JPH09256161A - Ｅｃｒマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｅｃｒマイクロ波プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH09256161A JPH09256161A JP5985696A JP5985696A JPH09256161A JP H09256161 A JPH09256161 A JP H09256161A JP 5985696 A JP5985696 A JP 5985696A JP 5985696 A JP5985696 A JP 5985696A JP H09256161 A JPH09256161 A JP H09256161A
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- window
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気テープのような長尺状のものに連続成膜
させても、膜厚や膜質に変動が起き難い技術を提供する
ことである。 【解決手段】 磁場発生手段と、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記マ
イクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた窓
と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給手
段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記窓に近い位置にクリーニング用プラズマ発
生手段が設けられてなるＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置。
させても、膜厚や膜質に変動が起き難い技術を提供する
ことである。 【解決手段】 磁場発生手段と、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記マ
イクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた窓
と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給手
段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記窓に近い位置にクリーニング用プラズマ発
生手段が設けられてなるＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばダイヤモン
ドライクカーボン膜を金属磁性膜上に成膜する為に用い
るＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に関する。
ドライクカーボン膜を金属磁性膜上に成膜する為に用い
るＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープにおいて
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着やスパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
テープが提案されている。そして、この種の磁気テープ
は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したもので
ある。
【０００３】この磁気テープの金属磁性膜を保護する為
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜は提案の一
つである。このダイヤモンドライクカーボン膜は、例え
ばＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によって設けら
れている。図６、図７に従来のＥＣＲマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置を示す。図６や図７中、２１は真空槽、２
２は金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム等の支持
体、２３ａは支持体２２の供給側ロール、２３ｂは支持
体２２の巻取側ロール、２４は冷却キャンロール、２５
は冷却キャンロール２４に添接されている支持体２２表
面の金属磁性膜に対向して設けられたプラズマ反応管、
２６はプラズマ反応管２５の周囲に設けられたＥＣＲ用
コイル（磁場発生手段）、２７はマイクロ波発振器から
のマイクロ波を導く導波管、２８はマイクロ波導波管２
７とプラズマ反応管２５との間に設けられたガラス窓
（水晶窓）、２９は支持体２２表面の金属磁性膜の表面
に、例えばダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する為
の成膜材料（例えば、炭化水素ガス等の反応ガス）を供
給する為のノズルである。
に、各種の保護膜を表面に設けることが提案されてい
る。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜は提案の一
つである。このダイヤモンドライクカーボン膜は、例え
ばＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によって設けら
れている。図６、図７に従来のＥＣＲマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置を示す。図６や図７中、２１は真空槽、２
２は金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム等の支持
体、２３ａは支持体２２の供給側ロール、２３ｂは支持
体２２の巻取側ロール、２４は冷却キャンロール、２５
は冷却キャンロール２４に添接されている支持体２２表
面の金属磁性膜に対向して設けられたプラズマ反応管、
２６はプラズマ反応管２５の周囲に設けられたＥＣＲ用
コイル（磁場発生手段）、２７はマイクロ波発振器から
のマイクロ波を導く導波管、２８はマイクロ波導波管２
７とプラズマ反応管２５との間に設けられたガラス窓
（水晶窓）、２９は支持体２２表面の金属磁性膜の表面
