JPH09266354A - 化合物半導体発光素子 - Google Patents
化合物半導体発光素子Info
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- JPH09266354A JPH09266354A JP7561896A JP7561896A JPH09266354A JP H09266354 A JPH09266354 A JP H09266354A JP 7561896 A JP7561896 A JP 7561896A JP 7561896 A JP7561896 A JP 7561896A JP H09266354 A JPH09266354 A JP H09266354A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工が容易な外部反射鏡を用いることで、低
しきい値のＧａＮ系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 サファイアからなる基板１１上に、厚さ
５ミクロンのｎ型ＧａＮ層１２、０．５ミクロンのｎ型
ＡｌＧａＮ層１３、０．２ミクロンのＧａＮ層１４、
０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層１５、０．５ミクロン
のｐ型ＧａＮ層１６をＭＢＥ法によってエピタキシャル
成長させ成長させる。成長後、任意の大きさに割ること
により素子化する。さらに、端面にポリイミドをコーテ
ィングし、平坦化を行うことにより低しきい値でレーザ
発振する発光素子が得られる。
しきい値のＧａＮ系半導体レーザを提供する。 【解決手段】 サファイアからなる基板１１上に、厚さ
５ミクロンのｎ型ＧａＮ層１２、０．５ミクロンのｎ型
ＡｌＧａＮ層１３、０．２ミクロンのＧａＮ層１４、
０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層１５、０．５ミクロン
のｐ型ＧａＮ層１６をＭＢＥ法によってエピタキシャル
成長させ成長させる。成長後、任意の大きさに割ること
により素子化する。さらに、端面にポリイミドをコーテ
ィングし、平坦化を行うことにより低しきい値でレーザ
発振する発光素子が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体発光素
子に関する。
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮを含む III族窒化物化合物半導体
は青色を含む短波長発光素子に有望である。しかし、そ
の、加工が非常に困難であるため、特にレーザダイオー
ド端面の反射鏡を形成するのが非常にむずかしい。
は青色を含む短波長発光素子に有望である。しかし、そ
の、加工が非常に困難であるため、特にレーザダイオー
ド端面の反射鏡を形成するのが非常にむずかしい。
【０００３】一般にＧａＮ系の発光素子は、ＧａＮと同
じ六方晶形のサファイヤ基板上に、ＭＯＣＶＤ法やＭＢ
Ｅ法等でｎ型，ｐ型のＧａＮ系材料を成長し、その後壁
開により所定形状にする。しかしサファイヤとＧａＮ系
は同じ六方晶形であっても軸方向が多少異なるため、Ｇ
ａＡｓ系と同じような端面（鏡面）にはならなく、特に
レーザダイオードとして使用できにくいという大きな問
題がある。
じ六方晶形のサファイヤ基板上に、ＭＯＣＶＤ法やＭＢ
Ｅ法等でｎ型，ｐ型のＧａＮ系材料を成長し、その後壁
開により所定形状にする。しかしサファイヤとＧａＮ系
は同じ六方晶形であっても軸方向が多少異なるため、Ｇ
ａＡｓ系と同じような端面（鏡面）にはならなく、特に
レーザダイオードとして使用できにくいという大きな問
題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来は
ＧａＮ系化合物半導体の端面が鏡面にならないという問
題があった。本発明はこのようなＧａＮ系化合物半導体
における問題を解決したもので、端面を加工することに
より共振器を作成可能とした新規な発光素子を提供する
ものである。
ＧａＮ系化合物半導体の端面が鏡面にならないという問
題があった。本発明はこのようなＧａＮ系化合物半導体
における問題を解決したもので、端面を加工することに
より共振器を作成可能とした新規な発光素子を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、第１に、基板上に積層されたＧａｘＡｌ
ｙＩＮｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、こ
の化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子にお
いて、積層された半導体の端面に少なくとも１種類の有
機物を接して設けたことを特徴とする。この場合、有機
物の一部又は全部が反射鏡となる。
に、本発明は、第１に、基板上に積層されたＧａｘＡｌ
ｙＩＮｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、こ
の化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子にお
いて、積層された半導体の端面に少なくとも１種類の有
機物を接して設けたことを特徴とする。この場合、有機
物の一部又は全部が反射鏡となる。
【０００６】第２に、基板上に積層されたＧａｘＡｌｙ
ＩｎｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、この
化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子におい
て、積層された半導体の端面に金属と半導体の積層され
た導電層を接して設けたことを特徴とする。
ＩｎｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、この
化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子におい
て、積層された半導体の端面に金属と半導体の積層され
た導電層を接して設けたことを特徴とする。
【０００７】第３に、基板上に積層されたＧａｘＡｌｙ
ＩｎｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、この
化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子におい
て、積層された半導体の端面に光の進行方向と平行な有
機物からなる回折格子を備えたことを特徴とする。
ＩｎｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、この
化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子におい
て、積層された半導体の端面に光の進行方向と平行な有
機物からなる回折格子を備えたことを特徴とする。
【０００８】第４に、基板上に積層されたＧａｘＡｌｙ
ＩｎｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、この
化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子におい
て、積層された半導体の端面に光の進行方向に有機物か
らなる回折格子を備えたことを特徴とする。
ＩｎｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系化合物半導体層と、この
化合物半導体層に接する電極とを備えた発光素子におい
て、積層された半導体の端面に光の進行方向に有機物か
らなる回折格子を備えたことを特徴とする。
【０００９】本発明者らは、第１に、ＧａＮ系化合物半
導体の外部反射鏡について種々検討した結果、ポリイミ
ドに代表される有機物を素子端面に塗布し、これを加工
することにより、端面反射率が大きく改善することを見
いだした。特に加工後、Ａｌに代表される金属をコーテ
ィングする事は反射率を大きくする事に効果的である。
導体の外部反射鏡について種々検討した結果、ポリイミ
ドに代表される有機物を素子端面に塗布し、これを加工
することにより、端面反射率が大きく改善することを見
いだした。特に加工後、Ａｌに代表される金属をコーテ
ィングする事は反射率を大きくする事に効果的である。
【００１０】第２に、ＧａＮ，ＡｌＮ，ＺｎＳ等のＥｇ
が比較的おおきな半導体を反射鏡として用いることも端
面反射率を大きく改善することが有効であることがわか
った。
が比較的おおきな半導体を反射鏡として用いることも端
面反射率を大きく改善することが有効であることがわか
った。
【００１１】第３に、半導体素子側面にポリイミドを塗
布、さらに、ＧａＡｓ半導体からなる反射鏡を共振器端
部に付加させる。このように形成された共振器は端面反
射率の優れた共振器となり、第１、第２の組み合わせも
また有効であることがわかった。
布、さらに、ＧａＡｓ半導体からなる反射鏡を共振器端
部に付加させる。このように形成された共振器は端面反
射率の優れた共振器となり、第１、第２の組み合わせも
また有効であることがわかった。
【００１２】第４に、ＧａＮ系半導体は非常に安定であ
り、加工が難しい。そこで本研究者らは、ＧａＡｓ上と
有機物により、発振波長にあわせた回折格子を作製し、
これを素子側面に貼り付けることにより等価的にＤＢ
Ｒ，ＤＦ Ｂを形成することになり、良好な立てモード
制御が可能となることを見いだした。
り、加工が難しい。そこで本研究者らは、ＧａＡｓ上と
有機物により、発振波長にあわせた回折格子を作製し、
これを素子側面に貼り付けることにより等価的にＤＢ
Ｒ，ＤＦ Ｂを形成することになり、良好な立てモード
制御が可能となることを見いだした。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳し
