JPH09270414A - 半導体製造装置及びこれを用いたウェーハ処理方法 - Google Patents
半導体製造装置及びこれを用いたウェーハ処理方法Info
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- JPH09270414A JPH09270414A JP8241777A JP24177796A JPH09270414A JP H09270414 A JPH09270414 A JP H09270414A JP 8241777 A JP8241777 A JP 8241777A JP 24177796 A JP24177796 A JP 24177796A JP H09270414 A JPH09270414 A JP H09270414A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リンスによるウォーターマークの発生を防止す
る。 【解決手段】ウェーハを支持するスピンチャックと、ス
ピンチャックの上部に位置した第１供給ノズル及びスピ
ンチャクの下端に連結された第２供給ノズルと、第１及
び第２供給ノズルに各々連結された第１及び第２化学溶
液供給管と、第１及び第２供給ノズルに各々連結された
第１及び第２脱イオン水供給管と、第１供給ノズに連結
された親水性化溶液供給管とを備え、疎水性物質を親水
性物質に変化させた後にリンスを行うことにより、疎水
性物質と親水性物質との境界面で発生するウォーターマ
ークを防止する。
る。 【解決手段】ウェーハを支持するスピンチャックと、ス
ピンチャックの上部に位置した第１供給ノズル及びスピ
ンチャクの下端に連結された第２供給ノズルと、第１及
び第２供給ノズルに各々連結された第１及び第２化学溶
液供給管と、第１及び第２供給ノズルに各々連結された
第１及び第２脱イオン水供給管と、第１供給ノズに連結
された親水性化溶液供給管とを備え、疎水性物質を親水
性物質に変化させた後にリンスを行うことにより、疎水
性物質と親水性物質との境界面で発生するウォーターマ
ークを防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置及
びこれを用いた半導体製造方法に係り、特に、ウェーハ
を化学溶液により処理した後にリンスするスピン蝕刻装
置及びこれを用いたウェーハ処理方法に関する。
びこれを用いた半導体製造方法に係り、特に、ウェーハ
を化学溶液により処理した後にリンスするスピン蝕刻装
置及びこれを用いたウェーハ処理方法に関する。
【従来の技術】図１は、ウェーハの化学処理のための従
来の半導体製造装置としてのスピン蝕刻装置の構成を示
す概略図である。従来のスピン蝕刻装置は、ウェーハを
支持するスピンチャック10と、スピンチャック10の上部
に設けられた第１供給ノズル12と、スピンチャック10の
下端に連結された第２供給ノズル10aと、第１及び第２
供給ノズル12及び10aの各々に連結された第１及び第２
化学溶液供給管14a及び14bと、第１及び第２供給ノズル
12及び10aの各々に連結された第１及び第２脱イオン水
供給管20a及び20bとを備えている。
来の半導体製造装置としてのスピン蝕刻装置の構成を示
す概略図である。従来のスピン蝕刻装置は、ウェーハを
支持するスピンチャック10と、スピンチャック10の上部
に設けられた第１供給ノズル12と、スピンチャック10の
下端に連結された第２供給ノズル10aと、第１及び第２
供給ノズル12及び10aの各々に連結された第１及び第２
化学溶液供給管14a及び14bと、第１及び第２供給ノズル
12及び10aの各々に連結された第１及び第２脱イオン水
供給管20a及び20bとを備えている。
【０００２】各供給管14a,14b,20a及び20bには、エアバ
ルブ16a,16b,22a及び22bが夫々設けられ、対応する供給
管を通過する液体の流量を調節する。
ルブ16a,16b,22a及び22bが夫々設けられ、対応する供給
管を通過する液体の流量を調節する。
【０００３】第１化学溶液供給管14aは、化学溶液が入
っている容器18から第１管14を通して供給される化学溶
液をウェーハ30の上面に供給し、第２化学溶液供給管14
bは、化学溶液をウェーハ30の下面に供給する。また、
第１脱イオン水供給管20aは、脱イオン水供給器24aから
第２管20を通して供給される脱イオン水をウェーハ30の
上面に供給し、第２脱イオン水供給管20bは、脱イオン
水をウェーハ30の下面に供給する。ウェーハ30は、スピ
