JPH09252069A - タイバー切断方法及びタイバー切断装置 - Google Patents
タイバー切断方法及びタイバー切断装置Info
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- JPH09252069A JPH09252069A JP8057898A JP5789896A JPH09252069A JP H09252069 A JPH09252069 A JP H09252069A JP 8057898 A JP8057898 A JP 8057898A JP 5789896 A JP5789896 A JP 5789896A JP H09252069 A JPH09252069 A JP H09252069A
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
Abstract
(57)【要約】
【課題】 切断後の後処理を行わなくても切断精度を改
善する技術を提供する。 【解決手段】 レーザー発振器１１はレーザービーム１
２を生成し、レーザービーム１２は集光レンズ１３によ
って集光され、切断ノズル１４内を経由してタイバー２
１ａに照射される。切断ノズル１４からはアシストガス
がタイバー２１ａ近傍に供給される。レーザー吸収材容
器１５２にはレーザービームに対する吸収率が大きなレ
ーザー吸収材が蓄えられ、レーザー吸収材供給制御部１
５１によってその供給が制御されてスプレーノズル１５
へと流れる。スプレーノズル１５は例えば圧縮空気によ
ってレーザー吸収材をタイバー２１ａ近傍に噴霧する。
吸収材はレーザービーム１２を照射する前に塗布され
る。これ故に、タイバー２１ａにレーザービーム１２が
照射される際には、レーザービーム１２の吸収率が高い
状態にしておくことができ、切断現象を安定にすること
ができる。
善する技術を提供する。 【解決手段】 レーザー発振器１１はレーザービーム１
２を生成し、レーザービーム１２は集光レンズ１３によ
って集光され、切断ノズル１４内を経由してタイバー２
１ａに照射される。切断ノズル１４からはアシストガス
がタイバー２１ａ近傍に供給される。レーザー吸収材容
器１５２にはレーザービームに対する吸収率が大きなレ
ーザー吸収材が蓄えられ、レーザー吸収材供給制御部１
５１によってその供給が制御されてスプレーノズル１５
へと流れる。スプレーノズル１５は例えば圧縮空気によ
ってレーザー吸収材をタイバー２１ａ近傍に噴霧する。
吸収材はレーザービーム１２を照射する前に塗布され
る。これ故に、タイバー２１ａにレーザービーム１２が
照射される際には、レーザービーム１２の吸収率が高い
状態にしておくことができ、切断現象を安定にすること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置のタイ
バーをレーザービームによって切断する技術に関し、特
にタイバーのレーザービームの吸収率を向上させる技術
に関するものである。
バーをレーザービームによって切断する技術に関し、特
にタイバーのレーザービームの吸収率を向上させる技術
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は半導体装置のタイバーをレーザー
ビームによって切断する従来の技術を示す断面図であ
る。パッケージ２２はタイバー２１ａを有するリードフ
レーム２１によって連結されている。タイバー２１ａに
は、集光レンズ１３で集光されたレーザービーム１２が
照射され、その温度が上昇して溶融及び蒸発する。この
際、切断ノズル１４からはアシストガスが供給され、溶
融及び蒸発したタイバー２１ａの材料はアシストガスの
運動量によって除去される。かかる技術は例えば特開昭
６３−８１９６２号公報にて開示されている。
ビームによって切断する従来の技術を示す断面図であ
る。パッケージ２２はタイバー２１ａを有するリードフ
レーム２１によって連結されている。タイバー２１ａに
は、集光レンズ１３で集光されたレーザービーム１２が
照射され、その温度が上昇して溶融及び蒸発する。この
際、切断ノズル１４からはアシストガスが供給され、溶
融及び蒸発したタイバー２１ａの材料はアシストガスの
運動量によって除去される。かかる技術は例えば特開昭
６３−８１９６２号公報にて開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】リードフレーム２１は
