JPH09256157A - Ｚｎ−Ｍｇ蒸着めっき鋼板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 蒸着法により常に正常な組織のＺｎ−Ｍｇめ
っき層を有する鋼板を製造する。 【構成】 真空室に導入された鋼帯に蒸着Ｚｎめっきに
続き蒸着Ｍｇめっきを施す際、１回目のＺｎめっきから
Ｍｇめっきまでの時間をＴ₁ （秒），その区間の酸素分
圧をＨ₁ （Ｐａ），Ｍｇめっきから２回目のＺｎめっき
までの時間をＴ₂（秒），その区間の酸素分圧をＨ₂
（Ｐａ）とするとき、Ｈ₁ ×Ｔ₁ ≦４０及びＨ₂ ×Ｔ₂
≦４の条件が満足されるように時間Ｔ₁ ，Ｔ₂ 及び酸素
分圧Ｈ₁ ，Ｈ₂ を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、建材、家電、自動車等
の構造材や部品に適し、耐食性、塗装性、加工性、溶接
性等に優れたＺｎ−Ｍｇ蒸着めっき鋼板の製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】鋼板の耐食性を向上させるため、従来か
ら各種の表面処理方法が採用されている。なかでも、代
表的な表面処理方法であるＺｎめっきには主として電気
めっき法、溶融めっき法が採用されている。耐食性の向
上に対する要求は年々高まる傾向にあり、これに伴って
溶融めっき法、電気めっき法において種々の改良が提案
されている。溶融めっき法でＺｎめっき鋼板の耐食性を
向上させようとすると、Ｚｎめっき層の付着量を増加さ
せる、すなわち、めっき層を厚くすることがまず考えら
れる。しかし、製造面から付着量の上限が制約されるた
め、付着量の増加によって耐食性の向上を図ることには
限界がある。また、めっき層が厚くなると、めっき鋼板
をプレス成形するときにカジリ、フレーキング等の欠陥
を発生させる原因になりやすい。

【０００３】一方、電気めっき法で同様に付着量を増加
させることも考えられる。しかし、電気めっき法で付着
量を増加させることは、めっきを析出させるために通電
する電気量を増加させることであり、めっき鋼板のコス
トアップにつながる。そこで、電気めっき法では、Ｚｎ
−Ｎｉ合金めっき等のＺｎ合金めっきを施すことによっ
て耐食性の向上を図っている。しかし、Ｚｎ−Ｎｉ合金
めっき層は、硬質で脆いため、成形時にめっき層に割れ
や欠け等の欠陥を発生させやすい。このような欠陥がめ
っき層に発生すると、欠陥部を介して下地鋼が露出する
ため、めっき層本来の性能が発揮されず、欠陥部を起点
とした腐食が進行する。

【０００４】以上のような背景から、高耐食性のＺｎ系
めっき鋼板を蒸着法で製造することが試みられている。
なかでも、Ｚｎ−Ｍｇ合金めっきは、優れた妨食作用を
有する。たとえば、特開昭６４−１７８５３号公報で
は、０．５〜４０重量％のＭｇを含むＺｎ−Ｍｇ合金め
っき層を形成することを開示している。また、Ｚｎ−Ｍ
ｇ合金めっき層と下地鋼との間にＺｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ等の中間層を介在させると
き、めっき層の密着性及び加工性が向上することが、特
開平２−１４１５８８号公報で紹介されている。また、
本発明者らは、積層構造を有するＺｎ−Ｍｇめっき鋼板
の製造方法として、特願平６−５８６２４号及び特願平
６−２０５９２８号を出願した。新しく提案した製造方
法では、連続走行する鋼板上にＺｎ、Ｍｇ、Ｚｎの順に
独立して順次蒸着めっきを行い、蒸着終了後のめっき鋼
板が保有する熱によってＺｎとＭｇの拡散反応を進行さ
せている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】真空中で蒸着法により
めっきを行う場合、真空中に含まれるあるガス成分によ
ってめっき表面が汚染され、その汚染量がある限界を越
えると正常な組織のめっき層が形成されない。めっき表
面の汚染には、めっき表面が酸化されて薄い酸化膜で覆
われること等がある。真空中に含まれるガス成分のう
ち、めっき表面を酸化により汚染する性質があるもっと
も代表的な成分として水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）及び酸素（Ｏ
₂ ）を挙げることができる。ガス成分によってめっき表
面が汚染された場合、汚染量がある限界以内であれば、
表面が汚染を受けていてもその上には正常な組織のめっ
き層が形成される。汚染の量が僅かであればめっき表面
の酸化層が極めて薄く、酸化層の上にめっきが行われた
場合でも実際には酸化層を突き破って酸化層の上下のめ
っき層の間で拡散が進むために正常な組織のめっき層が
成長するためである。