ンチャック10の縁に設けられたピン（不図示）によりス
ピンチャック10に固定される。ウェーハ30をスピンチャ
ック10に固定させた後に、第１及び第２化学溶液供給管
14a及び14bを通してウェーハ30の上面及び下面に化学溶
液を供給することにより蝕刻工程を行う。この際、スピ
ンチャック10は、矢印の方向に回転し、これによりウェ
ーハ30に供給される化学溶液をウェーハ30の全面に均一
に分散させる。その後、第１及び第２脱イオン水供給管
20a及び20bを通してウェーハ30の上面及び下面に脱イオ
ン水を供給して化学溶液により蝕刻されたウェーハ３０
をリンスする。例えば、化学溶液によりシリコンウェー
ハ30の表面に形成された酸化膜（不図示）を蝕刻する工
程の場合、化学溶液により活性化されたベアシリコン部
位（酸化膜が蝕刻された部分）と酸化膜部位との境界面
にはシリカ(ＳｉxＯy)成分の残存物が生成される。この
シリカ成分の残存物は、脱イオン水に対するベアシリコ
ン部位の表面張力と酸化膜部位の表面張力との差異によ
り、リンス時に取り除かれずに残るため、乾燥後にシリ
コン部位と酸化膜部位との境界面にシリカ成分のウォー
ターマークを発生させる。これは、酸化膜が親水性の物
質（水を引き寄せる物質）であるのに対し、ベアシリコ
ンは疎水性の物質（水と反発する物質）だからである。
即ち、親水性物質と疎水性物質が接する境界面におい
て、供給された脱イオン水が表面張力の差異により脱水
されない状態のまま乾燥されるため、この脱イオン水に
より覆われたシリカ成分の残存物もまたそのまま残るか
らである。
っている容器18から第１管14を通して供給される化学溶
液をウェーハ30の上面に供給し、第２化学溶液供給管14
bは、化学溶液をウェーハ30の下面に供給する。また、
第１脱イオン水供給管20aは、脱イオン水供給器24aから
第２管20を通して供給される脱イオン水をウェーハ30の
上面に供給し、第２脱イオン水供給管20bは、脱イオン
水をウェーハ30の下面に供給する。ウェーハ30は、スピ
ンチャック10の縁に設けられたピン（不図示）によりス
ピンチャック10に固定される。ウェーハ30をスピンチャ
ック10に固定させた後に、第１及び第２化学溶液供給管
14a及び14bを通してウェーハ30の上面及び下面に化学溶
液を供給することにより蝕刻工程を行う。この際、スピ
ンチャック10は、矢印の方向に回転し、これによりウェ
ーハ30に供給される化学溶液をウェーハ30の全面に均一
に分散させる。その後、第１及び第２脱イオン水供給管
20a及び20bを通してウェーハ30の上面及び下面に脱イオ
ン水を供給して化学溶液により蝕刻されたウェーハ３０
をリンスする。例えば、化学溶液によりシリコンウェー
ハ30の表面に形成された酸化膜（不図示）を蝕刻する工
程の場合、化学溶液により活性化されたベアシリコン部
位（酸化膜が蝕刻された部分）と酸化膜部位との境界面
にはシリカ(ＳｉxＯy)成分の残存物が生成される。この
シリカ成分の残存物は、脱イオン水に対するベアシリコ
ン部位の表面張力と酸化膜部位の表面張力との差異によ
り、リンス時に取り除かれずに残るため、乾燥後にシリ
コン部位と酸化膜部位との境界面にシリカ成分のウォー
ターマークを発生させる。これは、酸化膜が親水性の物
質（水を引き寄せる物質）であるのに対し、ベアシリコ
ンは疎水性の物質（水と反発する物質）だからである。
即ち、親水性物質と疎水性物質が接する境界面におい
て、供給された脱イオン水が表面張力の差異により脱水
されない状態のまま乾燥されるため、この脱イオン水に
より覆われたシリカ成分の残存物もまたそのまま残るか
らである。
【０００４】このウォーターマークは、後続の工程にお
いて、汚染の原因として作用するため、取り除く必要が
ある。
いて、汚染の原因として作用するため、取り除く必要が
ある。
【発明の解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、親水性物質と疎水性物質
との境界面で発生するウォーターマークを防止し得る半
導体製造装置を提供することを目的とする。また、本発
明は、かかる半導体製造装置を用いてウェーハを処理す
る方法を提供することを第２の目的とする。
に鑑みてなされたものであり、親水性物質と疎水性物質
との境界面で発生するウォーターマークを防止し得る半
導体製造装置を提供することを目的とする。また、本発
明は、かかる半導体製造装置を用いてウェーハを処理す
