JPH09257587A - 非接触型温度計 - Google Patents

非接触型温度計

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JPH09257587A
JPH09257587A JP8070632A JP7063296A JPH09257587A JP H09257587 A JPH09257587 A JP H09257587A JP 8070632 A JP8070632 A JP 8070632A JP 7063296 A JP7063296 A JP 7063296A JP H09257587 A JPH09257587 A JP H09257587A
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JP
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pulse
voltage
circuit
infrared
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JP8070632A
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English (en)
Inventor
Mitsuteru Kimura
光照 木村
Takeshi Kudo
剛 工藤
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Terumo Corp
Original Assignee
Terumo Corp
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Publication date
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Priority to EP97400680A priority patent/EP0798545B1/en
Publication of JPH09257587A publication Critical patent/JPH09257587A/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/20Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
    • G01J5/22Electrical features thereof
    • G01J5/24Use of specially adapted circuits, e.g. bridge circuits

Abstract

(57)【要約】 【課題】 サーミスタ素子自体の自己発熱を抑えつつ検
出感度及び測定精度を向上させる。 【解決手段】 パルス電圧出力回路15からは、サーミ
スタボロメータ素子の熱容量に応じ、このサーミスタボ
ロメータ素子の自己発熱の影響を無視できる程度のパル
ス波高、パルス幅、パルス周期を有する矩形波状のパル
ス電圧を出力するように構成してある。検出回路20で
は、このパルス電圧を入力して、赤外線検出用のサーミ
スタボロメータ素子Rsの赤外線入射量に応じた抵抗値
の変化から生じる差動電圧を出力し、この差動電圧を差
動増幅器24によって増幅する。電圧加算回路30は、
パルス電圧発生回路15から出力されるパルス電圧のパ
ルス周期と同期して差動増幅器24から出力されるパル
ス電圧を入力し、これを所定パルス数分だけ加算して最
終的な測定電圧とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触で対象物の
温度を測定することができる非接触型温度計に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、温度検出器の感温部に赤外線セン
サを用い、測定対象物が放射する赤外線を受光して感温
部を加熱し、この温度上昇による赤外線センサの出力の
変化から対象物の温度を測定することが行われている。
【0003】このような熱型の赤外線センサを小型化,
