JPH08166305A - 半導体圧力計 - Google Patents

半導体圧力計

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Publication number
JPH08166305A
JPH08166305A JP31025794A JP31025794A JPH08166305A JP H08166305 A JPH08166305 A JP H08166305A JP 31025794 A JP31025794 A JP 31025794A JP 31025794 A JP31025794 A JP 31025794A JP H08166305 A JPH08166305 A JP H08166305A
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JP
Japan
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pressure
diaphragm
metal
semiconductor
support base
Prior art date
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Pending
Application number
JP31025794A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Aga
敏夫 阿賀
Soichiro Saeki
総一郎 佐伯
Nobuaki Kono
信明 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 入出力特性のヒステリシスが小さく、温度特
性に再現性があり、信頼性が高い半導体圧力計を提供す
るにある。 【構成】 金属よりなるダイアフラムと、該ダイアフラ
ムの一面に一面が接して設けられた半導体チップと、該
半導体チップの他面に設けられた半導体圧力検出素子と
を具備する半導体圧力計において、前記金属のダイアフ
ラムの一面に一面が接して設けられ該一面側が前記金属
よりなり他面側がガラスよりなり前記一面側から前記他
面側に金属からガラスに組成が連続的に変化する傾斜材
料よりなる支持台と、該支持台の前記他面に一面が接し
て設けられた半導体チップと、該半導体チップの他面に
設けられた半導体圧力検出素子とを具備したことを特徴
とする半導体圧力計である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入出力特性のヒステリ
シスが小さく、温度特性に再現性があり、信頼性が高い
半導体圧力計に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来より一般に使用されている
従来例の構成説明図で、例えば、実開平2―60045
号に示されている。図において、1は半導体よりなるセ
ンサチップである。
【0003】11は、センサチップ1に設けられ、セン
サチップ1に、ダイアフラム12を形成する凹部であ
る。13はダイアフラム12に設けられた歪検出センサ
である。2はセンサチップ1に一面が固定され凹部11
と大気圧基準室21を構成する基板である。
【0004】22は、基板2を貫通し大気圧基準室21
に連通する貫通孔である。3は基板2の他面に一端が接
続され貫通孔22と連通し他端が大気に開放される大気
導通パイプである。
【0005】4は、大気導通パイプが固定されるベース
である。5は,ベース4に固定され、センサチップ1と
測定室51を構成し、接液ダイアフラム52と接液ダイ
アフラム室53を構成するボディである。接液ダイアフ
ラム52は、この場合は、ステンレスが使用されてい
る。54は、測定室51と接液ダイアフラム室53とを
連通する連通孔である。
【0006】55は測定室51と接液ダイアフラム室5
3と連通孔54とを満たす封入液である。この場合は、
シリコンオイルが使用されている。56はベース4を覆
うケースである。57はボディ5を覆うケースである。
【0007】以上の構成において、接液ダイアフラム5
2に測定圧Pmが加わると、封入液55を介して、ダイ
アフラム12に測定圧Pmが加わり、大気圧基準室21
の大気圧との差圧が歪検出センサ13により検出され
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、接液ダイアフラム52で受圧した測
定圧Pmを歪検出センサ13に伝達するには、封入液5
5を介しなければならない。
【0009】封入液55を、測定室51と接液ダイアフ
ラム室53と連通孔54とに、気泡を残す事無くを満た
すには多くの時間、工数を要し、且つ、技術的に高度な
テクニックを要する。また、封入液55は液体であるの
で、温度誤差の原因になり易い。
【0010】以上の理由から金属の接液ダイアフラム5
2に直接にセンサチップ1を取付け、封入液55を使用
しないことが考えられる。図5は、上記の考え方に基づ
いた、従来より一般に使用されている従来例の構成説明
図で、例えば、特開平4−267566号(特願平3−
50633号)「高圧用半導体圧力センサ」、平成4年
9月24日公開に示されている。
【0011】図において、31は金属よりなる圧力導入
管である。31aは、圧力導入管31に設けられたダイ
アフラムである。この場合は、ステンレスよりなる。
【0012】32は、ダイアフラム31aの一面に一面
が接して設けられた半導体チップである。この場合は、
シリコンが用いられている。33は、半導体チップ32
に設けられた半導体圧力検出素子である。この場合は、
ピエゾ抵抗素子が形成されている。
【0013】以上の構成において、圧力導入管31に測
定圧Pmが導入され、ダイアフラム31aの外側に基準
圧力Psが加わると、ダイアフラム31aは、測定圧P
m―基準圧Psの差圧により変位する。この変位を電気
的に検出すれば、測定圧Pmに対応した電気信号出力が
得られる。