る方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、ウェーハを支持するス
ピンチャックと、前記スピンチャックの上端に位置した
第１供給ノズル及び前記スピンチャクの下端と連結され
た第２供給ノズルと、前記第１及び第２供給ノズルの先
端に各々連結された第１及び第２化学溶液供給管と、前
記第１及び第２供給ノズルに各々連結された第１及び第
２脱イオン水供給管と、前記第１供給ノズルに連結され
た親水性化溶液供給管とを備えることを特徴とする。本
発明の半導体製造装置において、前記各供給管には流量
調節のためのエアバルブが設けられることが望ましく、
前記親水性化溶液は過酸化水素水(H2O2)であることが望
ましい。
め、本発明の半導体製造装置は、ウェーハを支持するス
ピンチャックと、前記スピンチャックの上端に位置した
第１供給ノズル及び前記スピンチャクの下端と連結され
た第２供給ノズルと、前記第１及び第２供給ノズルの先
端に各々連結された第１及び第２化学溶液供給管と、前
記第１及び第２供給ノズルに各々連結された第１及び第
２脱イオン水供給管と、前記第１供給ノズルに連結され
た親水性化溶液供給管とを備えることを特徴とする。本
発明の半導体製造装置において、前記各供給管には流量
調節のためのエアバルブが設けられることが望ましく、
前記親水性化溶液は過酸化水素水(H2O2)であることが望
ましい。
【０００５】また、上記の目的を達成するため、本発明
の半導体製造装置は、ウェーハを支持するスピンチャク
と、前記スピンチャックの上端に位置した第１供給ノズ
ル及び前記スピンチャックの下端と連結された第２供給
ノズルと、前記第１及び第２供給ノズルの先端に各々連
結された第１及び第２化学溶液供給管と、前記第１及び
第２供給ノズルに各々連結された第１及び第２脱イオン
水供給管と、前記第１脱イオン水の供給管に連結された
親水性化溶液供給管とを備えることを特徴とする。本発
明の半導体製造装置において、前記親水性化溶液供給管
及び第１脱イオン水供給管には、各々逆流防止用のチェ
ックバルブが設けられることが望ましい。上記第２の目
的を達成するため、本発明のウェーハ処理方法は、化学
溶液によりウェーハを化学処理する第１工程と、前記ウ
ェーハを脱イオン水でリンスする第２工程と、前記脱イ
オン水でリンスしたウェーハを親水性化溶液により処理
する第３工程と、前記親水性化溶液により処理されたウ
ェーハを脱イオン水でリンスする第４工程とを備えるこ
とを特徴とする。本発明のウェーハの処理方法におい
て、前記親水性化溶液は疎水性に活性化された物質層を
親水性化させる溶液であることが望ましく、前記親水性
化溶液として過酸化水素水を用いることが望ましい。
の半導体製造装置は、ウェーハを支持するスピンチャク
と、前記スピンチャックの上端に位置した第１供給ノズ
ル及び前記スピンチャックの下端と連結された第２供給
ノズルと、前記第１及び第２供給ノズルの先端に各々連
結された第１及び第２化学溶液供給管と、前記第１及び
第２供給ノズルに各々連結された第１及び第２脱イオン
水供給管と、前記第１脱イオン水の供給管に連結された
親水性化溶液供給管とを備えることを特徴とする。本発
明の半導体製造装置において、前記親水性化溶液供給管
及び第１脱イオン水供給管には、各々逆流防止用のチェ
ックバルブが設けられることが望ましい。上記第２の目
的を達成するため、本発明のウェーハ処理方法は、化学
溶液によりウェーハを化学処理する第１工程と、前記ウ
ェーハを脱イオン水でリンスする第２工程と、前記脱イ
オン水でリンスしたウェーハを親水性化溶液により処理
する第３工程と、前記親水性化溶液により処理されたウ
ェーハを脱イオン水でリンスする第４工程とを備えるこ
とを特徴とする。本発明のウェーハの処理方法におい
て、前記親水性化溶液は疎水性に活性化された物質層を
親水性化させる溶液であることが望ましく、前記親水性
化溶液として過酸化水素水を用いることが望ましい。
【０００６】また、上記目的を達成するため、本発明の
第２の半導体製造装置は、親水性物質と疎水性物質とが
表面に存在するウェーハをリンスするための半導体製造
装置であって、ウェーハ上の疎水性物質の表面を親水性
物質に変化させる前処理手段と、前記前処理手段により
処理したウェーハをリンスするリンス手段とを備えるこ
とを特徴とする。
第２の半導体製造装置は、親水性物質と疎水性物質とが
表面に存在するウェーハをリンスするための半導体製造
装置であって、ウェーハ上の疎水性物質の表面を親水性
物質に変化させる前処理手段と、前記前処理手段により
