency cleaning apparatus capable of simultaneously precisely cleaning the front and back surfaces of a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer. Another object of the present invention is to provide a cleaning apparatus that prevents recontamination of a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer due to scattering of the cleaning liquid without using a large-sized shielding member.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係わる洗浄装置
は、被洗浄基板を水平な状態で保持する保持手段;前記
保持手段を回転させるための回転手段;前記保持手段の
上方に配置され、前記保持手段に支持された前記基板の
表面に向けて高周波音波に乗った洗浄液を噴射するため
の第1洗浄液噴射手段;および前記保持手段の下方に配
置され、前記保持手段に支持された前記被洗浄基板の裏
面に向けて洗浄液を噴射するため第2洗浄液噴射手段;
を具備することを特徴とするものである。
A cleaning apparatus according to the present invention comprises a holding means for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state, a rotating means for rotating the holding means, and a positioning means arranged above the holding means. A first cleaning liquid ejecting means for ejecting a cleaning liquid riding on high frequency sound waves toward the surface of the substrate supported by the holding means; and the object supported by the holding means arranged below the holding means. Second cleaning liquid ejecting means for ejecting the cleaning liquid toward the back surface of the cleaning substrate;
It is characterized by including.

【0008】本発明に係わる別の洗浄装置は、被洗浄基
板を水平な状態で保持する保持手段;前記保持手段を回
転させるための回転手段;前記保持手段の下方に配置さ
れ、前記保持手段に支持された前記被洗浄基板の裏面に
向けて高周波音波に乗った洗浄液を帯状に噴射するため
の第1洗浄液噴射手段;および前記保持手段の上方に配
置され、前記保持手段に支持された前記基板の表面に向
けて洗浄液を噴射するため第2洗浄液噴射手段;を具備
することを特徴とする。
Another cleaning apparatus according to the present invention is a holding means for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state; a rotating means for rotating the holding means; a holding means arranged below the holding means, First cleaning liquid ejecting means for ejecting a cleaning liquid on a back surface of the supported substrate to be cleaned, the cleaning liquid having a high frequency sound wave; and the substrate disposed above the holding means and supported by the holding means. And a second cleaning liquid ejecting means for ejecting the cleaning liquid toward the surface of the.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる洗浄装置を
詳細に説明する。この洗浄装置は、被洗浄基板を水平な
状態で保持するための保持手段を備える。この保持手段
は回転手段により回転される。前記保持手段に保持され
た前記被洗浄基板の表面に向けて高周波音波に乗った洗
浄液を噴射するための第1洗浄液噴射手段である高周波
振動ノズルは、前記保持手段の上方に配置されている。
前記保持手段で保持された前記被洗浄基板の裏面に向け
て洗浄液を噴射するため第2洗浄液噴射手段は、前記保
持手段の下方に配置されている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail below. This cleaning apparatus includes a holding means for holding the substrate to be cleaned in a horizontal state. The holding means is rotated by the rotating means. A high-frequency vibrating nozzle, which is a first cleaning liquid ejecting unit for ejecting the cleaning liquid on the high-frequency sound waves toward the surface of the substrate to be cleaned held by the holding unit, is arranged above the holding unit.
The second cleaning liquid ejecting unit for ejecting the cleaning liquid toward the back surface of the substrate to be cleaned held by the holding unit is disposed below the holding unit.

【0010】前記高周波振動ノズル(第1洗浄液噴射手
段)としては、円筒型で、前記基板の回転中心から半径
方向の間で往復動作される構造のもの、細長状の洗浄液
吐出口を有する矩形形状を有する、いわゆるバー型のも
のが用いられる。
The high-frequency vibrating nozzle (first cleaning liquid jetting means) is of a cylindrical type and is structured to reciprocate between the rotation center of the substrate and the radial direction, and has a rectangular shape having an elongated cleaning liquid discharge port. A so-called bar type having a is used.

【0011】前記保持手段は、例えば洗浄液の供給部を
兼ねる筒状固定軸に回転可能に係合され、前記被洗浄基
板を水平に支持するための回転支持部材を備えた構造を
有する。
The holding means has a structure including a rotation support member for rotatably engaging a cylindrical fixed shaft which also serves as a cleaning liquid supply portion and horizontally supporting the substrate to be cleaned.

【0012】前記回転手段は、例えば洗浄液の供給部を
兼ねる筒状固定軸と、前記回転支持部材を前記固定軸を
中心にして回転させるための駆動機構とを備えた構造を
有する。前記駆動機構は、前記回転支持部材に取り付け
られた被駆動側タイミングプーリと、駆動側タイミング
プーリと、前記各プーリ間に枢支されたタイミングベル
トと、前記駆動側タイミングプーリを回転させるための
モータとからなる。
The rotating means has a structure including, for example, a cylindrical fixed shaft which also serves as a cleaning liquid supply section, and a drive mechanism for rotating the rotary support member about the fixed shaft. The drive mechanism includes a driven timing pulley attached to the rotation support member, a driving timing pulley, a timing belt pivotally supported between the pulleys, and a motor for rotating the driving timing pulley. Consists of.

【0013】前記第2洗浄液噴射手段は、例えば洗浄液
の供給部を兼ねる前記筒状固定軸に水平方向に一体的に
連結され、前記固定軸の空洞部と連通する洗浄液流通部
を有し、かつこの流通部と連通する複数の洗浄液噴射孔
が上部に開口されたシャワーノズルからなる。
The second cleaning liquid ejecting means has, for example, a cleaning liquid circulating portion which is integrally connected in a horizontal direction to the cylindrical fixed shaft which also serves as a cleaning liquid supply portion and which communicates with the hollow portion of the fixed shaft. A plurality of cleaning liquid injection holes that communicate with the circulation portion are formed by a shower nozzle having an opening at the top.

【0014】以上説明した本発明に係わる洗浄装置にお
いて、前記保持手段で水平状態に保持された被洗浄基
板、例えば半導体ウェハを前記回転手段により回転さ
せ、同時に半導体ウェハの上方に配置した例えば円筒型
の高周波振動ノズルを前記ウェハの半径方向に掃引しな
が、前記振動ノズルから前記ウェハを通過する高周波音
波に乗った洗浄液を前記半導体ウェハの表面に向けて噴
射する。この時、前記半導体ウェハの表面全体は前記高
周波振動ノズルから高周波音波に乗った洗浄液が噴射さ
れる。このため、前記ウェハ表面のパーティクルが洗浄
液と共に洗い流され、かつパーティクルの再付着が防止
されて精密洗浄がなされる。
In the cleaning apparatus according to the present invention described above, the substrate to be cleaned, which is held horizontally by the holding means, for example, a semiconductor wafer, is rotated by the rotating means, and at the same time, is placed above the semiconductor wafer, for example, a cylindrical type. The high frequency vibration nozzle is not swept in the radial direction of the wafer, but the cleaning liquid on the high frequency sound wave passing through the wafer is sprayed from the vibration nozzle toward the surface of the semiconductor wafer. At this time, the cleaning liquid carried by the high frequency sound waves is sprayed from the high frequency vibration nozzle onto the entire surface of the semiconductor wafer. Therefore, the particles on the surface of the wafer are washed away together with the cleaning liquid, and reattachment of the particles is prevented, so that precise cleaning is performed.

【0015】また、前記高周波振動ノズルからの高周波
音波に乗った洗浄液を前記半導体ウェハ表面に噴射させ
ると同時に、前記半導体ウェハの下方に配置した第2洗
浄液噴射手段、例えばシャワーノズルから洗浄液を前記
半導体ウェハの裏面に向けて噴射すると、前記高周波振
動ノズルから高周波音波は前記半導体ウェハを透過して
その裏面に存在するパーティクルにも作用し、前記シャ
ワーノズルから噴射された洗浄液の液膜により前記パー
ティクルを洗い流すことができる。このとき、前記液膜
まで達した高周波音波は音響インピーダンスが大きく異
なる空気層で反射され、前記ウェハ裏面のパーティクル
に作用しながら前記ウェハ内を通過してその表面側に戻
る。表面側に戻った高周波音波は、前記ウェハ表面の液
膜と空気層の界面で反射し、この後前述したのと同様な
反射を繰り返しながら減衰していく。このようにシャワ
ーノズルからの洗浄液の前記半導体ウェハ裏面への噴
射、液膜の形成により前記半導体ウェハの下方、つまり
その裏面側に高周波振動ノズルを配置することなく前記
半導体ウェハの裏面も同時に精密洗浄することが可能に
なる。
Further, at the same time as the cleaning liquid riding on the high frequency sound waves from the high frequency vibration nozzle is sprayed onto the surface of the semiconductor wafer, the cleaning liquid is sprayed from the second cleaning liquid spraying means arranged below the semiconductor wafer, for example, a shower nozzle. When jetted toward the back surface of the wafer, the high-frequency sound wave from the high-frequency vibration nozzle also acts on the particles existing on the back surface of the semiconductor wafer through the semiconductor wafer, and the particles are generated by the liquid film of the cleaning liquid sprayed from the shower nozzle. Can be washed away. At this time, the high frequency sound waves that have reached the liquid film are reflected by an air layer having a large difference in acoustic impedance, pass through the inside of the wafer while acting on the particles on the back surface of the wafer, and return to the front surface side. The high frequency sound waves returning to the surface side are reflected at the interface between the liquid film and the air layer on the wafer surface, and then attenuated while repeating the same reflection as described above. Thus, by spraying the cleaning liquid from the shower nozzle to the back surface of the semiconductor wafer and forming a liquid film, the back surface of the semiconductor wafer is simultaneously precisely cleaned without disposing a high-frequency vibration nozzle below the semiconductor wafer, that is, on the back surface side. It becomes possible to do.

【0016】なお、前記ウェハを通過する高周波音波は
そのウェハの共振周波数の1/2λの波長になるように
周波数を合わせることが好ましい。具体的には、5イン
チウェハ(厚さ;0.55mm)を用い、音速8000
m/secとした場合には周波数を7.27MHzの正
数倍、6インチウェハ(厚さ;0.65mm)を用い、
音速8000m/secとした場合には周波数を6.1
5MHzの正数倍、8インチウェハ(厚さ;0.75m
m)を用い、音速8000m/secとした場合には周
波数を5.33MHzの正数倍、に設定される。
It is preferable that the high frequency sound waves passing through the wafer be matched in frequency so as to have a wavelength of 1 / 2λ of the resonance frequency of the wafer. Specifically, using a 5-inch wafer (thickness: 0.55 mm), the sound velocity is 8000.
When m / sec, the frequency is a positive multiple of 7.27 MHz and a 6-inch wafer (thickness: 0.65 mm) is used.
When the sound velocity is 8000 m / sec, the frequency is 6.1.
Positive multiple of 5MHz, 8-inch wafer (thickness: 0.75m
m) and the sound velocity is 8000 m / sec, the frequency is set to a positive multiple of 5.33 MHz.

【0017】次に、本発明に係わる別の洗浄装置を詳細
に説明する。この洗浄装置は、被洗浄基板を水平な状態
で保持するための保持手段を備える。この保持手段は回
転手段により回転される。前記保持手段に支持された前
記被洗浄基板の裏面に向けて高周波音波に乗った洗浄液
を帯状に噴射する第1洗浄液噴射手段であるバー型高周
波振動ノズルは、前記保持手段の下方に配置されてい
る。前記保持手段に支持された前記被洗浄基板の表面に
向けて洗浄液を噴射するため第2洗浄液噴射手段は、前
記保持手段の上方に配置されている。
Next, another cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail. This cleaning apparatus includes a holding means for holding the substrate to be cleaned in a horizontal state. The holding means is rotated by the rotating means. The bar type high frequency vibration nozzle, which is a first cleaning liquid ejecting unit that ejects the cleaning liquid on the high frequency sound wave in a strip shape toward the back surface of the substrate to be cleaned supported by the holding unit, is arranged below the holding unit. There is. The second cleaning liquid ejecting unit for ejecting the cleaning liquid toward the surface of the substrate to be cleaned supported by the holding unit is disposed above the holding unit.

