JPH09278519A - ドーパントが添加されたplztの製造方法 - Google Patents
ドーパントが添加されたplztの製造方法Info
- Publication number
- JPH09278519A JPH09278519A JP8867496A JP8867496A JPH09278519A JP H09278519 A JPH09278519 A JP H09278519A JP 8867496 A JP8867496 A JP 8867496A JP 8867496 A JP8867496 A JP 8867496A JP H09278519 A JPH09278519 A JP H09278519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dopant
- plzt
- sintering
- doped
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000013076 target substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドーパントが添加された実用性高いPLZT
を低コストで製造する方法を提供すること。 【解決手段】 Pb、La、Zr、Tiおよびドーパン
トの各原料の混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱焼結す
ることを特徴とする製造方法であって、特に加熱焼結前
の原料混合物中におけるPb、La、Zr、Tiおよび
ドーパントの各量が、製造目的物質の理論化学式中にお
ける化学量論比となっていることを特徴とする上記の製
造方法である。
を低コストで製造する方法を提供すること。 【解決手段】 Pb、La、Zr、Tiおよびドーパン
トの各原料の混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱焼結す
ることを特徴とする製造方法であって、特に加熱焼結前
の原料混合物中におけるPb、La、Zr、Tiおよび
ドーパントの各量が、製造目的物質の理論化学式中にお
ける化学量論比となっていることを特徴とする上記の製
造方法である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光歪材料として好
適に用いることができる、ドーパントが添加されたPL
ZTの製造方法に関する。
適に用いることができる、ドーパントが添加されたPL
ZTの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】PLZTは、ジルコン酸チタン酸鉛にL
aを加えたセラミックスであって、一般式;Pb1-x L
ax (Zry Tiz )1-x/4 O3 で表される物質であっ
て、圧電効果や、光照射によって自体に機械的な歪みを
生じる効果(光歪効果)等を示すことがよく知られてい
る。またこれらの効果は、PLZTにある種のドーパン
トを添加することにより(ドーパントが添加されたPL
ZTを、以下、ドープドPLZTと略称する。)一層増
大することも知られている。
aを加えたセラミックスであって、一般式;Pb1-x L
ax (Zry Tiz )1-x/4 O3 で表される物質であっ
て、圧電効果や、光照射によって自体に機械的な歪みを
生じる効果(光歪効果)等を示すことがよく知られてい
る。またこれらの効果は、PLZTにある種のドーパン
トを添加することにより(ドーパントが添加されたPL
ZTを、以下、ドープドPLZTと略称する。)一層増
大することも知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ドープドPLZTは、
従来、その各原料の混合物を酸素雰囲気中、例えば空気
中で加熱焼結し、次いで該焼結時の温度より低い温度下
で窒素中で熱処理することにより製造されている。この
熱処理は、焼結のみの製品よりも高性能化する方法とし
て知られている。しかし、この従来方法では、工程が多
いために製品のコストアップになる問題がある。
従来、その各原料の混合物を酸素雰囲気中、例えば空気
中で加熱焼結し、次いで該焼結時の温度より低い温度下
で窒素中で熱処理することにより製造されている。この
熱処理は、焼結のみの製品よりも高性能化する方法とし
て知られている。しかし、この従来方法では、工程が多
いために製品のコストアップになる問題がある。
【0004】ところで本発明者等は、前記原料混合物を
空気中でではなく不活性ガス中で加熱焼結すると、従来
行われてきた焼結後の熱処理を省略しても予想外の高性
能品が製造できるとの新知見を得た。しかして本発明の
目的は、実用性のあるドープドPLZTを低コストで製