処理したウェーハをリンスするリンス手段とを備えるこ
とを特徴とする。
【０００７】本発明に係る半導体製造装置及びこれを用
いたウェーハの処理方法に拠れば、疎水性物質を親水性
物質に変化させた後にリンスを行うことにより、疎水性
物質と親水性物質との境界面におけるウォーターマーク
の発生を防止することができる。
いたウェーハの処理方法に拠れば、疎水性物質を親水性
物質に変化させた後にリンスを行うことにより、疎水性
物質と親水性物質との境界面におけるウォーターマーク
の発生を防止することができる。
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき本発明を
さらに詳細に説明する。図２は、ウェーハ処理のための
本発明の半導体製造装置の第１実施例に係るスピン蝕刻
装置の概略構成図である。本発明の第１実施例に係るス
ピン蝕刻装置は、ウェーハ70を支持するスピンチャック
40と、スピンチャック40の上部に設けられた第１供給ノ
ズル42と、スピンチャク40の下端に連結された第２供給
ノズル40aと、第１及び第２供給ノズル42及び40aの一端
に各々連結された第１及び第２化学溶液供給管44a及び4
4bと、第１及び第２供給ノズル42及び40aの一端に各々
連結された第１及び第２脱イオン水供給管50a及び50b
と、第１供給ノズル42の一端に連結された親水性化溶液
供給管56とを備えている。
さらに詳細に説明する。図２は、ウェーハ処理のための
本発明の半導体製造装置の第１実施例に係るスピン蝕刻
装置の概略構成図である。本発明の第１実施例に係るス
ピン蝕刻装置は、ウェーハ70を支持するスピンチャック
40と、スピンチャック40の上部に設けられた第１供給ノ
ズル42と、スピンチャク40の下端に連結された第２供給
ノズル40aと、第１及び第２供給ノズル42及び40aの一端
に各々連結された第１及び第２化学溶液供給管44a及び4
4bと、第１及び第２供給ノズル42及び40aの一端に各々
連結された第１及び第２脱イオン水供給管50a及び50b
と、第１供給ノズル42の一端に連結された親水性化溶液
供給管56とを備えている。
【０００８】各供給管44a,44b,50a,50b及び56には、第
１、第２、第３、第４及び第５エアバルブ46a,46b,52a,
52b,58が夫々設けられ、対応する供給管を通過する液体
の流量を調節する。
１、第２、第３、第４及び第５エアバルブ46a,46b,52a,
52b,58が夫々設けられ、対応する供給管を通過する液体
の流量を調節する。
【０００９】第１化学溶液の供給管44aは、化学溶液が
入っている容器48から第１管44を通して供給される化学
溶液をウェーハ70の上面に供給し、第２化学溶液供給管
44bは、化学溶液をウェーハ70の下面に供給する。第１
脱イオン水供給管50aは、脱イオン水供給器54aから第２
管50を通して供給される脱イオン水をウェーハ70の上面
に供給し、第２脱イオン水供給管50bは、脱イオン水を
ウェーハ70の下面に供給する。また、親水性化溶液供給
管56は、親水性化溶液供給器60から供給された親水性化
溶液をウェーハ70の上面に供給する。
入っている容器48から第１管44を通して供給される化学
溶液をウェーハ70の上面に供給し、第２化学溶液供給管
44bは、化学溶液をウェーハ70の下面に供給する。第１
脱イオン水供給管50aは、脱イオン水供給器54aから第２
管50を通して供給される脱イオン水をウェーハ70の上面
に供給し、第２脱イオン水供給管50bは、脱イオン水を
ウェーハ70の下面に供給する。また、親水性化溶液供給
管56は、親水性化溶液供給器60から供給された親水性化
溶液をウェーハ70の上面に供給する。
【００１０】ウェーハ70は、スピンチャック40の縁に設
けられたピン（不図示）によりスピンチャック40に固定
される。また、脱イオン水がウェーハ70に供給されない
時は、脱イオン水搬送器54bに搬送される。
けられたピン（不図示）によりスピンチャック40に固定
される。また、脱イオン水がウェーハ70に供給されない
時は、脱イオン水搬送器54bに搬送される。
【００１１】親水性化溶液としては、例えば、過酸化水
素水(H2O2)が好適である。
素水(H2O2)が好適である。
【００１２】図３は、ウェーハ処理のための本発明の半
導体製造装置を示した概略図である。本発明の第２実施
例によるスピン蝕刻器は、本発明の第１実施例に係るス
ピン蝕刻器とは異なり、親水性化溶液供給管57が第１供
給ノズル42の一端に直接的に連結されずに、第１脱イオ