【０００６】しかし、汚染量が限界値を越えると、汚染
面の上に形成されるめっき層は、めっき表面の結晶同士
が完全に連続せず、隣接する結晶との間に空隙が存在す
る緻密性のないめっきとなる。更に表面汚染量が増える
と、隣接する結晶との間の空隙が大きく広がり、汚染面
の上のめっきがところどころにしか付着していない不連
続なめっきとなる。更に表面汚染量が増えると、めっき
はまったく付着しなくなる。本発明は、このような問題
を解消すべく案出されたものであり、鋼板上にＺｎ及び
Ｍｇを蒸着めっきしてＺｎ−Ｍｇめっき層を形成する場
合の製造工程に沿って、Ｚｎめっき上にＭｇめっきを行
う場合に正常なめっき層が形成されるために許される酸
素起因の限界汚染量、更にＭｇめっき上にＺｎめっきを
行う場合に正常なめっき層が形成されるために許される
酸素起因の限界汚染量をそれぞれ規定することによっ
て、常に正常な組織をもつＺｎ−Ｍｇめっき鋼板を製造
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のＺｎ−Ｍｇ合金
めっき鋼板製造方法は、その目的を達成するため、真空
室に導入された鋼帯に蒸着Ｚｎめっきに続き蒸着Ｍｇめ
っきを施す際、ＺｎめっきからＭｇめっきまでの間の時
間をＴ₁ （秒），その間にＺｎめっき表面が保持される
真空中の酸素分圧をＨ₁ （Ｐａ）とするとき、Ｈ₁ ×Ｔ
₁ ≦４０の条件が満足されるように時間Ｔ₁ 及び酸素分
圧Ｈ₁ を制御することを特徴とする。蒸着Ｍｇめっきに
続いて蒸着Ｚｎめっきを施す場合には、Ｍｇめっきから
Ｚｎめっきまでの間の時間をＴ₂ （秒），その間にＭｇ
めっき表面が保持される真空中の酸素分圧をＨ₂ （Ｐ
ａ）とするとき、Ｈ₂ ×Ｔ₂ ≦４の条件が満足されるよ
うに時間Ｔ₂ 及び酸素分圧Ｈ₂ を制御する。Ｚｎ→Ｍｇ
→Ｚｎの順で蒸着めっきする場合には、１回目のＺｎめ
っきからＭｇめっきまでの時間をＴ₁ （秒），その区間
の酸素分圧をＨ₁ （Ｐａ），Ｍｇめっきから２回目のＺ
ｎめっきまでの時間をＴ₂ （秒），その区間の酸素分圧
をＨ₂ （Ｐａ）とするとき、Ｈ₁ ×Ｔ₁ ≦４０及びＨ₂
×Ｔ₂ ≦４の条件が満足されるように時間Ｔ₁ ，Ｔ₂ 及
び酸素分圧Ｈ₁ ，Ｈ₂ を制御する。

【０００８】

【作用】真空中には多くのガス種成分が存在している
が、その中から本発明で酸素（Ｏ₂ ）を取り上げる理由
を説明する。正常に運転されている通常の真空装置の場
合、真空漏れがなく、また外部からガスを導入する操作
をしない限り、真空中に残留する主なガス成分は水蒸気
（Ｈ₂ Ｏ）である。これは、真空容器の内壁に吸着され
ていた水蒸気が蒸発するためであり、吸着水蒸気を通常
の真空排気の操作で完全に放出させてしまうことは不可
能である。したがって、通常の真空容器でめっきを行う
場合、めっきの表面を酸化するガス成分として、まず水
蒸気（Ｈ₂ Ｏ）が最も支配的な成分である。そこで、本
発明者等は、真空中で鋼帯にＺｎ，Ｍｇ，Ｚｎの順にそ
れぞれ蒸着めっっきを施してＺｎ−Ｍｇめっき層を形成
する場合について、真空中にある水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）によ
ってめっき表面が汚染されても正常なめっき組織が形成
されるための限界汚染量を調査し、特願平７−３４７７
３９号で出願した。

【０００９】水蒸気以外にもめっき表面を汚染する成分
としてＯ₂ が考えられる。真空装置へのＯ₂ 導入原因と
しては、装置の真空に漏洩（リーク）があり、大気が真
空中に導かれる場合や、外部から意図的に導入するガス
に混入していること等が挙げられる。装置の真空漏れ
は、構造物の結合部や回転運動を導入する部分の封止が
不完全であること等が原因である。そこで、本発明者等
は、真空中で蒸着めっきによりＺｎ−Ｍｇめっき層を形
成する場合について、真空中のＯ₂ によってめっき表面
が汚染されても正常なめっき組織が形成されるための限
界汚染量を調査した。汚染量は、汚染される雰囲気に曝
される時間が長いほど多くなると考えられるので、雰囲
気中の酸素（Ｏ₂ ）の分圧をＨ（Ｐａ）とし、その雰囲
気中に曝される時間Ｔ（秒）との積Ｈ×Ｔで汚染量を表
現できる。

【００１０】本発明者等は、Ｚｎ−Ｍｇめっき鋼板の製
造設備において鋼板上に形成されためっき層の組織と、
めっき鋼板を製造したときの雰囲気や製造条件との関連
を調査した結果から、Ｚｎめっき上にＭｇめっきを行う
場合と、Ｍｇめっき上にＺｎめっきを行う場合にそれぞ
れ異なる酸素起因の許容汚染量があることを見い出し
た。１回目のＺｎめっき上にＭｇめっきを行う場合、Ｚ
ｎめっきからＭｇめっきまでの間の時間をＴ₁ （秒）、
その時間Ｔ₁ の間にＺｎめっき表面が保持される真空中
の酸素分圧をＨ₁ （Ｐａ）とするとき、Ｈ₁ ×Ｔ₁ ≦４
０が酸素起因の許容汚染量である。Ｍｇめっき上に２回
目のＺｎめっきを行う場合には、ＭｇめっきからＺｎめ
っきまでの間の時間をＴ₂ （秒）、その時間Ｔ₂ の間に
Ｍｇめっき表面が保持される真空中の酸素分圧をＨ₂
（Ｐａ）とするとき、Ｈ₂ ×Ｔ₂ ≦４が酸素起因の許容
汚染量である。これら条件が満足されるように時間Ｔ
₁ ，Ｔ₂ 及び酸素分圧Ｈ₁ ，Ｈ₂ を設定するとき、常に
正常な組織をもつＺｎ−Ｍｇめっき鋼板が製造される。

【００１１】Ｚｎ、Ｍｇ、Ｚｎの順に蒸着めっきを行っ
て形成される正常なＺｎ−Ｍｇめっきの断面構造図を図
１に示す。図１には鋼板の片面にのみめっき層が形成さ
れている例が図示されているが、本発明は、片面めっ
き、両面めっきを問わない。正常なＺｎ−Ｍｇめっき鋼
板の断面は、図１に示す３層構造の場合、鋼板上にＭｇ
濃度０．５重量％以下のＺｎ−Ｍｇ合金層（第１層）、
Ｍｇ濃度７重量％以上のＺｎ−Ｍｇ合金層（第２層）、
そして最表層にＭｇ濃度０．５重量％以下のＺｎ−Ｍｇ
合金層（第３層）が順次積層された多層構造をもつ。真
空中で蒸着法によりめっきを行う場合、真空中に含まれ
るガス成分によってめっき表面が汚染され、その汚染量
がある限界量を越えると正常な組織のめっき層が形成さ
れないという問題がある。鋼板上にＺｎ、Ｍｇ、Ｚｎの
順に蒸着めっきを行ったもので、１回目のＺｎめっきの
上にＭｇめっきを行う際のＺｎめっき上の汚染量が限界
量を越えた場合のめっき組織の一例を図２と図３に、Ｍ
ｇめっき上の汚染量が限界量を越えた場合のめっき組織
を図４に示す。

【００１２】図２及び図３は、汚染された第１層の上に
Ｍｇを蒸着めっきした場合に起こるめっき層の組織の例
を図示している。まず、４０Ｐａ・秒を越える汚染を受
けた第１層の上にＭｇをめっきすると、Ｍｇめっき層は
図２に示したように歯抜け状の組織となる。このＭｇめ
っき層の上に２回目のＺｎめっきを行っても、第１層の
上は汚染されているのでその上にＺｎめっきが乗ること
はなく、歯抜け状組織の上に形成されるだけである。そ
のため、図３に示すように、表面をＺｎめっきが覆うこ
とにはならない。Ｍｇめっき層の表面が汚染された図４
のケースでは、第２層であるＭｇ濃度７重量％以上のＺ
ｎ−Ｍｇ合金層が最表層（第３層）によって完全に覆わ
れず、めっき表面のところどころでＭｇ濃度７重量％以
上のＺｎ−Ｍｇ合金層（第２層）が露出しためっき鋼板
となった状態になる。

【００１３】このような問題が起きやすいＺｎ−Ｍｇ蒸
着めっき鋼板の製造方法において、真空中のガス成分の
うちめっき表面を汚染する作用を持つ酸素（Ｏ₂ ）の分
圧と、その雰囲気中にめっき表面が曝される時間との積
でめっき表面が受ける汚染量が定量的に把握される。許
容汚染量は、本発明者等の実験結果から１回目のＺｎめ
っきからＭｇめっきまでの区間が４０Ｐａ・秒以下であ
り、またＭｇめっきから２回目のＺｎめっきまでの区間
においては４Ｐａ・秒以下であることが判明した。そし
て、これら許容汚染量以下となるように酸素分圧及び保
持時間を調整することにより、常に良好な組織をもつＺ
ｎ−Ｍｇ合金めっき鋼板が得られる。

【００１４】本発明に従ったＺｎ−Ｍｇ合金めっき鋼板
は、たとえば図５に設備構成を示す蒸着めっきラインで
製造される。めっき原板１０は、ペイオフリール１１か
ら巻き戻され、無酸化炉２０及び還元焼鈍炉２５で表面
活性化及び焼鈍された後、入側真空シール部３１を通っ
て真空室３０に導かれる。真空室３０に導かれためっき
原板１０は、まず真空室３０内の第１Ｚｎ蒸着室４０で
蒸着Ｚｎめっきされ、続いてＭｇ蒸着室５０でＭｇ蒸着
めっきされ、更に第２Ｚｎ蒸着室６０で２回目の蒸着Ｚ
ｎめっきを施された後、出側真空シール部３２を経て真
空室３０を出る。真空室３０を出ためっき鋼板１５は、
窒素雰囲気中で冷却する冷却装置７０で冷却され、最後
に巻取りリール１６に巻き取られる。

