JPH09283653A - Semiconductor package - Google Patents
Semiconductor packageInfo
- Publication number
- JPH09283653A JPH09283653A JP9536096A JP9536096A JPH09283653A JP H09283653 A JPH09283653 A JP H09283653A JP 9536096 A JP9536096 A JP 9536096A JP 9536096 A JP9536096 A JP 9536096A JP H09283653 A JPH09283653 A JP H09283653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external lead
- brazing material
- lead
- external
- outer lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板上
に半導体チップを搭載した半導体容器、特に外部リード
の取付構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor container in which a semiconductor chip is mounted on a ceramic substrate, and more particularly to a mounting structure for external leads.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体容器においては、セラミッ
ク基板からなるパッケージに半導体素子が収納され、図
３に示すようにセラミック基板１に形成されたメタライ
ズ層２と、図示しない半導体素子の電極とが金等のワイ
ヤで接続され、かつメタライズ層２と外部リード３との
合わせ面全体がロー材４によりろう付けされていた。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor container, a semiconductor element is housed in a package made of a ceramic substrate, and a metallized layer 2 formed on a ceramic substrate 1 as shown in FIG. They were connected by wires such as gold, and the entire mating surface between the metallized layer 2 and the external leads 3 was brazed by the brazing material 4.
【０００３】しかしながら、半導体素子の組立，スクリ
ーニング，電気的測定を行う際に、外部リード３に外力
が加わり、外部リード３が剥がれるという問題があっ
た。However, when assembling, screening and electrically measuring a semiconductor element, an external force is applied to the external lead 3 and the external lead 3 is peeled off.
【０００４】このため図４に示すように、外部リード３
をフォーミングし、外部リード３とメタライズ層２の間
に形成された空隙内にロー材４がメタライズ層２の先端
部２ａを越えない範囲で押し止めるようにし、外部リー
ド３に垂直方向の外力が働いたときに、メタライズ層２
の先端部２ａに外力が集中して外部リード３が剥がれや
すくなるのを改善した構造のものがある。For this reason, as shown in FIG.
Is formed to prevent the brazing material 4 from being pushed into the void formed between the external lead 3 and the metallized layer 2 within a range not exceeding the tip portion 2a of the metallized layer 2 so that an external force in the vertical direction is applied to the external lead 3. Metallized layer 2 when working
There is a structure in which an external force is concentrated on the tip end portion 2a and the external lead 3 is easily peeled off.
【０００５】また図５では、メタライズ層２の先端部２
ａがセラミック基板１の端部を越えて側面まで延長して
設けられ、メタライズ層２と外部リード３の合わせ面が
ロー材４によりろう付けされるとともに、延長したメタ
ライズ層２と外部リード３の間にロー材４が盛付けられ
ており、外部リード３に垂直な外力が作用したときに、
一番剥がれやすいメタライズ層２と外部リード３の端部
に力が作用しない構造としていた。Further, in FIG. 5, the tip portion 2 of the metallized layer 2 is
a is provided so as to extend beyond the end of the ceramic substrate 1 to the side surface, the mating surface of the metallization layer 2 and the external lead 3 is brazed by the brazing material 4, and the extended metallization layer 2 and the external lead 3 are A brazing material 4 is placed between them, and when a vertical external force is applied to the external leads 3,
The structure is such that no force acts on the edge portions of the metallized layer 2 and the external leads 3 that are most easily peeled off.
【０００６】また図６は、図４の外部リード３と図５の
メタライズ層２の構造を組み合わせたものであり、メタ
ライズ層２と外部リード３の合わせ面がロー材４でろう
付けされるとともに、外部リード３とメタライズ層２の
間に形成された空隙内の一部にロー材４を押し止め、し
かも外部リード３の先端側のメタライズ層２との間にロ
ー材４を充填しない空隙が残されている構造になってい
る。FIG. 6 shows a combination of the structure of the external lead 3 of FIG. 4 and the structure of the metallization layer 2 of FIG. 5. The mating surfaces of the metallization layer 2 and the external lead 3 are brazed with the brazing material 4. , The brazing material 4 is pressed into a part of the void formed between the external lead 3 and the metallized layer 2, and the void which does not fill the brazing material 4 with the metallized layer 2 on the tip side of the external lead 3 is formed. It has a structure that remains.