【0018】前記保持手段は、例えば筒状固定軸に回転
可能に係合され、前記被洗浄基板を水平に支持するため
の回転支持部材を備えた構造を有する。前記回転手段
は、例えば前記筒状固定軸と、前記回転支持部材を前記
固定軸を中心にして回転させるための駆動機構とを備え
た構造を有する。前記駆動機構は、例えば前記回転支持
部材に取り付けられた被駆動側タイミングプーリと、駆
動側タイミングプーリと、前記各プーリ間に枢支された
タイミングベルトと、前記駆動側タイミングプーリを回
転させるためのモータとからなる。
The holding means has a structure including a rotation supporting member that is rotatably engaged with, for example, a cylindrical fixed shaft and horizontally supports the substrate to be cleaned. The rotating means has a structure including, for example, the cylindrical fixed shaft and a drive mechanism for rotating the rotation support member about the fixed shaft. The drive mechanism includes, for example, a driven timing pulley attached to the rotation support member, a driving timing pulley, a timing belt pivotally supported between the pulleys, and a driving timing pulley. It consists of a motor.

【0019】前記バー型高周波振動ノズル(第1洗浄液
噴射手段)は、例えば前記回転手段の前記筒状固定軸の
上端に一端側が固定され、上面に細長状の洗浄液吐出口
を有する矩形状のノズル穴を持つ矩形ブロックと、前記
ブロック内に前記吐出口と対向するように前記ノズル穴
の底部側に配置された振動子と、前記ブロックに前記ノ
ズル穴と連通するように形成された洗浄液の流路とを備
える。前記振動子は、前記筒状固定軸の内部を通して導
入された給電ケーブルと接続される。前記流路は、前記
筒状固定軸の内部を通して導入された洗浄液供給管と連
結される。
The bar type high frequency vibrating nozzle (first cleaning liquid jetting means) is, for example, a rectangular nozzle having one end side fixed to the upper end of the cylindrical fixed shaft of the rotating means and having an elongated cleaning liquid discharge port on the upper surface. A rectangular block having a hole, a vibrator disposed in the block on the bottom side of the nozzle hole so as to face the discharge port, and a cleaning liquid flow formed in the block so as to communicate with the nozzle hole. And a road. The vibrator is connected to a power feeding cable introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft. The flow path is connected to a cleaning liquid supply pipe introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft.

【0020】前記第2洗浄液噴射手段は、例えば複数の
噴射口が下部に開口された横長のノズル本体を有するバ
ー型シャワーノズル、または下端に噴射口が開口された
円筒状のノズル本体を有する円筒型シャワーノズルを用
いることがてきる。特に、前記第2洗浄液噴射手段とし
て円筒型シャワーノズルを用いる場合には、前記シャワ
ーノズルを前記被洗浄基板の中心上方に配置することが
好ましい。
The second cleaning liquid jetting means is, for example, a bar type shower nozzle having a horizontally elongated nozzle body having a plurality of jetting openings at the bottom, or a cylinder having a cylindrical nozzle body having a jetting opening at the lower end. Type shower nozzles can be used. Particularly, when a cylindrical shower nozzle is used as the second cleaning liquid ejecting means, it is preferable that the shower nozzle is arranged above the center of the substrate to be cleaned.

【0021】以上説明した本発明に係わる別の洗浄装置
において、前記回転手段により前記保持手段で保持され
た被洗浄基板、例えば半導体ウェハを水平状態で回転さ
せながら、半導体ウェハの下方に配置した前記バー型高
周波振動ノズルの細長状の洗浄液吐出口から前記ウェハ
を通過する高周波音波に乗った帯状の洗浄液を前記半導
体ウェハの裏面に向けて噴射する。この時、前記半導体
ウェハの裏面全体は前記高周波振動ノズルから高周波音
波に乗った洗浄液が噴射される。このため、前記ウェハ
表面のパーティクルが洗浄液と共に洗い流され、かつパ
ーティクルの再付着が防止されて精密洗浄がなされる。
In the other cleaning apparatus according to the present invention described above, the substrate to be cleaned, which is held by the holding means by the rotating means, for example, the semiconductor wafer, is placed below the semiconductor wafer while being rotated in a horizontal state. A strip-shaped cleaning liquid, which is carried by high-frequency sound waves passing through the wafer, is jetted from the elongated cleaning liquid discharge port of the bar-type high-frequency vibration nozzle toward the back surface of the semiconductor wafer. At this time, the entire back surface of the semiconductor wafer is sprayed with the cleaning liquid on the high frequency sound wave from the high frequency vibration nozzle. Therefore, the particles on the surface of the wafer are washed away together with the cleaning liquid, and reattachment of the particles is prevented, so that precise cleaning is performed.

【0022】また、前記高周波振動ノズルからの高周波
音波に乗った帯状の洗浄液を前記半導体ウェハ裏面に噴
射させると同時に、前記半導体ウェハの上方に配置した
第2洗浄液噴射手段、例えばシャワーノズルから洗浄液
を前記半導体ウェハの表面に向けて噴射すると、前述し
た上方に高周波振動ノズル、下方にシャワーノズルを配
置した洗浄装置と同様、高周波音波が裏面側からの半導
体ウェハを透過し、反射した高周波音波が表面側から裏
面側に向けて透過する作用が繰り返されることにより前
記半導体ウェハの表面側も同時に精密洗浄することが可
能になる。
Further, at the same time as jetting the strip-shaped cleaning liquid on the back surface of the semiconductor wafer on the high frequency sound wave from the high frequency vibrating nozzle, the cleaning liquid is ejected from the second cleaning liquid ejecting means arranged above the semiconductor wafer, for example, the shower nozzle. When jetted toward the front surface of the semiconductor wafer, high-frequency sound waves pass through the semiconductor wafer from the back side and the high-frequency sound waves reflected on the surface are the same as in the above-described cleaning device in which the high-frequency vibration nozzle is arranged above and the shower nozzle is arranged below. By repeating the action of transmitting light from the side to the back side, the front side of the semiconductor wafer can be simultaneously precision cleaned.

【0023】したがって、本発明に係わる別の洗浄装置
によれば半導体ウェハの表裏面を同時に精密洗浄するこ
とができる。さらに、高周波振動ノズルで前記半導体ウ
ェハを洗浄する際、一般に前記振動ノズルを前記半導体
ウェハに近接して高周波音波に乗った洗浄液を噴射する
ことが効率的な洗浄の点で有利である。本発明に係わる
洗浄装置において、下方に配置された前記バー型高周波
振動ノズルは前記半導体ウェハの裏面に近接でき、上方
に配置する第2洗浄液噴射手段、例えばシャワーノズル
は前記高周波振動ノズルのように半導体ウェハに近接す
ることなく、ある距離をあけて配置することができる。
その結果、洗浄後の半導体ウェハを保持手段から取出す
際、上方に高周波振動ノズルを配置した場合のように前
記振動ノズルが邪魔になることなく半導体ウェハを取出
すことができるため、ハンドリング性が向上される。
Therefore, according to another cleaning apparatus of the present invention, the front and back surfaces of the semiconductor wafer can be simultaneously precisely cleaned. Further, when cleaning the semiconductor wafer with the high-frequency vibration nozzle, it is generally advantageous in terms of efficient cleaning to spray the cleaning liquid on the vibration nozzle close to the semiconductor wafer and carry a high-frequency sound wave. In the cleaning apparatus according to the present invention, the bar-type high-frequency vibrating nozzle arranged below can be brought close to the back surface of the semiconductor wafer, and the second cleaning liquid ejecting means arranged above, such as a shower nozzle, is similar to the high-frequency vibrating nozzle. It is possible to dispose a certain distance without being close to the semiconductor wafer.
As a result, when the semiconductor wafer after cleaning is taken out from the holding means, the semiconductor wafer can be taken out without disturbing the vibrating nozzle as in the case where the high frequency vibrating nozzle is arranged above, so that the handling property is improved. It

【0024】さらに、円筒型高周波振動ノズルを半導体
ウェハの上方に配置し、駆動部材により前記振動ノズル
を前記半導体ウェハの半径方向に駆動すると、前記駆動
部材からパーティクルが落下して半導体ウェハを汚染す
る恐れがある。本発明に係わるさらに別の洗浄装置にお
いては、バー型高周波振動ノズルを半導体ウェハの下方
に配置することによって、掃引される円筒型高周波振動
ノズルを半導体ウェハの上方に配置したような半導体ウ
ェハのパーティクルによる汚染を回避することができ
る。
Further, when the cylindrical high-frequency vibrating nozzle is arranged above the semiconductor wafer and the vibrating nozzle is driven in the radial direction of the semiconductor wafer by the driving member, particles fall from the driving member to contaminate the semiconductor wafer. There is a fear. In still another cleaning apparatus according to the present invention, by disposing a bar type high frequency vibration nozzle below a semiconductor wafer, particles of a semiconductor wafer such that a swept cylindrical high frequency vibration nozzle is arranged above the semiconductor wafer. Contamination due to can be avoided.

【0025】なお、前記ウェハを通過する高周波音波は
そのウェハの共振周波数の1/2λの波長になるように
周波数を合わせることが好ましい。具体的には、5イン
チウェハ(厚さ;0.55mm)を用い、音速8000
m/secとした場合には周波数を7.27MHzの正
数倍、6インチウェハ(厚さ;0.65mm)を用い、
音速8000m/secとした場合には周波数を6.1
5MHzの正数倍、8インチウェハ(厚さ;0.75m
m)を用い、音速8000m/secとした場合には周
波数を5.33MHzの正数倍、に設定される。
The high frequency sound waves passing through the wafer are preferably matched in frequency so that they have a wavelength of 1 / 2λ of the resonance frequency of the wafer. Specifically, using a 5-inch wafer (thickness: 0.55 mm), the sound velocity is 8000.
When m / sec, the frequency is a positive multiple of 7.27 MHz and a 6-inch wafer (thickness: 0.65 mm) is used.
When the sound velocity is 8000 m / sec, the frequency is 6.1.
Positive multiple of 5MHz, 8-inch wafer (thickness: 0.75m
m) and the sound velocity is 8000 m / sec, the frequency is set to a positive multiple of 5.33 MHz.

【0026】[0026]

【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して詳細に説明する。 (実施例1)図1は本発明の実施例1に係わる洗浄装置
を示す断面図、図2は図1の洗浄装置に用いられる第1
洗浄液噴射手段である高周波振動ノズルを示す断面図で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing a cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a first drawing used in the cleaning apparatus of FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a high-frequency vibrating nozzle that is a cleaning liquid ejecting unit.

【0027】垂直方向に駆動軸1が延出されたモータ2
は、筒状の支持部材3に収納されている。支持板4は、
前記筒状の支持部材3上に複数のネジ5により固定され
ている。また、前記支持板4は、前記駆動軸1に対応す
る箇所および前記支持部材3から左側に延出した部分に
穴6、7がそれぞれ開孔されている。中央に穴8が開口
され、かつ前記穴8周辺に環状突起部9を有する円盤状
プレート10は、前記支持板4上に前記支持板4下面か
ら前記プレート9に向けて螺着された複数のネジ11に
より固定されている。
A motor 2 having a drive shaft 1 extending vertically.
Are housed in a cylindrical support member 3. The support plate 4 is
It is fixed on the tubular support member 3 by a plurality of screws 5. Further, holes 6 and 7 are formed in the support plate 4 at a position corresponding to the drive shaft 1 and a part extending leftward from the support member 3, respectively. A disk-shaped plate 10 having a hole 8 in the center and an annular projection 9 around the hole 8 is provided on the support plate 4 and screwed from the lower surface of the support plate 4 toward the plate 9. It is fixed by screws 11.

