JP3071398B2 - Cleaning equipment - Google Patents

Cleaning equipment

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JP3071398B2
JP3071398B2 JP9032016A JP3201697A JP3071398B2 JP 3071398 B2 JP3071398 B2 JP 3071398B2 JP 9032016 A JP9032016 A JP 9032016A JP 3201697 A JP3201697 A JP 3201697A JP 3071398 B2 JP3071398 B2 JP 3071398B2
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cleaning liquid
cleaning
rotating
nozzle
semiconductor wafer
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一彦 柴
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Pre Tech Co Ltd
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ガラス基板、
半導体ウェハや磁気ディスク等の被洗浄基板を洗浄する
ための洗浄装置に関する。
[0001] The present invention relates to a liquid crystal glass substrate,
The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer and a magnetic disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、液晶ガラス基板、半導体ウェハ、
磁気ディスク等の被処理物を洗浄するには、処理槽内に
前記被洗浄基板を複数枚垂直に立てて配置し、前記処理
槽内に洗浄液を収容した後、前記処理槽底部に振動子を
振動させて高周波音波を前記洗浄液に放射して前記処理
槽内の複数枚の被洗浄基板を一度に洗浄することが行わ
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, liquid crystal glass substrates, semiconductor wafers,
To clean an object to be processed such as a magnetic disk, a plurality of the substrates to be cleaned are vertically arranged in a processing tank, and a cleaning liquid is stored in the processing tank. It has been practiced to vibrate and emit high-frequency sound waves to the cleaning liquid to wash a plurality of substrates to be cleaned in the processing bath at a time.

【0003】しかしながら、前記方法では液晶ガラス基
板の大面積化、半導体ウェハの大口径化に伴ってそれら
被処理物全体を均一に洗浄することが困難になり、洗浄
むらを生じる問題があった。また、液晶ガラス基板に形
成される薄膜トランジスタや前記半導体ウェハに形成さ
れる素子の微細化、高集積化に伴ってそれら基板の表面
側(素子等の形成面側)の精密洗浄のみならず裏面側も
精密洗浄することが要求されている。
However, in the above-described method, it is difficult to uniformly clean the entirety of the objects to be processed with an increase in the area of the liquid crystal glass substrate and an increase in the diameter of the semiconductor wafer. Also, with the miniaturization and high integration of thin film transistors formed on the liquid crystal glass substrate and the elements formed on the semiconductor wafer, not only precision cleaning of the front side (the formation surface side of the elements and the like) of these substrates but also the back side thereof Also, precision cleaning is required.

【0004】このようなことから、被洗浄基板(例えば
半導体ウェハ)を枚葉式で搬送し、前記搬送経路でリン
スシャワー、薬液スクラブ、純水スクラブ、高周波洗浄
ノズルによる洗浄、純水シャワー、スピンドライを行っ
て洗浄することが行われている。
For this reason, a substrate to be cleaned (for example, a semiconductor wafer) is transported in a single-wafer manner and rinsed by a rinse shower, a chemical solution scrub, a pure water scrub, a cleaning by a high frequency cleaning nozzle, a pure water shower, a spinner. Drying and cleaning are performed.

【0005】しかしながら、スクラブ洗浄は半導体ウェ
ハの表裏面に一対のスポンジ状ロールを機械的に接触さ
せて洗浄を行うため、前記ウェハの表裏面に傷が発生し
たり、前記ロールからの汚染微粒子(パーティクル)の
再付着、再汚染を招く問題があった。
However, scrub cleaning is performed by mechanically bringing a pair of sponge-shaped rolls into contact with the front and back surfaces of the semiconductor wafer, so that the front and back surfaces of the wafer are scratched, and contaminant fine particles ( There is a problem of causing re-adhesion and re-contamination of particles).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウェハのような被洗浄基板の表裏面を同時に精密洗浄
することが可能な高周波洗浄装置を提供しようとするも
のである。本発明の別の目的は、大型の遮蔽部材を用い
ることなく、洗浄液の飛散による半導体ウェハのような
被洗浄基板の再汚染を防止した洗浄装置を提供しようと
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-frequency cleaning apparatus capable of simultaneously and precisely cleaning the front and back surfaces of a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer. Another object of the present invention is to provide a cleaning apparatus that prevents re-contamination of a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer due to scattering of a cleaning liquid without using a large-sized shielding member.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係わる洗浄装置
は、被洗浄基板を水平な状態で保持する回転支持部材を
有する保持手段;洗浄液の供給部を兼ねる筒状固定軸と、前記回転支持部
材を前記固定軸を中心にして回転させるための駆動機構
とを有する 前記保持手段を回転させるための回転手段; 前記保持手段の上方に配置され、前記回転支持部材に支
持された前記被洗浄基板の表面に向けて高周波音波に乗
った洗浄液を噴射するための第1洗浄液噴射手段;およ
び前記保持手段の下方に配置され、前記回転支持部材
支持された前記基板の裏面に向けて洗浄液を噴射するた
め第2洗浄液噴射手段; を具備することを特徴とするものである。
A cleaning apparatus according to the present invention comprises a rotating support member for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state.
Holding means having : a cylindrical fixed shaft also serving as a cleaning liquid supply unit; and the rotation support unit
Drive mechanism for rotating the material about the fixed axis
Rotating means for rotating said holding means having bets; disposed above the holding means, for injecting cleaning liquid riding high frequency sound waves toward the supported rotary support member surface of the substrate to be cleaned A first cleaning liquid spraying means; and a second cleaning liquid spraying means disposed below the holding means for spraying a cleaning liquid toward a back surface of the substrate supported by the rotation support member. Is what you do.

【0008】本発明に係わる別の洗浄装置は、被洗浄基
板を水平な状態で保持する回転支持部材を有する保持手
段;洗浄液の供給部を兼ねる筒状固定軸と、前記回転支持部
材を前記固定軸を中心にして回転させるための駆動機構
とを有する 前記保持手段を回転させるための回転手段; 前記保持手段の下方に配置され、前記回転支持部材に支
持された前記被洗浄基板の裏面に向けて高周波音波に乗
った洗浄液を帯状に噴射するための第1洗浄液噴射手
段;および前記保持手段の上方に配置され、前記回転支
持部材に支持された前記基板の表面に向けて洗浄液を噴
射するため第2洗浄液噴射手段; を具備することを特徴とするものである
[0008] Another cleaning apparatus according to the present invention is a holding means having a rotation support member for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state; a cylindrical fixed shaft also serving as a cleaning liquid supply unit;
Drive mechanism for rotating the material about the fixed axis
Rotating means for rotating the holding means having : a cleaning liquid, which is disposed below the holding means and is placed on the back surface of the substrate to be cleaned supported by the rotation supporting member , in which a cleaning liquid on which high frequency sound waves are applied is jetted in a band shape; first cleaning solution spray means for; disposed above and of the holding means, said rotating supporting
It is characterized in that it comprises the; second cleaning solution spray means for spraying the washing liquid towards the support surface of the substrate to the support member.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる洗浄装置を
詳細に説明する。この洗浄装置は、被洗浄基板を水平な
状態で保持するための保持手段を備える。この保持手段
は回転手段により回転される。前記保持手段に保持され
た前記被洗浄基板の表面に向けて高周波音波に乗った洗
浄液を噴射するための第1洗浄液噴射手段である高周波
振動ノズルは、前記保持手段の上方に配置されている。
前記保持手段で保持された前記被洗浄基板の裏面に向け
て洗浄液を噴射するため第2洗浄液噴射手段は、前記保
持手段の下方に配置されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail. The cleaning apparatus includes a holding unit for holding the substrate to be cleaned in a horizontal state. This holding means is rotated by the rotating means. A high-frequency vibration nozzle, which is a first cleaning liquid ejecting unit for ejecting a cleaning liquid on which high-frequency sound waves are directed toward a surface of the substrate to be cleaned held by the holding unit, is disposed above the holding unit.
A second cleaning liquid ejecting unit is disposed below the holding unit for injecting the cleaning liquid toward the back surface of the substrate to be cleaned held by the holding unit.

【0010】前記高周波振動ノズル(第1洗浄液噴射手
段)としては、円筒型で、前記基板の回転中心から半径
方向の間で往復動作される構造のもの、細長状の洗浄液
吐出口を有する矩形形状を有する、いわゆるバー型のも
のが用いられる。
The high-frequency vibration nozzle (first cleaning liquid spraying means) is a cylindrical type having a structure reciprocating in a radial direction from the rotation center of the substrate, and a rectangular shape having an elongated cleaning liquid discharge port. What is called a bar type is used.

【0011】前記保持手段は、例えば洗浄液の供給部を
兼ねる筒状固定軸に回転可能に係合され、前記被洗浄基
板を水平に支持するための回転支持部材を備えた構造を
有する。
The holding means has, for example, a structure in which a rotatable support member for horizontally supporting the substrate to be cleaned is rotatably engaged with a cylindrical fixed shaft also serving as a supply portion of the cleaning liquid.

【0012】前記回転手段は、例えば洗浄液の供給部を
兼ねる筒状固定軸と、前記回転支持部材を前記固定軸を
中心にして回転させるための駆動機構とを備えた構造を
有する。前記駆動機構は、前記回転支持部材に取り付け
られた被駆動側タイミングプーリと、駆動側タイミング
プーリと、前記各プーリ間に枢支されたタイミングベル
トと、前記駆動側タイミングプーリを回転させるための
モータとからなる。
The rotating means has a structure including, for example, a cylindrical fixed shaft also serving as a cleaning liquid supply unit, and a drive mechanism for rotating the rotation support member about the fixed shaft. The driving mechanism includes a driven-side timing pulley attached to the rotation support member, a driving-side timing pulley, a timing belt pivotally supported between the pulleys, and a motor for rotating the driving-side timing pulley. Consists of

【0013】前記第2洗浄液噴射手段は、例えば洗浄液
の供給部を兼ねる前記筒状固定軸に水平方向に一体的に
連結され、前記固定軸の空洞部と連通する洗浄液流通部
を有し、かつこの流通部と連通する複数の洗浄液噴射孔
が上部に開口されたシャワーノズルからなる。
[0013] The second cleaning liquid jetting means has a cleaning liquid flow section integrally connected in a horizontal direction to the cylindrical fixed shaft, which also serves as a cleaning liquid supply section, and communicates with a cavity of the fixed shaft. A plurality of cleaning liquid injection holes communicating with the circulation part are formed of a shower nozzle having an upper opening.

【0014】以上説明した本発明に係わる洗浄装置にお
いて、前記保持手段で水平状態に保持された被洗浄基
板、例えば半導体ウェハを前記回転手段により回転さ
せ、同時に半導体ウェハの上方に配置した例えば円筒型
の高周波振動ノズルを前記ウェハの半径方向に掃引しな
が、前記振動ノズルから前記ウェハを通過する高周波音
波に乗った洗浄液を前記半導体ウェハの表面に向けて噴
射する。この時、前記半導体ウェハの表面全体は前記高
周波振動ノズルから高周波音波に乗った洗浄液が噴射さ
れる。このため、前記ウェハ表面のパーティクルが洗浄
液と共に洗い流され、かつパーティクルの再付着が防止
されて精密洗浄がなされる。
In the cleaning apparatus according to the present invention described above, a substrate to be cleaned, for example, a semiconductor wafer, held horizontally by the holding means, is rotated by the rotating means, and at the same time, for example, a cylindrical type is disposed above the semiconductor wafer. While the high frequency vibration nozzle is swept in the radial direction of the wafer, the cleaning liquid on the high frequency sound wave passing through the wafer is sprayed from the vibration nozzle toward the surface of the semiconductor wafer. At this time, the entire surface of the semiconductor wafer is sprayed with the cleaning liquid on the high frequency sound wave from the high frequency vibration nozzle. For this reason, the particles on the wafer surface are washed away together with the cleaning liquid, and re-adhesion of the particles is prevented, so that precision cleaning is performed.