造する方法を提供することである。
空気中でではなく不活性ガス中で加熱焼結すると、従来
行われてきた焼結後の熱処理を省略しても予想外の高性
能品が製造できるとの新知見を得た。しかして本発明の
目的は、実用性のあるドープドPLZTを低コストで製
造する方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段並びに作用】本発明のドー
プドPLZTの製造方法は、Pb、La、Zr、Tiお
よびドーパントの各原料の混合物を不活性ガス雰囲気中
で加熱焼結することを特徴とするものである。加熱焼結
時の雰囲気として不活性ガスを採用することにより、従
来行われてきた焼結後の熱処理を省略することが可能で
あって、しかも実用性のあるドープドPLZTが得られ
る。上記作用が生じる理由は、目下のところ定かでない
が、本発明者等は不活性ガス雰囲気中での加熱焼結によ
ってPLZT結晶中での酸素欠陥が増大し、活性化が進
むためと考えている。
プドPLZTの製造方法は、Pb、La、Zr、Tiお
よびドーパントの各原料の混合物を不活性ガス雰囲気中
で加熱焼結することを特徴とするものである。加熱焼結
時の雰囲気として不活性ガスを採用することにより、従
来行われてきた焼結後の熱処理を省略することが可能で
あって、しかも実用性のあるドープドPLZTが得られ
る。上記作用が生じる理由は、目下のところ定かでない
が、本発明者等は不活性ガス雰囲気中での加熱焼結によ
ってPLZT結晶中での酸素欠陥が増大し、活性化が進
むためと考えている。
【0006】本発明において、加熱焼結時の雰囲気とし
ては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセ
ノン等の希ガス類、窒素、などの不活性ガスが用いられ
る。それらは、単独で用いてもあるいは2種以上の混合
物として用いてもよい。好ましくは、アルゴンおよび窒
素、からなる群の1種あるいは2種以上の混合物であ
り、就中窒素単独である。焼結中は、不活性ガスは必ず
しも新しい不活性ガスと置換する必要はないが、不活性
ガスを適当流量で絶えず供給排気する気流中で焼結を行
ってもよい。焼結条件は従来通りでよく、たとえば焼結
温度は1000〜1300℃、焼結時間は0.1〜20
時間である。また焼結に先立って、通常の仮焼も必要に
応じて行ってよい。
ては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセ
ノン等の希ガス類、窒素、などの不活性ガスが用いられ
る。それらは、単独で用いてもあるいは2種以上の混合
物として用いてもよい。好ましくは、アルゴンおよび窒
素、からなる群の1種あるいは2種以上の混合物であ
り、就中窒素単独である。焼結中は、不活性ガスは必ず
しも新しい不活性ガスと置換する必要はないが、不活性
ガスを適当流量で絶えず供給排気する気流中で焼結を行
ってもよい。焼結条件は従来通りでよく、たとえば焼結
温度は1000〜1300℃、焼結時間は0.1〜20
時間である。また焼結に先立って、通常の仮焼も必要に
応じて行ってよい。
【0007】次に、加熱焼結されるべきPb、La、Z
r、Tiおよびドーパントの各原料の焼結前における混
合比について説明する。混合比を決定するための第1の
方法は、所望化学式の、且つドーパントを含まないPL
ZTにおけるPb、La、Zr、およびTiの化学量論
量に対応する各原料量を用意し、次いでそのPLZTに
ドープすべきドーパントの所望量に対応する原料量をそ
の上に加え、全原料を均一に混合して加熱焼結に付す方
法である。例えば、特定原子数比のPLZTに、ある比
率でドーパントをドープしたい場合、混合される原料中
のPb、La、Zr、Tiの原子数の比は、前記特定原
子数比のPLZT中での原子数比に対応する量比とす
る。そして、その上に所望量のドーパント用原料を加え
て均一混合物とし、これを焼結に供する。
r、Tiおよびドーパントの各原料の焼結前における混
合比について説明する。混合比を決定するための第1の
方法は、所望化学式の、且つドーパントを含まないPL
ZTにおけるPb、La、Zr、およびTiの化学量論
量に対応する各原料量を用意し、次いでそのPLZTに
ドープすべきドーパントの所望量に対応する原料量をそ
の上に加え、全原料を均一に混合して加熱焼結に付す方
法である。例えば、特定原子数比のPLZTに、ある比
率でドーパントをドープしたい場合、混合される原料中
のPb、La、Zr、Tiの原子数の比は、前記特定原
子数比のPLZT中での原子数比に対応する量比とす
る。そして、その上に所望量のドーパント用原料を加え
て均一混合物とし、これを焼結に供する。
【0008】混合比を決定するための第2の方法は、加
熱焼結前の原料混合物中におけるPb、La、Zr、T
iおよびドーパントの各量が、製造目的物質たる所望の
