JPH09287074A - フィルムの連続蒸着加工装置および連続蒸着加工方法 - Google Patents

フィルムの連続蒸着加工装置および連続蒸着加工方法

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JPH09287074A
JPH09287074A JP8124089A JP12408996A JPH09287074A JP H09287074 A JPH09287074 A JP H09287074A JP 8124089 A JP8124089 A JP 8124089A JP 12408996 A JP12408996 A JP 12408996A JP H09287074 A JPH09287074 A JP H09287074A
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vapor deposition
film
point
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evaporation
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Shunroku Toyama
俊六 遠山
Tsutomu Aoyanagi
力 青柳
Kiyoto Mochizuki
清人 望月
Satoru Tani
知 谷
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Toyo Metallizing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】複数のEB(電子銃)/蒸発点を設けて、幅方
向の均一性と極大の生産性を実現するための蒸発源の数
と位置の最適設計を提供し、以て、膜の厚みや構造など
に関して改善された精度や均一性を有する薄膜を達成で
きるフィルムの連続的蒸着加工装置を提供すること、及
びまたそれを使ったフィルムの連続的蒸着加工方法を提
供すること。 【解決手段】次の要件を満足することを特徴とする蒸着
加工幅(L)が500mm以上となるようなフィルムの
連続的蒸着加工装置。(1) フィルムの幅方向に沿って、
1種類の蒸着物質材料について2個以上の電子ビ−ム照
射点を備えていること。(2) 電子ビ−ム照射点とフィル
ムの走行面との垂直距離(D)が300mm以上である
こと。(3) ハ−スの移動方向と移動速度を個別に設定で
きること。(4) 電子ビ−ム照射点とフィルムの走行面の
間に、幅方向の蒸着速度分布を均一にするための適切な
補正板が設けられていること。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロンビー
ム方式(以下、EB方式と略す)によって、走行する有
機高分子フィルムに連続的に誘電体または金属の単層ま
たは多層の薄膜を連続的に安定して成膜する連続蒸着加
工装置、およびそれを用いて、長尺で幅の広い有機高分
子フィルムに、誘電体または金属の単層または多層の薄
膜を連続的に成膜するに方法に関する。
【0002】本発明は、とくに蒸着加工幅が500mm
以上になるように、長尺の有機高分子フィルムに、幅方
向および長さ方向の膜厚分布が均一な成膜を可能とする
フィルムの連続蒸着加工装置および連続蒸着加工方法に
関する。
【0003】
【従来の技術】種々の目的の機能付与のために、広幅、
長尺の有機高分子フィルムに二酸化硅素など金属酸化物
薄膜を単層として、あるいは多層膜の1構成層として成
膜することは、よく知られている。例えば酸素や水蒸気
などを対象としたガスバリア性をフィルムに付与するた
めに、二酸化硅素薄膜をポリエステルフィルムなどに形
成することが広く一般に行われている。この場合には、