【0015】また、前記高周波振動ノズルからの高周波
音波に乗った洗浄液を前記半導体ウェハ表面に噴射させ
ると同時に、前記半導体ウェハの下方に配置した第2洗
浄液噴射手段、例えばシャワーノズルから洗浄液を前記
半導体ウェハの裏面に向けて噴射すると、前記高周波振
動ノズルから高周波音波は前記半導体ウェハを透過して
その裏面に存在するパーティクルにも作用し、前記シャ
ワーノズルから噴射された洗浄液の液膜により前記パー
ティクルを洗い流すことができる。このとき、前記液膜
まで達した高周波音波は音響インピーダンスが大きく異
なる空気層で反射され、前記ウェハ裏面のパーティクル
に作用しながら前記ウェハ内を通過してその表面側に戻
る。表面側に戻った高周波音波は、前記ウェハ表面の液
膜と空気層の界面で反射し、この後前述したのと同様な
反射を繰り返しながら減衰していく。このようにシャワ
ーノズルからの洗浄液の前記半導体ウェハ裏面への噴
射、液膜の形成により前記半導体ウェハの下方、つまり
その裏面側に高周波振動ノズルを配置することなく前記
半導体ウェハの裏面も同時に精密洗浄することが可能に
なる。
In addition, a cleaning liquid on which the high-frequency sound wave is applied from the high-frequency vibration nozzle is jetted onto the surface of the semiconductor wafer, and at the same time, the cleaning liquid is jetted from a second cleaning liquid jetting means disposed below the semiconductor wafer, for example, a shower nozzle. When jetted toward the back surface of the wafer, high-frequency sound waves from the high-frequency vibration nozzle pass through the semiconductor wafer and also act on particles existing on the back surface, and the particles are washed by the liquid film of the cleaning liquid jetted from the shower nozzle. Can be washed away. At this time, the high-frequency sound wave reaching the liquid film is reflected by an air layer having a significantly different acoustic impedance, passes through the inside of the wafer and returns to the front surface side while acting on particles on the back surface of the wafer. The high-frequency sound wave returning to the surface side is reflected at the interface between the liquid film and the air layer on the wafer surface, and thereafter attenuates while repeating the same reflection as described above. In this way, the cleaning liquid from the shower nozzle is sprayed onto the back surface of the semiconductor wafer, and the liquid film is formed, so that the back surface of the semiconductor wafer can be precisely cleaned simultaneously without disposing a high-frequency vibration nozzle below the semiconductor wafer, that is, on the back surface side. It becomes possible to do.

【0016】なお、前記ウェハを通過する高周波音波は
そのウェハの共振周波数の1/2λの波長になるように
周波数を合わせることが好ましい。具体的には、5イン
チウェハ(厚さ;0.55mm)を用い、音速8000
m/secとした場合には周波数を7.27MHzの正
数倍、6インチウェハ(厚さ;0.65mm)を用い、
音速8000m/secとした場合には周波数を6.1
5MHzの正数倍、8インチウェハ(厚さ;0.75m
m)を用い、音速8000m/secとした場合には周
波数を5.33MHzの正数倍、に設定される。
It is preferable that the frequency of the high-frequency sound wave passing through the wafer is adjusted to be a wavelength of 1 / 2λ of the resonance frequency of the wafer. Specifically, a 5-inch wafer (thickness: 0.55 mm) is used, and the sound speed is 8000.
In the case of m / sec, the frequency is a positive multiple of 7.27 MHz, and a 6-inch wafer (thickness: 0.65 mm) is used.
When the sound speed is 8000 m / sec, the frequency is 6.1.
8 inch wafer (thickness: 0.75m)
m), and when the sound speed is 8000 m / sec, the frequency is set to a positive multiple of 5.33 MHz.

【0017】次に、本発明に係わる別の洗浄装置を詳細
に説明する。この洗浄装置は、被洗浄基板を水平な状態
で保持するための保持手段を備える。この保持手段は回
転手段により回転される。前記保持手段に支持された前
記被洗浄基板の裏面に向けて高周波音波に乗った洗浄液
を帯状に噴射する第1洗浄液噴射手段であるバー型高周
波振動ノズルは、前記保持手段の下方に配置されてい
る。前記保持手段に支持された前記被洗浄基板の表面に
向けて洗浄液を噴射するため第2洗浄液噴射手段は、前
記保持手段の上方に配置されている。
Next, another cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail. The cleaning apparatus includes a holding unit for holding the substrate to be cleaned in a horizontal state. This holding means is rotated by the rotating means. A bar-type high-frequency vibration nozzle that is a first cleaning liquid ejecting unit that ejects a cleaning liquid riding on high-frequency sound waves in a band shape toward the back surface of the substrate to be cleaned supported by the holding unit is disposed below the holding unit. I have. A second cleaning liquid ejecting unit is disposed above the holding unit for injecting the cleaning liquid toward the surface of the substrate to be cleaned supported by the holding unit.

【0018】前記保持手段は、例えば筒状固定軸に回転
可能に係合され、前記被洗浄基板を水平に支持するため
の回転支持部材を備えた構造を有する。前記回転手段
は、例えば前記筒状固定軸と、前記回転支持部材を前記
固定軸を中心にして回転させるための駆動機構とを備え
た構造を有する。前記駆動機構は、例えば前記回転支持
部材に取り付けられた被駆動側タイミングプーリと、駆
動側タイミングプーリと、前記各プーリ間に枢支された
タイミングベルトと、前記駆動側タイミングプーリを回
転させるためのモータとからなる。
The holding means is rotatably engaged with, for example, a cylindrical fixed shaft, and has a structure provided with a rotation support member for horizontally supporting the substrate to be cleaned. The rotation unit has a structure including, for example, the cylindrical fixed shaft, and a drive mechanism for rotating the rotation support member about the fixed shaft. The driving mechanism includes, for example, a driven-side timing pulley attached to the rotation support member, a driving-side timing pulley, a timing belt pivotally supported between the respective pulleys, and a device for rotating the driving-side timing pulley. It consists of a motor.

【0019】前記バー型高周波振動ノズル(第1洗浄液
噴射手段)は、例えば前記回転手段の前記筒状固定軸の
上端に一端側が固定され、上面に細長状の洗浄液吐出口
を有する矩形状のノズル穴を持つ矩形ブロックと、前記
ブロック内に前記吐出口と対向するように前記ノズル穴
の底部側に配置された振動子と、前記ブロックに前記ノ
ズル穴と連通するように形成された洗浄液の流路とを備
える。前記振動子は、前記筒状固定軸の内部を通して導
入された給電ケーブルと接続される。前記流路は、前記
筒状固定軸の内部を通して導入された洗浄液供給管と連
結される。
The bar-type high-frequency vibration nozzle (first cleaning liquid injection means) is, for example, a rectangular nozzle having one end fixed to the upper end of the cylindrical fixed shaft of the rotating means and having an elongated cleaning liquid discharge port on the upper surface. A rectangular block having a hole, a vibrator disposed in the block at a bottom side of the nozzle hole so as to face the discharge port, and a flow of a cleaning liquid formed in the block so as to communicate with the nozzle hole. Road. The vibrator is connected to a power supply cable introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft. The flow path is connected to a cleaning liquid supply pipe introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft.

【0020】前記第2洗浄液噴射手段は、例えば複数の
噴射口が下部に開口された横長のノズル本体を有するバ
ー型シャワーノズル、または下端に噴射口が開口された
円筒状のノズル本体を有する円筒型シャワーノズルを用
いることがてきる。特に、前記第2洗浄液噴射手段とし
て円筒型シャワーノズルを用いる場合には、前記シャワ
ーノズルを前記被洗浄基板の中心上方に配置することが
好ましい。
The second cleaning liquid spraying means may be, for example, a bar-shaped shower nozzle having a horizontally elongated nozzle body having a plurality of spray ports opened at a lower portion, or a cylinder having a cylindrical nozzle body having a spray port opened at a lower end. It is now possible to use a shaped shower nozzle. In particular, when a cylindrical shower nozzle is used as the second cleaning liquid ejecting means, it is preferable that the shower nozzle is disposed above the center of the substrate to be cleaned.

【0021】以上説明した本発明に係わる別の洗浄装置
において、前記回転手段により前記保持手段で保持され
た被洗浄基板、例えば半導体ウェハを水平状態で回転さ
せながら、半導体ウェハの下方に配置した前記バー型高
周波振動ノズルの細長状の洗浄液吐出口から前記ウェハ
を通過する高周波音波に乗った帯状の洗浄液を前記半導
体ウェハの裏面に向けて噴射する。この時、前記半導体
ウェハの裏面全体は前記高周波振動ノズルから高周波音
波に乗った洗浄液が噴射される。このため、前記ウェハ
表面のパーティクルが洗浄液と共に洗い流され、かつパ
ーティクルの再付着が防止されて精密洗浄がなされる。
In another cleaning apparatus according to the present invention described above, the substrate to be cleaned, for example, a semiconductor wafer, held by the holding means by the rotating means, is rotated in a horizontal state while being disposed below the semiconductor wafer. A strip-shaped cleaning liquid riding on high-frequency sound waves passing through the wafer is jetted from the elongated cleaning liquid discharge port of the bar-type high-frequency vibration nozzle toward the back surface of the semiconductor wafer. At this time, a cleaning liquid on high-frequency sound waves is jetted from the high-frequency vibration nozzle to the entire back surface of the semiconductor wafer. For this reason, the particles on the wafer surface are washed away together with the cleaning liquid, and re-adhesion of the particles is prevented, so that precision cleaning is performed.

【0022】また、前記高周波振動ノズルからの高周波
音波に乗った帯状の洗浄液を前記半導体ウェハ裏面に噴
射させると同時に、前記半導体ウェハの上方に配置した
第2洗浄液噴射手段、例えばシャワーノズルから洗浄液
を前記半導体ウェハの表面に向けて噴射すると、前述し
た上方に高周波振動ノズル、下方にシャワーノズルを配
置した洗浄装置と同様、高周波音波が裏面側からの半導
体ウェハを透過し、反射した高周波音波が表面側から裏
面側に向けて透過する作用が繰り返されることにより前
記半導体ウェハの表面側も同時に精密洗浄することが可
能になる。
Further, a cleaning liquid in the form of a strip riding on the high-frequency sound wave from the high-frequency vibration nozzle is jetted onto the back surface of the semiconductor wafer, and at the same time, the cleaning liquid is jetted from a second cleaning liquid jetting means disposed above the semiconductor wafer, for example, a shower nozzle. When sprayed toward the front surface of the semiconductor wafer, high-frequency sound waves pass through the semiconductor wafer from the back side, and the reflected high-frequency sound waves pass through the front surface, similarly to the above-described cleaning device in which a high-frequency vibration nozzle is disposed above and a shower nozzle is disposed below. By repeating the action of transmitting light from the side to the back side, the front side of the semiconductor wafer can be simultaneously precision-cleaned.

【0023】したがって、本発明に係わる別の洗浄装置
によれば半導体ウェハの表裏面を同時に精密洗浄するこ
とができる。さらに、高周波振動ノズルで前記半導体ウ
ェハを洗浄する際、一般に前記振動ノズルを前記半導体
ウェハに近接して高周波音波に乗った洗浄液を噴射する
ことが効率的な洗浄の点で有利である。本発明に係わる
洗浄装置において、下方に配置された前記バー型高周波
振動ノズルは前記半導体ウェハの裏面に近接でき、上方
に配置する第2洗浄液噴射手段、例えばシャワーノズル
は前記高周波振動ノズルのように半導体ウェハに近接す
ることなく、ある距離をあけて配置することができる。
その結果、洗浄後の半導体ウェハを保持手段から取出す
際、上方に高周波振動ノズルを配置した場合のように前
記振動ノズルが邪魔になることなく半導体ウェハを取出
すことができるため、ハンドリング性が向上される。
Therefore, according to another cleaning apparatus of the present invention, the front and back surfaces of the semiconductor wafer can be precisely cleaned at the same time. Further, when cleaning the semiconductor wafer with the high-frequency vibration nozzle, it is generally advantageous in terms of efficient cleaning to spray the cleaning liquid on the high-frequency sound wave in close proximity to the semiconductor wafer with the vibration nozzle. In the cleaning apparatus according to the present invention, the bar-type high-frequency vibration nozzle disposed below can be close to the back surface of the semiconductor wafer, and the second cleaning liquid ejecting means disposed above, such as a shower nozzle, is similar to the high-frequency vibration nozzle. They can be arranged at a certain distance without being close to the semiconductor wafer.
As a result, when the semiconductor wafer after cleaning is taken out from the holding means, the semiconductor wafer can be taken out without disturbing the vibrating nozzle as in the case where a high-frequency vibrating nozzle is arranged above, so that handling properties are improved. You.

