JPH09261244A - Atm通信網 - Google Patents
Atm通信網Info
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- JPH09261244A JPH09261244A JP7262396A JP7262396A JPH09261244A JP H09261244 A JPH09261244 A JP H09261244A JP 7262396 A JP7262396 A JP 7262396A JP 7262396 A JP7262396 A JP 7262396A JP H09261244 A JPH09261244 A JP H09261244A
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Abstract
ためのセル廃棄が発生すると、そのATMスイッチの上
流にあるATMスイッチが転送したセルが無効となる。
このような無駄なセル転送のためにATMスイッチのス
ループットが低下する。 【解決手段】 セル流の下流にあるATMスイッチのセ
ル廃棄の発生を上流にあるATMスイッチに通知する。
通知を受けたATMスイッチでは、その通知の送信元の
ATMスイッチに対するセル転送を停止する。 【効果】 無効となるセル転送を回避できるため、AT
Mスイッチのスループットが向上する。
Description
s Transfer Mode:非同期転送モード) 通信に利用する。
本発明はATMスイッチの輻輳状態を回避する技術に関
する。
提供するクラスとして、ベストエフォートクラスが設定
されている。ベストエフォートクラスでは、網の使用率
を高く利用するため、CBR(Constant Bit Rate) サー
ビスクラスのような帯域の予約なしに運用される。した
がって、一般にベストエフォートクラスでは、CBRサ
ービスクラスのような帯域予約型のクラスと比べてセル
廃棄率が大きくなる。
う場合には、一つのセル廃棄がパケット全体の廃棄と、
それに伴う再送をもたらすため、一旦輻輳が起きると網
のスループットが著しく低下する恐れがある。この主た
る原因は、ATMスイッチのセルバッファにおけるセル
廃棄が、複数のパケットに分散してしまうところにあ
る。
ァでセルが廃棄されたとき、セル損失を包含した不完全
パケットは、宛先端末まで到達しても、すべて廃棄され
てしまう。損失したパケットに対しては、上位レイヤの
プロトコルにおいて、エンドツーエンドで再送を行うた
め、輻輳が生じることになる。
だけ防ぐ選択的なセル廃棄を行う方法がある。特に文
献、A.Romanow and S.Floyd,"Dynamics of TCP Traffic
overATM Networks",IEEE Journal on Selected Areas
in Communications,vol.13,No.4,May,1995,pp.633-641.
に提案されているEPD(Early Packet Disgard)方式
がある。
図13はEPD方式を説明するための図である。セルバ
ッファ14のバッファ容量に関して閾値を設けておき、
セルバッファ14のキュー長がその閾値を超えたら輻輳
状態と判断して、その時点以降に到着する新しいパケッ
トを構成するすべてのセルを強制廃棄する。
AAL(ATM Adaptation Layer)5を用いるとき、AAL
パケットの終りを示す最終セルを、AUU(ATM User to
User)パラメータによって識別することができる。EP
D方式では、ベストエフォートクラスのVCI(Virtual
Channel Identifier)を記録するテーブルと、EPD方
式によって強制廃棄されているかどうかの状態(以下、
EPD状態という)を示すテーブルが必要である。前者
のテーブルは、コネクションの設定時に作成される。後
者のテーブルは、キュー長の状態によって変化する。両
者を合わせてここでは、EPD管理テーブルと呼ぶ。
である。記号A(アクティブ)は、パケットが転送中で
ある状態を示し、記号I(インアクティブ)はパケット
が強制廃棄中である状態を示す。
ャートである。図16は従来例のセルバッファ制御部の
