JPH09251166A - Liquid crystal element and production of this liquid crystal element - Google Patents

Liquid crystal element and production of this liquid crystal element

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JPH09251166A
JPH09251166A JP8059663A JP5966396A JPH09251166A JP H09251166 A JPH09251166 A JP H09251166A JP 8059663 A JP8059663 A JP 8059663A JP 5966396 A JP5966396 A JP 5966396A JP H09251166 A JPH09251166 A JP H09251166A
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JP
Japan
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layer
liquid crystal
electrode
resin
crystal element
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JP8059663A
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Japanese (ja)
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Makoto Kameyama
誠 亀山
Toshiaki Yoshikawa
俊明 吉川
Atsumichi Ishikura
淳理 石倉
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the conduction between metallic wirings and transparent electrodes by preventing the peeling of these metallic wirings and the leakage of light during driving of a liquid crystal panel. SOLUTION: The metallic wirings 22,... are formed of a three-layered structure. A material having a good adhesion property is used for the first layers 22a,.... As a result, the peeling of the metallic wirings 22 is prevented. A light opaque material is used for the first layers 22a and the first layers 22a are formed broader than the other layers and are so arranged as to close the spacings S,... between the transparent electrodes. As a result, the leakage of the light from the spacings S during driving of the liquid crystal panel is prevented and the image quality is improved. Further, a hardly oxidizable material is used for the third layers 22c,.... As a result, the surface of the metallic wirings 22 are not oxidized and the electrical conductivity with the transparent electrodes 6,... is assured.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、第1及び第2の電
極によって駆動することにより電圧波形の遅延が防止さ
れる液晶素子、及び該液晶素子の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device in which delay of a voltage waveform is prevented by being driven by first and second electrodes, and a method for manufacturing the liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来用いられていた液晶表示素子用の電
極基板は、ガラス基板上にITOなどの透明電極が形成
されて構成されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally used electrode substrates for liquid crystal display elements have been constructed by forming a transparent electrode such as ITO on a glass substrate.

【0003】すなわち、図1(a) は、液晶素子(以下
“液晶パネル”とする)の構造を示す断面図であるが、
この液晶パネルP1 は、相対向するように配置された一
対の電極基板1,1(以下、“埋め込み配線基板1,
1”とする)を備えており、これらの埋め込み配線基板
1,1はシール材2によって貼り合わされて、その内部
間隙には強誘電性液晶3が保持されていた。
That is, FIG. 1 (a) is a sectional view showing the structure of a liquid crystal element (hereinafter referred to as "liquid crystal panel").
The liquid crystal panel P 1 includes a pair of electrode substrates 1 and 1 (hereinafter referred to as “embedded wiring substrate 1,
1 "), these embedded wiring boards 1 and 1 were adhered to each other by a sealing material 2, and a ferroelectric liquid crystal 3 was held in an internal gap thereof.

【0004】一方、各埋め込み配線基板1は、それぞれ
ガラス基板5を有しており、このガラス基板5の表面に
は、ストライプ状のITO透明電極6,…が形成されて
いる(同図(b) 参照)。また、これらの透明電極6,…
は、絶縁膜7や配向制御膜9によって被覆されている。
On the other hand, each embedded wiring board 1 has a glass substrate 5, and stripe-shaped ITO transparent electrodes 6, ... Are formed on the surface of the glass substrate 5 (see FIG. )). In addition, these transparent electrodes 6, ...
Are covered with an insulating film 7 and an orientation control film 9.

【0005】そして、このような液晶パネルP1 は、透
明電極6,…に電圧を印加して駆動されていた。
In addition, such a liquid crystal panel P 1 is driven by applying a voltage to the transparent electrodes 6, ....

【0006】ところで、近年、液晶パネルの高精細化や
大面積化が望まれているが、透明電極6,…の抵抗値
(比抵抗)は200〜4000×10-6Ωm程度と高い
ことから、電圧波形の遅延が問題となっていた。
By the way, in recent years, there has been a demand for higher definition and larger area of the liquid crystal panel, but since the resistance value (specific resistance) of the transparent electrodes 6, ... Is as high as about 200 to 4000 × 10 −6 Ωm. However, the delay of the voltage waveform was a problem.

【0007】なお、このような電圧波形の遅延を解決す
る方法としては、透明電極6,…を厚くする方法が考え
られるが、その方法によれば、透過率が下がって透明電
極6,…が認識されて表示品質が悪化したり、成膜に時
間やコストがかかったり、透明電極6,…の基板への密
着性も悪くなる等の問題が生じ、実用的では無かった。
As a method of solving such a delay of the voltage waveform, a method of thickening the transparent electrodes 6, ... Is conceivable. According to this method, the transmittance is lowered and the transparent electrodes 6 ,. This is not practical because it causes problems such as deterioration in display quality, time and cost required for film formation, and poor adhesion of the transparent electrodes 6, ... To the substrate.