ン水供給管50aに連結されている。各供給管44a,44b,50
a,50b及び57には、第１、第２、第３、第４及び第５エ
アバルブ46a,46b,52a,52b,58が夫々設けられている。
導体製造装置を示した概略図である。本発明の第２実施
例によるスピン蝕刻器は、本発明の第１実施例に係るス
ピン蝕刻器とは異なり、親水性化溶液供給管57が第１供
給ノズル42の一端に直接的に連結されずに、第１脱イオ
ン水供給管50aに連結されている。各供給管44a,44b,50
a,50b及び57には、第１、第２、第３、第４及び第５エ
アバルブ46a,46b,52a,52b,58が夫々設けられている。
【００１３】また、第１脱イオン水供給管50aの下流
側、即ち親水性化溶液供給管57と第１脱イオン水供給管
50aとが連結された部分(Aで表示)と、第３エアバルブ52
aとの間には逆流防止用の第１チャックバルブ62が設け
られ、親水性化溶液供給管57の下流側、即ちA部分と第
５エアバルブ58との間には逆流防止用の第２チャックバ
ルブ64が設けられている。
側、即ち親水性化溶液供給管57と第１脱イオン水供給管
50aとが連結された部分(Aで表示)と、第３エアバルブ52
aとの間には逆流防止用の第１チャックバルブ62が設け
られ、親水性化溶液供給管57の下流側、即ちA部分と第
５エアバルブ58との間には逆流防止用の第２チャックバ
ルブ64が設けられている。
【００１４】第１チャックバルブ62は、親水性化溶液ま
たは化学溶液がウェーハ70に供給される際に、脱イオン
水が逆流することを防止する機能を有し、第２チャック
バルブ64は、化学溶液または脱イオン水がウェーハ70に
供給される際に、親水性化溶液が逆流することを防止す
る機能を有する。以下、本発明の半導体装置の製造方法
を適用したウェーハ処理方法を更に詳細に説明する。
たは化学溶液がウェーハ70に供給される際に、脱イオン
水が逆流することを防止する機能を有し、第２チャック
バルブ64は、化学溶液または脱イオン水がウェーハ70に
供給される際に、親水性化溶液が逆流することを防止す
る機能を有する。以下、本発明の半導体装置の製造方法
を適用したウェーハ処理方法を更に詳細に説明する。
【００１５】先ず、第１工程では、表面に酸化膜（不図
示）が形成されたウェーハ70をスピンチャック40に固定
する。
示）が形成されたウェーハ70をスピンチャック40に固定
する。
【００１６】続く第２工程では、第１及び第２エアバル
ブ46a及び46bを調節し、第１及び第２化学溶液供給管44
a及び44bを開放することにより、化学溶液が入っている
化学溶液容器48からウェーハ70の上面及び下面に夫々化
学溶液を供給する。この際、化学溶液は、スピンチャッ
ク40の回転（矢印で表示）により、ウェーハ70の全面に
均一に分散され、ウェーハ70の表面に形成された酸化膜
の全体或いは一部を蝕刻するよう作用する。
ブ46a及び46bを調節し、第１及び第２化学溶液供給管44
a及び44bを開放することにより、化学溶液が入っている
化学溶液容器48からウェーハ70の上面及び下面に夫々化
学溶液を供給する。この際、化学溶液は、スピンチャッ
ク40の回転（矢印で表示）により、ウェーハ70の全面に
均一に分散され、ウェーハ70の表面に形成された酸化膜
の全体或いは一部を蝕刻するよう作用する。
【００１７】続く第３工程では、第１及び第２エアバル
ブ46a及び46bを閉じて、化学溶液の供給を遮断した後
に、第３及び第４エアバルブ52a及び52bを調節して、第
１及び第２脱イオン水供給管50a及び50bを開放すること
により、脱イオン水供給器54aからウェーハ70の上面及
び下面に夫々脱イオン水を供給する。この際、ウェーハ
70に供給される脱イオン水は、ウェーハをリンスするよ
う作用をする。
ブ46a及び46bを閉じて、化学溶液の供給を遮断した後
に、第３及び第４エアバルブ52a及び52bを調節して、第
１及び第２脱イオン水供給管50a及び50bを開放すること
により、脱イオン水供給器54aからウェーハ70の上面及
び下面に夫々脱イオン水を供給する。この際、ウェーハ
70に供給される脱イオン水は、ウェーハをリンスするよ
う作用をする。
【００１８】続く第４工程では、第３及び第４エアバル
ブ52a及び52bを閉じて、脱イオン水の供給を遮断した後
に、第５エアバルブ58を調節して、親水性化溶液管57を
開放することにより、親水性化供給器60からウェーハ70
の上面に親水性化溶液を供給する。この際、ウェーハ70