【0028】処理槽12は、前記円盤状プレート10の
上方に配置されている。前記処理槽12は、有底円筒形
状をなし、かつ底部中央に上方に突出した円筒部13を
有する。排出管14は、前記処理槽12の左側壁に近接
した底部に連結されている。なお、前記処理槽12は図
示しない架台により前記円筒部13が前記円盤状プレー
ト10の穴8と同心円状に位置するように支持固定され
ている。
The processing tank 12 is arranged above the disk-shaped plate 10. The processing tank 12 has a bottomed cylindrical shape, and has a cylindrical portion 13 protruding upward at the center of the bottom. The discharge pipe 14 is connected to the bottom of the processing tank 12 near the left side wall. The processing tank 12 is supported and fixed by a mount (not shown) so that the cylindrical portion 13 is positioned concentrically with the hole 8 of the disc-shaped plate 10.

【0029】中央部に下方に突出した円筒体15を有す
る回転円板16は、前記処理槽12内に水平に配置さ
れ、かつ前記円筒体15は前記処理槽12の前記円筒部
13内を同心円状に通過して前記処理槽12外部に延出
されている。前記円筒体15の下部付近の内周面には、
環状係合部17が水平方向に突出している。上下部がネ
ジ切り加工された例えば4本の支持棒18は、前記回転
円板16の周縁部に等周角度(90゜)で垂直方向に延
びるようにそれぞれ挿入され、前記回転円板16下面か
ら突出した前記支持棒18下部のネジ部にナット19を
螺合することにより前記回転円板16に固定されてい
る。円柱状支持ブロック20は、前記各支持棒18上部
のネジ部に互いに同一水平面に位置するようにそれぞれ
螺合されている。
A rotating disk 16 having a cylindrical body 15 protruding downward in the center is horizontally arranged in the processing tank 12, and the cylindrical body 15 is concentric with the cylindrical portion 13 of the processing tank 12. It passes like a line and extends to the outside of the processing tank 12. On the inner peripheral surface near the lower part of the cylindrical body 15,
The annular engaging portion 17 projects in the horizontal direction. For example, four support rods 18 whose upper and lower parts are threaded are inserted into the peripheral edge of the rotary disc 16 so as to extend vertically at an equal circumferential angle (90 °), and the lower face of the rotary disc 16 is inserted. The nut 19 is screwed onto the threaded portion of the lower portion of the support rod 18 protruding from the fixed rod 18 to be fixed to the rotary disc 16. The cylindrical support blocks 20 are screwed into the threaded portions above the support rods 18 so as to be located on the same horizontal plane.

【0030】中間付近に環状フランジ21を有し、下部
外周にネジ切り加工が施された筒状固定軸22は、前記
処理槽12内から前記回転円板16の前記円筒体15内
を同心円状に通過して前記円盤状プレート10の穴8に
挿入されている。前記筒状固定軸22は、前記プレート
10下面から下方に突出された下部にナット23を螺合
させることにより前記プレート10に固定されている。
また、前記固定軸22の下端開口部には、洗浄液供給管
とのジョンイ部24が形成されている。このジョント部
24には、図示しない洗浄液供給管が連結されている。
洗浄液流通部25が内部に形成され、これと連通する複
数の噴射口26が上部に開口された水平方向に延びる第
2洗浄液噴射手段であるシャワーノズル27は、前記回
転円板16の周縁部に挿入、固定された前記4つの支持
棒18で囲まれた空間内に位置し、前記固定軸22の先
端にその空洞部28と前記流通部25が連通するように
一体的に形成されている。2つのベアリング29a、2
9bは、前記円筒体15内面と前記固定軸22外周面と
前記固定軸22の環状フランジ21と前記プレート10
の環状突起部9とで区画された空間内に環状スペーサ3
0を介して上下に所望の間隔をあけて配置されている。
なお、前記上部ベアリング29aの下面は、前記円筒体
15の下部付近の内周面に形成された前記環状係合部1
7の上面に係合され、前記下部ベアリング29bの上面
は前記環状係合部17の下面に係合される。ゴム製のV
リング31は、前記回転円板16の円筒体15の上部内
周面と前記固定軸22の間に介在され、後述するシャワ
ーノズルからの洗浄液が前記ベアリング29a、29b
が配置される前記円筒体15の内周面と前記固定軸22
の間に流入するのを阻止している。
A cylindrical fixed shaft 22 having an annular flange 21 in the vicinity of the middle and having a threaded outer periphery is concentric with the inside of the cylindrical body 15 of the rotary disk 16 from the inside of the processing tank 12. And is inserted into the hole 8 of the disc-shaped plate 10. The tubular fixed shaft 22 is fixed to the plate 10 by screwing a nut 23 into a lower portion protruding downward from the lower surface of the plate 10.
In addition, at the lower end opening of the fixed shaft 22, there is formed a joint portion 24 with the cleaning liquid supply pipe. A cleaning liquid supply pipe (not shown) is connected to the joint portion 24.
The shower nozzle 27, which is a second horizontally extending cleaning liquid ejecting means having a cleaning liquid circulating portion 25 formed therein and a plurality of injection ports 26 communicating therewith and which is opened at the upper portion, is provided at a peripheral portion of the rotary disc 16. It is located in the space surrounded by the four inserted and fixed support rods 18, and is integrally formed at the tip of the fixed shaft 22 so that the hollow portion 28 and the flow portion 25 communicate with each other. Two bearings 29a, 2
9b is an inner surface of the cylindrical body 15, an outer peripheral surface of the fixed shaft 22, an annular flange 21 of the fixed shaft 22, and the plate 10.
The annular spacer 3 in the space defined by the annular protrusion 9 of
It is arranged at a desired interval up and down via 0.
In addition, the lower surface of the upper bearing 29 a has the annular engaging portion 1 formed on the inner peripheral surface near the lower portion of the cylindrical body 15.
7, the upper surface of the lower bearing 29b is engaged with the lower surface of the annular engaging portion 17. Rubber V
The ring 31 is interposed between the upper inner peripheral surface of the cylindrical body 15 of the rotating disk 16 and the fixed shaft 22, and cleaning liquid from a shower nozzle, which will be described later, is used for the bearings 29a and 29b.
The inner peripheral surface of the cylindrical body 15 on which the
It prevents it from flowing in between.

【0031】被駆動側タイミングプーリ32は、前記円
筒体15の下部外周に嵌合され、複数のネジ33により
前記円筒体15に固定されている。駆動側タイミングプ
ーリ34は、前記モータ2の駆動軸1に嵌合され、それ
らの間に取り付けた係止具35より前記駆動軸1に固定
されている。タイミングベルト36は、前記タイミング
プーリ32、34間に枢支されている。したがって、前
記モータ2の前記駆動軸1を回転させ、この駆動軸1に
固定された駆動側タイミングプーリ34を回転すること
によって、その回転力は前記タイミングベルト36を介
して前記被駆動側タイミングプーリ32に伝達され、こ
のタイミングプーリ32が取り付けられた前記円筒体1
5を有する回転円板16が前記固定軸22を中心にして
回転される。
The driven side timing pulley 32 is fitted around the lower portion of the cylindrical body 15 and fixed to the cylindrical body 15 by a plurality of screws 33. The drive side timing pulley 34 is fitted to the drive shaft 1 of the motor 2 and is fixed to the drive shaft 1 by a locking tool 35 attached between them. The timing belt 36 is pivotally supported between the timing pulleys 32 and 34. Therefore, when the drive shaft 1 of the motor 2 is rotated and the drive side timing pulley 34 fixed to the drive shaft 1 is rotated, the rotational force thereof is transmitted through the timing belt 36 to the driven side timing pulley. The cylindrical body 1 which is transmitted to 32 and to which the timing pulley 32 is attached
A rotating disc 16 having 5 is rotated about the fixed shaft 22.

【0032】なお、前記回転円板16に垂直に固定され
た複数の前記支持棒18およびこれら支持棒18の上端
にそれぞれ取り付けられた前記支持ブロック20により
被洗浄基板を水平に保持するための保持手段を構成して
いる。また、前記駆動軸1、前記モータ2、前記回転円
板16、前記固定軸22、前記ベアリング29a、29
b、前記タイミングプーリ32、34およびタイミング
ベルト36により前記保持手段を回転するための回転手
段を構成している。
A holding for holding the substrate to be cleaned horizontally by a plurality of the supporting rods 18 fixed vertically to the rotating disc 16 and the supporting blocks 20 attached to the upper ends of the supporting rods 18, respectively. Constitutes a means. Further, the drive shaft 1, the motor 2, the rotating disk 16, the fixed shaft 22, the bearings 29a, 29.
b, the timing pulleys 32 and 34, and the timing belt 36 constitute a rotating means for rotating the holding means.