目的がガスバリア性の付与であるために、膜の厚みや構
造などに関して厳しい精度や均一性は問われない。ま
た、反射防止を目的とする多層膜の1構成層として二酸
化硅素など誘電体の薄膜を成膜することも多数実施され
ている。たとえば、特開昭56−113101号には、
プラスティック基材の上に1ミクロン前後の二酸化硅素
膜を真空蒸着し、さらにその上に多層膜の反射防止膜を
コ−トする方法が開示されている。また、特公平6−8
5001号には、プラスティック透明基材の上に、ハ−
ドコ−ト層を設けた後、第1および第4層を二酸化硅素
膜とする4層からなる多層反射防止膜を形成した光学物
品が提案されている。この場合には、反射防止というよ
うな光学的な使用を目的にするので当然のことながらそ
の膜厚みに関しては精度と均一性が重要であると思はれ
る。
【0004】しかし、この場合を含めて、膜厚みや構造
に関して厳しい精度と均一性が問われる場合に関して、
金属酸化物薄膜を連続の長尺のフィルムに連続的に成膜
することに関しては、精度と均一性との向上の困難性の
認識を示したものはなく、かつ対応技術に関しての提案
も見当たらない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、長尺の
フィルムに連続的に、多層膜の1構成層として二酸化硅
素など金属酸化物で代表される誘電体や金属の薄膜をE
B方式により蒸着成膜するときに、ある困難に突き当た
った。すなわち、広幅、長尺のフィルムに連続的に蒸着
成膜するためには、同一真空系内で、二酸化硅素など蒸
着材料を継続的にEB照射領域に供給する必要がある。
そのために常時一定方向に移動できる、好ましくは回転
ハ−ス(ハースとは蒸発源材料を収納する容器を意味す
る。)に蒸着材料である誘電体または金属酸化物を装填
し、EB照射域で溶融、蒸着消費されるとともに、EB
照射域を通過後、必要によっては消費量相応量を、溶融
して蒸発せずに冷却固化した表層に補給しながら、EB
照射点にもどってくる蒸着材料を繰り返し蒸着に供する
方法を考案した。
【0006】また、とくに広幅の基板フィルムに、ある
程度の生産性をもって、幅方向に関して均一な膜厚みと
して蒸着成膜するためには、どうしても幅方向に関して
複数のEBビ−ムと蒸発点を設けて、生産性と膜厚の均
一性のバランスを有効に設計することが重要な課題とな
った。一般に、EBビ−ムが蒸着材料に照射されて蒸発
し、蒸発領域に置かれた基板(本発明の場合:走行する
フィルム)上に蒸着成膜させる場合、基板上のある1点
における蒸着速度(単位時間当たりの膜厚)は、蒸発点
とその点との距離および角度によって決定される。一般
的には、基板を平面とし、蒸発点の直上のある点に基板
平面を水平に設定した場合、その基板平面上の任意の点
の蒸着速度は、COSn θ(θ:蒸発点と任意の点との
角度、n:4〜7)に比例することが実験的にも、また
論理的にも検証されている。
【0007】これらのことから、基板(本発明の場合:
走行するフィルム)の面に関して均一な蒸着速度を実現
するためには、基本的には蒸発密度の等密度分布曲面、
上の議論からいえば、COSn θに沿った曲面にそって
基板を設置する(本発明の場合:フィルムを走行させ
る)必要がある。しかも幅の広い基板の場合、一つの蒸
発源で広い面積(幅方向)をカバ−することは生産性を
考慮した場合、ほとんど実現不可能な要請となる。本発
明の場合、長さ方向に関しては走行速度の調節で膜厚と
均一性はコントロ−ルできる。通常使用可能なEB電子
銃の場合、幅方向500mm程度までは、膜厚均一化の
ための適正な補正板を設けて、1個のEBガン/1蒸発
源でまかなえる。
【0008】すなわち、本発明の課題は、一定速度で移
動するハ−スに蒸発源材料を収納し、電子ビ−ムの照射