ブロック構成図である。図15のフローチャートにした
がって、EPD方式のアルゴリズムを説明する。セルが
到着すると(S61)、当該セルのバーチャルチャネル
(以下、VCと記す)コネクションがベストエフォート
クラスに属しているか否かをベストエフォートクラス判
定部15がEPD管理テーブル10を参照して判定する
(S62)。属していれば当該セルのVCコネクション
がアクティブ状態か否かをEPD制御部11がEPD管
理テーブル10を参照して判定する(S63)。また、
ベストエフォートクラスに属していなければ、セルバッ
ファ14がフル状態であるか否かを判定し(S70)、
セルバッファ14がフル状態であれば、セル廃棄を行う
(S72)。セルバッファがフル状態でなければ、セル
転送を行う(S71)。また、アクティブ状態であり
(S63)、セルバッファ14がフル状態であれば(S
64)、当該セルが最終セルか否かを判定し(S6
6)、最終セルであれば、セル廃棄を行い(S72)、
最終セルでなければインアクティブ状態に変更し(S6
8)、セル廃棄を行う(S72)。アクティブ状態でな
く(S63)、当該セルが最終セルならば、アクティブ
状態に変更し(S69)、セル廃棄を行う(S72)。
当該セルが最終セルでなければ、そのままセル廃棄を行
う(S72)。また、アクティブ状態であり(S6
3)、セルバッファ14がフル状態でなければ(S6
4)、当該セルが先頭セルかつ輻輳中であるか否かを判
定する(S65)。当該セルが先頭セルかつ輻輳中であ
れば(S65)、インアクティブ状態に変更し(S6
8)、そのセルを廃棄する(S72)。先頭セルかつ輻
輳中でなければ(S65)、セル転送を行う(S7
1)。
てセルバッファ溢れによるセル損失が起きる可能性が高
いと判断されたパケット全体を、バッファリングしない
で強制廃棄しておくことにより、無効なセルの転送また
は再送を未然に防ぐことができ、輻輳を緩和することが
できる。
多段に接続した構成例を図17に示す。図18は多段に
接続されたATMスイッチにおけるEPD管理テーブル
の状態を示す図である。以降、あるATMスイッチから
セル流の下流にあたるATMスイッチをみたとき、この
ATMスイッチを後段のATMスイッチと呼ぶ。逆に、
あるATMスイッチからセル流の上流にあたるATMス
イッチをみたとき、このATMスイッチを前段のATM
スイッチと呼ぶ。すなわち、図17において、ATMス
イッチ3からみてATMスイッチ1および2は前段であ
る。また、ATMスイッチ1または2からみてATMス
イッチ3は後段である。
信を行っているが、本明細書では説明をわかりやすくす
るために、セル流を片方に限定して説明する。
VCコネクションVC#0に着目する。図18に示すよ
うに、EPD状態は、ATMスイッチ1ではアクティ
ブ、ATMスイッチ2ではアクティブ、ATMスイッチ
3ではインアクティブとなっている。
続されたATMスイッチでは、それぞれのATMスイッ
チ1〜3にEPD方式を適用しても、ATMスイッチ3
がインアクティブな状態であると、ATMスイッチ1と
ATMスイッチ2がアクティブな状態であったとしても
これらのATMスイッチ1、2は無効なセルを転送して
いる可能性がある。したがって、多段に接続されたAT
Mスイッチでは、後段のATMスイッチ3で輻輳が生じ
ると、前段のATMスイッチ1および2で無効なセルの
転送を未然に防ぐことができなくなり、スループットの
向上が期待できなくなる。
であって、無効なセルの転送をなくすことができるAT
M通信網を提供することを目的とする。本発明は、AT
Mスイッチスループットを向上させることができるAT
M通信網を提供することを目的とする。
れたATMスイッチからなるATM通信網であって、い
ずれかのATMスイッチで輻輳が生じたとき、その前段
のATMスイッチに輻輳状態を通知し、その情報を受信
したATMスイッチは、セルの制御(セル選択廃棄)状
態を変化させることを最も主要な特徴とする。
の輻輳状態をATMスイッチ毎に独立に監視し、セルの
制御(セル選択廃棄)もATMスイッチ毎に独立に行っ
ていた。本発明は従来技術と比較して、前段のATMス
イッチに輻輳状態を通知する手段を備える点、その通知