高感度化するために種々の提案がされているが(たとえ
ば特開昭63−273024号公報参照)、特に対象物
の温度が室温近傍あるいはそれ以下の場合には、受光で
きる赤外線がごく微弱であるため、サーミスタ型の赤外
線センサを用いた場合には、サーミスタ定数の高い赤外
線センサを利用すると共に、赤外線センサの熱容量を低
減するなど、受光した赤外線により生じる熱エネルギー
をできるだけ散逸しないように赤外線センサの構造に工
夫が施されている。
【0004】赤外線センサの熱容量を低減するための工
夫の1つには、例えば、特開昭63−273024号公
報に開示されているような、開口部を具備する基板と、
多結晶シリコン膜に対し不純物拡散させて形成された抵
抗膜を具備するセンサ部と、該センサ部を該開口部内に
おいて宙吊状態で該基板に対し支持するメタルブリッジ
とを有する構成とした非接触型半導体温度センサがあ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、サーミスタ
型の赤外線センサは、赤外線の入射によるサーミスタ素
子の温度上昇をサーミスタ素子の電気抵抗の変化により
検出するものである。したがって、従来の技術のように
センサ部を宙吊りにして熱容量の低減を図れば、確かに
高感度化が可能であるが、一方で、サーミスタ抵抗の測
定のために印加される電圧(電流)によりサーミスタ素
子自体が加熱されやすくなり、これが逆に測定精度に悪
影響を与えることが懸念される。
【0006】また、温度補償用のサーミスタ素子と赤外
線検出用のサーミスタ素子とで温度検出手段を構成する
ものにあっても、感度を高めるため大きな電圧を印加す
ると自己発熱が過大になり、双方のサーミスタ素子間の
温度差がそれぞれ他方のサーミスタ素子の温度に影響を
与えるため、サーミスタ素子自体の加熱が測定精度に悪
影響を与えることが懸念される。
【0007】この悪影響を防止するためには、サーミス
タ素子に印加する電圧を極力少なくする方法が考えられ
るが、サーミスタ素子の出力電圧は印加電圧に比例する
ため、発熱量が無視できる程度に印加電圧を低減してし
まうと、これに伴ってその出力電圧も低下してしまうこ
とから、十分な感度を得ることが困難になるという問題
がある。
【0008】本発明は、このような従来の相反する問題
を共に解決するためになされたものであり、サーミスタ
素子自体の自己発熱を抑えつつ検出感度及び測定精度を
向上させた非接触型温度計の提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は次のように構成されている。
【0010】請求項1に記載の発明は、パルス状に電圧
を出力するパルス電圧出力手段と、当該パルス電圧出力
手段から出力されたパルス状の電圧を入力し、被測定対
象物の温度に対応して入射する赤外線量に応じた大きさ
のパルス状の電圧を出力する赤外線検出手段と、当該赤
外線検出手段から出力されるパルス状の電圧を加算する
加算手段とを有することを特徴とする非接触型温度計で
ある。
【0011】このように構成すると、赤外線検出手段に
はパルス状の電圧が印加されることから、定常的に電圧
を印加する場合に比較して単位時間当りの自己発熱量を
小さくすることができる。また、赤外線検出手段から出
力されるパルス状の電圧は加算手段によって加算される
ので、パルスの加算数を最適な回数に設定することによ
って、1つのパルスから得られる電圧が微小であって
も、所望の測定精度を得ることができる。なお、「赤外
線量」とは、赤外線の強度と入射する面積等によって決
定される値である。
【0012】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
のパルス電圧出力手段は、前記赤外線検出手段の熱時定
数に応じ、前記赤外線検出手段の自己発熱の影響を無視
できる程度のパルス波高、パルス幅、パルス周期を有す
る矩形波状のパルス電圧を出力することを特徴とするも
のである。
【0013】このようなパルス波高、パルス幅、パルス
周期を有する矩形波状のパルス電圧を赤外線検出手段に
印加するようにすれば、赤外線検出手段の自己発熱の影
響がなくなるので、検出感度が向上することになる。
【0014】請求項3に記載の発明は、請求項1に記載