【0008】そこで、このような電圧波形の遅延を回避
するための液晶パネルとして、図2(a) 及び(b) に示す
構造のものが、特開平2−63019号公報等に開示さ
れている。
Therefore, as a liquid crystal panel for avoiding such a voltage waveform delay, a liquid crystal panel having a structure shown in FIGS. 2A and 2B is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2-63019. .

【0009】この液晶パネルP2 は、図2(a) に示すよ
うに、相対向するように配置された一対の電極基板1
0,10(以下、“埋め込み配線基板10,10”とす
る)を備えており、これらの埋め込み配線基板10,1
0はシール材2によって貼り合わされて、その内部間隙
には強誘電性液晶3が保持されている。
As shown in FIG. 2A, the liquid crystal panel P 2 has a pair of electrode substrates 1 arranged so as to face each other.
0, 10 (hereinafter, referred to as “embedded wiring boards 10, 10”), and these embedded wiring boards 10, 1
The reference numeral 0 is attached by the sealing material 2, and the ferroelectric liquid crystal 3 is held in the internal gap.

【0010】また、各埋め込み配線基板10は、図2
(b) に詳示するように、ガラス基板11を有しており、
ガラス基板11の表面には、ストライプ状の金属配線1
2,…が所定間隙を開けた状態に配置されている。さら
に、金属配線12,…の間隙には樹脂13,…が充填さ
れて、これら電極12,…と樹脂13,…とによって1
つの面が形成されており、この面には、各金属配線1
2,…に沿うように透明電極6,…が配置されている。
またさらに、透明電極6,…は、絶縁膜7や配向制御膜
9によって被覆されている。
Further, each embedded wiring board 10 is shown in FIG.
As shown in detail in (b), it has a glass substrate 11,
On the surface of the glass substrate 11, there are stripe-shaped metal wirings 1.
2, ... Are arranged with a predetermined gap therebetween. Further, the gap between the metal wirings 12, ... Is filled with a resin 13 ,.
One surface is formed on this surface and each metal wiring 1
The transparent electrodes 6, ... Are arranged along the lines 2 ,.
Furthermore, the transparent electrodes 6, ... Are covered with an insulating film 7 and an orientation control film 9.

【0011】次に、このような液晶パネルの製造方法に
ついて、図3(a) 〜(h) に沿って説明する。 (第1電極形成工程)まず、スパッタリング法やフォト
リソグラフィ法等を利用して、厚さが1μm程度の金属
配線12,…をガラス基板11の表面に形成し、図3
(b) に示すような配線基板A1 を得る(以下、配線基板
1 における金属配線12,…の形成された側の面を
“配線面15”とする)。 (樹脂充填工程)次に、定量供給装置としてのディスペ
ンサー17を用い、紫外線硬化樹脂等の樹脂モノマー液
13Lを、平滑板16の平滑な表面に所定量だけ滴下す
る(同図(a) 参照。以下、この樹脂13を“UV硬化型
樹脂13”と称すると共に、硬化される前の液状の樹脂
を符号13Lで表し、硬化後の樹脂を符号13Sで表
し、特に区別を要しない場合は単に“樹脂13”とす
る)。
Next, a method of manufacturing such a liquid crystal panel will be described with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (h). (First Electrode Forming Step) First, metal wirings 12 having a thickness of about 1 μm are formed on the surface of the glass substrate 11 by using a sputtering method, a photolithography method, or the like, and then, as shown in FIG.
A wiring board A 1 as shown in (b) is obtained (hereinafter, the surface of the wiring board A 1 on which the metal wirings 12, ... Are formed is referred to as a “wiring surface 15”). (Resin Filling Step) Next, a predetermined amount of the resin monomer liquid 13L such as an ultraviolet curable resin is dropped on the smooth surface of the smooth plate 16 by using the dispenser 17 as a constant amount supply device (see FIG. 3A). Hereinafter, this resin 13 will be referred to as "UV curable resin 13", the liquid resin before being cured will be represented by reference numeral 13L, and the resin after curing will be represented by reference numeral 13S. Resin 13 ").

【0012】そして、樹脂13Lの滴下された平滑板表
面と、配線基板A1 の配線面15とを合わせ(同図(b)
参照)、平滑板16と配線基板A1 とによって樹脂13
Lを挟み込むようにする(以下、このように配線基板A
1 と平滑板16とによって構成される構造体を“被加圧
体A2 ”とする)。これにより、配線基板A1 の配線面
15、すなわち、金属配線12,…の形成された部分
に、樹脂13Lが供給されることとなる。
Then, the surface of the smooth plate onto which the resin 13L has been dropped is aligned with the wiring surface 15 of the wiring board A 1 (FIG. 1 (b)).
Resin) by the smooth plate 16 and the wiring board A 1.
L is sandwiched between (hereinafter, wiring board A
1 and the structure formed by the smooth plate 16 and "the pressure body A 2"). As a result, the resin 13L is supplied to the wiring surface 15 of the wiring board A 1 , that is, the portion where the metal wirings 12, ... Are formed.