セルを受信する手段を備える点、および、その受信した
セルを基にそのATMスイッチでセルの制御(セル選択
廃棄)状態を変化させる手段を備える点が異なる。
て、輻輳状態にしたがってセルを上位レイヤのパケット
レベルで選択的に廃棄する手段を備えたATMスイッチ
の複数個を経由して一つのバーチャルチャネルが形成さ
れるATM通信網である。本発明の特徴とするところ
は、一つのATMスイッチの輻輳状態を前記バーチャル
チャネルの上流側のATMスイッチに通知する手段を備
えたところにある。
スイッチに宛て送信されるEPD状態通知セルの中に前
記輻輳状態の情報を搭載する手段を含む構成とすること
もできる。
Mスイッチにおけるセル廃棄状態が変化する毎に生成さ
れることが望ましい。
ATMスイッチに宛て輻輳状態通知セルを送信する手段
を含む構成とすることもできる。
たセルバッファのキュー長に閾値を設定し前記輻輳状態
通知セルに搭載される情報はこの閾値に対するキュー長
の長短情報であることが望ましい。
ャネルの下流側のATMスイッチから通知される輻輳状
態にしたがって、その輻輳状態を通知したATMスイッ
チを経由するセルの廃棄を制御する手段を備えることが
望ましい。
したセルが後段のATMスイッチによって廃棄されてし
まうといった不要なセル転送を回避することができるた
め、ATMスイッチのスループットを向上させることが
できる。
制御によるセルの廃棄を実行していなくても、これから
発生するであろう輻輳状況をセルバッファのキュー長か
ら予測することにより、実際に後段のATMスイッチで
セル廃棄が実行される以前に、その前段のATMスイッ
チでセル廃棄を実行し、輻輳状況の回避をきわめて短時
間に行うことができる。
転送を再開する際には前記下流側のATMスイッチから
通知される輻輳状態が転送可能な状態になってから時間
Tを経過した後に転送を再開する手段を含む構成とする
こともできる。
られたセルバッファのキュー長に応じて適応的に設定さ
れるようにしてもよい。
のATMスイッチに対し、急激にトラヒック量が増加す
ることを緩和することができる。この時間Tは、前記輻
輳状況にしたがって適応的に設定されるようにすること
により、輻輳状況の程度に適応した制御を行うことがで
きる。
2を参照して説明する。図1は本発明第一実施例の全体
構成を示す概念図である。図2は本発明第一実施例のセ
ルバッファ制御部のブロック構成図である。
にしたがってセルを上位レイヤのパケットレベルで選択
的に廃棄する手段としてのセルバッファ制御部201 〜
203 を備えたATMスイッチ1〜3を経由して一つの
VC#0が形成されるATM通信網である。
つのATMスイッチ3の輻輳状態をVC#0の上流側の
ATMスイッチ1および2に通知する手段としてのEP
D状態通知セル生成部12を備えたところにある。
のATMスイッチ1および2に宛て送信されるEPD状
態通知セルの中に前記輻輳状態の情報を搭載する手段を
含む。また、前記輻輳状態の情報はそのATMスイッチ
3におけるセル廃棄状態が変化する毎に生成される。
し図5を参照して説明する。図3は本発明第一実施例の
EPD管理テーブルの状況を示す図である。図4は本発
明第一実施例のEPD状態通知セルを前段のATMスイ
ッチに通知する動作を示すフローチャートである。図5
は本発明第一実施例のEPD状態通知セルを受信する動
作を示すフローチャートである。図2は、図4の動作と
図5の動作の双方の動作を行うことができる例を示して
あるが、どちらか一方の動作を行える構成とすることも
できる。
0の動作の特徴は、従来例で説明した動作に加えて以下
のような動作を特徴とする。図3に示すように、VCコ
ネクションのVC#0に着目する。従来例で示した図1
8では、ATMスイッチ3のEPD管理テーブル103
では、VC#0はインアクティブ状態であるが、ATM
スイッチ1のEPD管理テーブル101 とATMスイッ
チ2のEPD管理テーブル102 では、VC#0はアク
ティブ状態となっている。本発明第一実施例は、図3の
ように、ATMスイッチ3のEPD管理テーブル103
においてVC#0に対応するVCI=25のEPD状態
がインアクティブ状態に移行したとき、EPD状態通知
