JPH0926367A - 歪検出センサ - Google Patents
歪検出センサInfo
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- JPH0926367A JPH0926367A JP17588395A JP17588395A JPH0926367A JP H0926367 A JPH0926367 A JP H0926367A JP 17588395 A JP17588395 A JP 17588395A JP 17588395 A JP17588395 A JP 17588395A JP H0926367 A JPH0926367 A JP H0926367A
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- cantilever
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定体との熱膨張係数差による熱歪の影響が
少ない高感度の歪検出センサを提供する。 【構成】 第１梁と該第１梁と平行に設けられた第２梁
と前記第１梁と該第２梁とを連結し全体としてＵ字形を
構成する第３梁とからなり前記第１梁に引張力前記第２
梁に圧縮力或いは前記第１梁に圧縮力前記第２梁に引張
力が加わる様に両端が測定荷重の印加により測定対象物
の剪断力が生じる個所に取付られた半導体或いはパイレ
ックスガラスよりなる基板と、該基板の少なくとも第１
梁或いは第２梁の中立軸に設けられ当該梁の引張或いは
圧縮歪を検出する歪検出素子とを具備する歪検出センサ
である。
少ない高感度の歪検出センサを提供する。 【構成】 第１梁と該第１梁と平行に設けられた第２梁
と前記第１梁と該第２梁とを連結し全体としてＵ字形を
構成する第３梁とからなり前記第１梁に引張力前記第２
梁に圧縮力或いは前記第１梁に圧縮力前記第２梁に引張
力が加わる様に両端が測定荷重の印加により測定対象物
の剪断力が生じる個所に取付られた半導体或いはパイレ
ックスガラスよりなる基板と、該基板の少なくとも第１
梁或いは第２梁の中立軸に設けられ当該梁の引張或いは
圧縮歪を検出する歪検出素子とを具備する歪検出センサ
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、測定体との熱膨張係数
差による熱歪の影響が少ない高感度の歪検出センサに関
するものである。
差による熱歪の影響が少ない高感度の歪検出センサに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来より一般に使用されている
従来例の要部構成説明図で、例えば、本願出願人の出願
した、特開昭６４−１０１３９号（特願昭６２−１６６
１７６号）発明の名称「振動形トランスデュサの製造方
法」、昭和６２年７月２日出願に示されている。図１３
は、図１２のＡ―Ａ断面図である。
従来例の要部構成説明図で、例えば、本願出願人の出願
した、特開昭６４−１０１３９号（特願昭６２−１６６
１７６号）発明の名称「振動形トランスデュサの製造方
法」、昭和６２年７月２日出願に示されている。図１３
は、図１２のＡ―Ａ断面図である。
【０００３】図において、１は半導体単結晶基板で、２
は半導体基板１に設けられ、測定圧Ｐｍを受圧する測定
ダイアフラムである。３は測定ダイアフラム２に埋込み
設けられた歪み検出センサで、振動梁３が使用されてい
る。
は半導体基板１に設けられ、測定圧Ｐｍを受圧する測定
ダイアフラムである。３は測定ダイアフラム２に埋込み
設けられた歪み検出センサで、振動梁３が使用されてい
る。
【０００４】４は封止用の半導体エピタキシャル成長層
からなるシェルで、振動梁３を測定ダイアフラム２に封
止する。振動梁３の周囲の、振動梁３と、測定ダイアフ
ラム２およびシェル４との間には真空室５が設けられて
いる。
からなるシェルで、振動梁３を測定ダイアフラム２に封
止する。振動梁３の周囲の、振動梁３と、測定ダイアフ
ラム２およびシェル４との間には真空室５が設けられて
いる。
【０００５】振動梁３は、永久磁石（図示せず）による
磁場と、振動梁３に接続された閉ル―プ自励発振回路
（図示せず）とにより、振動梁３の固有振動で発振する
ように構成されている。
磁場と、振動梁３に接続された閉ル―プ自励発振回路
（図示せず）とにより、振動梁３の固有振動で発振する
ように構成されている。
【０００６】以上の構成において、測定ダイアフラム２
に測定圧力Ｐｍが加わると、振動梁３の軸力が変化し、
固有振動数が変化するため、発振周波数の変化により測
定圧力Ｐｍの測定が出来る。
に測定圧力Ｐｍが加わると、振動梁３の軸力が変化し、
固有振動数が変化するため、発振周波数の変化により測
定圧力Ｐｍの測定が出来る。