【0013】本工程においては、図3(c) 及び(d) に示
すようなプレス機19が用いられる。このプレス機19
は、被加圧体A2 を載置する下板19bを備えており、
その上方には、矢印F1 の方向に駆動される上板19a
が配置されている。
In this step, a press machine 19 as shown in FIGS. 3 (c) and 3 (d) is used. This press machine 19
Includes a lower plate 19b on which the body A 2 to be pressed is placed,
Above it, an upper plate 19a driven in the direction of arrow F 1
Is arranged.

【0014】そして、本工程においては、上述した被加
圧体A2 をプレス機19の上板19aと下板19bとの
間にセットし、プレス機19を駆動する。これにより、
上板19aが矢印F1 の方向に駆動され(同図(d) 参
照)、被加圧体A2 は上板19aと下板19bとによっ
て加圧される。このとき、金属配線12,…の表面や、
金属配線12,…の間隙に供給された樹脂13Lは、平
滑板16に接触しており、これらの表面は平滑板16に
よって加圧される。なお、この加圧は、基板全面に亘っ
て均一な、かつ所定以上の加圧力で行なう。
Then, in this step, the above-mentioned pressed body A 2 is set between the upper plate 19a and the lower plate 19b of the press machine 19 and the press machine 19 is driven. This allows
The upper plate 19a is driven in the direction of the arrow F 1 (see FIG. 7D), and the pressure-sensitive body A 2 is pressed by the upper plate 19a and the lower plate 19b. At this time, the surface of the metal wiring 12, ...
The resin 13L supplied to the gap between the metal wirings 12, ... Is in contact with the smooth plate 16, and the surface of these is pressed by the smooth plate 16. The pressure is applied uniformly over the entire surface of the substrate and at a predetermined pressure or more.

【0015】これにより、金属配線12,…の表面から
は樹脂13Lが排除されて金属配線12,…の間隙に充
填され、UV硬化樹脂13Lと金属配線12,…とは平
滑な面を形成することとなる。なお、このように金属配
線12,…の表面から樹脂13Lを排除しておくこと
は、透明電極6,…との導通性を確保する上で重要とな
る。 (樹脂硬化工程)次に、プレス機19による加圧を解除
し、被加圧体A2 をプレス機19から取り出す。そし
て、被加圧体A2 のUV硬化樹脂13Lにガラス基板1
1の側から紫外線L1(以下、“UV光L1”とする)
を照射し、樹脂13Lを完全に硬化させる(同図(e) 参
照)。 (剥離工程)その後、不図示の離型治具によって図3
(f) に示す矢印F2 の方向に力を加え、平滑板16を配
線基板A1 から剥離する(同図(g) 参照)。 (その他の工程)その後、第2電極形成工程を実施して
透明電極6,…を形成し(同図(h) 参照)、さらに絶縁
膜7や配向制御膜9を形成し、図2に示したような液晶
パネルを作成する。なお、樹脂13Sは、金属配線1
2,…の表面から排除されているため、透明電極6,…
と金属配線12,…とは良好に接触されて導通性が確保
されている。
As a result, the resin 13L is removed from the surfaces of the metal wirings 12, ... And filled in the gap between the metal wirings 12, .. The UV curing resin 13L and the metal wirings 12 ,. It will be. It is important to remove the resin 13L from the surfaces of the metal wirings 12, ... In this way in order to ensure electrical continuity with the transparent electrodes 6 ,. (Resin Curing Step) Next, the pressure applied by the press machine 19 is released, and the body A 2 to be pressed is taken out of the press machine 19. Then, the glass substrate 1 is attached to the UV curable resin 13L of the pressed body A 2.
Ultraviolet ray L1 from the 1 side (hereinafter referred to as "UV light L1")
Is irradiated to completely cure the resin 13L (see (e) in the same figure). (Peeling step) After that, a releasing jig (not shown)
A force is applied in the direction of arrow F 2 shown in (f) to separate the smoothing plate 16 from the wiring board A 1 (see (g) in the figure). (Other steps) After that, the second electrode forming step is performed to form the transparent electrodes 6, ... (Refer to FIG. 6 (h)), and further the insulating film 7 and the orientation control film 9 are formed, as shown in FIG. Create a liquid crystal panel like this. The resin 13S is the metal wiring 1
Since it is excluded from the surface of 2, ..., Transparent electrodes 6, ...
The metal wirings 12, ... Are satisfactorily contacted with each other to ensure electrical conductivity.