点に連続的に蒸発源を移動供給する蒸着方式によって、
連続走行する有機高分子フィルムに蒸着加工幅(L)が
500mm以上,望ましくは蒸着有効幅1000mm以
上となるように、誘電体または金属の蒸着物質の単層ま
たは多層の薄膜を連続的に成膜する蒸着加工装置におい
て、膜の厚みや構造などに関して改善された精度や均一
性を有する薄膜を達成できる連続的蒸着加工装置を提供
せんとするものであり、またそれを使った連続的蒸着加
工方法を提供せんとするものである。
【0009】より具体的には、本発明の課題は、複数の
EB(電子銃)/蒸発点を設けて、幅方向の均一性と極
大の生産性を実現するための蒸発源の数と位置の最適設
計を提供し、以て、膜の厚みや構造などに関して改善さ
れた精度や均一性を有する薄膜を達成できるフィルムの
連続的蒸着加工装置を提供せんとするものであり、また
それを使ったフィルムの連続的蒸着加工方法を提供せん
とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は次の構成を有する。
【0011】[1]一定速度で移動するハ−スに蒸発源
材料を収納し、電子ビ−ムの照射点に連続的に蒸発源を
移動供給する蒸着方式によって、連続走行する有機高分
子フィルムに蒸着加工幅(L)が500mm以上となる
ように、誘電体または金属の蒸着物質の単層または多層
の薄膜を連続的に成膜する蒸着加工装置において、次の
要件を満足することを特徴とするフィルムの連続蒸着加
工装置。 (1) フィルムの幅方向に沿って、1種類の蒸着物質材料
について2個以上の電子ビ−ム照射点を備えているこ
と。 (2) 電子ビ−ム照射点とフィルムの走行面との垂直距離
(D)が300mm以上であること。 (3) ハ−スの移動方向と移動速度を個別に設定できるこ
と。 (4) 電子ビ−ム照射点とフィルムの走行面の間に、幅方
向の蒸着速度分布を均一にするための適切な補正板が設
けられていること。
【0012】[2]電子ビ−ム照射点の数を2m個
(m:1以上の整数)とし、フィルム幅方向の中心の位
置±200mmの範囲の点(A点とする)に対して、m
個ずつ互いにほぼ対称の位置になるように配置し、かつ
幅方向両端の電子ビ−ム照射点とA点の距離(X)を次
式で表される範囲内にすることを特徴とする上記[1]
項のフィルムの連続蒸着加工装置。
【0013】 (m−1)L/(m+1) ≦X≦ mL/(m+1) [3]電子ビ−ム照射点の数を2m+1個(m:1以上
の整数)とし、フィルムの幅方向の中心の位置±200
mmの範囲の点(A点とする)に1個を配置し、他の2
m個をA点に対して互いにほぼ対称の位置になるように
左右m個ずつ配置されてなり、かつ幅方向両端の電子ビ
−ム照射点とA点の距離(X)を次式で表される範囲内
にすることを特徴とする上記[1]項のフィルムの連続
蒸着加工装置。
【0014】mL/(2m+1) ≦X≦ (m+1)
L/(2m+1) [4]ハ−スが円回転し、蒸発源材料を収納する容器部
分の水平断面形状が円板または円板の中央部分をくりぬ
いた円環形状であることを特徴とする上記[1]項のフ
ィルムの連続蒸着加工装置。
【0015】[5]ハ−ス内部にほぼ隙間なくちょうど
はまる形状に成型され蒸発源材料を用いて、上記[4]
項の連続蒸着加工装置によって、連続走行する有機高分
子フィルムに、蒸着加工幅(L)が500mm以上にな
るように、誘電体または金属の蒸着物質の単層または多
層の薄膜を連続的に成膜することを特徴とするフィルム
の連続蒸着加工方法。
【0016】[6]上記[4]項の連続蒸着加工装置を
使用し、顆粒または粉末状の蒸発源材料を、常時あるい
は間欠的に、ハ−スに供給しながら、連続走行する有機
高分子フィルムに、蒸着加工幅(L)が500mm以上
になるように誘電体または金属の蒸着物質の単層または
多層の薄膜を連続的に成膜することを特徴とするフィル