の赤外線検出手段は、直列接続された抵抗器からなる第
1回路と少なくとも被測定対象物の温度に対応して入射
する赤外線量に感応して自己の抵抗値を変化させる赤外
線検出素子を含み当該第1回路に並列に接続される第2
回路とからなる検出回路と、当該検出回路における前記
第1回路の抵抗器間の任意の点と前記第2回路の前記赤
外線検出素子と他の回路構成要素との間の任意の点との
電位差を増幅する増幅手段とから構成され、前記第1回
路と第2回路との接続点には、前記パルス出力手段が接
続されるものであることを特徴とするものである。
【0015】このように構成すると、検出回路から出力
されるパルス状の電圧は増幅手段で増幅されることにな
るので、同一の測定精度を維持するとした場合には、増
幅手段の増幅率分だけパルス出力手段から出力されるパ
ルスの波高値を低下させることができるため、その分自
己発熱の影響が低減され、検出感度が向上することにな
る。
【0016】請求項4に記載の発明は、請求項3に記載
の赤外線検出手段を構成する前記第1回路は、2つの抵
抗器が直列に接続されてなり、一方、前記第2回路は、
赤外線検出用の赤外線検出素子と温度補償用の赤外線検
出素子とが直列に接続されてなることを特徴とするもの
である。
【0017】請求項5に記載の発明は、請求項3又は請
求項4に記載の赤外線検出素子は、空洞部を有し、該空
洞部上に形成された絶縁性の薄膜部に薄膜半導体材料か
ら成る薄膜サーミスタ素子を用いた感温部が設けられた
ものであることを特徴とする。
【0018】このような構成にすると、赤外線検出素子
の熱容量を小さくすることができ、検出感度が良好とな
る。
【0019】請求項6に記載の発明は、請求項3から請
求項5のいずれかの請求項において、前記パルス電圧出
力手段は、前記赤外線検出素子の熱時定数よりも十分短
いパルス幅のパルス電圧を出力することを特徴とする。
【0020】このようなパルス幅のパルス電圧とする
と、赤外線検出素子の自己発熱をなくすことができ、検
出感度が向上することになる。
【0021】請求項7に記載の発明は、請求項1に記載
の加算手段は、前記赤外線検出手段から出力されるパル
ス状の電圧を所定パルス数分加算することを特徴とす
る。
【0022】このようにしてパルスの加算を行うと、そ
の加算数に応じた出力電圧を得ることができるので、赤
外線検出手段から出力されるパルスの波高値やパルス幅
を小さくすることができ、また、パルス周期を長くする
ことができるので、赤外線検出手段の自己発熱量を小さ
くし、検出感度を向上させることができることになる。
【0023】請求項8に記載の発明は、請求項3に記載
の加算手段は、前記増幅手段から出力されるパルス状の
電圧を前記パルス電圧出力手段から出力されるパルス状
の電圧の出力タイミングと同期して入力し、当該入力し
た電圧を所定パルス数分加算することを特徴とする。
【0024】このようにパルス電圧出力手段から出力さ
れるパルスの出力タイミングと、加算手段が入力するパ
ルスの入力タイミングとを合わせると、電圧の加算が効
率良く行える。したがって、測定精度を向上させること
ができるようになる。
【0025】
【発明の実施の形態】本発明を詳細に説明する前に、本
発明の概要を説明する。
【0026】本発明では、赤外線センサとしてサーミス
タボロメータ素子を用いている。本発明では、このサー
ミスタボロメータ素子に印加する電圧(または電流)に
よる自己発熱量を低減するために印加電圧を下げるので
はなく、サーミスタボロメータ素子の熱時定数より十分
短い時間だけ電圧(パルス電圧)を印加することによ
り、従来技術で問題となっていた自己発熱の効果を無視
できる程度に低減している。
【0027】すなわち、本発明は、サーミスタボロメー
タ素子のインピーダンスを測定するためには、定常的に
電圧(または電流)を印加しておく必要はなく、瞬間的
に電圧を印加し、そのパルス時間幅の間で適当なサンプ
リングおよびピークホールド等の手段を用いてインピー
ダンスを測定すれば良いとの考え方に基づき、また、印
加するパルスを複数個用いれば、各々のパルスごとに出
力電圧を得て、それらを電気的に加算することにより大
きな出力電圧を得ることができ、感度を向上させること