に、例えばダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する為
の成膜材料（例えば、炭化水素ガス等の反応ガス）を供
給する為のノズルである。
【０００４】このようなＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置において、ノズル２９から炭化水素ガス等の反応
ガスを供給し、そして図７に示す磁場およびマイクロ波
を作用させることによってプラズマ反応管２５内に発生
したプラズマを、走行する支持体表面の金属磁性膜に対
して照射することによって、金属磁性膜上にダイヤモン
ドライクカーボン膜が成膜される。
Ｄ装置において、ノズル２９から炭化水素ガス等の反応
ガスを供給し、そして図７に示す磁場およびマイクロ波
を作用させることによってプラズマ反応管２５内に発生
したプラズマを、走行する支持体表面の金属磁性膜に対
して照射することによって、金属磁性膜上にダイヤモン
ドライクカーボン膜が成膜される。
【０００５】ところで、磁気テープのような長尺状のも
のに連続成膜させている中に、得られたダイヤモンドラ
イクカーボン膜には膜厚や膜質に変動の有ることが判っ
て来た。従って、本発明の課題は、磁気テープのような
長尺状のものに連続成膜させても、膜厚や膜質に変動が
起き難い技術を提供することである。
のに連続成膜させている中に、得られたダイヤモンドラ
イクカーボン膜には膜厚や膜質に変動の有ることが判っ
て来た。従って、本発明の課題は、磁気テープのような
長尺状のものに連続成膜させても、膜厚や膜質に変動が
起き難い技術を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記膜厚や膜質の変動に
ついての検討をして行くうちに、これは水晶窓２８にも
ダイヤモンドライクカーボンが付着し、これによってプ
ラズマ反応管２５内へのマイクロ波の導入度が低下し、
プラズマが効率良く発生しない為であることが判って来
た。
ついての検討をして行くうちに、これは水晶窓２８にも
ダイヤモンドライクカーボンが付着し、これによってプ
ラズマ反応管２５内へのマイクロ波の導入度が低下し、
プラズマが効率良く発生しない為であることが判って来
た。
【０００７】この知見に基づいて本発明がなされたもの
であり、前記本発明の課題は、磁場発生手段と、マイク
ロ波発生手段と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応
管と、前記マイクロ波導波管とプラズマ反応管との間に
設けられた窓と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供
給する供給手段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置において、前記窓に近い位置にクリーニング
用プラズマ発生手段が設けられてなることを特徴とする
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によって解決され
る。
であり、前記本発明の課題は、磁場発生手段と、マイク
ロ波発生手段と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応
管と、前記マイクロ波導波管とプラズマ反応管との間に
設けられた窓と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供
給する供給手段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置において、前記窓に近い位置にクリーニング
用プラズマ発生手段が設けられてなることを特徴とする
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によって解決され
る。
【０００８】特に、磁場発生手段と、マイクロ波発生手
段と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記
マイクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた
窓と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給
手段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
において、前記窓に近い位置のプラズマ反応管内にクリ
ーニング用プラズマを発生させる為に設けられたガス導
入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入されたガスを
前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた排気手段
とを具備し、前記ガス導入ノズルから導入され、前記排
気手段で前記窓に近い位置に保持されているガスに対し
て前記磁場発生手段及びマイクロ波発生手段からの作用
により前記窓に近い位置のプラズマ反応管内にクリーニ
ング用プラズマが発生するよう構成されたものであるこ
とを特徴とするＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
よって解決される。
段と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記
マイクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた
窓と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給
手段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
において、前記窓に近い位置のプラズマ反応管内にクリ
ーニング用プラズマを発生させる為に設けられたガス導
入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入されたガスを
前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた排気手段
とを具備し、前記ガス導入ノズルから導入され、前記排
気手段で前記窓に近い位置に保持されているガスに対し
て前記磁場発生手段及びマイクロ波発生手段からの作用