く説明する。 （第１の実施の形態）まず、図１に示すように、サファ
イアからなる厚さ２００ミクロンの基板１１上に、厚さ
５ミクロンのｎ型ＧａＮ層１２をＭＢＥ法によってエピ
タキシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミクロン
のｎ型ＡｌＧａＮ層１３、０．２ミクロンのＧａＮ層１
４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層１５、０．５ミク
ロンのｐ型ＧａＮ層１６を成長させる。成長後、図には
示されないレジストを用い、一部をエッチングすること
によりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出させて電極を形成し、ま
たｐ型側もＳｉＯ2 １７の一部をエッチングしてｐ型電
極１８を形成する。さらに、任意の大きさに割ることに
より素子化する。さらに、側面に有機物であるポリイミ
ド１９を接着剤でコーティングし、平坦化を行う。
く説明する。 （第１の実施の形態）まず、図１に示すように、サファ
イアからなる厚さ２００ミクロンの基板１１上に、厚さ
５ミクロンのｎ型ＧａＮ層１２をＭＢＥ法によってエピ
タキシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミクロン
のｎ型ＡｌＧａＮ層１３、０．２ミクロンのＧａＮ層１
４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層１５、０．５ミク
ロンのｐ型ＧａＮ層１６を成長させる。成長後、図には
示されないレジストを用い、一部をエッチングすること
によりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出させて電極を形成し、ま
たｐ型側もＳｉＯ2 １７の一部をエッチングしてｐ型電
極１８を形成する。さらに、任意の大きさに割ることに
より素子化する。さらに、側面に有機物であるポリイミ
ド１９を接着剤でコーティングし、平坦化を行う。
【００１４】こうして得られた発光素子は、割ることに
のみで形成した素子にくらべ、低しきい値でレーザ発振
を確認でき、しかも、縦モードがはっきりとあらわれる
ことが確認できた（図２）。
のみで形成した素子にくらべ、低しきい値でレーザ発振
を確認でき、しかも、縦モードがはっきりとあらわれる
ことが確認できた（図２）。
【００１５】（第２の実施形態）図３に、示すように、
ＳｉＣからなる厚さ１５０ミクロンの基板３１上に、厚
さ３ミクロンのｎ型ＧａＮ層３２をＭＢＥ法によってエ
ピタキシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミクロ
ンのｎ型ＡｌＧａＮ層３３、この層よりもＡｌ組成が低
いＡｌＧａＮ層３４を０．２ミクロン、またこの上にｐ
型ＡｌＧａＮ層３５を、さらに、ｐ型ＧａＮ層３６を成
長させる。これを図には示されないレジストを持ちいる
ことにより、パターニングを行い、電極を形成しｐ型側
にも電極３８を形成する。さらに、３００ｘ６００ミク
ロンにへき開する。一方、ＧａＡｓ基板３９ｂ上にＴｉ
／Ａｌ３９ａを蒸着する。そしてこの積層した導電層を
へき開した面に接着させることにより素子は完成する。
ＳｉＣからなる厚さ１５０ミクロンの基板３１上に、厚
さ３ミクロンのｎ型ＧａＮ層３２をＭＢＥ法によってエ
ピタキシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミクロ
ンのｎ型ＡｌＧａＮ層３３、この層よりもＡｌ組成が低
いＡｌＧａＮ層３４を０．２ミクロン、またこの上にｐ
型ＡｌＧａＮ層３５を、さらに、ｐ型ＧａＮ層３６を成
長させる。これを図には示されないレジストを持ちいる
ことにより、パターニングを行い、電極を形成しｐ型側
にも電極３８を形成する。さらに、３００ｘ６００ミク
ロンにへき開する。一方、ＧａＡｓ基板３９ｂ上にＴｉ
／Ａｌ３９ａを蒸着する。そしてこの積層した導電層を
へき開した面に接着させることにより素子は完成する。
【００１６】このように得られた発光素子は、ＧａＡｓ
基板とＴｉ／Ａｌ層を積層した導電層を備えてないもの
に比べ低しきい値でレーザ発振する事が確認された。 （第３の実施の形態）まず、図４に示すように、サファ
イアからなる厚さ２００ミクロンの基板６１上に、厚さ
５ミクロンのｎ型ＧａＮ層６２をＭＯＣＶＤ法によって
エピタキシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミク
ロンのｎ型ＡｌＧａＮ層６３、０．２ミクロンのＧａＮ
層６４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層６５、０．５
ミクロンのｐ型ＧａＮ層６６を成長させる。成長後、図
には示されないレジストを用い、一部をエッチングする
ことによりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出させ電極を形成し、
またｐ型側にもＳｉＯ2 ４７の一部をエッチングしｐ型
電極４８を形成する。さらに、３００ｘ６００ミクロン
に加工する。一方、ＧａＡｓ基板４９ｃ上にＴｉ／Ａｌ
層３９ｂを蒸着した導体層を、ポリイミド系有機物を介
して、へき開に接着剤で接着させて素子は完成する。
基板とＴｉ／Ａｌ層を積層した導電層を備えてないもの
に比べ低しきい値でレーザ発振する事が確認された。 （第３の実施の形態）まず、図４に示すように、サファ
イアからなる厚さ２００ミクロンの基板６１上に、厚さ
５ミクロンのｎ型ＧａＮ層６２をＭＯＣＶＤ法によって
エピタキシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミク
ロンのｎ型ＡｌＧａＮ層６３、０．２ミクロンのＧａＮ
層６４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層６５、０．５
ミクロンのｐ型ＧａＮ層６６を成長させる。成長後、図
には示されないレジストを用い、一部をエッチングする
ことによりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出させ電極を形成し、
またｐ型側にもＳｉＯ2 ４７の一部をエッチングしｐ型
電極４８を形成する。さらに、３００ｘ６００ミクロン
に加工する。一方、ＧａＡｓ基板４９ｃ上にＴｉ／Ａｌ
層３９ｂを蒸着した導体層を、ポリイミド系有機物を介
して、へき開に接着剤で接着させて素子は完成する。
【００１７】このように得られた発光素子は従来のもの
に比べ低しきい値でレーザ発振する事が確認され、加工
の際、基板の結晶方向とは無関係なしきい値分布を得た
（図５）。
に比べ低しきい値でレーザ発振する事が確認され、加工
の際、基板の結晶方向とは無関係なしきい値分布を得た
（図５）。
【００１８】（第４の実施の形態）まず、図６に示すよ
うに、サファイアからなる厚さ２００ミクロンの基板６
１上に、厚さ５ミクロンのｎ型ＧａＮ層６２をＭＯＣＶ
Ｄ法によってエピタキシャル成長させた後、その上に厚
さ０．５ミクロンのｎ型ＡｌＧａＮ層６３、０．２ミク
ロンのＧａＮ層６４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層
６５、０．５ミクロンのｐ型ＧａＮ層６６を成長させ
る。成長後、図には示されないレジストを用い、一部を
エッチングすることによりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出さ
せ、電極を形成し、ｐ型層側にも電極６８を形成する。
一方、ＧａＡｓ基板上にＺｎＳをＭＯＣＶＤ法により成
長させる。この表面をＧａＮの発振波長に対応するよう
に回折格子を作成する。これをレーザの端面に接合する
ことにより、ＤＢＲレーザとなる。さらにポリイミドを
ＺｎＳ上に塗布し、加工することによりフェーズマッチ
ングを行う。
うに、サファイアからなる厚さ２００ミクロンの基板６
１上に、厚さ５ミクロンのｎ型ＧａＮ層６２をＭＯＣＶ
Ｄ法によってエピタキシャル成長させた後、その上に厚
さ０．５ミクロンのｎ型ＡｌＧａＮ層６３、０．２ミク
ロンのＧａＮ層６４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層
６５、０．５ミクロンのｐ型ＧａＮ層６６を成長させ
る。成長後、図には示されないレジストを用い、一部を
エッチングすることによりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出さ
せ、電極を形成し、ｐ型層側にも電極６８を形成する。
一方、ＧａＡｓ基板上にＺｎＳをＭＯＣＶＤ法により成
長させる。この表面をＧａＮの発振波長に対応するよう
に回折格子を作成する。これをレーザの端面に接合する
ことにより、ＤＢＲレーザとなる。さらにポリイミドを
ＺｎＳ上に塗布し、加工することによりフェーズマッチ
ングを行う。
【００１９】このようにして得られた発光素子により単
一モードの紫外のレーザ光の発振を得た（図７）。 （第５の実施の形態）まず、図８に示すように、サファ
イアからなる厚さ２００ミクロンの基板８１上に厚さ５
ミクロンのｎ型ＧａＮ層８２をＭＢＥ法によってエピタ
キシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミクロンの
ｎ型ＡｌＧａＮ層８３、０．２ミクロンのＧａＮ層８
４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層８５、０．５ミク
ロンのｐ型ＧａＮ層８６を成長させる。成長後、図には
示されないレジストを用い、一部をエッチングすること
によりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出させる。一方、ＧａＡｓ
基板上にＺｎＳをＭＯＣＶＤ法により成長させる。この
表面をＧａＮの発振波長に対応するように回折格子を作
成する。さらにポリイミドをＺｎＳ上に塗布し、加工
し、これをレーザの側面に接合することにより、ＤＦＢ
レーザとなる。
一モードの紫外のレーザ光の発振を得た（図７）。 （第５の実施の形態）まず、図８に示すように、サファ
イアからなる厚さ２００ミクロンの基板８１上に厚さ５
ミクロンのｎ型ＧａＮ層８２をＭＢＥ法によってエピタ
キシャル成長させた後、その上に厚さ０．５ミクロンの
ｎ型ＡｌＧａＮ層８３、０．２ミクロンのＧａＮ層８
４、０．３ミクロンｐ型ＡｌＧａＮ層８５、０．５ミク
ロンのｐ型ＧａＮ層８６を成長させる。成長後、図には
示されないレジストを用い、一部をエッチングすること
によりｎ型ＡｌＧａＮ層を露出させる。一方、ＧａＡｓ
基板上にＺｎＳをＭＯＣＶＤ法により成長させる。この
表面をＧａＮの発振波長に対応するように回折格子を作
成する。さらにポリイミドをＺｎＳ上に塗布し、加工
し、これをレーザの側面に接合することにより、ＤＦＢ
レーザとなる。
【００２０】このようにして得られた発光素子により単
一モードの紫外のレーザ光の発進を得た（図９）。なお
上述した実施の形態の内、第１（ｂ）と第３（ａ），そ
して従来例（ｃ）とを比較した電流（しきい値）−光出
力の関係を図１０に示した。その結果しきい値がａの場
合最も低くなることが判る。
一モードの紫外のレーザ光の発進を得た（図９）。なお
上述した実施の形態の内、第１（ｂ）と第３（ａ），そ
して従来例（ｃ）とを比較した電流（しきい値）−光出
力の関係を図１０に示した。その結果しきい値がａの場
合最も低くなることが判る。
【００２１】また上述した実施の形態では有機物として
ポリイミドを用いたが、ポリアミド，ポリウレンタン，
ポリステレン，ポリ塩化ビニール，ポリ塩化ビニリデ
ン，ポリ炭酸エステル，ポリプロピレン，ポリビニルア
ルコール，ポリフェニレンオキシド，ポリエチレンテレ
クタラート，ポリエチレン，ポリエステルから選ばれた
少なくとも一種であれば、同様な効果がある。
ポリイミドを用いたが、ポリアミド，ポリウレンタン，
ポリステレン，ポリ塩化ビニール，ポリ塩化ビニリデ
ン，ポリ炭酸エステル，ポリプロピレン，ポリビニルア
ルコール，ポリフェニレンオキシド，ポリエチレンテレ
クタラート，ポリエチレン，ポリエステルから選ばれた
少なくとも一種であれば、同様な効果がある。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、Ｇａ
Ｎ系半導体レーザ共振器の特性は大きく改善された。
Ｎ系半導体レーザ共振器の特性は大きく改善された。
【図１】本発明の第１の側面に係る半導体発光素子を示
す図。
す図。
【図２】本発明の第１の側面に係る半導体発光素子の発
振波長を示す図。
振波長を示す図。
【図３】本発明の第２の側面に係る半導体発光素子を示
す図。
す図。
【図４】本発明の第３の側面に係る半導体発光素子の励
起部を示す図。
起部を示す図。
【図５】本発明の第３の側面に係る半導体発光素子の導
波路の結晶方向としきい値の関係を示す図。
波路の結晶方向としきい値の関係を示す図。
【図６】本発明の第４の側面に係る半導体発光素子を示
す図。
す図。
【図７】本発明の第４の側面に係る半導体発光素子の発
振スペクトルを示す図。
振スペクトルを示す図。
【図８】本発明の第５の側面に係る半導体発光素子を示
す図。
す図。
【図９】本発明の第５の側面に係る半導体発光素子の発
振スペクトルを示す図。
振スペクトルを示す図。
【図１０】本発明の第１及び第３実施の形態と従来例と
の電流に対する光出力を示した図。
の電流に対する光出力を示した図。
１１…サファイヤ基板、 １２…ｎ型ＧａＮ層、 １３
…ｎ型ＡｌＧａＮ層、１４…ＧａＮ層（活性層）、 １
５…ｐ型ＡｌＧａＮ層、 １６…ｐ型ＧａＮ層、 １７
…ＳｉＯ2 、 １８…ｐ型電極、 １９…ポリイミド。
…ｎ型ＡｌＧａＮ層、１４…ＧａＮ層（活性層）、 １
５…ｐ型ＡｌＧａＮ層、 １６…ｐ型ＧａＮ層、 １７
…ＳｉＯ2 、 １８…ｐ型電極、 １９…ポリイミド。
Claims (11)
- 【請求項１】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体発光素子において、前記化合物
半導体層の側面に少なくとも反射鏡の一部をなす有機物
を設けたことを特徴とする化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体発光素子において、前記化合物
半導体層の側面と、その側面に接して設けられた有機物
とで反射鏡を形成することを特徴とする化合物半導体発
光素子。 - 【請求項３】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体素子において、前記化合物半導
体層の側面に有機物を設け、その側面を反射面とするこ
とを特徴とする化合物半導体発光素子。 - 【請求項４】前記有機物が、ポリイミド，ポリアミド，
ポリウレンタン，ポリステレン，ポリ塩化ビニール，ポ
リ塩化ビニリデン，ポリ炭酸エステル，ポリプロピレ
ン，ポリビニルアルコール，ポリフェニレンオキシド，
ポリエチレンテレクタラート，ポリエチレン，ポリエス
テルから選ばれた少なくとも一種であることを特徴とす
る請求項１〜３記載の化合物半導体発光素子。 - 【請求項５】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体発光素子において、前記化合物
半導体層の側面に少なくとも反射鏡の一部をなす金属と
半導体の積層構造の導電層を設けたことを特徴とする化
合物半導体発光素子。 - 【請求項６】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体発光素子において、前記化合物
半導体層の側面と、その側面に接して設けられた金属と
半導体の積層構造の導電層とで反射鏡を形成することを
特徴とする化合物半導体発光素子。 - 【請求項７】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体素子において、前記化合物半導
体層の側面に金属と半導体の積層構造の導電層を設け、
その導電層の金属面を反射面とすることを特徴とする化
合物半導体発光素子。 - 【請求項８】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体素子において、前記化合物半導
体層の側面に有機物を設け、その有機物の側面に金属と
半導体からなる積層構造の導体層を設けて、導体層の内
の金属面を反射面とすることを特徴とする化合物半導体
発光素子。 - 【請求項９】基板上にｎ型及びｐ型のＧａｘＡｌｙＩｎ
ｚＮ（ｚ＝１−ｘ−ｙ）系の化合物半導体層を積層し、
そのｎ型及びｐ型の化合物半導体層から夫々電極を取り
出してなる化合物半導体素子において、前記化合物半導
体層の側面に有機物と半導体層とを設け、その有機物と
半導体層とで回折格子を形成した反射面とすることを特
徴とする化合物半導体発光素子。 - 【請求項１０】前記回折格子は、光の進行方向と平行に
設けられていることを特徴とする請求項９記載の化合物
半導体発光素子。 - 【請求項１１】前記回折格子は、光の進行方向上に設け
られていることを特徴とする請求項９記載の化合物半導
体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7561896A JPH09266354A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7561896A JPH09266354A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 化合物半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266354A true JPH09266354A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=13581387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7561896A Pending JPH09266354A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266354A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090727A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Nec Corporation | 窒化物系半導体光素子 |
| JP2008287892A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 照明装置および該照明装置を用いた液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7561896A patent/JPH09266354A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008090727A1 (ja) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Nec Corporation | 窒化物系半導体光素子 |
| JP2008287892A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 照明装置および該照明装置を用いた液晶表示装置 |
| JP4521013B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2010-08-11 | 株式会社日立製作所 | 照明装置および該照明装置を用いた液晶表示装置 |
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