【0024】さらに、円筒型高周波振動ノズルを半導体
ウェハの上方に配置し、駆動部材により前記振動ノズル
を前記半導体ウェハの半径方向に駆動すると、前記駆動
部材からパーティクルが落下して半導体ウェハを汚染す
る恐れがある。本発明に係わるさらに別の洗浄装置にお
いては、バー型高周波振動ノズルを半導体ウェハの下方
に配置することによって、掃引される円筒型高周波振動
ノズルを半導体ウェハの上方に配置したような半導体ウ
ェハのパーティクルによる汚染を回避することができ
る。
Further, when a cylindrical high-frequency vibration nozzle is arranged above the semiconductor wafer and the driving member drives the vibration nozzle in the radial direction of the semiconductor wafer, particles fall from the driving member to contaminate the semiconductor wafer. There is fear. In still another cleaning apparatus according to the present invention, the bar-type high-frequency vibration nozzle is disposed below the semiconductor wafer, so that the swept cylindrical high-frequency vibration nozzle is disposed above the semiconductor wafer. Contamination can be avoided.

【0025】なお、前記ウェハを通過する高周波音波は
そのウェハの共振周波数の1/2λの波長になるように
周波数を合わせることが好ましい。具体的には、5イン
チウェハ(厚さ;0.55mm)を用い、音速8000
m/secとした場合には周波数を7.27MHzの正
数倍、6インチウェハ(厚さ;0.65mm)を用い、
音速8000m/secとした場合には周波数を6.1
5MHzの正数倍、8インチウェハ(厚さ;0.75m
m)を用い、音速8000m/secとした場合には周
波数を5.33MHzの正数倍、に設定される。
It is preferable that the frequency of the high-frequency sound wave passing through the wafer is adjusted so as to have a wavelength of 1 / 2λ of the resonance frequency of the wafer. Specifically, a 5-inch wafer (thickness: 0.55 mm) is used, and the sound speed is 8000.
In the case of m / sec, the frequency is a positive multiple of 7.27 MHz, and a 6-inch wafer (thickness: 0.65 mm) is used.
When the sound speed is 8000 m / sec, the frequency is 6.1.
8 inch wafer (thickness: 0.75m)
m), and when the sound speed is 8000 m / sec, the frequency is set to a positive multiple of 5.33 MHz.

【0026】[0026]

【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して詳細に説明する。 (実施例1)図1は本発明の実施例1に係わる洗浄装置
を示す断面図、図2は図1の洗浄装置に用いられる第1
洗浄液噴射手段である高周波振動ノズルを示す断面図で
ある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. (Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing a cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a first view used in the cleaning apparatus of FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a high-frequency vibration nozzle serving as a cleaning liquid injection unit.

【0027】垂直方向に駆動軸1が延出されたモータ2
は、筒状の支持部材3に収納されている。支持板4は、
前記筒状の支持部材3上に複数のネジ5により固定され
ている。また、前記支持板4は、前記駆動軸1に対応す
る箇所および前記支持部材3から左側に延出した部分に
穴6、7がそれぞれ開孔されている。中央に穴8が開口
され、かつ前記穴8周辺に環状突起部9を有する円盤状
プレート10は、前記支持板4上に前記支持板4下面か
ら前記プレート9に向けて螺着された複数のネジ11に
より固定されている。
A motor 2 having a drive shaft 1 extending vertically
Are housed in a cylindrical support member 3. The support plate 4
It is fixed on the cylindrical support member 3 by a plurality of screws 5. The support plate 4 is provided with holes 6 and 7 at locations corresponding to the drive shaft 1 and at portions extending leftward from the support member 3. A disk-shaped plate 10 having a hole 8 opened in the center and having an annular projection 9 around the hole 8 is provided with a plurality of screws screwed onto the support plate 4 from the lower surface of the support plate 4 toward the plate 9. It is fixed by screws 11.

【0028】処理槽12は、前記円盤状プレート10の
上方に配置されている。前記処理槽12は、有底円筒形
状をなし、かつ底部中央に上方に突出した円筒部13を
有する。排出管14は、前記処理槽12の左側壁に近接
した底部に連結されている。なお、前記処理槽12は図
示しない架台により前記円筒部13が前記円盤状プレー
ト10の穴8と同心円状に位置するように支持固定され
ている。
The processing tank 12 is disposed above the disk-shaped plate 10. The processing tank 12 has a cylindrical shape with a bottom, and has a cylindrical portion 13 protruding upward at the center of the bottom. The discharge pipe 14 is connected to a bottom portion near the left side wall of the processing tank 12. The processing tank 12 is supported and fixed by a stand (not shown) such that the cylindrical portion 13 is positioned concentrically with the hole 8 of the disk-shaped plate 10.

【0029】中央部に下方に突出した円筒体15を有す
る回転円板16は、前記処理槽12内に水平に配置さ
れ、かつ前記円筒体15は前記処理槽12の前記円筒部
13内を同心円状に通過して前記処理槽12外部に延出
されている。前記円筒体15の下部付近の内周面には、
環状係合部17が水平方向に突出している。上下部がネ
ジ切り加工された例えば4本の支持棒18は、前記回転
円板16の周縁部に等周角度(90゜)で垂直方向に延
びるようにそれぞれ挿入され、前記回転円板16下面か
ら突出した前記支持棒18下部のネジ部にナット19を
螺合することにより前記回転円板16に固定されてい
る。円柱状支持ブロック20は、前記各支持棒18上部
のネジ部に互いに同一水平面に位置するようにそれぞれ
螺合されている。
A rotating disk 16 having a cylindrical body 15 projecting downward at the center thereof is disposed horizontally in the processing tank 12, and the cylindrical body 15 is concentric in the cylindrical portion 13 of the processing tank 12. And extends outside the processing tank 12. On the inner peripheral surface near the lower part of the cylindrical body 15,
An annular engaging portion 17 protrudes in the horizontal direction. For example, four support rods 18 whose upper and lower parts are threaded are inserted into the peripheral edge of the rotating disk 16 so as to extend in the vertical direction at an equal circumferential angle (90 °), respectively. A nut 19 is screwed into a screw portion below the support rod 18 protruding from the support rod 18 and is fixed to the rotating disk 16. The columnar support blocks 20 are respectively screwed to the threaded portions above the support rods 18 so as to be located on the same horizontal plane.

【0030】中間付近に環状フランジ21を有し、下部
外周にネジ切り加工が施された筒状固定軸22は、前記
処理槽12内から前記回転円板16の前記円筒体15内
を同心円状に通過して前記円盤状プレート10の穴8に
挿入されている。前記筒状固定軸22は、前記プレート
10下面から下方に突出された下部にナット23を螺合
させることにより前記プレート10に固定されている。
また、前記固定軸22の下端開口部には、洗浄液供給管
とのジョンイ部24が形成されている。このジョント部
24には、図示しない洗浄液供給管が連結されている。
洗浄液流通部25が内部に形成され、これと連通する複
数の噴射口26が上部に開口された水平方向に延びる第
2洗浄液噴射手段であるシャワーノズル27は、前記回
転円板16の周縁部に挿入、固定された前記4つの支持
棒18で囲まれた空間内に位置し、前記固定軸22の先
端にその空洞部28と前記流通部25が連通するように
一体的に形成されている。2つのベアリング29a、2
9bは、前記円筒体15内面と前記固定軸22外周面と
前記固定軸22の環状フランジ21と前記プレート10
の環状突起部9とで区画された空間内に環状スペーサ3
0を介して上下に所望の間隔をあけて配置されている。
なお、前記上部ベアリング29aの下面は、前記円筒体
15の下部付近の内周面に形成された前記環状係合部1
7の上面に係合され、前記下部ベアリング29bの上面
は前記環状係合部17の下面に係合される。ゴム製のV
リング31は、前記回転円板16の円筒体15の上部内
周面と前記固定軸22の間に介在され、後述するシャワ
ーノズルからの洗浄液が前記ベアリング29a、29b
が配置される前記円筒体15の内周面と前記固定軸22
の間に流入するのを阻止している。
A cylindrical fixed shaft 22 having an annular flange 21 in the vicinity of the center and having a thread cut on the outer periphery of the lower part is concentrically formed in the cylindrical body 15 of the rotating disk 16 from the processing tank 12. And is inserted into the hole 8 of the disc-shaped plate 10. The cylindrical fixed shaft 22 is fixed to the plate 10 by screwing a nut 23 into a lower part protruding downward from the lower surface of the plate 10.
At the lower end opening of the fixed shaft 22, there is formed a junction 24 with the cleaning liquid supply pipe. A cleaning liquid supply pipe (not shown) is connected to the junction 24.
A shower nozzle 27, which is a second cleaning liquid ejecting means extending in the horizontal direction and having a plurality of ejection ports 26 communicating with the washing liquid flowing portion 25 formed at an upper portion thereof, is provided at a peripheral portion of the rotating disk 16. It is located in a space surrounded by the inserted and fixed four support rods 18, and is integrally formed at the tip of the fixed shaft 22 so that the hollow portion 28 and the flow portion 25 communicate with each other. Two bearings 29a, 2
9b is an inner surface of the cylindrical body 15, an outer peripheral surface of the fixed shaft 22, an annular flange 21 of the fixed shaft 22, and the plate 10
Annular spacer 3 in the space defined by annular projection 9
It is arranged at a desired interval up and down via 0.
The lower surface of the upper bearing 29a is formed on the inner peripheral surface near the lower portion of the cylindrical body 15 by the annular engaging portion 1a.
7, and the upper surface of the lower bearing 29 b is engaged with the lower surface of the annular engaging portion 17. Rubber V
The ring 31 is interposed between the upper inner peripheral surface of the cylindrical body 15 of the rotating disk 16 and the fixed shaft 22, and the washing liquid from a shower nozzle described later is used to wash the bearings 29a, 29b.
Is disposed on the inner peripheral surface of the cylindrical body 15 and the fixed shaft 22.
To prevent inflow.

【0031】被駆動側タイミングプーリ32は、前記円
筒体15の下部外周に嵌合され、複数のネジ33により
前記円筒体15に固定されている。駆動側タイミングプ
ーリ34は、前記モータ2の駆動軸1に嵌合され、それ
らの間に取り付けた係止具35より前記駆動軸1に固定
されている。タイミングベルト36は、前記タイミング
プーリ32、34間に枢支されている。したがって、前
記モータ2の前記駆動軸1を回転させ、この駆動軸1に
固定された駆動側タイミングプーリ34を回転すること
によって、その回転力は前記タイミングベルト36を介
して前記被駆動側タイミングプーリ32に伝達され、こ
のタイミングプーリ32が取り付けられた前記円筒体1
5を有する回転円板16が前記固定軸22を中心にして
回転される。
The driven-side timing pulley 32 is fitted around the lower part of the cylindrical body 15 and is fixed to the cylindrical body 15 by a plurality of screws 33. The drive-side timing pulley 34 is fitted to the drive shaft 1 of the motor 2 and is fixed to the drive shaft 1 by a locking member 35 attached therebetween. The timing belt 36 is pivotally supported between the timing pulleys 32 and 34. Therefore, by rotating the drive shaft 1 of the motor 2 and rotating the drive timing pulley 34 fixed to the drive shaft 1, the rotational force is transmitted to the driven timing pulley via the timing belt 36. 32 and the cylindrical body 1 to which the timing pulley 32 is attached.
5 is rotated about the fixed shaft 22.