により前記窓に近い位置のプラズマ反応管内にクリーニ
ング用プラズマが発生するよう構成されたものであるこ
とを特徴とするＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
よって解決される。
【０００９】更には、磁場発生手段と、マイクロ波発生
手段と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前
記マイクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられ
た窓と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供
給手段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置において、前記窓に近い位置のプラズマ反応管内にク
リーニング用プラズマを発生させる為に設けられたガス
導入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入されたガス
を前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた排気手
段と、発生したクリーニング用プラズマを前記窓側に加
速させる電圧引加手段とを具備し、前記ガス導入ノズル
から導入され、前記排気手段で前記窓に近い位置に保持
されているガスに対して前記磁場発生手段及びマイクロ
波発生手段からの作用により前記窓に近い位置のプラズ
マ反応管内に発生したクリーニング用プラズマを前記電
圧引加手段により前記窓側に加速させるよう構成された
ものであることを特徴とするＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置によって解決される。
手段と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前
記マイクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられ
た窓と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供
給手段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置において、前記窓に近い位置のプラズマ反応管内にク
リーニング用プラズマを発生させる為に設けられたガス
導入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入されたガス
を前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた排気手
段と、発生したクリーニング用プラズマを前記窓側に加
速させる電圧引加手段とを具備し、前記ガス導入ノズル
から導入され、前記排気手段で前記窓に近い位置に保持
されているガスに対して前記磁場発生手段及びマイクロ
波発生手段からの作用により前記窓に近い位置のプラズ
マ反応管内に発生したクリーニング用プラズマを前記電
圧引加手段により前記窓側に加速させるよう構成された
ものであることを特徴とするＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置によって解決される。
【００１０】すなわち、上記のように構成させておく
と、つまりクリーニング用プラズマ発生手段を設けてお
くと、窓に汚れが付着しても、これは直ちにクリーニン
グ用プラズマでクリーニングされ、綺麗な状態のもので
あるから、プラズマ反応管内へのマイクロ波の導入度は
低下せず、プラズマは効率良く発生し、磁気テープのよ
うな長尺状のものに連続成膜させても、膜厚や膜質に大
きな変動は起きなくなる。
と、つまりクリーニング用プラズマ発生手段を設けてお
くと、窓に汚れが付着しても、これは直ちにクリーニン
グ用プラズマでクリーニングされ、綺麗な状態のもので
あるから、プラズマ反応管内へのマイクロ波の導入度は
低下せず、プラズマは効率良く発生し、磁気テープのよ
うな長尺状のものに連続成膜させても、膜厚や膜質に大
きな変動は起きなくなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のＥＣＲマイクロ波プラズ
マＣＶＤ装置は、磁場発生手段と、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記マ
イクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた窓
と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給手
段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記窓に近い位置にクリーニング用プラズマ発
生手段が設けられたものである。このクリーニング用プ
ラズマ発生手段は、前記窓に近い位置のプラズマ反応管
内にクリーニング用プラズマを発生させる為に設けられ
たガス導入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入され
たガスを前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた
排気手段とを具備し、前記ガス導入ノズルから導入さ
れ、前記排気手段で前記窓に近い位置に保持されている
ガスに対して前記磁場発生手段及びマイクロ波発生手段
からの作用により前記窓に近い位置のプラズマ反応管内
にクリーニング用プラズマが発生するよう構成されたも
のである。特に、前記窓に近い位置のプラズマ反応管内
にクリーニング用プラズマを発生させる為に設けられた
ガス導入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入された
ガスを前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた排
気手段と、発生したクリーニング用プラズマを前記窓側
に加速させる電圧引加手段とを具備し、前記ガス導入ノ
ズルから導入され、前記排気手段で前記窓に近い位置に
保持されているガスに対して前記磁場発生手段及びマイ
クロ波発生手段からの作用により前記窓に近い位置のプ