【０００７】また、図７では、外部リード３が接続され
る部分のセラミック基板１に溝５を設けることにより、
外部リード３とメタライズ層２が位置ズレのしにくい構
造となっていた。図７ではロー材４はセラミック基板１
の端面まで流れ込む構造となっていた。Further, in FIG. 7, by providing the groove 5 in the portion of the ceramic substrate 1 to which the external lead 3 is connected,
The external lead 3 and the metallized layer 2 were structured so that they would not easily be displaced. In FIG. 7, the brazing material 4 is the ceramic substrate 1
It had a structure that flows into the end face of.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら図３〜図
５に示す従来の半導体容器では、外部リード３を接続す
る際にロー材４がメタライズ層２の端部まで流れ込む構
造となっており、また図６に示す従来の半導体容器で
は、外部リード３とメタライズ層２の合わせ面までロー
材４が流れ込む構造となっているため、ロー材４の量の
バラツキ，ロー材４の溶融条件のバラツキ等により、ロ
ー材４が流れやすく、十分な接合強度を得ることが困難
であった。However, in the conventional semiconductor container shown in FIGS. 3 to 5, the brazing material 4 flows to the end of the metallized layer 2 when the external leads 3 are connected, and The conventional semiconductor container shown in FIG. 6 has a structure in which the brazing material 4 flows into the mating surface of the external lead 3 and the metallized layer 2, so that variations in the amount of the brazing material 4, variations in melting conditions of the brazing material 4, etc. Therefore, the brazing material 4 easily flows, and it is difficult to obtain sufficient bonding strength.
【０００９】また図７に示すように外部リード３が取付
けられるメタライズ層２に溝５を設けた構造において
も、ロー材４の流れが生じ、充分な接合強度を得ること
が困難であった。Further, even in the structure in which the groove 5 is provided in the metallized layer 2 to which the external lead 3 is attached as shown in FIG. 7, the flow of the brazing material 4 occurs and it is difficult to obtain a sufficient bonding strength.
【００１０】ところで、外部リードをメタライズ層に取
り付けるにあたっては、特開昭５７ー１２５０号におい
ても、明らかなように、ロー材の量を少なくする必要が
ある。この要求に応じて図４においては、外部リードと
メタライズ層の合わせ面へのロー材の添着を阻止して、
外部リードとメタライズ層の間に形成された空隙内に限
ってロー材を添着しているが、ロー材４の量のバラツ
キ，ロー材４の溶融条件のバラツキ等により、ロー材４
がメタライズ層２の先端部２ａ側に流れるのを食い止め
ることは困難であり、十分な接合強度を得るためにロー
材の量を少なくすることには限界があった。By the way, when attaching the external lead to the metallized layer, it is necessary to reduce the amount of the brazing material, as is apparent from JP-A-57-1250. In response to this request, in FIG. 4, the brazing material is prevented from being attached to the mating surface of the external lead and the metallized layer,
Although the brazing material is attached only in the space formed between the external lead and the metallized layer, the brazing material 4 is affected by variations in the amount of the brazing material 4, variations in melting conditions of the brazing material 4, and the like.
It is difficult to prevent the metal from flowing toward the tip 2a side of the metallized layer 2, and there is a limit to reducing the amount of brazing material in order to obtain sufficient bonding strength.
【００１１】以上の考察からすると、外部リードを接合
する接着剤は、該外部リードの先端側とメタライズ層の
間に空隙を残し、該外部リードの根元付近の狭い範囲に
制限して付着されることが必要となる。From the above consideration, the adhesive for joining the external leads is attached while leaving a space between the tip side of the external leads and the metallized layer and limiting the area to a narrow range near the roots of the external leads. Will be required.