【0032】なお、前記回転円板16に垂直に固定され
た複数の前記支持棒18およびこれら支持棒18の上端
にそれぞれ取り付けられた前記支持ブロック20により
被洗浄基板を水平に保持するための保持手段を構成して
いる。また、前記駆動軸1、前記モータ2、前記回転円
板16、前記固定軸22、前記ベアリング29a、29
b、前記タイミングプーリ32、34およびタイミング
ベルト36により前記保持手段を回転するための回転手
段を構成している。
A plurality of support rods 18 vertically fixed to the rotating disk 16 and the support blocks 20 attached to the upper ends of the support rods 18 hold the substrate to be cleaned horizontally. Means. Further, the drive shaft 1, the motor 2, the rotating disk 16, the fixed shaft 22, the bearings 29a, 29
b, a rotating means for rotating the holding means by the timing pulleys 32 and 34 and the timing belt 36.

【0033】第1洗浄液噴射手段である円筒型高周波振
動ノズル41は、前記回転円板16の上方に配置され、
前記回転円板16の半径に相当する範囲内で矢印Aに示
すように往復動作される。前記円筒型高周波振動ノズル
41は、図2に示すように上下部の内周面にネジ切り加
工が施され、かつ下部付近の側壁に洗浄液導入穴42を
有する筒状本体43を備えている。前記筒状本体43の
下部付近の内周面には、環状係合部44が水平方向に突
出している。下端に円形の洗浄液吐出口45を有するノ
ズル筐体46は、前記筒状本体43の下部に螺着されて
いる。洗浄液導入管47は、前記筒状本体43の前記洗
浄液導入穴42に挿入され、ろう付けにより前記本体4
3に固定されている。円板状の振動子48は、前記筒状
本体43内に前記環状係合部44に係止されたリング状
の液密パッキンク49を介在して配置されている。押え
およびアースを兼ねる環状カラー50は、前記振動子4
8の周縁に当接して配置されている。外周面にネジ切り
加工が施された押え金具51は、前記筒状本体43内に
その上端から螺着することにより前記環状カラー50上
面に当接されている。中心に貫通穴52を有し、かつ上
部側にネジ部53を有するケーブルフィッティング部材
54は、前記筒状本体43内にリング状銅板55を介し
て前記押え金具51に当接されている。前記フィッティ
ング部材54の前記ネジ部53の上端には、逆円錐状溝
56が形成されている。例えばフッ素樹脂からなる中央
部に穴57を有する逆円錐状のフェルール58は、前記
フィッティング部材54の前記ネジ部53上端の逆円錐
状溝56に嵌合されている。中央部に穴59を有するキ
ャップ60は、前記フィッティング部材54の前記ネジ
部53に螺合されている。同軸ケーブル61は、前記キ
ャップ60の穴59、前記フェルール58の穴57およ
び前記フィッティング部材54の貫通穴52を通してそ
の先端が前記押え金具51内に挿入されている。なお、
前記キャップ60を下方に向けて回転させることにより
前記フェルール58が前記溝56に挿入され、その楔効
果により前記同軸ケーブル61が前記フィッティング部
材54に固定される。前記同軸ケーブル61の中心のケ
ーブル(プラス側ケーブル)62は、前記押え金具51
および前記環状カラー60の内部を通して前記振動子4
8の上面に接続されている。前記同軸ケーブル61の周
辺ケーブル(アース側ケーブル)63は、前記銅板55
に半田等により接続されている。つまり、前記周辺ケー
ブル(アース側ケーブル)63は、前記銅板55、この
銅板55下方に位置する押え金具51および環状カラー
50を通して前記振動子48周縁に接続されている。前
記同軸ケーブル61は、図示しない高周波発振器に接続
されている。
A cylindrical high-frequency vibration nozzle 41, which is a first cleaning liquid injection means, is disposed above the rotating disk 16,
The reciprocating operation is performed as shown by an arrow A within a range corresponding to the radius of the rotating disk 16. As shown in FIG. 2, the cylindrical high-frequency vibration nozzle 41 has a cylindrical main body 43 in which the inner peripheral surfaces of the upper and lower portions are threaded, and which has a cleaning liquid introduction hole 42 in a side wall near the lower portion. On the inner peripheral surface near the lower portion of the cylindrical main body 43, an annular engaging portion 44 projects in the horizontal direction. A nozzle housing 46 having a circular cleaning liquid discharge port 45 at a lower end is screwed to a lower portion of the cylindrical main body 43. The cleaning liquid introduction pipe 47 is inserted into the cleaning liquid introduction hole 42 of the cylindrical main body 43, and the main body 4 is brazed.
It is fixed to 3. The disk-shaped vibrator 48 is disposed in the cylindrical main body 43 with a ring-shaped liquid-tight packing 49 locked by the annular engaging portion 44 interposed therebetween. The annular collar 50 also serving as a presser and ground is provided with the vibrator 4.
8 are arranged in contact with the periphery. A holding metal member 51 whose outer peripheral surface is subjected to thread cutting is abutted on the upper surface of the annular collar 50 by being screwed into the cylindrical main body 43 from the upper end thereof. A cable fitting member 54 having a through hole 52 at the center and a screw portion 53 on the upper side is in contact with the holding member 51 via a ring-shaped copper plate 55 in the tubular main body 43. An inverted conical groove 56 is formed at the upper end of the screw portion 53 of the fitting member 54. For example, an inverted conical ferrule 58 having a hole 57 at a central portion made of a fluororesin is fitted in an inverted conical groove 56 at the upper end of the screw portion 53 of the fitting member 54. A cap 60 having a hole 59 at the center is screwed to the screw portion 53 of the fitting member 54. The distal end of the coaxial cable 61 is inserted through the hole 59 of the cap 60, the hole 57 of the ferrule 58, and the through hole 52 of the fitting member 54 into the holding member 51. In addition,
The ferrule 58 is inserted into the groove 56 by rotating the cap 60 downward, and the coaxial cable 61 is fixed to the fitting member 54 by the wedge effect. The center cable (positive side cable) 62 of the coaxial cable 61 is
And the vibrator 4 through the inside of the annular collar 60.
8 is connected to the upper surface. A peripheral cable (ground side cable) 63 of the coaxial cable 61 is connected to the copper plate 55.
Are connected by solder or the like. That is, the peripheral cable (ground side cable) 63 is connected to the periphery of the vibrator 48 through the copper plate 55, the holding metal member 51 located below the copper plate 55, and the annular collar 50. The coaxial cable 61 is connected to a high-frequency oscillator (not shown).

【0034】次に、本発明の実施例1に係わる洗浄装置
の作用を説明する。被洗浄基板、例えば半導体ウェハ6
4を前記回転円板16に設けた4本の支持棒18に取り
付けられた支持ブロック20に水平に載置する。前記モ
ータ2を駆動してその駆動軸1を回転させ、この駆動軸
1に固定された駆動側タイミングプーリ34を回転する
と、その回転力は前記タイミングベルト36を介して前
記被駆動側タイミングプーリ32に伝達され、このタイ
ミングプーリ32が取り付けられた前記円筒体15を有
する回転円板16が前記固定軸22を中心にして回転さ
れる。その結果、前記回転円板16に固定された4つの
支持棒18上端の支持ブロック20に載置された前記半
導体ウェハ64が回転される。
Next, the operation of the cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described. Substrate to be cleaned, for example, semiconductor wafer 6
4 is horizontally placed on a support block 20 attached to four support rods 18 provided on the rotating disk 16. When the motor 2 is driven to rotate the drive shaft 1 and the drive-side timing pulley 34 fixed to the drive shaft 1 is rotated, the rotational force is transmitted to the driven-side timing pulley 32 via the timing belt 36. The rotating disk 16 having the cylindrical body 15 to which the timing pulley 32 is attached is rotated about the fixed shaft 22. As a result, the semiconductor wafer 64 mounted on the support block 20 at the upper end of the four support rods 18 fixed to the rotating disk 16 is rotated.

【0035】このように半導体ウェハ64を回転させた
状態で、前記筒状の固定軸22のジョント部24に連結
された図示しない洗浄液供給管に洗浄液、例えば純水を
供給すると、前記純水は前記固定軸22の空洞部28を
通してこれと連通する前記シャワーノズル27の流通部
25に導入され、前記ノズル27上部の複数の噴射口2
6から上方に向けて噴射される。前記シャワーノズル2
7は、前記回転円板16の周縁部に挿入、固定された前
記4つの支持棒18で囲まれた空間内に位置するため、
前記支持棒18の支持ブロック20に載置されて回転さ
れる前記半導体ウェハ60の裏面に前記シャワーノズル
27からの純水が噴射される。前記円筒型高周波振動ノ
ズル41の前記洗浄液導入管47に洗浄液、例えば純水
を導入し、この純水を前記洗浄液導入穴42を通して前
記筒状本体43内に供給する。図示しない高周波発振器
から前記同軸ケーブル61を通して前記筒状本体43の
前記洗浄液導入穴42の上方に配置した振動子48に高
周波電力を印加すると、前記振動子48が所望の周波数
で振動するため、前記筒状本体43の下部に取り付けら
れた前記ノズル筐体46の円形吐出口45から高周波音
波に乗った純水が回転する前記半導体ウェハ64表面に
噴射され、かつ前記高周波音波が前記半導体ウェハ64
を透過する。同時に、前記高周波振動ノズル41を前記
回転円板16の半径、つまり前記半導体ウェハ64の半
径に相当する範囲内で矢印Aに示すように往復動作する
と、前記ノズル筐体46の円形吐出口45から高周波音
波に乗った洗浄液を前記半導体ウェハ64の表面全体に
噴射される。なお、前記各ノズル27、41から噴射さ
れ、半導体ウェハ64の表裏面を洗浄した後の純水は処
理槽12内に溜められ、排出管14を通して外部に排出
される。
When the cleaning liquid, for example, pure water is supplied to the cleaning liquid supply pipe (not shown) connected to the junction 24 of the cylindrical fixed shaft 22 in a state where the semiconductor wafer 64 is rotated as described above, the pure water becomes Through the cavity 28 of the fixed shaft 22, it is introduced into the circulation part 25 of the shower nozzle 27 communicating therewith, and the plurality of injection ports 2 on the nozzle 27
6 is injected upward. The shower nozzle 2
7 is located in a space surrounded by the four support rods 18 inserted and fixed to the periphery of the rotating disk 16,
Pure water is sprayed from the shower nozzle 27 onto the back surface of the semiconductor wafer 60 which is mounted on the support block 20 of the support rod 18 and rotated. A cleaning liquid, for example, pure water is introduced into the cleaning liquid introduction pipe 47 of the cylindrical high frequency vibration nozzle 41, and the pure water is supplied into the cylindrical main body 43 through the cleaning liquid introduction hole 42. When high-frequency power is applied from a high-frequency oscillator (not shown) to the vibrator 48 disposed above the cleaning liquid introduction hole 42 of the cylindrical main body 43 through the coaxial cable 61, the vibrator 48 vibrates at a desired frequency. From the circular discharge port 45 of the nozzle housing 46 attached to the lower portion of the cylindrical body 43, pure water riding on high-frequency sound waves is sprayed onto the surface of the rotating semiconductor wafer 64, and the high-frequency sound waves are
Through. At the same time, when the high-frequency vibration nozzle 41 reciprocates as shown by the arrow A within a range corresponding to the radius of the rotating disk 16, that is, the radius of the semiconductor wafer 64, the circular discharge port 45 of the nozzle housing 46 A cleaning liquid on high-frequency sound waves is sprayed on the entire surface of the semiconductor wafer 64. The pure water jetted from the nozzles 27 and 41 and after cleaning the front and back surfaces of the semiconductor wafer 64 is stored in the processing tank 12 and discharged to the outside through the discharge pipe 14.

