JPH09282237A - Eepromを用いた記憶装置 - Google Patents

Eepromを用いた記憶装置

Info

Publication number
JPH09282237A
JPH09282237A JP8097937A JP9793796A JPH09282237A JP H09282237 A JPH09282237 A JP H09282237A JP 8097937 A JP8097937 A JP 8097937A JP 9793796 A JP9793796 A JP 9793796A JP H09282237 A JPH09282237 A JP H09282237A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
storage
checksum
eeprom
error
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8097937A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Nakano
隆 仲埜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu General Ltd filed Critical Fujitsu General Ltd
Priority to JP8097937A priority Critical patent/JPH09282237A/ja
Publication of JPH09282237A publication Critical patent/JPH09282237A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Detection And Correction Of Errors (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 データ更新中の電源切断等によるデータ誤り
への対処と、書き込み不能となった場合の対処を可能と
する。 【解決手段】 マイコン3は、書込制御部4aの手順に
よりリモコン1等からの記憶データを取り込み、EEP
ROM2に書き込む。EEPROM2には、同気憶デー
タの他に、同記憶データのチェックサム及び記憶データ
とチェックサムの複製からなるミラーイメージも一緒に
書き込むデータむ。同記憶データを読み出して使用する
ときは、マイコン3は読出制御部4bの手順により前記
記憶データとチェックサムを読み出して、同チェックサ
ムにより記憶データの誤りを検出して、記憶データに誤
りが検出されると、前記ミラーイメージをも読み出して
同様に誤りを検出して、誤りが無ければミラーイメージ
データを記憶データとして使用するとともに、EEPR
OMの記憶データを同データで訂正して書き替える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、バッテリバックア
ップなしでテレビの映像調整データ等を記憶する、デー
タ誤りに対処したEEPROMを用いた記憶装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のEEPROMを用いた記憶装置で
は、記憶データの誤り対策としては、簡単なチェックサ
ムを取る程度の処理であった。しかし、誤り訂正がされ
ていないため、記憶データの書き込み途中で電源が切ら
れて正しいデータが記憶されない場合などに適切な処理
ができないおそれがある。また、EEPROMは、書き
換え可能回数が有限であるため、書き換え回数が増大す
ると書き込み不能となり正しいデータが記憶されなくな
る問題もある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたもので、データ更新中の電源切断等による
データ誤りへの対処と、書き込み不能となった場合の対
処を可能とする技術を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】書き込み時にEEPRO
Mの記憶データ及び同記憶データのチェックサムを書き
込むとともに記憶データ及び同記憶データのチェックサ
ムの複製からなるミラーイメージデータを書き込み、読
み出した記憶データ及びチェックサムから、記憶データ
の誤りを検出し、誤りが検出された場合には前記のミラ
ーイメージデータを使用して記憶データの誤りを訂正す
ることにより、データ誤りを検出するばかりでなく、同
誤りを訂正するようにする。また、記憶データ及びチェ
ックサムの代替え記憶領域及び同記憶領域の書き込み不
能を示すフラグの記憶領域を設け、同フラグにより記憶
データの記憶領域を管理して記憶領域が書き込み不能と
なった場合には、前記記憶領域を代替え領域に切り換え
て使用することにより、EEPROMの一部が書き込み
不能となった場合に対処する。
【0005】
【実施例】図1は、本発明によるEEPROMを用いた
記憶装置の1実施例の概要ブロック図である。マイコン
3は、書込制御部4aの手順によりリモコン1等からの