ドープドPLZTの理論化学式中における化学量論比と
なるように各元素の原料を混合する方法である。製造目
的物質として下式(3)で示される理論化学式を有す
る、TaをBサイト内に原子数比にして0.01ドープ
されたドープドPLZTを例にとると、式(3)での化
学量比通りとなるように、各元素の原料を計量混合す
る。たとえば、各原料としてそれぞれPbO、La2 O
3 、ZrO2 、TiO2 、およびTa2 O5 を採用した
場合のそれぞれの量は、98.25g、2.23g、2
8.72g、17.19g、および1gである。 Pb0.965 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752Ta0.01)1-0.03/4O3 (3) なお、式(3)において、1−0.03/4は、1−
(0.03/4)の意味である(以下、同様)。
熱焼結前の原料混合物中におけるPb、La、Zr、T
iおよびドーパントの各量が、製造目的物質たる所望の
ドープドPLZTの理論化学式中における化学量論比と
なるように各元素の原料を混合する方法である。製造目
的物質として下式(3)で示される理論化学式を有す
る、TaをBサイト内に原子数比にして0.01ドープ
されたドープドPLZTを例にとると、式(3)での化
学量比通りとなるように、各元素の原料を計量混合す
る。たとえば、各原料としてそれぞれPbO、La2 O
3 、ZrO2 、TiO2 、およびTa2 O5 を採用した
場合のそれぞれの量は、98.25g、2.23g、2
8.72g、17.19g、および1gである。 Pb0.965 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752Ta0.01)1-0.03/4O3 (3) なお、式(3)において、1−0.03/4は、1−
(0.03/4)の意味である(以下、同様)。
【0009】本発明においては、加熱焼結されるべきP
b、La、Zr、Tiおよびドーパントの各原料の焼結
前における混合比は、上記のいずれの方法で決定しても
よいが、一層高性能のドープドPLZTを製造する観点
から、第2の方法が特に好ましい。
b、La、Zr、Tiおよびドーパントの各原料の焼結
前における混合比は、上記のいずれの方法で決定しても
よいが、一層高性能のドープドPLZTを製造する観点
から、第2の方法が特に好ましい。
【0010】各元素の原料としては、酸化物、水酸化
物、硝酸塩、などが例示されるが、酸化物が一般に好ま
しい。原料の形態は、公知のPLZTの製造の場合と同
様の粉末状が好ましい。またその粒径も特性に影響を与
えることが既に知られており、最良の光歪効果が得られ
るような粒径を選択することが好ましい。
物、硝酸塩、などが例示されるが、酸化物が一般に好ま
しい。原料の形態は、公知のPLZTの製造の場合と同
様の粉末状が好ましい。またその粒径も特性に影響を与
えることが既に知られており、最良の光歪効果が得られ
るような粒径を選択することが好ましい。
【0011】ドーパントとしては、Ta、W、Nb、N
a、K、Mg、Ba、Y、Al、Sn、Si、Biなど
が挙げられる。このうちTa、W、Nb、およびBiは
光起電力および光起電流を大きくするので特に有効であ
り、またYおよびSiは、応答速度を大きくする点で特
に有効である。以下にドープドPLZTの若干例を示
す。
a、K、Mg、Ba、Y、Al、Sn、Si、Biなど
が挙げられる。このうちTa、W、Nb、およびBiは
光起電力および光起電流を大きくするので特に有効であ
り、またYおよびSiは、応答速度を大きくする点で特
に有効である。以下にドープドPLZTの若干例を示
す。
【0012】下式(4) に示す化学式を有するPLZT
に対し、W6+をドーパントとして1mol%含有させた
場合のドープドPLZTは、下式(4) で示される理論
化学式を有する。 Pb0.97La0.03(Zr0.52Ti0.48)1-0.03/4O3 (4) Pb0.960 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752W0.01)1-0.03/4O3 (5) 同様に、式(4) に示す化学式を有するPLZTに対
し、Nb5+をドーパントとして1mol%含有させた場
合のドープドPLZTは、下式(6) で示される理論化
学式を有する。 Pb0.965 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752Nb0.01)1-0.03/4O3 (6)
に対し、W6+をドーパントとして1mol%含有させた
場合のドープドPLZTは、下式(4) で示される理論
化学式を有する。 Pb0.97La0.03(Zr0.52Ti0.48)1-0.03/4O3 (4) Pb0.960 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752W0.01)1-0.03/4O3 (5) 同様に、式(4) に示す化学式を有するPLZTに対
し、Nb5+をドーパントとして1mol%含有させた場
合のドープドPLZTは、下式(6) で示される理論化
学式を有する。 Pb0.965 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752Nb0.01)1-0.03/4O3 (6)
【0013】
【実施例】以下、実施例により本発明を一層詳細に説明
する。 実施例1 ドーパントとしてNbを2mol%含有し、下記 (7)
式に示す理論化学式を有するNbドープドPLZTの製
造に際し、133.33gのPbO、3.04gのLa
2 O3 、38.78gのZrO2 、23.21gのTi
O2 、および1.64gのNb2 O5 をボールミルにて
48時間混合し、均一な原料混合物を得た。 Pb0.96La0.03(Zr0.5096Ti0.4704Nb0.02)1-0.03/4O3 (7) 次いで、得られた原料混合物を900℃で10時間大気
中で仮焼し、最後に1リットル/分の流量の窒素ガスを
絶えず供給排出している焼結炉において1200℃で2
時間焼結し、目的物を得た。得られたNbドープドPL
ZTから4×2×0.5mmの小片を切り出し、その4
×2mm面を鏡面研磨して供試サンプルを得た。
する。 実施例1 ドーパントとしてNbを2mol%含有し、下記 (7)
式に示す理論化学式を有するNbドープドPLZTの製
造に際し、133.33gのPbO、3.04gのLa
2 O3 、38.78gのZrO2 、23.21gのTi
O2 、および1.64gのNb2 O5 をボールミルにて
48時間混合し、均一な原料混合物を得た。 Pb0.96La0.03(Zr0.5096Ti0.4704Nb0.02)1-0.03/4O3 (7) 次いで、得られた原料混合物を900℃で10時間大気
中で仮焼し、最後に1リットル/分の流量の窒素ガスを
絶えず供給排出している焼結炉において1200℃で2
時間焼結し、目的物を得た。得られたNbドープドPL
ZTから4×2×0.5mmの小片を切り出し、その4
×2mm面を鏡面研磨して供試サンプルを得た。
【0014】比較例1 焼結時における窒素ガスに代えて酸素ガスとしたことだ
けが実施例1と異なるNbドープドPLZTの製造を行
った。
けが実施例1と異なるNbドープドPLZTの製造を行
った。
【0015】比較例2 焼結の後、窒素ガス雰囲気下、900℃で1時間熱処理
したことのみ比較例1と異なるNbドープドPLZTの
製造を行った。
したことのみ比較例1と異なるNbドープドPLZTの
製造を行った。
【0016】実施例2 ドーパントとしてTaを2mol%含有し、下記 (8)
式に示す理論化学式を有するTaドープドPLZTの製
造に際し、132.61gのPbO、3.02gのLa
2 O3 、38.57gのZrO2 、23.08gのTi
O2 、および1.64gのTa2 O5 をボールミルにて
48時間混合し、均一な原料混合物を得た。 Pb0.96La0.03(Zr0.5096Ti0.4704Ta0.02)1-0.03/4O3 (8) 次いで、得られた原料混合物を900℃で10時間大気
中で仮焼し、最後に1リットル/分の流量の窒素ガスを
絶えず供給排出している焼結炉において1200℃で2
時間焼結し、目的物を得た。得られたTaドープドPL
ZTから4×2×0.5mmの小片を切り出し、その4
×2mm面を鏡面研磨して供試サンプルを得た。
式に示す理論化学式を有するTaドープドPLZTの製
造に際し、132.61gのPbO、3.02gのLa
2 O3 、38.57gのZrO2 、23.08gのTi
O2 、および1.64gのTa2 O5 をボールミルにて
48時間混合し、均一な原料混合物を得た。 Pb0.96La0.03(Zr0.5096Ti0.4704Ta0.02)1-0.03/4O3 (8) 次いで、得られた原料混合物を900℃で10時間大気
中で仮焼し、最後に1リットル/分の流量の窒素ガスを
絶えず供給排出している焼結炉において1200℃で2
時間焼結し、目的物を得た。得られたTaドープドPL
ZTから4×2×0.5mmの小片を切り出し、その4
×2mm面を鏡面研磨して供試サンプルを得た。
【0017】比較例3 焼結時における窒素ガスに代えて酸素ガスとしたことだ
けが実施例2と異なるTaドープドPLZTの製造を行
った。
けが実施例2と異なるTaドープドPLZTの製造を行
った。
【0018】比較例4 焼結の後、窒素ガス雰囲気下、900℃で1時間熱処理
したことのみ比較例3と異なるTaドープドPLZTの
製造を行った。