【0036】このように前記保持手段および回転手段に
より半導体ウェハ64を水平状態で保持して回転させな
がら、前記半導体ウェハ64の上方に配置した前記高周
波振動ノズル41から前記ウェハ64を通過する高周波
音波に乗った純水を前記半導体ウェハ64の表面に向け
て噴射すると共に前記高周波振動ノズル41を矢印Aに
示すように前記半導体ウェハ64の半径に相当する範囲
内で往復動作させることによって、前記半導体ウェハ6
4の表面全体は前記高周波振動ノズル41から高周波音
波に乗った純水が噴射される。このため、前記ウェハ6
4表面のパーティクルを純水と一緒に洗い流すことがで
き、かつパーティクルの再付着を防止して精密洗浄を行
うことができる。
As described above, while holding and rotating the semiconductor wafer 64 in a horizontal state by the holding means and the rotating means, the high-frequency sound wave passing through the wafer 64 from the high-frequency vibration nozzle 41 disposed above the semiconductor wafer 64. By spraying pure water on the surface of the semiconductor wafer 64 toward the surface of the semiconductor wafer 64 and reciprocating the high-frequency vibration nozzle 41 within a range corresponding to the radius of the semiconductor wafer 64 as shown by an arrow A. Wafer 6
Pure water on high frequency sound waves is jetted from the high frequency vibration nozzle 41 to the entire surface of 4. Therefore, the wafer 6
Particles on the four surfaces can be washed away together with pure water, and precise cleaning can be performed while preventing particles from re-adhering.

【0037】前記高周波振動ノズル41からの高周波音
波に乗った純水を前記半導体ウェハ64表面に向けて噴
射し、矢印A方向に掃引させると同時に、前記半導体ウ
ェハ64の下方に配置したシャワーノズル27から純水
を前記半導体ウェハ64の裏面に向けて噴射すると、前
記高周波振動ノズル41からの高周波音波は前記半導体
ウェハ64を透過してその裏面に存在するパーティクル
にも作用し、前記シャワーノズル27から噴射された純
水の液膜により前記パーティクルを洗い流すことができ
る。また、前記液膜まで達した高周波音波は音響インピ
ーダンスが大きく異なる空気層で反射され、前記ウェハ
64裏面のパーティクルに作用しながら前記ウェハ64
内を通過してその表面側に戻る。表面側に戻った高周波
音波は、前記ウェハ64表面の液膜と空気層の界面で反
射し、この後前述したのと同様な反射を繰り返しながら
減衰していく。このようにシャワーノズル29から純水
を前記半導体ウェハ64裏面に噴射して液膜を形成する
ことにより前記半導体ウェハ64の下方、つまりその裏
面側に高周波振動ノズルを配置することなく前記半導体
ウェハ64の裏面全体も同時に精密洗浄することが可能
になる。
Pure water on which high-frequency sound waves from the high-frequency vibration nozzle 41 are jetted toward the surface of the semiconductor wafer 64 to be swept in the direction of arrow A, and at the same time, the shower nozzle 27 disposed below the semiconductor wafer 64. When pure water is sprayed toward the back surface of the semiconductor wafer 64, the high-frequency sound waves from the high-frequency vibration nozzle 41 pass through the semiconductor wafer 64 and also act on particles existing on the back surface, and the shower nozzle 27 The particles can be washed away by the sprayed pure water liquid film. The high-frequency sound wave that has reached the liquid film is reflected by an air layer having a significantly different acoustic impedance, and acts on particles on the back surface of the wafer 64 while acting on particles on the back surface of the wafer 64.
Passing inside and returning to the front side. The high-frequency sound wave returned to the front surface side is reflected at the interface between the liquid film and the air layer on the surface of the wafer 64, and thereafter attenuates while repeating the same reflection as described above. In this manner, pure water is sprayed from the shower nozzle 29 onto the back surface of the semiconductor wafer 64 to form a liquid film, so that the semiconductor wafer 64 can be disposed below the semiconductor wafer 64, that is, without disposing a high-frequency vibration nozzle on the back surface side. The entire back surface can be simultaneously precision cleaned.

【0038】事実、実施例1の洗浄装置を用いた次のよ
うな実験により半導体ウェハの表裏面を精密洗浄できる
ことを確認した。 (実験例)まず、両面がポリシングされた8インチのシ
リコンウェハの表裏面に0.2μm以上シリコンパウダ
で強制的に汚染した。このシリコンウェハ64を回転円
板16に設けた4本の支持棒18に取り付けられた支持
ブロック20に水平に載置した。モータ2を駆動してそ
の駆動軸1を回転させ、この駆動軸1に固定された駆動
側タイミングプーリ34を回転することにより、その回
転力をタイミングベルト36を介して被駆動側タイミン
グプーリ32に伝達し、このタイミングプーリ32が取
り付けられた前記円筒体15を有する回転円板16を筒
状の固定軸22を中心にして回転した。これにより、前
記回転円板16の挿入固定された4つの支持棒18上端
の支持ブロック20に載置された前記シリコンウェハ6
4を1500rpmの速度で回転した。このようなシリ
コンウェハ64を回転させた状態で、前記筒状の固定軸
22のジョント部24に連結された図示しない洗浄液供
給管に純水を供給し、前記純水を前記固定軸22の空洞
部28を通してこれと連通するシャワーノズル27の流
通部25に導入し、前記ノズル27上部の複数の噴射口
26から回転する前記シリコンウェハ64の裏面に純水
を2.4リットル/分の流量で噴射した。また、前記円
筒型高周波振動ノズル41の前記洗浄液導入管47に純
水を導入し、この純水を前記洗浄液導入穴42を通して
前記筒状本体43内に供給する。同時に図示しない高周
波発振器から前記同軸ケーブル61を通して前記筒状本
体43の前記洗浄液導入穴42の上方に配置した振動子
48に高周波電力を印加することにより前記振動子48
が1.5kHzの周波数で振動して筒状本体43の下部
に取り付けられたノズル筐体46の円形吐出口45から
1.5kHzの高周波する。この高周波音波に乗った純
水を回転する前記シリコンウェハ64表面に0.8リッ
トル/分の流量で30秒間噴射し、同時に前記高周波振
動ノズル41を前記シリコンウェハ64の半径範囲内で
3.0m/分の速度で往復動作することにより前記シリ
コンウェハ64の洗浄を行った。
In fact, the following experiment using the cleaning apparatus of Example 1 confirmed that the front and back surfaces of the semiconductor wafer could be precisely cleaned. (Experimental Example) First, both sides of an 8-inch silicon wafer polished on both sides were forcibly contaminated with silicon powder of 0.2 μm or more. The silicon wafer 64 was horizontally placed on a support block 20 attached to four support rods 18 provided on the rotating disk 16. By driving the motor 2 to rotate the drive shaft 1 and rotating the drive-side timing pulley 34 fixed to the drive shaft 1, the rotational force is applied to the driven-side timing pulley 32 via the timing belt 36. The rotating disk 16 having the cylindrical body 15 to which the timing pulley 32 was attached was rotated about the cylindrical fixed shaft 22. As a result, the silicon wafer 6 placed on the support block 20 at the upper end of the four support rods 18 into which the rotating disk 16 is inserted and fixed.
4 was rotated at a speed of 1500 rpm. In a state where the silicon wafer 64 is rotated, pure water is supplied to a cleaning liquid supply pipe (not shown) connected to the junction 24 of the cylindrical fixed shaft 22, and the pure water is supplied to the cavity of the fixed shaft 22. Pure water is introduced at a flow rate of 2.4 liters / minute onto the back surface of the silicon wafer 64 rotating from the plurality of injection ports 26 above the nozzle 27 by introducing the pure water to the flow portion 25 of the shower nozzle 27 communicating with the shower nozzle 27 through the portion 28. Sprayed. Further, pure water is introduced into the cleaning liquid introduction pipe 47 of the cylindrical high frequency vibration nozzle 41, and the pure water is supplied into the cylindrical main body 43 through the cleaning liquid introduction hole 42. At the same time, a high frequency power is applied from a high frequency oscillator (not shown) to the vibrator 48 disposed above the cleaning liquid introduction hole 42 of the cylindrical main body 43 through the coaxial cable 61 to thereby make the vibrator 48
Vibrates at a frequency of 1.5 kHz and generates a high frequency of 1.5 kHz from the circular discharge port 45 of the nozzle housing 46 attached to the lower part of the cylindrical main body 43. The high-frequency sound wave is sprayed onto the surface of the rotating silicon wafer 64 at a flow rate of 0.8 liter / min for 30 seconds while the high-frequency vibration nozzle 41 is set at a distance of 3.0 m within a radius range of the silicon wafer 64. The silicon wafer 64 was cleaned by reciprocating at a speed of / min.

【0039】(比較例)前述した図1の洗浄装置におい
て、高周波振動ノズルの代わりに細長状のシャワーノズ
ルを用い、このシャワーノズルから純水を回転するシリ
コンウェハに0.8リットル/分の流量で噴射した以
外、実験例と同様な方法によりシリコンウェハを洗浄し
た。実験例および比較例により洗浄処したシリコンウェ
ハの表裏面のパーティクルの個数、除去率を測定した。
その結果を下記表1に示す。
Comparative Example In the cleaning apparatus of FIG. 1 described above, an elongated shower nozzle was used in place of the high-frequency vibration nozzle, and pure water was supplied from the shower nozzle to the rotating silicon wafer at a flow rate of 0.8 liter / min. The silicon wafer was cleaned in the same manner as in the experimental example, except that the injection was performed. The number of particles and the removal rate of the particles on the front and back surfaces of the silicon wafer cleaned by the experimental example and the comparative example were measured.
The results are shown in Table 1 below.

【0040】[0040]

【表1】 [Table 1]

【0041】前記表1から明らかなように本発明の実施
例1に係わる洗浄装置では、シリコンウェハの表裏面の
パーティクルを良好に除去でき、精密洗浄を行うことが
できることがわかる。なお、前記シリコンウェハの裏面
のパーティクル除去率が70%程度であればこのウェハ
からそのバック側のパーティクルに起因する汚染のない
良好な特性を有する半導体装置を製造することが可能に
なる。
As is clear from Table 1, the cleaning apparatus according to Embodiment 1 of the present invention can remove particles on the front and back surfaces of the silicon wafer satisfactorily and can perform precision cleaning. If the particle removal rate on the back surface of the silicon wafer is about 70%, it is possible to manufacture a semiconductor device having good characteristics without contamination caused by particles on the back side from this wafer.

【0042】前述したシリコンウェハ64の洗浄処理
後、前記シャワーノズル27からの純水の噴射、高周波
振動ノズル41からの高周波音波に乗った純水の噴射を
停止し、モータ2による駆動軸1の回転速度を上げて回
転円板16を例えば3000rpmと高速回転すること
により、前記回転円板16の支持棒18の支持ブロック
20に載置されたシリコンウェハ64を連続してスピン
乾燥することができる。
After the above-described cleaning of the silicon wafer 64, the injection of pure water from the shower nozzle 27 and the injection of pure water on the high-frequency sound wave from the high-frequency vibration nozzle 41 are stopped, and the motor 2 By increasing the rotation speed and rotating the rotary disk 16 at a high speed of, for example, 3000 rpm, the silicon wafer 64 placed on the support block 20 of the support rod 18 of the rotary disk 16 can be continuously spin-dried. .

【0043】なお、前記実施例1では高周波振動ノズル
として円筒型のものを用い、被洗浄基板(例えばシリコ
ンウェハ)の半径の範囲内で掃引させるようにしたが、
これに限定されない。例えば、前記円筒型高周波振動ノ
ズルの代わりに細長状の洗浄液吐出口を有する矩形状本
体を備えるバー型高周波振動ノズルを用いても同様な効
果を奏する。
In the first embodiment, the high-frequency vibration nozzle is of a cylindrical type and is swept within the radius of the substrate to be cleaned (for example, a silicon wafer).
It is not limited to this. For example, a similar effect can be obtained by using a bar-type high-frequency vibration nozzle having a rectangular main body having an elongated cleaning liquid discharge port instead of the cylindrical high-frequency vibration nozzle.

【0044】(実施例2)図3は、本発明の実施例2に
係わる洗浄装置を示す断面図、図4は図3の洗浄装置に
組み込まれる第1洗浄液噴射手段であるバー型高周波振
動ノズルを示す断面図、図5は図4のV−V線に沿う断
面図である。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a sectional view showing a cleaning apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and FIG. 4 is a bar-type high-frequency vibration nozzle which is a first cleaning liquid injection means incorporated in the cleaning apparatus of FIG. FIG. 5 is a sectional view taken along line VV in FIG.

