JPH09270411A - 半導体装置の製造環境の汚染度の測定方法 - Google Patents
半導体装置の製造環境の汚染度の測定方法Info
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- JPH09270411A JPH09270411A JP10374096A JP10374096A JPH09270411A JP H09270411 A JPH09270411 A JP H09270411A JP 10374096 A JP10374096 A JP 10374096A JP 10374096 A JP10374096 A JP 10374096A JP H09270411 A JPH09270411 A JP H09270411A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄液や半導体洗浄装置等の半導体装置の製
造環境の汚染度を正確に且つ高感度で測定する。 【解決手段】 ｎ型の半導体基板の表面に膜厚が１００
〜７００Åの酸化膜を形成し（ステップＳ２）、洗浄液
で洗浄（ステップＳ３）した後に酸化膜の表面の固定電
荷量を測定し（ステップＳ４）、固定電荷量と金属不純
物量との相関関係から金属不純物量を求める（ステップ
Ｓ５）。半導体基板がｎ型であるので、多種類の金属不
純物を検出することができ、また、膜厚が１００〜７０
０Åの酸化膜を予め形成しているので、洗浄後の自然酸
化膜の経時的な成長を防止することができて、洗浄から
の経過時間によって固定電荷量が変動しにくく且つ固定
電荷量の絶対値が大きい。
造環境の汚染度を正確に且つ高感度で測定する。 【解決手段】 ｎ型の半導体基板の表面に膜厚が１００
〜７００Åの酸化膜を形成し（ステップＳ２）、洗浄液
で洗浄（ステップＳ３）した後に酸化膜の表面の固定電
荷量を測定し（ステップＳ４）、固定電荷量と金属不純
物量との相関関係から金属不純物量を求める（ステップ
Ｓ５）。半導体基板がｎ型であるので、多種類の金属不
純物を検出することができ、また、膜厚が１００〜７０
０Åの酸化膜を予め形成しているので、洗浄後の自然酸
化膜の経時的な成長を防止することができて、洗浄から
の経過時間によって固定電荷量が変動しにくく且つ固定
電荷量の絶対値が大きい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体洗浄装置や
洗浄液などの半導体装置の製造環境が金属不純物で汚染
されている度合いを測定する方法に関するものである。
洗浄液などの半導体装置の製造環境が金属不純物で汚染
されている度合いを測定する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の表面に金属不純物が付着す
ると、この金属不純物に起因する固定電荷が半導体基板
の表面に発生し、固定電荷と逆導電型の反転層または空
乏層が半導体基板に形成されるので、表面光電圧法（Ｓ
ＰＶ法）で固定電荷量を測定することによって、予め分
かっている固定電荷量と金属不純物量との相関関係から
半導体基板の表面における金属不純物量を求めることが
できる（例えば、特開平４−４８６２８号公報及び特開
平５−４１４３３号公報）。
ると、この金属不純物に起因する固定電荷が半導体基板
の表面に発生し、固定電荷と逆導電型の反転層または空
乏層が半導体基板に形成されるので、表面光電圧法（Ｓ
ＰＶ法）で固定電荷量を測定することによって、予め分
かっている固定電荷量と金属不純物量との相関関係から
半導体基板の表面における金属不純物量を求めることが
できる（例えば、特開平４−４８６２８号公報及び特開
平５−４１４３３号公報）。
【０００３】従って、例えば半導体洗浄装置内に貯留さ
れていた洗浄液で半導体基板の表面を洗浄した後に、上
述の方法で半導体基板の表面における金属不純物量を求
めれば、洗浄液が金属不純物で汚染されている度合い引
いてはこの洗浄液が貯留されていた半導体洗浄装置が金
属不純物で汚染されている度合いを間接的に測定するこ
とができるので、半導体洗浄装置の清浄化が必要な時期
等を知ることができる。
れていた洗浄液で半導体基板の表面を洗浄した後に、上
述の方法で半導体基板の表面における金属不純物量を求
めれば、洗浄液が金属不純物で汚染されている度合い引
いてはこの洗浄液が貯留されていた半導体洗浄装置が金
属不純物で汚染されている度合いを間接的に測定するこ
とができるので、半導体洗浄装置の清浄化が必要な時期
等を知ることができる。
【０００４】そして、表面に付着している金属不純物の
量を表面光電圧法で求める際の半導体基板としては、弗
酸水溶液が洗浄液である場合は表面が露出しているｐ型
の半導体基板が用いられ、アンモニア水溶液（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と水（Ｈ2 Ｏ）との混
合液から成るアルカリ性溶液または塩酸（ＨＣｌ）と過
酸化水素水と水との混合液から成る酸性溶液が洗浄液で
ある場合は表面が露出しているｎ型の半導体基板が用い
られてきた（例えば、特開平４−４８６２８号公報）。
量を表面光電圧法で求める際の半導体基板としては、弗
酸水溶液が洗浄液である場合は表面が露出しているｐ型
の半導体基板が用いられ、アンモニア水溶液（ＮＨ4 Ｏ
Ｈ）と過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）と水（Ｈ2 Ｏ）との混
合液から成るアルカリ性溶液または塩酸（ＨＣｌ）と過
酸化水素水と水との混合液から成る酸性溶液が洗浄液で
ある場合は表面が露出しているｎ型の半導体基板が用い
られてきた（例えば、特開平４−４８６２８号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４から明
らかなように、ｎ型の半導体基板をモニターとして用い
た場合は、鉄、ニッケル、銅の遷移金属や、カルシウ
ム、マグネシウム、アルミニウムの軽金属等のように、
半導体装置の製造工程で特に制御が必要とされている殆
どの金属不純物において、洗浄液による処理（洗浄）前
と処理（洗浄）後とで半導体基板の表面における固定電
荷量が大幅に変化しているので、これらの金属不純物を
表面光電圧法で検出することが可能である。
らかなように、ｎ型の半導体基板をモニターとして用い
た場合は、鉄、ニッケル、銅の遷移金属や、カルシウ
ム、マグネシウム、アルミニウムの軽金属等のように、
半導体装置の製造工程で特に制御が必要とされている殆
どの金属不純物において、洗浄液による処理（洗浄）前
と処理（洗浄）後とで半導体基板の表面における固定電
荷量が大幅に変化しているので、これらの金属不純物を
表面光電圧法で検出することが可能である。
【０００６】しかし、図５から明らかなように、ｐ型の
半導体基板をモニターとして用いた場合は、洗浄液によ
る処理（洗浄）前と処理（洗浄）後とで半導体基板の表
面における固定電荷量が大幅に変化するのは、ナトリウ
ムやタングステン等の一部の金属不純物のみであるの
で、表面光電圧法ではこれらの金属不純物しか良好な感
度で検出することができない。従って、金属不純物を表
面光電圧法で検出するためには、ｎ型の半導体基板をモ
ニターとして用いる必要がある。
半導体基板をモニターとして用いた場合は、洗浄液によ
る処理（洗浄）前と処理（洗浄）後とで半導体基板の表
面における固定電荷量が大幅に変化するのは、ナトリウ
ムやタングステン等の一部の金属不純物のみであるの
で、表面光電圧法ではこれらの金属不純物しか良好な感
度で検出することができない。従って、金属不純物を表
面光電圧法で検出するためには、ｎ型の半導体基板をモ
ニターとして用いる必要がある。
【０００７】ところが、表面が露出している半導体基板
を洗浄液で洗浄すると、洗浄後の半導体基板の表面に自
然酸化膜（化学的酸化膜）が経時的に成長することが知
られている。自然酸化膜は、半導体基板の表面付近の酸
素原子が半導体元素同士の結合を切断し、この切断され
た結合手と酸素原子とが結びつくことによって成長す
る。
を洗浄液で洗浄すると、洗浄後の半導体基板の表面に自
然酸化膜（化学的酸化膜）が経時的に成長することが知
られている。自然酸化膜は、半導体基板の表面付近の酸
素原子が半導体元素同士の結合を切断し、この切断され
た結合手と酸素原子とが結びつくことによって成長す
る。
【０００８】そして、酸素は電気陰性度が高いので、自
然酸化膜が成長する過程で半導体基板の表面における固
定電荷量が経時的に変化する。このため、図６に示すよ
うに、特に、半導体基板の内部におけるフェルミレベル
と半導体基板の表面におけるフェルミレベルとの差であ
る表面バリアが低いｎ型の半導体基板では、自然酸化膜
の影響によって、半導体基板を洗浄液で洗浄してから固
定電荷量を測定するまでの時間に依存して、求められた
金属不純物量が大幅に変動していた。
然酸化膜が成長する過程で半導体基板の表面における固
定電荷量が経時的に変化する。このため、図６に示すよ
うに、特に、半導体基板の内部におけるフェルミレベル
と半導体基板の表面におけるフェルミレベルとの差であ
る表面バリアが低いｎ型の半導体基板では、自然酸化膜
の影響によって、半導体基板を洗浄液で洗浄してから固
定電荷量を測定するまでの時間に依存して、求められた
金属不純物量が大幅に変動していた。
【０００９】つまり、表面が露出しているｐ型の半導体
基板をモニターとして用いると、一部の金属不純物しか
検出することができず、表面が露出しているｎ型の半導
体基板をモニターとして用いると、洗浄からの経過時間
に依存して、求められた金属不純物量が大幅に変動し、
何れにしても、従来の方法では、半導体洗浄装置が金属
不純物で汚染されている度合いを正確に測定することが
困難であった。
基板をモニターとして用いると、一部の金属不純物しか
検出することができず、表面が露出しているｎ型の半導
体基板をモニターとして用いると、洗浄からの経過時間
に依存して、求められた金属不純物量が大幅に変動し、
何れにしても、従来の方法では、半導体洗浄装置が金属
不純物で汚染されている度合いを正確に測定することが
困難であった。
【００１０】そこで、本発明は、遷移金属から軽金属ま
で多種類の金属不純物を検出することができ且つ金属不
純物に起因する固定電荷量が洗浄からの経過時間によっ
て変動しにくく、洗浄液が使用される半導体洗浄装置等
の半導体装置の製造環境の汚染度を正確に測定すること
ができ、しかも、金属不純物に起因する固定電荷量の絶
対値が大きく半導体装置の製造環境の汚染度を高感度で
測定することができる方法を提供することを目的として
いる。
で多種類の金属不純物を検出することができ且つ金属不
純物に起因する固定電荷量が洗浄からの経過時間によっ
て変動しにくく、洗浄液が使用される半導体洗浄装置等
の半導体装置の製造環境の汚染度を正確に測定すること
ができ、しかも、金属不純物に起因する固定電荷量の絶
対値が大きく半導体装置の製造環境の汚染度を高感度で
測定することができる方法を提供することを目的として
いる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体装置の製造環境の汚染度の測定
方法は、ｎ型の半導体基板の表面に酸化膜を形成する工
程と、洗浄液により前記酸化膜の表面を洗浄する工程
と、前記洗浄の後に、前記酸化膜上に存在する金属不純
物に起因する固定電荷量を測定する工程とを具備してお
り、前記固定電荷量と前記酸化膜上における金属不純物
量との相関関係に基づいてこの金属不純物量を求める。
に、本発明による半導体装置の製造環境の汚染度の測定
方法は、ｎ型の半導体基板の表面に酸化膜を形成する工
程と、洗浄液により前記酸化膜の表面を洗浄する工程
と、前記洗浄の後に、前記酸化膜上に存在する金属不純
物に起因する固定電荷量を測定する工程とを具備してお
り、前記固定電荷量と前記酸化膜上における金属不純物
量との相関関係に基づいてこの金属不純物量を求める。
【００１２】本発明の一態様においては、前記酸化膜の
膜厚が１００〜７００Åである。
膜厚が１００〜７００Åである。
【００１３】本発明による半導体装置の製造環境の汚染
度の測定方法では、金属不純物量とこの金属不純物に起
因する固定電荷量との相関関係から半導体装置の製造環
境の汚染度を測定するに際して、ｎ型の半導体基板をモ
ニターとして用いているので、遷移金属から軽金属まで
多種類の金属不純物を検出することができる。
度の測定方法では、金属不純物量とこの金属不純物に起
因する固定電荷量との相関関係から半導体装置の製造環
境の汚染度を測定するに際して、ｎ型の半導体基板をモ
ニターとして用いているので、遷移金属から軽金属まで
多種類の金属不純物を検出することができる。
【００１４】また、ｎ型の半導体基板の表面に膜厚が例
えば１００〜７００Åの酸化膜を予め形成した後に、例
えば半導体洗浄装置内に貯留されていた洗浄液で酸化膜
の表面を洗浄している。このため、洗浄後の半導体基板
の表面に自然酸化膜が経時的に成長することを防止する
ことができて、金属不純物に起因する固定電荷量が洗浄
からの経過時間によって変動しにくく、しかも、この固
定電荷量の絶対値が大きい。
えば１００〜７００Åの酸化膜を予め形成した後に、例
えば半導体洗浄装置内に貯留されていた洗浄液で酸化膜
の表面を洗浄している。このため、洗浄後の半導体基板
の表面に自然酸化膜が経時的に成長することを防止する
ことができて、金属不純物に起因する固定電荷量が洗浄
からの経過時間によって変動しにくく、しかも、この固
定電荷量の絶対値が大きい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図１〜３を参照しながら説明する。
て、図１〜３を参照しながら説明する。
【００１６】本実施形態の方法では、図３に示すよう
に、まずｎ型の半導体基板を準備し（ステップＳ１）、
その表面に膜厚が例えば１００〜７００Åの熱酸化膜を
形成した後（ステップＳ２）、例えば半導体洗浄装置内
に貯留されており、半導体洗浄装置の汚染が吸収された
洗浄液で熱酸化膜の表面を洗浄する（ステップＳ３）。
但し、弗酸等のように熱酸化膜を容易にエッチングする
洗浄液を用いる場合は、半導体基板の表面に形成した熱
酸化膜が完全には除去されない程度の洗浄時間を選択す
る。
に、まずｎ型の半導体基板を準備し（ステップＳ１）、
その表面に膜厚が例えば１００〜７００Åの熱酸化膜を
形成した後（ステップＳ２）、例えば半導体洗浄装置内
に貯留されており、半導体洗浄装置の汚染が吸収された
洗浄液で熱酸化膜の表面を洗浄する（ステップＳ３）。
但し、弗酸等のように熱酸化膜を容易にエッチングする
洗浄液を用いる場合は、半導体基板の表面に形成した熱
酸化膜が完全には除去されない程度の洗浄時間を選択す
る。
【００１７】そして、洗浄後に半導体基板の表面におけ
る固定電荷量を表面光電圧法で測定し（ステップＳ
４）、予め分かっている固定電荷量と金属不純物量との
相関関係に基づいて半導体基板の表面における金属不純
物量を定量し（ステップＳ５）、この金属不純物量に基
づいて半導体洗浄装置の汚染度を得る。
る固定電荷量を表面光電圧法で測定し（ステップＳ
４）、予め分かっている固定電荷量と金属不純物量との
相関関係に基づいて半導体基板の表面における金属不純
物量を定量し（ステップＳ５）、この金属不純物量に基
づいて半導体洗浄装置の汚染度を得る。
【００１８】次に、本実施形態において、酸化膜の膜厚
の好適な範囲について説明する。
の好適な範囲について説明する。
【００１９】図１は、銅の濃度が１０ｐｐｍである洗浄
液でｎ型の半導体基板を洗浄してからの経過時間と、こ
の半導体基板の表面における固定電荷量との関係を、熱
酸化膜の膜厚別に示している。この図１から、熱酸化膜
の膜厚が１００Å以上であれば、洗浄からの経過時間に
よる固定電荷量の変動が少なく、特に洗浄からの経過時
間が１００時間以下の場合に固定電荷量の変動が少ない
ことが分かる。
液でｎ型の半導体基板を洗浄してからの経過時間と、こ
の半導体基板の表面における固定電荷量との関係を、熱
酸化膜の膜厚別に示している。この図１から、熱酸化膜
の膜厚が１００Å以上であれば、洗浄からの経過時間に
よる固定電荷量の変動が少なく、特に洗浄からの経過時
間が１００時間以下の場合に固定電荷量の変動が少ない
ことが分かる。
【００２０】一方、図２は、図１の場合と同様の洗浄を
行ってから３０分を経過した時点における熱酸化膜の膜
厚と半導体基板の表面における固定電荷量との関係を示
している。この図２から、熱酸化膜の膜厚が１００Å以
上且つ７００Å以下であれば、熱酸化膜を形成しない場
合つまり熱酸化膜の膜厚が０Åである場合よりも固定電
荷量の絶対値が大きく、熱酸化膜の膜厚が１００Å以上
且つ４００Å以下であれば、固定電荷量の絶対値が特に
大きいことが分かる。
行ってから３０分を経過した時点における熱酸化膜の膜
厚と半導体基板の表面における固定電荷量との関係を示
している。この図２から、熱酸化膜の膜厚が１００Å以
上且つ７００Å以下であれば、熱酸化膜を形成しない場
合つまり熱酸化膜の膜厚が０Åである場合よりも固定電
荷量の絶対値が大きく、熱酸化膜の膜厚が１００Å以上
且つ４００Å以下であれば、固定電荷量の絶対値が特に
大きいことが分かる。
【００２１】つまり、本実施形態では、ｎ型の半導体基
板をモニターとして用いているので、遷移金属から軽金
属まで多種類の金属不純物を検出することができる。し
かも、ｎ型の半導体基板の表面に膜厚が１００〜７００
Åの熱酸化膜を予め形成した後に洗浄液で熱酸化膜の表
面を洗浄しているので、洗浄からの経過時間による固定
電荷量の変動が少なく且つ固定電荷量の絶対値が大き
い。
板をモニターとして用いているので、遷移金属から軽金
属まで多種類の金属不純物を検出することができる。し
かも、ｎ型の半導体基板の表面に膜厚が１００〜７００
Åの熱酸化膜を予め形成した後に洗浄液で熱酸化膜の表
面を洗浄しているので、洗浄からの経過時間による固定
電荷量の変動が少なく且つ固定電荷量の絶対値が大き
い。
【００２２】なお、以上の実施形態では、洗浄液による
洗浄の前に半導体基板の表面に熱酸化膜を形成している
が、熱酸化膜を形成する代わりに、減圧ＣＶＤ法等で半
導体基板の表面に酸化膜を堆積させてもよい。また、本
実施形態において、実際の半導体製造工程で用いられる
洗浄液を用いることにより、この洗浄液の汚染度を含ん
だ半導体装置の製造環境の汚染度を得ることができる。
例えば、半導体洗浄装置の汚染度が低い場合には、洗浄
液の汚染度だけを高い精度で知ることができる。
洗浄の前に半導体基板の表面に熱酸化膜を形成している
が、熱酸化膜を形成する代わりに、減圧ＣＶＤ法等で半
導体基板の表面に酸化膜を堆積させてもよい。また、本
実施形態において、実際の半導体製造工程で用いられる
洗浄液を用いることにより、この洗浄液の汚染度を含ん
だ半導体装置の製造環境の汚染度を得ることができる。
例えば、半導体洗浄装置の汚染度が低い場合には、洗浄
液の汚染度だけを高い精度で知ることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体装置の製造環境の汚染度の測定方法では、遷移金属か
ら軽金属まで多種類の金属不純物を検出することができ
且つ金属不純物に起因する固定電荷量が洗浄からの経過
時間によって変動しにくいので、洗浄液や半導体洗浄装
置等の半導体装置の製造環境の汚染度を正確に測定する
ことができ、しかも、金属不純物に起因する固定電荷量
の絶対値が大きいので、半導体装置の製造環境の汚染度
を高感度で測定することができる。
体装置の製造環境の汚染度の測定方法では、遷移金属か
ら軽金属まで多種類の金属不純物を検出することができ
且つ金属不純物に起因する固定電荷量が洗浄からの経過
時間によって変動しにくいので、洗浄液や半導体洗浄装
置等の半導体装置の製造環境の汚染度を正確に測定する
ことができ、しかも、金属不純物に起因する固定電荷量
の絶対値が大きいので、半導体装置の製造環境の汚染度
を高感度で測定することができる。
【図１】銅の濃度が１０ｐｐｍである洗浄液でｎ型の半
導体基板を洗浄してからの経過時間と、この半導体基板
の表面における固定電荷量との関係を、熱酸化膜の膜厚
別に示すグラフである。
導体基板を洗浄してからの経過時間と、この半導体基板
の表面における固定電荷量との関係を、熱酸化膜の膜厚
別に示すグラフである。
【図２】図１の場合と同様の洗浄を行ってから３０分を
経過した時点における熱酸化膜の膜厚と半導体基板の表
面における固定電荷量との関係を示すグラフである。
経過した時点における熱酸化膜の膜厚と半導体基板の表
面における固定電荷量との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態のフローチャートである。
【図４】各種の金属不純物で汚染されている洗浄液でｎ
型の半導体基板を洗浄する前後のこの半導体基板の表面
における固定電荷量の変化を示すグラフである。
型の半導体基板を洗浄する前後のこの半導体基板の表面
における固定電荷量の変化を示すグラフである。
【図５】各種の金属不純物で汚染されている洗浄液でｐ
型の半導体基板を洗浄する前後のこの半導体基板の表面
における固定電荷量の変化を示すグラフである。
型の半導体基板を洗浄する前後のこの半導体基板の表面
における固定電荷量の変化を示すグラフである。
【図６】弗酸及びアンモニア過水で半導体基板を洗浄し
てからの経過時間と、この半導体基板の表面における固
定電荷量との関係を示すグラフである。
てからの経過時間と、この半導体基板の表面における固
定電荷量との関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型の半導体基板の表面に酸化膜を形成
する工程と、 洗浄液により前記酸化膜の表面を洗浄する工程と、 前記洗浄の後に、前記酸化膜上に存在する金属不純物に
起因する固定電荷量を測定する工程とを具備しており、 前記固定電荷量と前記酸化膜上における金属不純物量と
の相関関係に基づいてこの金属不純物量を求めることを
特徴とする半導体装置の製造環境の汚染度の測定方法。 - 【請求項２】 前記酸化膜の膜厚が１００〜７００Åで
あることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製
造環境の汚染度の測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374096A JPH09270411A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体装置の製造環境の汚染度の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374096A JPH09270411A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体装置の製造環境の汚染度の測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270411A true JPH09270411A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=14362020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10374096A Withdrawn JPH09270411A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 半導体装置の製造環境の汚染度の測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270411A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6037182A (en) * | 1997-12-29 | 2000-03-14 | Vlsi Technology, Inc. | Method for detecting a location of contaminant entry in a processing fluid production and distribution system |
| KR100424120B1 (ko) * | 1996-12-18 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 감광막이 아민에 오염되는 정도를 측정하는 방법 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP10374096A patent/JPH09270411A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100424120B1 (ko) * | 1996-12-18 | 2004-06-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 감광막이 아민에 오염되는 정도를 측정하는 방법 |
| US6037182A (en) * | 1997-12-29 | 2000-03-14 | Vlsi Technology, Inc. | Method for detecting a location of contaminant entry in a processing fluid production and distribution system |
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