ムの連続蒸着加工方法。
【0017】[7]顆粒または粉末状の蒸発源材料のハ
−スへの供給量が蒸発消費される量であることを特徴と
する上記[6]項のフィルムの連続蒸着加工方法。
【0018】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の各構成の詳細な
内容について説明する。
【0019】本発明において有機高分子フィルムとして
は、目的とする機能に対応する1層または複数層の蒸着
膜を形成して、その機能を担い、発現するに適したもの
が使われる。たとえば、反射防止機能を目的とする場合
は、可視光線を透過できる透明性がある、ポリオレフィ
ン系樹脂、ポリメタクリル酸系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリカ−ボネ−ト系樹脂、トリアセテ−ト系樹脂な
どからなるフィルムが挙げられる。また場合によって
は、その表面にハ−ドコ−ト層が形成されたものでもよ
い。本発明において、フィルムには、シートも含まれ
る。
【0020】本発明が目的とするところは、広幅、長尺
のフィルムに連続的に二酸化硅素に代表され誘電体、金
属酸化物や金属の薄膜を安定して蒸着成膜することであ
るので、本発明において有機高分子フィルムとしては、
具体的には、幅500mm以上、長さ数十m、望ましく
は数百m以上の長さのフィルムが通常用いられる。
【0021】また本発明の製品をディスプレイなどに装
着する場合、一般的には片面に反射防止膜などの目的の
機能を有する層を形成し、他の面とディスプレイを密着
させて使用するために、その結合面の接着性をよくする
ために何等かの化学的、物理的表面処理(コ−ティン
グ、コロナ放電処理など)を施すことも望ましい。
【0022】本発明で、蒸着対象とする二酸化硅素など
金属酸化物は固体の状態でハ−ス内に装填されるが、粉
末、顆粒、溶融体からハ−ス形状に合わせて成型した固
体いずれであってもよい。しかし、安定した蒸発現象を
保つために1回の連続蒸着成膜においては、形状的に
も、化学組成的にも同一均質な材料を装填する必要があ
る。また、粉末、顆粒を使用する場合は、容積密度が小
さいので、蒸着に消費された量に見合う量を継続的ある
いは断続的に補給していくことが望ましい。溶融体から
成型した固体の場合は容積密度が大きいので1回の連続
蒸着に必要な量を1成型物とするのが望ましい。また溶
融体から成型した固体の場合、電子ビ−ムが表面で反射
され易いので、効率よく照射エネルギ−をを吸収するた
めに表面を粗面化したり、表層に薄く粉末か顆粒を敷い
て蒸着を開始することも好ましい。またハ−スは、電荷
のチャ−ジアップを避けるためにア−スを確実に取るこ
とが必要である。
【0023】本発明の主要な構成を成す、2個以上の電
子ビ−ムの配置について説明する。すでに述べたよう
に、有効蒸着加工幅(L)が500mm以上となると、
蒸発源/蒸発点(EB照射点)を幅方向に2個以上配置
して、生産性を確保する必要がある。1個の蒸発点で広
い幅をカバ−しようとすると、蒸発点と基板(フィル
ム)の垂直距離(D)を大きくする必要があるが、Dの
平方に逆比例して蒸着速度が低下する。またDをあまり
小さくすると、EBガンの輻射熱の影響が大きく、耐熱
性があまり高くない有機高分子フィルムにとっては好ま
しくない。これらのことから、Dは300mm以上が必
須であり、望ましくは500mm以上であり、2個以上
の蒸発点(EB照射点)が必要となる。真空系装置の限
られた空間的大きさの制約と、蒸着加工幅を大きく越え
て蒸発点を配置することは無駄が大きくなることから、
自ずと蒸発点(EB照射点)の数には限界がある。平均
すれば、蒸着加工幅250〜450mmに対して1個の
蒸発点を配置することが現実的である。当然のことなが