ラズマ反応管内に発生したクリーニング用プラズマを前
記電圧引加手段により前記窓側に加速させるよう構成さ
れたものである。
マＣＶＤ装置は、磁場発生手段と、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記マ
イクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた窓
と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給手
段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
おいて、前記窓に近い位置にクリーニング用プラズマ発
生手段が設けられたものである。このクリーニング用プ
ラズマ発生手段は、前記窓に近い位置のプラズマ反応管
内にクリーニング用プラズマを発生させる為に設けられ
たガス導入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入され
たガスを前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた
排気手段とを具備し、前記ガス導入ノズルから導入さ
れ、前記排気手段で前記窓に近い位置に保持されている
ガスに対して前記磁場発生手段及びマイクロ波発生手段
からの作用により前記窓に近い位置のプラズマ反応管内
にクリーニング用プラズマが発生するよう構成されたも
のである。特に、前記窓に近い位置のプラズマ反応管内
にクリーニング用プラズマを発生させる為に設けられた
ガス導入ノズルと、前記ガス導入ノズルから導入された
ガスを前記窓に近い位置に保持させる為に設けられた排
気手段と、発生したクリーニング用プラズマを前記窓側
に加速させる電圧引加手段とを具備し、前記ガス導入ノ
ズルから導入され、前記排気手段で前記窓に近い位置に
保持されているガスに対して前記磁場発生手段及びマイ
クロ波発生手段からの作用により前記窓に近い位置のプ
ラズマ反応管内に発生したクリーニング用プラズマを前
記電圧引加手段により前記窓側に加速させるよう構成さ
れたものである。
【００１２】以下、図面と共に本発明の実施形態を説明
する。図１はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の要
部の第１実施形態の概略図、図２は磁場を説明する図で
ある。尚、この第１実施形態においては、図６で示した
真空槽２１、金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム等
の支持体２２、供給側ロール２３ａ、巻取側ロール２３
ｂ、冷却キャンロール２４等を具備しているが、これら
については同じであるから省略する。
する。図１はＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の要
部の第１実施形態の概略図、図２は磁場を説明する図で
ある。尚、この第１実施形態においては、図６で示した
真空槽２１、金属磁性膜が設けられたＰＥＴフィルム等
の支持体２２、供給側ロール２３ａ、巻取側ロール２３
ｂ、冷却キャンロール２４等を具備しているが、これら
については同じであるから省略する。
【００１３】又、図６で示したプラズマ反応管２５、Ｅ
ＣＲ用コイル２６、導波管２７、水晶窓２８、反応ガス
供給用のノズル２９と同様に、プラズマ反応管１、ＥＣ
Ｒ用コイル２、導波管３、水晶窓４、反応ガス供給用の
ノズル５が設けられている。尚、ＥＣＲ用コイル２によ
る磁場は、図２に示す内容のものである。この第１実施
形態においては、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等の希
ガス、及びＣＯ2 ，Ｎ2 ，ＮＯ2 ，ＳＯ2 等の不活性ガ
ス、特にスパッタ効率が高いＡｒをプラズマ反応管１内
の水晶窓４の側に供給する為、プラズマ反応管１の後部
側にノズル６ａが設けられると共に、排気用のノズル６
ｂが設けられている。そして、ノズル６ａからプラズマ
反応管１内に供給されたアルゴンガスは排気手段が接続
されているノズル６ｂから吸引されるようになるので、
プラズマ反応管１の先端側（冷却キャンロール側）には
拡散して行き難いものとなっている。
ＣＲ用コイル２６、導波管２７、水晶窓２８、反応ガス
供給用のノズル２９と同様に、プラズマ反応管１、ＥＣ
Ｒ用コイル２、導波管３、水晶窓４、反応ガス供給用の
ノズル５が設けられている。尚、ＥＣＲ用コイル２によ
る磁場は、図２に示す内容のものである。この第１実施
形態においては、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等の希
ガス、及びＣＯ2 ，Ｎ2 ，ＮＯ2 ，ＳＯ2 等の不活性ガ
ス、特にスパッタ効率が高いＡｒをプラズマ反応管１内
の水晶窓４の側に供給する為、プラズマ反応管１の後部
側にノズル６ａが設けられると共に、排気用のノズル６
ｂが設けられている。そして、ノズル６ａからプラズマ
反応管１内に供給されたアルゴンガスは排気手段が接続
されているノズル６ｂから吸引されるようになるので、
プラズマ反応管１の先端側（冷却キャンロール側）には
拡散して行き難いものとなっている。
【００１４】従って、プラズマ反応管１内に供給された
Ａｒに図２に示す磁場や２．４５ＧＨｚのマイクロ波が
作用すると、クリーニング用プラズマが発生し、これに
よって水晶窓４の付着物は除去される。そして、これと
共に、ノズル５から炭化水素ガスがプラズマ反応管１内
に供給されていると、炭化水素ガスに磁場やマイクロ波
が作用し、プラズマが発生し、このプラズマは冷却キャ
ンロール表面の支持体表面の金属磁性膜に照射され、金
属磁性膜上にはダイヤモンドライクカーボン膜が生成す
る。
Ａｒに図２に示す磁場や２．４５ＧＨｚのマイクロ波が
作用すると、クリーニング用プラズマが発生し、これに
よって水晶窓４の付着物は除去される。そして、これと
共に、ノズル５から炭化水素ガスがプラズマ反応管１内
に供給されていると、炭化水素ガスに磁場やマイクロ波
が作用し、プラズマが発生し、このプラズマは冷却キャ
ンロール表面の支持体表面の金属磁性膜に照射され、金
属磁性膜上にはダイヤモンドライクカーボン膜が生成す
る。
【００１５】この時、水晶窓４は常に綺麗な状態である
から、マイクロ波はプラズマ反応管１内に効率よく導入
され、プラズマは効率良く発生し、磁気テープのような
長尺状のものに連続成膜させても、膜厚や膜質に大きな
変動は起きなくなる。図３はＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置の要部の第２実施形態の概略図、図４は磁場
を説明する図である。
から、マイクロ波はプラズマ反応管１内に効率よく導入
され、プラズマは効率良く発生し、磁気テープのような
長尺状のものに連続成膜させても、膜厚や膜質に大きな
変動は起きなくなる。図３はＥＣＲマイクロ波プラズマ
ＣＶＤ装置の要部の第２実施形態の概略図、図４は磁場
を説明する図である。
【００１６】第２実施形態にあっては、第１実施形態の
ものに、クリーニング電圧引加手段を設けたものであ
る。すなわち、電極７をプラズマ反応管１の後部側に設
けておき、これに電圧を掛けておくことによりクリーニ
ング用プラズマは水晶窓４側に加速されるようになり、
一層効率よくクリーニングされる。その他の点について
は、第１実施形態のものと同じであるから、詳細は省略
する。
ものに、クリーニング電圧引加手段を設けたものであ
る。すなわち、電極７をプラズマ反応管１の後部側に設
けておき、これに電圧を掛けておくことによりクリーニ
ング用プラズマは水晶窓４側に加速されるようになり、
一層効率よくクリーニングされる。その他の点について
は、第１実施形態のものと同じであるから、詳細は省略
する。
【００１７】
【実施例１】図１のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置を用い、６μｍ厚のＰＥＴフィルム上に設けた２００
０Å厚のＣｏ金属磁性膜の上に、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜した。ダイヤモンドライクカーボン膜の
成膜条件は次の通りである。
置を用い、６μｍ厚のＰＥＴフィルム上に設けた２００
０Å厚のＣｏ金属磁性膜の上に、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜した。ダイヤモンドライクカーボン膜の
成膜条件は次の通りである。
【００１８】 真空槽内の真空度；９．０×１０-6Ｔｏｒｒ ノズル５からの反応ガス；ＣＨ4 ＋Ｈ2 （９：１） ノズル６ａからのクリーニング用ガス；Ａｒ 反応ガスとクリーニング用ガスとの割合；１０：１ 上記ガスの供給量；９．０×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が
４．０×１０-3Ｔｏｒｒになるよう マイクロ波出力；３００ｗ
４．０×１０-3Ｔｏｒｒになるよう マイクロ波出力；３００ｗ
【００１９】
【実施例２】図３のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置を用い、６μｍ厚のＰＥＴフィルム上に設けた２００
０Å厚のＣｏ金属磁性膜の上に、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜した。ダイヤモンドライクカーボン膜の
成膜条件は次の通りである。
置を用い、６μｍ厚のＰＥＴフィルム上に設けた２００
０Å厚のＣｏ金属磁性膜の上に、ダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜した。ダイヤモンドライクカーボン膜の
成膜条件は次の通りである。
【００２０】 真空槽内の真空度；９．０×１０-6Ｔｏｒｒ ノズル５からの反応ガス；ＣＨ4 ＋Ｈ2 （９：１） ノズル６ａからのクリーニング用ガス；Ａｒ 反応ガスとクリーニング用ガスとの割合；１０：１ 上記ガスの供給量；９．０×１０-6Ｔｏｒｒの真空度が
４．０×１０-3Ｔｏｒｒになるよう マイクロ波出力；３００ｗ クリーニング電圧；３００ｖ
４．０×１０-3Ｔｏｒｒになるよう マイクロ波出力；３００ｗ クリーニング電圧；３００ｖ
【００２１】
【比較例１】ノズル６ａからＡｒを供給せず、かつ、ノ
ズル６ｂからの排気手段も作動させなかった以外は実施
例１に準じて行った。
ズル６ｂからの排気手段も作動させなかった以外は実施
例１に準じて行った。
【００２２】
【特性】上記各例で得た８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ表面
のダイヤモンドライクカーボン膜について、その膜厚変
動を透過型電子顕微鏡により調べたので、その結果を図
５に示す。これによれば、実施例１および実施例２によ
るダイヤモンドライクカーボン膜は変動が小さい。すな
わち、比較例１のものでは、１０００ｍの長さにわたる
膜厚変動が実施例１や実施例２の２．６倍以上も大き
い。
のダイヤモンドライクカーボン膜について、その膜厚変
動を透過型電子顕微鏡により調べたので、その結果を図
５に示す。これによれば、実施例１および実施例２によ
るダイヤモンドライクカーボン膜は変動が小さい。すな
わち、比較例１のものでは、１０００ｍの長さにわたる
膜厚変動が実施例１や実施例２の２．６倍以上も大き
い。
【００２３】又、ダイヤモンドライクカーボン膜の上に
潤滑剤を塗布し、これをカセットにローディングし、始
まりから１０〜８３ｍの領域、始まりから４００〜４７
３ｍの領域、始まりから９００〜９７３ｍの領域におい
てのスチル耐久性を調べたので、その結果を表−１に示
す。 表−１ スチル耐久性 10〜83ｍの領域 400〜473 ｍの領域 900〜973 ｍの領域 実施例１ ５．５時間 ５．２時間 ５．１時間 実施例２ ５．６時間 ５．４時間 ５．５時間 比較例１ ５．４時間 ４．８時間 １．２時間 ＊スチル耐久性は２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、出力 が３ｄＢ低下するに要した時間 これらから判る通り、本発明になるＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置、特に図１や図３、中でも図３タイプ
のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる
と、均質な膜が成膜される。
潤滑剤を塗布し、これをカセットにローディングし、始
まりから１０〜８３ｍの領域、始まりから４００〜４７
３ｍの領域、始まりから９００〜９７３ｍの領域におい
てのスチル耐久性を調べたので、その結果を表−１に示