【0033】第1洗浄液噴射手段である円筒型高周波振
動ノズル41は、前記回転円板16の上方に配置され、
前記回転円板16の半径に相当する範囲内で矢印Aに示
すように往復動作される。前記円筒型高周波振動ノズル
41は、図2に示すように上下部の内周面にネジ切り加
工が施され、かつ下部付近の側壁に洗浄液導入穴42を
有する筒状本体43を備えている。前記筒状本体43の
下部付近の内周面には、環状係合部44が水平方向に突
出している。下端に円形の洗浄液吐出口45を有するノ
ズル筐体46は、前記筒状本体43の下部に螺着されて
いる。洗浄液導入管47は、前記筒状本体43の前記洗
浄液導入穴42に挿入され、ろう付けにより前記本体4
3に固定されている。円板状の振動子48は、前記筒状
本体43内に前記環状係合部44に係止されたリング状
の液密パッキンク49を介在して配置されている。押え
およびアースを兼ねる環状カラー50は、前記振動子4
8の周縁に当接して配置されている。外周面にネジ切り
加工が施された押え金具51は、前記筒状本体43内に
その上端から螺着することにより前記環状カラー50上
面に当接されている。中心に貫通穴52を有し、かつ上
部側にネジ部53を有するケーブルフィッティング部材
54は、前記筒状本体43内にリング状銅板55を介し
て前記押え金具51に当接されている。前記フィッティ
ング部材54の前記ネジ部53の上端には、逆円錐状溝
56が形成されている。例えばフッ素樹脂からなる中央
部に穴57を有する逆円錐状のフェルール58は、前記
フィッティング部材54の前記ネジ部53上端の逆円錐
状溝56に嵌合されている。中央部に穴59を有するキ
ャップ60は、前記フィッティング部材54の前記ネジ
部53に螺合されている。同軸ケーブル61は、前記キ
ャップ60の穴59、前記フェルール58の穴57およ
び前記フィッティング部材54の貫通穴52を通してそ
の先端が前記押え金具51内に挿入されている。なお、
前記キャップ60を下方に向けて回転させることにより
前記フェルール58が前記溝56に挿入され、その楔効
果により前記同軸ケーブル61が前記フィッティング部
材54に固定される。前記同軸ケーブル61の中心のケ
ーブル(プラス側ケーブル)62は、前記押え金具51
および前記環状カラー60の内部を通して前記振動子4
8の上面に接続されている。前記同軸ケーブル61の周
辺ケーブル(アース側ケーブル)63は、前記銅板55
に半田等により接続されている。つまり、前記周辺ケー
ブル(アース側ケーブル)63は、前記銅板55、この
銅板55下方に位置する押え金具51および環状カラー
50を通して前記振動子48周縁に接続されている。前
記同軸ケーブル61は、図示しない高周波発振器に接続
されている。
A cylindrical high-frequency vibrating nozzle 41, which is a first cleaning liquid jetting means, is arranged above the rotating disc 16,
It reciprocates within the range corresponding to the radius of the rotating disk 16 as shown by arrow A. As shown in FIG. 2, the cylindrical high-frequency vibrating nozzle 41 is provided with a cylindrical main body 43 in which the inner peripheral surfaces of the upper and lower parts are threaded and a cleaning liquid introduction hole 42 is formed in the side wall near the lower part. An annular engaging portion 44 horizontally projects on the inner peripheral surface near the lower portion of the tubular body 43. A nozzle housing 46 having a circular cleaning liquid discharge port 45 at the lower end is screwed to the lower portion of the cylindrical main body 43. The cleaning liquid introducing pipe 47 is inserted into the cleaning liquid introducing hole 42 of the cylindrical main body 43 and is brazed to the main body 4
It is fixed to 3. The disk-shaped vibrator 48 is arranged inside the cylindrical body 43 with a ring-shaped liquid-tight packing 49 locked to the annular engaging portion 44. The ring-shaped collar 50, which also functions as a retainer and a ground, is provided with the vibrator 4
It is arranged so as to abut the peripheral edge of 8. The pressing metal fitting 51 having an outer peripheral surface threaded is abutted on the upper surface of the annular collar 50 by being screwed into the cylindrical main body 43 from its upper end. A cable fitting member 54 having a through hole 52 in the center and a threaded portion 53 on the upper side is brought into contact with the pressing fitting 51 via a ring-shaped copper plate 55 in the cylindrical main body 43. An inverted conical groove 56 is formed on the upper end of the screw portion 53 of the fitting member 54. An inverted conical ferrule 58 made of, for example, a fluororesin and having a hole 57 in the center is fitted in an inverted conical groove 56 at the upper end of the screw portion 53 of the fitting member 54. The cap 60 having the hole 59 in the central portion is screwed into the screw portion 53 of the fitting member 54. The coaxial cable 61 has its tip inserted into the pressing fitting 51 through the hole 59 of the cap 60, the hole 57 of the ferrule 58, and the through hole 52 of the fitting member 54. In addition,
By rotating the cap 60 downward, the ferrule 58 is inserted into the groove 56, and the coaxial cable 61 is fixed to the fitting member 54 by its wedge effect. The center cable (plus side cable) 62 of the coaxial cable 61 is the pressing metal fitting 51.
And the vibrator 4 through the inside of the annular collar 60.
8 is connected to the upper surface. The peripheral cable (ground side cable) 63 of the coaxial cable 61 is the copper plate 55.
It is connected by soldering or the like. That is, the peripheral cable (ground side cable) 63 is connected to the peripheral edge of the vibrator 48 through the copper plate 55, the holding metal fitting 51 located below the copper plate 55, and the annular collar 50. The coaxial cable 61 is connected to a high frequency oscillator (not shown).

【0034】次に、本発明の実施例1に係わる洗浄装置
の作用を説明する。被洗浄基板、例えば半導体ウェハ6
4を前記回転円板16に設けた4本の支持棒18に取り
付けられた支持ブロック20に水平に載置する。前記モ
ータ2を駆動してその駆動軸1を回転させ、この駆動軸
1に固定された駆動側タイミングプーリ34を回転する
と、その回転力は前記タイミングベルト36を介して前
記被駆動側タイミングプーリ32に伝達され、このタイ
ミングプーリ32が取り付けられた前記円筒体15を有
する回転円板16が前記固定軸22を中心にして回転さ
れる。その結果、前記回転円板16に固定された4つの
支持棒18上端の支持ブロック20に載置された前記半
導体ウェハ64が回転される。
Next, the operation of the cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. Substrate to be cleaned, eg semiconductor wafer 6
4 is horizontally placed on a support block 20 attached to four support rods 18 provided on the rotating disc 16. When the motor 2 is driven to rotate the drive shaft 1 and the drive side timing pulley 34 fixed to the drive shaft 1 is rotated, the rotational force is generated via the timing belt 36 to the driven side timing pulley 32. The rotary disc 16 having the cylindrical body 15 to which the timing pulley 32 is attached is rotated about the fixed shaft 22. As a result, the semiconductor wafer 64 mounted on the support block 20 at the upper end of the four support rods 18 fixed to the rotating disk 16 is rotated.

【0035】このように半導体ウェハ64を回転させた
状態で、前記筒状の固定軸22のジョント部24に連結
された図示しない洗浄液供給管に洗浄液、例えば純水を
供給すると、前記純水は前記固定軸22の空洞部28を
通してこれと連通する前記シャワーノズル27の流通部
25に導入され、前記ノズル27上部の複数の噴射口2
6から上方に向けて噴射される。前記シャワーノズル2
7は、前記回転円板16の周縁部に挿入、固定された前
記4つの支持棒18で囲まれた空間内に位置するため、
前記支持棒18の支持ブロック20に載置されて回転さ
れる前記半導体ウェハ60の裏面に前記シャワーノズル
27からの純水が噴射される。前記円筒型高周波振動ノ
ズル41の前記洗浄液導入管47に洗浄液、例えば純水
を導入し、この純水を前記洗浄液導入穴42を通して前
記筒状本体43内に供給する。図示しない高周波発振器
から前記同軸ケーブル61を通して前記筒状本体43の
前記洗浄液導入穴42の上方に配置した振動子48に高
周波電力を印加すると、前記振動子48が所望の周波数
で振動するため、前記筒状本体43の下部に取り付けら
れた前記ノズル筐体46の円形吐出口45から高周波音
波に乗った純水が回転する前記半導体ウェハ64表面に
噴射され、かつ前記高周波音波が前記半導体ウェハ64
を透過する。同時に、前記高周波振動ノズル41を前記
回転円板16の半径、つまり前記半導体ウェハ64の半
径に相当する範囲内で矢印Aに示すように往復動作する
と、前記ノズル筐体46の円形吐出口45から高周波音
波に乗った洗浄液を前記半導体ウェハ64の表面全体に
噴射される。なお、前記各ノズル27、41から噴射さ
れ、半導体ウェハ64の表裏面を洗浄した後の純水は処
理槽12内に溜められ、排出管14を通して外部に排出
される。
When the semiconductor wafer 64 is thus rotated, a cleaning liquid, for example, pure water, is supplied to a cleaning liquid supply pipe (not shown) connected to the joint portion 24 of the cylindrical fixed shaft 22. The plurality of injection ports 2 above the nozzles 27 are introduced through the hollow portion 28 of the fixed shaft 22 into the circulation portion 25 of the shower nozzle 27 communicating with the hollow portion 28.
It is injected from 6 upward. The shower nozzle 2
Since 7 is located in the space surrounded by the four support rods 18 inserted and fixed in the peripheral portion of the rotating disc 16,
Pure water is sprayed from the shower nozzle 27 onto the back surface of the semiconductor wafer 60 which is placed on the support block 20 of the support rod 18 and rotated. A cleaning liquid, for example, pure water is introduced into the cleaning liquid introducing pipe 47 of the cylindrical high-frequency vibration nozzle 41, and the pure water is supplied into the cylindrical main body 43 through the cleaning liquid introducing hole 42. When high frequency power is applied from a high frequency oscillator (not shown) to the vibrator 48 arranged above the cleaning liquid introduction hole 42 of the cylindrical main body 43 through the coaxial cable 61, the vibrator 48 vibrates at a desired frequency. Pure water carried by high frequency sound waves is jetted from the circular discharge port 45 of the nozzle housing 46 attached to the lower portion of the cylindrical main body 43 onto the surface of the rotating semiconductor wafer 64, and the high frequency sound waves are generated by the semiconductor wafer 64.
Through. At the same time, when the high-frequency vibrating nozzle 41 is reciprocated within a range corresponding to the radius of the rotating disk 16, that is, the radius of the semiconductor wafer 64 as shown by an arrow A, the circular ejection port 45 of the nozzle housing 46 is ejected. A cleaning liquid that has been subjected to high-frequency sound waves is sprayed onto the entire surface of the semiconductor wafer 64. The pure water that has been sprayed from the nozzles 27 and 41 and after cleaning the front and back surfaces of the semiconductor wafer 64 is stored in the processing tank 12 and discharged to the outside through the discharge pipe 14.

【0036】このように前記保持手段および回転手段に
より半導体ウェハ64を水平状態で保持して回転させな
がら、前記半導体ウェハ64の上方に配置した前記高周
波振動ノズル41から前記ウェハ64を通過する高周波
音波に乗った純水を前記半導体ウェハ64の表面に向け
て噴射すると共に前記高周波振動ノズル41を矢印Aに
示すように前記半導体ウェハ64の半径に相当する範囲
内で往復動作させることによって、前記半導体ウェハ6
4の表面全体は前記高周波振動ノズル41から高周波音
波に乗った純水が噴射される。このため、前記ウェハ6
4表面のパーティクルを純水と一緒に洗い流すことがで
き、かつパーティクルの再付着を防止して精密洗浄を行
うことができる。
As described above, while the semiconductor wafer 64 is held horizontally by the holding means and the rotating means and is rotated, the high frequency sound wave passing through the wafer 64 from the high frequency vibration nozzle 41 arranged above the semiconductor wafer 64. Pure water on the semiconductor wafer 64 is jetted toward the surface of the semiconductor wafer 64, and the high-frequency vibration nozzle 41 is reciprocated within a range corresponding to the radius of the semiconductor wafer 64 as shown by an arrow A. Wafer 6
Pure water carried by high frequency sound waves is jetted from the high frequency vibrating nozzle 41 over the entire surface of 4. Therefore, the wafer 6
The particles on the surface 4 can be washed away with pure water, and the particles can be prevented from redepositing for precision cleaning.

【0037】前記高周波振動ノズル41からの高周波音
波に乗った純水を前記半導体ウェハ64表面に向けて噴
射し、矢印A方向に掃引させると同時に、前記半導体ウ
ェハ64の下方に配置したシャワーノズル27から純水
を前記半導体ウェハ64の裏面に向けて噴射すると、前
記高周波振動ノズル41からの高周波音波は前記半導体
ウェハ64を透過してその裏面に存在するパーティクル
にも作用し、前記シャワーノズル27から噴射された純
水の液膜により前記パーティクルを洗い流すことができ
る。また、前記液膜まで達した高周波音波は音響インピ
ーダンスが大きく異なる空気層で反射され、前記ウェハ
64裏面のパーティクルに作用しながら前記ウェハ64
内を通過してその表面側に戻る。表面側に戻った高周波
音波は、前記ウェハ64表面の液膜と空気層の界面で反
射し、この後前述したのと同様な反射を繰り返しながら
減衰していく。このようにシャワーノズル29から純水
を前記半導体ウェハ64裏面に噴射して液膜を形成する
ことにより前記半導体ウェハ64の下方、つまりその裏
面側に高周波振動ノズルを配置することなく前記半導体
ウェハ64の裏面全体も同時に精密洗浄することが可能
になる。
Pure water carried by high-frequency sound waves from the high-frequency vibration nozzle 41 is jetted toward the surface of the semiconductor wafer 64 and swept in the direction of arrow A, and at the same time, the shower nozzle 27 arranged below the semiconductor wafer 64. When pure water is sprayed from the semiconductor wafer 64 toward the back surface of the semiconductor wafer 64, the high-frequency sound waves from the high-frequency vibration nozzle 41 penetrate the semiconductor wafer 64 and act on the particles existing on the back surface of the semiconductor wafer 64. The particles can be washed away by the sprayed pure water film. Further, the high frequency sound waves that have reached the liquid film are reflected by the air layer having a large difference in acoustic impedance, and act on the particles on the back surface of the wafer 64 while operating on the wafer 64.
Passes through and returns to the surface side. The high frequency sound waves returning to the surface side are reflected at the interface between the liquid film and the air layer on the surface of the wafer 64, and then attenuated while repeating the same reflection as described above. In this way, pure water is sprayed from the shower nozzle 29 onto the back surface of the semiconductor wafer 64 to form a liquid film, and the semiconductor wafer 64 is disposed below the semiconductor wafer 64, that is, on the back surface side thereof without disposing a high-frequency vibration nozzle. It becomes possible to perform precision cleaning on the entire back surface of the at the same time.