ができるであろうとの考え方に基づいてなされたもので
ある。
【0028】以下に、本発明の1実施形態を図面を参照
しつつ詳細に説明する。
【0029】図1は、本発明の非接触型温度計の概略構
成を示すブロック図である。
【0030】同図に示すパルス電圧発生回路15は、図
3に示すようなパルス状の電圧を発生するものであり、
パルス電圧出力手段として機能するものである。このパ
ルス電圧発生回路15からは、後述するサーミスタボロ
メータ素子の熱容量に応じ、このサーミスタボロメータ
素子の自己発熱の影響を無視できる程度のパルス波高、
パルス幅、パルス周期を有する矩形波状のパルス電圧を
出力するように構成してある。特に、このパルス幅は、
サーミスタボロメータ素子の熱時定数よりも十分短いパ
ルス幅としている。
【0031】このパルス電圧発生回路15から出力され
るパルス状の電圧は、被測定対象物の温度に対応して入
射する赤外線量に応じた大きさのパルス状の電圧を出力
する赤外線検出手段20に入力される。この赤外線検出
手段20は、検出回路22と差動増幅器24とから構成
される。
【0032】検出回路22は、同図に示すように、抵抗
器R1と抵抗器R2とが直列接続されてなる第1回路及
び赤外線を検出するサーミスタボロメータ素子Rs(検
出素子)と環境温度を検出して温度補償を行うためのサ
ーミスタボロメータ素子Rc(補償素子)とが直列接続
されてなる第2回路が並列接続されてホイートストンブ
リッジを構成している回路である。
【0033】差動増幅器24は、抵抗器R1と抵抗器R
2との接続点と、サーミスタボロメータ素子Rs(検出
素子)とサーミスタボロメータ素子Rc(補償素子)と
の接続点とに接続され、両接続点間の電位差を増幅して
出力するものである。なお、この検出回路22にはパル
ス電圧発生回路15からパルス状の電圧が印加されるの
で、前記両接続点間に現れる電位差もパルス状に変化し
たものとなる。したがって、差動増幅器24は、このパ
ルス状に変化する電位差を増幅することになる。
【0034】ところで、前述の2つの抵抗器R1とR2
は温度係数の小さい固定抵抗器であり、これらの抵抗値
は基準温度(室温)でホイートストンブリッジが平衡状
態になるように、サーミスタボロメータ素子Rs(検出
素子)と環境温度を検出して温度補償を行うためのサー
ミスタボロメータ素子Rc(補償素子)との抵抗値に合
わせて設定されている。
【0035】ここで用いられているサーミスタボロメー
タ素子Rs,Rcのそれぞれは、図2に示すように、空
洞部1を有し、該空洞部1上に形成された絶縁性の薄膜
部9に薄膜半導体材料から成る薄膜サーミスタ素子を用
いた感温部3,4を設けたものであり、この感温部3,
4の熱容量を低減し、かつ支持梁5を伝わってセンサ基
体6に散逸する熱量を極小にするため、薄く(厚さ4μ
m)、細い(幅10μmおよび20μm)支持梁5で幅広
(直径600μm)の感温部3,4を吊った構造、すな
わち架橋構造にしてある。
【0036】この薄膜部9の上面には表蓋7が接合され
ているが、この表蓋7の表面には赤外線遮光膜8が成膜
され、この赤外線遮光膜8の感温部3に対向する位置に
は、赤外線を内部に導くための入射窓10が設けてあ
る。また、センサ基体6の下面には裏蓋11が接合され
ている。
【0037】このように、感温部3,4の片側の感温部
3のみに入射窓10を介して赤外線が入射されるように
しているので、感温部3を有するサーミスタボロメータ
素子Rsは赤外線を検出する素子として、また、感温部
4を有するサーミスタボロメータ素子Rcは温度補償素
子として機能することになる。
【0038】電圧加算回路30は、差動増幅器24から
出力されるパルス状の電圧を所定パルス数分加算するも
のであって、そのパルスの取込みタイミングは、パルス
電圧発生回路10からパルスが出力されるタイミングに
同期している。この同期は、パルス電圧発生回路15と
電圧加算回路30とを接続している信号線を介して行わ
れる。
【0039】表示装置35は、電圧加算回路30からの
出力電圧を温度に変換して表示するものである。
【0040】図3は、図1及び図2に示したサーミスタ
ボロメータ素子において、赤外線検出用のサーミスタボ