ら、基板(フィルム)の任意の1点を考えた場合は、基
本的にはすべての蒸発源からの蒸発粒子がデポジットさ
れて、蒸発速度が決まる。そこで問題となるのが、幅方
向に対して複数個の蒸発点(EB照射点)をいかに配置
して、複数の蒸発分布の総和を、目的とする有効蒸着加
工幅(L)全域について均一にするかである。このと
き、複数個の蒸発分布の総和を、フィルム面幅方向につ
いて、まったく均一にすることは不可能であるから、許
容される分布幅を考慮して、蒸発分布の総和の凹凸を適
切にコントロ−ルする形で適正な補正板を用意する必要
がある。この補正板で蒸着を遮らなければならない部分
を最小にすることが複数個配置での課題といえる。ま
た、複数個の蒸発量をすべて同じにする必要はなく、配
置と各蒸発点の蒸発量のコントロ−ルで全体の分布バラ
ンスを最適化する。
【0024】連続した長尺のフィルムに成膜するため
に、蒸着材料は十分に供給されなければならないが、安
定した蒸着状態で、一つの固定された位置で充分な蒸着
材料を供給することは困難であるため、一定速度で移動
するハ−ス望ましくは回転移動する容器に蒸着材料を充
填し、蒸発点をEB照射点に常時回転移動させることに
より、一回の充填量で連続長尺のフィルムの蒸着必要量
をまかなうか、あるいはEB照射点から離れた位置で消
費量に見合って顆粒または粉末を供給する方法が望まし
い。一回の充填量で対応する場合は、容積密度を確保す
るために、移動容器に密着して収納できる形状の、溶融
冷却してつくられた成型品が望ましい。ある深さをもっ
た、水平断面形状が円環状の回転ハ−スが、この目的の
ために好都合に使うことができる。ここで、蒸着材料の
移動方向(回転方向)によって、蒸発の空間分布が変動
するので、複数個の蒸発点に対応する同じ数の複数個の
ハ−スの移動方向と移動速度はそれぞれ独立に設定でき
るようにして、幅方向の蒸発の総和の分布の均一化を容
易ならしめることが必要である。一つの蒸発点に着目し
たとき、蒸着材料の移動方向(回転方向)に対応した空
間蒸発分布となるので、一般的には、蒸発点に関して点
対称の分布とはならず、ある傾きをもった分布となるた
め、複数個の蒸発の分布の総和も、複数個蒸発点の配置
の中心点に対して必ずしも対称とはならない。したがっ
て、フィルムにおける蒸着すべき幅(本発明では500
mm以上)に対して、その中心点と複数個蒸発点の配置
の中心点とは異なった位置に設定する必要がある、すな
わち、実験あるいは計算で個別の蒸発点における蒸発条
件(移動方向、移動速度など)に対応する蒸発分布を確
認しておき、複数個蒸発点の配置の中心点とフィルムに
おける蒸着すべき幅の中心点との相対位置関係を設定す
る必要がある。種々検討の結果、フィルムにおける蒸着
すべき幅の中心点の位置±200mmの範囲に複数個蒸
発点の中心点を設定すれば、決められた数の蒸発源に対
して、蒸発速度と均一分布の点から効率的な蒸発源配置
が可能となることが判った。
【0025】この検討の中で、効率的な配置を取るため
の重要な要件として、複数個の蒸発点の配置で、幅方向
両端の位置が極めて重要であることがわかった。フィル
ムの蒸着すべき幅方向に対して、両端の蒸発点があまり
に内側過ぎると、幅方向端部の蒸着速度が小さく、幅方
向の均一性の確保が不可能となる。両端の蒸発点がフィ
ルムの蒸着すべき幅を越えて、その外に配置することも
含めて、フィルムの蒸着すべき幅両端部に接近した位置
に両端の蒸発点を設置する必要があることを見出だし
た。
【0026】すなわち、電子ビ−ム照射点の数が2m個
(m:1以上の整数)の場合は、フィルム幅方向の中心
の位置±200mmの範囲の点(A点とする)に対し
て、m個ずつ互いにほぼ対称の位置になるように配置
し、かつ幅方向両端の電子ビ−ム照射点とA点の距離
(X)が(1)式で表される配置とし、 (m−1)L/(m+1) ≦X≦ mL/(m+1) (1) 電子ビ−ム照射点の数が2m+1個(m:1以上の整
数)とする場合は、フィルムの幅方向の中心の位置±2
00mmの範囲の点(A点とする)に1個を配置し、他
の2m個をA点に対して互いにほぼ対称の位置になるよ
うに左右m個ずつ配置されてなり、かつ幅方向両端の電
子ビ−ム照射点とA点の距離(X)が(2)式で表され
る位置に配置することが望ましい。
【0027】 mL/(2m+1) ≦X≦ (m+1)L/(2m+1) (2) Xを大きくして、フィルムの蒸着すべき幅両端部をあま
りに越えて外の位置に設置することは、分布の均一性の
点からは望ましい場合でも、蒸発成分を無駄にするとい
う点から好ましくない。現実的には、(1)、(2)式
で表される範囲にすることが望ましい。
【0028】このような幅方向両端の蒸発点配置(電子
ビ−ム位置)を取ることにより、残る蒸発点(電子ビ−
ム位置)の配置設計は簡単な試行計算によって決定でき
る。これら複数個の蒸発点(電子ビ−ム位置)の配置は
必ずしも正確に左右対称の必要がないが、ほぼ対称配置
設計から出発し、すでに説明した個別の蒸発分布の非対
称性を織り込んで、蒸発の総和の分布の凹凸を最小限に
する方向で、配置設計を微調整することによって最終的
な配置設計が可能である。
【0029】以上の最適配置設計で、まだ幅方向に関し
て残る蒸発の分布総和の凹凸(不均一性)は、最終的に
適正な補正版の設置によって対応しなければならない。
本発明のEB方式による、長尺のフィルムへの金属酸化
物の安定した蒸着膜の形成技術は、種々の蒸着物質の蒸
着に使用できることはいうまでもない。上記の説明か
ら、とくに二酸化硅素のほかに、酸化アルミ、酸化セシ
ウム、酸化すず、酸化アンチモン、酸化鉛など溶融体の
粘性の高い金属酸化物の蒸着膜を厚みなどを精度高く形
成しようとする場合に優れて有効である。
【0030】さらに本発明の金属酸化物などの誘電体お
よび金属の蒸着膜の形成方法は、フィルム面に、単一層
として成膜する場合だけでなく、反射防止膜など多層構
成のなかの構成層として成膜する場合についても有効で
あることはいうまでもない。
【0031】以下に本発明の態様を実施例をもって説明
するが、これによって本発明は限定されるものではな
い。
【0032】
【実施例】図1に、実施例を行った際の、走行フィルム
系、5つの回転ハ−スの蒸発点の配置についての全体関
係をモデル図式化したものを示す。回転ハ−スの水平断
面図と真上から見た図も示す。厚み150μm、幅11
00mm,長さ500mのポリエチレンテレフタレ−ト
フィルムの片面に、紫外線硬化型の多官能アクリル樹脂
を主体とする厚み6μmのハ−ドコ−トを施した。この
フィルムの片面に、第1層が酸化ジルコニウム、第2層
と第4層が二酸化硅素、第3層が酸化チタンからなる反
射防止膜を形成した。これら各蒸着材料は、円環外径1
60mm,円環内径90mm,厚み15mmのディスク
に成型して、回転ハ−ス内部に密着するようにした。
【0033】図1に示すように、5個の回転ハ−ス(左
側から、H1 、H2 、H3 、H4 、H5 )を、横一線、
同一平面上になるように配置した。それぞれのハ−スで
の蒸発点(左側から、E1 、E2 、E3 、E4 、E5 )
と走行するフィルム面との垂直距離が600mmになる
ようにフィルム走行面とハ−スの相対位置を設定した。
また、蒸発点E3 を中心に、点E1 とE5 、E2 とE4
がそれぞれ点対称の位置になるように、各ハ−スとEB
ガン(図には描いていない)の位置を設定した。図2
に、予備実験として、ハ−スH3 とそれに対応するEB
ガンだけを使って、二酸化硅素をフィルムFに、特定の
蒸着条件(ハ−ス回転速度、EB照射条件、フィルム走
行速度など)で蒸着させたときの、フィルム幅方向の二