【0038】事実、実施例1の洗浄装置を用いた次のよ
うな実験により半導体ウェハの表裏面を精密洗浄できる
ことを確認した。 (実験例)まず、両面がポリシングされた8インチのシ
リコンウェハの表裏面に0.2μm以上シリコンパウダ
で強制的に汚染した。このシリコンウェハ64を回転円
板16に設けた4本の支持棒18に取り付けられた支持
ブロック20に水平に載置した。モータ2を駆動してそ
の駆動軸1を回転させ、この駆動軸1に固定された駆動
側タイミングプーリ34を回転することにより、その回
転力をタイミングベルト36を介して被駆動側タイミン
グプーリ32に伝達し、このタイミングプーリ32が取
り付けられた前記円筒体15を有する回転円板16を筒
状の固定軸22を中心にして回転した。これにより、前
記回転円板16の挿入固定された4つの支持棒18上端
の支持ブロック20に載置された前記シリコンウェハ6
4を1500rpmの速度で回転した。このようなシリ
コンウェハ64を回転させた状態で、前記筒状の固定軸
22のジョント部24に連結された図示しない洗浄液供
給管に純水を供給し、前記純水を前記固定軸22の空洞
部28を通してこれと連通するシャワーノズル27の流
通部25に導入し、前記ノズル27上部の複数の噴射口
26から回転する前記シリコンウェハ64の裏面に純水
を2.4リットル/分の流量で噴射した。また、前記円
筒型高周波振動ノズル41の前記洗浄液導入管47に純
水を導入し、この純水を前記洗浄液導入穴42を通して
前記筒状本体43内に供給する。同時に図示しない高周
波発振器から前記同軸ケーブル61を通して前記筒状本
体43の前記洗浄液導入穴42の上方に配置した振動子
48に高周波電力を印加することにより前記振動子48
が1.5kHzの周波数で振動して筒状本体43の下部
に取り付けられたノズル筐体46の円形吐出口45から
1.5kHzの高周波する。この高周波音波に乗った純
水を回転する前記シリコンウェハ64表面に0.8リッ
トル/分の流量で30秒間噴射し、同時に前記高周波振
動ノズル41を前記シリコンウェハ64の半径範囲内で
3.0m/分の速度で往復動作することにより前記シリ
コンウェハ64の洗浄を行った。
In fact, it was confirmed by the following experiment using the cleaning apparatus of Example 1 that the front and back surfaces of the semiconductor wafer could be precisely cleaned. Experimental Example First, the front and back surfaces of an 8-inch silicon wafer whose both surfaces were polished were forcibly contaminated with silicon powder of 0.2 μm or more. The silicon wafer 64 was horizontally placed on a support block 20 attached to four support rods 18 provided on the rotary disc 16. By driving the motor 2 to rotate the drive shaft 1 and rotating the drive side timing pulley 34 fixed to the drive shaft 1, the rotational force is transmitted to the driven side timing pulley 32 via the timing belt 36. The rotary disc 16 having the cylindrical body 15 to which the timing pulley 32 is attached is transmitted and rotated about a cylindrical fixed shaft 22. As a result, the silicon wafer 6 placed on the support block 20 at the upper end of the four support rods 18 into which the rotary disc 16 is inserted and fixed.
4 was rotated at a speed of 1500 rpm. With the silicon wafer 64 rotated, pure water is supplied to a cleaning liquid supply pipe (not shown) connected to the joint portion 24 of the cylindrical fixed shaft 22, and the pure water is fed into the cavity of the fixed shaft 22. It is introduced into the flow section 25 of the shower nozzle 27 communicating with the shower nozzle 27 through the section 28, and pure water is supplied to the back surface of the silicon wafer 64 rotating from the plurality of injection ports 26 on the nozzle 27 at a flow rate of 2.4 liter / min. Jetted. Pure water is introduced into the cleaning liquid introducing pipe 47 of the cylindrical high-frequency vibration nozzle 41, and the pure water is supplied into the cylindrical body 43 through the cleaning liquid introducing hole 42. At the same time, high-frequency power is applied from the high-frequency oscillator (not shown) through the coaxial cable 61 to the vibrator 48 arranged above the cleaning liquid introduction hole 42 of the cylindrical body 43, whereby the vibrator 48 is applied.
Vibrates at a frequency of 1.5 kHz, and a high frequency of 1.5 kHz is generated from the circular ejection port 45 of the nozzle housing 46 attached to the lower portion of the cylindrical main body 43. Pure water carried by this high frequency sound wave is sprayed onto the surface of the rotating silicon wafer 64 at a flow rate of 0.8 liter / minute for 30 seconds, and at the same time, the high frequency vibration nozzle 41 is 3.0 m within the radius range of the silicon wafer 64. The silicon wafer 64 was cleaned by reciprocating at a speed of / minute.

【0039】(比較例)前述した図1の洗浄装置におい
て、高周波振動ノズルの代わりに細長状のシャワーノズ
ルを用い、このシャワーノズルから純水を回転するシリ
コンウェハに0.8リットル/分の流量で噴射した以
外、実験例と同様な方法によりシリコンウェハを洗浄し
た。実験例および比較例により洗浄処したシリコンウェ
ハの表裏面のパーティクルの個数、除去率を測定した。
その結果を下記表1に示す。
(Comparative Example) In the above-mentioned cleaning apparatus of FIG. 1, an elongated shower nozzle was used in place of the high-frequency vibrating nozzle, and pure water was spun from the shower nozzle to the rotating silicon wafer at a flow rate of 0.8 liter / min. The silicon wafer was washed in the same manner as in the experimental example except that the spraying was carried out in 1. The number of particles and the removal rate of the front and back surfaces of the cleaned silicon wafer were measured by the experimental example and the comparative example.
The results are shown in Table 1 below.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】前記表1から明らかなように本発明の実施
例1に係わる洗浄装置では、シリコンウェハの表裏面の
パーティクルを良好に除去でき、精密洗浄を行うことが
できることがわかる。なお、前記シリコンウェハの裏面
のパーティクル除去率が70%程度であればこのウェハ
からそのバック側のパーティクルに起因する汚染のない
良好な特性を有する半導体装置を製造することが可能に
なる。
As is clear from Table 1, the cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention can satisfactorily remove particles on the front and back surfaces of a silicon wafer and can perform precision cleaning. If the particle removal rate on the back surface of the silicon wafer is about 70%, it is possible to manufacture a semiconductor device having good characteristics free from contamination due to particles on the back side of the wafer.

【0042】前述したシリコンウェハ64の洗浄処理
後、前記シャワーノズル27からの純水の噴射、高周波
振動ノズル41からの高周波音波に乗った純水の噴射を
停止し、モータ2による駆動軸1の回転速度を上げて回
転円板16を例えば3000rpmと高速回転すること
により、前記回転円板16の支持棒18の支持ブロック
20に載置されたシリコンウェハ64を連続してスピン
乾燥することができる。
After the above-mentioned cleaning of the silicon wafer 64, the injection of pure water from the shower nozzle 27 and the injection of pure water along with the high frequency sound wave from the high frequency vibration nozzle 41 are stopped, and the motor 2 drives the drive shaft 1 of the drive shaft 1. By increasing the rotation speed and rotating the rotating disk 16 at a high speed of, for example, 3000 rpm, the silicon wafer 64 placed on the support block 20 of the supporting rod 18 of the rotating disk 16 can be continuously spin-dried. .

【0043】なお、前記実施例1では高周波振動ノズル
として円筒型のものを用い、被洗浄基板(例えばシリコ
ンウェハ)の半径の範囲内で掃引させるようにしたが、
これに限定されない。例えば、前記円筒型高周波振動ノ
ズルの代わりに細長状の洗浄液吐出口を有する矩形状本
体を備えるバー型高周波振動ノズルを用いても同様な効
果を奏する。
In the first embodiment, a cylindrical type high frequency vibrating nozzle is used, and sweeping is performed within the radius of the substrate to be cleaned (eg, silicon wafer).
It is not limited to this. For example, instead of the cylindrical high-frequency vibrating nozzle, a bar-type high-frequency vibrating nozzle having a rectangular main body having an elongated cleaning liquid ejection port can be used to achieve the same effect.

【0044】(実施例2)図3は、本発明の実施例2に
係わる洗浄装置を示す断面図、図4は図3の洗浄装置に
組み込まれる第1洗浄液噴射手段であるバー型高周波振
動ノズルを示す断面図、図5は図4のV−V線に沿う断
面図である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a sectional view showing a cleaning apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4 is a bar type high frequency vibrating nozzle which is a first cleaning liquid injection means incorporated in the cleaning apparatus of FIG. 5 is a sectional view taken along the line VV of FIG.

【0045】垂直方向に駆動軸101が延出されたモー
タ102は、筒状の支持部材103に収納されている。
支持板104は、前記筒状の支持部材103上に複数の
ネジ105により固定されている。また、前記支持板1
04は、前記駆動軸101に対応する箇所および前記支
持部材103から左側に延出した部分にそれぞれ穴10
6、107が開孔されている。中央に穴108が開口さ
れ、かつ前記穴108周辺に環状突起部109を有する
円盤状プレート110は、前記支持板104上に前記支
持板104下面から前記プレート109に向けて螺着さ
れた複数のネジ111により固定されている。
The motor 102 having the drive shaft 101 extending in the vertical direction is housed in a cylindrical support member 103.
The support plate 104 is fixed on the tubular support member 103 by a plurality of screws 105. Also, the support plate 1
Numeral 04 designates holes 10 at a portion corresponding to the drive shaft 101 and a portion extending leftward from the support member 103, respectively.
6, 107 are perforated. A disc-shaped plate 110 having a hole 108 in the center and an annular protrusion 109 around the hole 108 is a plurality of screws screwed onto the support plate 104 from the lower surface of the support plate 104 toward the plate 109. It is fixed by a screw 111.

【0046】処理槽112は、前記円盤状プレート11
0の上方に配置されている。前記処理槽112は、有底
円筒形状をなし、かつ底部中央に上方に突出した円筒部
113を有する。排出管114は、前記処理槽112の
左側壁に近接した底部に連結されている。なお、前記処
理槽112は図示しない架台により前記円筒部113が
前記円盤状プレート110の穴108と同心円状に位置
するように支持固定されている。
The processing tank 112 is the disk-shaped plate 11 described above.
It is located above 0. The processing tank 112 has a cylindrical shape with a bottom, and has a cylindrical portion 113 projecting upward at the center of the bottom. The discharge pipe 114 is connected to a bottom portion of the processing tank 112 adjacent to the left side wall. The processing tank 112 is supported and fixed by a stand (not shown) such that the cylindrical portion 113 is positioned concentrically with the hole 108 of the disk-shaped plate 110.