【０００７】この様な、振動梁３を利用した、振動式歪
検出センサのユニットは感度（ゲージファクタ）が５０
０〜３０００と高いものが得られる。
検出センサのユニットは感度（ゲージファクタ）が５０
０〜３０００と高いものが得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１４は、振動式歪検
出センサのユニットを片持ち梁の歪検出に使用した一例
である。図１５は図１４のＢ−Ｂ断面図である。
出センサのユニットを片持ち梁の歪検出に使用した一例
である。図１５は図１４のＢ−Ｂ断面図である。
【０００９】図において、１１は振動梁、１２は振動梁
１１の周囲に設けられた真空室、１３はシリコン単結晶
の基板である。
１１の周囲に設けられた真空室、１３はシリコン単結晶
の基板である。
【００１０】１４はシリコン基板１３が取付られたアル
ミニウムよりなる片持ち梁である。片持ち梁１４の一端
１４ａは固定され、他端１４ｂに測定荷重Ｆが印加され
る構成となっている。
ミニウムよりなる片持ち梁である。片持ち梁１４の一端
１４ａは固定され、他端１４ｂに測定荷重Ｆが印加され
る構成となっている。
【００１１】以上の構成において、片持ち梁１４の他端
１４ｂに測定荷重Ｆが印加されると、振動梁１１は、測
定荷重Ｆによる片持ち梁１４に発生した歪を検出する。
この様に、振動式歪検出センサのユニットは、感度よく
歪を検出できる。
１４ｂに測定荷重Ｆが印加されると、振動梁１１は、測
定荷重Ｆによる片持ち梁１４に発生した歪を検出する。
この様に、振動式歪検出センサのユニットは、感度よく
歪を検出できる。
【００１２】しかしながら、測定歪は、測定される構造
物に発生するものであり、構造物全体を単結晶のシリコ
ンで構成することは困難であり、高価となる。一般に
は、図１４に示す如く、構造物には金属が使用される。
物に発生するものであり、構造物全体を単結晶のシリコ
ンで構成することは困難であり、高価となる。一般に
は、図１４に示す如く、構造物には金属が使用される。
【００１３】このため、振動式歪検出センサのユニット
と測定対象物との熱膨張係数の差による熱歪の影響を受
け、温度誤差が大きくなってしまう。
と測定対象物との熱膨張係数の差による熱歪の影響を受
け、温度誤差が大きくなってしまう。
【００１４】次に、一般的に知られている抵抗ストレン
ゲージは、測定体の材料に合わせて作られたものを組み
合わせ、測定体に接着等の方法により取付使用される。
しかし、抵抗ストレンゲージは、感度（ゲージファク
タ）がほぼ２と低く、また、測定体との熱膨張係数のミ
スマツチによる温度誤差も大きい。このため、測定精度
が悪い。
ゲージは、測定体の材料に合わせて作られたものを組み
合わせ、測定体に接着等の方法により取付使用される。
しかし、抵抗ストレンゲージは、感度（ゲージファク
タ）がほぼ２と低く、また、測定体との熱膨張係数のミ
スマツチによる温度誤差も大きい。このため、測定精度
が悪い。
【００１５】本発明は、この問題点を、解決するもので
ある。本発明の目的は、半導体よりなる歪検出素子を、
Ｕ字形の基板に形成し、基板に伝わる測定体の熱膨張歪
と測定歪が直交する様に構成して、温度歪の影響を除去
して、測定体との熱膨張係数差による熱歪の影響が少な
い高感度の歪検出センサを提供するにある。
ある。本発明の目的は、半導体よりなる歪検出素子を、
Ｕ字形の基板に形成し、基板に伝わる測定体の熱膨張歪
と測定歪が直交する様に構成して、温度歪の影響を除去
して、測定体との熱膨張係数差による熱歪の影響が少な
い高感度の歪検出センサを提供するにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、第１梁と該第１梁と平行に設けられた第
２梁と前記第１梁と該第２梁とを連結し全体としてＵ字
形を構成する第３梁とからなり前記第１梁に引張力前記
第２梁に圧縮力或いは前記第１梁に圧縮力前記第２梁に
引張力が加わる様に両端が測定荷重の印加により測定対
象物の剪断力が生じる個所に取付られた半導体或いはパ
イレックスガラスよりなる基板と、該基板の少なくとも
第１梁或いは第２梁の中立軸に設けられ当該梁の引張或
いは圧縮歪を検出する歪検出素子とを具備する歪検出セ
ンサを構成したものである。
に、本発明は、第１梁と該第１梁と平行に設けられた第
２梁と前記第１梁と該第２梁とを連結し全体としてＵ字
形を構成する第３梁とからなり前記第１梁に引張力前記
第２梁に圧縮力或いは前記第１梁に圧縮力前記第２梁に
引張力が加わる様に両端が測定荷重の印加により測定対
象物の剪断力が生じる個所に取付られた半導体或いはパ
イレックスガラスよりなる基板と、該基板の少なくとも
第１梁或いは第２梁の中立軸に設けられ当該梁の引張或