一般に鉄系または銅系の材料で構成される。特に銅系の
材料で構成されている場合は、鉄系の材料で構成される
場合よりもレーザービームの吸収率が低く、タイバー２
１ａの切断状態は不安定なものとなる。
一般に鉄系または銅系の材料で構成される。特に銅系の
材料で構成されている場合は、鉄系の材料で構成される
場合よりもレーザービームの吸収率が低く、タイバー２
１ａの切断状態は不安定なものとなる。
【０００４】図８は従来の技術でタイバー２１ａを切断
した場合の切断部分の近傍を示す平面図である。タイバ
ー２１ａの切断後には、例えば切断部周辺にドロス３３
が付着したり、切断形状３４が所望の形状と異なってし
まうという問題点があった。これを改善するために、従
来は上記ドロスの除去の為の化学的な後処理を必要とし
ていた。
した場合の切断部分の近傍を示す平面図である。タイバ
ー２１ａの切断後には、例えば切断部周辺にドロス３３
が付着したり、切断形状３４が所望の形状と異なってし
まうという問題点があった。これを改善するために、従
来は上記ドロスの除去の為の化学的な後処理を必要とし
ていた。
【０００５】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、レーザーの吸収率を高めることに
よって切断の不安定状態を回避し、切断後の後処理を行
わなくても切断精度を改善する技術を提供することを目
的としている。
めになされたもので、レーザーの吸収率を高めることに
よって切断の不安定状態を回避し、切断後の後処理を行
わなくても切断精度を改善する技術を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
にかかるタイバー切断方法は、（ａ）半導体装置のタイ
バーにレーザーを間欠的に照射する工程と、（ｂ）少な
くとも前記レーザーが照射されていない期間において、
前記レーザーを吸収する吸収材を噴霧して前記タイバー
に付着させる工程とを備える。
にかかるタイバー切断方法は、（ａ）半導体装置のタイ
バーにレーザーを間欠的に照射する工程と、（ｂ）少な
くとも前記レーザーが照射されていない期間において、
前記レーザーを吸収する吸収材を噴霧して前記タイバー
に付着させる工程とを備える。
【０００７】この発明のうち請求項２にかかるものは、
請求項１記載のタイバー切断方法であって、前記工程
（ｂ）において、前記吸収材は前記レーザーが照射され
ている期間にも噴霧される。
請求項１記載のタイバー切断方法であって、前記工程
（ｂ）において、前記吸収材は前記レーザーが照射され
ている期間にも噴霧される。
【０００８】この発明のうち請求項３にかかるものは、
請求項１記載のタイバー切断方法であって、前記工程
（ｂ）において、前記吸収材は前記レーザーが照射され
ている期間には噴霧されない。
請求項１記載のタイバー切断方法であって、前記工程
（ｂ）において、前記吸収材は前記レーザーが照射され
ている期間には噴霧されない。
【０００９】この発明のうち請求項４にかかるタイバー
切断装置は、半導体装置のタイバーに間欠的に照射され
るレーザーを制御するレーザー装置と、前記タイバーに
前記レーザーを吸収する吸収材を噴霧する噴霧部と、前
記吸収材を少なくとも前記レーザーが照射されていない
期間において供給する吸収材供給制御部とを備える。
切断装置は、半導体装置のタイバーに間欠的に照射され
るレーザーを制御するレーザー装置と、前記タイバーに
前記レーザーを吸収する吸収材を噴霧する噴霧部と、前
記吸収材を少なくとも前記レーザーが照射されていない
期間において供給する吸収材供給制御部とを備える。
【００１０】
実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１にかかる
タイバー切断装置の構成を示す模式図である。ワークと
なる、タイバー２１ａを有するリードフレーム２１及び
リードフレーム２１によって連結されるパッケージ２２
がワーク位置決め部１７に載置される。ワークはインロ
ーダー１８１からワーク位置決め部１７に搬送され、ワ
ーク位置決め部１７においてタイバー２１ａの切断がな
され、その後アウトローダー１８２へと搬送される。
タイバー切断装置の構成を示す模式図である。ワークと
なる、タイバー２１ａを有するリードフレーム２１及び
リードフレーム２１によって連結されるパッケージ２２
がワーク位置決め部１７に載置される。ワークはインロ