【0047】中央部に下方に向けて突出した円筒体11
5を有する回転円板116は、前記処理槽112内に水
平に配置されている。前記円筒体115は、前記処理槽
112の前記円筒部113内を同心円状に通過して前記
処理槽112外部に延出されている。前記円筒体115
の下部付近の内周面には環状係合部117が水平方向に
突出している。上下部がネジ切り加工された例えば4本
の支持棒118は、前記回転円板116の周縁部に等周
角度(90゜)で垂直方向に延びるようにそれぞれ挿入
され、前記回転円板116下面から突出した前記支持棒
118下部のネジ部にナット119を螺合することによ
り前記回転円板116に固定されている。円柱状支持ブ
ロック120は、前記各支持棒118上部のネジ部に互
いに同一水平面に位置するようにそれぞれ螺合されてい
る。
Cylindrical body 11 protruding downward in the central portion
The rotating disk 116 having the number 5 is horizontally arranged in the processing bath 112. The cylindrical body 115 concentrically passes through the inside of the cylindrical portion 113 of the processing bath 112 and extends to the outside of the processing bath 112. The cylindrical body 115
An annular engaging portion 117 projects horizontally on the inner peripheral surface near the lower part of the. For example, four support rods 118 whose upper and lower parts are threaded are inserted into the peripheral edge of the rotating disc 116 so as to extend vertically at an equal circumferential angle (90 °), and the lower face of the rotating disc 116 is inserted. The nut 119 is screwed onto the threaded portion of the lower portion of the support rod 118 protruding from the rotary rod 116 to be fixed to the rotary disc 116. The cylindrical support blocks 120 are screwed into the threaded portions above the support rods 118 so that they are located on the same horizontal plane.

【0048】中間付近に環状フランジ121を有し、下
部外周にネジ切り加工が施された筒状固定軸122は、
前記処理槽112内から前記回転円板116の前記円筒
体115内を同心円状に通過して前記円盤状プレート1
10の穴108に挿入されている。前記筒状固定軸12
2は、前記プレート110下面から下方に突出された下
部にナット123を螺合させることにより前記プレート
110に固定されている。2つのベアリング124a、
124bは、前記円筒体115内面、前記筒状固定軸1
22外周面、前記固定軸122の環状フランジ121、
および前記プレート110の環状突起部109で区画さ
れた空間内に環状スペーサ125を介して上下に所望の
間隔をあけて配置されている。なお、前記上部ベアリン
グ124aの下面は、前記円筒体115の下部付近の内
周面に形成された前記環状係合部117の上面に係合さ
れている。前記下部ベアリング124bの上面は、前記
環状係合部117の下面に係合される。ゴム製のVリン
グ126は、前記回転円板116の円筒体115の上部
内周面と前記固定軸22の間に介在され、後述するバー
型高周波振動ノズルからの洗浄液が前記ベアリング12
4a、124bが配置される前記円筒体115の内周面
と前記固定軸122の間に流入するのを阻止している。
A cylindrical fixed shaft 122 having an annular flange 121 near the middle and having a threaded outer periphery is
The disk-shaped plate 1 is passed from the inside of the processing tank 112 through the cylindrical body 115 of the rotating disk 116 concentrically.
It is inserted into 10 holes 108. The cylindrical fixed shaft 12
2 is fixed to the plate 110 by screwing a nut 123 into a lower portion protruding downward from the lower surface of the plate 110. Two bearings 124a,
124b is an inner surface of the cylindrical body 115, the cylindrical fixed shaft 1
22 outer peripheral surface, the annular flange 121 of the fixed shaft 122,
Further, the plate 110 is arranged in a space defined by the annular protrusions 109 with an annular spacer 125 therebetween and is vertically arranged at a desired interval. The lower surface of the upper bearing 124a is engaged with the upper surface of the annular engaging portion 117 formed on the inner peripheral surface near the lower portion of the cylindrical body 115. The upper surface of the lower bearing 124b is engaged with the lower surface of the annular engaging portion 117. The rubber V-ring 126 is interposed between the upper inner peripheral surface of the cylindrical body 115 of the rotating disk 116 and the fixed shaft 22, and cleaning liquid from a bar-type high-frequency vibrating nozzle, which will be described later, is used for the bearing 12.
4a and 124b are prevented from flowing between the inner peripheral surface of the cylindrical body 115 and the fixed shaft 122.

【0049】被駆動側タイミングプーリ127は、前記
円筒体115の下部外周に嵌合され、複数のネジ128
により前記円筒体115に固定されている。駆動側タイ
ミングプーリ129は、前記モータ102の駆動軸10
1に嵌合され、それらの間に取り付けた係止具130よ
り前記駆動軸101に固定されている。タイミングベル
ト131は、前記タイミングプーリ127、129間に
枢支されている。したがって、前記モータ102の前記
駆動軸101を回転させ、この駆動軸101に固定され
た駆動側タイミングプーリ129を回転することによ
り、その回転力は前記タイミングベルト131を介して
前記被駆動側タイミングプーリ127に伝達され、この
タイミングプーリ127が取り付けられた前記円筒体1
15を有する回転円板116が前記筒状固定軸122を
中心にして回転される。
The driven side timing pulley 127 is fitted on the outer periphery of the lower portion of the cylindrical body 115, and has a plurality of screws 128.
Is fixed to the cylindrical body 115. The drive side timing pulley 129 is used for the drive shaft 10 of the motor 102.
1, and is fixed to the drive shaft 101 by a locking tool 130 attached between them. The timing belt 131 is pivotally supported between the timing pulleys 127 and 129. Therefore, when the drive shaft 101 of the motor 102 is rotated and the drive side timing pulley 129 fixed to the drive shaft 101 is rotated, the rotational force is transmitted via the timing belt 131 to the driven side timing pulley. The cylindrical body 1 which is transmitted to 127 and to which the timing pulley 127 is attached
A rotating disk 116 having 15 is rotated about the cylindrical fixed shaft 122.

【0050】なお、前記回転円板116に垂直に固定さ
れた複数の前記支持棒118およびこれら支持棒118
の上端にそれぞれ取り付けられた前記支持ブロック12
0により被洗浄基板を水平に保持するための保持手段を
構成している。また、前記駆動軸101、前記モータ1
02、前記回転円板116、前記固定軸122、前記ベ
アリング124a、124b、前記タイミングプーリ1
27、129およびタイミングベルト131により前記
保持手段を回転するための回転手段を構成している。
The plurality of support rods 118 fixed vertically to the rotating disc 116 and the support rods 118.
The support blocks 12 respectively attached to the upper ends of the
0 constitutes holding means for holding the substrate to be cleaned horizontally. In addition, the drive shaft 101 and the motor 1
02, the rotating disk 116, the fixed shaft 122, the bearings 124a and 124b, the timing pulley 1
27 and 129 and the timing belt 131 constitute a rotating means for rotating the holding means.

【0051】バー型高周波振動ノズル132は、前記筒
状固定軸122の上端に固定されている。前記バー型高
周波振動ノズル132は、図4、図5に示すように横長
状の凹部133を有する矩形状下部ブロック134と、
上面に細長状の洗浄液吐出口135を有し、下面が前記
凹部133上面の開口面積より小さい面積を持つ横長の
ノズル穴136を開口した矩形状上部ブロック137と
を備えている。前記上部ブロック136は、前記下部ブ
ロック134に前記上部ブロック137のノズル穴13
6が前記下部ブロック134の前記凹部133と対向す
るようにパッキン138を間に挟んで固定されている。
このように前記上部ブロック137を前記下部ブロック
134に固定することにより、前記ノズル穴136周縁
の前記上部ブロック137部分が前記凹部133上面に
庇状に突出される。矩形状の振動板139は、前記凹部
133上面に庇状に突出された前記上部ブロック137
下面の前記パッキン138に配置されている。矩形枠状
のキャップ140は、前記振動板139の下面に配置さ
れ、図示しないネジを前記キャップ140側から前記上
部ブロック137の庇部に螺着することにより前記振動
板139は前記下部ブロック137の前記凹部133と
前記上部ブロック137のノズル穴136の間にに固定
される。矩形状の振動子141は、前記振動板139下
面に固定されている。給電ケーブル142は、前記筒状
固定軸122の下端から挿入され、前記下部ブロック1
34下面に取り付けられたケーブルフィティング部材1
43を通して前記下部ブロック134を貫通して前記凹
部133内に延出されている。前記給電ケーブル142
の主端子144は、その先端が前記振動子141に接続
されている。また、前記給電ケーブル142に同軸的に
取り付けられたアース端子145は前記キャップ140
を通して前記振動板139に接続されている。前記給電
ケーブル142は、高周波発振器(図示せず)に接続さ
れている。洗浄液の第1流路145は、前記下部ブロッ
ク134にその上下面で開口するように座ぐり加工され
ている。洗浄液の第2流路146は、前記上部ブロック
137に座ぐり加工されている。前記第2流路146
は、前記上部ブロック137の下面で開口して前記第1
流路145と連通される立上がり穴147と、前記上部
ブロック137の長手方向に穿設され、前記穴147と
連通する円柱穴148と、この円柱穴148から前記ノ
ズル穴136に向けて斜め方向に開口された複数の洗浄
液流出孔149とから構成されている。洗浄液供給管1
50は、前記筒状固定軸122の下端から挿入され、前
記下部ブロック134下面に取り付けられたフィティン
グ部材151を通して前記下部ブロック134の第1流
路145に連通されている。
The bar type high frequency vibration nozzle 132 is fixed to the upper end of the cylindrical fixed shaft 122. The bar type high frequency vibration nozzle 132 includes a rectangular lower block 134 having a horizontally elongated recess 133 as shown in FIGS.
The upper surface has an elongated cleaning liquid discharge port 135, and the lower surface is provided with a rectangular upper block 137 in which a horizontally long nozzle hole 136 having an area smaller than the opening area of the upper surface of the recess 133 is opened. The upper block 136 includes the nozzle holes 13 of the upper block 137 on the lower block 134.
6 is fixed so as to face the recess 133 of the lower block 134 with a packing 138 sandwiched therebetween.
By fixing the upper block 137 to the lower block 134 in this way, the upper block 137 portion at the peripheral edge of the nozzle hole 136 is projected to the upper surface of the recess 133 in an eaves shape. The rectangular vibrating plate 139 is formed on the upper surface of the recess 133 so as to project like an eaves-shaped upper block 137.
It is disposed on the packing 138 on the lower surface. The rectangular frame-shaped cap 140 is disposed on the lower surface of the diaphragm 139, and the diaphragm 139 is attached to the lower block 137 by screwing a screw (not shown) from the cap 140 side to the eaves of the upper block 137. It is fixed between the recess 133 and the nozzle hole 136 of the upper block 137. The rectangular vibrator 141 is fixed to the lower surface of the diaphragm 139. The power supply cable 142 is inserted from the lower end of the cylindrical fixed shaft 122, and is connected to the lower block 1
34 Cable fitting member 1 attached to the lower surface
It extends through the lower block 134 through 43 into the recess 133. The power supply cable 142
The main terminal 144 has a tip connected to the vibrator 141. Further, the ground terminal 145 coaxially attached to the power feeding cable 142 is the cap 140.
Through the diaphragm 139. The power feeding cable 142 is connected to a high frequency oscillator (not shown). The first flow path 145 of the cleaning liquid is counterbored in the lower block 134 so as to open at the upper and lower surfaces thereof. The second flow path 146 for the cleaning liquid is counterbored in the upper block 137. The second flow path 146
Is opened on the lower surface of the upper block 137 and
A rising hole 147 communicating with the flow path 145, a cylindrical hole 148 formed in the longitudinal direction of the upper block 137 and communicating with the hole 147, and an oblique direction from the cylindrical hole 148 toward the nozzle hole 136. It is composed of a plurality of opened cleaning liquid outflow holes 149. Cleaning liquid supply pipe 1
50 is inserted from the lower end of the cylindrical fixed shaft 122, and communicates with the first flow path 145 of the lower block 134 through a fitting member 151 attached to the lower surface of the lower block 134.