【0016】ところで、上述した金属配線12,…に
は、低抵抗であり、膜厚を薄く設定(成膜)でき、材料
費が安価な材料を用いる必要があり、そのため、比抵抗
値が2.0×10-8Ωmと低く、その他の条件も満足す
る銅(Cu)が用いられていた。
By the way, it is necessary to use a material having a low resistance, a thin film thickness (deposition), and a low material cost for the above-mentioned metal wirings 12 ,. Copper (Cu) that is as low as 0.0 × 10 −8 Ωm and satisfies other conditions was used.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Cu
は、ガラス基板や、絶縁層・カラーフィルタ等の樹脂と
の密着性に劣り、上記剥離工程において平滑板16を剥
離させる際に金属配線12,…もまた平滑板16と共に
剥離されてしまうことが多かった。このため、製造歩留
りが大幅に低下してしまうという問題があった。
However, Cu
Has poor adhesion to a glass substrate or a resin such as an insulating layer or a color filter, and the metal wirings 12, ... May also be peeled together with the smooth plate 16 when the smooth plate 16 is peeled in the peeling step. There were many. Therefore, there is a problem that the manufacturing yield is significantly reduced.

【0018】また、Cuはもともと酸化されやすい金属
であるため、透明電極6,…を形成するまでの間に金属
配線12,…の表面が酸化されてしまい、透明電極6,
…との電気的導通が得られない問題があった。
Further, since Cu is a metal that is easily oxidized, the surfaces of the metal wirings 12, ... Are oxidized until the transparent electrodes 6, ... Are formed, and the transparent electrodes 6 ,.
There was a problem that electrical continuity with ... could not be obtained.

【0019】一方、図4は埋め込み配線基板10の構造
を示す拡大断面図であるが、この埋め込み配線基板10
においては、ショート防止の観点から、隣接される透明
電極6,…相互の間には間隙S,…が設けられていた。
しかし、このような間隙S,…を設けた場合には、それ
らの間隙S,…に相当する部分の液晶3は駆動されず、
符号L2で示すような漏れ光が生じてしまい、液晶パネ
ルの画質を劣化させるという問題があった。
On the other hand, FIG. 4 is an enlarged sectional view showing the structure of the embedded wiring board 10.
In order to prevent a short circuit, the gaps S, ... Are provided between the adjacent transparent electrodes 6 ,.
However, when such gaps S, ... Are provided, the liquid crystal 3 in the portions corresponding to those gaps S ,.
There is a problem that leaked light as indicated by reference numeral L2 is generated and the image quality of the liquid crystal panel is deteriorated.

【0020】そこで、本発明は、電圧波形の遅延が解消
されて、高精細化並びに大面積化に対応可能な液晶素子
を提供することを目的とするものである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a liquid crystal element in which the delay of the voltage waveform is eliminated and which is capable of achieving high definition and large area.

【0021】また、本発明は、第1電極の剥離の低減に
より製造歩留りを向上させて安価にした液晶素子を提供
することを目的とするものである。
It is another object of the present invention to provide a liquid crystal device which is manufactured at a low cost by improving the manufacturing yield by reducing the peeling of the first electrode.

【0022】さらに、本発明は、材料コストを低減して
安価な液晶素子を提供することを目的とするものであ
る。
A further object of the present invention is to provide a low cost liquid crystal device with reduced material cost.

【0023】またさらに、本発明は、第1電極と第2電
極との導通を確保して表示品質に優れた液晶素子を提供
することを目的とするものである。
Still another object of the present invention is to provide a liquid crystal element having excellent display quality by ensuring conduction between the first electrode and the second electrode.

【0024】また、本発明は、第2電極相互の間隙から
の光の漏れを防止する液晶素子を提供することを目的と
するものである。
It is another object of the present invention to provide a liquid crystal element that prevents light from leaking from the gap between the second electrodes.

【0025】さらに、本発明は、上述した種々の効果を
有するカラー液晶素子を提供することを目的とするもの
である。
A further object of the present invention is to provide a color liquid crystal device having the above-mentioned various effects.

【0026】またさらに、本発明は、上述した種々の効
果を有する液晶素子の製造方法を提供することを目的と
するものである。
Still another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal element having the above-mentioned various effects.

【0027】また、本発明は、安価な液晶素子の製造方
法を提供することを目的とするものである。
Another object of the present invention is to provide an inexpensive method for manufacturing a liquid crystal element.

【0028】さらに本発明は、耐食性に富む液晶素子を
製造する液晶素子の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
A further object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal device which manufactures a liquid crystal device having excellent corrosion resistance.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、透明基板と、所定間隙を開け
た状態で前記透明基板の表面に形成された複数の第1電
極と、これら複数の第1電極の相互の間隙に充填された
樹脂と、所定間隙を開けた状態で前記第1電極及び前記
樹脂の表面に形成された複数の第2電極と、を備えた液
晶素子において、前記第1電極が、前記透明基板表面に
接触するように配置された第1層と、該第1層に積層さ
れた第2層と、を少なくとも有し、前記第1層を、前記
透明基板に対する密着力が強い材料で形成し、かつ、前
記第2層が、前記第2電極と共に駆動信号を伝達する、
ことを特徴とする。この場合、前記第1層を、Ni、M
o若しくはそれらの合金によって形成して、該第1層と
前記透明基板との密着力を強くしても良い。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a transparent substrate and a plurality of first electrodes formed on the surface of the transparent substrate with a predetermined gap left therebetween. A liquid crystal device including a resin filled in a gap between the plurality of first electrodes, and a plurality of second electrodes formed on the surfaces of the first electrode and the resin with a predetermined gap left therebetween. In, the first electrode has at least a first layer arranged so as to be in contact with the surface of the transparent substrate, and a second layer laminated on the first layer, wherein the first layer is It is formed of a material having strong adhesion to a transparent substrate, and the second layer transmits a drive signal together with the second electrode.
It is characterized by the following. In this case, the first layer is formed of Ni, M
It may be formed of o or an alloy thereof to increase the adhesion between the first layer and the transparent substrate.