ーダー１８１からワーク位置決め部１７に搬送され、ワ
ーク位置決め部１７においてタイバー２１ａの切断がな
され、その後アウトローダー１８２へと搬送される。
【００１１】レーザー発振器１１はレーザービーム１２
を生成し、レーザービーム１２は集光レンズ１３によっ
て集光され、切断ノズル１４内を経由してタイバー２１
ａに照射される。レーザービーム１２としては例えばＹ
ＡＧレーザーを採用することができる。
を生成し、レーザービーム１２は集光レンズ１３によっ
て集光され、切断ノズル１４内を経由してタイバー２１
ａに照射される。レーザービーム１２としては例えばＹ
ＡＧレーザーを採用することができる。
【００１２】切断ノズル１４からはアシストガスがタイ
バー２１ａ近傍に供給される。アシストガスはアシスト
ガス容器１４１に蓄えられており、アシストガス制御部
１４２によってその供給が制御されて切断ノズル１４へ
と流れる。アシストガスとしては、酸化反応熱を得るた
めに酸素ガスを用いることができる。
バー２１ａ近傍に供給される。アシストガスはアシスト
ガス容器１４１に蓄えられており、アシストガス制御部
１４２によってその供給が制御されて切断ノズル１４へ
と流れる。アシストガスとしては、酸化反応熱を得るた
めに酸素ガスを用いることができる。
【００１３】レーザー吸収材容器１５２にはレーザービ
ームに対する吸収率が大きなレーザー吸収材が蓄えら
れ、レーザー吸収材供給制御部１５１によってその供給
が制御されてスプレーノズル１５へと流れる。レーザー
吸収材としては例えばカーボンを含有するスパッタ防止
剤を用いることができる。スプレーノズル１５は例えば
圧縮空気によってレーザー吸収材をタイバー２１ａ近傍
に噴霧する。
ームに対する吸収率が大きなレーザー吸収材が蓄えら
れ、レーザー吸収材供給制御部１５１によってその供給
が制御されてスプレーノズル１５へと流れる。レーザー
吸収材としては例えばカーボンを含有するスパッタ防止
剤を用いることができる。スプレーノズル１５は例えば
圧縮空気によってレーザー吸収材をタイバー２１ａ近傍
に噴霧する。
【００１４】図２はタイバー２１ａの近傍におけるスプ
レーノズル１５の位置を示す斜視図である。このように
タイバー２１ａに近接してスプレーノズル１５の開口部
１５ａを向けることにより、タイバー２１ａのように細
かい切断部分のみに塗布されるように吸収材の塗布量を
調整することができる。
レーノズル１５の位置を示す斜視図である。このように
タイバー２１ａに近接してスプレーノズル１５の開口部
１５ａを向けることにより、タイバー２１ａのように細
かい切断部分のみに塗布されるように吸収材の塗布量を
調整することができる。
【００１５】図３はこの実施の形態においてレーザービ
ーム１２を照射するタイミングと、吸収材、アシストガ
スの供給のタイミングとを示すグラフである。吸収材は
レーザービーム１２を照射する前の期間Ｔｃにおいて塗
布されてタイバー２１ａに付着する。これ故に、タイバ
ー２１ａにレーザービーム１２が照射される際には、レ
ーザービーム１２の吸収率が高い状態にしておくことが
でき、切断現象を安定にすることができる。従って、ド
ロスの除去の為の化学的な後処理などを必要としない。
また所望の切断形状を得ることができる。
ーム１２を照射するタイミングと、吸収材、アシストガ
スの供給のタイミングとを示すグラフである。吸収材は
レーザービーム１２を照射する前の期間Ｔｃにおいて塗
布されてタイバー２１ａに付着する。これ故に、タイバ
ー２１ａにレーザービーム１２が照射される際には、レ
ーザービーム１２の吸収率が高い状態にしておくことが
でき、切断現象を安定にすることができる。従って、ド
ロスの除去の為の化学的な後処理などを必要としない。
また所望の切断形状を得ることができる。
【００１６】噴霧によって吸収材を塗布するので、タイ
バー２１ａの切断部分のみに塗布して、その他の部分を
汚染しないように塗布することが容易である。
バー２１ａの切断部分のみに塗布して、その他の部分を
汚染しないように塗布することが容易である。
【００１７】勿論、レーザービーム１２を照射する期間
において吸収材を供給しても良いが、レーザービーム１
２によって迅速に吸収材が除去されるのでタイバー２１
ａへの吸収材の付着が十分ではなく、切断の効率にはあ
まり寄与しない。
において吸収材を供給しても良いが、レーザービーム１
２によって迅速に吸収材が除去されるのでタイバー２１
ａへの吸収材の付着が十分ではなく、切断の効率にはあ