【００１２】本発明の目的は、外部リードを接合する接
着剤を該外部リードの根元付近の狭い範囲に制限して付
着することを可能とし、ロー材の量を必要最小限として
外部リードの接合強度を向上させ、リード強度にバラツ
キのない信頼性の高い半導体容器を提供することにあ
る。An object of the present invention is to enable the adhesive for bonding the external leads to be attached while limiting the adhesive to a narrow range near the root of the external leads, and to bond the external leads with the minimum amount of brazing material. An object of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor container having improved strength and no variation in lead strength.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体容器は、容器本体に半導体チッ
プを搭載してなる半導体容器であって、半導体チップに
接続される外部リードを有し、外部リードは、その根元
側が容器本体の導体部にあてがわれ接着剤により容器本
体の導体部に接合されたものであり、外部リードを接合
する接着剤は、該外部リードの先端側と容器本体の導体
部との間に空隙を残し該外部リードの根元付近の狭い範
囲に制限して付着されたものである。To achieve the above object, a semiconductor container according to the present invention is a semiconductor container in which a semiconductor chip is mounted on a container body and has an external lead connected to the semiconductor chip. However, the outer lead is one whose root side is applied to the conductor portion of the container body and is joined to the conductor portion of the container body with an adhesive, and the adhesive agent for joining the outer lead to the tip side of the outer lead is A space is left between the conductor portion of the container body and the outer lead, and the lead is limited to a narrow area near the root of the outer lead.
【００１４】また前記容器本体は、溝を有し、溝は、接
着剤を受け入れて、これを外部リードの根元付近に押し
止めるものである。Further, the container body has a groove, and the groove receives the adhesive and presses it near the root of the external lead.
【００１５】また前記溝は、外部リードの根元付近に隣
接して設けられたものである。The groove is provided adjacent to the root of the external lead.
【００１６】また前記外部リードは、その先端部側が容
器本体との間に間隙をもつ形状に折曲加工されたもので
ある。Further, the outer lead is bent at its tip end side into a shape having a gap with the container body.
【００１７】また前記容器本体は、セラミック基板から
なるものである。The container body is made of a ceramic substrate.
【００１８】[0018]
【作用】従来技術（特開昭５７−１２５０号）において
も、述べられている通り、外部リードの取り付けにあた
って、ロー材量を少なくすることにより、外部リードの
接着強度が向上する。そこで本発明では、ロー材を外部
リードの根元側に押し止める、具体的にはロー材を溝に
受け入れて外部リード側に押し止めてロー材の量を必要
最小限として外部リードの接合強度を向上させる。In the prior art (Japanese Patent Laid-Open No. 57-1250), as described above, the adhesive strength of the external leads is improved by reducing the amount of brazing material when attaching the external leads. Therefore, in the present invention, the brazing material is pressed to the root side of the external lead, specifically, the brazing material is received in the groove and pressed to the external lead side to reduce the amount of the brazing material to the necessary minimum and to reduce the bonding strength of the external lead. Improve.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係
る半導体容器を示す全体図である。図１において、半導
体チップを搭載する容器本体はセラミック基板（以下、
容器本体をセラミック基板という）１から構成され、図
示しない半導体チップの電極に接続される外部リード３
は、セラミック基板１に施されたメタライズ層２にロー
材（通常はＡｇＣｕが用いられる。）４により接続され
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall view showing a semiconductor container according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, a container body on which a semiconductor chip is mounted is a ceramic substrate (hereinafter,
External lead 3 which is composed of a container body 1) and is connected to electrodes of a semiconductor chip (not shown)
Is connected to the metallized layer 2 applied to the ceramic substrate 1 by a brazing material (usually AgCu is used) 4.
【００２０】図２は、図１のＡ部を拡大したものであっ
て、外部リード３のろう付されている部分を示す断面図
である。図示はしていないが、メタライズ層２は、タン
グステンあるいは、モリブデン・マンガン等の焼き付け
を行い、さらにろう付を強固にするために、Ｎｉメッキ
等の適当な表面処理が施されている。FIG. 2 is an enlarged view of the portion A of FIG. 1 and is a sectional view showing a portion of the external lead 3 to which the brazing is applied. Although not shown, the metallized layer 2 is baked with tungsten, molybdenum / manganese, or the like, and is subjected to an appropriate surface treatment such as Ni plating in order to strengthen brazing.
【００２１】本発明に係る外部リード３は、その根元側
３ａがセラミック基板１の導体部（以下、メタライズ層
という）２にあてがわれロー材（接着剤）４によりセラ
ミック基板１のメタライズ層２に接合されるようになっ
ており、外部リード３を接合するロー材４は、外部リー
ド３の先端側３ｂとセラミック基板１のメタライズ層２
の間に空隙Ｓを残し、外部リード３の根元側３ａ付近の
狭い範囲に制限して付着されるようになっている。In the external lead 3 according to the present invention, the root side 3a is applied to the conductor portion (hereinafter referred to as a metallization layer) 2 of the ceramic substrate 1 and the metallization layer 2 of the ceramic substrate 1 is applied by a brazing material (adhesive) 4. The brazing material 4 for joining the external leads 3 is formed on the metallization layer 2 of the ceramic substrate 1 and the tip side 3b of the external leads 3.