いは圧縮歪を検出する歪検出素子とを具備する歪検出セ
ンサを構成したものである。
【００１７】
【作用】以上の構成において、測定対象物に測定荷重が
印加されると、測定対象物の剪断力が生じる個所に取付
られた基板の第１梁には引張力、第２梁には圧縮力、あ
るいは、第１梁には圧縮力、第２梁には引張力が発生す
る。第１梁或いは第２梁に取付られた歪検出素子により
歪を検出する。
印加されると、測定対象物の剪断力が生じる個所に取付
られた基板の第１梁には引張力、第２梁には圧縮力、あ
るいは、第１梁には圧縮力、第２梁には引張力が発生す
る。第１梁或いは第２梁に取付られた歪検出素子により
歪を検出する。
【００１８】次に、測定対象物が周囲温度の変化等によ
り熱膨張した場合に、熱歪は第１梁或いは第２梁の中立
軸に直交する方向に働き、Ｕ字形状の基板の両端を開く
様に作用する。しかし、歪検出素子は、第１梁或いは第
２梁の中立軸に設けられているので、第１梁或いは第２
梁の曲げ変形には影響されない。以下、実施例に基づき
詳細に説明する。
り熱膨張した場合に、熱歪は第１梁或いは第２梁の中立
軸に直交する方向に働き、Ｕ字形状の基板の両端を開く
様に作用する。しかし、歪検出素子は、第１梁或いは第
２梁の中立軸に設けられているので、第１梁或いは第２
梁の曲げ変形には影響されない。以下、実施例に基づき
詳細に説明する。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の要部構成説明図
で、片持ち梁の歪検出に使用した一例を示す。図２は、
図１の側面図である。図において、
で、片持ち梁の歪検出に使用した一例を示す。図２は、
図１の側面図である。図において、
【００２０】２１は、アルミニウムよりなる片持ち梁で
ある。片持ち梁２１の一端２１ａは固定され、他端２１
ｂに測定荷重Ｆが印加される構成となっている。２２
は、シリコンからなる基板である。
ある。片持ち梁２１の一端２１ａは固定され、他端２１
ｂに測定荷重Ｆが印加される構成となっている。２２
は、シリコンからなる基板である。
【００２１】基板２２は、図３に示す如く、第１梁２２
１と、第１梁２２１と平行に設けられた第２梁２２２
と、第１梁２２１と第２梁２２２とを連結し、全体とし
てＵ字形を構成する第３梁２２３とからなる。
１と、第１梁２２１と平行に設けられた第２梁２２２
と、第１梁２２１と第２梁２２２とを連結し、全体とし
てＵ字形を構成する第３梁２２３とからなる。
【００２２】基板２２の両端２２ａ，２２ｂは、図４に
示す如く、第１梁２２１に引張力が第２梁２２２に圧縮
力が、或いは第１梁２２１に圧縮力が第２梁２２２に引
張力が加わる様に、基板２２の測定荷重の印加により測
定対象物の剪断力が生じる個所に取付られている。
示す如く、第１梁２２１に引張力が第２梁２２２に圧縮
力が、或いは第１梁２２１に圧縮力が第２梁２２２に引
張力が加わる様に、基板２２の測定荷重の印加により測
定対象物の剪断力が生じる個所に取付られている。
【００２３】この場合は、図１に示す如く、主応力が最
大になるように、片持ち梁２１の軸方向に対して、基板
２２の中心軸は４５°をなす。２３は、基板２２の少な
くとも第１梁２２１、或いは第２梁２２２の中立軸に設
けられ、第１梁２２１、或いは第２梁２２２の引張或い
は圧縮歪を検出する半導体よりなる歪検出素子である。
大になるように、片持ち梁２１の軸方向に対して、基板
２２の中心軸は４５°をなす。２３は、基板２２の少な
くとも第１梁２２１、或いは第２梁２２２の中立軸に設
けられ、第１梁２２１、或いは第２梁２２２の引張或い
は圧縮歪を検出する半導体よりなる歪検出素子である。
【００２４】この場合は、振動形歪み検出素子が２個使
用されている。２４は、基板２２に設けられ、振動形歪
み検出素子２３の周囲を囲む真空室である。
用されている。２４は、基板２２に設けられ、振動形歪
み検出素子２３の周囲を囲む真空室である。
【００２５】以上の構成において、片持ち梁２１に測定
荷重Ｆが印加されると、図５に示す如く、測定荷重Ｆに
よって、片持ち梁２１は曲げＦBをうけ、片持ち梁２１
の一方の表面には引張歪が発生する。
荷重Ｆが印加されると、図５に示す如く、測定荷重Ｆに
よって、片持ち梁２１は曲げＦBをうけ、片持ち梁２１
の一方の表面には引張歪が発生する。
【００２６】そして、片持ち梁２１において、端部２２
ａ，２２ｂが取付けられている個所には剪断力τが発生
する。而して，この場合は、主として、第１梁２２１に
は引張力ＦT、第２梁２２２には圧縮力ＦCが発生する。
ａ，２２ｂが取付けられている個所には剪断力τが発生
する。而して，この場合は、主として、第１梁２２１に
は引張力ＦT、第２梁２２２には圧縮力ＦCが発生する。
【００２７】第１梁２２１或いは第２梁２２２に取付ら