【0045】垂直方向に駆動軸101が延出されたモー
タ102は、筒状の支持部材103に収納されている。
支持板104は、前記筒状の支持部材103上に複数の
ネジ105により固定されている。また、前記支持板1
04は、前記駆動軸101に対応する箇所および前記支
持部材103から左側に延出した部分にそれぞれ穴10
6、107が開孔されている。中央に穴108が開口さ
れ、かつ前記穴108周辺に環状突起部109を有する
円盤状プレート110は、前記支持板104上に前記支
持板104下面から前記プレート109に向けて螺着さ
れた複数のネジ111により固定されている。
A motor 102 having a drive shaft 101 extending in the vertical direction is housed in a cylindrical support member 103.
The support plate 104 is fixed on the cylindrical support member 103 by a plurality of screws 105. Further, the support plate 1
Reference numerals 04 denote holes 10 at positions corresponding to the drive shaft 101 and at portions extending leftward from the support member 103, respectively.
6, 107 are opened. A disc-shaped plate 110 having a hole 108 opened in the center and having an annular projection 109 around the hole 108 has a plurality of screws screwed onto the support plate 104 from the lower surface of the support plate 104 toward the plate 109. It is fixed by screws 111.

【0046】処理槽112は、前記円盤状プレート11
0の上方に配置されている。前記処理槽112は、有底
円筒形状をなし、かつ底部中央に上方に突出した円筒部
113を有する。排出管114は、前記処理槽112の
左側壁に近接した底部に連結されている。なお、前記処
理槽112は図示しない架台により前記円筒部113が
前記円盤状プレート110の穴108と同心円状に位置
するように支持固定されている。
The processing tank 112 contains the disk-shaped plate 11.
0. The processing tank 112 has a cylindrical shape with a bottom, and has a cylindrical portion 113 projecting upward at the center of the bottom. The discharge pipe 114 is connected to a bottom portion of the processing tank 112 adjacent to the left side wall. The processing tank 112 is supported and fixed by a stand (not shown) such that the cylindrical portion 113 is positioned concentrically with the hole 108 of the disk-shaped plate 110.

【0047】中央部に下方に向けて突出した円筒体11
5を有する回転円板116は、前記処理槽112内に水
平に配置されている。前記円筒体115は、前記処理槽
112の前記円筒部113内を同心円状に通過して前記
処理槽112外部に延出されている。前記円筒体115
の下部付近の内周面には環状係合部117が水平方向に
突出している。上下部がネジ切り加工された例えば4本
の支持棒118は、前記回転円板116の周縁部に等周
角度(90゜)で垂直方向に延びるようにそれぞれ挿入
され、前記回転円板116下面から突出した前記支持棒
118下部のネジ部にナット119を螺合することによ
り前記回転円板116に固定されている。円柱状支持ブ
ロック120は、前記各支持棒118上部のネジ部に互
いに同一水平面に位置するようにそれぞれ螺合されてい
る。
A cylindrical body 11 protruding downward at the center.
The rotating disk 116 having the number 5 is disposed horizontally in the processing tank 112. The cylindrical body 115 extends concentrically through the inside of the cylindrical portion 113 of the processing tank 112 and extends outside the processing tank 112. The cylindrical body 115
An annular engaging portion 117 protrudes in the horizontal direction from the inner peripheral surface near the lower portion of the housing. For example, four support rods 118 whose upper and lower portions are threaded are inserted into the peripheral edge of the rotating disk 116 so as to extend vertically at an equal circumferential angle (90 °), respectively, and the lower surface of the rotating disk 116 is A nut 119 is screwed into a screw portion below the support rod 118 protruding from the support rod 118 and is fixed to the rotating disk 116. The columnar support blocks 120 are screwed into the threaded portions above the support rods 118 so as to be located on the same horizontal plane.

【0048】中間付近に環状フランジ121を有し、下
部外周にネジ切り加工が施された筒状固定軸122は、
前記処理槽112内から前記回転円板116の前記円筒
体115内を同心円状に通過して前記円盤状プレート1
10の穴108に挿入されている。前記筒状固定軸12
2は、前記プレート110下面から下方に突出された下
部にナット123を螺合させることにより前記プレート
110に固定されている。2つのベアリング124a、
124bは、前記円筒体115内面、前記筒状固定軸1
22外周面、前記固定軸122の環状フランジ121、
および前記プレート110の環状突起部109で区画さ
れた空間内に環状スペーサ125を介して上下に所望の
間隔をあけて配置されている。なお、前記上部ベアリン
グ124aの下面は、前記円筒体115の下部付近の内
周面に形成された前記環状係合部117の上面に係合さ
れている。前記下部ベアリング124bの上面は、前記
環状係合部117の下面に係合される。ゴム製のVリン
グ126は、前記回転円板116の円筒体115の上部
内周面と前記固定軸22の間に介在され、後述するバー
型高周波振動ノズルからの洗浄液が前記ベアリング12
4a、124bが配置される前記円筒体115の内周面
と前記固定軸122の間に流入するのを阻止している。
A cylindrical fixed shaft 122 having an annular flange 121 near the center and having a thread cut on the outer periphery of the lower part is
The disk-shaped plate 1 passes through the cylindrical body 115 of the rotating disk 116 concentrically from the processing tank 112.
It is inserted into ten holes 108. The cylindrical fixed shaft 12
2 is fixed to the plate 110 by screwing a nut 123 into a lower part protruding downward from the lower surface of the plate 110. Two bearings 124a,
124b is an inner surface of the cylindrical body 115, the cylindrical fixed shaft 1
22, an outer peripheral surface, an annular flange 121 of the fixed shaft 122,
Also, they are arranged at a desired interval vertically in the space defined by the annular projection 109 of the plate 110 via an annular spacer 125. The lower surface of the upper bearing 124a is engaged with the upper surface of the annular engaging portion 117 formed on the inner peripheral surface near the lower portion of the cylindrical body 115. The upper surface of the lower bearing 124b is engaged with the lower surface of the annular engaging portion 117. A rubber V-ring 126 is interposed between the upper inner peripheral surface of the cylindrical body 115 of the rotating disk 116 and the fixed shaft 22, and a cleaning liquid from a bar-type high-frequency vibration nozzle described later
4a and 124b are prevented from flowing between the inner peripheral surface of the cylinder 115 and the fixed shaft 122.

【0049】被駆動側タイミングプーリ127は、前記
円筒体115の下部外周に嵌合され、複数のネジ128
により前記円筒体115に固定されている。駆動側タイ
ミングプーリ129は、前記モータ102の駆動軸10
1に嵌合され、それらの間に取り付けた係止具130よ
り前記駆動軸101に固定されている。タイミングベル
ト131は、前記タイミングプーリ127、129間に
枢支されている。したがって、前記モータ102の前記
駆動軸101を回転させ、この駆動軸101に固定され
た駆動側タイミングプーリ129を回転することによ
り、その回転力は前記タイミングベルト131を介して
前記被駆動側タイミングプーリ127に伝達され、この
タイミングプーリ127が取り付けられた前記円筒体1
15を有する回転円板116が前記筒状固定軸122を
中心にして回転される。
The driven-side timing pulley 127 is fitted on the outer periphery of the lower part of the cylindrical body 115 and has a plurality of screws 128.
Is fixed to the cylindrical body 115. The drive-side timing pulley 129 is connected to the drive shaft 10 of the motor 102.
1 and is fixed to the drive shaft 101 by a locking member 130 attached between them. The timing belt 131 is pivotally supported between the timing pulleys 127 and 129. Accordingly, by rotating the drive shaft 101 of the motor 102 and rotating the drive-side timing pulley 129 fixed to the drive shaft 101, the rotational force is applied to the driven-side timing pulley via the timing belt 131. 127 and the cylindrical body 1 to which the timing pulley 127 is attached.
The rotating disk 116 having the reference numeral 15 is rotated about the cylindrical fixed shaft 122.

【0050】なお、前記回転円板116に垂直に固定さ
れた複数の前記支持棒118およびこれら支持棒118
の上端にそれぞれ取り付けられた前記支持ブロック12
0により被洗浄基板を水平に保持するための保持手段を
構成している。また、前記駆動軸101、前記モータ1
02、前記回転円板116、前記固定軸122、前記ベ
アリング124a、124b、前記タイミングプーリ1
27、129およびタイミングベルト131により前記
保持手段を回転するための回転手段を構成している。
The plurality of support rods 118 fixed vertically to the rotating disk 116 and these support rods 118
The support blocks 12 respectively attached to the upper ends of
0 constitutes holding means for holding the substrate to be cleaned horizontally. The drive shaft 101 and the motor 1
02, the rotating disk 116, the fixed shaft 122, the bearings 124a and 124b, the timing pulley 1
27, 129 and the timing belt 131 constitute rotating means for rotating the holding means.

【0051】バー型高周波振動ノズル132は、前記筒
状固定軸122の上端に固定されている。前記バー型高
周波振動ノズル132は、図4、図5に示すように横長
状の凹部133を有する矩形状下部ブロック134と、
上面に細長状の洗浄液吐出口135を有し、下面が前記
凹部133上面の開口面積より小さい面積を持つ横長の
ノズル穴136を開口した矩形状上部ブロック137と
を備えている。前記上部ブロック136は、前記下部ブ
ロック134に前記上部ブロック137のノズル穴13
6が前記下部ブロック134の前記凹部133と対向す
るようにパッキン138を間に挟んで固定されている。
このように前記上部ブロック137を前記下部ブロック
134に固定することにより、前記ノズル穴136周縁
の前記上部ブロック137部分が前記凹部133上面に
庇状に突出される。矩形状の振動板139は、前記凹部
133上面に庇状に突出された前記上部ブロック137
下面の前記パッキン138に配置されている。矩形枠状
のキャップ140は、前記振動板139の下面に配置さ
れ、図示しないネジを前記キャップ140側から前記上
部ブロック137の庇部に螺着することにより前記振動
板139は前記下部ブロック137の前記凹部133と
前記上部ブロック137のノズル穴136の間にに固定
される。矩形状の振動子141は、前記振動板139下
面に固定されている。給電ケーブル142は、前記筒状
固定軸122の下端から挿入され、前記下部ブロック1
34下面に取り付けられたケーブルフィティング部材1
43を通して前記下部ブロック134を貫通して前記凹
部133内に延出されている。前記給電ケーブル142
の主端子144は、その先端が前記振動子141に接続
されている。また、前記給電ケーブル142に同軸的に
取り付けられたアース端子145は前記キャップ140
を通して前記振動板139に接続されている。前記給電
ケーブル142は、高周波発振器(図示せず)に接続さ
れている。洗浄液の第1流路145は、前記下部ブロッ
ク134にその上下面で開口するように座ぐり加工され
ている。洗浄液の第2流路146は、前記上部ブロック
137に座ぐり加工されている。前記第2流路146
は、前記上部ブロック137の下面で開口して前記第1
流路145と連通される立上がり穴147と、前記上部
ブロック137の長手方向に穿設され、前記穴147と
連通する円柱穴148と、この円柱穴148から前記ノ
ズル穴136に向けて斜め方向に開口された複数の洗浄
液流出孔149とから構成されている。洗浄液供給管1
50は、前記筒状固定軸122の下端から挿入され、前
記下部ブロック134下面に取り付けられたフィティン
グ部材151を通して前記下部ブロック134の第1流
路145に連通されている。
The bar type high frequency vibration nozzle 132 is fixed to the upper end of the cylindrical fixed shaft 122. The bar-type high-frequency vibration nozzle 132 includes a rectangular lower block 134 having a horizontally long recess 133 as shown in FIGS.
A rectangular upper block 137 having an elongated cleaning liquid discharge port 135 on the upper surface and a horizontally long nozzle hole 136 having a lower surface having an area smaller than the opening area of the upper surface of the recess 133 is provided. The upper block 136 is provided with the nozzle hole 13 of the upper block 137 in the lower block 134.
6 is fixed with the packing 138 therebetween so as to face the recess 133 of the lower block 134.
By fixing the upper block 137 to the lower block 134 in this manner, the upper block 137 at the periphery of the nozzle hole 136 protrudes from the upper surface of the recess 133 in an eaves-like manner. The rectangular vibration plate 139 is provided on the upper block 137 protruding like an eave on the upper surface of the recess 133.
It is arranged on the packing 138 on the lower surface. The rectangular frame-shaped cap 140 is disposed on the lower surface of the vibration plate 139, and a screw (not shown) is screwed from the cap 140 side to the eave portion of the upper block 137 so that the vibration plate 139 is attached to the lower block 137. It is fixed between the recess 133 and the nozzle hole 136 of the upper block 137. The rectangular vibrator 141 is fixed to the lower surface of the vibration plate 139. The power supply cable 142 is inserted from the lower end of the cylindrical fixed shaft 122 and is connected to the lower block 1.
34 Cable fitting member 1 attached to lower surface
Through the lower block 134, the lower block 134 extends into the recess 133. The power supply cable 142
The main terminal 144 has a tip connected to the vibrator 141. The ground terminal 145 coaxially attached to the power supply cable 142 is connected to the cap 140.
Through the diaphragm 139. The power supply cable 142 is connected to a high-frequency oscillator (not shown). The first flow path 145 of the cleaning liquid is counterbored in the lower block 134 so as to open on the upper and lower surfaces thereof. The second flow path 146 of the cleaning liquid is counterbored in the upper block 137. The second flow path 146
Is opened at the lower surface of the upper block 137 to open the first block.
A rising hole 147 communicating with the flow path 145; a cylindrical hole 148 formed in the longitudinal direction of the upper block 137 and communicating with the hole 147; And a plurality of cleaning liquid outflow holes 149 opened. Cleaning liquid supply pipe 1
50 is inserted from the lower end of the cylindrical fixed shaft 122 and communicates with the first flow passage 145 of the lower block 134 through a fitting member 151 attached to the lower surface of the lower block 134.