セルを前段のATMスイッチ1および2に送出する。前
段のATMスイッチ1および2において、例えばATM
スイッチ2では、VC#0に対応するVCI=72のE
PD状態をインアクティブ状態に変更する。また、AT
Mスイッチ1では、VC#0に対するVCI=3のEP
D状態をインアクティブ状態に変更する。
前段スイッチに通知する動作を図4のフローチャートを
用いて説明する。あるVCコネクションのEPD状態が
変更したとする(S1)。この状態変更は、インアクテ
ィブ状態からアクティブ状態に変更になる場合と、アク
ティブ状態からインアクティブ状態に変更になる場合が
ある(S2)。インアクティブ状態からアクティブ状態
に変更になるとき、アクティブ状態を通知するEPD状
態通知セルをEPD状態通知セル生成部12で生成する
(S3)。EPD状態通知セルは、例えば、セルヘッダ
の数ビットを用いて識別できるようにする。EPD状態
通知セルがアクティブ状態を通知するという情報は、セ
ルヘッダまたはペイロードに書込まれる。図2におい
て、EPD制御部11によってEPD状態が変更した信
号がEPD状態通知セル生成部12に送出され、EPD
状態通知セル生成部12においてアクティブ状態を通知
するEPD状態通知セルが生成される。また、アクティ
ブ状態からインアクティブ状態に変更になるとき(S
2)、インアクティブ状態を通知するEPD状態通知セ
ルを生成する(S4)。このインアクティブ状態を通知
するEPD状態通知セルもEPD状態通知セル生成部1
2において生成される。EPD状態通知セルは、前段の
ATMスイッチ1および2に送出される(S5)。
チ1および2で受信する動作を図5を用いて説明する。
EPD状態通知セルを受信したATMスイッチ1および
2は(S11)、該当するVCコネクションに対してア
クティブ通知かインアクティブ通知かを識別する(S1
2)。この識別は、図2のEPD状態通知セル受信部1
3で行う。もし、アクティブ通知であれば、当該VCコ
ネクションがアクティブ状態であるかインアクティブ状
態であるかをEPD管理テーブル10を参照して判定す
る(S13)。アクティブ状態であれば、EPD状態は
変更しない。アクティブ状態でなければ(インアクティ
ブ状態であれば)、パケットの最終セルを受信し(S1
4)、輻輳中でなければ(キュー長が閾値を超えていな
ければ)(S15)、アクティブ状態に変更する(S1
7)。また、インアクティブ通知であれば(S12)、
当該VCコネクションがアクティブ状態であるかインア
クティブ状態であるかをEPD管理テーブル10を参照
して判定する(S18)。インアクティブ状態であれ
ば、EPD状態は変更しない。インアクティブ状態でな
ければ(アクティブ状態であれば)、インアクティブ状
態に変更する(S19)。図3にもあるように、EPD
状態通知セルは、当該スイッチ動作とともに、さらに前
段のATMスイッチに送出される。
ことにより、後段のATMスイッチ3のEPD状態の変
化を通知し、前段のATMスイッチ1および2でEPD
状態を変化させることができる。したがって、前段のA
TMスイッチ1および2で無効なセルの転送を未然に防
ぐことができ、スループットを向上することができる。
VCコネクションの後段のATMスイッチ3のEPD状
態変化をEPD状態通知セルによって、前段のATMス
イッチ1および2に通知していた。本発明第二実施例で
は、各VCコネクションの後段のATMスイッチ3のE
PD状態の変化を通知するのではなく、セルバッファ1
4の閾値によって後段のATMスイッチ3の輻輳状態を
判定し、後段のATMスイッチ3の輻輳状態の変化を輻
輳状態通知セルによって、前段のATMスイッチ1およ
び2に通知する。キュー長が閾値を超えるとき、輻輳状
態に変化することになる。また、キュー長が閾値より小
さくなるとき、輻輳状態が解除されたことになる。
同様にVCコネクション毎に生成する。また、VCコネ
クションが同一の経路(同一のスイッチを経由してい
る)に属しているとき、同一の経路毎に輻輳状態通知セ
ルを生成することもできる。以下では、本発明第一実施
例と同様にVCコネクション毎に生成する場合について
説明する。