まり寄与しない。
【００１８】アシストガスが供給される期間Ｔａは少な
くともレーザービーム１２を照射する期間をカバーす
る。溶融及び蒸発したタイバー２１ａをアシストガスに
よって吹き飛ばすためである。
くともレーザービーム１２を照射する期間をカバーす
る。溶融及び蒸発したタイバー２１ａをアシストガスに
よって吹き飛ばすためである。
【００１９】例えばレーザービーム１２の照射期間は１
００ｍｓに設定され、レーザー出力は１０Ｗに設定され
る。このような設定によって厚さ０．１５ｍｍのタイバ
ー２１ａを切断することができる。
００ｍｓに設定され、レーザー出力は１０Ｗに設定され
る。このような設定によって厚さ０．１５ｍｍのタイバ
ー２１ａを切断することができる。
【００２０】図４はタイバー２１ａの切断されるべき箇
所に吸収材３２が既に塗布され、その直後にレーザービ
ーム１２が照射された状態を示す平面図である。レーザ
ー１２は楕円形状に集光されている。
所に吸収材３２が既に塗布され、その直後にレーザービ
ーム１２が照射された状態を示す平面図である。レーザ
ー１２は楕円形状に集光されている。
【００２１】図５はこの実施の形態において切断された
タイバー２１ａの切断面近傍を示す平面図である。切断
面３５は楕円形状を示しており、従来の技術における切
断面３４のようにドロス３３が付着したり、形状が不規
則になったりすることがない。切断面３５が楕円形状を
示しているのはレーザービーム１２が集光された形状が
楕円形であることを反映しているものであり、その集光
の形状が円形であれば、切断面３５も円形を呈すること
となる。
タイバー２１ａの切断面近傍を示す平面図である。切断
面３５は楕円形状を示しており、従来の技術における切
断面３４のようにドロス３３が付着したり、形状が不規
則になったりすることがない。切断面３５が楕円形状を
示しているのはレーザービーム１２が集光された形状が
楕円形であることを反映しているものであり、その集光
の形状が円形であれば、切断面３５も円形を呈すること
となる。
【００２２】また、吸収材３２もレーザービーム１２の
照射及びアシストガスの供給によって除去されてしまっ
ている。
照射及びアシストガスの供給によって除去されてしまっ
ている。
【００２３】実施の形態２．タイバーの厚みが増加する
ほどレーザービーム１２の照射時間は長く必要となる。
しかし、単純にレーザービーム１２の照射期間を長くす
るのみでは、照射期間が後になるほど、照射前に塗布さ
れた吸収材が減ってゆくため、レーザービームの吸収効
率は悪化する。この実施の形態はかかる事態を回避する
ものである。
ほどレーザービーム１２の照射時間は長く必要となる。
しかし、単純にレーザービーム１２の照射期間を長くす
るのみでは、照射期間が後になるほど、照射前に塗布さ
れた吸収材が減ってゆくため、レーザービームの吸収効
率は悪化する。この実施の形態はかかる事態を回避する
ものである。
【００２４】図６は実施の形態２においてレーザービー
ム１２を照射するタイミングと、吸収材、アシストガス
の供給のタイミングとを示すグラフである。
ム１２を照射するタイミングと、吸収材、アシストガス
の供給のタイミングとを示すグラフである。
【００２５】レーザービーム１２はその照射／非照射が
それぞれ１０ｍｓ／３０ｍｓで繰り返される。非照射の
期間は照射時間の数倍程度に設定される。アシストガス
が供給される期間Ｔａは少なくともレーザービーム１２
が照射される期間をカバーする。その一方、吸収材が噴
霧される期間Ｔｃはレーザービーム１２が照射していな
い期間内に設定される。
それぞれ１０ｍｓ／３０ｍｓで繰り返される。非照射の
期間は照射時間の数倍程度に設定される。アシストガス
が供給される期間Ｔａは少なくともレーザービーム１２
が照射される期間をカバーする。その一方、吸収材が噴
霧される期間Ｔｃはレーザービーム１２が照射していな
い期間内に設定される。
【００２６】このようにレーザービーム１２を間欠的に
照射し、レーザービーム１２が照射していない期間にタ
イバーへ吸収材を噴霧することによって、レーザービー
ム１２が照射している期間における吸収材の残存量を高
めることができる。つまり、レーザービーム１２を高い
吸収率で吸収する状態を長く保つことができる。
照射し、レーザービーム１２が照射していない期間にタ
イバーへ吸収材を噴霧することによって、レーザービー
ム１２が照射している期間における吸収材の残存量を高
めることができる。つまり、レーザービーム１２を高い
吸収率で吸収する状態を長く保つことができる。
【００２７】そのため、単に一回吸収材を塗布し、その
後に連続してレーザービーム１２をタイバーに照射する
場合よりもタイバーの切断状態を安定に保つことができ
る。
後に連続してレーザービーム１２をタイバーに照射する
場合よりもタイバーの切断状態を安定に保つことができ
る。
【００２８】例えば上記条件下でレーザービーム１２の
照射／非照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．２ｍｍ
のタイバー２１ａを切断することができる。
照射／非照射を１０回繰り返すことで、厚さ０．２ｍｍ
のタイバー２１ａを切断することができる。
【００２９】勿論、レーザービーム１２が照射している
期間においても吸収材を供給しても良い。レーザービー
ム１２が照射している期間において吸収材を塗布しよう
としてもレーザービーム１２によって迅速に除去され、
タイバーに吸収材が付着しにくい。しかし、連続的に吸
収材をタイバー近傍に供給する方が、間欠的に供給する
よりも制御が容易であるという利点がある。つまり、装
置の構成が簡易となる。
期間においても吸収材を供給しても良い。レーザービー
ム１２が照射している期間において吸収材を塗布しよう
としてもレーザービーム１２によって迅速に除去され、
タイバーに吸収材が付着しにくい。しかし、連続的に吸
収材をタイバー近傍に供給する方が、間欠的に供給する
よりも制御が容易であるという利点がある。つまり、装
置の構成が簡易となる。
【００３０】但し、吸収材の節約という点では間欠的に
これを供給する方が望ましいことは当然である。
これを供給する方が望ましいことは当然である。
【００３１】
【発明の効果】この発明のうち請求項１にかかるタイバ
ー切断方法によれば、間欠的にレーザーを照射してタイ
バーを切断するので、レーザーが照射されていない期間
が存在する。この期間において吸収材をタイバーに噴霧
するので、タイバーは吸収材が付着した状態でレーザー
を受け、効率よくレーザーのエネルギーを吸収し、タイ
バーの切断が安定する。これによって、切断面へのドロ
スの付着が防止されるのでドロス除去の為の後処理が不
要となり、また所望の切断形状を得ることが容易とな
る。
ー切断方法によれば、間欠的にレーザーを照射してタイ
バーを切断するので、レーザーが照射されていない期間
が存在する。この期間において吸収材をタイバーに噴霧
するので、タイバーは吸収材が付着した状態でレーザー
を受け、効率よくレーザーのエネルギーを吸収し、タイ
バーの切断が安定する。これによって、切断面へのドロ
スの付着が防止されるのでドロス除去の為の後処理が不
要となり、また所望の切断形状を得ることが容易とな
る。
【００３２】この発明のうち請求項２にかかるタイバー
切断方法によれば、吸収材の噴霧を連続的に行うことが
できるので、吸収材の噴霧に必要な装置は簡易な構成で
足りる。
切断方法によれば、吸収材の噴霧を連続的に行うことが
できるので、吸収材の噴霧に必要な装置は簡易な構成で
足りる。
【００３３】この発明のうち請求項３にかかるタイバー
切断方法によれば、吸収材はレーザー照射時に噴霧され
てもタイバーに十分付着しないままレーザーによって除
去されてしまう。つまりレーザー照射時に噴霧される吸
収材はタイバーの切断に寄与する度合いが小さい。従っ
て、レーザー照射時に吸収材を噴霧しないことにより、
タイバー切断の効率を殆ど妨げることなく吸収材を節約
することができる。
切断方法によれば、吸収材はレーザー照射時に噴霧され
てもタイバーに十分付着しないままレーザーによって除
去されてしまう。つまりレーザー照射時に噴霧される吸
収材はタイバーの切断に寄与する度合いが小さい。従っ
て、レーザー照射時に吸収材を噴霧しないことにより、
タイバー切断の効率を殆ど妨げることなく吸収材を節約
することができる。
【００３４】この発明のうち請求項４にかかるタイバー
切断装置によれば、レーザー装置がレーザーの照射を制
御し、吸収材供給制御部が吸収材の供給を制御するの
で、請求項１乃至請求項３のタイバー切断方法を実現す
ることができる。
切断装置によれば、レーザー装置がレーザーの照射を制
御し、吸収材供給制御部が吸収材の供給を制御するの
で、請求項１乃至請求項３のタイバー切断方法を実現す
ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１の構成を示す模式図
である。
である。
【図２】 この発明の実施の形態１の構成を示す斜視図
である。
である。
【図３】 この発明の実施の形態１の動作を示すグラフ
である。
である。
【図４】 この発明の実施の形態１の動作を示す平面図
である。
である。
【図５】 この発明の実施の形態１の動作を示す平面図
である。
である。
【図６】 この発明の実施の形態２の動作を示すグラフ
である。
である。
【図７】 従来の技術を示す断面図である。
【図８】 従来の技術を示す平面図である。
１１ レーザー発振器、１２ レーザービーム、２１ａ
タイバー、３２ 吸収材、１５ スプレーノズル、１
５１ レーザー吸収材供給制御部。
タイバー、３２ 吸収材、１５ スプレーノズル、１
５１ レーザー吸収材供給制御部。
Claims (4)
- 【請求項１】 （ａ）半導体装置のタイバーにレーザー
を間欠的に照射する工程と、 （ｂ）少なくとも前記レーザーが照射されていない期間
において、前記レーザーを吸収する吸収材を噴霧して前
記タイバーに付着させる工程とを備えるタイバー切断方
法。 - 【請求項２】 前記工程（ｂ）において、前記吸収材は
前記レーザーが照射されている期間にも噴霧される、請
求項１記載のタイバー切断方法。 - 【請求項３】 前記工程（ｂ）において、前記吸収材は
前記レーザーが照射されている期間には噴霧されない、
請求項１記載のタイバー切断方法。 - 【請求項４】 半導体装置のタイバーに間欠的に照射さ
れるレーザーを制御するレーザー装置と、 前記タイバーに前記レーザーを吸収する吸収材を噴霧す
る噴霧部と、 前記吸収材を、少なくとも前記レーザーが照射されてい
ない期間において供給する吸収材供給制御部とを備える
タイバー切断装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057898A JPH09252069A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | タイバー切断方法及びタイバー切断装置 |
| KR1019960052722A KR970067819A (ko) | 1996-03-14 | 1996-11-08 | 지지봉 절단방법 및 지지봉 절단장치 |
| CN96119792A CN1159967A (zh) | 1996-03-14 | 1996-12-13 | 系杆切割方法和系杆切割装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057898A JPH09252069A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | タイバー切断方法及びタイバー切断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09252069A true JPH09252069A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13068818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8057898A Pending JPH09252069A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | タイバー切断方法及びタイバー切断装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09252069A (ja) |
| KR (1) | KR970067819A (ja) |
| CN (1) | CN1159967A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9324723B2 (en) | 2002-04-18 | 2016-04-26 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same |
| CN109023350A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-18 | 华侨大学 | 一种喷雾增强吸收激光熔覆的装置及其方法 |
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