【0052】第2洗浄液噴射手段である断面がL形をな
すバー型シャワーノズル152は、前記回転円板116
の上方に配置されている。前記シャワーノズル152
は、洗浄液供給部材153と、この供給部材153と連
結された水平方向に延びる横長のノズル本体154と、
この本体154の内部に形成された洗浄液流通部155
と、この流通部155と連通し、前記本体154の下面
に開口された複数の噴射口156とから構成されてい
る。
The bar-shaped shower nozzle 152 having an L-shaped cross section, which is the second cleaning liquid injection means, is provided with the rotating disk 116.
It is arranged above. The shower nozzle 152
A cleaning liquid supply member 153, a horizontally elongated nozzle body 154 connected to the supply member 153, and extending in the horizontal direction;
The cleaning liquid flowing portion 155 formed inside the main body 154
And a plurality of injection ports 156 communicating with the circulation part 155 and opened on the lower surface of the main body 154.

【0053】次に、本発明の実施例2に係わる洗浄装置
の作用を説明する。被洗浄基板、例えば半導体ウェハ1
37を前記回転円板116に設けた4本の支持棒118
に取り付けられた支持ブロック120に載置し、前記支
持ブロック120上に水平に載置する。前記モータ10
2を駆動してその駆動軸101を回転させ、この駆動軸
101に固定された駆動側タイミングプーリ129を回
転すると、その回転力は前記タイミングベルト131を
介して前記被駆動側タイミングプーリ127に伝達さ
れ、このタイミングプーリ127が取り付けられた前記
円筒体115を有する回転円板116が前記筒状固定軸
122を中心にして回転される。その結果、前記回転円
板116に固定された4つの支持棒118上端の支持ブ
ロック120に載置された前記半導体ウェハ137が回
転される。
Next, the operation of the cleaning apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. Substrate to be cleaned, for example, semiconductor wafer 1
37, four support rods 118 provided on the rotating disk 116
And is horizontally mounted on the support block 120. The motor 10
When the drive shaft 2 is driven to rotate the drive shaft 101 and the drive-side timing pulley 129 fixed to the drive shaft 101 is rotated, the rotational force is transmitted to the driven-side timing pulley 127 via the timing belt 131. Then, the rotating disk 116 having the cylindrical body 115 to which the timing pulley 127 is attached is rotated about the cylindrical fixed shaft 122. As a result, the semiconductor wafer 137 mounted on the support block 120 at the upper end of the four support rods 118 fixed to the rotating disk 116 is rotated.

【0054】このように半導体ウェハ137を回転させ
た状態で、前記筒状固定軸122内に挿入された洗浄液
供給管150に洗浄液、例えば純水を供給すると、前記
純水は前記フィッティング部材151を通してこれと連
通する前記バー型高周波振動ノズル132の第1流路1
45、第2流路146内に導入され、前記第2流路14
6の複数の噴射孔149から前記矩形状上部ブロック1
37の矩形状ノズル穴136内の前記振動板139に向
けて噴射され、前記ノズル136内が純水で満たされ
る。この状態で図示しない高周波発振器から前記給電ケ
ーブル142を通して前記下部、上部のブロック13
4、137間の振動板139下面に取着された振動子1
41に高周波電力を印加すると、前記振動子141が所
望の周波数で振動する。このため、前記振動子141が
取着された振動板139から前記上部ブロック137の
矩形状ノズル穴136上面の細長状の吐出口135に向
かう高周波音波が発生する。その結果、図3、図5に示
すように前記上部ブロック137の前記細長状吐出口1
35から高周波音波に乗った純水が回転する前記半導体
ウェハ157表面に帯状に噴射される。この時、前記高
周波音波は前記半導体ウェハ157を透過する。同時
に、前記半導体ウェハ157の上方に配置した前記シャ
ワーノズル152の前記洗浄液供給部153に洗浄液、
例えば純水を供給すると、横長の前記ノズル本体154
の前記流通部155に導入され、前記ノズル本体154
下部の複数の噴射口156から純水が回転する前記半導
体ウェハ157表面に帯状に噴射される。なお、前記各
ノズル132、152から噴射され、前記半導体ウェハ
157の裏面および表面を洗浄した後の純水は処理槽1
12内に溜められ、排出管114を通して外部に排出さ
れる。
When the cleaning liquid, for example, pure water is supplied to the cleaning liquid supply pipe 150 inserted into the cylindrical fixed shaft 122 while the semiconductor wafer 137 is rotated as described above, the pure water passes through the fitting member 151. The first flow path 1 of the bar-type high-frequency vibration nozzle 132 communicating therewith
45, introduced into the second flow path 146,
6 from the plurality of injection holes 149.
The liquid is injected toward the vibration plate 139 in the 37 rectangular nozzle holes 136, and the inside of the nozzle 136 is filled with pure water. In this state, the lower and upper blocks 13 are passed through the power supply cable 142 from a high-frequency oscillator (not shown).
Vibrator 1 attached to the lower surface of diaphragm 139 between 4, 137
When high-frequency power is applied to 41, the vibrator 141 vibrates at a desired frequency. For this reason, a high-frequency sound wave is generated from the vibration plate 139 to which the vibrator 141 is attached to the elongated discharge port 135 on the upper surface of the rectangular nozzle hole 136 of the upper block 137. As a result, as shown in FIGS. 3 and 5, the elongated discharge port 1 of the upper block 137 is formed.
From 35, pure water riding on high-frequency sound waves is sprayed in a belt shape on the surface of the rotating semiconductor wafer 157. At this time, the high-frequency sound wave passes through the semiconductor wafer 157. At the same time, the cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid supply unit 153 of the shower nozzle 152 disposed above the semiconductor wafer 157,
For example, when pure water is supplied, the horizontally long nozzle body 154 is formed.
Of the nozzle body 154
Pure water is sprayed in a strip shape from the plurality of lower spray ports 156 onto the surface of the rotating semiconductor wafer 157. The pure water sprayed from each of the nozzles 132 and 152 and after cleaning the back and front surfaces of the semiconductor wafer 157 is supplied to the processing tank 1.
12 and discharged to the outside through a discharge pipe 114.

【0055】このように前記保持手段および回転手段に
より半導体ウェハ157を水平状態で保持して回転させ
ながら、前記半導体ウェハ157の下方に配置した前記
バー型高周波振動ノズル132から前記ウェハ157を
通過する高周波音波に乗った純水を前記半導体ウェハ1
57の表面に向けて帯状に噴射することによって、前記
半導体ウェハ157の裏面全体のパーティクルを純水と
一緒に洗い流すことができ、かつパーティクルの再付着
を防止して精密洗浄を行うことができる。
As described above, the semiconductor wafer 157 passes through the wafer 157 from the bar-type high-frequency vibration nozzle 132 disposed below the semiconductor wafer 157 while holding and rotating the semiconductor wafer 157 in a horizontal state by the holding means and the rotating means. Pure water on high-frequency sound waves is applied to the semiconductor wafer 1
By spraying the particles toward the front surface of the semiconductor wafer 157, particles on the entire back surface of the semiconductor wafer 157 can be washed out together with pure water, and precision cleaning can be performed while preventing particles from re-adhering.

【0056】前記バー型高周波振動ノズル132からの
高周波音波に乗った純水を前記半導体ウェハ157表面
に向けて帯状に噴射し、同時に前記半導体ウェハ157
の上方に配置したシャワーノズル152から純水を前記
半導体ウェハ157の表面に向けて帯状に噴射すると、
前記高周波振動ノズル132からの高周波音波は前記半
導体ウェハ157を透過してその表面に存在するパーテ
ィクルにも作用し、前記シャワーノズル152から噴射
された純水の液膜により前記パーティクルを洗い流すこ
とができる。また、前記液膜まで達した高周波音波は音
響インピーダンスが大きく異なる空気層で反射され、前
記ウェハ157表面のパーティクルに作用しながら前記
ウェハ157内を通過してその裏面側に戻る。裏面側に
戻った高周波音波は、前記ウェハ157裏面の液膜と空
気層の界面で反射し、この後前述したのと同様な反射を
繰り返しながら減衰していく。このようにシャワーノズ
ル152から純水を前記半導体ウェハ157表面に噴射
して液膜を形成することにより前記半導体ウェハ157
の上方、つまりその表面側に高周波振動ノズルを配置す
ることなく前記半導体ウェハ157の表面全体も同時に
精密洗浄することが可能になる。
Pure water carrying high-frequency sound waves from the bar-type high-frequency vibration nozzle 132 is jetted in a band shape toward the surface of the semiconductor wafer 157, and at the same time, the semiconductor wafer 157
When pure water is jetted from the shower nozzle 152 disposed above the semiconductor wafer 157 toward the surface of the semiconductor wafer 157,
The high-frequency sound wave from the high-frequency vibration nozzle 132 transmits through the semiconductor wafer 157 and also acts on particles existing on the surface thereof, so that the particles can be washed away by the pure water liquid film sprayed from the shower nozzle 152. . The high-frequency sound wave that has reached the liquid film is reflected by an air layer having a significantly different acoustic impedance, passes through the inside of the wafer 157 and returns to the back side while acting on particles on the surface of the wafer 157. The high-frequency sound wave returned to the back surface side is reflected at the interface between the liquid film and the air layer on the back surface of the wafer 157, and thereafter attenuates while repeating the same reflection as described above. In this manner, pure water is sprayed from the shower nozzle 152 onto the surface of the semiconductor wafer 157 to form a liquid film, thereby forming the semiconductor wafer 157.
, That is, the entire surface of the semiconductor wafer 157 can be simultaneously precision cleaned without disposing the high-frequency vibration nozzle.

【0057】したがって、前述した実施例2の洗浄装置
によれば半導体ウェハ157の表裏面を同時に精密洗浄
することができる。さらに、前述した実施例2の洗浄装
置によれば前記シャワーノズル152を前記半導体ウェ
ハ157の上方に配置することによって、前述した実施
例1のように上方に配置した高周波振動ノズルを半導体
ウェハ表面に近接させることなく、前記ウェハ157表
面との距離を十分な距離をあけることができる。その結
果、洗浄後の半導体ウェハ157を保持手段から容易に
取り出すことができ、ハンドリング性を向上できる。
Therefore, according to the cleaning apparatus of the second embodiment described above, the front and back surfaces of the semiconductor wafer 157 can be simultaneously precision cleaned. Further, according to the cleaning apparatus of the second embodiment, the shower nozzle 152 is disposed above the semiconductor wafer 157, so that the high-frequency vibration nozzle disposed above the semiconductor wafer as in the first embodiment is provided on the surface of the semiconductor wafer. A sufficient distance from the surface of the wafer 157 can be provided without bringing them close to each other. As a result, the semiconductor wafer 157 after the cleaning can be easily taken out from the holding means, and the handling property can be improved.