【0052】第2洗浄液噴射手段である断面がL形をな
すバー型シャワーノズル152は、前記回転円板116
の上方に配置されている。前記シャワーノズル152
は、洗浄液供給部材153と、この供給部材153と連
結された水平方向に延びる横長のノズル本体154と、
この本体154の内部に形成された洗浄液流通部155
と、この流通部155と連通し、前記本体154の下面
に開口された複数の噴射口156とから構成されてい
る。
The bar-shaped shower nozzle 152 having a L-shaped cross section, which is the second cleaning liquid jetting means, has the rotating disc 116.
It is arranged above. The shower nozzle 152
Is a cleaning liquid supply member 153, a horizontally elongated nozzle body 154 connected to the supply member 153, and
The cleaning liquid flow section 155 formed inside the main body 154.
And a plurality of injection ports 156 that are open to the lower surface of the main body 154 and communicate with the flow section 155.

【0053】次に、本発明の実施例2に係わる洗浄装置
の作用を説明する。被洗浄基板、例えば半導体ウェハ1
37を前記回転円板116に設けた4本の支持棒118
に取り付けられた支持ブロック120に載置し、前記支
持ブロック120上に水平に載置する。前記モータ10
2を駆動してその駆動軸101を回転させ、この駆動軸
101に固定された駆動側タイミングプーリ129を回
転すると、その回転力は前記タイミングベルト131を
介して前記被駆動側タイミングプーリ127に伝達さ
れ、このタイミングプーリ127が取り付けられた前記
円筒体115を有する回転円板116が前記筒状固定軸
122を中心にして回転される。その結果、前記回転円
板116に固定された4つの支持棒118上端の支持ブ
ロック120に載置された前記半導体ウェハ137が回
転される。
Next, the operation of the cleaning apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. Substrate to be cleaned, eg semiconductor wafer 1
Four support rods 118 provided with 37 on the rotating disc 116
It is placed on the support block 120 attached to the above and horizontally placed on the support block 120. The motor 10
2 drives the drive shaft 101 to rotate, and when the drive side timing pulley 129 fixed to the drive shaft 101 rotates, the rotational force is transmitted to the driven side timing pulley 127 via the timing belt 131. Then, the rotating disc 116 having the cylindrical body 115 to which the timing pulley 127 is attached is rotated about the cylindrical fixed shaft 122. As a result, the semiconductor wafer 137 mounted on the support block 120 at the upper end of the four support rods 118 fixed to the rotating disk 116 is rotated.

【0054】このように半導体ウェハ137を回転させ
た状態で、前記筒状固定軸122内に挿入された洗浄液
供給管150に洗浄液、例えば純水を供給すると、前記
純水は前記フィッティング部材151を通してこれと連
通する前記バー型高周波振動ノズル132の第1流路1
45、第2流路146内に導入され、前記第2流路14
6の複数の噴射孔149から前記矩形状上部ブロック1
37の矩形状ノズル穴136内の前記振動板139に向
けて噴射され、前記ノズル136内が純水で満たされ
る。この状態で図示しない高周波発振器から前記給電ケ
ーブル142を通して前記下部、上部のブロック13
4、137間の振動板139下面に取着された振動子1
41に高周波電力を印加すると、前記振動子141が所
望の周波数で振動する。このため、前記振動子141が
取着された振動板139から前記上部ブロック137の
矩形状ノズル穴136上面の細長状の吐出口135に向
かう高周波音波が発生する。その結果、図3、図5に示
すように前記上部ブロック137の前記細長状吐出口1
35から高周波音波に乗った純水が回転する前記半導体
ウェハ157表面に帯状に噴射される。この時、前記高
周波音波は前記半導体ウェハ157を透過する。同時
に、前記半導体ウェハ157の上方に配置した前記シャ
ワーノズル152の前記洗浄液供給部153に洗浄液、
例えば純水を供給すると、横長の前記ノズル本体154
の前記流通部155に導入され、前記ノズル本体154
下部の複数の噴射口156から純水が回転する前記半導
体ウェハ157表面に帯状に噴射される。なお、前記各
ノズル132、152から噴射され、前記半導体ウェハ
157の裏面および表面を洗浄した後の純水は処理槽1
12内に溜められ、排出管114を通して外部に排出さ
れる。
When the cleaning liquid, for example, pure water is supplied to the cleaning liquid supply pipe 150 inserted in the cylindrical fixed shaft 122 while the semiconductor wafer 137 is thus rotated, the pure water passes through the fitting member 151. The first flow path 1 of the bar-type high-frequency vibration nozzle 132 communicating with this
45, introduced into the second flow path 146,
From the plurality of injection holes 149, the rectangular upper block 1
It is sprayed toward the vibrating plate 139 in the rectangular nozzle hole 136 of 37, and the inside of the nozzle 136 is filled with pure water. In this state, the lower and upper blocks 13 are passed from the high frequency oscillator (not shown) through the power feeding cable 142.
The vibrator 1 attached to the lower surface of the vibrating plate 139 between Nos. 4 and 137.
When high frequency power is applied to 41, the oscillator 141 vibrates at a desired frequency. Therefore, high-frequency sound waves are generated from the vibration plate 139 to which the vibrator 141 is attached, toward the elongated ejection port 135 on the upper surface of the rectangular nozzle hole 136 of the upper block 137. As a result, as shown in FIGS. 3 and 5, the elongated discharge port 1 of the upper block 137 is formed.
Pure water carried by high frequency sound waves from 35 is jetted in a band shape on the surface of the rotating semiconductor wafer 157. At this time, the high frequency sound waves pass through the semiconductor wafer 157. At the same time, a cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid supply unit 153 of the shower nozzle 152 arranged above the semiconductor wafer 157.
For example, when pure water is supplied, the horizontally elongated nozzle body 154
Of the nozzle body 154.
Pure water is jetted in a strip shape from the plurality of jet holes 156 at the bottom onto the surface of the rotating semiconductor wafer 157. The pure water that has been sprayed from the nozzles 132 and 152 and after cleaning the back surface and the front surface of the semiconductor wafer 157 is the processing tank 1.
It is stored in 12 and is discharged to the outside through a discharge pipe 114.

【0055】このように前記保持手段および回転手段に
より半導体ウェハ157を水平状態で保持して回転させ
ながら、前記半導体ウェハ157の下方に配置した前記
バー型高周波振動ノズル132から前記ウェハ157を
通過する高周波音波に乗った純水を前記半導体ウェハ1
57の表面に向けて帯状に噴射することによって、前記
半導体ウェハ157の裏面全体のパーティクルを純水と
一緒に洗い流すことができ、かつパーティクルの再付着
を防止して精密洗浄を行うことができる。
As described above, while the semiconductor wafer 157 is held and rotated in the horizontal state by the holding means and the rotating means, the semiconductor wafer 157 passes through the wafer 157 from the bar type high frequency vibration nozzle 132 arranged below the semiconductor wafer 157. Pure water that has been subjected to high-frequency sound waves is applied to the semiconductor wafer 1
By spraying in a band shape toward the surface of 57, the particles on the entire back surface of the semiconductor wafer 157 can be washed away together with pure water, and the particles can be prevented from re-adhering and precision cleaning can be performed.

【0056】前記バー型高周波振動ノズル132からの
高周波音波に乗った純水を前記半導体ウェハ157表面
に向けて帯状に噴射し、同時に前記半導体ウェハ157
の上方に配置したシャワーノズル152から純水を前記
半導体ウェハ157の表面に向けて帯状に噴射すると、
前記高周波振動ノズル132からの高周波音波は前記半
導体ウェハ157を透過してその表面に存在するパーテ
ィクルにも作用し、前記シャワーノズル152から噴射
された純水の液膜により前記パーティクルを洗い流すこ
とができる。また、前記液膜まで達した高周波音波は音
響インピーダンスが大きく異なる空気層で反射され、前
記ウェハ157表面のパーティクルに作用しながら前記
ウェハ157内を通過してその裏面側に戻る。裏面側に
戻った高周波音波は、前記ウェハ157裏面の液膜と空
気層の界面で反射し、この後前述したのと同様な反射を
繰り返しながら減衰していく。このようにシャワーノズ
ル152から純水を前記半導体ウェハ157表面に噴射
して液膜を形成することにより前記半導体ウェハ157
の上方、つまりその表面側に高周波振動ノズルを配置す
ることなく前記半導体ウェハ157の表面全体も同時に
精密洗浄することが可能になる。
Pure water carried by high-frequency sound waves from the bar-type high-frequency vibration nozzle 132 is jetted toward the surface of the semiconductor wafer 157 in a strip shape, and at the same time, the semiconductor wafer 157 is discharged.
When pure water is sprayed toward the surface of the semiconductor wafer 157 from the shower nozzle 152 arranged above
The high-frequency sound wave from the high-frequency vibration nozzle 132 penetrates the semiconductor wafer 157 and also acts on particles existing on the surface thereof, and the particles can be washed away by the liquid film of pure water sprayed from the shower nozzle 152. . Further, the high frequency sound waves that have reached the liquid film are reflected by the air layer having a large difference in acoustic impedance, pass through the inside of the wafer 157 while acting on the particles on the surface of the wafer 157, and return to the back surface side. The high frequency sound waves returning to the back surface side are reflected at the interface between the liquid film and the air layer on the back surface of the wafer 157, and then attenuated while repeating the same reflection as described above. In this way, the pure water is sprayed from the shower nozzle 152 onto the surface of the semiconductor wafer 157 to form a liquid film, thereby forming the liquid film.
Above, that is, the entire surface of the semiconductor wafer 157 can be precisely cleaned at the same time without disposing a high frequency vibration nozzle on the surface side thereof.

【0057】したがって、前述した実施例2の洗浄装置
によれば半導体ウェハ157の表裏面を同時に精密洗浄
することができる。さらに、前述した実施例2の洗浄装
置によれば前記シャワーノズル152を前記半導体ウェ
ハ157の上方に配置することによって、前述した実施
例1のように上方に配置した高周波振動ノズルを半導体
ウェハ表面に近接させることなく、前記ウェハ157表
面との距離を十分な距離をあけることができる。その結
果、洗浄後の半導体ウェハ157を保持手段から容易に
取り出すことができ、ハンドリング性を向上できる。
Therefore, according to the cleaning apparatus of the second embodiment described above, the front and back surfaces of the semiconductor wafer 157 can be precisely cleaned at the same time. Furthermore, according to the cleaning apparatus of the second embodiment described above, the shower nozzle 152 is arranged above the semiconductor wafer 157, so that the high frequency vibration nozzle arranged above as in the first embodiment is arranged on the surface of the semiconductor wafer. It is possible to make a sufficient distance from the surface of the wafer 157 without bringing them close to each other. As a result, the semiconductor wafer 157 after cleaning can be easily taken out from the holding means, and the handleability can be improved.

【0058】さらに、前述した実施例2の洗浄装置によ
れば前述した実施例1のように半導体ウェハの上方に高
周波振動ノズルを往復動作させるための駆動部材が存在
しないため、前記駆動部材からパーティクルの落下に起
因する半導体ウェハ157の汚染を回避できる。
Further, according to the cleaning apparatus of the second embodiment described above, there is no driving member for reciprocating the high-frequency vibration nozzle above the semiconductor wafer as in the first embodiment described above, and therefore the particles are removed from the driving member. It is possible to avoid the contamination of the semiconductor wafer 157 due to the fall of the.

