JPH0925522A - 高純度金属材料の製造方法 - Google Patents
高純度金属材料の製造方法Info
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- JPH0925522A JPH0925522A JP17115395A JP17115395A JPH0925522A JP H0925522 A JPH0925522 A JP H0925522A JP 17115395 A JP17115395 A JP 17115395A JP 17115395 A JP17115395 A JP 17115395A JP H0925522 A JPH0925522 A JP H0925522A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビーム溶解では除去され難い酸素及び重
金属の含有量が少ないチタン及びチタン合金のインゴッ
トを電子ビーム溶解法で製造する。 【構成】 水素、パラフィン炭化水素、アンモニア、ハ
ロゲン、及び／又は一酸化炭素からなる精製ガス（９）
によりＴｉ原料の溶湯（７）する。
金属の含有量が少ないチタン及びチタン合金のインゴッ
トを電子ビーム溶解法で製造する。 【構成】 水素、パラフィン炭化水素、アンモニア、ハ
ロゲン、及び／又は一酸化炭素からなる精製ガス（９）
によりＴｉ原料の溶湯（７）する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、高純度金属材料又
は合金材料の製造方法に関するものであり、さらに詳し
く述べるならば、電子ビーム溶解法により高純度チタン
又はチタン合金を製造する方法に関するものである。
は合金材料の製造方法に関するものであり、さらに詳し
く述べるならば、電子ビーム溶解法により高純度チタン
又はチタン合金を製造する方法に関するものである。
【０００２】高純度チタンを製造するひとつの方法によ
ると、スポンジチタンを原料として、下記式（１），
（２）の反応を利用するヨウ素化物分解法による精製を
施して得られる。 Ti（ｓ）＋2I2 （ｇ）＝TiI4（ｇ）・・式（１） （〜２５０℃） TiI4（ｇ）＝Ti（ｓ）＋2I2 （ｇ）・・式（２） （１１００〜１５００℃） 式（１）は２５０℃以下の低温域で起こってヨウ化物が
精製し、次に式（２）が１１００〜１５００℃の高温域
で起こってヨウ素化物が分解して高純度チタンが析出精
製される。
ると、スポンジチタンを原料として、下記式（１），
（２）の反応を利用するヨウ素化物分解法による精製を
施して得られる。 Ti（ｓ）＋2I2 （ｇ）＝TiI4（ｇ）・・式（１） （〜２５０℃） TiI4（ｇ）＝Ti（ｓ）＋2I2 （ｇ）・・式（２） （１１００〜１５００℃） 式（１）は２５０℃以下の低温域で起こってヨウ化物が
精製し、次に式（２）が１１００〜１５００℃の高温域
で起こってヨウ素化物が分解して高純度チタンが析出精
製される。
【０００３】また、高純度チタンは、アノードとカソー
ドにチタンを用い、電解浴に例えばＮａＣｌ−ＫＣｌを
用い、高純度チタンを電析させる溶融塩電解法による精
製を施しても得られる（米国特許第５３３６３７８号参
照）。
ドにチタンを用い、電解浴に例えばＮａＣｌ−ＫＣｌを
用い、高純度チタンを電析させる溶融塩電解法による精
製を施しても得られる（米国特許第５３３６３７８号参
照）。
【０００４】しかしながら、ヨウ素化物分解法及び溶融
塩電解法のいずれの製造法でも４Ｎ〜６Ｎ程度の高純度
金属が得られるが、１回当たりの製造量が少量であるた
めに、これらを塊状製品とするには溶解工程を経る必要
がある。
塩電解法のいずれの製造法でも４Ｎ〜６Ｎ程度の高純度
金属が得られるが、１回当たりの製造量が少量であるた
めに、これらを塊状製品とするには溶解工程を経る必要
がある。
【０００５】チタン又はチタン合金は、酸素、窒素など
に対して極めて活性が高いので、溶解法により高純度材
料を作るためには溶解エネルギーが高くかつ不純物元素
が蒸発し易い条件が実現される電子ビーム溶解、プラズ
マ溶解、真空アーク溶解等が利用される。これらの溶解
法によると、マグネシウム、ナトリウム、塩素、水素等
の不純物元素は確実に低減され、またインゴットのよう
な塊状材料を製造することができる。したがって、電子
材料、海洋材料、化学プラント材料に使用されるチタン
又はチタン合金はこれらの溶解法を経て部品に成形され
ている。
に対して極めて活性が高いので、溶解法により高純度材
料を作るためには溶解エネルギーが高くかつ不純物元素
が蒸発し易い条件が実現される電子ビーム溶解、プラズ
マ溶解、真空アーク溶解等が利用される。これらの溶解
法によると、マグネシウム、ナトリウム、塩素、水素等
の不純物元素は確実に低減され、またインゴットのよう
な塊状材料を製造することができる。したがって、電子
材料、海洋材料、化学プラント材料に使用されるチタン
又はチタン合金はこれらの溶解法を経て部品に成形され
ている。
【０００６】特に、電子材料の中で半導体装置用の高純
度スパッタリングターゲットの素材に関して言うと、素
材チタン中のアルカリ金属は容易に絶縁膜中を移動して
素子界面特性を劣化させること、放射性元素から出され
るα線は半導体装置の動作信頼性に多大の影響を与える
こと、重金属は界面接合部にトラブルを発生させるこ
と、また、ガス成分はパーティクルを発生させることか
ら、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、ウラン、
トリウム等の放射性元素、鉄、ニッケル、クロム等の重
金属、酸素等のガス成分が極力低減された４Ｎ〜６Ｎ程
度の高純度金属材料が要求されている。
度スパッタリングターゲットの素材に関して言うと、素
材チタン中のアルカリ金属は容易に絶縁膜中を移動して
素子界面特性を劣化させること、放射性元素から出され
るα線は半導体装置の動作信頼性に多大の影響を与える
こと、重金属は界面接合部にトラブルを発生させるこ
と、また、ガス成分はパーティクルを発生させることか
ら、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、ウラン、
トリウム等の放射性元素、鉄、ニッケル、クロム等の重
金属、酸素等のガス成分が極力低減された４Ｎ〜６Ｎ程
度の高純度金属材料が要求されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】チタンは酸素との親和
力が高いために、電子ビーム溶解法では、不純物である
酸素を優先的に除去精製することができない。また、チ
タンの低級酸化物等の金属酸化物は金属チタンと蒸気圧
の差が小さいことから酸化物形態での揮発による脱酸反
応は起こらないばかりか、逆に、チタンと酸素の親和力
が大きいことから電子ビーム溶解中に酸素濃度が高くな
ることも確認されている。したがって、酸素濃度が低い
原料を電子ビーム溶解する場合、酸素濃度の低減は期待
できないばかりか、逆にチタンが溶解室内の微量酸素と
反応してチタンインゴット中の酸素濃度が高くなること
がある。
力が高いために、電子ビーム溶解法では、不純物である
酸素を優先的に除去精製することができない。また、チ
タンの低級酸化物等の金属酸化物は金属チタンと蒸気圧
の差が小さいことから酸化物形態での揮発による脱酸反
応は起こらないばかりか、逆に、チタンと酸素の親和力
が大きいことから電子ビーム溶解中に酸素濃度が高くな
ることも確認されている。したがって、酸素濃度が低い
原料を電子ビーム溶解する場合、酸素濃度の低減は期待
できないばかりか、逆にチタンが溶解室内の微量酸素と
反応してチタンインゴット中の酸素濃度が高くなること
がある。
【０００８】さらに原料中の重金属については、Ｃｒ，
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｎ等の不純物はＴｉとの蒸気圧の差が小
さいために、これらを電子ビーム溶解により効果的に除
去することができない。すなわち、これらの不純物をヨ
ウ素化物分解や溶融塩電解によりかなり低減した場合
は、電子ビーム溶解による低減は期待できない。
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｎ等の不純物はＴｉとの蒸気圧の差が小
さいために、これらを電子ビーム溶解により効果的に除
去することができない。すなわち、これらの不純物をヨ
ウ素化物分解や溶融塩電解によりかなり低減した場合
は、電子ビーム溶解による低減は期待できない。
【０００９】したがって、電子ビーム溶解中にチタン又
はチタン合金を脱酸し、酸素濃度の増加を防止しかつ／
又は重金属を除去することができる技術の開発が望まれ
ていた。
はチタン合金を脱酸し、酸素濃度の増加を防止しかつ／
又は重金属を除去することができる技術の開発が望まれ
ていた。
【００１０】チタン又はチタン合金を電子ビーム溶解す
る際に、酸素を効果的に除去できるようになると、原料
中の酸素量が高いチタン又はチタン合金を溶解中に脱酸
することができるので、原料としてはヨウ素化物分解
材、溶融塩電解材の他に酸化スケールを含んだスクラッ
プ原料又は表面酸化し易いパウダーもしくはスポンジ状
原料を好ましく使用できるようになる。
る際に、酸素を効果的に除去できるようになると、原料
中の酸素量が高いチタン又はチタン合金を溶解中に脱酸
することができるので、原料としてはヨウ素化物分解
材、溶融塩電解材の他に酸化スケールを含んだスクラッ
プ原料又は表面酸化し易いパウダーもしくはスポンジ状
原料を好ましく使用できるようになる。
【００１１】さらに、チタン又はチタン合金を電子ビー
ム溶解する際に、重金属を効果的に除去できるようにな
ると、ヨウ素化物分解や溶融塩電解により重金属がある
程度除去した原料の他にチタンスクラップ、スパッタリ
ングターゲットのリターン材を使用できるようになる。
ム溶解する際に、重金属を効果的に除去できるようにな
ると、ヨウ素化物分解や溶融塩電解により重金属がある
程度除去した原料の他にチタンスクラップ、スパッタリ
ングターゲットのリターン材を使用できるようになる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、単体ガスもし
くは２種類以上の混合ガス、あるいはこれらのガスと不
活性ガスとの混合ガスとチタン溶湯を接触させることに
より不純物の精製を行う点に最も大きな特徴がある。す
なわち、本発明の方法は、電子ビーム溶解法により、チ
タンまたはチタンを主成分とし合金元素を含有するチタ
ン合金からなる原料を溶解することにより高純度金属材
料を製造する方法において、水素、パラフィン炭化水
素、アンモニア、ハロゲン及び一酸化炭素からなる群か
ら選択された少なくとも１種のガスにより前記原料の溶
湯を精製することを特徴とする高純度金属材料の製造方
法である。
くは２種類以上の混合ガス、あるいはこれらのガスと不
活性ガスとの混合ガスとチタン溶湯を接触させることに
より不純物の精製を行う点に最も大きな特徴がある。す
なわち、本発明の方法は、電子ビーム溶解法により、チ
タンまたはチタンを主成分とし合金元素を含有するチタ
ン合金からなる原料を溶解することにより高純度金属材
料を製造する方法において、水素、パラフィン炭化水
素、アンモニア、ハロゲン及び一酸化炭素からなる群か
ら選択された少なくとも１種のガスにより前記原料の溶
湯を精製することを特徴とする高純度金属材料の製造方
法である。
【００１３】以下、本発明の構成を詳しく説明する。ガ
スとしては、（イ）水素、パラフィン炭化水素（メタ
ン、エタン等）、（ロ）アンモニア、ハロゲン（塩素、
ヨウ素、フッ素、臭素など）、（ハ）一酸化炭素、ある
いは（ニ）これらのガスの１種又は２種以上に加えて不
活性ガスなどを使用することができる。ここで（イ）な
いし（ハ）のそれぞれの群内の２種以上を混合すること
もでき、また２以上の群のガスを混合することができ
る。不活性ガスは炉内での急激な反応を抑制するもので
あり、その他のガスは以下説明するように不純物と反応
して、その濃度を低減する反応ガスである。
スとしては、（イ）水素、パラフィン炭化水素（メタ
ン、エタン等）、（ロ）アンモニア、ハロゲン（塩素、
ヨウ素、フッ素、臭素など）、（ハ）一酸化炭素、ある
いは（ニ）これらのガスの１種又は２種以上に加えて不
活性ガスなどを使用することができる。ここで（イ）な
いし（ハ）のそれぞれの群内の２種以上を混合すること
もでき、また２以上の群のガスを混合することができ
る。不活性ガスは炉内での急激な反応を抑制するもので
あり、その他のガスは以下説明するように不純物と反応
して、その濃度を低減する反応ガスである。
【００１４】水素ガスの大半は電子ビームによる高温で
Ｈ及びＨ+ に解離し、溶融Ｔｉを次式のように脱酸す
る。 ２Ｈ＋１／２Ｏ2 （ｉｎ Ｔｉ）＝Ｈ2 Ｏ↑ ・・・・・・式（３） ２Ｈ+ ＋１／２Ｏ2 （ｉｎ Ｔｉ）＋２ｅ- ＝Ｈ2 Ｏ↑・・式（４） また、解離したＨは不純物金属成分のクラスタと吸着反
応を起こし、不純物金属成分の蒸発を促進する。これ
は、不純物金属が準安定で不定比な化合物となり、除去
され易くなったためであると考えられる。
Ｈ及びＨ+ に解離し、溶融Ｔｉを次式のように脱酸す
る。 ２Ｈ＋１／２Ｏ2 （ｉｎ Ｔｉ）＝Ｈ2 Ｏ↑ ・・・・・・式（３） ２Ｈ+ ＋１／２Ｏ2 （ｉｎ Ｔｉ）＋２ｅ- ＝Ｈ2 Ｏ↑・・式（４） また、解離したＨは不純物金属成分のクラスタと吸着反
応を起こし、不純物金属成分の蒸発を促進する。これ
は、不純物金属が準安定で不定比な化合物となり、除去
され易くなったためであると考えられる。
【００１５】パラフィン炭化水素は高温でＨ及びＨ+ と
Ｃに解離し、またアンモニアは高温でＨとＮに解離しＨ
は上述のように不純物を除去する。一方Ｃの一部は溶解
室内もしくは溶融Ｔｉ内の酸素と反応し、ＣＯもしくは
ＣＯ2 に酸化される。
Ｃに解離し、またアンモニアは高温でＨとＮに解離しＨ
は上述のように不純物を除去する。一方Ｃの一部は溶解
室内もしくは溶融Ｔｉ内の酸素と反応し、ＣＯもしくは
ＣＯ2 に酸化される。
【００１６】ハロゲンガスは金属成分、例えば鉄と次の
ように反応し、不純物金属成分の除去精製が進む。 Ｃｌ2 ＋Ｆｅ（ｉｎ Ｔｉ）＝ＦｅＣｌ2 ↑・・・・・・式（５） 塩素以外のハロゲンガスも同様に反応し、不純物金属成
分の除去精製が進む。
ように反応し、不純物金属成分の除去精製が進む。 Ｃｌ2 ＋Ｆｅ（ｉｎ Ｔｉ）＝ＦｅＣｌ2 ↑・・・・・・式（５） 塩素以外のハロゲンガスも同様に反応し、不純物金属成
分の除去精製が進む。
【００１７】パラフィン炭化水素の解離によって生じた
ものを含む一酸化炭素は溶融チタン中の酸素と次のよう
に反応して脱酸が進む。 ＣＯ＋１／２Ｏ2 （ｉｎ Ｔｉ）＝ＣＯ2 ↑・・・・・・式（６）
ものを含む一酸化炭素は溶融チタン中の酸素と次のよう
に反応して脱酸が進む。 ＣＯ＋１／２Ｏ2 （ｉｎ Ｔｉ）＝ＣＯ2 ↑・・・・・・式（６）
【００１８】上記した各種ガス（以下「精製ガス」と言
う）とチタン又はチタン合金（以下「チタン材」と総称
する）を接触させて精製反応を起こさせるためには、電
子ビーム溶解されているチタン材溶湯の液面上方に精製
ガスを流す、吹き付ける、電子ビーム溶解された液滴を
精製ガス中をドリップさせる、液滴に精製ガスを吹き付
けるなどの方法を採用することができる。電子ビーム溶
解法において、水冷式モールド及び水冷式ハース内の両
方の溶湯に電子ビームが照射されている場合は、いずれ
か一方のみに精製を施しても効果があるが、両方に対し
て精製ガスによる精製を行うことが好ましい。
う）とチタン又はチタン合金（以下「チタン材」と総称
する）を接触させて精製反応を起こさせるためには、電
子ビーム溶解されているチタン材溶湯の液面上方に精製
ガスを流す、吹き付ける、電子ビーム溶解された液滴を
精製ガス中をドリップさせる、液滴に精製ガスを吹き付
けるなどの方法を採用することができる。電子ビーム溶
解法において、水冷式モールド及び水冷式ハース内の両
方の溶湯に電子ビームが照射されている場合は、いずれ
か一方のみに精製を施しても効果があるが、両方に対し
て精製ガスによる精製を行うことが好ましい。
【００１９】いずれの方法を実施する場合でも、精製ガ
スもしくは反応生成物である精製ガスにより溶解室内の
圧力が高くなると、電子ビームの電子と精製ガスとの衝
突により、電子がエネルギを失う、及び電子ビームのフ
ォーカスが絞れない等の問題のため本来の溶解を行うこ
とができなくなるために、炉内圧力は電子ビーム溶解可
能な上限を超えないようにすることが必要である。具体
的には精製ガス導入後の炉内圧力を５Ｐａ以下とするこ
とが好ましい。
スもしくは反応生成物である精製ガスにより溶解室内の
圧力が高くなると、電子ビームの電子と精製ガスとの衝
突により、電子がエネルギを失う、及び電子ビームのフ
ォーカスが絞れない等の問題のため本来の溶解を行うこ
とができなくなるために、炉内圧力は電子ビーム溶解可
能な上限を超えないようにすることが必要である。具体
的には精製ガス導入後の炉内圧力を５Ｐａ以下とするこ
とが好ましい。
【００２０】精製ガスの導入量は上述の反応式ならびに
不純物濃度、除去率を考慮して定める。ここで除去率と
は原料中の不純物種類により定められる精製効率であっ
て、酸素は４０〜６０％、Ｎｉは２０〜４０％、その他
の重金属は７０〜９０％である。すなわち精製ガスとの
接触により原料中の不純物はこの範囲で除去されること
が期待され、例えばＦｅ等は９０％もの高い割合で除去
される。実際の精製反応時間は、溶融状態のチタン材が
インゴットとして凝固するまでの比較的短時間であるか
ら、上記計算量より多くの精製ガスを導入することが必
要である。この量は多ければ多いほど精製を促進する上
では好ましいが、逆に真空室内での圧力上昇の問題を招
く。ところで、従来の電子ビーム溶解法では通常真空溶
解室内の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｐａ程度である
から、本発明では通常法と比較して１０3 倍程度以下の
高圧条件下で溶解を行うことになる。よって、精製ガス
量はこの圧力を上限の目標として定めることが好まし
い。精製ガスの量は、圧力（アルゴン等との混合ガスの
場合は分圧）で１×１０-2Ｐａ〜５Ｐａとなるようにす
ることが好ましい。圧力が１×１０-2Ｐａ未満では精製
が不十分であり、一方５Ｐａを超えると精製ガスが過剰
になって電子ビーム溶解の障害となり得るからである。
不純物濃度、除去率を考慮して定める。ここで除去率と
は原料中の不純物種類により定められる精製効率であっ
て、酸素は４０〜６０％、Ｎｉは２０〜４０％、その他
の重金属は７０〜９０％である。すなわち精製ガスとの
接触により原料中の不純物はこの範囲で除去されること
が期待され、例えばＦｅ等は９０％もの高い割合で除去
される。実際の精製反応時間は、溶融状態のチタン材が
インゴットとして凝固するまでの比較的短時間であるか
ら、上記計算量より多くの精製ガスを導入することが必
要である。この量は多ければ多いほど精製を促進する上
では好ましいが、逆に真空室内での圧力上昇の問題を招
く。ところで、従来の電子ビーム溶解法では通常真空溶
解室内の圧力は１×１０-3〜１×１０-1Ｐａ程度である
から、本発明では通常法と比較して１０3 倍程度以下の
高圧条件下で溶解を行うことになる。よって、精製ガス
量はこの圧力を上限の目標として定めることが好まし
い。精製ガスの量は、圧力（アルゴン等との混合ガスの
場合は分圧）で１×１０-2Ｐａ〜５Ｐａとなるようにす
ることが好ましい。圧力が１×１０-2Ｐａ未満では精製
が不十分であり、一方５Ｐａを超えると精製ガスが過剰
になって電子ビーム溶解の障害となり得るからである。
【００２１】本発明の溶解法は、例えば直径３０〜１０
００ｍｍ，長さ５０００ｍｍ以下の大型インゴットを製
造するのに適しており、これを加工することにより各種
構造材料とすることができる。また、半導体装置用高純
度スパッタリング素材とすることができる。
００ｍｍ，長さ５０００ｍｍ以下の大型インゴットを製
造するのに適しており、これを加工することにより各種
構造材料とすることができる。また、半導体装置用高純
度スパッタリング素材とすることができる。
【００２２】本発明は、電子ビーム溶解のコールドハー
スリメルト法、垂直ドリップメルト法、水平ドリップメ
ルト法のいずれの溶解方法にも適用される。
スリメルト法、垂直ドリップメルト法、水平ドリップメ
ルト法のいずれの溶解方法にも適用される。
【００２３】さらに、本発明に係る電子ビーム溶解法と
原料チタンとの組み合わせとしては例えば次のものが可
能であり、それぞれ次のような利点がある。 （ａ）スポンジチタンあるいはこれを真空溶解したイン
ゴットを電子ビーム溶解する方法：海洋構造物などとし
て適した３Ｎ以上の純度の大型製品を低コストで得るこ
とができる。スポンジチタンを直接電子ビーム溶解する
と特にコストの面で有利である。 （ｂ）溶融塩電解チタン原料を電子ビーム溶解する方
法：従来の同方法よりＮａ，Ｋ以外の不純物はすべて低
くなり、Ｎａ，Ｋ等は従来法と同程度であるので、高集
積度ＩＣ用ターゲット材に適するチタンが得られる。 （ｃ）ターゲット材その他のスクラップを電子ビーム溶
解する方法：スクラップを汚染する表的不純物である酸
素量を低減してターゲット材として再使用することがで
きる。 （ｄ）ヨウ素化物分解材を電子ビーム溶解する方法：上
記（ｂ）と同等の精製効果が得られる。 （ｅ）従来の通常の電子ビーム溶解されたスクラップを
本発明の電子ビーム溶解法で溶解する方法：従来法では
除去困難な酸素、鉄等の重金属量を低減することができ
る。
原料チタンとの組み合わせとしては例えば次のものが可
能であり、それぞれ次のような利点がある。 （ａ）スポンジチタンあるいはこれを真空溶解したイン
ゴットを電子ビーム溶解する方法：海洋構造物などとし
て適した３Ｎ以上の純度の大型製品を低コストで得るこ
とができる。スポンジチタンを直接電子ビーム溶解する
と特にコストの面で有利である。 （ｂ）溶融塩電解チタン原料を電子ビーム溶解する方
法：従来の同方法よりＮａ，Ｋ以外の不純物はすべて低
くなり、Ｎａ，Ｋ等は従来法と同程度であるので、高集
積度ＩＣ用ターゲット材に適するチタンが得られる。 （ｃ）ターゲット材その他のスクラップを電子ビーム溶
解する方法：スクラップを汚染する表的不純物である酸
素量を低減してターゲット材として再使用することがで
きる。 （ｄ）ヨウ素化物分解材を電子ビーム溶解する方法：上
記（ｂ）と同等の精製効果が得られる。 （ｅ）従来の通常の電子ビーム溶解されたスクラップを
本発明の電子ビーム溶解法で溶解する方法：従来法では
除去困難な酸素、鉄等の重金属量を低減することができ
る。
【００２４】本発明に係る電子ビーム溶解法で溶解され
るチタン合金は従来公知の組成の如何なるものであって
もよいが、特に、Ｖ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ｚｒ，
Ｆｅ，Ｓｉ，ＡｌなどのＴｉとの融点差が少ない金属を
１６ｗｔ％以下含有するものである。なお、これらの添
加元素は本発明法により精製されることは期待されない
から、高純度原料を使用することが必要である。
るチタン合金は従来公知の組成の如何なるものであって
もよいが、特に、Ｖ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ｚｒ，
Ｆｅ，Ｓｉ，ＡｌなどのＴｉとの融点差が少ない金属を
１６ｗｔ％以下含有するものである。なお、これらの添
加元素は本発明法により精製されることは期待されない