A space S is left between the outer leads 3 and the outer leads 3 are attached so as to be limited to a narrow range near the root side 3a.
【００２２】ここに、ろう付される外部リード３は、通
常コバー等の材料が用いられ、Ｎｉ等の表面処理がされ
ており、外部リード３は、ＡｇＣｕ等のロー材４により
接着される。ロー材としてのＡｇＣｕには共晶合金を使
用し、６５０℃程度の炉の中でロー材を溶融させること
により、ろう付を行うことができる。The external lead 3 to be brazed is usually made of a material such as kovar and is surface-treated with Ni or the like, and the external lead 3 is bonded with a brazing material 4 such as AgCu. A eutectic alloy is used for AgCu as a brazing material, and brazing can be performed by melting the brazing material in a furnace at about 650 ° C.
【００２３】ロー材４を外部リード３の先端側３ｂとセ
ラミック基板１のメタライズ層２の間に空隙Ｓを残し外
部リード３の根元側３ａ付近の狭い範囲に制限して付着
するための具体例としては、セラミック基板１に溝５を
設け、溝５にロー材４を受け入れて、これを外部リード
３の根元側３ａ付近に押し止めるようにしている。その
ため溝５は、外部リード３の根元側３ａ付近に隣接して
設けられている。A specific example for attaching the brazing material 4 by limiting it to a narrow range near the root side 3a of the external lead 3 while leaving a space S between the tip side 3b of the external lead 3 and the metallized layer 2 of the ceramic substrate 1. As a result, the groove 5 is provided in the ceramic substrate 1, the brazing material 4 is received in the groove 5, and the brazing material 4 is pressed near the root side 3a of the external lead 3. Therefore, the groove 5 is provided adjacent to the vicinity of the root side 3a of the external lead 3.
【００２４】また外部リード３は、その先端側３ｂがセ
ラミック基板１のメタライズ層２との間に空隙Ｓをもつ
形状に折曲加工されている。したがって、ロー材４は、
外部リード３の先端側３ｂとセラミック基板１のメタラ
イズ層２の間に空隙Ｓを残し、外部リード３の根元側３
ａ付近の狭い範囲に制限して付着されるようになってい
る。Further, the outer lead 3 is bent into a shape having a space S between the tip side 3b and the metallized layer 2 of the ceramic substrate 1. Therefore, the brazing material 4 is
A space S is left between the tip side 3b of the external lead 3 and the metallized layer 2 of the ceramic substrate 1, and the base side 3 of the external lead 3 is left.
The adhesion is limited to a narrow area near a.
【００２５】このとき、メタライズ層２と外部リード３
との間の空隙Ｓ内に介在するロー材４は、溝５があるた
め、余分のものが溝５に流れ込み、外部リード３の先端
側３ｂとメタライズ層２の間には充填されることがな
く、図２のような形状となる。At this time, the metallization layer 2 and the external leads 3
Since there is a groove 5 in the brazing material 4 which is interposed in the space S between and, the extra material flows into the groove 5 and may be filled between the tip side 3b of the external lead 3 and the metallized layer 2. Instead, the shape is as shown in FIG.
【００２６】ロー材４と外部リード３の接着面積が大き
ければ、外部リード３の接着強度が向上するという考え
方が従来あったが、むしろ外部リード３の先端側３ｂと
メタライズ層２の間にはロー材４を充填せずに、図２に
示す本発明のように外部リード３の根元側３ａ付近の狭
い範囲に制限して付着するようにすることにより、外部
リード３の接着強度が増すことが分かった。The conventional idea was that the adhesive strength of the external lead 3 would be improved if the adhesive area between the brazing material 4 and the external lead 3 was large, but rather, between the tip side 3b of the external lead 3 and the metallized layer 2. The adhesive strength of the external leads 3 is increased by not filling the brazing material 4 and limiting the adhesion to a narrow range near the root side 3a of the external leads 3 as in the present invention shown in FIG. I understood.