したことのみ比較例3と異なるTaドープドPLZTの
製造を行った。
【0019】各実施例および比較例から得た各ドープド
PLZTにつき、UV強度100mW/cm2 の条件下
で光起電流と光起電力とを測定し、その結果を下表1に
示した。
PLZTにつき、UV強度100mW/cm2 の条件下
で光起電流と光起電力とを測定し、その結果を下表1に
示した。
【0020】
【表1】
【0021】表1から明らかな通り、本発明の方法によ
って得られたドープドPLZTは、比較例2、4の従来
法から得られた物と比較してやや劣るものの、実用的に
は十分な性能を有している。比較例1、3の酸素中焼結
の場合と比較から、窒素ガスでの焼結の効果は明らかで
ある。
って得られたドープドPLZTは、比較例2、4の従来
法から得られた物と比較してやや劣るものの、実用的に
は十分な性能を有している。比較例1、3の酸素中焼結
の場合と比較から、窒素ガスでの焼結の効果は明らかで
ある。
【0022】
【発明の効果】以上のように、本発明の製造方法によっ
て、ドープドPLZTが安価に製造することができるよ
うになるので、その用途の拡大や大量使用が実現する。
て、ドープドPLZTが安価に製造することができるよ
うになるので、その用途の拡大や大量使用が実現する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 守人 佐賀県鳥栖市宿町字野々下807番地1 工 業技術院 九州工業技術研究所内 (72)発明者 高瀬 晃 佐賀県鳥栖市宿町字野々下807番地1 工 業技術院 九州工業技術研究所内 (72)発明者 馬場 俊之 兵庫県尼崎市東向島西之町8番地 三菱電 線工業株式会社内 (72)発明者 平岡 誠 兵庫県尼崎市東向島西之町8番地 三菱電 線工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項1】 Pb、La、Zr、Tiおよびドーパン
トの各原料の混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱焼結す
ることを特徴とするドーパントが添加されたPLZTの
製造方法。 - 【請求項2】 不活性ガスが、窒素、アルゴンからなる
群から選ばれた少なくとも1種である請求項1記載のド
ーパントが添加されたPLZTの製造方法。 - 【請求項3】 加熱焼結前の原料混合物中におけるP
b、La、Zr、Tiおよびドーパントの各量が、製造
目的物質の理論化学式中での化学量論比となっている請
求項1または2記載のドーパントが添加されたPLZT
の製造方法。 - 【請求項4】 ドーパントが、Ta、W、Nbである請
求項1または2記載のドーパントが添加されたPLZT
の製造方法。 - 【請求項5】 下式(1)で示される理論化学式を有す
る物質の製造にあたり、原料の混合比が下式(2)に示
される重量比とする請求項3記載のドーパントが添加さ
れたPLZTの製造方法。 Pb0.965 La0.03(Zr0.5148Ti0.4752Ta0.01)1-0.03/4O3 (1) PbO:La2 O3 :ZrO2 :TiO2 :Ta2 O5 =98.25:2.2 3:28.72:17.19:1 (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8867496A JPH09278519A (ja) | 1996-04-11 | 1996-04-11 | ドーパントが添加されたplztの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8867496A JPH09278519A (ja) | 1996-04-11 | 1996-04-11 | ドーパントが添加されたplztの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09278519A true JPH09278519A (ja) | 1997-10-28 |
Family
ID=13949380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8867496A Pending JPH09278519A (ja) | 1996-04-11 | 1996-04-11 | ドーパントが添加されたplztの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09278519A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1354861A1 (en) * | 2000-12-28 | 2003-10-22 | Bosch Automotive Systems Corporation | Ceramic material and piezoelectric element using the same |
JP2012148494A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子 |
-
1996
- 1996-04-11 JP JP8867496A patent/JPH09278519A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1354861A1 (en) * | 2000-12-28 | 2003-10-22 | Bosch Automotive Systems Corporation | Ceramic material and piezoelectric element using the same |
EP1354861A4 (en) * | 2000-12-28 | 2007-02-28 | Bosch Automotive Systems Corp | MAT RIC C RAMIQUE AND PI ZO- LECTRIQUE PI SO CONSTITU |
JP2012148494A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置、並びに圧電素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1021386B1 (en) | Low-loss pzt ceramic composition cofirable with silver at a reduced sintering temperature and process for producing same | |
Makovec et al. | Defect structure and phase relations of highly lanthanum‐doped barium titanate | |
JP2010520137A (ja) | 圧電材料、多層アクチュエータ、および、圧電素子の製造方法 | |
EP1386017A2 (de) | WÄRMEDÄMMSCHICHT AUF BASIS VON La 2?Zr 2?O 7? FÜR HOHE TEMPERATUREN | |
JP2001002469A (ja) | 圧電体ペーストならびにこれを用いた圧電体膜および圧電体部品 | |
CN105008305A (zh) | 压电陶瓷的制造方法、压电陶瓷和压电元件 | |
KR20120077401A (ko) | 유전체 세라믹 및 그 제조방법 | |
US8877520B2 (en) | Ferroelectric film containing a perovskite structure oxide and method for manufacturing a ferroelectric film | |
CN113582667B (zh) | 一种可低温共烧的高储能反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
CN1269773A (zh) | 高效压电陶瓷 | |
JP6094168B2 (ja) | 圧電組成物および圧電素子 | |
JP6349738B2 (ja) | 圧電組成物および圧電素子 | |
JP6323305B2 (ja) | 圧電組成物および圧電素子 | |
JPH09278519A (ja) | ドーパントが添加されたplztの製造方法 | |
KR100200181B1 (ko) | 압전 세라믹 및 그의 제조 방법 | |
KR101786056B1 (ko) | 코어쉘 구조를 갖는 저온소성용 무연압전 세라믹 및 그 제조 방법 | |
JP2003238248A (ja) | 圧電磁器組成物と圧電デバイス | |
JP2001072466A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
JP2002201068A (ja) | 電歪材料およびその製造方法 | |
JPH111768A (ja) | 強誘電体薄膜用ターゲット、その製造方法および強誘電体薄膜 | |
US8202364B2 (en) | Method for solid-state single crystal growth | |
JP3820959B2 (ja) | 透明導電性膜およびその製造方法 | |
SU846535A1 (ru) | Способ обжига керамики на основециРКОНАТА-ТиТАНАТА СВиНцА | |
JP6299502B2 (ja) | 圧電組成物および圧電素子 | |
JPH11112050A (ja) | 圧電磁器 |