JPH09269504A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH09269504A JPH09269504A JP7679296A JP7679296A JPH09269504A JP H09269504 A JPH09269504 A JP H09269504A JP 7679296 A JP7679296 A JP 7679296A JP 7679296 A JP7679296 A JP 7679296A JP H09269504 A JPH09269504 A JP H09269504A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 白輝度の低下や残像の発生を軽減させる。
【解決手段】 ＩＰＳ（インプレインスイッチング）方
式のアクティブマトリクスＬＣＤでは、透明基板１１，
１２が液晶層１４を挟んで近接対向して配され、その基
板１１の内面に、ブラックマトリクス４１が、外面に偏
光板２１がそれぞれ配される。基板１２の内面に薄膜ト
ランジスタ３３，画素電極１５及び共通電極１６を含む
画素領域部３０がマトリクス状に形成され、外面に偏光
板２２が配される。この発明では、ブラックマトリクス
４１が導電材料より成り、そのブラックマトリクス４１
と共通電極１６とが更に導電材料４３で短絡される。
式のアクティブマトリクスＬＣＤでは、透明基板１１，
１２が液晶層１４を挟んで近接対向して配され、その基
板１１の内面に、ブラックマトリクス４１が、外面に偏
光板２１がそれぞれ配される。基板１２の内面に薄膜ト
ランジスタ３３，画素電極１５及び共通電極１６を含む
画素領域部３０がマトリクス状に形成され、外面に偏光
板２２が配される。この発明では、ブラックマトリクス
４１が導電材料より成り、そのブラックマトリクス４１
と共通電極１６とが更に導電材料４３で短絡される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はＩＰＳ（イン・プ
レイン・スイッチング）方式の液晶表示素子（ＬＣＤ）
に関し、特にアクティブマトリクス型ＬＣＤの表示特性
の改善（白輝度の向上と残像の軽減）に関する。
レイン・スイッチング）方式の液晶表示素子（ＬＣＤ）
に関し、特にアクティブマトリクス型ＬＣＤの表示特性
の改善（白輝度の向上と残像の軽減）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＣＤは軽量・薄型・低消費電力
などの特性を生かし、各種情報機器端末やビデオ機器な
どに使用されている。これらのＬＣＤはＴＮ（ツイスト
・ネマチック）やＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチ
ック）形に代表されるＬＣＤが大部分であった。しかし
この従来のＬＣＤは実用化されているが、視野角が比較
的狭いという問題があった。
などの特性を生かし、各種情報機器端末やビデオ機器な
どに使用されている。これらのＬＣＤはＴＮ（ツイスト
・ネマチック）やＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチ
ック）形に代表されるＬＣＤが大部分であった。しかし
この従来のＬＣＤは実用化されているが、視野角が比較
的狭いという問題があった。
【０００３】このような点から、イン・プレイン・スイ
ッチング（ＩＰＳ：In-Plane-Switching) 方式のＬＣＤ
の提案がなされている（例えば文献 JAPAN DISPLAY '92
-547〜550 R.Kiefer他、"P2-30 In-Plane Switching of
Nematic Liquid Crystals"）。このＩＰＳ方式のＬＣ
Ｄは櫛歯状の電極が対向して形成された基板と、電極が
形成されていない基板との間に液晶が封入された構造を
している。
ッチング（ＩＰＳ：In-Plane-Switching) 方式のＬＣＤ