す。 表−１ スチル耐久性 10〜83ｍの領域 400〜473 ｍの領域 900〜973 ｍの領域 実施例１ ５．５時間 ５．２時間 ５．１時間 実施例２ ５．６時間 ５．４時間 ５．５時間 比較例１ ５．４時間 ４．８時間 １．２時間 ＊スチル耐久性は２０℃、５０％ＲＨの雰囲気下でスチル再生を行い、出力 が３ｄＢ低下するに要した時間 これらから判る通り、本発明になるＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置、特に図１や図３、中でも図３タイプ
のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる
と、均質な膜が成膜される。
【００２４】
【発明の効果】均質な膜が成膜される。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の第１実
施形態の要部概略図
施形態の要部概略図
【図２】ＥＣＲ用コイルによる磁場の説明図
【図３】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の第２実
施形態の要部概略図
施形態の要部概略図
【図４】ＥＣＲ用コイルによる磁場の説明図
【図５】成膜された膜の厚さの変動を示すグラフ
【図６】従来のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の
要部概略図
要部概略図
【図７】ＥＣＲ用コイルによる磁場の説明図
１ プラズマ反応管 ２ ＥＣＲ用コイル ３ 導波管 ４ 水晶窓 ５ 反応ガス供給用のノズル ６ａ Ａｒ供給用のノズル ６ｂ 排気用のノズル ７ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 磁場発生手段と、マイクロ波発生手段
と、マイクロ波の導波管と、プラズマ反応管と、前記マ
イクロ波導波管とプラズマ反応管との間に設けられた窓
と、前記プラズマ反応管内に成膜材料を供給する供給手
段とを具備したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置に
おいて、 前記窓に近い位置にクリーニング用プラズマ発生手段が
設けられてなることを特徴とするＥＣＲマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 クリーニング用プラズマ発生手段は、窓
に近い位置のプラズマ反応管内にクリーニング用プラズ
マを発生させる為に設けられたガス導入ノズルと、前記
ガス導入ノズルから導入されたガスを前記窓に近い位置
に保持させる為に設けられた排気手段とを具備し、前記
ガス導入ノズルから導入され、前記排気手段で前記窓に
近い位置に保持されているガスに対して前記磁場発生手
段及びマイクロ波発生手段からの作用により前記窓に近
い位置のプラズマ反応管内にクリーニング用プラズマが
発生するよう構成されたものであることを特徴とする請
求項１のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 クリーニング用プラズマ発生手段は、窓
に近い位置のプラズマ反応管内にクリーニング用プラズ
マを発生させる為に設けられたガス導入ノズルと、前記
ガス導入ノズルから導入されたガスを前記窓に近い位置
に保持させる為に設けられた排気手段と、発生したクリ
ーニング用プラズマを前記窓側に加速させる電圧引加手
段とを具備し、前記ガス導入ノズルから導入され、前記
排気手段で前記窓に近い位置に保持されているガスに対
して前記磁場発生手段及びマイクロ波発生手段からの作
用により前記窓に近い位置のプラズマ反応管内に発生し
たクリーニング用プラズマを前記電圧引加手段により前
記窓側に加速させるよう構成されたものであることを特
徴とする請求項１のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5985696A JPH09256161A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | Ｅｃｒマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5985696A JPH09256161A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | Ｅｃｒマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09256161A true JPH09256161A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13125250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5985696A Pending JPH09256161A (ja) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | Ｅｃｒマイクロ波プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09256161A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340787A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-08 | Samsung Electronics Co Ltd | リモートプラズマ発生チューブの表面洗浄方法と、リモートプラズマ発生チューブを用いる基板処理方法と、基板処理装置 |
-
1996
- 1996-03-15 JP JP5985696A patent/JPH09256161A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340787A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-08 | Samsung Electronics Co Ltd | リモートプラズマ発生チューブの表面洗浄方法と、リモートプラズマ発生チューブを用いる基板処理方法と、基板処理装置 |
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