JPH0925330A - Epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith - Google Patents

Epoxy resin composition and semiconductor device sealed therewith

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JPH0925330A
JPH0925330A JP19698195A JP19698195A JPH0925330A JP H0925330 A JPH0925330 A JP H0925330A JP 19698195 A JP19698195 A JP 19698195A JP 19698195 A JP19698195 A JP 19698195A JP H0925330 A JPH0925330 A JP H0925330A
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JP
Japan
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epoxy resin
resin composition
inorganic filler
cyclopentadiene
wax
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Application number
JP19698195A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiyo Kumano
佳代 熊野
Masanori Okamoto
正法 岡本
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Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Publication date
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Priority to JP19698195A priority Critical patent/JPH0925330A/en
Publication of JPH0925330A publication Critical patent/JPH0925330A/en
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an epoxy resin composition having excellent soldering-heat resistance and mold release and not forming any mold deposits by mixing an epoxy resin with a specified cyclopentadiene/phenolic polymer, an inorganic filler and a cure accelerator as the essential components. SOLUTION: This epoxy resin composition consists essentially of an epoxy resin, a cyclopentadiene/phenol polymer represented by the formula (wherein (n) is 0 or an integer of 1 or greater) and containing previously dispersed polyethylene and ester waxes, 25-90wt.%, based on the resin composition, inorganic filler and a cure accelerator.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半田耐熱性、金型離型
性に優れるとともに金型汚れのないエポキシ樹脂組成物
および半導体封止装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin composition excellent in solder heat resistance and mold releasability and free from mold stains, and a semiconductor sealing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野において、
高集積化、高信頼性化の技術開発と同時に半導体装置の
実装工程の自動化が推進されてる。例えばフラットパッ
ケージ型の半導体装置を回路基板に取り付ける場合に、
従来、リードピン毎に半田けを行っていたが、最近では
半導体装置全体を200 ℃以上に加熱した半田浴に浸漬し
て、一度に半田付けを行う方法が採用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor integrated circuits,
At the same time as technology development for high integration and high reliability, automation of the mounting process of semiconductor devices is being promoted. For example, when mounting a flat package type semiconductor device on a circuit board,
Conventionally, soldering was performed for each lead pin, but recently, a method of immersing the entire semiconductor device in a solder bath heated to 200 ° C. or higher and performing soldering at once has been adopted.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来のノボラック型エ
ポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ノボラック型フェノール
樹脂および無機質充填剤からなる樹脂組成物によって封
止した半導体装置は、装置全体の半田浴浸漬を行うと耐
湿性が低下するという欠点があった。特に吸湿した半導
体装置を半田浴に浸漬すると、封止樹脂と半導体チッ
プ、あるいは封止樹脂とリードフレームとの間の剥がれ
が生じて著しい耐湿性劣化を起こし、電極の腐蝕による
断線や水分によるリーク電流を生じ、長期間の信頼性を
保証することができないという欠点があった。
A semiconductor device sealed with a resin composition comprising a conventional epoxy resin such as a novolak type epoxy resin, a novolak type phenol resin and an inorganic filler is subjected to solder bath immersion of the entire device. There is a disadvantage that the moisture resistance is reduced. Especially when a semiconductor device that has absorbed moisture is immersed in a solder bath, peeling occurs between the encapsulating resin and the semiconductor chip, or the encapsulating resin and the lead frame, causing a significant deterioration in moisture resistance, and breaking due to electrode corrosion and leakage due to moisture. There is a drawback in that current is generated and long-term reliability cannot be guaranteed.

【0004】こうしたことから樹脂組成物全体の低吸湿
化を図るため、シクロペンタジエン・フェノール樹脂等
の疎水性かつ可とう性のフェノール樹脂硬化剤を導入す
る試みが行われているが、従来のノボラック型フェノー
ル樹脂を硬化剤とした場合に比較して、成形性、金型離
型性が劣るという欠点があった。また、金型離型性を改
善するためそれ自身耐熱性のあるポリエチレン系ワック
スを少量配合すると、金型離型性が大きく改善されるも
のの、ポリエチレン系ワックスが本来エポキシ樹脂やフ
ェノール樹脂と非相溶であるため、それが金型に徐々に
堆積し金型汚れとなる欠点があった。
From the above, attempts have been made to introduce a hydrophobic and flexible phenol resin curing agent such as cyclopentadiene / phenol resin in order to reduce the moisture absorption of the entire resin composition. As compared with the case where the type phenol resin is used as the curing agent, there is a drawback that the moldability and the mold releasability are inferior. When a small amount of heat-resistant polyethylene wax is blended to improve the mold releasability, the mold releasability is greatly improved, but the polyethylene wax is originally incompatible with the epoxy resin and phenol resin. Since it is a molten metal, it has a drawback that it is gradually deposited on the mold and stains the mold.

【0005】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたもので、耐熱性がたかく、吸湿の影響が少なく、
特に半導体装置全体の半田浴浸漬をしても耐湿劣化が少
なく、半田耐熱性、金型離型性に優れ、封止樹脂と半導
体チップあるいは封止樹脂とリードフレームとの間の剥
がれの発生がなく、また電極の腐蝕による断線や水分に
よるリーク電流の発生もなく、金型汚れがなく、成形性
のよい長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物およ
び半導体封止装置を提供しようとするものである。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks, and has high heat resistance and little influence of moisture absorption,
In particular, even if the entire semiconductor device is immersed in a solder bath, there is little deterioration in moisture resistance, excellent solder heat resistance and mold releasability, and there is no peeling between the sealing resin and the semiconductor chip or the sealing resin and the lead frame. The present invention aims to provide an epoxy resin composition and a semiconductor encapsulation device capable of ensuring long-term reliability with good moldability, without causing wire breakage due to electrode corrosion and leak current due to moisture, without causing mold contamination. is there.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、予めポリエチレ
ン系ワックスとエステル系ワックスとを予備分散させた
特定のフェノール樹脂を用いることによって、上記の目
的を達成できる樹脂組成物が得られることを見いだし、
本発明を完成したものである。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies aimed at achieving the above object, the present inventor has found that a specific phenol resin in which a polyethylene wax and an ester wax are pre-dispersed in advance is used. , Found that a resin composition that can achieve the above objects is obtained,
The present invention has been completed.

【0007】即ち、本発明は、 (A)エポキシ樹脂、 (B)ポリエチレン系ワックスとエステル系ワックスと
を予め予備分散させた次式で示されるシクロペンタジエ
ン・フェノール重合体、
That is, the present invention provides (A) an epoxy resin, (B) a cyclopentadiene / phenol polymer represented by the following formula, in which a polyethylene wax and an ester wax are preliminarily dispersed,

【0008】[0008]

【化3】 (但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す) (C)無機質充填剤および (D)硬化促進剤 を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)
の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなるこ
とを特徴とするエポキシ樹脂組成物である。また、この
エポキシ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが
封止されてなることを特徴とする半導体封止装置であ
る。
Embedded image (However, n represents 0 or an integer of 1 or more in the formula) (C) An inorganic filler and (D) a curing accelerator are essential components, and the above (C) is used for the entire resin composition.
An epoxy resin composition comprising the inorganic filler of 25 to 90% by weight. A semiconductor sealing device is characterized in that a semiconductor chip is sealed with a cured product of the epoxy resin composition.

【0009】以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0010】本発明に用いる(A)エポキシ樹脂として
は、その分子中にエポキシ基を少なくとも 2個有する化
合物であるかぎり、分子量、構造式等に特に制限される
ことはなく、一般封止材料として用いられているものを
広く使用することができる。例えばビスフェノール系エ
ポキシ樹脂、エピビス系エポキシ樹脂、ビフェニル系エ
ポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂等が挙げられ、
これらのエポキシ樹脂は単独又は 2種以上混合して使用
することができる。
As long as the epoxy resin (A) used in the present invention is a compound having at least two epoxy groups in its molecule, it is not particularly limited in molecular weight, structural formula, etc. The used one can be widely used. For example, bisphenol-based epoxy resin, epibis-based epoxy resin, biphenyl-based epoxy resin, novolac-based epoxy resin, and the like,
These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.

【0011】本発明に用いる(B)シクロペンタジエン
・フェノール重合体としては、前述した化3で示される
ものが使用される。このシクロペンタジエン・フェノー
ル重合体はポリエチレン系ワックスとエステル系ワック
スとを予め予備分散させたものである。予め予備分散さ
せるポリエチレン系ワックスとしては、分子内にカルボ
キシ基を有する直鎖形或いは分岐形のポリエチレンワッ
クスが挙げられ、これらは単独又は混合して使用され
る。また、エステル系ワックスとしては、カルナバワッ
クス(主成分セロチン酸ミリシル)など天然の或いはモ
ンタン酸ワックスなど合成のエステルワックスが挙げら
れ、これらは単独又は混合して使用される。ここで最も
重要なことは、ポリエチレン系ワックスとエステル系ワ
ックスとを併用し、かつ予備分散させておくことであ
る。予備分散はシクロペンタジエン・フェノール重合体
を、 120〜150 ℃に溶融させてポリエチレン系ワックス
とエステル系ワックスとを分散させる。分散の方法につ
いては特に制限されるものではない。このシクロペンタ
ジエン・フェノール重合体の他に、本発明の目的に反し
ない範囲において、フェノールノボラック樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、その他のフェノール性水酸基を分
子内に 2個以上有する樹脂を併用することができる。
As the cyclopentadiene / phenol polymer (B) used in the present invention, the one represented by the above chemical formula 3 is used. This cyclopentadiene / phenol polymer is obtained by preliminarily dispersing a polyethylene wax and an ester wax. Examples of the polyethylene wax to be preliminarily dispersed include linear or branched polyethylene waxes having a carboxy group in the molecule, and these may be used alone or in combination. Examples of ester waxes include natural ester waxes such as carnauba wax (principal component myrisyl cerotate) and synthetic ester waxes such as montanic acid wax, which may be used alone or in combination. What is most important here is that the polyethylene wax and the ester wax are used together and pre-dispersed. For the predispersion, the cyclopentadiene / phenol polymer is melted at 120 to 150 ° C. to disperse the polyethylene wax and the ester wax. The method of dispersion is not particularly limited. In addition to the cyclopentadiene / phenol polymer, a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, and other resins having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule can be used in combination within the scope of the present invention.

【0012】本発明に用いる(C)無機質充填剤として
は、一般に使用されているものが広く使用されるが、そ
の中でも不純物濃度が低いものがが好ましく使用され
る。具体的なものとしては例えば、シリカ粉末、アルミ
ナ粉末、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カルシウム、
チタンホワイト、クレー、マイカ、ベンガラ、ガラス繊
維等が挙げられ、これらは単独又は 2種以上混合して使
用することができる。これらの中でも特にシリカ粉末や
アルミナ粉末が好ましく使用される。無機質充填剤の配
合割合は、全体の樹脂組成物に対して25〜90重量%含有
するように配合することが好ましい。その割合が25重量
%未満では耐熱性、耐湿性、半田耐熱性、機械的特性お
よび成形性が悪くなり、また90重量%を超えると極端に
流動性が悪くなり、成形性に劣り好ましくない。
As the inorganic filler (C) used in the present invention, those generally used are widely used, and among them, those having a low impurity concentration are preferably used. Specific examples include silica powder, alumina powder, antimony trioxide, talc, calcium carbonate,
Titanium white, clay, mica, red iron oxide, glass fiber and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more kinds. Among these, silica powder and alumina powder are particularly preferably used. The blending ratio of the inorganic filler is preferably 25 to 90% by weight based on the total resin composition. If the proportion is less than 25% by weight, the heat resistance, moisture resistance, solder heat resistance, mechanical properties and moldability will be poor, and if it exceeds 90% by weight, the fluidity will be extremely poor and moldability will be poor, such being undesirable.

【0013】本発明に用いる(D)硬化促進剤として、
リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、DBU
系硬化促進剤、その他の硬化促進剤等を広く使用するこ
とができる。これらは単独又は 2種以上併用することが
できる。硬化促進剤の配合割合は、全体の樹脂組成物に
対して 0.01 〜5 重量%含有するように配合することが
望ましい。その割合が 0.01 重量%未満では樹脂組成物
のゲルタイムが長く、硬化特性も悪くなり、また、5 重
量%を超えると極端に流動性が悪くなって成形性に劣
り、さらに電気特性も悪くなり耐湿性に劣り好ましくな
い。
As the (D) curing accelerator used in the present invention,
Phosphorus curing accelerator, imidazole curing accelerator, DBU
A wide range of system hardening accelerators and other hardening accelerators can be used. These can be used alone or in combination of two or more. It is desirable that the curing accelerator is blended in an amount of 0.01 to 5% by weight based on the total resin composition. If the proportion is less than 0.01% by weight, the gel time of the resin composition will be long and the curing characteristics will be poor, and if it exceeds 5% by weight, the fluidity will be extremely poor and the moldability will be poor, and the electrical characteristics will be poor and the moisture resistance will be poor. It is inferior in sex and is not preferable.

【0014】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、ワックス予備分散シクロペンタジエン・フェノー
ル重合体、無機質充填剤および硬化促進剤を必須成分と
するが、本発明の目的に反しない限度において、また必
要に応じて、例えば、塩素化パラフィン、ブロム化トル
エン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチモン等にの
難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤を適宜
添加配合することができる。
The epoxy resin composition of the present invention contains an epoxy resin, a wax predispersed cyclopentadiene / phenol polymer, an inorganic filler and a curing accelerator as essential components, but within a range not deviating from the object of the present invention, If necessary, for example, a flame retardant such as chlorinated paraffin, brominated toluene, hexabromobenzene, antimony trioxide and the like, and a colorant such as carbon black and red iron oxide can be appropriately added and blended.

【0015】本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料と
して調製する場合の一般的方法は、エポキシ樹脂、ワッ
クス予備分散シクロペンタジエンフェノール重合体、無
機質充填剤および硬化促進剤その他の成分を配合し、ミ
キサー等によって十分均一に混合する。さらに熱ロール
による溶融混合処理またはニーダ等による混合処理を行
い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材
料とすることができる。こうして得られた成形材料は、
半導体装置をはじめとする電子部品或いは電気部品の封
止、被覆、絶縁等に適用すれば優れた特性と信頼性を付
与させることができる。
A general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material is to mix an epoxy resin, a wax predispersed cyclopentadienephenol polymer, an inorganic filler, a curing accelerator and other components with a mixer. Mix thoroughly evenly. Further, a melt mixing treatment with a hot roll or a mixing treatment with a kneader or the like is performed, and then the mixture is cooled and solidified and crushed to an appropriate size to obtain a molding material. The molding material thus obtained is
When applied to sealing, coating, insulating, and the like of electronic components or electric components such as semiconductor devices, excellent characteristics and reliability can be imparted.

【0016】また、本発明の半導体封止装置は、上述の
成形材料を用いて半導体チップを封止することにより容
易に製造することができる。封止を行う半導体チップと
しては例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジス
タ、サイリスタ、ダイオード等で特に限定されるもので
はない。封止の最も一般的な方法とては、低圧トランス
ファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等に
よる封止も可能である。成形材料で封止後加熱して硬化
させ、最終的にはこの硬化物によって封止された半導体
封止装置が得られる。加熱による硬化は、150 ℃以上に
加熱して硬化させることが望ましい。
The semiconductor encapsulation device of the present invention can be easily manufactured by encapsulating a semiconductor chip using the above-mentioned molding material. As a semiconductor chip for sealing, for example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, and the like are not particularly limited. The most common sealing method is a low-pressure transfer molding method, but sealing by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. After sealing with a molding material, it is heated and cured, and finally a semiconductor sealing device sealed with this cured product is obtained. The curing by heating is desirably performed by heating to 150 ° C. or more.

【0017】[0017]

【作用】本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止
装置は、ポリエチレン系ワックスとエステル系ワックス
とを予め予備分散させたシクロペンタジエン・フェノー
ル重合体を用いることによって、樹脂組成物を低吸湿化
し、機械的特性と低応力性を向上させ、半田浴浸漬、半
田リフロー後の樹脂クラックの発生をなくし、金型汚れ
を低減し良好な金型離型性を得ることができたものであ
る。
The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention use a cyclopentadiene / phenol polymer in which a polyethylene wax and an ester wax are predispersed to reduce the moisture absorption of the resin composition, It is possible to improve mechanical properties and low stress, eliminate the occurrence of resin cracks after immersion in a solder bath and solder reflow, reduce mold stains, and obtain good mold releasability.

【0018】[0018]

【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明これらの実施例によって限定されるものではない。
以下の実施例および比較例において「%」とは「重量
%」を意味する。 [ワックス類の予備分散]前述した化3で示したシクロ
ペンタジエン・フェノール重合体 8.4%に、直鎖型酸化
ポリエチレンワックス(酸価20,分子量 9000 )を 0.1
5 %、カルナバワックス 0.25 %を120 ℃の温度で30分
間、溶融混合して、ワックス類の予備分散をさせたシク
ロペンタジエン・フェノール重合体[予備分散フェノー
ル樹脂]を調製した。
EXAMPLES The present invention will now be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In the following examples and comparative examples, “%” means “% by weight”. [Pre-dispersion of waxes] 8.4% of the cyclopentadiene-phenol polymer shown in Chemical formula 3 above was mixed with 0.1% of a linear polyethylene oxide wax (acid value 20, molecular weight 9,000).
5% of carnauba wax and 0.25% of carnauba wax were melt mixed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes to prepare a cyclopentadiene / phenol polymer [preliminarily dispersed phenol resin] in which waxes were predispersed.

【0019】実施例 o-クレゾールノボラックエポキシ樹脂 9.3%、テトラブ
ロモビスフェノールA型エポキシ樹脂 1.0%、予備分散
フェノール樹脂 8.8%、溶融シリカ粉末(最大粒径 100
μm 以下)78%、トリフェニルホスフィン 0.2%、シラ
ンカップリング剤0.4 %、カーボンブラック 0.3%、三
酸化アンチモン 2.0%を常温で混合し、さらに90〜100
℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料(A)を製造し
た。
Example o-cresol novolac epoxy resin 9.3%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin 1.0%, predispersed phenol resin 8.8%, fused silica powder (maximum particle size 100
78%, triphenylphosphine 0.2%, silane coupling agent 0.4%, carbon black 0.3%, antimony trioxide 2.0% are mixed at room temperature and then 90-100
After kneading and cooling at 0 ° C., it was pulverized to produce a molding material (A).

【0020】比較例1 o-クレゾールノボラックエポキシ樹脂 9.3%、テトラブ
ロモビスフェノールA型エポキシ樹脂 1.0%、シクロペ
ンタジエン・フェノール重合体 8.4%、直鎖型酸化ポリ
エチレンワックス(酸価20,分子量 9000 ) 0.15 %、
カルナバワックス 0.25 %、溶融シリカ粉末78%、トリ
フェニルホスフィン 0.2%、シランカップリング剤0.4
%、カーボンブラック 0.3%、三酸化アンチモン 2.0%
を常温で混合し、さらに90〜100 ℃で混練冷却した後、
粉砕して成形材料(B)を製造した。
Comparative Example 1 o-cresol novolac epoxy resin 9.3%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin 1.0%, cyclopentadiene / phenol polymer 8.4%, linear type polyethylene oxide wax (acid value 20, molecular weight 9,000) 0.15% ,
Carnauba wax 0.25%, fused silica powder 78%, triphenylphosphine 0.2%, silane coupling agent 0.4
%, Carbon black 0.3%, antimony trioxide 2.0%
After mixing at room temperature and kneading and cooling at 90-100 ° C,
The material was crushed to produce a molding material (B).

【0021】比較例2 o-クレゾールノボラックエポキシ樹脂 9.3%、テトラブ
ロモビスフェノールA型エポキシ樹脂 1.0%、シクロペ
ンタジエン・フェノール重合体 8.4%、カルナバワック
ス 0.4%、溶融シリカ粉末78%、トリフェニルホスフィ
ン 0.2%、シランカップリング剤0.4 %、カーボンブラ
ック 0.3%、三酸化アンチモン 2.0%を常温で混合し、
さらに90〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料
(C)を製造した。
Comparative Example 2 o-cresol novolac epoxy resin 9.3%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin 1.0%, cyclopentadiene / phenol polymer 8.4%, carnauba wax 0.4%, fused silica powder 78%, triphenylphosphine 0.2% , Silane coupling agent 0.4%, carbon black 0.3%, antimony trioxide 2.0% are mixed at room temperature,
Further, after kneading and cooling at 90 to 100 ° C., it was pulverized to produce a molding material (C).

【0022】比較例3 o-クレゾールノボラックエポキシ樹脂11.4%、テトラブ
ロモビスフェノールA型エポキシ樹脂 1.0%、ノボラッ
ク型フェノール樹脂 6.3%、カルナバワックス0.4%、
溶融シリカ粉末78%、トリフェニルホスフィン 0.2%、
シランカップリング剤0.4 %、カーボンブラック 0.3
%、三酸化アンチモン 2.0%を常温で混合し、さらに90
〜100 ℃で混練冷却した後、粉砕して成形材料(D)を
製造した。
Comparative Example 3 o-cresol novolac epoxy resin 11.4%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin 1.0%, novolac type phenol resin 6.3%, carnauba wax 0.4%,
Fused silica powder 78%, triphenylphosphine 0.2%,
Silane coupling agent 0.4%, carbon black 0.3
%, Antimony trioxide 2.0% are mixed at room temperature and then 90%
After kneading and cooling at -100 ° C, it was pulverized to produce a molding material (D).

【0023】こうして製造した成形材料(A)〜(D)
を用いて170 ℃に加熱した金型内にトランスファー注
入、半導体チップを封止し硬化させて半導体封止装置を
製造した。これらの半導体封止装置について、諸試験を
行ったのでその結果を表1に示したが、本発明のエポキ
シ樹脂組成物および半導体封止装置は、諸特性に優れて
おり、本発明の顕著な効果を確認することができた。
Molding materials (A) to (D) produced in this way
Was used to transfer transfer into a mold heated to 170 ° C., and the semiconductor chip was sealed and cured to manufacture a semiconductor sealing device. Various tests were conducted on these semiconductor encapsulation devices, and the results are shown in Table 1. The epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention are excellent in various characteristics, and the remarkable features of the present invention. I was able to confirm the effect.

【0024】[0024]

【表1】 *1 :図1(a)に示した 3個のダイ部分1、2、3か
らなる試験用金型により成形品4を成形し、図1(b)
のようにその成形直後に型板2から成形品4がとれる時
の荷重を測定し、小さい荷重を○、大きい荷重を×とし
た。 *2 :DIP16PIN (鏡面)を 2000 ショット連続成形
した後に金型汚れのないものを○、少し汚れているもの
を△、汚れのひどいものを×とした。 *3 :図2(a)に示した 3個のダイ部分1、2、3か
らなる試験用金型により、下部に銅フレーム5を密着さ
せた成形品4の試験片を成形し、図2(b)のようにそ
の成形品4がフレーム5から剥がれる時の剪断方向の荷
重を測定し、大きい荷重を○、中程度の荷重を△、小さ
い荷重を×とした。 *4 : 5.3× 5.3mmの半導体チップをVQFP(12×12
× 1.4mm)パッケージに納め、成形材料を用いて175
℃,2 分間トランスファー成形した後、175 ℃,8時間
の後硬化を行った。こうして得た半導体封止装置を85
℃,85%,48時間の吸湿処理をし、これをエアーリフロ
ーマシン(Max 240℃)に通し、外部および内部クラッ
クの有無を調査した。
[Table 1] * 1: Molded product 4 is molded using the test mold consisting of the three die parts 1, 2, and 3 shown in Fig. 1 (a), and then Fig. 1 (b).
As described above, the load when the molded product 4 was removed from the template 2 immediately after the molding was measured, and the small load was marked with ◯ and the large load was marked with x. * 2: DIP16PIN (mirror surface) after 2000 shots continuous molding was evaluated as ◯ when there was no stain on the mold, Δ when slightly soiled, and X when severely soiled. * 3: A test piece of a molded product 4 in which a copper frame 5 is closely adhered to the lower part is molded by a test mold including the three die parts 1, 2, and 3 shown in FIG. The load in the shearing direction when the molded product 4 was peeled from the frame 5 as in (b) was measured, and a large load was ◯, a medium load was Δ, and a small load was ×. * 4: VQFP (12 x 12 mm) with a 5.3 x 5.3 mm semiconductor chip
X 1.4mm) 175 using a molding material
After transfer molding for 2 minutes at ℃, post-curing was performed at 175 ℃ for 8 hours. The semiconductor sealing device obtained in this way was
Moisture absorption treatment was performed at ℃, 85% for 48 hours, and this was passed through an air reflow machine (Max 240 ℃) to investigate the presence of external and internal cracks.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上の説明および表1から明らかなよう
に、本発明のエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
は、吸湿による影響が少なく、半田浴浸漬後においても
耐湿性、半田耐熱性に優れ、電極の腐蝕による断線や水
分によるリーク電流の発生等を著しく低減することがで
き、しかも長期間にわたって信頼性を保証することがで
きる。また、連続成形後の金型汚れもなく、良好な金型
剥離性を示した。
As is clear from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the semiconductor encapsulation device of the present invention are less affected by moisture absorption, and have excellent moisture resistance and solder heat resistance even after immersion in a solder bath. It is excellent, and it is possible to remarkably reduce disconnection due to electrode corrosion and generation of leak current due to moisture, and moreover, reliability can be guaranteed for a long period of time. Further, there was no mold stain after continuous molding, and good mold releasability was exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(a)は本発明のエポキシ樹脂組成物の金
型剥離性を試験する金型の模式断面図、図1(b)は剥
離性評価方法を説明する型板斜視図である。
FIG. 1 (a) is a schematic cross-sectional view of a mold for testing the mold releasability of an epoxy resin composition of the present invention, and FIG. 1 (b) is a template perspective view illustrating a releasability evaluation method. is there.

【図2】図2(a)は本発明のエポキシ樹脂組成物のフ
レーム密着力を試験する金型の模式断面図、図2(b)
は密着力評価方法を説明する試験片斜視図である。
FIG. 2 (a) is a schematic cross-sectional view of a mold for testing the frame adhesion of the epoxy resin composition of the present invention, FIG. 2 (b).
[Fig. 3] is a perspective view of a test piece for explaining an adhesion evaluation method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2,3 金型 4 成形品 5 銅フレーム 1,2,3 Mold 4 Molded product 5 Copper frame

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)エポキシ樹脂、 (B)ポリエチレン系ワックスとエステル系ワックスと
を予め予備分散させた次式で示されるシクロペンタジエ
ン・フェノール重合体、 【化1】 (但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す) (C)無機質充填剤および (D)硬化促進剤 を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)
の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有してなるこ
とを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
1. A cyclopentadiene-phenol polymer represented by the following formula, wherein (A) an epoxy resin, (B) a polyethylene wax and an ester wax are predispersed, and (However, n represents 0 or an integer of 1 or more in the formula) (C) An inorganic filler and (D) a curing accelerator are essential components, and the above (C) is used for the entire resin composition.
An epoxy resin composition, characterized by containing the inorganic filler according to the above in a proportion of 25 to 90% by weight.
【請求項2】 (A)エポキシ樹脂、 (B)ポリエチレン系ワックスとエステル系ワックスと
を予め予備分散させた次式で示されるシクロペンタジエ
ン・フェノール重合体、 【化2】 (但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す) (C)無機質充填剤および (D)硬化促進剤 を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)
の無機質充填剤を25〜90重量%の割合で含有したエポキ
シ樹脂組成物の硬化物によって、半導体チップが封止さ
れてなることを特徴とする半導体封止装置。
2. A cyclopentadiene / phenol polymer represented by the following formula, in which (A) an epoxy resin, (B) a polyethylene wax and an ester wax are pre-dispersed, (However, n represents 0 or an integer of 1 or more in the formula) (C) An inorganic filler and (D) a curing accelerator are essential components, and the above (C) is used for the entire resin composition.
A semiconductor encapsulation device, wherein a semiconductor chip is encapsulated with a cured product of an epoxy resin composition containing the inorganic filler in a proportion of 25 to 90% by weight.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100630412B1 (en) * 1998-12-31 2006-12-13 주식회사 케이씨씨 Mold Reset Epoxy Resin Composition_
JP2010018737A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for sealing semiconductor, tablet of the same, production process of the same and semiconductor device produced using the same
JP4524835B2 (en) * 2000-02-03 2010-08-18 住友ベークライト株式会社 Epoxy resin composition and semiconductor device

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