れた歪検出素子２３により、歪が検出される。この場合
は、第１梁２２１と第２梁２２２との２個所に、歪検出
素子２３は取付けられている。
れた歪検出素子２３により、歪が検出される。この場合
は、第１梁２２１と第２梁２２２との２個所に、歪検出
素子２３は取付けられている。
【００２８】次に、片持ち梁２１が周囲温度の変化等に
より熱膨張した場合には、図６に示す如く、熱歪εtは
第１梁２２１或いは第２梁２２２の中立軸に直交する方
向に働き、Ｕ字形状の基板２２の両端２２ａ，２２ｂを
開く様に作用する。
より熱膨張した場合には、図６に示す如く、熱歪εtは
第１梁２２１或いは第２梁２２２の中立軸に直交する方
向に働き、Ｕ字形状の基板２２の両端２２ａ，２２ｂを
開く様に作用する。
【００２９】本実施例においては、片持ち梁２１はアル
ミニュウムであり、基板２２はシリコンである。アルミ
ニュウムとシリコンの熱膨張係数は、それぞれ２．３×
１０ -6、２３×１０-6ｃｍ／℃である。その差による熱
歪εtは固定端２２ａ，２２ｂに直角に働き、Ｕ字形状
の基板２２を開く様に作用する。
ミニュウムであり、基板２２はシリコンである。アルミ
ニュウムとシリコンの熱膨張係数は、それぞれ２．３×
１０ -6、２３×１０-6ｃｍ／℃である。その差による熱
歪εtは固定端２２ａ，２２ｂに直角に働き、Ｕ字形状
の基板２２を開く様に作用する。
【００３０】しかし、歪検出素子２３は、第１梁２２１
或いは第２梁２２２の中立軸ＡNに設けられているの
で、第１梁２２１或いは第２梁２２２の曲げ変形には影
響されない。
或いは第２梁２２２の中立軸ＡNに設けられているの
で、第１梁２２１或いは第２梁２２２の曲げ変形には影
響されない。
【００３１】この結果、測定材との熱膨張係数の差によ
る熱歪の影響を受けない、高感度の歪検出センサが得ら
れる。なお、図３に示す如く、歪検出素子２３を２個配
置してその検出信号を差動演算することにより、歪検出
素子２３固有の温度係数の影響をも除く事ができる。
る熱歪の影響を受けない、高感度の歪検出センサが得ら
れる。なお、図３に示す如く、歪検出素子２３を２個配
置してその検出信号を差動演算することにより、歪検出
素子２３固有の温度係数の影響をも除く事ができる。
【００３２】図７，図８に、ＦＥＭ解析結果を示す。図
中、αは引張り、βは圧縮を示す。図７は、荷重による
歪分布のＦＥＭ解析結果であり、第１梁２２１と第２梁
２２２とで、非対称な歪が発生している。２個の歪検出
素子２３からの信号の差を取ると、測定荷重を検出する
事ができる。
中、αは引張り、βは圧縮を示す。図７は、荷重による
歪分布のＦＥＭ解析結果であり、第１梁２２１と第２梁
２２２とで、非対称な歪が発生している。２個の歪検出
素子２３からの信号の差を取ると、測定荷重を検出する
事ができる。
【００３３】図８は、温度による歪分布のＦＥＭ解析結
果であり、第１梁２２１と第２梁２２２とで、対称な歪
が発生している。２個の歪検出素子２３を対称に配置
し、２個の歪検出素子２３からの信号の差を取ると、温
度歪の影響をキャンセルできる。図９は、本発明の歪検
出センサを電子秤に利用した実施例である。
果であり、第１梁２２１と第２梁２２２とで、対称な歪
が発生している。２個の歪検出素子２３を対称に配置
し、２個の歪検出素子２３からの信号の差を取ると、温
度歪の影響をキャンセルできる。図９は、本発明の歪検
出センサを電子秤に利用した実施例である。
【００３４】上皿天秤３１に測定重り３２を載せると、
荷重に相応した撓みが、片持ち梁２１に生じる。この歪
が、振動子２３の長手方向の歪として検出される。測定
重り３２により受けた力は、振動子２３の固有振動数の
変化として検出される。
荷重に相応した撓みが、片持ち梁２１に生じる。この歪
が、振動子２３の長手方向の歪として検出される。測定
重り３２により受けた力は、振動子２３の固有振動数の
変化として検出される。
【００３５】この結果、測定荷重３２を測定する事がで
きる。３３はＦ／Ｖ変換器、３４は表示器である。
きる。３３はＦ／Ｖ変換器、３４は表示器である。
【００３６】なお、図１０に示す如く、水晶振動子４１
をＵ字形に構成して、歪を直接検出しょうとする従来例
があるが、図１１に示す如く、振動子４１に感度を持た
せると、変形し易くなって、剪断力τによるモーメント
Ｍによって、振動子４１が曲げを受けて変形する。
をＵ字形に構成して、歪を直接検出しょうとする従来例
があるが、図１１に示す如く、振動子４１に感度を持た
せると、変形し易くなって、剪断力τによるモーメント
Ｍによって、振動子４１が曲げを受けて変形する。
【００３７】この結果、剪断歪は変形により吸収され、
振動子４１に加わる軸歪は小さくなり、感度が低下す
る。これに対し、本発明では、振動子２３は、基板２２