概念図である。図7は本発明第二実施例のEPD管理テ
ーブルの状況を示す図である。図8は本発明第二実施例
の輻輳状態通知セルを前段のATMスイッチに通知する
動作を示すフローチャートである。図9は本発明第二実
施例の輻輳状態通知セルを受信する動作を示すフローチ
ャートである。図10は本発明第二実施例のセルバッフ
ァ制御部のブロック構成図である。本発明第二実施例の
輻輳状態通知セルをATMスイッチ3が前段のATMス
イッチ1および2に通知する動作を図8のフローチャー
トを用いて説明する。キュー長の変化により輻輳状態が
変更したとする(S20)。図6にあるように、キュー
長が閾値を超えたとき、ATMスイッチ3でVCコネク
ションのVC#0(VCI=25)のEPD状態がアク
ティブ状態であっても、この状態変更は、輻輳状態に変
更になる場合と、輻輳解除状態に変更になる場合がある
(S21)。輻輳状態に変更になるとき、輻輳状態を通
知する輻輳状態通知セルを生成する(S22)。輻輳状
態通知セルは、例えば、セルヘッダの数ビットを用いて
識別できるようにする。輻輳状態通知セルが輻輳状態を
通知するという情報は、セルヘッダまたはペイロードに
書込まれる。図10において、セルバッファ14によっ
て輻輳状態が変更した信号が輻輳状態通知セル生成部1
6に送出され、輻輳状態通知セル生成部16において輻
輳状態を通知する輻輳状態通知セルが生成される。ま
た、輻輳解除状態に変更になるとき、輻輳解除状態を通
知する輻輳状態通知セルを生成する(S23)。この輻
輳解除状態を通知する輻輳状態通知セルも輻輳状態通知
セル生成部16において生成される。図7にあるよう
に、キュー長が閾値を超えたとき、ATMスイッチ3で
VCコネクションのVC#0(VCI=25)のEPD
状態がアクティブ状態であっても、輻輳状態通知セルを
送出することが本発明第一実施例と異なる。輻輳状態通
知セルは、前段のATMスイッチ1および2に送出され
る(S24)。
1および2で受信する動作を図9を用いて説明する。輻
輳状態通知セルを受信したATMスイッチ1および2は
(S31)、該当するVCコネクションに対して輻輳通
知か輻輳解除通知かを識別する(S32)。この識別
は、図10の輻輳状態通知セル受信部17で行う。も
し、輻輳通知であれば、当該VCコネクションがアクテ
ィブ状態であるかインアクティブ状態であるかをEPD
管理テーブル10を参照して判定する(S33)。アク
ティブ状態であれば、EPD状態は変更しない。アクテ
ィブ状態でなければ(インアクティブ状態であれば)
(S33)、パケットの最終セルを受信し(S34)、
輻輳中でなければ(キュー長が閾値を超えていなけれ
ば)(S35)、アクティブ状態に変更する(S3
7)。また、輻輳解除通知であれば(S32)、当該V
Cコネクションがアクティブ状態であるかインアクティ
ブ状態であるかをEPD管理テーブル10を参照して判
定する(S38)。インアクティブ状態であれば、EP
D状態は変更しない。インアクティブ状態でなければ
(アクティブ状態であれば)、インアクティブ状態に変
更する(S39)。輻輳状態通知セルは、当該ATMス
イッチ1および2の動作とともに、さらに前段のATM
スイッチに送出される。
とにより、後段のATMスイッチ3の輻輳状態の変化を
通知し、前段のATMスイッチ1および2でEPD状態
を変化させることができる。したがって、前段のATM
スイッチ1および2で無効なセルの転送を未然に防ぐこ
とができ、スループットを向上することができる。
および図12を参照して説明する。図11は本発明第三
実施例のEPD状態通知セルを受信する動作を示すフロ
ーチャートである。図12は本発明第三実施例のセルバ
ッファ制御部のブロック構成図である。本発明第一実施
例では、アクティブ状態に変更になった情報をもつEP
D状態通知セルを受信したとき、図5のフローチャート
にあるように、最終セルを受信し(S14)、輻輳中
(閾値を超えている)でなければ(S15)、アクティ
ブ状態に変更していた(S17)。本発明第三実施例で
は、タイマ18により、アクティブ状態に変更になった
情報をもつEPD状態通知セルを受信したとき、タイマ
18によりT(一定)時間経過後(S44)、最終セル