【0014】しかしながら、この様な装置においては、
金属よりなる圧力導入管31と半導体チップ32の、線
膨張係数、弾性特性等の機械的性質の差が大きいため
に、入出力特性のヒステリシスが大きく、温度特性に再
現性がない。
【0015】本発明は、以上の問題点を解決するもので
ある。本発明の目的は、入出力特性のヒステリシスが小
さく、温度特性に再現性があり、信頼性が高い半導体圧
力計を提供するにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、金属よりなるダイアフラムと、該ダイア
フラムの一面に一面が接して設けられた半導体チップ
と、該半導体チップの他面に設けられた半導体圧力検出
素子とを具備する半導体圧力計において、前記金属のダ
イアフラムの一面に一面が接して設けられ該一面側が前
記金属よりなり他面側がガラスよりなり前記一面側から
前記他面側に金属からガラスに組成が連続的に変化する
傾斜材料よりなる支持台と、該支持台の前記他面に一面
が接して設けられた半導体チップと、該半導体チップの
他面に設けられた半導体圧力検出素子とを具備したこと
を特徴とする半導体圧力計を構成したものである。
【0017】
【作用】以上の構成において、圧力導入室に基準圧が導
入され、ダイアフラムの外側から測定圧が加わると、ダ
イアフラムは、測定圧―基準圧の差圧により変位する。
この変位を電気的に検出すれば、測定圧に対応した電気
信号出力が得られる。以下、実施例に基づき詳細に説明
する。
【0018】
【実施例】図1は本発明の一実施例の要部構成説明図、
図2は図1の要部詳細図、図3は図2の平面図である。
図において、図5と同一記号の構成は同一機能を表わ
す。以下、図5と相違部分のみ説明する。
【0019】41は、金属のダイアフラム31aの一面
に一面が接して設けられ、一面側41aがダイアフラム
31aと同じ金属よりなり、他面側41bがガラスより
なり、一面側41aから他面側41bに、金属からガラ
スに組成が連続的に変化する傾斜材料よりなる支持台で
ある。この場合は、支持台41はダイアフラム31aに
溶接41cされている。
【0020】42は、支持台41の他面41bに一面が
設けられた半導体チップである。43は、半導体チップ
42の他面に設けられた半導体圧力検出素子である。こ
の場合は、剪断形ゲージが用いられている。
【0021】以上の構成において、圧力導入管31に測
定圧Pmが導入され、ダイアフラム31aの外側に基準
圧力Psが加わると、ダイアフラム31a及び支持台4
1は、測定圧Pm―基準圧Psの差圧により変形する。
この変形により、半導体チップ42にも応力σが作用す
る。この応力σにより、半導体圧力検出素子43から測
定圧Pmに対応した電気信号出力が得られる。
【0022】この結果、 (1)温度誤差が生じ易く、装置の温度特性に大きな悪
影響を及ぼす封入液55の使用を回避できるので、温度
特性が良好な半導体圧力計が得られる。 (2)封入液55を使用しないでよいので、封入液55
の封入時間、工数、高度封入技術が不要となり、安価に
製造でき、製造コストを低減出来る半導体圧力計が得ら
れる。
【0023】(3)封入液55の万一の漏れを嫌う様な
用途にも使用できるようになり、用途範囲が拡大出来る (4)圧力計としての最大許容圧力は、最近、圧力計に
多用されている半導体ダイアフラム形では、圧力計とし
ての最大許容圧力は、半導体の強度により制限されてい
たが、本発明は、傾斜材料よりなる支持台41の採用に
より、金属ダイアフラム31aが使用できるので、高圧
用、衝撃圧用に使用出来る半導体圧力計が得られる。
【0024】(5)温度変化があっても、傾斜材料より
なる支持台41の採用により、金属ダイアフラム31a
から半導体チップ42まで、線膨張係数が連続的に変化
しているので、熱応力の発生を小さくする事ができる。
このために、半導体チップ42が剥離する恐れを防止す
ることができ、信頼性が高く、高安定な半導体圧力計が
得られる。
【0025】(6)傾斜材料よりなる支持台41の採用
により、熱応力の発生を小さくする事ができるので、温
度特性の再現性が良く、温度特性も良好な半導体圧力計
が得られる。
【0026】(7)傾斜材料よりなる支持台41の採用
により、弾性係数等の機械的特性も略連続的となり、入
出力特性のヒステリシスが小さく、入出力特性が良好な
半導体圧力計が得られる。
【0027】(8)支持体41のダイアフラム31aへ
の接合が、従来の接着形等に対して、溶接41cによる
固定が可能となるので、製造工程が簡単になり、接合が
確実で、かつ、製造コストが低減出来る半導体圧力計が
得られる。
【0028】なお、前述の実施例において、金属ダイア
フラム31aへの支持台41の溶接41cは、Tig溶
接、電子ビーム溶接等でよく、要するに、金属ダイアフ
ラム31aと支持台41との、固定及びシールが出来れ
ば良く、溶接の種類は問わない。
【0029】また、金属ダイアフラム31aの材料は、
ステンレス以外でも良い。この場合、金属ダイアフラム
31aと溶接性が良い金属が、金属ダイアフラム31a
と接する支持台41の端部となるように、傾斜材料より
なる支持台41を構成する。また、半導体圧力検出素子
43は、歪み検出素子を4個使用してブリッジを構成す
るようにしても良いことは勿論である。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、金属よ
りなるダイアフラムと、該ダイアフラムの一面に一面が
接して設けられた半導体チップと、該半導体チップの他
面に設けられた半導体圧力検出素子とを具備する半導体
圧力計において、前記金属のダイアフラムの一面に一面
が接して設けられ該一面側が前記金属よりなり他面側が
ガラスよりなり前記一面側から前記他面側に金属からガ
ラスに組成が連続的に変化する傾斜材料よりなる支持台
と、該支持台の前記他面に一面が接して設けられた半導
体チップと、該半導体チップの他面に設けられた半導体
圧力検出素子とを具備したことを特徴とする半導体圧力
計を構成した。