ロメータ素子Rsの感温部3の温度の時間的変化の状況
と、このサーミスタボロメータ素子Rsに印加する矩形
波状のパルス電圧を模式的に示したものである。
【0041】なお、このパルス電圧の電圧値とそのパル
ス幅の調整により、赤外線検出用のサーミスタボロメー
タ素子Rs及び温度補償用のサーミスタボロメータ素子
Rcのいずれの素子のジュール熱による温度上昇を、無
視できる程度に小さくすることも可能であるが、本実施
の形態において例示している検出回路22によれば、た
とえ温度上昇しても温度補償用のサーミスタボロメータ
素子Rcにも全く同じタイミングで矩形波状のパルス電
流が流れるので、両素子間の差動出力を得ることによ
り、そのジュール熱による自己発熱効果を無視できる程
度にすることができる。
【0042】本実施の形態において例示しているサーミ
スタボロメータ素子Rs,Rcの熱時定数は、図3に示
してあるように、約1秒であるため、パルス電圧発生回
路15から出力される1個目(最初)のパルス電圧は、
その温度の上昇が十分飽和してから印加するようにして
いる。たとえば、温度計の図示していないスイッチをO
Nして1秒以上経ってからパルス電圧発生回路15から
パルス電圧が出力されることになる。このようにすれ
ば、極めて正確な測定をすることができるようになるか
らである。
【0043】従来は、検出回路22に定常的に電圧を印
加しながら、その出力電圧を測定していた。その際、架
橋構造状に形成したサーミスタボロメータ素子の自己発
熱を考慮し、比較的低い電圧(約1V)を用いていた
が、検出回路22の出力電圧は印加電圧に比例するた
め、測定精度が低下しないような電圧を得ることは上記
自己発熱との兼ね合いで非常に困難であった。
【0044】計算によりサーミスタボロメータ素子の自
己発熱量とそれに由来するサーミスタボロメータ素子の
温度上昇を求めると、次のように、測定しようとする温
度の精度(±0.01℃)に比べて無視できない大きさ
であることがわかる。
【0045】本実施の形態で例示している,架橋構造に
形成したサーミスタボロメータ素子の熱容量Cvは、そ
の材質の比熱,密度,大きさから、3.59×10-6
/Kと求められる。
【0046】一方、定常電圧Vをこのサーミスタボロメ
ータ素子に印加したときの発熱量Qは、Q=V2 /R
(Rはサーミスタボロメータ素子のインピーダンス)で
あるから、V=1(V)のとき、Q=1.43×10-6
Wである。
【0047】従って、サーミスタボロメータ素子の自己
発熱による温度上昇ΔTは、熱の逃げを無視すると、Δ
T=Qt/Cv=0.40K と考えられる。
【0048】(tは時間で、熱時定数の1秒とした) なお、本実施の形態の上記サーミスタボロメータ素子
は、前述の通り真空中で架橋構造としてあるので、熱の
逃げを無視できる。
【0049】これに対して、本発明では、印加電圧をパ
ルスにしてごく短い時間だけ印加するようにしているの
で、正味の発熱量が低減できることになる。さらに、1
パルスのピーク電圧を従来の定常的な印加電圧より高く
したので、それに比例して大きな出力電圧が得られた。
さらに、電圧加算回路30においては、複数個のパルス
による出力電圧を加算するようになっているので、パル
ス数倍の大きさの総合出力電圧が得られることになる。
【0050】図1に示したパルス電圧発生回路15から
出力される矩形波状のパルス電圧は、図3に示すよう
に、パルス波高(ピーク電圧)が5Vでパルス幅が1m
sであり、このような波高値とパルス幅を有するパルス
電圧を1秒間に5パルス出力、つまりパルス周期を20
0msとしている。
【0051】このようなパルス電圧をサーミスタボロメ
ータ素子に印加するようにしたので、その温度上昇ΔT
は、ΔT=0.00992Kとなって、従来の1/40
以下となり、測定温度精度より小さく抑えられた。その
結果、図4に示すように、総合出力電圧は従来の25倍
の電圧が得られ、高感度な非接触型温度計が実現され
た。
【0052】さらに、赤外線検出用のサーミスタボロメ
ータ素子Rs及び温度補償用のサーミスタボロメータ素
子Rc検出素子の形状を全く同一にすることにより、更
に大きな矩形波状のパルス電圧を印加して、ジュール熱
(自己発熱)による温度上昇が0.4Kになったとして