上に構成されており、基板２２は十分な曲げ剛性を得る
事ができるため、簡単に変形し難く、高感度が実現出来
る。
振動子４１に加わる軸歪は小さくなり、感度が低下す
る。これに対し、本発明では、振動子２３は、基板２２
上に構成されており、基板２２は十分な曲げ剛性を得る
事ができるため、簡単に変形し難く、高感度が実現出来
る。
【００３８】なお、前述の実施例においては、基板２２
はシリコンよりなると説明したが、これに限ることはな
く、例えば、ガリウムでも良い。要するに、半導体であ
れば良い。
はシリコンよりなると説明したが、これに限ることはな
く、例えば、ガリウムでも良い。要するに、半導体であ
れば良い。
【００３９】或いは、基板２２は、パイレックスガラス
でも良い。パイレックスガラスは測定対象物に多く採用
される金属等に、陽極接合により接合出来る。接着剤を
使用せずに接合できるので、接着剤の欠点であるヒステ
リシスやクリープの恐れを回避出来、ヒステリシスやク
リープの少ない歪検出センサが得られる。
でも良い。パイレックスガラスは測定対象物に多く採用
される金属等に、陽極接合により接合出来る。接着剤を
使用せずに接合できるので、接着剤の欠点であるヒステ
リシスやクリープの恐れを回避出来、ヒステリシスやク
リープの少ない歪検出センサが得られる。
【００４０】また、歪検出素子２３は、振動子でなくピ
エゾ抵抗素子を使用しても良い。一般に、ピエゾ抵抗素
子は金属フォイルゲージに比べて５０倍以上の高感度を
実現出来るものである。
エゾ抵抗素子を使用しても良い。一般に、ピエゾ抵抗素
子は金属フォイルゲージに比べて５０倍以上の高感度を
実現出来るものである。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第１梁
と該第１梁と平行に設けられた第２梁と前記第１梁と該
第２梁とを連結し全体としてＵ字形を構成する第３梁と
からなり前記第１梁に引張力前記第２梁に圧縮力或いは
前記第１梁に圧縮力前記第２梁に引張力が加わる様に両
端が測定荷重の印加により測定対象物の剪断力が生じる
個所に取付られた半導体或いはパイレックスガラスより
なる基板と、該基板の少なくとも第１梁或いは第２梁の
中立軸に設けられ当該梁の引張或いは圧縮歪を検出する
歪検出素子とを具備する歪検出センサを構成した。
と該第１梁と平行に設けられた第２梁と前記第１梁と該
第２梁とを連結し全体としてＵ字形を構成する第３梁と
からなり前記第１梁に引張力前記第２梁に圧縮力或いは
前記第１梁に圧縮力前記第２梁に引張力が加わる様に両
端が測定荷重の印加により測定対象物の剪断力が生じる
個所に取付られた半導体或いはパイレックスガラスより
なる基板と、該基板の少なくとも第１梁或いは第２梁の
中立軸に設けられ当該梁の引張或いは圧縮歪を検出する
歪検出素子とを具備する歪検出センサを構成した。
【００４２】この結果、測定材との熱膨張係数の差によ
る熱歪の影響を受けない、高感度の歪検出センサが得ら
れる。
る熱歪の影響を受けない、高感度の歪検出センサが得ら
れる。
【００４３】従って、本発明によれば、測定体との熱膨
張係数差による熱歪の影響が少ない高感度の歪検出セン
サを実現することが出来る。
張係数差による熱歪の影響が少ない高感度の歪検出セン
サを実現することが出来る。
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の要部詳細構成説明図である。
【図４】図２のＣ−Ｃ断面図である。
【図５】図１の動作説明図である。
【図６】図１の動作説明図である。
【図７】図１の動作説明図である。
【図８】図１の動作説明図である。
【図９】本発明の一利用例の要部構成説明図である。
【図１０】図１の効果説明図である。
【図１１】図１０の動作説明図である。
【図１２】従来より一般に使用されている従来例の構成
説明図である。
説明図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ断面図である。
【図１４】図１２の利用例の要部構成説明図である。
【図１５】図１４のＢ−Ｂ断面図である。
２１ 片持ち梁 ２１ａ 一端 ２１ｂ 他端 ２２ 基板 ２２ａ 端 ２２ｂ 端 ２２１ 第１梁 ２２２ 第２梁 ２２３ 第３梁 ２３ 歪み検出素子 ２４ 真空室 ３１ 上皿天秤 ３２ 測定荷重 ３３ Ｆ／Ｖ変換器 ３４ 表示器 ４１ 水晶振動子
Claims (1)
- 【請求項１】第１梁と該第１梁と平行に設けられた第２
梁と前記第１梁と該第２梁とを連結し全体としてＵ字形
を構成する第３梁とからなり前記第１梁に引張力前記第
２梁に圧縮力或いは前記第１梁に圧縮力前記第２梁に引
張力が加わる様に両端が測定荷重の印加により測定対象
物の剪断力が生じる個所に取付られた半導体或いはパイ
レックスガラスよりなる基板と、 該基板の少なくとも第１梁或いは第２梁の中立軸に設け
られ当該梁の引張或いは圧縮歪を検出する歪検出素子と
を具備する歪検出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17588395A JPH0926367A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | 歪検出センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17588395A JPH0926367A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | 歪検出センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926367A true JPH0926367A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16003886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17588395A Pending JPH0926367A (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | 歪検出センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0926367A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208510A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Denso Corp | 回転角検出装置 |
| US7685886B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-03-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Convexo concave amplifying device and convexo concave detecting method by use thereof, deformation sensing device and convexo concave detecting method by use thereof, and convexo concave position exhibiting device and convexo concave position exhibiting method |
| CN107219026A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-29 | 广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心） | 一种多方向微纳力测量装置及测量方法 |
-
1995
- 1995-07-12 JP JP17588395A patent/JPH0926367A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208510A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Denso Corp | 回転角検出装置 |
| US7685886B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-03-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Convexo concave amplifying device and convexo concave detecting method by use thereof, deformation sensing device and convexo concave detecting method by use thereof, and convexo concave position exhibiting device and convexo concave position exhibiting method |
| CN107219026A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-29 | 广东省计量科学研究院（华南国家计量测试中心） | 一种多方向微纳力测量装置及测量方法 |
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