【0030】一方、前記第1電極が、前記第2層を被覆
するように積層された第3層を有し、かつ、該第3層
が、前記第2層よりも酸化されにくい材料で形成され
た、ようにしてもよい。この場合、前記第3層が、N
i、Mo若しくはそれらの合金によって形成された、よ
うにしてもよい。
On the other hand, the first electrode has a third layer laminated so as to cover the second layer, and the third layer is formed of a material which is less likely to be oxidized than the second layer. It may be done. In this case, the third layer is N
It may be formed of i, Mo or an alloy thereof.

【0031】また一方、前記第1層が、非透光性の材料
で形成されると共に、前記第2電極の間隙の少なくとも
一部を遮蔽するように配置された、ようにすると好まし
い。この場合、前記第1電極の第1層が、前記第2層や
前記第3層よりも広い幅で形成された、ようにしてもよ
い。
On the other hand, it is preferable that the first layer is formed of a non-translucent material and is arranged so as to shield at least a part of the gap between the second electrodes. In this case, the first layer of the first electrode may be formed wider than the second layer and the third layer.

【0032】一方、前記第1電極の第2層が銅にて形成
された、ようにしてもよい。また、前記透明基板がガラ
ス基板である、ようにしてもよい。さらに、前記透明基
板が、ガラス基板と、該ガラス基板の表面に形成された
カラーフィルタ層と、によって構成されてなる、ように
してもよい。またさらに、前記樹脂が、紫外線の照射を
受けて硬化される紫外線硬化型の樹脂である、ようにし
てもよい。また、前記第2電極が、ITO等によって形
成された透明電極である、ようにしてもよい。
On the other hand, the second layer of the first electrode may be made of copper. Further, the transparent substrate may be a glass substrate. Furthermore, the transparent substrate may include a glass substrate and a color filter layer formed on the surface of the glass substrate. Furthermore, the resin may be an ultraviolet curable resin that is cured by being irradiated with ultraviolet rays. Further, the second electrode may be a transparent electrode made of ITO or the like.

【0033】一方、本発明に係る液晶素子の製造方法
は、複数の第1電極を所定間隙を開けた状態に透明基板
の表面に形成する第1電極形成工程と、これら複数の第
1電極の相互の間隙に樹脂を充填する樹脂充填工程と、
該樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、所定間隙を開けた
状態に複数の第2電極を前記第1電極及び前記樹脂の表
面に形成する第2電極形成工程と、を備えた液晶素子の
製造方法において、前記第1電極形成工程にてスパッタ
リング法等の真空成膜技術を用い、前記第1電極を、前
記透明基板表面に接触するように配置された第1層と、
該第1層に積層された第2層とによって形成し、かつ、
前記第1層を、前記透明基板に対する密着力が強い材料
で形成した、ことを特徴とする。
On the other hand, in the method of manufacturing a liquid crystal element according to the present invention, a first electrode forming step of forming a plurality of first electrodes on a surface of a transparent substrate with a predetermined gap therebetween, and a step of forming the plurality of first electrodes A resin filling step of filling the resin into the mutual gap,
A method of manufacturing a liquid crystal element, comprising: a resin curing step of curing the resin; and a second electrode forming step of forming a plurality of second electrodes on the surfaces of the first electrode and the resin with a predetermined gap left therebetween. In the step of forming the first electrode, a first layer arranged so that the first electrode is in contact with the surface of the transparent substrate by using a vacuum film forming technique such as a sputtering method,
And a second layer laminated on the first layer, and
The first layer is formed of a material having a strong adhesion to the transparent substrate.

【0034】この場合、前記第1電極形成工程にて、前
記第2層を被覆するように第3層を積層させ、かつ、該
第3層を、前記第2層よりも酸化されにくい材料で形成
した、ようにしてもよい。また、前記第1層を、非透光
性の材料で形成すると共に、前記第2電極の間隙の少な
くとも一部を遮蔽するように配置した、ようにしてもよ
い。さらに、前記第1層をスパッタリング法等の真空成
膜技術によって形成し、前記第2層及び前記第3層を湿
式めっき法によって形成しても良い。またさらに、前記
第1電極形成工程にて、前記第2層を所定形状に形成し
た後に、前記第3層を電気めっき法により形成し、前記
第2層の側面を前記第3層により覆う、ようにしてもよ
い。
In this case, in the step of forming the first electrode, the third layer is laminated so as to cover the second layer, and the third layer is made of a material which is less likely to be oxidized than the second layer. It may be formed. Further, the first layer may be formed of a non-translucent material and arranged so as to shield at least a part of the gap between the second electrodes. Further, the first layer may be formed by a vacuum film forming technique such as a sputtering method, and the second layer and the third layer may be formed by a wet plating method. Furthermore, in the first electrode forming step, after forming the second layer into a predetermined shape, the third layer is formed by an electroplating method, and the side surface of the second layer is covered with the third layer. You may do it.