【0059】さらに、前記バー型高周波振動ノズル13
2において、前記上部ブロック137における第2流路
146の複数の噴射孔149から前記矩形状ノズル穴1
36内の前記振動板139に向けて噴射することによっ
て、前記振動板139の表面に気泡が取り込まれるのを
防止できる。その結果、前記振動し141の振動に際し
て前記振動板139を効率的に振動させて、前記細長状
の吐出口135に向かう高周波音波を発生することが可
能になる。なお、前記実施例1、2では被洗浄基板とし
て半導体ウェハを用いたが、液晶ガラス基板、半導体ウ
ェハや磁気ディスク等にも同様に適用することができ
る。
Further, the bar type high frequency vibration nozzle 13 is provided.
2, the rectangular nozzle hole 1 from the plurality of injection holes 149 of the second flow path 146 in the upper block 137.
By injecting toward the vibration plate 139 in 36, it is possible to prevent air bubbles from being taken into the surface of the vibration plate 139. As a result, it becomes possible to efficiently vibrate the vibrating plate 139 during the vibration of the vibrating 141 and generate a high frequency sound wave toward the elongated ejection port 135. Although the semiconductor wafer is used as the substrate to be cleaned in the first and second embodiments, the invention can be similarly applied to a liquid crystal glass substrate, a semiconductor wafer, a magnetic disk and the like.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば半
導体ウェハのような被洗浄基板の表裏面を同時に精密洗
浄することができ、被洗浄基板の裏面側からの汚染を防
止して微細かつ高密度の半導体装置、液晶ガラス基板や
磁気ディスクの製造等に有効に利用することが可能な洗
浄装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, the front and back surfaces of a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer can be precisely cleaned at the same time, and contamination from the rear surface side of the substrate to be cleaned can be prevented and finely cleaned. Further, it is possible to provide a cleaning device that can be effectively used for manufacturing high density semiconductor devices, liquid crystal glass substrates, magnetic disks, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1に係わる洗浄装置を示す断面
図。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a cleaning device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の洗浄装置に用いられる高周波振動ノズル
(第1洗浄液噴射手段)を示す断面図。
2 is a cross-sectional view showing a high-frequency vibrating nozzle (first cleaning liquid ejecting means) used in the cleaning apparatus of FIG.

【図3】本発明の実施例2に係わる洗浄装置を示す断面
図。
FIG. 3 is a sectional view showing a cleaning device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図5の洗浄装置に組み込まれる第1洗浄液噴射
手段であるバー型高周波振動ノズルを示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a bar type high frequency vibrating nozzle which is a first cleaning liquid ejecting means incorporated in the cleaning apparatus of FIG.

【図5】図4のV−V線に沿う断面図。FIG. 5 is a sectional view taken along the line VV in FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、102…モータ、 12、112…処理槽、 15、115…円筒体、 16、116…回転円板、 18、118…支持棒、 20、120…支持ブロック、 22、122…筒状固定軸、 27、152…シャワーノズル、 29a、29b、14a、124b…ベアリング、 32、34、127、129…タイミングプーリ、 36、131…タイミングベルト、 41…円筒型高周波振動ノズル、 64、157…シリコンウェハ 132…バー型高周波ノズル。 2, 102 ... Motor, 12, 112 ... Processing tank, 15, 115 ... Cylindrical body, 16, 116 ... Rotating disk, 18, 118 ... Support rod, 20, 120 ... Support block, 22, 122 ... Cylindrical fixed shaft , 27, 152 ... Shower nozzle, 29a, 29b, 14a, 124b ... Bearing, 32, 34, 127, 129 ... Timing pulley, 36, 131 ... Timing belt, 41 ... Cylindrical high frequency vibration nozzle, 64, 157 ... Silicon wafer 132 ... Bar type high frequency nozzle.

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被洗浄基板を水平な状態で保持する保持
手段;前記保持手段を回転させるための回転手段;前記
保持手段の上方に配置され、前記保持手段に支持された
前記被洗浄基板の表面に向けて高周波音波に乗った洗浄
液を噴射するための第1洗浄液噴射手段;および前記保
持手段の下方に配置され、前記保持手段に支持された前
記基板の裏面に向けて洗浄液を噴射するため第2洗浄液
噴射手段;を具備することを特徴とする洗浄装置。
1. A holding means for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state; a rotating means for rotating the holding means; a substrate to be cleaned which is arranged above the holding means and supported by the holding means. A first cleaning liquid ejecting means for ejecting the cleaning liquid on the front surface, the cleaning liquid having a high frequency sound wave; and for ejecting the cleaning liquid toward the back surface of the substrate which is arranged below the holding means and is supported by the holding means. A cleaning device comprising: a second cleaning liquid ejecting unit;
【請求項2】 前記第1洗浄液噴射手段は、円筒形状を
なし、前記基板の回転中心から半径方向の間で往復動作
されることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the first cleaning liquid ejecting means has a cylindrical shape and is reciprocated between a rotation center of the substrate and a radial direction.
【請求項3】 前記第1洗浄液噴射手段は、下面に細長
状の洗浄液吐出口を有するノズル穴を持つ矩形状本体
と、前記本体内に前記吐出口と対向するように配置され
た振動子とを備えることを特徴とする請求項1記載の洗
浄装置。
3. The first cleaning liquid ejecting means includes a rectangular main body having a nozzle hole having an elongated cleaning liquid ejection port on a lower surface thereof, and a vibrator disposed inside the main body so as to face the ejection port. The cleaning device according to claim 1, further comprising:
【請求項4】 前記保持手段は、前記被洗浄基板を水平
に支持する回転支持部材を備えた構造を有することを特
徴とする請求項1記載の洗浄装置。
4. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the holding unit has a structure including a rotation supporting member that horizontally supports the substrate to be cleaned.
【請求項5】 前記回転手段は、洗浄液の供給部を兼ね
る筒状固定軸と、前記回転支持部材を前記固定軸を中心
にして回転させるための駆動機構とを備えた構造を有す
ることを特徴とする請求項4記載の洗浄装置。
5. The rotating means has a structure including a cylindrical fixed shaft that also serves as a cleaning liquid supply section, and a drive mechanism for rotating the rotation support member about the fixed shaft. The cleaning device according to claim 4.
【請求項6】 前記駆動機構は、前記回転支持部材に取
り付けられた被駆動側タイミングプーリと、駆動側タイ
ミングプーリと、前記各プーリ間に枢支されたタイミン
グベルトと、前記駆動側タイミングプーリを回転させる
ためのモータとを備えることを特徴とする請求項5記載
の洗浄装置。
6. The driving mechanism includes a driven-side timing pulley attached to the rotation supporting member, a driving-side timing pulley, a timing belt pivotally supported between the pulleys, and the driving-side timing pulley. The cleaning device according to claim 5, further comprising a motor for rotating the motor.
【請求項7】 前記第2洗浄液噴射手段は、洗浄液の供
給部を兼ねる前記筒状固定軸の上端に水平方向に一体的
に連結され、前記固定軸の空洞部と連通する洗浄液流通
部を有し、かつこの流通部と連通する複数の洗浄液噴射
孔が上部に開口されたシャワーノズルであることを特徴
とする請求項1または5記載の洗浄装置。
7. The second cleaning liquid jetting means has a cleaning liquid flow portion which is integrally connected in a horizontal direction to an upper end of the cylindrical fixed shaft which also serves as a cleaning liquid supply portion and which communicates with a hollow portion of the fixed shaft. The cleaning apparatus according to claim 1 or 5, wherein the cleaning nozzle is a shower nozzle having a plurality of cleaning liquid injection holes that communicate with the circulation portion and are opened at the top.
【請求項8】 被洗浄基板を水平な状態で保持する保持
手段;前記保持手段を回転させるための回転手段;前記
保持手段の下方に配置され、前記保持手段に支持された
前記被洗浄基板の裏面に向けて高周波音波に乗った洗浄
液を帯状に噴射するための第1洗浄液噴射手段;および
前記保持手段の上方に配置され、前記保持手段に支持さ
れた前記基板の表面に向けて洗浄液を噴射するため第2
洗浄液噴射手段;を具備することを特徴とする洗浄装
置。
8. A holding means for holding the substrate to be cleaned in a horizontal state; a rotating means for rotating the holding means; a substrate to be cleaned which is arranged below the holding means and supported by the holding means. First cleaning liquid ejecting means for ejecting the cleaning liquid on the back surface in a band shape, the cleaning liquid being on the high frequency sound wave; and ejecting the cleaning liquid toward the front surface of the substrate which is arranged above the holding means and is supported by the holding means. Second to do
A cleaning device, comprising: a cleaning liquid ejecting means.
【請求項9】 前記保持手段は、前記被洗浄基板を水平
に支持する回転支持部材を備えた構造を有することを特
徴とする請求項8記載の洗浄装置。
9. The cleaning apparatus according to claim 8, wherein the holding unit has a structure including a rotation supporting member that horizontally supports the substrate to be cleaned.
【請求項10】 前記回転手段は、筒状固定軸と、前記
回転支持部材を前記固定軸を中心にして回転させるため
の駆動機構とを備えることを特徴とする請求項8記載の
洗浄装置。
10. The cleaning apparatus according to claim 8, wherein the rotating means includes a cylindrical fixed shaft and a drive mechanism for rotating the rotation support member about the fixed shaft.
【請求項11】 前記駆動機構は、前記回転支持部材に
取り付けられた被駆動側タイミングプーリと、駆動側タ
イミングプーリと、前記各プーリ間に枢支されたタイミ
ングベルトと、前記駆動側タイミングプーリを回転させ
るためのモータとを備えることを特徴とする請求項10
記載の洗浄装置。
11. The drive mechanism includes a driven-side timing pulley attached to the rotation supporting member, a driving-side timing pulley, a timing belt pivotally supported between the pulleys, and the driving-side timing pulley. The motor for rotating is provided.
The cleaning device according to the above.
【請求項12】 前記第1洗浄液噴射手段は、一端側が
前記筒状固定軸の上端に固定され、上面に細長状の洗浄
液吐出口を有する矩形状のノズル穴を持つ矩形ブロック
と、前記ブロック内に前記吐出口と対向するように前記
ノズル穴の底部側に配置され、前記筒状固定軸の内部を
通して導入された給電ケーブルと接続される振動子と、
前記ブロックに前記ノズル穴と連通するように形成さ
れ、前記筒状固定軸の内部を通して導入された洗浄液供
給管と連結される洗浄液の流路とを備えることを特徴と
する請求項8または10記載の洗浄装置。
12. A rectangular block having a rectangular nozzle hole, one end of which is fixed to an upper end of the tubular fixed shaft, and a rectangular nozzle hole having an elongated cleaning liquid discharge port on an upper surface, A vibrator which is disposed on the bottom side of the nozzle hole so as to face the discharge port, and which is connected to a power supply cable introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft,
11. The cleaning liquid flow path, which is formed in the block so as to communicate with the nozzle hole, and is connected to a cleaning liquid supply pipe introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft. Cleaning equipment.
【請求項13】 前記第2洗浄液噴射手段は、洗浄液供
給部材と、この供給部材の下端に連結され、洗浄液流通
部を有する横長のノズル本体と、前記本体底部に前記洗
浄液流通部と連通するように開口された複数の洗浄液噴
射口とを備えたシャワーノズルであることを特徴とする
請求項8記載の洗浄装置。
13. The second cleaning liquid jetting means, a cleaning liquid supply member, a horizontally elongated nozzle body connected to a lower end of the supply member and having a cleaning liquid flow portion, and a bottom of the main body communicating with the cleaning liquid flow portion. 9. The cleaning device according to claim 8, wherein the cleaning device is a shower nozzle having a plurality of cleaning liquid injection ports opened in the.
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