【００１５】真空室３０の入側及び出側には、入側真空
シール部３１及び出側真空シール部３２が設けられてお
り、真空室３０の内部は、図示されていない複数の真空
ポンプによって排気され減圧保持される。真空室３０の
内部各所に、図６に示すように真空雰囲気分析装置８１
〜８６が設置されている。真空雰囲気分析装置８１〜８
６として分圧真空計を使用するとき、ガス成分ごとの分
圧を直ちに知ることができる。真空雰囲気分析装置８１
は第１Ｚｎ蒸着室４０の出側に取り付けられており、シ
ールロール４２までのゾーンＡのガス成分を測定する。
真空雰囲気分析装置８２は、第１Ｚｎ蒸着室４０の出側
シールロール４２からＭｇ蒸着室５０の入側シールロー
ル５１までの長いゾーンＢにおける雰囲気を測定するた
めに設けられている。ゾーンＢには、局部的に空気を真
空室３０の内部に導入できるように可変リーク弁３５が
設けられている。真空雰囲気分析装置８３は、Ｍｇ蒸着
室５０の入側に設けられており、シールロール５１から
Ｍｇ蒸着室５０までのゾーンＣにおける真空雰囲気を測
定する。

【００１６】真空雰囲気分析装置８４は、Ｍｇ蒸着室５
０の出側に設けられており、Ｍｇ蒸着室５０からＭｇ蒸
着室５０と第２Ｚｎ蒸着室６０とを仕切るシールロール
６１までのゾーンＤにおける真空雰囲気を測定する。真
空雰囲気分析装置８５は、第２Ｚｎ蒸着室６０の入側に
設置されており、シールロール６１から第２Ｚｎ蒸着室
までのゾーンＥを測定する。ゾーンＥにも、局部的に空
気を真空室３０の内部に導入できるように可変リーク弁
３６が設けられている。真空雰囲気分析装置８６は、第
２Ｚｎ蒸着室６０の出側に設置されており、第２Ｚｎ蒸
着室６０から出側シールロール６２までのゾーンＦを測
定する。めっき鋼板が各区間を通過する際に受ける汚染
の量は、それぞれの区間の真空雰囲気分析装置８１〜８
６で測定される酸素分圧にそれぞれの区間を通過するた
めにかかる時間の積であると考えてよい。したがって、
１回目のＺｎめっきの後、Ｍｇめっきまでの間に受ける
汚染の量は、ゾーンＡ〜Ｃにわたってそれぞれの区間で
受ける汚染量の合計となる。同様にＭｇめっきから２回
目のＺｎめっきまでの間に受ける汚染の量は、ゾーンＤ
及びＥで受ける汚染の量の合計である。

【００１７】

【実施例】板厚０．５ｍｍ及び板幅７００ｍｍの未焼鈍
冷延鋼板をめっき原板とし、これを図５に示す蒸着めっ
き装置を使用して、Ｚｎ−Ｍｇめっき鋼板を製造した。
めっき原板の成分は表１に示す通りである。

【００１８】

【００１９】得られたＺｎ−Ｍｇめっき鋼板から試験片
を切り出し、めっき層の断面組織を電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）により観察した。その結果を表２及び表３に示す。
また、表２及び表３には各めっき鋼板を製造したときの
雰囲気測定結果として、ゾーンＡ〜Ｅの各区間で測定さ
れた酸素（Ｏ₂ ）分圧と、ゾーンＡ〜Ｃで受ける汚染量
の推定合計、更にゾーンＤ〜Ｅで受ける汚染量の推定合
計も示している。表２及び表３に示したＺｎ−Ｍｇめっ
き鋼板の製造に当たっては、通板速度は５０ｍ／分とし
た。これにより、鋼板がゾーンＡ及びゾーンＣ〜Ｅの各
区間を通過するための所要時間が２．４秒、ゾーンＢで
は１９．２秒になる。真空度は４〜４００Ｐａとした。
酸素分圧は、ゾーンＢ，Ｅに設けられている可変リーク
弁３５，３６の開度を調節し、空気導入量を制御するこ
とにより異なる値に設定した。めっき付着量を片面当り
３０ｇ／ｍ² とし、鋼板の両面をめっきした。製造番号
１〜１２のめっき鋼板はＭｇめっき時の鋼板温度が３０
０℃、製造番号１３〜２４のめっき鋼板については２０
０℃となるように条件を設定した。

【００２０】

【００２１】

【００２２】表２及び表３に示した各製造番号のＺｎ−
Ｍｇめっき鋼板の製造条件とめっき組織の判定結果か
ら、汚染量が本発明で従った範囲になるように保持時間
及び酸素分圧を維持するとき、層構造が良好なＺｎ−Ｍ
ｇめっき鋼板が得られることが判った。汚染量の計算例
を製造番号１を例にとって説明する。ゾーンＡの酸素分
圧は０．０１５Ｐａであった。また、この区間を鋼板が
通過するための所要時間は前述のとおり２．４秒であ
る。このことから、ゾーンＡでの汚染量は、０．０１５
Ｐａ×２．４秒＝０．０４Ｐａ・秒となる。同様に、ゾ
ーンＢについては、０．３Ｐａ×１９．２秒＝５．８Ｐ
ａ・秒となる。ゾーンＣについては、０．０１７Ｐａ×
２．４秒＝０．０４Ｐａ・秒となる。３つのゾーンＡ〜
Ｃの合計汚染量（約６Ｐａ・秒が、この製造条件の場合
の１回目のＺｎめっきからＭｇめっきまでの間の汚染量
となる。

【００２３】他方、めっき層の層構造は、表２及び表３
に示すように汚染量に応じて変化した。なお、表２，３
におけるめっき層の組織判定結果は、図３，図４のよう
な異常構造が発生したものを×，異常構造のない健全な
多層構造をもつものを○として評価した。表２及び表３
にみられるように、１回目のＺｎめっきからＭｇめっき
までの間の汚染量が４０Ｐａ・秒を越えた場合、Ｍｇめ
っきの表面が図２のように空隙の多いものとなり、最終
的に形成されたＺｎ−Ｍｇめっきは図３のような異常な
断面組織となった。Ｍｇめっきから２回目のＺｎめっき
までの間の汚染量が４Ｐａ・秒を越える場合も、図４に
示したような異常な組織となった。この結果は、Ｍｇめ
っきする際の鋼板温度が３００℃でも２００℃でも同様
であった。

【００２４】本発明者等は、水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）による汚
染について、正常な組織をもつＺｎ−Ｍｇめっきが形成
されるための条件として１回目のＺｎめっきからＭｇめ
っきまでの間の許容汚染量が１００Ｐａ・秒以下である
こと、Ｍｇめっきから２回目のＺｎめっきまでの間の許
容汚染量が９Ｐａ・以下であることをすでに見出してい
る（特願平７−３４７７３９号参照）。第２表及び第３
表には、この水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）による汚染量の合計も示
している。この知見から、表２及び表３の製造条件で
は、水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）による汚染量は酸素（Ｏ₂ ）に由
来する許容汚染量よりもはるかに少ないので、不健全な
組織をもつＺｎ−Ｍｇめっき層の形成は、Ｈ₂ Ｏ汚染で
はなく、Ｏ₂ 汚染が原因であると考えられる。以上の結
果から、真空中の酸素（Ｏ₂ ）によってめっき表面が汚
染されても、１回目のＺｎめっきからＭｇめっきまでの
間の汚染量を４０Ｐａ・秒以下，Ｍｇめっきから２回目
のＺｎめっきまでの間の汚染量を４Ｐａ・秒以下にする
ことによって、正常な組織をもつＺｎ−Ｍｇめっき層が
形成され、本来の高耐食性を呈するＺｎ−Ｍｇめっき鋼
板が製造されることが確認される。

【００２５】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の製造方
法においては、真空中のガス成分のうちめっき表面を汚
染する作用を持つ酸素の分圧と、その雰囲気中にめっき
表面が曝される時間との積でめっき表面が受ける汚染量
を定量的に把握し、この汚染量が許容値以下となるよう
に各ゾーンの酸素分圧及び保持時間を調整することによ
り、常に良好な組織をもつＺｎ−Ｍｇめっき鋼板を製造
することが可能になる。このようにして得られたＺｎ−
Ｍｇめっき鋼板は、めっき欠陥がなく、Ｚｎ−Ｍｇめっ
き本体の高耐食性を活かして各種分野で使用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に従った３層構造をもつＺｎ−Ｍｇめ
っき鋼板

【図２】 汚染されたＺｎ層の上に蒸着したＭｇ層

【図３】 汚染されたＺｎ層の上にＭｇ及びＺｎを蒸着
したときのＺｎ−Ｍｇめっき層

【図４】 汚染されたＭｇ層の上にＺｎ蒸着したＺｎ−
Ｍｇめっき層

【図５】 本発明で採用される蒸着めっきライン

【図６】 蒸着めっきラインの各ゾーンに設けた真空雰
囲気分析装置

【符号の説明】

１０：めっき原板 １１：ペイオフリール １５：
めっき鋼板 １６：巻取りリール ２０：無酸化炉 ２５：還元焼鈍炉 ３０：真空室 ３１：入側真空シール部 ３２：出
側真空シール部 ３５，３６：可変リーク弁 ４０：第１Ｚｎ蒸着室 ４１：入側真空シールロール
４２：出側真空シールロール ５０：Ｍｇ蒸着室 ５１：入側真空シールロール ６０：第２Ｚｎ蒸着室 ６１：シールロール ６
２：出側シールロール ７０：冷却装置 ８１〜８６：真空雰囲気分析装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 実 大阪府堺市石津西町５番地 日新製鋼株式 会社技術研究所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空室に導入された鋼帯に蒸着Ｚｎめっ
   きに続き蒸着Ｍｇめっきを施す際、ＺｎめっきからＭｇ
   めっきまでの間の時間をＴ₁ （秒），その間にＺｎめっ
   き表面が保持される真空中の酸素分圧をＨ₁ （Ｐａ）と
   するとき、Ｈ₁ ×Ｔ₁ ≦４０の条件が満足されるように
   時間Ｔ₁ 及び酸素分圧Ｈ₁ を制御することを特徴とする
   Ｚｎ−Ｍｇ蒸着めっき鋼板の製造方法。
2. 【請求項２】 真空室に導入された鋼帯に蒸着Ｍｇめっ
   きに続いて蒸着Ｚｎめっきを施す際、ＭｇめっきからＺ
   ｎめっきまでの間の時間をＴ₂ （秒），その間にＭｇめ
   っき表面が保持される真空中の酸素分圧をＨ₂ （Ｐａ）
   とするとき、Ｈ₂ ×Ｔ₂ ≦４の条件が満足されるように
   時間Ｔ₂ 及び酸素分圧Ｈ₂ を制御することを特徴とする
   Ｚｎ−Ｍｇ蒸着めっき鋼板の製造方法。
3. 【請求項３】 真空室に導入された鋼帯にＺｎ，Ｍｇ，
   Ｚｎの順にそれぞれ蒸着めっきを施してＺｎ−Ｍｇ合金
   めっき層を形成する際、１回目のＺｎめっきからＭｇめ
   っきまでの時間をＴ₁ （秒），その区間の酸素分圧をＨ
   ₁ （Ｐａ），Ｍｇめっきから２回目のＺｎめっきまでの
   時間をＴ₂ （秒），その区間の酸素分圧をＨ₂ （Ｐａ）
   とするとき、Ｈ₁ ×Ｔ₁ ≦４０及びＨ₂ ×Ｔ₂ ≦４の条
   件が満足されるように時間Ｔ₁ ，Ｔ₂ 及び酸素分圧Ｈ
   ₁ ，Ｈ₂ を制御することを特徴とするＺｎ−Ｍｇ蒸着め
   っき鋼板の製造方法。