【００２７】図２に示すように外部リード３にリード方
向に対し、垂直方向に外力が加えられた場合、その応力
は、メタライズ層２の中間部２ｂに加わり、セラミック
基板１の端部１ａに応力が加わらない構造となってい
る。もし、セラミック基板１の端部１ａに応力が加わる
と、メタライズ層２を剥がす方向に力が加わるため、比
較的弱い力でも剥がれが進行し、メタライズ層２の中間
部２ｂに応力が作用した場合に比べ、５分の１以下に強
度が低下する。セラミック基板１の端部１ａまでロー材
４が流れた従来品（サンプルＡ品）と、メタライズ層２
の中間部２ｂまでに留まった本発明の実施形態に係るも
の（サンプルＢ品）のリード引張強度の試験結果を表１
に示す。As shown in FIG. 2, when an external force is applied to the external lead 3 in a direction perpendicular to the lead direction, the stress is applied to the intermediate portion 2b of the metallized layer 2 and the end portion 1a of the ceramic substrate 1. The structure is such that no stress is applied. If stress is applied to the end portion 1a of the ceramic substrate 1, a force is applied in the direction of peeling the metallized layer 2, so that peeling proceeds even with a relatively weak force, and stress acts on the intermediate portion 2b of the metallized layer 2. Compared with the above, the strength is reduced to one fifth or less. The conventional product (sample A product) in which the brazing material 4 has flowed to the end 1a of the ceramic substrate 1 and the metallization layer 2
Table 1 shows the test results of the lead tensile strength of the one according to the embodiment of the present invention (Sample B product) that was retained up to the intermediate portion 2b of Table 1.
Shown in
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】表１では、長さ９ｍｍ，幅２ｍｍ，厚さ
０．１ｍｍのコバールからなる外部リード３を、アルミ
ナセラミック基板１上にＭｏ−Ｍｎペーストを用いて形
成されたメタライズ層２上に、ロー材４としてＡｇを用
いて接着したもののうち、ロー材４がセラミック基板１
の端部１ａまで充填されたものをサンプルＡ品（従来
品）、ロー材４がメタライズ層２の中間部２ｂまでしか
充填されず、外部リード３の先端側３ｂに未充填部（空
隙Ｓ）を有するサンプルＢ品（本発明品）について、そ
れぞれ外部リードを垂直方向に引き上げたときの引張強
度をまとめたものである。表１からわかる通り、ロー材
の流れ具合及び充填不具合により、本発明品に係るサン
プルＢ品は、従来品のサンプルＡ品に対して強度が約１
桁改善されることが分かる。In Table 1, the external lead 3 made of Kovar having a length of 9 mm, a width of 2 mm and a thickness of 0.1 mm is formed on the metallized layer 2 formed on the alumina ceramic substrate 1 using Mo-Mn paste. Of those adhered using Ag as the brazing material 4, the brazing material 4 is the ceramic substrate 1
Of the sample A (conventional product) filled up to the end 1a of the same, the brazing material 4 is filled up to only the middle part 2b of the metallized layer 2, and the tip side 3b of the external lead 3 is not filled (void S). 3 is a summary of the tensile strength when the external leads are pulled up in the vertical direction for the sample B product (product of the present invention) having As can be seen from Table 1, the strength of the sample B product according to the present invention is about 1 that of the conventional sample A product due to the flow condition of the brazing material and the filling failure.
It can be seen that it will be improved by orders of magnitude.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上のように本発明は、ろう付け工程に
おけるロー材のバラツキ，ロー材の量が多い場合、ある
いは、ロー材が溶融したときのロー材を溝で吸収するた
め、外部リードの接着強度を向上でき、接着強度のバラ
ツキを少なくできるという効果を有する。As described above, according to the present invention, when the variation of the brazing material in the brazing process, the amount of the brazing material is large, or when the brazing material is melted, the brazing material is absorbed by the groove. It has the effect that the adhesive strength can be improved and the variation in the adhesive strength can be reduced.
【図１】本発明の一実施形態を示す全体図である。FIG. 1 is an overall view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A in FIG.
【図３】従来例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional example.
【図４】従来例を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional example.
【図５】従来例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional example.
【図６】従来例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a conventional example.
【図７】従来例を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a conventional example.
１ セラミック基板 ２ メタライズ層 ３ 外部リード ４ ロー材 ５ 溝 1 ceramic substrate 2 metallized layer 3 external lead 4 brazing material 5 groove
Claims (5)
半導体容器であって、 半導体チップに接続される外部リードを有し、 外部リードは、その根元側が容器本体の導体部にあてが
われ接着剤により容器本体の導体部に接合されたもので
あり、 外部リードを接合する接着剤は、該外部リードの先端側
と容器本体の導体部との間に空隙を残し該外部リードの
根元付近の狭い範囲に制限して付着されたものであるこ
とを特徴とする半導体容器。1. A semiconductor container in which a semiconductor chip is mounted on a container main body, the external lead having an external lead connected to the semiconductor chip, the outer lead being applied to a conductor portion of the container main body and bonded. The adhesive that is joined to the conductor portion of the container body by the agent, and the adhesive that joins the external lead leaves a gap between the tip side of the external lead and the conductor portion of the container body and near the base of the external lead. A semiconductor container characterized in that it is adhered in a limited area.
近に押し止めるものであることを特徴とする請求項１に
記載の半導体容器。2. The semiconductor container according to claim 1, wherein the container body has a groove, and the groove receives the adhesive and holds the adhesive near the root of the external lead. .
して設けられたものであることを特徴とする請求項２に
記載の半導体容器。3. The semiconductor container according to claim 2, wherein the groove is provided adjacent to the root of the external lead.
本体との間に間隙をもつ形状に折曲加工されたものであ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体容器。4. The semiconductor container according to claim 1, wherein the outer lead is formed by bending the tip end side thereof into a shape having a gap between the outer lead and the container body.
るものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体
容器。5. The semiconductor container according to claim 1, wherein the container body is made of a ceramic substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095360A JP2861926B2 (en) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | Semiconductor container |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8095360A JP2861926B2 (en) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | Semiconductor container |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283653A true JPH09283653A (en) | 1997-10-31 |
| JP2861926B2 JP2861926B2 (en) | 1999-02-24 |
Family
ID=14135479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8095360A Expired - Fee Related JP2861926B2 (en) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | Semiconductor container |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861926B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165714A (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device |
| JP2012074667A (en) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | Wiring board |
| JP2017079258A (en) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 京セラ株式会社 | Electronic part-mounting board and electronic device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06181276A (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead for semiconductor device |
| JPH06268093A (en) * | 1992-03-02 | 1994-09-22 | Nec Corp | Ceramic package type semiconductor device |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP8095360A patent/JP2861926B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268093A (en) * | 1992-03-02 | 1994-09-22 | Nec Corp | Ceramic package type semiconductor device |
| JPH06181276A (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Lead for semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165714A (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device |
| JP2012074667A (en) * | 2010-08-31 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | Wiring board |
| JP2017079258A (en) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 京セラ株式会社 | Electronic part-mounting board and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2861926B2 (en) | 1999-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5057461A (en) | Method of mounting integrated circuit interconnect leads releasably on film | |
| US6680528B2 (en) | Electronic component and electronic equipment using the same | |
| JP2000003988A (en) | Lead frame and semiconductor device | |
| JPH09283653A (en) | Semiconductor package | |
| JPS58169942A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0150108B2 (en) | ||
| JPH03274755A (en) | Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof | |
| JP3036291B2 (en) | Semiconductor device mounting structure | |
| JPS6083356A (en) | Semiconductor device | |
| JP2830221B2 (en) | Mounting structure of hybrid integrated circuit | |
| JPH0810737B2 (en) | Chip carrier and manufacturing method thereof | |
| JP3622160B2 (en) | Ceramic substrate and manufacturing method thereof | |
| JPS6129547B2 (en) | ||
| JPS61125028A (en) | Semiconductor device | |
| JPH0713231Y2 (en) | Integrated circuit package | |
| JPH10290140A (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP2614005B2 (en) | Film carrier tape and lead bonding method therefor | |
| JPS58161352A (en) | Semiconductor device | |
| JPS6276744A (en) | Vessel for integrated circuit | |
| JPH01214054A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| JPH05190727A (en) | Lead frame for integrated circuit | |
| JP2000022012A (en) | Electronic component device | |
| JPH02180060A (en) | Manufacture of semiconductor package | |
| JPH0481859B2 (en) | ||
| JPS60171747A (en) | Semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |