JPH09263950A - ガラス基板の化学メッキ方法 - Google Patents
ガラス基板の化学メッキ方法Info
- Publication number
- JPH09263950A JPH09263950A JP9735896A JP9735896A JPH09263950A JP H09263950 A JPH09263950 A JP H09263950A JP 9735896 A JP9735896 A JP 9735896A JP 9735896 A JP9735896 A JP 9735896A JP H09263950 A JPH09263950 A JP H09263950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- coupling agent
- silane coupling
- chemical plating
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板上に高精細な電極・配線パターン
を高精度に形成することが可能な化学メッキ方法を提供
する。 【解決手段】 ガラス基板上にフッ素系シランカップリ
ング剤を所望のパターンで形成し、このシランカップリ
ング剤の表面にアミノ基を導入し、更に表面活性化処理
を施した後に化学メッキする。 【効果】 カップリング剤表面のアミノ基の導入パター
ンを反映した高精細／高精度な電極・配線パターンを形
成することができる。
を高精度に形成することが可能な化学メッキ方法を提供
する。 【解決手段】 ガラス基板上にフッ素系シランカップリ
ング剤を所望のパターンで形成し、このシランカップリ
ング剤の表面にアミノ基を導入し、更に表面活性化処理
を施した後に化学メッキする。 【効果】 カップリング剤表面のアミノ基の導入パター
ンを反映した高精細／高精度な電極・配線パターンを形
成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（以下、「ＬＣＤ」と称す。）やプラズマディスプレイ
（以下、「ＰＤＰ」と称す。）等のディスプレイ等を構
成するガラス基板上に形成される金属電極，金属配線の
製造方法に関するものである。
（以下、「ＬＣＤ」と称す。）やプラズマディスプレイ
（以下、「ＰＤＰ」と称す。）等のディスプレイ等を構
成するガラス基板上に形成される金属電極，金属配線の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤやＰＤＰ等の大面積、平面ディス
プレイを構成するガラス基板上にはＴＦＴを動作するた
めのソース，ゲート電極や、ＰＤＰの信号電極等が形成
されている。
プレイを構成するガラス基板上にはＴＦＴを動作するた
めのソース，ゲート電極や、ＰＤＰの信号電極等が形成
されている。
【０００３】これらの電極や配線は高精細かつ高精度で
あることが要求されるため、通常、フォトリソグラフィ
工程によって形成されているが、工程が複雑でコスト高
であるという欠点がある。また近年、ディスプレイの大
面積化に伴い、大面積のガラス基板に高精細な電極ある
いは配線を高精度に、かつ低コストで形成できるプロセ
スが求められている。この要求に応えるプロセスとし
て、印刷プロセスが提案されているが、印刷精度やイン
キ焼成時の温度による基板変形等の問題のために実用化
レベルにない。また、低コストで大面積に金属膜を形成
可能なプロセスとしてメッキ技術が知られているが、ガ
ラス基板上に金属膜を高精度，高精細に形成することは
困難である。
あることが要求されるため、通常、フォトリソグラフィ
工程によって形成されているが、工程が複雑でコスト高
であるという欠点がある。また近年、ディスプレイの大
面積化に伴い、大面積のガラス基板に高精細な電極ある
いは配線を高精度に、かつ低コストで形成できるプロセ
スが求められている。この要求に応えるプロセスとし
て、印刷プロセスが提案されているが、印刷精度やイン
キ焼成時の温度による基板変形等の問題のために実用化
レベルにない。また、低コストで大面積に金属膜を形成
可能なプロセスとしてメッキ技術が知られているが、ガ
ラス基板上に金属膜を高精度，高精細に形成することは
困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記事情に
鑑み、大面積なガラス基板に高精細な電極あるいは配線
を高精度に、かつ低コストで形成できるプロセスを提供
することを主目的とする。
鑑み、大面積なガラス基板に高精細な電極あるいは配線
を高精度に、かつ低コストで形成できるプロセスを提供
することを主目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は以下の通りである。
された本発明の構成は以下の通りである。
【０００６】即ち、本発明の第一は、ガラス基板上にフ
ッ素系シランカップリング剤を所望のパターンで形成
し、該シランカップリング剤の表面にアミノ基を導入
し、引き続き表面活性化処理を施した後に化学メッキす
ることを特徴とするガラス基板の化学メッキ方法にあ
る。
ッ素系シランカップリング剤を所望のパターンで形成
し、該シランカップリング剤の表面にアミノ基を導入
し、引き続き表面活性化処理を施した後に化学メッキす
ることを特徴とするガラス基板の化学メッキ方法にあ
る。
【０００７】また、本発明の第二は、ガラス基板上にフ
ッ素系シランカップリング剤を形成し、該シランカップ
リング剤の表面に所望のパターンでアミノ基を導入し、
引き続き表面活性化処理を施した後に化学メッキするこ
とを特徴とするガラス基板の化学メッキ方法にある。
ッ素系シランカップリング剤を形成し、該シランカップ
リング剤の表面に所望のパターンでアミノ基を導入し、
引き続き表面活性化処理を施した後に化学メッキするこ
とを特徴とするガラス基板の化学メッキ方法にある。
【０００８】上記本発明の方法によれば、ガラス基板上
のカップリング剤表面に所望のパターンでアミノ基を導
入し、これを表面活性化処理した後に化学メッキを行う
ことによって、大面積なガラス基板に低温で所望の位置
に選択的に金属膜を密着性良く形成できるものである。
のカップリング剤表面に所望のパターンでアミノ基を導
入し、これを表面活性化処理した後に化学メッキを行う
ことによって、大面積なガラス基板に低温で所望の位置
に選択的に金属膜を密着性良く形成できるものである。
【０００９】本発明はまた、上記方法により化学メッキ
が施されたガラス基板、更には該ガラス基板を有する液
晶素子やプラズマディスプレイに関する。
が施されたガラス基板、更には該ガラス基板を有する液
晶素子やプラズマディスプレイに関する。
【００１０】本発明は更に、上記化学メッキ方法を用い
た液晶素子やプラズマディスプレイの製造方法に関す
る。
た液晶素子やプラズマディスプレイの製造方法に関す
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の化学メッキ方法に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
【００１２】まず、フッ素系シランカップリング剤を用
いる場合について説明する。特願平４−３５６９４１
号、特願平６−２５６５４８号には、ヒドラジン存在下
でフッ素系高分子にレーザー光を照射すると、レーザー
光照射部がアミノ化し親水化されることにより、化学メ
ッキにより金属膜を形成できることが開示されている。
また、フッ素系ポリマーに極性基を導入する表面改質法
として、プラズマ処理を用いる方法（Ｍ． Ｍｏｒｒ
ａ， ｅｔ ａｌ． ， Ｌａｎｇｍｕｉｒ， ｖｏ
ｌ．５，Ｐ．８７２（１９８９））やアルカリ金属の溶
液を用いた化学的活性方法（Ｅ．Ｒ． Ｎｅｌｓｏｎ，
ｅｔ ａｌ． ， Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌａｎｄ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ｖｏ
ｌ．５０ Ｐ．３２９（１９５８））、ボロン・アルミ
ニウム・アンモニア化合物を用いたレーザー照射による
方法（豊田、村原、特開平２−１９６８３４号公報）等
が知られている。
いる場合について説明する。特願平４−３５６９４１
号、特願平６−２５６５４８号には、ヒドラジン存在下
でフッ素系高分子にレーザー光を照射すると、レーザー
光照射部がアミノ化し親水化されることにより、化学メ
ッキにより金属膜を形成できることが開示されている。
また、フッ素系ポリマーに極性基を導入する表面改質法
として、プラズマ処理を用いる方法（Ｍ． Ｍｏｒｒ
ａ， ｅｔ ａｌ． ， Ｌａｎｇｍｕｉｒ， ｖｏ
ｌ．５，Ｐ．８７２（１９８９））やアルカリ金属の溶
液を用いた化学的活性方法（Ｅ．Ｒ． Ｎｅｌｓｏｎ，
ｅｔ ａｌ． ， Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌａｎｄ Ｅ
ｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， ｖｏ
ｌ．５０ Ｐ．３２９（１９５８））、ボロン・アルミ
ニウム・アンモニア化合物を用いたレーザー照射による
方法（豊田、村原、特開平２−１９６８３４号公報）等
が知られている。
【００１３】シランカップリング剤は、カーボンファン
クショナルシランの中でも特に、有機ポリマーに対して
反応性、親和性を持つ有機官能基を含有する化合物を総
称したものであり、有機ポリマーと無機、及び金属材料
の接する界面で接着改良剤として働く。一般式は、Ｙ〜
ＳｉＸ3 で表され、Ｙはアミノ、エポキシ、ビニル、メ
タクリル、メルカプト基に代表される反応性有機官能基
を、Ｘはアルコキシ基に代表される加水分解性基であ
る。無機系材料、特にガラスに対する接着機構は、図１
に示す様な化学結合論によって説明されている。これに
よれば、ガラス基板上に形成したシランカップリング剤
の表面には反応性有機官能基が最表面に存在している。
クショナルシランの中でも特に、有機ポリマーに対して
反応性、親和性を持つ有機官能基を含有する化合物を総
称したものであり、有機ポリマーと無機、及び金属材料
の接する界面で接着改良剤として働く。一般式は、Ｙ〜
ＳｉＸ3 で表され、Ｙはアミノ、エポキシ、ビニル、メ
タクリル、メルカプト基に代表される反応性有機官能基
を、Ｘはアルコキシ基に代表される加水分解性基であ
る。無機系材料、特にガラスに対する接着機構は、図１
に示す様な化学結合論によって説明されている。これに
よれば、ガラス基板上に形成したシランカップリング剤
の表面には反応性有機官能基が最表面に存在している。
【００１４】フッ素系シランカップリング剤としては、
Ｃ6 Ｆ13（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5 ）3 （Ｔｒｉｄ
ｅｃａｆｌｕｏｒｏ−ｏｃｔｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓ
ｉｌａｎｅ）に代表されるパーフロロ官能シランやガラ
スとの密着性が良好なＥＴＦＥ（エチレン４フッ化エチ
レン重合体）等が挙げられる。ガラス基板上にシランカ
ップリング剤を形成した後、無処理でも良いが２００℃
以下で加熱処理することにより、シランとガラスの間に
化学結合が形成され、密着性改善の効果が更に向上す
る。
Ｃ6 Ｆ13（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5 ）3 （Ｔｒｉｄ
ｅｃａｆｌｕｏｒｏ−ｏｃｔｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓ
ｉｌａｎｅ）に代表されるパーフロロ官能シランやガラ
スとの密着性が良好なＥＴＦＥ（エチレン４フッ化エチ
レン重合体）等が挙げられる。ガラス基板上にシランカ
ップリング剤を形成した後、無処理でも良いが２００℃
以下で加熱処理することにより、シランとガラスの間に
化学結合が形成され、密着性改善の効果が更に向上す
る。
【００１５】フッ素系シランカップリング剤の形成によ
り、ガラス基板の表面エネルギーは非常に小さくなり、
疎水性を呈する。従って、この上に金属膜を形成するこ
とは困難である。しかしながら、フッ素系シランカップ
リング剤の表面のフッ素原子をアミノ基に置換すること
により、表面自由エネルギーを大きくすることができ、
表面接着性の向上やアミノ基と他の試薬との化学反応が
可能となる。
り、ガラス基板の表面エネルギーは非常に小さくなり、
疎水性を呈する。従って、この上に金属膜を形成するこ
とは困難である。しかしながら、フッ素系シランカップ
リング剤の表面のフッ素原子をアミノ基に置換すること
により、表面自由エネルギーを大きくすることができ、
表面接着性の向上やアミノ基と他の試薬との化学反応が
可能となる。
【００１６】本発明においてフッ素系シランカップリン
グ剤を用いる場合、ガラス基板上のカップリング剤表面
に所望のパターンでアミノ基を導入する方法としては、
大きく分けて、ガラス基板全面にフッ素系シランカップ
リング剤を形成した後、ヒドラジン類の雰囲気下で選択
的に紫外レーザーを照射する方法と、インクジェット・
プリンターやスクリーン印刷等を用いてフッ素系シラン
カップリング剤を所望のパターンに描画した後、ヒドラ
ジン類の雰囲気下で全面に紫外レーザーを照射する方法
がある。
グ剤を用いる場合、ガラス基板上のカップリング剤表面
に所望のパターンでアミノ基を導入する方法としては、
大きく分けて、ガラス基板全面にフッ素系シランカップ
リング剤を形成した後、ヒドラジン類の雰囲気下で選択
的に紫外レーザーを照射する方法と、インクジェット・
プリンターやスクリーン印刷等を用いてフッ素系シラン
カップリング剤を所望のパターンに描画した後、ヒドラ
ジン類の雰囲気下で全面に紫外レーザーを照射する方法
がある。
【００１７】具体的には、先に知られるように、ヒドラ
ジン、飽水ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、フェニルヒド
ラジン等のヒドラジン類の雰囲気下でフッ素系シランカ
ップリング剤に紫外レーザーを照射すると、レーザー光
の照射された部分のみにアミノ基を有するポリマー分子
鎖が形成される。これは、ヒドラジンに紫外レーザーが
照射されることにより、電子励起状態のヒドラジンが生
成し、この電子励起状態のヒドラジンがラジカルやナイ
トレンなどの反応中間体に分解し、フッ素原子との置換
反応が起こることによる。
ジン、飽水ヒドラジン、塩酸ヒドラジン、フェニルヒド
ラジン等のヒドラジン類の雰囲気下でフッ素系シランカ
ップリング剤に紫外レーザーを照射すると、レーザー光
の照射された部分のみにアミノ基を有するポリマー分子
鎖が形成される。これは、ヒドラジンに紫外レーザーが
照射されることにより、電子励起状態のヒドラジンが生
成し、この電子励起状態のヒドラジンがラジカルやナイ
トレンなどの反応中間体に分解し、フッ素原子との置換
反応が起こることによる。
【００１８】次に、表面アミノ化処理を行ったフッ素系
シランカップリング剤の表面を活性化するために、例え
ば塩化第一スズ・塩酸混合溶液に浸漬する。これによ
り、カップリング剤表面のアミノ基は、イオン化されて
アンモニウム基になり、スズのクロロ錯イオンがイオン
結合によって表面に固定化される。水洗後、例えば塩化
パラジウム溶液に浸漬し、表面に吸着したパラジウムイ
オンをスズ錯イオンによって還元することで、金属パラ
ジウムコロイドを表面に析出させる。そして、この金属
パラジウムコロイドを触媒サイトとして化学メッキ浴中
に浸漬することで、アミノ基の導入パターンに応じた金
属膜を形成することができる。尚、上記金属膜の材料と
しては、ニッケル、コバルト、銅、金、白金等が好適で
ある。
シランカップリング剤の表面を活性化するために、例え
ば塩化第一スズ・塩酸混合溶液に浸漬する。これによ
り、カップリング剤表面のアミノ基は、イオン化されて
アンモニウム基になり、スズのクロロ錯イオンがイオン
結合によって表面に固定化される。水洗後、例えば塩化
パラジウム溶液に浸漬し、表面に吸着したパラジウムイ
オンをスズ錯イオンによって還元することで、金属パラ
ジウムコロイドを表面に析出させる。そして、この金属
パラジウムコロイドを触媒サイトとして化学メッキ浴中
に浸漬することで、アミノ基の導入パターンに応じた金
属膜を形成することができる。尚、上記金属膜の材料と
しては、ニッケル、コバルト、銅、金、白金等が好適で
ある。
【００１９】フッ素系シランカップリング剤の表面のフ
ッ素原子をアミノ基に置換する際に用いる紫外レーザー
としては、例えばＫｒＦ（λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦ
（λ＝１９３ｎｍ）のエキシマレーザーが好適である。
これは、ヒドラジン類の紫外吸収波長に対応しているた
めである。レーザー光の強度は、アブレーションを起こ
さない程度が好ましく、およそ１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐ
ｕｌｓｅ以下の強度が好ましい。
ッ素原子をアミノ基に置換する際に用いる紫外レーザー
としては、例えばＫｒＦ（λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦ
（λ＝１９３ｎｍ）のエキシマレーザーが好適である。
これは、ヒドラジン類の紫外吸収波長に対応しているた
めである。レーザー光の強度は、アブレーションを起こ
さない程度が好ましく、およそ１００ｍＪ／ｃｍ2・ｐ
ｕｌｓｅ以下の強度が好ましい。
【００２０】また、フッ素系シランカップリング剤の表
面アミノ化は、ヒドラジン類のガス圧が高いほうが効果
的である。また、ヒドラジンは毒性が高いため、ヒドラ
ジン雰囲気の環境はクローズドである必要がある。尚、
ヒドラジン以外にフッ素系シランカップリング剤の表面
のフッ素原子をアミノ基に置換できるものとして、ＮＨ
3 等がある。
面アミノ化は、ヒドラジン類のガス圧が高いほうが効果
的である。また、ヒドラジンは毒性が高いため、ヒドラ
ジン雰囲気の環境はクローズドである必要がある。尚、
ヒドラジン以外にフッ素系シランカップリング剤の表面
のフッ素原子をアミノ基に置換できるものとして、ＮＨ
3 等がある。
【００２１】次に、アミノ系シランカップリング剤を用
いる場合について説明する。アミノ系シランカップリン
グ剤をガラス基板上に形成した場合、前述のフッ素系シ
ランカップリング剤においてパーフロロアルキル基が表
面に存在するように、表面にはアミノ基が存在する。従
って、フッ素系シランカップリング剤の場合と異なり、
表面アミノ化をする必要がなく、所望のパターンでアミ
ノ系シランカップリング剤を形成することにより、フッ
素系シランカップリング剤の場合と同様にして所望のパ
ターンで化学メッキが可能となる。
いる場合について説明する。アミノ系シランカップリン
グ剤をガラス基板上に形成した場合、前述のフッ素系シ
ランカップリング剤においてパーフロロアルキル基が表
面に存在するように、表面にはアミノ基が存在する。従
って、フッ素系シランカップリング剤の場合と異なり、
表面アミノ化をする必要がなく、所望のパターンでアミ
ノ系シランカップリング剤を形成することにより、フッ
素系シランカップリング剤の場合と同様にして所望のパ
ターンで化学メッキが可能となる。
【００２２】即ち、例えば塩化第一スズ・塩酸混合溶液
に浸漬することにより、カップリング剤のアミノ基がイ
オン化されてアンモニオ基になり、スズのクロロ錯イオ
ンがイオン結合によって表面に固定化される。水洗後、
例えば塩化パラジウム溶液に浸漬し、表面に吸着したパ
ラジウムイオンをスズ錯イオンによって還元すること
で、金属パラジウムコロイドを表面に析出させる。そし
て、この金属パラジウムコロイドを触媒サイトとして化
学メッキ浴中に浸漬することで、アミノ基の導入パター
ン、即ちアミノ系シランカップリング剤の形成パターン
に応じた金属膜を形成することができる。
に浸漬することにより、カップリング剤のアミノ基がイ
オン化されてアンモニオ基になり、スズのクロロ錯イオ
ンがイオン結合によって表面に固定化される。水洗後、
例えば塩化パラジウム溶液に浸漬し、表面に吸着したパ
ラジウムイオンをスズ錯イオンによって還元すること
で、金属パラジウムコロイドを表面に析出させる。そし
て、この金属パラジウムコロイドを触媒サイトとして化
学メッキ浴中に浸漬することで、アミノ基の導入パター
ン、即ちアミノ系シランカップリング剤の形成パターン
に応じた金属膜を形成することができる。
【００２３】アミノ系シランカップリング剤としては、
γ−アミノプロピルシランや置換アミノシラン等が使用
できる。
γ−アミノプロピルシランや置換アミノシラン等が使用
できる。
【００２４】インクジェット・プリンターやスクリーン
印刷等を用いてアミノ系シランカップリング剤を所望の
パターンに直接描画する場合は、フッ素系シランカップ
リング剤の場合と同様であるが、ガラス基板全面に形成
する場合には、形成しようとする配線・電極パターンを
ネガパターンとするマスク・パターニングにより、不要
部分をレーザーや酸素プラズマ等を用いて除去する必要
がある。この時に用いるレーザーとしては、ＣＯ2 レー
ザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いるこ
とができ、アブレーションによりシランカップリング剤
が除去できるレーザー強度に設定すればよい。通常、５
００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓｅ以下の強度であれば問題
はない。
印刷等を用いてアミノ系シランカップリング剤を所望の
パターンに直接描画する場合は、フッ素系シランカップ
リング剤の場合と同様であるが、ガラス基板全面に形成
する場合には、形成しようとする配線・電極パターンを
ネガパターンとするマスク・パターニングにより、不要
部分をレーザーや酸素プラズマ等を用いて除去する必要
がある。この時に用いるレーザーとしては、ＣＯ2 レー
ザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いるこ
とができ、アブレーションによりシランカップリング剤
が除去できるレーザー強度に設定すればよい。通常、５
００ｍＪ／ｃｍ2・ｐｕｌｓｅ以下の強度であれば問題
はない。
【００２５】上記レーザー処理を行う雰囲気は、酸素、
大気、Ａｒ、Ｎ2 等である。また、酸素プラズマによる
場合は、減圧あるいは大気圧下でＤＣ，ＲＦ，マイクロ
波を励起源として形成したものを使用できる。
大気、Ａｒ、Ｎ2 等である。また、酸素プラズマによる
場合は、減圧あるいは大気圧下でＤＣ，ＲＦ，マイクロ
波を励起源として形成したものを使用できる。
【００２６】本発明に係るガラス基板としては、ガラス
単体だけでなく、ガラス基板上に透明導電膜（ＩＴＯ
等）や蛍光体等が形成された形成されたものであっても
良い。上記ガラス基板全面にフッ素系シランカップリン
グ剤あるいはアミノ系シランカップリング剤を形成する
方法としては、スピンコート法やディップ・コーティン
グ法を用いることができる。また、カップリング剤の膜
厚としては、１０ｎｍ〜２０μｍの範囲が好ましい。１
０ｎｍより薄いと、ガラス基板に対する金属膜の密着強
度が十分でなく、２０μｍを超えると、平坦化の必要性
があるときに問題となる。
単体だけでなく、ガラス基板上に透明導電膜（ＩＴＯ
等）や蛍光体等が形成された形成されたものであっても
良い。上記ガラス基板全面にフッ素系シランカップリン
グ剤あるいはアミノ系シランカップリング剤を形成する
方法としては、スピンコート法やディップ・コーティン
グ法を用いることができる。また、カップリング剤の膜
厚としては、１０ｎｍ〜２０μｍの範囲が好ましい。１
０ｎｍより薄いと、ガラス基板に対する金属膜の密着強
度が十分でなく、２０μｍを超えると、平坦化の必要性
があるときに問題となる。
【００２７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の具体的実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００２８】［実施例１］図２〜図４は、本発明に係る
ＬＣＤを構成するガラス基板の模式的構造図である。図
２はＴＦＴ方式、図３はＭＩＭ方式、図４は強誘電体液
晶を用いた方式のＬＣＤに係るガラス基板を示してい
る。何れのＬＣＤにおいても、ガラス基板上もしくはこ
の上に形成されたＩＴＯ上に金属電極が形成されてい
る。
ＬＣＤを構成するガラス基板の模式的構造図である。図
２はＴＦＴ方式、図３はＭＩＭ方式、図４は強誘電体液
晶を用いた方式のＬＣＤに係るガラス基板を示してい
る。何れのＬＣＤにおいても、ガラス基板上もしくはこ
の上に形成されたＩＴＯ上に金属電極が形成されてい
る。
【００２９】本実施例では、ガラス基板をイソプロピル
アルコールでよく洗浄した後、このガラス基板上にＣ6
Ｆ13（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 （Ｔｒｉｄｅｃ
ａｆｌｕｏｒｏ−ｏｃｔｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌ
ａｎｅ：Ｆ−６（旭硝子社製））をインクジェット・プ
リンターのインクとして、形成すべき電極・配線パター
ンと同様のパターンに描画した。これを８０℃で１０分
間加熱処理した後、図５に示す装置に導入した。
アルコールでよく洗浄した後、このガラス基板上にＣ6
Ｆ13（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 （Ｔｒｉｄｅｃ
ａｆｌｕｏｒｏ−ｏｃｔｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌ
ａｎｅ：Ｆ−６（旭硝子社製））をインクジェット・プ
リンターのインクとして、形成すべき電極・配線パター
ンと同様のパターンに描画した。これを８０℃で１０分
間加熱処理した後、図５に示す装置に導入した。
【００３０】図５中、１はチャンバー、２は排気系、３
はヒドラジン導入系、４は石英ガラスからなるレーザー
導入窓、５はガルバノミラー、６はエキシマレーザー、
７は上記のガラス基板である。
はヒドラジン導入系、４は石英ガラスからなるレーザー
導入窓、５はガルバノミラー、６はエキシマレーザー、
７は上記のガラス基板である。
【００３１】まず、チャンバー１内を圧力０．１Ｐａに
排気した後、ヒドラジンをガス化して導入し、圧力１１
００Ｐａとした。この時、チャンバー１内は室温に保っ
た。
排気した後、ヒドラジンをガス化して導入し、圧力１１
００Ｐａとした。この時、チャンバー１内は室温に保っ
た。
【００３２】次に、レーザー導入窓４よりＡｒＦエキシ
マレーザーを７０ｍＪ・ｃｍ-2・ｐｕｌｓｅ-1の強度で
８００ｐｕｌｓｅ照射しながら、ガラス基板７の表面全
体を走査した。
マレーザーを７０ｍＪ・ｃｍ-2・ｐｕｌｓｅ-1の強度で
８００ｐｕｌｓｅ照射しながら、ガラス基板７の表面全
体を走査した。
【００３３】以上のように作製した試験サンプルをＸＰ
Ｓ（Ｘ線光電子分光法）により測定したところ、レーザ
ー照射後に窒素（Ｎ１ｓ）ピークが観測されるととも
に、フッ素（Ｆ１ｓ）ピークが減少していることから、
アミノ基が導入されたことを確認できた。
Ｓ（Ｘ線光電子分光法）により測定したところ、レーザ
ー照射後に窒素（Ｎ１ｓ）ピークが観測されるととも
に、フッ素（Ｆ１ｓ）ピークが減少していることから、
アミノ基が導入されたことを確認できた。
【００３４】引き続き、前記ガラス基板を塩化第一スズ
・塩酸混合溶液中に４０秒浸漬し、水洗後、塩化パラジ
ウム（ＰｄＣｌ2 ）水溶液に５分間浸漬した。この後、
銅、金、白金等、所望の金属メッキ浴に浸漬して、所定
のパターンを有する金属配線・電極（金属メッキ膜）を
形成することができた。
・塩酸混合溶液中に４０秒浸漬し、水洗後、塩化パラジ
ウム（ＰｄＣｌ2 ）水溶液に５分間浸漬した。この後、
銅、金、白金等、所望の金属メッキ浴に浸漬して、所定
のパターンを有する金属配線・電極（金属メッキ膜）を
形成することができた。
【００３５】得られた金属メッキ膜に対して、テープテ
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。
【００３６】以上のようにして金属配線・電極パターン
を形成したガラス基板を用いてＬＣＤを構成し、動作確
認を行ったところ、なんら問題が無く良好に動作した。
を形成したガラス基板を用いてＬＣＤを構成し、動作確
認を行ったところ、なんら問題が無く良好に動作した。
【００３７】［実施例２］実施例１と同様のガラス基板
に、スピンコート法によりフッ素系シランカップリング
剤Ｆ−６（旭硝子社製）を全面コーティングした。この
ガラス基板を、所定の配線・電極パターンを有するマス
クとともに図５のチャンバー１内に設置し、実施例１と
同様にアミノ化処理を行い、所定のパターンでアミノ基
を導入した。
に、スピンコート法によりフッ素系シランカップリング
剤Ｆ−６（旭硝子社製）を全面コーティングした。この
ガラス基板を、所定の配線・電極パターンを有するマス
クとともに図５のチャンバー１内に設置し、実施例１と
同様にアミノ化処理を行い、所定のパターンでアミノ基
を導入した。
【００３８】次に、実施例１と同様の方法で表面活性化
処理を施した後、金属膜を化学メッキして、所定のパタ
ーンを有する金属配線・電極を形成することができた。
処理を施した後、金属膜を化学メッキして、所定のパタ
ーンを有する金属配線・電極を形成することができた。
【００３９】得られた金属メッキ膜に対して、テープテ
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。また、このガラス基板
を用いてＬＣＤを構成し、動作確認を行ったところ、な
んら問題が無く良好に動作した。
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。また、このガラス基板
を用いてＬＣＤを構成し、動作確認を行ったところ、な
んら問題が無く良好に動作した。
【００４０】［実施例３］図６は本発明に係るＰＤＰの
模式的構造図であり、これを構成する２枚のガラス基板
上には、夫々走査／保持電極と信号電極が形成されてい
る。
模式的構造図であり、これを構成する２枚のガラス基板
上には、夫々走査／保持電極と信号電極が形成されてい
る。
【００４１】本実施例では上記ガラス基板（電極基板）
を以下のようにして作製した。
を以下のようにして作製した。
【００４２】まず、ガラス基板上にγ−アミノプロピル
シランをインクジェット・プリンターのインクとして、
形成すべき電極・配線パターンと同様のパターンに描画
した。
シランをインクジェット・プリンターのインクとして、
形成すべき電極・配線パターンと同様のパターンに描画
した。
【００４３】次に、上記ガラス基板を塩化第一スズ・塩
酸混合溶液中に４０秒浸漬し、水洗後、塩化パラジウム
（ＰｄＣｌ2 ）水溶液に５分間浸漬した。この後、銅、
金、白金等、所望の金属メッキ浴に浸漬して、所定のパ
ターンを有する金属配線・電極（金属メッキ膜）を形成
することができた。
酸混合溶液中に４０秒浸漬し、水洗後、塩化パラジウム
（ＰｄＣｌ2 ）水溶液に５分間浸漬した。この後、銅、
金、白金等、所望の金属メッキ浴に浸漬して、所定のパ
ターンを有する金属配線・電極（金属メッキ膜）を形成
することができた。
【００４４】得られた金属メッキ膜に対して、テープテ
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。また、このガラス基板
を用いてＰＤＰを構成し、動作確認を行ったところ、な
んら問題が無く良好に動作した。
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。また、このガラス基板
を用いてＰＤＰを構成し、動作確認を行ったところ、な
んら問題が無く良好に動作した。
【００４５】［実施例４］実施例３と同様のガラス基板
（電極基板）を形成するに当たり、ガラス基板全面にデ
ィップコーティング法によりγ−アミノプロピルシラン
を形成した。
（電極基板）を形成するに当たり、ガラス基板全面にデ
ィップコーティング法によりγ−アミノプロピルシラン
を形成した。
【００４６】次に、形成すべき配線・電極に対しネガパ
ターンとなる電極パターンを形成したマスクを用い、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーでアブレーションして、γ−アミ
ノプロピルシランの不要部分を除去した。この時、エキ
シマレーザーの強度は、５０ｍＪ・ｃｍ-2・ｐｕｌｓｅ
-1で１０００ｐｕｌｓｅを走査しながら照射した。
ターンとなる電極パターンを形成したマスクを用い、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーでアブレーションして、γ−アミ
ノプロピルシランの不要部分を除去した。この時、エキ
シマレーザーの強度は、５０ｍＪ・ｃｍ-2・ｐｕｌｓｅ
-1で１０００ｐｕｌｓｅを走査しながら照射した。
【００４７】次に、実施例３と同様の方法で表面活性化
処理を施した後、金属膜を化学メッキして、所定のパタ
ーンを有する金属配線・電極を形成することができた。
処理を施した後、金属膜を化学メッキして、所定のパタ
ーンを有する金属配線・電極を形成することができた。
【００４８】得られた金属メッキ膜に対して、テープテ
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。また、このガラス基板
を用いてＰＤＰを構成し、動作確認を行ったところ、な
んら問題が無く良好に動作した。
ストを行ったところ、金属膜が剥離することなく良好な
密着性を有することを確認した。また、このガラス基板
を用いてＰＤＰを構成し、動作確認を行ったところ、な
んら問題が無く良好に動作した。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガラス基板上のカップリング剤表面に所望のパターンで
アミノ基を導入し、これを表面活性化処理した後に化学
メッキを行うことによって、大面積なガラス基板にも低
温プロセスで所望の位置に選択的に金属膜を密着性良く
形成することができ、高精細な電極あるいは配線を高精
度に、かつ低コストで形成することが可能となった。
ガラス基板上のカップリング剤表面に所望のパターンで
アミノ基を導入し、これを表面活性化処理した後に化学
メッキを行うことによって、大面積なガラス基板にも低
温プロセスで所望の位置に選択的に金属膜を密着性良く
形成することができ、高精細な電極あるいは配線を高精
度に、かつ低コストで形成することが可能となった。
【図１】ガラスとシランカップリング剤の接着機構を説
明するための図である。
明するための図である。
【図２】本発明の実施例に係るＬＣＤの構造を示す模式
図である。
図である。
【図３】本発明の実施例に係るＬＣＤの構造を示す模式
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例に係るＬＣＤの構造を示す模式
図である。
図である。
【図５】本発明の実施例に係るエキシマレーザーを使用
したアミノ化処理のための装置の模式図である。
したアミノ化処理のための装置の模式図である。
【図６】本発明の実施例に係るＰＤＰの構造を示す模式
図である。
図である。
１ チャンバー ２ 排気系 ３ ガス導入系 ４ レーザー導入窓 ５ ガルバノミラー ６ エキシマレーザー ７ ガラス基板（とマスク）
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板上にフッ素系シランカップリ
ング剤を所望のパターンで形成し、該シランカップリン
グ剤の表面にアミノ基を導入し、引き続き表面活性化処
理を施した後に化学メッキすることを特徴とするガラス
基板の化学メッキ方法。 - 【請求項２】 ガラス基板上にフッ素系シランカップリ
ング剤を形成し、該シランカップリング剤の表面に所望
のパターンでアミノ基を導入し、引き続き表面活性化処
理を施した後に化学メッキすることを特徴とするガラス
基板の化学メッキ方法。 - 【請求項３】 前記表面活性化処理が、前記フッ素系シ
ランカップリング剤を形成したガラス基板を、塩化第一
スズ・塩酸混合溶液に浸漬する工程を少なくとも有する
請求項１又は２に記載のガラス基板の化学メッキ方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の方法に
より化学メッキが施されたガラス基板。 - 【請求項５】 請求項４に記載のガラス基板を有する液
晶素子。 - 【請求項６】 請求項４に記載のガラス基板を有するプ
ラズマディスプレイ。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載の化学メ
ッキ方法を用いた液晶素子の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の化学メ
ッキ方法を用いたプラズマディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9735896A JPH09263950A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | ガラス基板の化学メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9735896A JPH09263950A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | ガラス基板の化学メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09263950A true JPH09263950A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=14190283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9735896A Withdrawn JPH09263950A (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | ガラス基板の化学メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09263950A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204479A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-25 | Ritsumeikan | ３次元デバイス構造の形成方法 |
| WO2002001297A3 (de) * | 2000-06-29 | 2002-10-03 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur photochemischen strukturierung von oberflächen, sowie mittels diesem verfahren strukturierte gegenstände |
| WO2004108986A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Nikko Materials Co., Ltd. | 無電解めっき方法及び金属めっき物 |
| WO2006134899A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Tohoku University | 薄膜トランジスタ、配線板、及び電子装置の製造方法 |
| JP2007043113A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の作製方法 |
| JP2009177214A (ja) * | 2009-05-13 | 2009-08-06 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| CN109750284A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-05-14 | 合肥学院 | 一种大件基材表面化学镀的方法 |
| JP2020023734A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社豊光社 | めっき処理されたガラス基材の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP9735896A patent/JPH09263950A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204479A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-25 | Ritsumeikan | ３次元デバイス構造の形成方法 |
| WO2002001297A3 (de) * | 2000-06-29 | 2002-10-03 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur photochemischen strukturierung von oberflächen, sowie mittels diesem verfahren strukturierte gegenstände |
| WO2004108986A1 (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-16 | Nikko Materials Co., Ltd. | 無電解めっき方法及び金属めっき物 |
| US8182873B2 (en) | 2003-06-09 | 2012-05-22 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for electroless plating and metal-plated article |
| WO2006134899A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Tohoku University | 薄膜トランジスタ、配線板、及び電子装置の製造方法 |
| JP2007043113A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-02-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の作製方法 |
| JP2009177214A (ja) * | 2009-05-13 | 2009-08-06 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP2020023734A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社豊光社 | めっき処理されたガラス基材の製造方法 |
| CN109750284A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-05-14 | 合肥学院 | 一种大件基材表面化学镀的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5378502A (en) | Method of chemically modifying a surface in accordance with a pattern | |
| US6238749B1 (en) | Method of providing a metal pattern on an electrically insulating substrate in an electroless process | |
| US6006763A (en) | Surface treatment method | |
| US7205096B2 (en) | Method for forming metal pattern by using metal nanocrystals | |
| US6798032B2 (en) | Metal film pattern and manufacturing method thereof | |
| EP0884934B1 (en) | Substrate and method for producing it | |
| US20060099759A1 (en) | Pattern formation method and pattern formation apparatus, method for manufacturing device, electro-optical device, electronic device, and method for manufacturing active matrix substrate | |
| US7556991B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP3320504B2 (ja) | ガラス基板上に金属パターンを無電解法で設ける方法 | |
| WO2013089178A1 (ja) | 電子機器用カバーガラス及びその製造方法、並びにタッチセンサモジュールの製造方法 | |
| JPH09263950A (ja) | ガラス基板の化学メッキ方法 | |
| WO2005096684A1 (ja) | 回路基板、回路基板の製造方法及び回路基板を備えた表示装置 | |
| KR20000006068A (ko) | 무전해금속도금법으로기판상의실릴하이드라이드관능성수지위에패턴화된금속필름을형성시키는방법 | |
| JP2005243991A (ja) | 金属配線形成方法およびこの方法で形成された金属配線回路 | |
| JP3843706B2 (ja) | 微細構造体の製造方法 | |
| JP3499106B2 (ja) | 配線の形成方法及び配線基板 | |
| JP3619016B2 (ja) | 基板及びその製造方法 | |
| JP3245112B2 (ja) | カラー・フィルター用ガラス基板のための洗浄方法 | |
| JP2008106345A (ja) | 導電性膜の形成方法、それを用いて形成された導電性膜、並びにプリント配線基板、薄層トランジスタ、及び装置 | |
| DE10015213C1 (de) | Verfahren zur Metallisierung zumindest einer Isolierschicht eines Bauelements | |
| JP2002172789A (ja) | インクジェットヘッドの製造方法 | |
| KR20170061096A (ko) | 식각 폐액으로부터 은을 석출하는 장치 및 방법 | |
| JPH026833B2 (ja) | ||
| JP2008242412A (ja) | 積層体、導電性パターン形成方法及びそれにより得られた導電性パターン、プリント配線基板及び薄層トランジスタ、並びにそれらを用いた装置 | |
| KR100709160B1 (ko) | 가스 방전 패널용 기판의 제조 방법 및 가스 방전 패널 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |