JPH09252045A - ウェハ保持装置 - Google Patents

ウェハ保持装置

Info

Publication number
JPH09252045A
JPH09252045A JP5874196A JP5874196A JPH09252045A JP H09252045 A JPH09252045 A JP H09252045A JP 5874196 A JP5874196 A JP 5874196A JP 5874196 A JP5874196 A JP 5874196A JP H09252045 A JPH09252045 A JP H09252045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck
wafer
additional
flat plate
hook
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5874196A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Yasuike
則之 安池
Haruhiko Yamamoto
治彦 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP5874196A priority Critical patent/JPH09252045A/ja
Publication of JPH09252045A publication Critical patent/JPH09252045A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイヤフラム構造を有する半導体装置と他の
半導体装置のウェハ検査とを両立させることのできるウ
ェハ保持装置を提供する。 【解決手段】 増設チャック部1は、直径6インチ,厚
さ2mmの金属製円盤を、6インチウェハの有効エリア
2と金属製円盤の外周部3を除いた残りの領域だけ、裏
面からリング状に厚さ1mmまでくり抜いた溝部4を形
成する。そして、金属製円盤の溝部4が形成された部分
に、表面から裏面にかけて一様に分布した無数の微細孔
が形成された吸引部5を形成し、金属製円盤の裏面にお
ける溝部4の縁部に真空保持部材としてのリング状のパ
ッキング6を取り付ける。そして、金属製円盤の側面の
所望の位置にはチャック部に着脱自在に固着させるため
のフック部7が取り付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハ保持装置に
関するものであり、特にウェハ検査に使用されるウェハ
プローバのチャック部に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のウェハプローバは、ウェハ上に造
り込まれた多数の半導体チップの電極にプローブ針を接
続して電気的特性を試験するための装置であり、主な構
成としては、ウェハを搬送するウェハ搬送部(図示せ
ず)と、プローブ針を電極に接続させて電気的特性を試
験するプローブ部(図示せず)と、ウェハを真空吸着し
てウェハを上下左右に移動させるチャック部9とから成
り、チャック部9は、図3に示すように、円柱状に形成
されるとともに、表面から裏面にかけて一様に分布した
無数の微細孔が形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成のウェハプローバにおいては、ダイヤフラム構造
を有する半導体装置のウェハ検査を行う場合、チャック
部9の平板面全面に微細孔が設けられている構成上、ウ
ェハのダイヤフラムの部分が真空吸着による圧力の影響
下に曝されてしまい、無圧力下での電気的特性の検査が
できないという問題があった。
【0004】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、ダイヤフラム構造を
有する半導体装置と他の半導体装置のウェハ検査を両立
させることのできるウェハ保持装置を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
少なくとも一方の面が平板状に形成され、ウェハを真空
吸着して保持するチャック部を有して成るウェハ保持装
置において、平板状に形成され、平板面の少なくとも外
周部近傍に表面から裏面にかけて一様に分布した微細孔
を有して成る吸引部を有して成る増設チャック部を別途
設け、前記チャック部の平板面と前記増設チャック部の
平板面とを着脱自在に固着させるようにしたことを特徴
とするものである。
【0006】請求項2記載の発明は、請求項1記載のウ
ェハ保持装置において、前記チャック部の平板面に固着
される前記増設チャック部の平板面における、前記吸引
部の縁部に真空保持部材を設けたことを特徴とするもの
である。
【0007】請求項3記載の発明は、請求項2記載のウ
ェハ保持装置において、前記真空保持部材としてパッキ
ングを用いたことを特徴とするものである。
【0008】請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求
項3記載のウェハ保持装置において、前記着脱自在に固
着させる手段として、前記チャック部及び前記増設チャ
ックの少なくとも一方にフック係止部を設け、他方にフ
ック部を設け、前記フック係止部と前記フック部とを係
止させることにより固着させるようにしたことを特徴と
するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。なお、本実施形態は、ウェハ
プローバのチャック部に関するものであるため、ここで
はチャック部についてのみ説明し、また、説明の便宜上
6インチウェハを用いた場合について説明する。図1
は、本発明の一実施形態に係る増設チャック部1を示す
模式図であり、図2は、本実施形態に係る増設チャック
部1をチャック部8に固着させた状態を示す模式図であ
る。本実施形態に係る増設チャック部1は、直径6イン
チ,厚さ2mmの金属製円盤を、6インチウェハの有効
エリア2と金属製円盤の外周部3を除いた残りの領域だ
け、裏面からリング状に厚さ1mmまでくり抜いて溝部
4を形成する。そして、金属製円盤の溝部4が形成され
た部分に、表面から裏面にかけて一様に分布した無数の
微細孔が形成された吸引部5を形成し、後述するチャッ
ク部8との密着性を向上させるために、金属製円盤の裏
面における溝部4の縁部に真空保持部材としてのリング
状のパッキング6を取り付ける。そして、金属製円盤の
側面の所望の位置には、チャック部8に着脱自在に固着
させるためのフック部7が取り付けられている。
【0010】チャック部8は、従来例として図3に示し
たチャック部9の側面にフック部7を係止させるための
フック係止部8aを取り付けた構成であり、フック係止
部8aにフック部7を係止させることにより増設チャッ
ク部1をチャック部8に着脱自在に固着させることがで
きる。
【0011】本実施形態においては、ダイヤフラム構造
を有する半導体装置のウェハ検査を実施する場合、増設
チャック部1のフック部7を、チャック部8のフック係
止部8aに係止させて増設チャック部1をチャック部8
に固着させることにより、ウェハの有効エリアが圧力の
影響下に曝されることがなく、無圧力下での電気的特性
の検査を実施することができる。また、他の半導体装置
のウェハ検査を実施する場合には、チャック部8に増設
チャック部1を固着させることなく電気的特性の検査を
実施する。
【0012】なお、本実施形態においては、直径6イン
チの金属製円盤を用いて増設チャック部1を形成した
が、これに限定される必要はなく、例えば5インチウェ
ハの検査を行う場合には、直径5インチの金属製円盤を
用いれば良く、この場合5インチウェハの有効エリアを
除いた部分に吸引部5を形成することになる。
【0013】また、金属製円盤の厚さも2mmに限定さ
れる必要はなく、増設チャック部1の材料も金属に限定
される必要はない。
【0014】また、本実施形態においては、外周部3は
ウェハを吸引しないような構成になっているが、これに
限定される必要はなく、外周部3にも吸引部5を形成す
るようにしても良い。
【0015】更に、本実施形態においては、フック係止
部8aにフック部7を係止させることにより増設チャッ
ク部1をチャック部8に着脱自在に固着させるようにし
たが、これに限定される必要はなく、例えば磁力により
固着させるようにしても良い。
【0016】また、本実施形態においては吸引部5を一
様に分布した無数の微細孔を形成することにより構成し
たが、これに限定される必要はなく、ウェハを吸引でき
るような構成になっていれば良く、例えば金属製円盤の
表面から裏面にかけて貫通した開口部を設けるようにし
ても良い。
【0017】
【発明の効果】請求項1記載の発明は、少なくとも一方
の面が平板状に形成され、ウェハを真空吸着して保持す
るチャック部を有して成るウェハ保持装置において、平
板状に形成され、平板面の少なくとも外周部近傍に表面
から裏面にかけて一様に分布した微細孔を有して成る吸
引部を有して成る増設チャック部を別途設け、チャック
部の平板面と増設チャック部の平板面とを着脱自在に固
着させるようにしたので、増設チャック部をチャック部
に固着させればウェハの有効エリアに圧力を印加しなく
て済み、ダイヤフラム構造を有する半導体装置の無圧力
下での電気的特性の検査を実施することができ、ダイヤ
フラム構造を有する半導体装置と他の半導体装置のウェ
ハ検査を両立させることのできるウェハ保持装置を提供
することができた。
【0018】請求項2記載の発明は、請求項1記載のウ
ェハ保持装置において、チャック部の平板面に固着され
る増設チャック部の平板面における、吸引部の縁部に真
空保持部材を設けたので、増設チャック部とチャック部
との密着性を向上させることができる。
【0019】請求項3記載の発明は、請求項2記載のウ
ェハ保持装置において、真空保持部材としてパッキング
を用いたので、増設チャック部とチャック部との密着性
を向上させることができる。
【0020】請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求
項3記載のウェハ保持装置において、着脱自在に固着さ
せる手段として、チャック部及び増設チャックの少なく
とも一方にフック係止部を設け、他方にフック部を設け
たので、フック部をフック係止部に係止させることによ
り増設チャック部をチャック部に着脱自在に固着させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る増設チャック部を示
す模式図である。
【図2】本実施形態に係る増設チャック部をチャック部
に固定させた状態を示す模式図である。
【図3】従来例に係るチャック部の一部を示す模式図で
ある。
【符号の説明】
1 増設チャック部 2 有効エリア 3 外周部 4 溝部 5 吸引部 6 パッキング 7 フック部 8 チャック部 8a フック係止部 9 チャック部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一方の面が平板状に形成さ
    れ、ウェハを真空吸着して保持するチャック部を有して
    成るウェハ保持装置において、平板状に形成され、平板
    面の少なくとも外周部近傍に表面から裏面にかけて一様
    に分布した微細孔を有して成る吸引部を有して成る増設
    チャック部を別途設け、前記チャック部の平板面と前記
    増設チャック部の平板面とを着脱自在に固着させるよう
    にしたことを特徴とするウェハ保持装置。
  2. 【請求項2】 前記チャック部の平板面に固着される前
    記増設チャック部の平板面における、前記吸引部の縁部
    に真空保持部材を設けたことを特徴とする請求項1記載
    のウェハ保持装置。
  3. 【請求項3】 前記真空保持部材としてパッキングを用
    いたことを特徴とする請求項2記載のウェハ保持装置。
  4. 【請求項4】 前記着脱自在に固着させる手段として、
    前記チャック部及び前記増設チャックの少なくとも一方
    にフック係止部を設け、他方にフック部を設け、前記フ
    ック係止部と前記フック部とを係止させることにより固
    着させるようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求
    項3記載のウェハ保持装置。
JP5874196A 1996-03-15 1996-03-15 ウェハ保持装置 Pending JPH09252045A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5874196A JPH09252045A (ja) 1996-03-15 1996-03-15 ウェハ保持装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5874196A JPH09252045A (ja) 1996-03-15 1996-03-15 ウェハ保持装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09252045A true JPH09252045A (ja) 1997-09-22

Family

ID=13092960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5874196A Pending JPH09252045A (ja) 1996-03-15 1996-03-15 ウェハ保持装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09252045A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999024976A1 (en) * 1997-11-12 1999-05-20 First Light Technology, Inc. Improved system and method for curing a resin in a bonded storage disk
US6635844B2 (en) * 2002-01-03 2003-10-21 United Microelectronics Corp. Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser
CN109962032A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 长光华大基因测序设备(长春)有限公司 一种精密调平吸附台

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999024976A1 (en) * 1997-11-12 1999-05-20 First Light Technology, Inc. Improved system and method for curing a resin in a bonded storage disk
US6635844B2 (en) * 2002-01-03 2003-10-21 United Microelectronics Corp. Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser
CN109962032A (zh) * 2017-12-25 2019-07-02 长光华大基因测序设备(长春)有限公司 一种精密调平吸附台

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6001326B2 (ja) プローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台
JP2009295686A (ja) プロービング装置
JP4163911B2 (ja) 半導体ウェハ試験方法および半導体ウェハ試験装置
JP6741664B2 (ja) 振動特性または音響特性の解析に基づくウェハのクランプ検出
JPH09252045A (ja) ウェハ保持装置
JP6266386B2 (ja) 半導体試験システム
US20040185585A1 (en) Method of testing semiconductor device
TW200848338A (en) Vacuum table and a method for supporting an object
JP4886909B1 (ja) ウェーハ保持具
TWI618936B (zh) 用於測試半導體晶粒之裝置及方法
JP3713571B2 (ja) ウェーハ形状検査方法およびその装置
JP2005056909A (ja) 半導体ウエハの吸着固定方法
JP4477183B2 (ja) 回路基板検査方法および回路基板検査装置
JP3112512B2 (ja) チャックテーブルの表面状態検査方法
US11293975B2 (en) Probing device
JP2004311799A (ja) 半導体試験装置
JPS635542A (ja) 半導体ウエハプロ−バ
TWM426869U (en) Edge searching and positioning device for wafer and etching machine
TWI752686B (zh) 空中無線測試設備
JPH1068688A (ja) 硬さ試験機における試料固定方法およびその装置
TWI246149B (en) Thin wafer carrying device and the method thereof
JPH02174245A (ja) 測定物の吸着法とそれに用いられる吸着板
JP2013080842A (ja) 半導体ウエハ、半導体ウエハ検査装置、及び半導体ウエハの検査方法
JP2528509Y2 (ja) ウエハプロービング装置
JPH08153760A (ja) プローブ装置