【0058】さらに、前述した実施例2の洗浄装置によ
れば前述した実施例1のように半導体ウェハの上方に高
周波振動ノズルを往復動作させるための駆動部材が存在
しないため、前記駆動部材からパーティクルの落下に起
因する半導体ウェハ157の汚染を回避できる。
Further, according to the cleaning apparatus of the second embodiment, since there is no driving member for reciprocating the high-frequency vibration nozzle above the semiconductor wafer as in the first embodiment, particles are generated from the driving member. Contamination of the semiconductor wafer 157 due to the falling of the semiconductor wafer 157 can be avoided.

【0059】さらに、前記バー型高周波振動ノズル13
2において、前記上部ブロック137における第2流路
146の複数の噴射孔149から前記矩形状ノズル穴1
36内の前記振動板139に向けて噴射することによっ
て、前記振動板139の表面に気泡が取り込まれるのを
防止できる。その結果、前記振動し141の振動に際し
て前記振動板139を効率的に振動させて、前記細長状
の吐出口135に向かう高周波音波を発生することが可
能になる。なお、前記実施例1、2では被洗浄基板とし
て半導体ウェハを用いたが、液晶ガラス基板、半導体ウ
ェハや磁気ディスク等にも同様に適用することができ
る。
Further, the bar type high frequency vibration nozzle 13
2, the plurality of injection holes 149 of the second flow path 146 in the upper block
By injecting the gas toward the vibration plate 139 in 36, it is possible to prevent bubbles from being taken into the surface of the vibration plate 139. As a result, the vibrating plate 139 can be efficiently vibrated when the vibrating member 141 vibrates, and a high-frequency sound wave traveling toward the elongated discharge port 135 can be generated. In the first and second embodiments, a semiconductor wafer is used as a substrate to be cleaned. However, the present invention can be similarly applied to a liquid crystal glass substrate, a semiconductor wafer, a magnetic disk, and the like.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば半
導体ウェハのような被洗浄基板の表裏面を同時に精密洗
浄することができ、被洗浄基板の裏面側からの汚染を防
止して微細かつ高密度の半導体装置、液晶ガラス基板や
磁気ディスクの製造等に有効に利用することが可能な洗
浄装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, the front and back surfaces of a substrate to be cleaned such as a semiconductor wafer can be simultaneously precision cleaned, and contamination from the rear side of the substrate to be cleaned can be prevented. In addition, it is possible to provide a cleaning apparatus that can be effectively used for manufacturing a high-density semiconductor device, a liquid crystal glass substrate, a magnetic disk, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1に係わる洗浄装置を示す断面
図。
FIG. 1 is a sectional view showing a cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の洗浄装置に用いられる高周波振動ノズル
(第1洗浄液噴射手段)を示す断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a high-frequency vibration nozzle (first cleaning liquid ejecting means) used in the cleaning apparatus of FIG.

【図3】本発明の実施例2に係わる洗浄装置を示す断面
図。
FIG. 3 is a sectional view showing a cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図5の洗浄装置に組み込まれる第1洗浄液噴射
手段であるバー型高周波振動ノズルを示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a bar-type high-frequency vibration nozzle serving as a first cleaning liquid injection unit incorporated in the cleaning apparatus of FIG. 5;

【図5】図4のV−V線に沿う断面図。FIG. 5 is a sectional view taken along the line VV in FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2、102…モータ、 12、112…処理槽、 15、115…円筒体、 16、116…回転円板、 18、118…支持棒、 20、120…支持ブロック、 22、122…筒状固定軸、 27、152…シャワーノズル、 29a、29b、14a、124b…ベアリング、 32、34、127、129…タイミングプーリ、 36、131…タイミングベルト、 41…円筒型高周波振動ノズル、 64、157…シリコンウェハ 132…バー型高周波ノズル。 2, 102: motor, 12, 112: processing tank, 15, 115: cylindrical body, 16, 116: rotating disk, 18, 118: support rod, 20, 120: support block, 22, 122: cylindrical fixed shaft 27, 152: Shower nozzle, 29a, 29b, 14a, 124b: Bearing, 32, 34, 127, 129: Timing pulley, 36, 131: Timing belt, 41: Cylindrical high frequency vibration nozzle, 64, 157: Silicon wafer 132 ... Bar type high frequency nozzle.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 643 B08B 3/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 643 B08B 3/02

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 被洗浄基板を水平な状態で保持する回転
支持部材を有する保持手段;洗浄液の供給部を兼ねる筒状固定軸と、前記回転支持部
材を前記固定軸を中心にして回転させるための駆動機構
とを有する 前記保持手段を回転させるための回転手段; 前記保持手段の上方に配置され、前記回転支持部材に支
持された前記被洗浄基板の表面に向けて高周波音波に乗
った洗浄液を噴射するための第1洗浄液噴射手段;およ
び前記保持手段の下方に配置され、前記回転支持部材
支持された前記基板の裏面に向けて洗浄液を噴射するた
め第2洗浄液噴射手段; を具備することを特徴とする洗浄装置。
1. A rotation for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state.
Holding means having a support member ; a cylindrical fixed shaft also serving as a cleaning liquid supply section, and the rotation support section
Drive mechanism for rotating the material about the fixed axis
Rotating means for rotating said holding means having bets; disposed above the holding means, for injecting cleaning liquid riding high frequency sound waves toward the supported rotary support member surface of the substrate to be cleaned A first cleaning liquid spraying means; and a second cleaning liquid spraying means disposed below the holding means for spraying a cleaning liquid toward a back surface of the substrate supported by the rotation support member. Cleaning equipment.
【請求項2】 前記第1洗浄液噴射手段は、円筒形状を
なし、前記基板の回転中心から半径方向の間で往復動作
されることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the first cleaning liquid ejecting unit has a cylindrical shape and is reciprocated in a radial direction from a rotation center of the substrate.
【請求項3】 前記第1洗浄液噴射手段は、下面に細長
状の洗浄液吐出口を有するノズル穴を持つ矩形状本体
と、前記本体内に前記吐出口と対向するように配置され
た振動子とを備えることを特徴とする請求項1記載の洗
浄装置。
3. The first cleaning liquid ejecting means includes a rectangular main body having a nozzle hole having an elongated cleaning liquid discharge port on a lower surface, and a vibrator disposed in the main body so as to face the discharge port. The cleaning device according to claim 1, further comprising:
【請求項4】 前記駆動機構は、前記回転支持部材に取
り付けられた被駆動側タイミングプーリと、駆動側タイ
ミングプーリと、前記各プーリ間に枢支されたタイミン
グベルトと、前記駆動側タイミングプーリを回転させる
ためのモータとを備えることを特徴とする請求項1記載
の洗浄装置。
4. The driving mechanism includes a driven-side timing pulley attached to the rotation support member, a driving-side timing pulley, a timing belt pivotally supported between the respective pulleys, and the driving-side timing pulley. The cleaning device according to claim 1, further comprising a motor for rotating the cleaning device.
【請求項5】 前記第2洗浄液噴射手段は、洗浄液の供
給部を兼ねる前記筒状固定軸の上端に水平方向に一体的
に連結され、前記固定軸の空洞部と連通する洗浄液流通
部を有し、かつこの流通部と連通する複数の洗浄液噴射
孔が上部に開口されたシャワーノズルであることを特徴
とする請求項1記載の洗浄装置。
5. The cleaning liquid ejecting means has a cleaning liquid flowing part which is integrally connected in a horizontal direction to an upper end of the cylindrical fixed shaft also serving as a supply part of a cleaning liquid and communicates with a cavity of the fixed shaft. 2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein a plurality of cleaning liquid injection holes communicating with the circulation part are shower nozzles opened at an upper part.
【請求項6】 被洗浄基板を水平な状態で保持する回転
支持部材を有する保持手段;洗浄液の供給部を兼ねる筒状固定軸と、前記回転支持部
材を前記固定軸を中心 にして回転させるための駆動機構
とを有する 前記保持手段を回転させるための回転手段; 前記保持手段の下方に配置され、前記回転支持部材に支
持された前記被洗浄基板の裏面に向けて高周波音波に乗
った洗浄液を帯状に噴射するための第1洗浄液噴射手
段;および前記保持手段の上方に配置され、前記回転支
持部材に支持された前記基板の表面に向けて洗浄液を噴
射するため第2洗浄液噴射手段; を具備することを特徴とする洗浄装置。
6. A rotation for holding a substrate to be cleaned in a horizontal state.
Holding means having a support member ; a cylindrical fixed shaft also serving as a cleaning liquid supply section, and the rotation support section
Drive mechanism for rotating the material about the fixed axis
Rotating means for rotating the holding means having : a cleaning liquid, which is disposed below the holding means and is placed on the back surface of the substrate to be cleaned supported by the rotation supporting member , in which a cleaning liquid on which high frequency sound waves are applied is jetted in a band shape; first cleaning solution spray means for; disposed above and of the holding means, said rotating supporting
A second cleaning liquid ejecting means for injecting the cleaning liquid toward the surface of the substrate supported by the holding member ;
【請求項7】 前記駆動機構は、前記回転支持部材に取
り付けられた被駆動側タイミングプーリと、駆動側タイ
ミングプーリと、前記各プーリ間に枢支されたタイミン
グベルトと、前記駆動側タイミングプーリを回転させる
ためのモータとを備えることを特徴とする請求項記載
の洗浄装置。
7. The driving mechanism includes a driven-side timing pulley attached to the rotation support member, a driving-side timing pulley, a timing belt pivotally supported between the respective pulleys, and the driving-side timing pulley. The cleaning device according to claim 6, further comprising a motor for rotating the cleaning device.
【請求項8】 前記第1洗浄液噴射手段は、一端側が前
記筒状固定軸の上端に固定され、上面に細長状の洗浄液
吐出口を有する矩形状のノズル穴を持つ矩形ブロック
と、前記ブロック内に前記吐出口と対向するように前記
ノズル穴の底部側に配置され、前記筒状固定軸の内部を
通して導入された給電ケーブルと接続される振動子と、
前記ブロックに前記ノズル穴と連通するように形成さ
れ、前記筒状固定軸の内部を通して導入された洗浄液供
給管と連結される洗浄液の流路とを備えることを特徴と
する請求項記載の洗浄装置。
8. A rectangular block having a rectangular nozzle hole fixed at one end to an upper end of the cylindrical fixed shaft and having an elongated cleaning liquid discharge port on an upper surface, wherein the first cleaning liquid ejecting means is provided in the block. A vibrator arranged on the bottom side of the nozzle hole so as to face the discharge port and connected to a power supply cable introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft,
The cleaning according to claim 6 , further comprising a cleaning liquid flow path formed in the block so as to communicate with the nozzle hole and connected to a cleaning liquid supply pipe introduced through the inside of the cylindrical fixed shaft. apparatus.
【請求項9】 前記第2洗浄液噴射手段は、洗浄液供給
部材と、この供給部材の下端に連結され、洗浄液流通部
を有する横長のノズル本体と、前記本体底部に前記洗浄
液流通部と連通するように開口された複数の洗浄液噴射
口とを備えたシャワーノズルであることを特徴とする請
求項記載の洗浄装置。
9. A cleaning liquid supply member, a horizontally elongated nozzle body connected to a lower end of the supply member and having a cleaning liquid flow part, and a second cleaning liquid injection means communicating with the cleaning liquid flow part at the bottom of the main body. 7. The cleaning apparatus according to claim 6 , wherein the cleaning apparatus includes a shower nozzle having a plurality of cleaning liquid injection ports that are opened.
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