に供給される親水性化溶液は、ウェーハ70に形成されて
いる疎水性物質層（例えば、酸化膜の取り除かれた後の
ベアシリコン及び多結晶シリコンなど）を親水性化す
る。
ブ52a及び52bを閉じて、脱イオン水の供給を遮断した後
に、第５エアバルブ58を調節して、親水性化溶液管57を
開放することにより、親水性化供給器60からウェーハ70
の上面に親水性化溶液を供給する。この際、ウェーハ70
に供給される親水性化溶液は、ウェーハ70に形成されて
いる疎水性物質層（例えば、酸化膜の取り除かれた後の
ベアシリコン及び多結晶シリコンなど）を親水性化す
る。
【００１９】親水性化溶液としては、上記のように、例
えば、過酸化水素水が好適である。
えば、過酸化水素水が好適である。
【００２０】続く第５工程では、第５エアバルブ58を閉
じて、親水性化溶液の供給を遮断した後に、第３及び第
４エアバルブ52a及び52bを調節して、第１及び第２脱イ
オン水供給管50a及び50bを開放することにより、親水性
化されたウェーハに脱イオン水を供給する。この際、供
給される脱イオン水は、ウェーハ70をリンスするよう作
用する。
じて、親水性化溶液の供給を遮断した後に、第３及び第
４エアバルブ52a及び52bを調節して、第１及び第２脱イ
オン水供給管50a及び50bを開放することにより、親水性
化されたウェーハに脱イオン水を供給する。この際、供
給される脱イオン水は、ウェーハ70をリンスするよう作
用する。
【００２１】続く第６工程では、第３及び第４エアバル
ブ52a及び52bを閉めて、脱イオン水の供給を遮断した後
に、スピンチャック40を回転させウェーハを乾燥させ
る。
ブ52a及び52bを閉めて、脱イオン水の供給を遮断した後
に、スピンチャック40を回転させウェーハを乾燥させ
る。
【００２２】上記のウェーハ処理方法に拠れば、ウェー
ハに形成された疎水性物質層は、上記の第４工程より親
水性化される。従って、第５工程において、脱イオン水
は、親水性物質層（第４工程を施す前から親水性であっ
た物質層）及び親水性化された物質層（第４工程により
親水性化された物質層）に供給されることになるため、
ウェーハ７０上には表面張力差によるウォーターマーク
が発生しない。即ち、上記第２工程において発生したシ
リカ成分の残存物は、第５工程において供給される脱イ
オン水により完全に取り除かれる。
ハに形成された疎水性物質層は、上記の第４工程より親
水性化される。従って、第５工程において、脱イオン水
は、親水性物質層（第４工程を施す前から親水性であっ
た物質層）及び親水性化された物質層（第４工程により
親水性化された物質層）に供給されることになるため、
ウェーハ７０上には表面張力差によるウォーターマーク
が発生しない。即ち、上記第２工程において発生したシ
リカ成分の残存物は、第５工程において供給される脱イ
オン水により完全に取り除かれる。
【００２３】上記の実施例においては、親水性化溶液と
して過酸化水素水を用いたが、本発明は、過酸化水素水
以外の親水性化溶液であっても、疎水性物質層を親水性
化し得るあらゆる溶液に適用できる。本発明は、上記の
実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内
で様々な変形が可能であることは、当分野において通常
の知識を有する者に容易に理解される。
して過酸化水素水を用いたが、本発明は、過酸化水素水
以外の親水性化溶液であっても、疎水性物質層を親水性
化し得るあらゆる溶液に適用できる。本発明は、上記の
実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内
で様々な変形が可能であることは、当分野において通常
の知識を有する者に容易に理解される。
【００２４】
【発明の効果】本発明に拠れば、疎水性物質を親水性物
質に変化させた後にリンスを行うことにより疎水性物質
と親水性物質との境界面におけるウォーターマークの発
生を防止することができる。
質に変化させた後にリンスを行うことにより疎水性物質
と親水性物質との境界面におけるウォーターマークの発
生を防止することができる。
【００２５】
【図１】ウェーハ処理のための従来の半導体製造装置を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図２】ウェーハ処理のための本発明の半導体製造装置
の第１実施例に係るスピン蝕刻装置の概略構成図であ
る。
の第１実施例に係るスピン蝕刻装置の概略構成図であ
る。
【図３】ウェーハ処理のための本発明の半導体製造装置