酸化硅素蒸着膜の厚みの分布を計測した結果を示した。
この時の、ハ−スH3 の回転方向は、図1と同じ反時計
方向とした。
【0034】図2から分かるように、膜厚の分布は、蒸
発点E3 の真上のフィルム上の点F0 に対して対称では
ない。これは、すでに説明したようにハ−スの回転方
向、回転速度、EB照射条件によって決まる対象からの
偏差である。この偏差は、ある程度は計算によっても推
定が可能であるが、実際には、実験によって測定し、こ
の結果を用いて、蒸発点E1 、E2 、E3 、E4 、E5
、ハ−スH1 、H2 、H3 、H4 、H5 の配置と回転
方向の決定を行う。図2の分布が与えられれば、試行計
算あるいはコンピュ−タ−による計算から、フィルム全
面が受ける膜厚分布の最適化が達成される。この場合、
図1に示したように、蒸発点E1 、E2 、E4 、E5
は、それぞれ蒸発点E3 からそれぞれ600mm,35
0mm,350mm,600mmと設定することによ
り、図3に示すような、蒸発点E1 、E2 、E3 、E4
、E5 の総和の分布を得ることができた。このときの
各ハ−スの回転方向は図1に示したように、計算から、
好ましい設定としてH1 、H2 、H4 を時計針回転方
向、H3 、H5 を反時計針回転方向としてある。
【0035】次に、図3で得た5個の蒸発の総和分布か
ら、1100mm幅の均一な膜厚分布を得るための適切
な補正板形状を決定した。
【0036】以上によって、目的とする蒸着幅1100
mmに対して、5個の蒸発点(5個のEBガン)の空間
配置、ハ−スの回転方向、補正板の形状を設定できた。
図2の予備実験と同じ加工条件で、この蒸発点(5個の
EBガン)配置設計で、多層膜の構成層として第2層と
第4層の二酸化硅素蒸着膜を成膜した。
【0037】第1層の酸化ジルコニウム、第3層の酸化
チタンも、上記と同じ予備実験過程を経て、それぞれに
蒸発点(5個のEBガン)配置設計、補正板形状、ハ−
ス回転条件(方向と速度)を設定して、4層からなる反
射防止膜を形成した。得られた反射防止膜は、フィルム
の全長500m,幅方向1100mmにわたって、波長
450〜650nmの可視光線領域での反射率は1.0
%以下で、反射防止膜特性として極めて均一性の良好な
物を得ることができた。
【0038】本実施例の場合は、5個の蒸発点の中心位
置(E3 )フィルムの幅方向の中心位置とを一致させる
ことができたが、E3 単一の蒸発の分布が著しく非対象
となる場合は、複数個の蒸発点の中心位置はフィルムの
幅方向の中心点からずらして設定し、かつ複数個の蒸発
点の相対位置関係も本実施例のように対称的配置より若
干ずらすことが必要になる。
【0039】
【発明の効果】本発明によって、広幅、連続長尺の有機
高分子フィルムに、複数個のEBガンを使う蒸着方式で
誘電体など金属酸化物あるいは金属の薄膜を連続的に安
定して成膜でき、幅方向、長さ方向に関して性能の均一
な製品が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】:本発明の実施例を行うための、フィルム、複
数個の蒸発点の配置、そのための蒸着材料を装填するハ
−ス、その回転方向などの蒸発系周辺の設備条件を模式
的に示した模式図。
【図2】:ハ−スH3 とそれに対応するEBガンを使っ
て、二酸化硅素をフィルムFに、特定の蒸着条件で蒸着
させたときの、フィルム幅方向の二酸化硅素蒸着膜の厚
みの分布を示したグラフ。
【図3】:実施例における蒸発点E1 、E2 、E3 、E
4 、E5 の蒸発総和の分布を示したグラフ。
【符号の説明】
F :ポリエチレンテレフタレ−トフィルム F0 :フィルムFの幅方向中心点 H1 、H2 、H3 、H4 、H5 :5個のハ−ス E1 、E2 、E3 、E4 、E5 :各ハ−スの蒸発点(E