【0031】この結果、 (1)温度誤差が生じ易く、装置の温度特性に大きな悪
影響を及ぼす封入液の使用を回避できるので、温度特性
が良好な半導体圧力計が得られる。 (2)封入液を使用しないでよいので、封入液の封入時
間、工数、高度封入技術が不要となり、安価に製造で
き、製造コストを低減出来る半導体圧力計が得られる。
【0032】(3)封入液の万一の漏れを嫌う様な用途
にも使用できるようになり、用途範囲が拡大出来る (4)圧力計としての最大許容圧力は、最近、圧力計に
多用されている半導体ダイアフラム形では、圧力計とし
ての最大許容圧力は、半導体の強度により制限されてい
たが、本発明は、傾斜材料よりなる支持台の採用によ
り、金属ダイアフラムが使用できるので、高圧用、衝撃
圧用に使用出来る半導体圧力計が得られる。
【0033】(5)温度変化があっても、傾斜材料より
なる支持台の採用により、金属ダイアフラムから半導体
チップまで、線膨張係数が連続的に変化しているので、
熱応力の発生を小さくする事ができる。このために、半
導体チップが剥離する恐れを防止することができ、信頼
性が高く、高安定な半導体圧力計が得られる。
【0034】(6)傾斜材料よりなる支持台の採用によ
り、熱応力の発生を小さくする事ができるので、温度特
性の再現性が良く、温度特性も良好な半導体圧力計が得
られる。
【0035】(7)傾斜材料よりなる支持台の採用によ
り、弾性係数等の機械的特性も略連続的となり、入出力
特性のヒステリシスが小さく、入出力特性が良好な半導
体圧力計が得られる。
【0036】(8)支持体のダイアフラムへの接合が、
従来の接着形等に対して、溶接による固定が可能となる
ので、製造工程が簡単になり、接合が確実で、かつ、製
造コストが低減出来る半導体圧力計が得られる。
【0037】従って、本発明によれば、入出力特性のヒ
ステリシスが小さく、温度特性に再現性があり、信頼性
が高い半導体圧力計を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図2】図1の要部詳細図である。
【図3】図2の平面図である。
【図4】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
【図5】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
【符号の説明】
31 圧力導入管 31a ダイアフラム 41 支持台 41a 支持台 41b 一面 41c 他面 42 半導体チップ 43 半導体圧力検出素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属よりなるダイアフラムと、該ダイアフ
    ラムの一面に一面が接して設けられた半導体チップと、
    該半導体チップの他面に設けられた半導体圧力検出素子
    とを具備する半導体圧力計において、 前記金属のダイアフラムの一面に一面が接して設けられ
    該一面側が前記金属よりなり他面側がガラスよりなり前
    記一面側から前記他面側に金属からガラスに組成が連続
    的に変化する傾斜材料よりなる支持台と、 該支持台の前記他面に一面が接して設けられた半導体チ
    ップと、 該半導体チップの他面に設けられた半導体圧力検出素子
    とを具備したことを特徴とする半導体圧力計。
JP31025794A 1994-12-14 1994-12-14 半導体圧力計 Pending JPH08166305A (ja)

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JP31025794A JPH08166305A (ja) 1994-12-14 1994-12-14 半導体圧力計

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005077343A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Yamatake Corp フローセンサ
JP2013190354A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Nippon Soken Inc 接合部材及びその製造方法
WO2015115367A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置およびセンサユニット

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005077343A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Yamatake Corp フローセンサ
JP2013190354A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Nippon Soken Inc 接合部材及びその製造方法
WO2015115367A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置およびセンサユニット
CN105829851A (zh) * 2014-01-30 2016-08-03 日立汽车系统株式会社 力学量测量装置及传感器单元
JPWO2015115367A1 (ja) * 2014-01-30 2017-03-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 力学量測定装置
US10481023B2 (en) 2014-01-30 2019-11-19 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Mechanical quantity measuring device and sensor unit

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