の第２実施例に係るスピン蝕刻装置の概略構成図であ
る。
の第２実施例に係るスピン蝕刻装置の概略構成図であ
る。
Claims (9)
- 【請求項１】 ウェーハを支持するスピンチャックと、 前記スピンチャックの上部に配された第１供給ノズル
と、 前記スピンチャックの下端に連結された第２供給ノズル
と、 前記第１及び第２供給ノズルに夫々連結された第１及び
第２化学溶液供給管と、 前記第１及び第２供給ノズルに夫々連結された第１及び
第２脱イオン水供給管と、 前記第１供給ノズルに連結された親水性化溶液の供給管
と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記の各供給管には、流量調節のための
バルブが設けられていることを特徴とする請求項１に記
載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記親水性化溶液は、過酸化水素水であ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 ウェーハを支持するスピンチャクと、 前記スピンチャックの上部に配された第１供給ノズル
と、 前記スピンチャックの下端に連結された第２供給ノズル
と、 前記第１及び第２供給ノズルに夫々連結された第１及び
第２化学溶液供給管と、 前記第１及び第２供給ノズルに夫々連結された第１及び
第２脱イオン水供給管と、 前記第１脱イオン水供給管に連結された親水性化溶液の
供給管と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記親水性化溶液供給管及び前記第１脱
イオン水供給管には、夫々逆流防止用のバルブが設けら
れていることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項６】 化学溶液によりウェーハを化学処理する
第１工程と、 前記ウェーハを脱イオン水でリンスする第２工程と、 前記脱イオン水でリンスしたウェーハを親水性化溶液に
より処理する第３工程と、 前記親水化溶液により処理されたウェーハを脱イオン水
でリンスする第４工程と、 を含むことを特徴とするウェーハ処理方法。 - 【請求項７】 前記親水性化溶液は、疎水性の物質層を
親水性化する溶液であることを特徴とする請求項６に記
載のウェーハ処理方法。 - 【請求項８】 前記親水性化溶液として過酸化水素水を
用いることを特徴とする請求項７に記載のウェーハ処理
方法。 - 【請求項９】 親水性物質と疎水性物質とが表面に存在
するウェーハをリンスするための半導体製造装置であっ
て、 ウェーハ上の疎水性物質の表面を親水性物質に変化させ
る前処理手段と、 前記前処理手段により処理したウェーハをリンスするリ
ンス手段と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960009576A KR0183834B1 (ko) | 1996-03-30 | 1996-03-30 | 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 |
| KR96-9576 | 1996-03-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270414A true JPH09270414A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=19454688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8241777A Pending JPH09270414A (ja) | 1996-03-30 | 1996-09-12 | 半導体製造装置及びこれを用いたウェーハ処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6021786A (ja) |
| JP (1) | JPH09270414A (ja) |
| KR (1) | KR0183834B1 (ja) |
| TW (1) | TW303482B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022196072A1 (ja) * | 2021-03-18 | 2022-09-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