の提案がなされている（例えば文献 JAPAN DISPLAY '92
-547〜550 R.Kiefer他、"P2-30 In-Plane Switching of
Nematic Liquid Crystals"）。このＩＰＳ方式のＬＣ
Ｄは櫛歯状の電極が対向して形成された基板と、電極が
形成されていない基板との間に液晶が封入された構造を
している。
【０００４】例えば図３に示すように、ガラスのような
透明基板１１，１２の周囲がシール材１３で封止固定さ
れ、これら基板１１，１２，シール材１３によって形成
された空間内にｎ形液晶（誘電率異方性が負の液晶）１
４が封入される。一方の基板１２の内面に、図４Ａに示
すような一対の櫛歯状の電極１５と１６とが互いに噛み
合った状態で形成され、他方の基板１１には電極は形成
されていない。基板１１，１２の各内面に配向膜１７，
１８がそれぞれ形成され、これら配向膜１７，１８はそ
れぞれ、電極１５，１６の各歯の長手方向と直交する方
向に配向処理がなされている。その配向方向をそれぞれ
矢印１９，２０で示す。従って液晶１４の液晶分子１４
ａの長軸は電極１５，１６の各歯の長手方向と直角な方
向で、かつ基板１１，１２とそれぞれ平行に配向されて
いる。基板１１，１２の外面にそれぞれ偏光板２１，２
２が形成され、一方の偏光板２１の偏光方向２３は配向
方向１９と同一とされているが、他方の偏光板２２の偏
光方向２４は配向方向２０，偏光方向２３と直交する方
向とされている。また電極１５，１６の各歯の長手方向
と平行な方向で、かつ基板１１，１２とそれぞれ平行に
配向されたｐ形液晶（誘電率異方性が正の液晶）でもよ
い。
透明基板１１，１２の周囲がシール材１３で封止固定さ
れ、これら基板１１，１２，シール材１３によって形成
された空間内にｎ形液晶（誘電率異方性が負の液晶）１
４が封入される。一方の基板１２の内面に、図４Ａに示
すような一対の櫛歯状の電極１５と１６とが互いに噛み
合った状態で形成され、他方の基板１１には電極は形成
されていない。基板１１，１２の各内面に配向膜１７，
１８がそれぞれ形成され、これら配向膜１７，１８はそ
れぞれ、電極１５，１６の各歯の長手方向と直交する方
向に配向処理がなされている。その配向方向をそれぞれ
矢印１９，２０で示す。従って液晶１４の液晶分子１４
ａの長軸は電極１５，１６の各歯の長手方向と直角な方
向で、かつ基板１１，１２とそれぞれ平行に配向されて
いる。基板１１，１２の外面にそれぞれ偏光板２１，２
２が形成され、一方の偏光板２１の偏光方向２３は配向
方向１９と同一とされているが、他方の偏光板２２の偏
光方向２４は配向方向２０，偏光方向２３と直交する方
向とされている。また電極１５，１６の各歯の長手方向
と平行な方向で、かつ基板１１，１２とそれぞれ平行に
配向されたｐ形液晶（誘電率異方性が正の液晶）でもよ
い。
【０００５】図３に示した電極１５，１６間に電圧を印
加しない状態では、このＬＣＤに入射された光はその入
射側の偏光板例えば２１により直線偏光とされ、その偏
光方向と液晶分子１４ａの長軸方向とが一致しているか
ら、偏光方向を変えられることなく液晶１４を透過する
ため、出射側の偏光板２２に達した光の偏光方向はその
偏光板２２の偏光方向と直交し、遮断される。
加しない状態では、このＬＣＤに入射された光はその入
射側の偏光板例えば２１により直線偏光とされ、その偏
光方向と液晶分子１４ａの長軸方向とが一致しているか
ら、偏光方向を変えられることなく液晶１４を透過する
ため、出射側の偏光板２２に達した光の偏光方向はその
偏光板２２の偏光方向と直交し、遮断される。
【０００６】しかし電極１５，１６間に電圧を印加する
と、これら電極１５，１６の櫛歯間の電界により液晶分
子１４ａの長軸方向が、図４Ｂに示すように電極の歯の
長手方向と平行する方向に曲げられる。よって基板１１
側から入射され、偏光板２１により直線偏向とされた光
は液晶１４を透過中に液晶１４の複屈折により楕円偏光
に変化し、偏光板２２を透過する。
と、これら電極１５，１６の櫛歯間の電界により液晶分
子１４ａの長軸方向が、図４Ｂに示すように電極の歯の
長手方向と平行する方向に曲げられる。よって基板１１
側から入射され、偏光板２１により直線偏向とされた光
は液晶１４を透過中に液晶１４の複屈折により楕円偏光
に変化し、偏光板２２を透過する。
【０００７】このようなＬＣＤにより画像を表示するに
は、例えば図４Ａに示した一対の電極１５，１６を、各
画素対応に設け、その一方の電極を走査電極とし、他方
を信号電極として、従来の単純マトリクス（ＸＹマトリ
クス）ＬＣＤと同様に表示する方法がある。他の方法と
して、従来のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アクティブマ
トリクスＬＣＤ（ＡＭ−ＬＣＤと言う）と同様に、図５
に示すように、透明基板１２の内面に各画素ごとに電極
１５，１６と共にスイッチング素子としてＴＦＴ３３を
形成し、列状に形成されたソースバス３５を信号電極と
し、行状に形成されたゲートバス３６を走査電極とし
て、各画素を選択表示する方法がある。後者の場合電極
１５が画素電極、電極１６が共通電極とされる。いずれ
の方法でも、電極１５と１６の各歯の間の領域が表示領
域となる。なおＡＭ−ＬＣＤではＴＦＴのような三端子
スイッチング素子以外にダイオードやバリスタ等の二端
子スイッチング素子を設ける場合もある。
は、例えば図４Ａに示した一対の電極１５，１６を、各
画素対応に設け、その一方の電極を走査電極とし、他方
を信号電極として、従来の単純マトリクス（ＸＹマトリ
クス）ＬＣＤと同様に表示する方法がある。他の方法と
して、従来のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アクティブマ
トリクスＬＣＤ（ＡＭ−ＬＣＤと言う）と同様に、図５
に示すように、透明基板１２の内面に各画素ごとに電極
１５，１６と共にスイッチング素子としてＴＦＴ３３を
形成し、列状に形成されたソースバス３５を信号電極と
し、行状に形成されたゲートバス３６を走査電極とし
て、各画素を選択表示する方法がある。後者の場合電極
１５が画素電極、電極１６が共通電極とされる。いずれ
の方法でも、電極１５と１６の各歯の間の領域が表示領
域となる。なおＡＭ−ＬＣＤではＴＦＴのような三端子
スイッチング素子以外にダイオードやバリスタ等の二端
子スイッチング素子を設ける場合もある。
【０００８】このＩＰＳ方式ＬＣＤは図３に示すよう
に、基板１１，１２間の真中における基板１１，１２と
平行な面に対し、対称構造になっているため、視野角が
広いと言われ、前記英文の文献において、電子計算機に
よるシミュレーションの結果は従来のＴＮやＳＴＮ形の
ＬＣＤよりも視角依存性が小さいことが示されている。
に、基板１１，１２間の真中における基板１１，１２と
平行な面に対し、対称構造になっているため、視野角が
広いと言われ、前記英文の文献において、電子計算機に
よるシミュレーションの結果は従来のＴＮやＳＴＮ形の
ＬＣＤよりも視角依存性が小さいことが示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩＰＳ方式ＡＭ
−ＬＣＤでは、透明基板１２の内面には各画素ごとに櫛
歯状の画素電極１５及び共通電極１６が近接対向して形
成され、これら両電極の間の表示領域の全表示画面に占
める割合、つまり開口率が従来のＩＰＳ方式を用いない
ＡＭ−ＬＣＤより小さいため、白輝度が低下する問題が
あった。
−ＬＣＤでは、透明基板１２の内面には各画素ごとに櫛
歯状の画素電極１５及び共通電極１６が近接対向して形
成され、これら両電極の間の表示領域の全表示画面に占
める割合、つまり開口率が従来のＩＰＳ方式を用いない
ＡＭ−ＬＣＤより小さいため、白輝度が低下する問題が
あった。
【００１０】また、従来のＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤで
は、残像が非常に発生しやすいと言う問題があった。こ
の発明の目的は、従来のＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤの前記
白輝度の低下や残像の発生を軽減させようとするもので
ある。
は、残像が非常に発生しやすいと言う問題があった。こ
の発明の目的は、従来のＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤの前記
白輝度の低下や残像の発生を軽減させようとするもので
ある。
【００１１】
（１）請求項１の発明は、第１，第２基板が液晶層を挟
んで近接対向して配され、その第１基板の内面にブラッ
クマトリクスが配され、第２基板の内面にスイッチング
素子、画素電極及び共通電極を含む画素領域部がマトリ
クス状に形成されているＩＰＳ（イン・プレイン・スイ
ッチング）方式アクティブマトリクス型の液晶表示素子
に関する。請求項１では特に、ブラックマトリクスが導
電材料より成り、そのブラックマトリクスと共通電極と
が電気的に短絡されているものである。
んで近接対向して配され、その第１基板の内面にブラッ
クマトリクスが配され、第２基板の内面にスイッチング
素子、画素電極及び共通電極を含む画素領域部がマトリ
クス状に形成されているＩＰＳ（イン・プレイン・スイ
ッチング）方式アクティブマトリクス型の液晶表示素子
に関する。請求項１では特に、ブラックマトリクスが導
電材料より成り、そのブラックマトリクスと共通電極と
が電気的に短絡されているものである。
【００１２】（２）請求項２の発明では、ブラックマト
リクスが導電材料より成り、その内面または外面に導電
膜が形成され、その導電膜と共通電極とが電気的に短絡
されているものである。 （３）請求項３の発明は、前記（１）または（２）にお
いて、第１または第２基板に貼り付ける偏光板の粘着剤
に導電性を付与したものである。
リクスが導電材料より成り、その内面または外面に導電
膜が形成され、その導電膜と共通電極とが電気的に短絡
されているものである。 （３）請求項３の発明は、前記（１）または（２）にお
いて、第１または第２基板に貼り付ける偏光板の粘着剤
に導電性を付与したものである。
【００１３】（４）請求項４の発明は、前記（１）また
は（２）において、第１または第２基板に貼り付ける偏
光板の外面または内面に導電膜が形成されているもので
ある。 （５）請求項５の発明は、前記（１）または（２）にお
いて、第１または第２基板の外面に導電膜が形成されて
いるものである。
は（２）において、第１または第２基板に貼り付ける偏
光板の外面または内面に導電膜が形成されているもので
ある。 （５）請求項５の発明は、前記（１）または（２）にお
いて、第１または第２基板の外面に導電膜が形成されて
いるものである。
【００１４】（６）請求項６の発明は、第１または第２
基板に貼り付ける偏光板の構成要素が導電性を有するも
のである。
基板に貼り付ける偏光板の構成要素が導電性を有するも
のである。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１，図２の実施例を参照して発
明の実施の形態を説明する。ただし、これらの図には図
３〜図５と対応する部分に同じ符号を付け、重複説明を
省略する。この発明のＡＭ−ＬＣＤには、透明基板１１
の内面の各画素間にブラックマトリクス４１が形成さ
れ、カラー表示の場合は、ブラックマトリクスの網目内
にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ４２が各画素と対応して
形成されている。ブラックマトリクス４１やカラーフィ
ルタ４２は従来から一般に使用されているものである。
ブラックマトリクス４１はコントラストや色純度を向上
させる機能をもつ。
明の実施の形態を説明する。ただし、これらの図には図
３〜図５と対応する部分に同じ符号を付け、重複説明を
省略する。この発明のＡＭ−ＬＣＤには、透明基板１１
の内面の各画素間にブラックマトリクス４１が形成さ
れ、カラー表示の場合は、ブラックマトリクスの網目内
にＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ４２が各画素と対応して
形成されている。ブラックマトリクス４１やカラーフィ
ルタ４２は従来から一般に使用されているものである。
ブラックマトリクス４１はコントラストや色純度を向上
させる機能をもつ。
【００１６】ところで、ＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤの前述
の白輝度の低下や残像の発生しやすい問題を解決するた
め、種々の実験的検討を重ねた結果、ブラックマトリク
ス４１を導電材料で形成し、そのブラックマトリクス４
１と共通電極１６とを更に導電ペースト（一般的には導
電材料）４３で短絡するのが有効であることが分かっ
た。この場合、白輝度が約５％高くなることが実験的に
確かめられている。
の白輝度の低下や残像の発生しやすい問題を解決するた
め、種々の実験的検討を重ねた結果、ブラックマトリク
ス４１を導電材料で形成し、そのブラックマトリクス４
１と共通電極１６とを更に導電ペースト（一般的には導
電材料）４３で短絡するのが有効であることが分かっ
た。この場合、白輝度が約５％高くなることが実験的に
確かめられている。
【００１７】このようにすると、ブラックマトリクス４
１が共通電極１６と同電位（コモン電位）になるため、
従来の画素電極１５の歯から共通電極１６の歯に向かう
方向、つまり偏光板２２の配向方向２４と直角の方向の
横電界の他に、従来のＩＰＳ方式でない普通のＡＭ−Ｌ
ＣＤ（透明基板１１の内面にほぼ一面に共通電極が形成
されている）と同様に、画素電極１５からその真上の透
明基板１１に向かう方向、つまり透明基板１１，１２に
直角な方向の縦電界が発生するので、白輝度が高くなる
ものと考えられる。
１が共通電極１６と同電位（コモン電位）になるため、
従来の画素電極１５の歯から共通電極１６の歯に向かう
方向、つまり偏光板２２の配向方向２４と直角の方向の
横電界の他に、従来のＩＰＳ方式でない普通のＡＭ−Ｌ
ＣＤ（透明基板１１の内面にほぼ一面に共通電極が形成
されている）と同様に、画素電極１５からその真上の透
明基板１１に向かう方向、つまり透明基板１１，１２に
直角な方向の縦電界が発生するので、白輝度が高くなる
ものと考えられる。
【００１８】また、長時間表示したとき、配向膜１７に
電荷が蓄積され、残像が発生するが、この電荷は一定電
圧（コモン電圧）を有するブラックマトリクス４１にリ
ークするので、残像が軽減されるものと考えられる。ブ
ラックマトリクス４１を非導電材料で形成した場合に
は、図１Ｃに示すようにその内面（液晶側）に導電膜４
１ａを形成し、その導電膜４１ａと共通電極１６とを導
電材料４３で短絡させても同じ効果が得られる。
電荷が蓄積され、残像が発生するが、この電荷は一定電
圧（コモン電圧）を有するブラックマトリクス４１にリ
ークするので、残像が軽減されるものと考えられる。ブ
ラックマトリクス４１を非導電材料で形成した場合に
は、図１Ｃに示すようにその内面（液晶側）に導電膜４
１ａを形成し、その導電膜４１ａと共通電極１６とを導
電材料４３で短絡させても同じ効果が得られる。
【００１９】図１の例では、ブラックマトリクス４１と
共通電極１６とはシール材１３の外部、つまり液晶セル
の外部で短絡されているが、場合によってはセル内で短
絡させることもできる。従来のＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤ
では、外部または内部からの何等かの影響を受けて、液
晶セルの内外に局部的に静電気が帯電し、黒表示したと
き光抜けが生ずるなど表示品位の低下する場合があった
が、この発明のＬＣＤでは、ブラックマトリクス４１は
一定のコモン電圧に保持されているため、外部からの電
磁的な或いは静電的な影響を受けにくくなると共に、帯
電した電荷がブラックマトリクスにリークするので、静
電気或いはＥＭＩによる表示品位の低下を抑える効果も
ある。
共通電極１６とはシール材１３の外部、つまり液晶セル
の外部で短絡されているが、場合によってはセル内で短
絡させることもできる。従来のＩＰＳ方式ＡＭ−ＬＣＤ
では、外部または内部からの何等かの影響を受けて、液
晶セルの内外に局部的に静電気が帯電し、黒表示したと
き光抜けが生ずるなど表示品位の低下する場合があった
が、この発明のＬＣＤでは、ブラックマトリクス４１は
一定のコモン電圧に保持されているため、外部からの電
磁的な或いは静電的な影響を受けにくくなると共に、帯
電した電荷がブラックマトリクスにリークするので、静
電気或いはＥＭＩによる表示品位の低下を抑える効果も
ある。
【００２０】上記の静電気及びＥＭＩによる影響を防止
する効果をいっそう高めるために、図２Ａに示すよう
に、偏光板２１または２２の粘着剤２１ａまたは２２ａ
にカーボン、金、銀等の導電粒子を混入させて偏光板自
体に導電性を付与して、シールド板の機能をもたせるこ
ともできる。このようにすると外部からのＥＭＩを防ぐ
ことができると共に、外部または内部の静電気によって
たとえ偏光板や透明基板が局部的に帯電したとしても、
その電荷はそれらの全面に拡散され、帯電の影響が弱め
られる。
する効果をいっそう高めるために、図２Ａに示すよう
に、偏光板２１または２２の粘着剤２１ａまたは２２ａ
にカーボン、金、銀等の導電粒子を混入させて偏光板自
体に導電性を付与して、シールド板の機能をもたせるこ
ともできる。このようにすると外部からのＥＭＩを防ぐ
ことができると共に、外部または内部の静電気によって
たとえ偏光板や透明基板が局部的に帯電したとしても、
その電荷はそれらの全面に拡散され、帯電の影響が弱め
られる。
【００２１】図２Ｂは図２Ａと同様の効果を得るため
に、偏光板２１または２２の外面にＩＴＯなどの透明導
電膜２１ｂまたは２２ｂを設けることもできる。これら
の透明導電膜２１ｂまたは２２ｂは偏光板２１または２
２の内面に設けてもよい。また、図２Ｃに示すように、
透明基板１１または１２の外面にＩＴＯなどの透明導電
膜１１ａまたは１２ａを設けても図２Ａ，Ｂと同じ効果
が得られる。
に、偏光板２１または２２の外面にＩＴＯなどの透明導
電膜２１ｂまたは２２ｂを設けることもできる。これら
の透明導電膜２１ｂまたは２２ｂは偏光板２１または２
２の内面に設けてもよい。また、図２Ｃに示すように、
透明基板１１または１２の外面にＩＴＯなどの透明導電
膜１１ａまたは１２ａを設けても図２Ａ，Ｂと同じ効果
が得られる。
【００２２】また、偏光板が２枚の支持体の間に偏光素
子が配されている構造では、それら一方または両方の支
持体、つまり偏光板の構成要素に導電性を付与しても同
じ効果が得られる。
子が配されている構造では、それら一方または両方の支
持体、つまり偏光板の構成要素に導電性を付与しても同
じ効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、この発明ではブラッ
クマトリクス４１が共通電極１６と短絡され、一定のコ
モン電圧に保持されているので、ＩＰＳ方式特有の横電
界の他に、ＩＰＳ方式でない従来のＡＭ−ＬＣＤのよう
に縦電界が発生することによって、それだけ白輝度を向
上させることができる。
クマトリクス４１が共通電極１６と短絡され、一定のコ
モン電圧に保持されているので、ＩＰＳ方式特有の横電
界の他に、ＩＰＳ方式でない従来のＡＭ−ＬＣＤのよう
に縦電界が発生することによって、それだけ白輝度を向
上させることができる。
【００２４】また長時間表示したとき、配向膜１７に帯
電した電荷（残像となる）は一定電位のブラックマトリ
クスにリークするので残像を軽減させることができる。
更にブラックマトリクス４１が一定電位に保持されてい
るので、そのシールド効果によって外部からのＥＭＩや
外部または内部の静電気の影響による表示品位の低下を
抑える効果もある。偏光板の外面または偏光板と透明基
板との間に透明導電膜（粘着剤の場合を含む）を設けた
り、偏光板の構成要素に導電性を付与した場合には、上
記効果はいっそう顕著である。
電した電荷（残像となる）は一定電位のブラックマトリ
クスにリークするので残像を軽減させることができる。
更にブラックマトリクス４１が一定電位に保持されてい
るので、そのシールド効果によって外部からのＥＭＩや
外部または内部の静電気の影響による表示品位の低下を
抑える効果もある。偏光板の外面または偏光板と透明基
板との間に透明導電膜（粘着剤の場合を含む）を設けた
り、偏光板の構成要素に導電性を付与した場合には、上
記効果はいっそう顕著である。
【図１】請求項１の発明の実施例を示す図で、Ａは断面
図、ＢはＡのブラックマトリクス４１の平面図、Ｃは請
求項２の実施例の説明に供する要部の断面図。
図、ＢはＡのブラックマトリクス４１の平面図、Ｃは請
求項２の実施例の説明に供する要部の断面図。
【図２】Ａ，Ｂ及びＣはそれぞれ請求項３，４及び５の
実施例を示す断面図。
実施例を示す断面図。
【図３】従来のＩＰＳ方式ＬＣＤの説明に供する図で、
Ａは要部の分解斜視図、Ｂは断面図。
Ａは要部の分解斜視図、Ｂは断面図。
【図４】Ａは図３の透明基板１２上の電極１５，１６の
例を示す平面図、Ｂは図３Ｂの電極１５，１６間に電界
を印加した状態を示す断面図。
例を示す平面図、Ｂは図３Ｂの電極１５，１６間に電界
を印加した状態を示す断面図。
【図５】Ａは図３のＬＣＤがＴＦＴアクティブマトリク
スＬＣＤである場合に、透明基板１２の内面に形成され
た電極１５，１６を含むＴＦＴアレイの要部の平面図、
ＢはＡのａ−ａ′断面図。
スＬＣＤである場合に、透明基板１２の内面に形成され
た電極１５，１６を含むＴＦＴアレイの要部の平面図、
ＢはＡのａ−ａ′断面図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３４９Ｃ (72)発明者 瀬山 秀一 兵庫県神戸市西区高塚台４−３−１ ホシ デン株式会社開発技術研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 第１，第２基板が液晶層を挟んで近接対
向して配され、その第１基板の内面にブラックマトリク
スが配され、第２基板の内面にスイッチング素子、画素
電極及び共通電極を含む画素領域部がマトリクス状に形
成されているＩＰＳ（イン・プレイン・スイッチング）
方式アクティブマトリクス型の液晶表示素子において、 前記ブラックマトリクスが導電材料より成り、そのブラ
ックマトリクスと前記共通電極とが電気的に短絡されて
いることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 第１，第２基板が液晶層を挟んで近接対
向して配され、その第１基板の内面にブラックマトリク
スが配され、第２基板の内面にスイッチング素子、画素
電極及び共通電極を含む画素領域部がマトリクス状に形
成されているＩＰＳ（イン・プレイン・スイッチング）
方式アクティブマトリクス型の液晶表示素子において、 前記ブラックマトリクスが非導電材料より成り、その内
面または外面に導電膜が形成され、その導電膜と前記共
通電極とが電気的に短絡されていることを特徴とする液
晶表示素子。 - 【請求項３】 請求項１または２において、前記第１ま
たは第２基板に貼り付ける偏光板の粘着剤が導電性を有
することを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項４】 請求項１または２において、前記第１ま
たは第２基板に貼り付ける偏光板の外面または内面に導
電膜が形成されていることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項５】 請求項１または２において、前記第１ま
たは第２基板の外面に導電膜が形成されていることを特
徴とする液晶表示素子。 - 【請求項６】 請求項１または２において、前記第１ま
たは第２基板に貼り付ける偏光板の構成要素が導電性を
有することを特徴とする液晶表示素子。
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