から、高純度原料を使用することが必要である。
【００２５】以下、本発明を実施する装置を図１〜４を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２６】図１及び２は電子ビームコールドハースリ
メルト法により本発明を実施する装置の一実施例を図解
する。図中、１は水冷式銅モールド、２は水冷式コール
ドハース、３は原料電極、４は電子銃、５は電子ビー
ム、６はインゴット、７は溶湯、８は圧力コントローラ
ー、９は電子ビーム５の照射領域外に配置された精製ガ
ス導入手段である。この精製ガス導入手段９は例えば図
２に示すように、銅製管に多数の開口を形成したものと
することができる。
メルト法により本発明を実施する装置の一実施例を図解
する。図中、１は水冷式銅モールド、２は水冷式コール
ドハース、３は原料電極、４は電子銃、５は電子ビー
ム、６はインゴット、７は溶湯、８は圧力コントローラ
ー、９は電子ビーム５の照射領域外に配置された精製ガ
ス導入手段である。この精製ガス導入手段９は例えば図
２に示すように、銅製管に多数の開口を形成したものと
することができる。
【００２７】図１に示すように、電子ビーム溶解設備の
メルトチャンバー（図示せず）内に設置された水冷式銅
モールド１の前方に銅製の水冷式コールドハース２を設
置し、原料電極３を電子銃４から電子ビーム５で溶解し
た原料溶湯を一旦コールドハース２内に保持してからオ
ーバーフローさせ、これを水冷式銅モールド１内に鋳込
んで連続的に凝固させつつ下方からインゴット６として
引き抜く。本発明が特徴とする精製ガスは、水冷式銅モ
ールド１及びコールドハース２の上部に固設された直径
が６ｍｍ程度の精製ガス導入管９よりこれら１、２内の
溶湯液面上方１０〜２０ｍｍ程度の近傍に直接導入す
る。この結果、溶湯液面は精製ガスのカーテンで被覆さ
れる。電子ビーム５の出力は３０〜１０００ｋｗ程度で
ある。
メルトチャンバー（図示せず）内に設置された水冷式銅
モールド１の前方に銅製の水冷式コールドハース２を設
置し、原料電極３を電子銃４から電子ビーム５で溶解し
た原料溶湯を一旦コールドハース２内に保持してからオ
ーバーフローさせ、これを水冷式銅モールド１内に鋳込
んで連続的に凝固させつつ下方からインゴット６として
引き抜く。本発明が特徴とする精製ガスは、水冷式銅モ
ールド１及びコールドハース２の上部に固設された直径
が６ｍｍ程度の精製ガス導入管９よりこれら１、２内の
溶湯液面上方１０〜２０ｍｍ程度の近傍に直接導入す
る。この結果、溶湯液面は精製ガスのカーテンで被覆さ
れる。電子ビーム５の出力は３０〜１０００ｋｗ程度で
ある。
【００２８】図３は図１の電子ビーム溶解装置の斜視図
に相当するが、精製ガス導入手段９は、ガス導入管１０
に接続された逆Ｌ字型断面の型銅の先端に邪魔板９ａを
溶接してガス導入管１０から送られた精製ガスをモール
ドなどの幅及び長さ方向で均一に流すようにしたもので
ある。またガス圧力コントローラー８により精製ガスの
圧力を調節する。以下、実施例により本発明をさらに詳
しく説明する。
に相当するが、精製ガス導入手段９は、ガス導入管１０
に接続された逆Ｌ字型断面の型銅の先端に邪魔板９ａを
溶接してガス導入管１０から送られた精製ガスをモール
ドなどの幅及び長さ方向で均一に流すようにしたもので
ある。またガス圧力コントローラー８により精製ガスの
圧力を調節する。以下、実施例により本発明をさらに詳
しく説明する。
【００２９】
実施例１ 図１の電子ビーム溶解装置を丸棒インゴット鋳造用に変
更した装置を使用して、直径が８５ｍｍ、長さが２５０
ｍｍの高純度チタンインゴットを電子ビームコールドハ
ースリメルト法で溶解しかつ連続鋳造した。原料はＣＰ
−Ｔｉスポンジであり、コールドハース２及び水冷式銅
モールド１内の溶湯温度は２０００℃、電子ビーム５の
出力は２０ｋｗで溶解と鋳造を行った。真空室を真空吸
引し圧力が５×１０-3Ｐａまで降下した後に溶解を開始
し、その後、１０体積％水素＋９０体積％アルゴンの混
合ガスを流し、真空室圧力が０．５Ｐａになるように圧
力をコントローラーで調節した。水素の分圧は０．０５
Ｐａであった。なお、比較のために精製ガスを全く流さ
ないで電子ビーム溶解を行った。精製結果を表１に示
す。
更した装置を使用して、直径が８５ｍｍ、長さが２５０
ｍｍの高純度チタンインゴットを電子ビームコールドハ
ースリメルト法で溶解しかつ連続鋳造した。原料はＣＰ
−Ｔｉスポンジであり、コールドハース２及び水冷式銅
モールド１内の溶湯温度は２０００℃、電子ビーム５の
出力は２０ｋｗで溶解と鋳造を行った。真空室を真空吸
引し圧力が５×１０-3Ｐａまで降下した後に溶解を開始
し、その後、１０体積％水素＋９０体積％アルゴンの混
合ガスを流し、真空室圧力が０．５Ｐａになるように圧
力をコントローラーで調節した。水素の分圧は０．０５
Ｐａであった。なお、比較のために精製ガスを全く流さ
ないで電子ビーム溶解を行った。精製結果を表１に示
す。
【００３０】
【表１】 原料とインゴットの成分（単位：ｐｐｍ） Ｏ Ｎ Ｃ Ｈ Ｆｅ Ｃｒ Ｎｉ 備考 原料 500 50 50 10 300 20 30 精製ガスなし 600 50 50 1 200 10 25 従来例 精製ガスあり 300 40 50 1 30 ＜5 < 10 実施例
【００３１】実施例２ 実施例１で使用した精製ガスの代わりに１０体積％塩素
＋９０体積％アルゴンの混合ガスを流して電子ビーム溶
解を行い、次のような結果を得た。
＋９０体積％アルゴンの混合ガスを流して電子ビーム溶
解を行い、次のような結果を得た。
【００３２】
【表２】 原料とインゴットの成分（単位：ｐｐｍ） Ｏ Ｎ Ｃ Ｈ Ｆｅ Ｃｒ Ｎｉ 原料 500 50 50 10 300 20 30 精製ガスあり 600 50 50 1 50 <5 <10
【００３３】実施例３ 実施例１で使用した精製ガスの代わりに１０体積％一酸
化炭素＋９０体積％アルゴンの混合ガスを流して電子ビ
ーム溶解を行い、次のような結果を得た。
化炭素＋９０体積％アルゴンの混合ガスを流して電子ビ
ーム溶解を行い、次のような結果を得た。
【００３４】
【表３】 原料とインゴットの成分（単位：ｐｐｍ） Ｏ Ｎ Ｃ Ｈ Ｆｅ Ｃｒ Ｎｉ 原料 500 50 50 10 300 20 30 精製ガスあり 400 50 50 1 200 10 25
【００３５】
【発明の効果】以上説明した通り、この発明によればガ
ス成分、不純物金属成分濃度が極めて低減されたチタン
またはチタン合金が安定してかつ安価に製造することが
できるので、産業上極めて有益な効果がもたらされる。
ス成分、不純物金属成分濃度が極めて低減されたチタン
またはチタン合金が安定してかつ安価に製造することが
できるので、産業上極めて有益な効果がもたらされる。
【図１】電子ビームコールドハースリメルト法により本
発明を実施する装置の一実施例を示す概念図（一部断面
図）である。
発明を実施する装置の一実施例を示す概念図（一部断面
図）である。
【図２】図１で使用されている精製ガス導入手段の図で
ある。
ある。
【図３】電子ビームコールドハースリメルト法により本
発明を実施する装置の別の実施例を示す斜視図である。
発明を実施する装置の別の実施例を示す斜視図である。
【図４】図３で使用されている精製ガス導入手段の図で
ある。
ある。
１ 水冷式銅モールド ２ 水冷式コールドハース ３ 原料電極 ４ 電子銃 ５ 電子ビーム ６ インゴット ７ 溶湯 ８ 圧力コントローラー ９ 精製ガス導入手段
Claims (7)
- 【請求項１】 電子ビーム溶解法により、チタン又はチ
タンを主成分とし合金元素を含有するチタン合金からな
る原料を溶解することにより高純度金属材料を製造する
方法において、水素、パラフィン炭化水素、アンモニ
ア、ハロゲン、及び一酸化炭素からなる群から選択され
た少なくとも１種のガスにより前記原料の溶湯を精製す
ることを特徴とする高純度金属材料の製造方法。 - 【請求項２】 前記ガスに不活性ガスを混合することを
特徴とする請求項１記載の高純度金属材料の製造方法。 - 【請求項３】 電子ビーム溶解室内の圧力が５Ｐａ以下
であることを特徴とする請求項１又は２記載の高純度金
属材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記原料がスポンジチタンであることを
特徴とする請求項１から３までのいずれか１項記載の高
純度金属材料の製造方法。 - 【請求項５】 前記原料がヨウ素化法により精製された
チタンであることを特徴とする請求項１から３までのい
ずれか１項記載の高純度金属材料の製造方法。 - 【請求項６】 前記原料が溶融塩電解法により精製され
たチタンであることを特徴とする請求項１から３までの
いずれか１項記載の高純度金属材料の製造方法。 - 【請求項７】 前記原料がチタン又はチタンを主成分と
する金属元素を含有するチタン合金のスクラップである
ことを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項記
載の高純度金属材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17115395A JPH0925522A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 高純度金属材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17115395A JPH0925522A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 高純度金属材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925522A true JPH0925522A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15917977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17115395A Pending JPH0925522A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 高純度金属材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0925522A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008179897A (ja) * | 2008-02-08 | 2008-08-07 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ジルコニウム又はハフニウム及びこれらの製造方法 |
| JP2009538991A (ja) * | 2006-05-30 | 2009-11-12 | ホーメット コーポレーション | 黒鉛溶解容器を利用した溶解方法 |
| WO2013122069A1 (ja) | 2012-02-14 | 2013-08-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度チタンインゴット、その製造方法及びチタンスパッタリングターゲット |
| JP2014018829A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Toho Titanium Co Ltd | スラブの溶製方法および溶製装置 |
| WO2019026251A1 (ja) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | 新日鐵住金株式会社 | チタン塊およびその製造方法、ならびに、チタンスラブ |
| CN110423918A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-08 | 大连理工大学 | 一种电子束诱导精炼浇铸技术制备高纯镍基高温合金的方法 |
| KR102531449B1 (ko) | 2021-11-30 | 2023-05-11 | 한국생산기술연구원 | 티타늄 잉곳 제조방법 |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP17115395A patent/JPH0925522A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009538991A (ja) * | 2006-05-30 | 2009-11-12 | ホーメット コーポレーション | 黒鉛溶解容器を利用した溶解方法 |
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| KR20160064232A (ko) | 2012-02-14 | 2016-06-07 | 제이엑스금속주식회사 | 고순도 티탄 잉곳, 그 제조 방법 및 티탄 스퍼터링 타깃 |
| US10161032B2 (en) | 2012-02-14 | 2018-12-25 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | High-purity titanium ingots, manufacturing method therefor, and titanium sputtering target |
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| CN110423918B (zh) * | 2019-08-01 | 2020-09-29 | 大连理工大学 | 一种电子束诱导精炼浇铸技术制备高纯镍基高温合金的方法 |
| KR102531449B1 (ko) | 2021-11-30 | 2023-05-11 | 한국생산기술연구원 | 티타늄 잉곳 제조방법 |
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