も、両素子の温度差を1×10-4K以下にすることが可
能になった。
【0053】このように構成された本発明の非接触型温
度計は、次のように動作することになる。
【0054】まず、本発明の非接触型温度計を対象物に
向けてから図示されていないスイッチがONされると、
サーミスタボロメータ素子Rsの温度上昇の飽和(本実
施の形態では1秒以上)を待って、パルス電圧出力回路
15から図3に示したようなパルス波高,パルス幅,パ
ルス周期のパルス電圧が出力される。検出回路20で
は、このパルス電圧を入力して、赤外線検出用のサーミ
スタボロメータ素子Rsの赤外線(入射)量に応じた抵
抗値の変化から生じる差動電圧を出力し、この差動電圧
が差動増幅器24によって増幅される。電圧加算回路3
0は、パルス電圧発生回路15から出力されるパルス電
圧のパルス周期と同期して差動増幅器24から出力され
るパルス電圧を入力し、これを図4に示したように所定
パルス数分だけ加算して最終的な測定電圧とする。表示
装置35では、この測定電圧を受けてこの電圧に応じた
温度表示をする。
【0055】以上に記載した本実施の形態一例は、本発
明を説明するためのものであり、本発明がこの実施例に
のみ限定されるものではない。したがって、以下のよう
な態様でも本発明の適用は可能である。
【0056】パルス波高(ピーク電圧)は、従来の定常
電圧の数倍の電圧が印加できるので、従来の数倍の感度
で十分な用途では、一度の測定でパルスは一個でもよ
い。
【0057】また、高速の差動増幅器や電圧加算回路等
を用いれば、パルス幅はより狭くてもよく、それだけ電
圧印加によるサーミスタボロメータ素子の自己発熱を低
減することが可能である。
【0058】また、上記の例では、検出回路22は定電
圧駆動としたが、これは定電流駆動としても発明の趣旨
は何ら変わることなく適用できる。
【0059】また、たとえば本発明の非接触型温度計に
おいても、輻射光検出(赤外線検出用),温度補償(温
度補償用)両方のサーミスタボロメータ素子を真空中に
パッケージングして、感温部から周囲の空気への熱伝導
による熱の散逸を低減すれば、より高い感度が得られる
ことは従来技術と同様である。
【0060】なお、本実施の形態では、サーミスタボロ
メータ素子をホイートストンブリッジとする構成を記載
したが、これをインピーダンスブリッジとしても良い。
インピーダンスブリッジは位相調整が可能なため、パル
ス幅を狭めることができる。
【0061】
【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、赤外線
検出手段にはパルス状の電圧が印加されることから、定
常的に電圧を印加する場合に比較して自己発熱量を小さ
くすることができる。また、赤外線検出手段から出力さ
れるパルス状の電圧は加算手段によって加算されるの
で、パルスの加算数を最適な回数に設定することによっ
て、1つのパルスから得られる電圧が微小であっても、
所望の測定精度を得ることができる。
【0062】請求項2及び請求項6に記載の発明によれ
ば、赤外線検出手段の自己発熱の影響がなくなるので、
検出感度が向上することになる。
【0063】請求項3及び請求項4に記載の発明によれ
ば、検出回路から出力されるパルス状の電圧は増幅手段
で増幅されることになるので、同一の測定精度を維持す
るとした場合には、増幅手段の増幅率分だけパルス出力
手段から出力されるパルスの波高値を低下させることが
できるため、その分自己発熱の影響が低減され、検出感
度が向上することになる。
【0064】請求項5に記載の発明によれば、赤外線検
出素子の熱容量を小さくすることができ、検出感度が良
好となる。
【0065】請求項7に記載の発明によれば、パルスの
加算数に応じた出力電圧を得ることができるので、赤外
線検出手段から出力されるパルスの波高値やパルス幅を
小さくすることができ、また、パルス周期を長くするこ
とができるので、赤外線検出手段の自己発熱量を小さく
し、検出感度を向上させることができることになる。請
求項8に記載の発明によれば、パルス電圧出力手段から
出力されるパルスの出力タイミングと、加算手段が入力
するパルスの入力タイミングとが一致するので、電圧の
加算が効率良く行えるようになり、測定精度を向上させ
ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の非接触型温度計の概略構成を示すブ
ロック図である。
【図2】 一組の同一形状の架橋構造に形成したサーミ
スタボロメータ素子の概観図である。
【図3】 赤外線検出用のサーミスタボロメータ素子の
温度の時間変化とサーミスタボロメータ素子に印加する
パルス電圧を表す図である。
【図4】 総合出力電圧の時間変化を従来の測定法によ
る出力電圧と比較して表した図である。
【符号の説明】
1…空洞部、 2…薄膜部、3,4…感温部、5…
支持梁、6…センサ基体、 7…表蓋、8…赤外線遮光
膜、9…赤外線受光部、10…入射窓、 11…裏
蓋、15…パルス電圧出力手段、20…赤外線検出手
段、22…検出回路、 24…差動増幅回路、30…電
圧加算回路、35…表示装置 Rs…赤外線検出用サーミスタボロメータ素子、Rc…
温度補償用サーミスタボロメータ素子。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パルス状に電圧を出力するパルス電圧出
    力手段と、 当該パルス電圧出力手段から出力されたパルス状の電圧
    を入力し、被測定対象物の温度に対応して入射する赤外
    線量に応じた大きさのパルス状の電圧を出力する赤外線
    検出手段と、 当該赤外線検出手段から出力されるパルス状の電圧を加
    算する加算手段とを有することを特徴とする非接触型温
    度計。
  2. 【請求項2】 前記パルス電圧出力手段は、前記赤外線
    検出手段の熱時定数に応じ、前記赤外線検出手段の自己
    発熱の影響を無視できる程度のパルス波高、パルス幅、
    パルス周期を有する矩形波状のパルス電圧を出力するこ
    とを特徴とする請求項1に記載の非接触型温度計。
  3. 【請求項3】 前記赤外線検出手段は、直列接続された
    抵抗器からなる第1回路と少なくとも被測定対象物の温
    度に対応して入射する赤外線量に感応して自己の抵抗値
    を変化させる赤外線検出素子を含み当該第1回路に並列
    に接続される第2回路とからなる検出回路と、当該検出
    回路における前記第1回路の抵抗器間の任意の点と前記
    第2回路の前記赤外線検出素子と他の回路構成要素との
    間の任意の点との電位差を増幅する増幅手段とから構成
    され、前記第1回路と第2回路との接続点には、前記パ
    ルス出力手段が接続されるものであることを特徴とする
    請求項1に記載の非接触型温度計。
  4. 【請求項4】 前記赤外線検出手段を構成する前記第1
    回路は、2つの抵抗器が直列に接続されてなり、一方、
    前記第2回路は、赤外線検出用の赤外線検出素子と温度
    補償用の赤外線検出素子とが直列に接続されてなること
    を特徴とする請求項3に記載の非接触型温度計。
  5. 【請求項5】 前記赤外線検出素子は、空洞部を有し、
    該空洞部上に形成された絶縁性の薄膜部に薄膜半導体材
    料から成る薄膜サーミスタ素子を用いた感温部が設けら
    れたものであることを特徴とする請求項3または請求項
    4に記載の非接触型温度計。
  6. 【請求項6】 前記パルス電圧出力手段は、前記赤外線
    検出素子の熱時定数よりも十分短いパルス幅のパルス電
    圧を出力することを特徴とする請求項3から請求項5の
    いずれかに記載の非接触型温度計。
  7. 【請求項7】 前記加算手段は、前記赤外線検出手段か
    ら出力されるパルス状の電圧を所定パルス数分加算する
    ことを特徴とする請求項1に記載の非接触型温度計。
  8. 【請求項8】 前記加算手段は、前記増幅手段から出力
    されるパルス状の電圧を前記パルス電圧出力手段から出
    力されるパルス状の電圧の出力タイミングと同期して入
    力し、当該入力した電圧を所定パルス数分加算すること
    を特徴とする請求項3に記載の非接触型温度計。
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