| WO2024014291A1 (ja) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、および基板処理装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3563605B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2004-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US20030192577A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| US20030192570A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for wafer cleaning |
| CN100343957C (zh) * | 2003-12-25 | 2007-10-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆喷洗装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61279858A (ja) * | 1985-06-05 | 1986-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | ネガレジスト現像装置 |
| US5296266A (en) * | 1990-02-22 | 1994-03-22 | Seiko Epson Corporation | Method of preparing microcapsule |
| JP3341033B2 (ja) * | 1993-06-22 | 2002-11-05 | 忠弘 大見 | 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH08108125A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-04-30 | Sony Disc Technol:Kk | 液供給装置 |
-
1996
- 1996-03-30 KR KR1019960009576A patent/KR0183834B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-06 TW TW085109539A patent/TW303482B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-12 JP JP8241777A patent/JPH09270414A/ja active Pending
-
1999
- 1999-01-27 US US09/237,885 patent/US6021786A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022196072A1 (ja) * | 2021-03-18 | 2022-09-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
| TWI826904B (zh) * | 2021-03-18 | 2023-12-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
| WO2024014291A1 (ja) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6021786A (en) | 2000-02-08 |
| TW303482B (en) | 1997-04-21 |
| KR0183834B1 (ko) | 1999-04-15 |
| KR970067688A (ko) | 1997-10-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041108 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050204 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050307 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050729 |