B照射点)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 知 静岡県三島市4845番地 東レ株式会社三島 工場内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一定速度で移動するハ−スに蒸発源材料を
    収納し、電子ビ−ムの照射点に連続的に蒸発源を移動供
    給する蒸着方式によって、連続走行する有機高分子フィ
    ルムに蒸着加工幅(L)が500mm以上となるよう
    に、誘電体または金属の蒸着物質の単層または多層の薄
    膜を連続的に成膜する蒸着加工装置において、次の要件
    を満足することを特徴とするフィルムの連続蒸着加工装
    置。 (1) フィルムの幅方向に沿って、1種類の蒸着物質材料
    について2個以上の電子ビ−ム照射点を備えているこ
    と。 (2) 電子ビ−ム照射点とフィルムの走行面との垂直距離
    (D)が300mm以上であること。 (3) ハ−スの移動方向と移動速度を個別に設定できるこ
    と。 (4) 電子ビ−ム照射点とフィルムの走行面の間に、幅方
    向の蒸着速度分布を均一にするための適切な補正板が設
    けられていること。
  2. 【請求項2】電子ビ−ム照射点の数を2m個(m:1以
    上の整数)とし、フィルム幅方向の中心の位置±200
    mmの範囲の点(A点とする)に対して、m個ずつ互い
    にほぼ対称の位置になるように配置し、かつ幅方向両端
    の電子ビ−ム照射点とA点の距離(X)を次式で表され
    る範囲内とすることを特徴とする請求項1記載のフィル
    ムの連続蒸着加工装置。 (m−1)L/(m+1) ≦X≦ mL/(m+1)
  3. 【請求項3】電子ビ−ム照射点の数を2m+1個(m:
    1以上の整数)とし、フィルムの幅方向の中心の位置±
    200mmの範囲の点(A点とする)に1個を配置し、
    他の2m個をA点に対して互いにほぼ対称の位置になる
    ように左右m個ずつ配置されてなり、かつ幅方向両端の
    電子ビ−ム照射点とA点の距離(X)を次式で表される
    範囲内とすることを特徴とする請求項1記載のフィルム
    の連続蒸着加工装置。 mL/(2m+1) ≦X≦ (m+1)L/(2m+
    1)
  4. 【請求項4】ハ−スが円回転し、蒸発源材料を収納する
    容器部分の水平断面形状が円板または円板の中央部分を
    くりぬいた円環形状であることを特徴とする請求項1記
    載のフィルムの連続蒸着加工装置。
  5. 【請求項5】ハ−ス内部にほぼ隙間なくちょうどはまる
    形状に成型され蒸発源材料を用いて、請求項4の連続蒸
    着加工装置によって、連続走行する有機高分子フィルム
    に、蒸着加工幅(L)が500mm以上になるように、
    誘電体または金属の蒸着物質の単層または多層の薄膜を
    連続的に成膜することを特徴とするフィルムの連続蒸着
    加工方法。
  6. 【請求項6】請求項4の連続蒸着加工装置を使用し、顆
    粒または粉末状の蒸発源材料を、常時あるいは間欠的
    に、蒸発消費される量に見合うようにハ−スに供給しな
    がら、連続走行する有機高分子フィルムに、蒸着加工幅
    (L)が500mm以上になるように誘電体または金属
    の蒸着物質の単層または多層の薄膜を連続的に成膜する
    ことを特徴とするフィルムの連続蒸着加工方法。
  7. 【請求項7】顆粒または粉末状の蒸発源材料のハ−スへ
    の供給量が蒸発消費される量であることを特徴とする請
    求項6のフィルムの連続蒸着加工方法。
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