を受信し(S45)、輻輳中(閾値を超えている)でな
ければ(S46)、アクティブ状態に変更する(S4
8)。他の動作は本発明第一実施例と同様なので説明は
省略する。
る時間が制御されるが(S44)、さらに前段のATM
スイッチにEPD状態通知セルを送出するタイミング
は、例えば、本発明第一実施例と同様にタイマ18とは
関係ない。
ルを利用した本発明第一実施例に対応しているが、輻輳
状態通知セルを利用した本発明第二実施例に対応してタ
イマ18を備えても同様の動作が可能である。
より、前段のATMスイッチ1および2がEPD状態通
知セルのアクティブ状態を受信しても、すぐにアクティ
ブ状態にならない。したがって、後段のATMスイッチ
3に対して、急激にトラヒック量が増加するのを防ぐこ
とができる。
イマ時間をT時間と一定にしている。本発明第四実施例
では、後段のATMスイッチ3のセルバッファ14のキ
ュー長の情報をEPD状態通知セル(本発明第一実施例
に対応)または輻輳状態通知セル(本発明第二実施例に
対応)に乗せ、前段のATMスイッチ1および2ではA
TMスイッチ3のキュー長に応じてタイマ時間を適応的
に設定することが特徴である。例えば、キュー長が長い
ときは、タイマ時間を長くし、キュー長が短いときは、
タイマ時間を短くする。
び2では後段のATMスイッチ3のキュー長に応じてタ
イマ時間を設定することにより、後段のATMスイッチ
3に対して、急激にトラヒック量が増加するのを防ぐこ
とができる。さらに、本発明第四実施例では、タイマ時
間をキュー長にしたがって適応的に変化させているの
で、本発明第三実施例に比較してより実際の輻輳状況の
現状に則した制御を行うことができる。
無効なセルの転送をなくすことができる。したがって、
ATMスイッチスループットを向上させることができ
る。
ック構成図。
を示す図。
のATMスイッチに通知する動作を示すフローチャー
ト。
する動作を示すフローチャート。
を示す図。
ATMスイッチに通知する動作を示すフローチャート。
る動作を示すフローチャート。
ロック構成図。
信する動作を示すフローチャート。
ロック構成図。
ク構成図。
た構成例を示す図。
PD管理テーブルの状態を示す図。
Claims (8)
- 【請求項1】 輻輳状態にしたがってセルを上位レイヤ
のパケットレベルで選択的に廃棄する手段を備えたAT
Mスイッチの複数個を経由して一つのバーチャルチャネ
ルが形成されるATM通信網において、 一つのATMスイッチの輻輳状態を前記バーチャルチャ
ネルの上流側のATMスイッチに通知する手段を備えた
ことを特徴とするATM通信網。 - 【請求項2】 前記通知する手段は、前記上流側のAT
Mスイッチに宛て送信されるEPD状態通知セルの中に
前記輻輳状態の情報を搭載する手段を含む請求項1記載
のATM通信網。 - 【請求項3】 前記輻輳状態の情報がそのATMスイッ
チにおけるセル廃棄状態が変化する毎に生成される請求
項2記載のATM通信網。 - 【請求項4】 前記通知する手段は、前記上流側のAT
Mスイッチに宛て輻輳状態通知セルを送信する手段を含
む請求項1記載のATM通信網。 - 【請求項5】 そのATMスイッチに設けられたセルバ
ッファのキュー長に閾値を設定し前記輻輳状態通知セル
に搭載される情報はこの閾値に対するキュー長の長短情
報である請求項4記載のATM通信網。 - 【請求項6】 ATMスイッチに、通過するバーチャル
チャネルの下流側のATMスイッチから通知される輻輳
状態にしたがって、その輻輳状態を通知したATMスイ
ッチを経由するセルの廃棄を制御する手段を備えた請求
項1ないし5のいずれかに記載のATM通信網。 - 【請求項7】 前記セルの廃棄を制御する手段は、セル
の転送を再開する際には前記下流側のATMスイッチか
ら通知される輻輳状態が転送可能な状態になってから時
間Tを経過した後に転送を再開する手段を含む請求項6
記載のATM通信網。 - 【請求項8】 前記時間Tは、そのATMスイッチに設
けられたセルバッファのキュー長に応じて適応的に設定
される請求項7記載のATM通信網。
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