記憶データとなるテレビの映像調整データ等を取り込
み、EEPROM2に書き込む。EEPROM2には、
リモコン1等から取り込んだ記憶データの他に、同記憶
データのチェックサム及び記憶データとチェックサムの
複製からなるミラーイメージデータも一緒に書き込む。
マイコンの起動時等の同記憶データを読み出して使用す
るときは、マイコン3は読出制御部4bの手順により前
記記憶データとチェックサムを読み出して、同チェック
サムにより記憶データの誤りを検出して、記憶データに
誤りが検出されると、さらにミラーイメージデータをも
読み出して同様に誤りを検出して、誤りが無ければミラ
ーイメージデータを記憶データとして使用するととも
に、EEPROMの記憶データを同データで訂正して書
き替える。
【0006】記憶データとミラーイメージデータとは対
等の関係におき、上記と反対にミラーイメージデータに
誤りが検出され、記憶データには誤りが検出されないと
きは、同ミラーイメージデータを記憶データで置き換え
て訂正することとしても良い。
【0007】EEPROM2の一定領域又は別に設けた
ROM等に、映像調整データ等のデフォルト値5を予め
記憶しておく。上記の記憶データ及びそのミラーイメー
ジデータが共に誤りとなり、訂正が不可能の場合には同
デフォルト値5を読み出して前記記憶データと置き換え
て使用するとともに、EEPROM2のデータを書き換
える。
【0008】図2は、本発明によるEEPROMを用い
た記憶装置の1実施例のチェックサム算出の概念図であ
る。チェックサムを算出するブロックデータ21のブロ
ック長は8バイトと比較的短くとる。チェックサムは第
一バイト23と第二バイト24の2バイトからなる。チ
ェックサムの第一バイト23はブロックデータ21内の
各バイトbyte0、byte1、・・間の対応するビ
ットb0、b1、・・の排他論理和を各ビットとして構
成する。チェックサムの第二バイト24はチェックサム
を算出するブロックデータ21の各バイトbyte0、
byte1、・・毎の各ビットb0、b1、・・間の排
他論理和を各ビットとして構成される。一般に、論理値
をA、B、Cとし、AとB等の論理和をAxorB等で
表すとき、AxorBxorCxorC=AxorBと
なる。従って、記憶データの中の1つだけを書き換える
ときに、チェックサムを算出し直すために全ての記憶デ
ータを読み出す必要はなく、前のチェックサムと前の書
き換える記憶データのみを読み出せば足りる。すなわ
ち、古いチェックサムのビットデータOCと古い記憶デ
ータのビットデータOB及び新しい記憶データのビット
データNBから、新しいチェックサムのビットデータN
CはNC=OCxorOBxorNBとして算出でき
る。
【0009】EEPROM2の記憶データ等の書き換え
は、同記憶データ等を全て新しいデータと書き換えるこ
とで更新することができるが、記憶データ等の中の変更
されるデータのみを書き換えた方が効率的である。この
場合にでも、チェックサムは常に書き換えられるので、
EEPROMのチェックサムの記憶領域の書込頻度が多
くなる。EEPROMには書込回数の寿命があるので、
これに対処するためにチェックサムの記憶領域の代替え
領域を設けておくこともできる。EEPROMの記憶領
域に余裕が有る場合には、さらに、記憶データ、ミラー
イメージデータの代替え領域を設けることもできる。こ
の場合には、代替え領域を管理するフラグの記憶領域を
設けて、同フラグにより各代替え領域の管理を行う。
【0010】図3は、本発明によるEEPROMを用い
た記憶装置の1実施例の記憶データ等の記憶領域の構造
の1例を示す概念図である。なお、記憶領域には、図3
と全く同様のミラーイメージデータの記憶領域がある
(図示せず)。記憶データ領域31は例えば256バイ
トのデータからなるものとし、8バイトを1ブロックと
するブロック0、ブロック1、・・、ブロック31の3
2ブロックから構成される。各ブロックに対応して各2
バイトのチェックサム領域34が付属する。上記のよう
に、あるブロックの中の1バイトのデータを書き換える
と、チェックサム領域34の対応するデータは必ず書き
替わるので2組の代替えチェックサム領域35、36を
設ける。各チェックサム領域34、35、36には、各
々例えば2バイトのフラグ領域37、38、39が付属
する。フラグ領域37、・・にはチェックサム領域3
4、・・が書き込み可能か否かとチェックサム領域3
4、・・のデータが有効か否かの状態とを表示する。
【0011】データ書き込み時に、チェックサム領域3
4に書き込んだデータを直ちに読み出しRAM上の原書
き込みデータと比較して、誤りがあればチェックサム領
域34は書き込み不能としてフラグ37に書き込み不能
フラグを書き込んで代替えチェックサム領域35を使用
する。同様に代替えチェックサム領域35が書き込み不
能となったときには、代替えチェックサム領域36を使
用する。さらに、代替えチェックサム領域36も書き込
み不能となったときに当該EEPROMは使用不能とな
る。
【0012】記憶データ領域31の一部が書き込み不能
となったときのために、代替えブロック領域32を設け
る。代替えブロック領域32は例えば3つブロックから
なり、各ブロックに例えば1バイトのフラグ領域33が
付属する。フラグ領域33には、代替え無し、代替え有
りのときの原ブロック番号または当該代替えブロック領
域の書き込み不能を示すフラグを書き込む。初期状態な
どの記憶データ領域31が正常で代替えの必要のないと
きは、フラグ領域33は代替え無しを表示する。記憶デ
ータ領域のいずれかのブロックが書き込み不能となった
ら、代替えブロック領域32の1のブロックを代替えと
してその書き込み不能となったブロック番号をフラグ領
域33の対応するフラグに書き込む。代替え領域33の
ブロックが書き込み不能のときは、フラグ領域の対応す
るフラグに書き込み不能を表示する。代替えブロック領
域の全てのブロックが書き込み不能となったときに当該
EEPROMは使用不能となる。
【0013】記憶データの中の更新されたデータのみを
書き換えるときは、常にチェックサムが書き換えられる
ことに鑑み、代替えチェックサム領域を記憶データの代
替え領域となる代替えブロック領域より多くの領域を割
り当てる。上記の例では、1組のチェックサム領域に対
して2組の代替えチェックビット領域を取っているが、
32ブロックの記憶データ領域に対して3ブロックの代
替え記憶データ領域を取っている。
【0014】チェックサム領域34の代替え領域35、
36への移動中に電源が切られる等に対処するために、
フラグ領域37、・・にはチェックサム領域の移動中は
予め該当チェックサム領域のデータの無効を表示してお
き、移動終了後に同データの有効を表示する。データの
誤り検出時に、フラグ領域37、・・がデータ無効を示
していることを検出すると、ミラーイメージを使用して
該当するチェックサム領域のデータを訂正する。
【0015】リモコン1等から入力されたテレビの映像
調整データ等は、マイコン3で映像調整等を行う(図示
せず)とともに、上記のように書込制御部4aの手順で
記憶データとして、各付属するデータとともにEEPR
OM2に書き込まれる。電源オン等のマイコン3の起動
時には、上記のように読出制御部4bの手順に従って、
誤り検出、訂正を行うとともに、記憶データ領域のフラ
グ33とチェックサム領域34、・・のフラグ37、・
・の状態により、使用すべきブロックとチェックサム領
域を選択して読み出して映像調整の設定等を行う。
【0016】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載するような効果を奏する。
【0017】データの書き込み時にEEPROMの記憶
データ及び同記憶データのチェックサムを書き込むとと
もに、記憶データ及び同記憶データのチェックサムの複
製からなるミラーイメージデータをも書き込み、読み出
した同記憶データ及び同チェックサムから、同記憶デー
タの誤りを検出し、誤りが検出された場合には前記ミラ
ーイメージデータを使用して記憶データの誤りを訂正す
るようにすることにより、EEPROMの書き込み途中
で電源が切られたり等によるEEPROMのデータに誤
りがあるときでも、正常動作が期待できるようになる。
【0018】記憶データに誤りが検出され、かつ、ミラ
ーイメージデータに誤りが検出されないときは記憶デー
タをミラーイメージデータで書き換え、ミラーイメージ
データに誤りが検出され、かつ、記憶データに誤りが検
出されないときはミラーイメージデータを記憶データで
書き換えるようにすることで、どちらかのデータが正常
であれば、正常なデータが確保できる。
【0019】記憶データのデフォルト値をEEPROM
の一定記憶領域若しくは他の不揮発メモリに記憶してお
き、訂正不能の誤りが発生した場合には、前記デフォル
ト値を記憶データとして前記EEPROMに書き込むこ
とにより、少なくとも初期設定の状態が確保できる。
【0020】記憶データ及びミラーイメージデータの双
方に誤りが検出された場合は両データをデフォルト値で
書き換えることで、誤りによる誤動作が防止できる。
【0021】EEPROMへの書き換えは、前記記憶デ
ータ及びそのチェックサム並びにこれらのミラーイメー
ジデータの中の変更されたデータのみとすることで、E
EPROMの書き込み頻度を少なくできる。
【0022】チェックサムを算出する記憶データのブロ
ック長を略8バイトと短くすることにより、チェックサ
ムの書き換え頻度が減少しEEPROMの寿命が延び
る。このとき、チェックサムは2バイトが適当となる。
【0023】チェックサムは、記憶データの各バイトの
各ビット間の排他論理和をその各ビットとするものを1
バイトとし、各バイト間の対応する各ビット間の排他論
理和をその各ビットとするものを1バイトとする2バイ
トから構成することで、記憶データの一部を書き換える
ときに全てのデータを読み出してチェックサムを算出す
る必要がなくなる。
【0024】記憶データ及びチェックサムの代替え記憶
領域及び同記憶領域の書き込み不能を示すフラグの記憶
領域を設け、同フラグにより記憶データの記憶領域を管
理して記憶領域が書き込み不能の場合は前記記憶領域を
代替え領域に切り換えることで、EEPROMの一部が
書き込み不能となっても継続して使用できる。
【0025】チェックサムの記憶領域の代替え領域は記
憶領域の代替え領域より多くの領域を設けることで、書
き込み頻度が多く書き込み不能となりやすいチェックサ
ム領域の保護ができる。
【0026】チェックサムの書き込み有効フラグ記憶領
域を設け、同チェックサムが有効か否かを示すにチェッ
クサムの書き込み有効フラグを書き込むことで、チェッ
クサムの代替え記憶領域の移動中の電源断等に対処でき
る。
【0027】記憶データの誤り検出はマイコンの起動時
に行うことで、正常な動作が確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるEEPROMを用いた記憶装置の
1実施例の概要ブロック図である。
【図2】本発明によるEEPROMを用いた記憶装置の
1実施例のチェックサム算出の概念図である。
【図3】本発明によるEEPROMを用いた記憶装置の
1実施例の記憶データ等の記憶領域の構造の1例を示す
概念図である。
【符号の説明】
1 リモコン 2 EEPROM 3 マイコン 4a 書込制御部 4b 読出制御部 5 デフォルト値 21 ブロックデータ 23 チェックサムの第一バイト 34 チェックサムの第二バイト 31 記憶データ領域 32 代替えブロック領域 33 フラグ領域 34、35、36 チェックサム領域 37、38、39 フラグ領域

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイコンの制御により電源オフ時におい
    てもバッテリバックアップなしでデータを記憶保持する
    EEPROMを用いた記憶保持装置において、データの
    書き込み時に同EEPROMの記憶データ及び同記憶デ
    ータのチェックサムを書き込むとともに同記憶データ及
    び同記憶データのチェックサムの複製からなるミラーイ
    メージデータを書き込み、読み出した同記憶データ及び
    同チェックサムから、同記憶データの誤りを検出し、同
    誤りが検出された場合には前記ミラーイメージデータを
    使用して記憶データの誤りを訂正するようにすることを
    特徴としたEEPROMを用いた記憶装置。
  2. 【請求項2】 記憶データに誤りが検出され、かつ、ミ
    ラーイメージデータに誤りが検出されないときは記憶デ
    ータをミラーイメージデータで書き換え、ミラーイメー
    ジデータに誤りが検出され、かつ、記憶データに誤りが
    検出されないときはミラーイメージデータを記憶データ
    で書き換えることを特徴とした請求項1記載のEEPR
    OMを用いた記憶装置。
  3. 【請求項3】 記憶データのデフォルト値をEEPRO
    Mの一定記憶領域若しくは他の不揮発メモリに記憶して
    おき、訂正不能の誤りが発生した場合には、前記デフォ
    ルト値を記憶データとして前記EEPROMに書き込む
    ことを特徴とした請求項1記載のEEPROMを用いた
    記憶装置。
  4. 【請求項4】 記憶データ及びミラーイメージデータの
    双方に誤りが検出された場合は両データをデフォルト値
    で書き換えることを特徴とした請求項3記載のEEPR
    OMを用いた記憶装置。
  5. 【請求項5】 EEPROMへの書き換えは、前記記憶
    データ及びそのチェックサム並びにこれらのミラーイメ
    ージデータの中の変更されたデータのみとすることを特
    徴とした請求項1記載のEEPROMを用いた記憶装
    置。
  6. 【請求項6】 チェックサムを算出する記憶データのブ
    ロック長を略8バイトと短くし、チェックサムを2バイ
    トとすることを特徴とした請求項1記載のEEPROM
    を用いた記憶装置。
  7. 【請求項7】 チェックサムは、記憶データの各バイト
    の各ビット間の排他論理和をその各ビットとするものを
    1バイトとし、各バイト間の対応する各ビット間の排他
    論理和をその各ビットとするものを1バイトとする2バ
    イトから構成することを特徴とした請求項6記載のEE
    PROMを用いた記憶装置。
  8. 【請求項8】 記憶データ及びチェックサムの代替え記
    憶領域及び同記憶領域の書き込み不能を示すフラグの記
    憶領域を設け、同フラグにより記憶データの記憶領域を
    管理して記憶領域が書き込み不能の場合は前記記憶領域
    を代替え領域に切り換えることを特徴とした請求項1記
    載のEEPROMを用いた記憶装置。
  9. 【請求項9】 前記チェックサムの記憶領域の代替え領
    域は記憶領域の代替え領域より多くの領域を設けること
    を特徴とした請求項8記載のEEPROMを用いた記憶
    装置。
  10. 【請求項10】 前記チェックサムの書き込み有効フラ
    グ記憶領域を設け、同チェックサムが有効か否かを示す
    にチェックサムの書き込み有効フラグを書き込むことを
    特徴とした請求項1記載のEEPROMを用いた記憶装
    置。
  11. 【請求項11】 記憶データの誤り検出はマイコンの起
    動時に行うことを特徴とした請求項1記載のEEPRO
    Mを用いた記憶装置。
JP8097937A 1996-04-19 1996-04-19 Eepromを用いた記憶装置 Pending JPH09282237A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8097937A JPH09282237A (ja) 1996-04-19 1996-04-19 Eepromを用いた記憶装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8097937A JPH09282237A (ja) 1996-04-19 1996-04-19 Eepromを用いた記憶装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09282237A true JPH09282237A (ja) 1997-10-31

Family

ID=14205588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8097937A Pending JPH09282237A (ja) 1996-04-19 1996-04-19 Eepromを用いた記憶装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09282237A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004030527A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Fujitsu Ltd 記憶制御装置、および記憶制御方法
US7334174B2 (en) 2003-08-29 2008-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and error detecting method therefor
CN100442253C (zh) * 2001-02-22 2008-12-10 北京北信源自动化技术有限公司 一种服务器数据的热镜像底层驱动热备份方法
JP2009246853A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp 電子機器、電子機器のic内部構成部のばらつき調整方法およびic
JP2009246854A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp 電子機器、電子機器のic内部構成部のばらつき調整方法およびic
JP2009246852A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp 電子機器、電子機器のic内部構成部のばらつき調整方法およびic
JP2010176200A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Tokai Rika Co Ltd フラッシュメモリの動作保護装置及びフラッシュメモリの動作保護方法
JP2013214303A (ja) * 2012-04-02 2013-10-17 Minebea Co Ltd 車両用機器制御データの読み取り方法、同データの書き込み方法、および車両用機器のデータの保存装置
JP2014075078A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Denso Corp 電子制御装置
CN110347527A (zh) * 2018-04-02 2019-10-18 深信服科技股份有限公司 一种校验和状态的判定方法、系统、装置及可读存储介质
CN111240884A (zh) * 2019-12-25 2020-06-05 上海亮牛半导体科技有限公司 Efuse的纠错方法
US10812111B2 (en) 2018-03-19 2020-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor apparatus

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100442253C (zh) * 2001-02-22 2008-12-10 北京北信源自动化技术有限公司 一种服务器数据的热镜像底层驱动热备份方法
JP2004030527A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Fujitsu Ltd 記憶制御装置、および記憶制御方法
US7334174B2 (en) 2003-08-29 2008-02-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device and error detecting method therefor
US8676146B2 (en) 2008-03-31 2014-03-18 Sony Corporation Electronic apparatus, dispersion adjustment method of IC internal component section of electronic apparatus and IC
JP2009246854A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp 電子機器、電子機器のic内部構成部のばらつき調整方法およびic
JP2009246852A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp 電子機器、電子機器のic内部構成部のばらつき調整方法およびic
US8121578B2 (en) 2008-03-31 2012-02-21 Sony Corporation Electronic apparatus, dispersion adjustment method of IC internal component section of electronic apparatus and IC
JP2009246853A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Sony Corp 電子機器、電子機器のic内部構成部のばらつき調整方法およびic
JP2010176200A (ja) * 2009-01-27 2010-08-12 Tokai Rika Co Ltd フラッシュメモリの動作保護装置及びフラッシュメモリの動作保護方法
JP2013214303A (ja) * 2012-04-02 2013-10-17 Minebea Co Ltd 車両用機器制御データの読み取り方法、同データの書き込み方法、および車両用機器のデータの保存装置
JP2014075078A (ja) * 2012-10-05 2014-04-24 Denso Corp 電子制御装置
US10812111B2 (en) 2018-03-19 2020-10-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor apparatus
CN110347527A (zh) * 2018-04-02 2019-10-18 深信服科技股份有限公司 一种校验和状态的判定方法、系统、装置及可读存储介质
CN111240884A (zh) * 2019-12-25 2020-06-05 上海亮牛半导体科技有限公司 Efuse的纠错方法
CN111240884B (zh) * 2019-12-25 2024-06-07 上海亮牛半导体科技有限公司 Efuse的纠错方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7925843B2 (en) Memory controller having a plurality of memory regions for protection against power failure
KR100383404B1 (ko) 반도체메모리장치및반도체메모리장치에있어서의데이타기입/판독방법
WO2005111812A1 (ja) 不揮発性記憶装置のためのエラー訂正方法
JPH09282237A (ja) Eepromを用いた記憶装置
JP2008293555A (ja) 半導体集積回路装置およびメモリ制御方法
JP3268130B2 (ja) フラッシュeepromを用いたデータ処理装置
US7716555B2 (en) Data backup method and memory device
JP6447469B2 (ja) 書換システム
JP3284772B2 (ja) 給湯器
US20050066112A1 (en) Data read/write control system and data read/write control method
JPH07248978A (ja) 不揮発性メモリ
JP2009116521A (ja) メモリのデータ書替方法
JP4592280B2 (ja) データ記憶装置
JP3620478B2 (ja) 記憶装置、この記憶装置を用いたデータ処理システム及びデータ読み出し方法
JPH10302485A (ja) フラッシュ・メモリを有する情報処理装置
JPH07122087A (ja) Eepromエラーチェック方式
JP2019160080A (ja) 制御装置および異常検出方法
JP2001053891A (ja) 携帯端末装置のプログラム更新方法およびその装置
JP3335210B2 (ja) 計数装置
KR20010017586A (ko) 정보 단말기의 저장 프로그램 갱신 방법
KR100624602B1 (ko) 메모리 컨트롤러
JP3178913B2 (ja) 半導体ファイル装置
JP2929192B1 (ja) データ保全方法
JP2904117B2 (ja) 装置記憶部の冗長化方法及び装置
JP2004094628A (ja) フラッシュメモリのメモリ書き換え制御システム、メモリ書き換え制御方法及びメモリ書き換え制御方法の各工程を実行させるプログラム