【0035】なお、第1電極における透明基板に接触す
る部分が、該透明基板に対する密着力が強い材料で形成
されているため、該第1電極の剥離が防止される。
Since the portion of the first electrode that comes into contact with the transparent substrate is made of a material having a strong adhesion to the transparent substrate, peeling of the first electrode is prevented.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施の形態について説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0037】まず、本発明の第1の実施の形態につい
て、図5乃至図7に沿って説明する。
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

【0038】図5(a) は、本実施の形態に係る液晶パネ
ル(液晶素子)の構造を示す図であり、この液晶パネル
3 は、相対向するように配置された一対の電極基板2
0,20(以下、“埋め込み配線基板20,20”とす
る)を備えている。これらの埋め込み配線基板20,2
0はシール材2によって貼り合わされており、その内部
間隙には強誘電性液晶3が保持されている。
FIG. 5A is a diagram showing the structure of the liquid crystal panel (liquid crystal element) according to the present embodiment. The liquid crystal panel P 3 is a pair of electrode substrates 2 arranged so as to face each other.
0, 20 (hereinafter, referred to as "embedded wiring boards 20, 20"). These embedded wiring boards 20, 2
The reference numeral 0 is attached by the sealing material 2, and the ferroelectric liquid crystal 3 is held in the internal gap.

【0039】図5(b) は、埋め込み配線基板20の構造
を示す詳細断面図であるが、この埋め込み配線基板20
は透明なガラス基板(透明基板)11を有している。こ
のガラス基板11は、例えば、厚さ0.5〜1.1mmの
青板ガラスやホウ・硅酸ガラス(例えば、アルカリフリ
ーのコーニング社製の#7059)等で形成されてい
る。
FIG. 5B is a detailed sectional view showing the structure of the embedded wiring board 20.
Has a transparent glass substrate (transparent substrate) 11. The glass substrate 11 is formed of, for example, soda-lime glass or boro-silicate glass (for example, # 7059 manufactured by Corning, which is alkali-free) having a thickness of 0.5 to 1.1 mm.

【0040】また、このガラス基板11の表面には、略
ストライプ状の金属配線(第1電極)22,…が所定間
隙を開けた状態に多数形成されている。この金属配線2
2,…は、ガラス基板11に接触する第1層22a,…
(以下、“下地層22a,…”とする)と、下地層22
a,…の表面にCuで形成された第2層22b,…(以
下、“Cu層22b,…”とする)と、Cu層22b,
…を覆うように形成された第3層22c,…(以下、
“保護層22c,…”とする)と、によって3層に構成
されている。
On the surface of the glass substrate 11, a large number of substantially striped metal wirings (first electrodes) 22, ... Are formed with a predetermined gap. This metal wiring 2
2, ... are the first layers 22a, ...
(Hereinafter, referred to as “underlayer 22a, ...”) and the underlayer 22
The second layers 22b, ... (hereinafter referred to as “Cu layers 22b, ...”) formed of Cu on the surfaces of a ,.
The third layer 22c formed so as to cover the ...
"Protective layer 22c, ...") and three layers.

【0041】ここで、下地層22a,…は、ガラス基板
11やCu層22b,…に対する密着力が強く、しかも
非透光性の材料で形成している。具体的には、Ti、C
r、Mo、W、Al、Ta、Niもしくはそれらの合金
等の金属薄膜によって形成している。また、この下地層
22a,…は、Cu層22b,…や保護層22c,…よ
りも広い幅で形成されて、透明電極相互の間隙S,…の
全て(或は、少なくとも一部)を遮蔽するようになって
いると共に、可視光が透過しない厚さ(例えば、100
0Å程度)に形成されている。
Here, the base layers 22a, ... Are made of a non-translucent material which has a strong adhesion to the glass substrate 11 and the Cu layers 22b ,. Specifically, Ti, C
It is formed of a metal thin film such as r, Mo, W, Al, Ta, Ni or an alloy thereof. The base layers 22a, ... Are formed to have a width wider than that of the Cu layers 22b, ... And the protective layers 22c, ..., and shield all (or at least a part) of the gaps S ,. And a thickness that does not transmit visible light (for example, 100
0 Å).

【0042】また、Cu層22b,…は、厚さが1μm
程度であり、後述する透明電極(第2電極)6,…と共
に駆動信号を伝達するようになっている。
The Cu layers 22b, ... Have a thickness of 1 μm.
The drive signal is transmitted together with the transparent electrodes (second electrodes) 6, which will be described later.

【0043】さらに、保護層22c,…は、Cu層22
b,…よりも酸化の進行が遅く酸化されにくい金属、例
えば、Mo,Ta,W,Ti,Cr,Ni,Au等の金
属及びそれらの合金膜によって形成されており、その厚
さは、1000Å程度に設定されている。なお、この保
護層22c,…は、Cu層22b,…とほぼ同じ幅で形
成されている。
Further, the protective layers 22c, ... Are the Cu layers 22.
It is formed of a metal that is slower to oxidize than b, ... and is less likely to be oxidized, for example, a metal such as Mo, Ta, W, Ti, Cr, Ni, Au or an alloy film thereof, and the thickness thereof is 1000Å It is set to a degree. The protective layers 22c, ... Are formed to have substantially the same width as the Cu layers 22b ,.

【0044】そして、このような構成の金属配線22,
…の相互の間隙には樹脂13,…が充填されており、こ
の樹脂13,…の表面と、金属配線22,…の表面(す
なわち、保護層22c,…の表面)とはほぼ平滑な面を
形成している。なお、この樹脂13,…には、UV光の
照射を受けて硬化されるUV硬化型の樹脂が用いられて
いる。
Then, the metal wiring 22 having such a configuration,
Are filled with resin 13, and the surfaces of the resins 13, ... And the surfaces of the metal wirings 22, .. .. (that is, the surfaces of the protective layers 22c, ...) Are substantially smooth surfaces. Is formed. A UV-curable resin that is cured by being irradiated with UV light is used for the resins 13, ...

【0045】さらに、この平滑な面にはITO等による
透明電極(第2電極)6,…が多数形成されている。こ
の透明電極6,…は、それぞれストライプ状に形成され
ると共に、所定間隙S,…を開けて配置されており、し
かも、各金属配線22,…に沿うように形成されてい
る。
Further, a large number of transparent electrodes (second electrodes) 6, ... Made of ITO or the like are formed on this smooth surface. The transparent electrodes 6, ... Are formed in stripes, respectively, are arranged with a predetermined gap S, ... And are formed along the respective metal wirings 22 ,.

【0046】またさらに、これらの透明電極6,…は、
絶縁膜7や配向制御膜9によって被覆されている。
Furthermore, these transparent electrodes 6, ...
It is covered with the insulating film 7 and the orientation control film 9.

【0047】次に、本実施の形態における液晶パネルP
3 の製造方法について、図6に沿って説明する。 (第1電極形成工程)本工程においては、ガラス基板1
1の表面に多数の金属配線22,…を所定間隙を開けた
状態に形成する(同図(b) 参照)。
Next, the liquid crystal panel P in the present embodiment.
The manufacturing method of 3 will be described with reference to FIG. (First Electrode Forming Step) In this step, the glass substrate 1
A large number of metal wirings 22, ... Are formed on the surface of 1 in a state in which a predetermined gap is formed (see FIG. 2B).

【0048】これらの金属配線22,…を形成するに際
しては、まず、スパッタリング法等の真空成膜技術を用
いて、Ti、Cr、Mo、W、Al、Ta、Niもしく
はそれらの合金等の金属薄膜(第1層)をガラス基板1
1の表面に成膜し、次に、スパッタリング法又は湿式め
っき法等の厚膜形成技術によってCu膜(第2層)を成
膜し、さらに、Ti、Cr、Mo、W、Al、Ta、N
iもしくはそれらの合金等の金属薄膜(第3層)を、C
u膜の表面に成膜する。
In forming these metal wirings 22, ..., First, a metal such as Ti, Cr, Mo, W, Al, Ta, Ni or an alloy thereof is used by using a vacuum film forming technique such as a sputtering method. The thin film (first layer) is the glass substrate 1
1, a Cu film (second layer) is formed by a thick film forming technique such as a sputtering method or a wet plating method, and Ti, Cr, Mo, W, Al, Ta, N
i or a metal thin film (third layer) of their alloy or the like, C
A film is formed on the surface of the u film.

【0049】そして、フォトリソ法によって、これらの
3層の金属層のパターニングを行ない、上述した形状の
金属配線22,…を形成する(以下、このように金属配
線22,…の形成されたガラス基板11を“配線基板B
1 ”とし、配線基板B1 における金属配線22,…の形
成された側の面を“配線面25”とする)。
Then, the three metal layers are patterned by the photolithography method to form the metal wirings 22, ... With the above-described shape (hereinafter, the glass substrate having the metal wirings 22 ,. 11 to “wiring board B
1 ", and the surface of the wiring board B 1 on which the metal wirings 22 are formed is referred to as a" wiring surface 25 ").

【0050】なお、保護層22c,…をMo、Ta、
W、Ti、Cr、Ni等の金属及びそれらの合金膜で構
成する場合にはスパッタリング法等の真空成膜技術を使
用し、また該保護層22c,…をNi、Ni合金、Au
等で構成する場合には湿式めっき法等を使用する。
The protective layers 22c, ... Are made of Mo, Ta,
When it is composed of a metal such as W, Ti, Cr, or Ni and an alloy film thereof, a vacuum film forming technique such as a sputtering method is used, and the protective layers 22c, ... Are made of Ni, Ni alloy, Au.
When it is composed of the above, a wet plating method or the like is used.

【0051】また、下地層22a,…、Cu層22b,
…並びに保護層22c,…のパターン形成方法として
は、例えば、ケミカルエッチング法、ドライエッチング
法、マスクめっき法、リフトオフ法等の方法を用いれば
良い。 (樹脂充填工程)次に、これら多数の金属配線22,…
の相互の間隙に樹脂13Lを充填する。
Further, the underlayers 22a, ..., The Cu layer 22b,
As the pattern forming method for the protective layers 22c, ..., Chemical etching method, dry etching method, mask plating method, lift-off method, etc. may be used. (Resin filling step) Next, a large number of these metal wirings 22, ...
The resin 13L is filled in the gap between the two.

【0052】この充填に際しては、ディスペンサー17
を用い、UV硬化樹脂等の樹脂モノマー液13Lを、平
滑板16の平滑な表面に所定量だけ滴下する(同図(a)
参照)。
At the time of this filling, the dispenser 17
A predetermined amount of resin monomer liquid 13L such as UV curable resin is dripped onto the smooth surface of the smooth plate 16 by using
reference).

【0053】そして、樹脂13Lの滴下された平滑板表
面と、配線基板B1 の配線面25とを合わせ(同図(b)
参照)、平滑板16と配線基板B1 とによって樹脂13
Lを挟み込むようにする(以下、配線基板B1 と平滑板
16とによって構成される構造体を“被加圧体B2 ”と
する)。
Then, the surface of the smooth plate onto which the resin 13L has been dropped is aligned with the wiring surface 25 of the wiring board B 1 ((b) in the same figure).
Resin) by the smooth plate 16 and the wiring board B 1.
L is sandwiched between them (hereinafter, the structure constituted by the wiring board B 1 and the smooth plate 16 is referred to as “pressurized body B 2 ”).

【0054】次に、図6(c) 及び(d) に示すようなプレ
ス機19の上板19aと下板19bとの間に、上述した
被加圧体B2 をセットし、プレス機19を駆動する。こ
れにより、上板19aが矢印F1 の方向に駆動され、被
加圧体B2 は上板19aと下板19bとによって加圧さ
れる。このとき、保護層22c,…の表面や、金属配線
22,…の間隙に供給された樹脂13Lは、平滑板16
に接触しており、これらの表面は平滑板16によって加
圧される。なお、この加圧は、基板全面に亘って均一
な、かつ所定以上の加圧力で行なう。
Next, the above-mentioned pressed body B 2 is set between the upper plate 19a and the lower plate 19b of the press machine 19 as shown in FIGS. To drive. As a result, the upper plate 19a is driven in the direction of the arrow F 1 , and the body B 2 to be pressed is pressed by the upper plate 19a and the lower plate 19b. At this time, the resin 13L supplied to the surfaces of the protective layers 22c, ... And the gaps between the metal wirings 22 ,.
, And their surfaces are pressed by the smooth plate 16. The pressure is applied uniformly over the entire surface of the substrate and at a predetermined pressure or more.

【0055】これにより、保護層22c,…の表面から
は樹脂13Lが排除されて金属配線22,…の間隙に充
填され、UV硬化樹脂13Lと保護層22c,…とは平
滑な面を形成することとなる。なお、保護層22c,…
の表面から樹脂13Lを排除しておくことは、後工程で
形成される透明電極6,…との導通性を確保する上で重
要となる。 (樹脂硬化工程)次に、プレス機19による加圧を解除
し、被加圧体B2 をプレス機19から取り出す。そし
て、被加圧体B2 のUV硬化樹脂13Lにガラス基板1
1の側からUV光L1を照射し、樹脂13Lを硬化させ
る(同図(e) 参照)。 (剥離工程)その後、不図示の離型治具によって図6
(f) に示す矢印F2 の方向に力を加え、平滑板16を配
線基板B1 から剥離する。このように樹脂13が硬化さ
れた状態では、金属配線22,…と樹脂13とはほぼ平
滑な面を形成することとなる(同図(g) 参照)。 (第2電極形成工程)次に、金属配線22,…と樹脂1
3とによって形成された面に、多数の透明電極6,…を
所定間隙S,…を開けた状態に形成する(同図(h) 参
照)。
As a result, the resin 13L is removed from the surfaces of the protective layers 22c, ... And filled in the gaps between the metal wirings 22 ,. The UV curable resin 13L and the protective layers 22c ,. It will be. The protective layers 22c, ...
It is important to remove the resin 13L from the surface of the above in order to secure electrical continuity with the transparent electrodes 6, ... (Resin Curing Step) Next, the pressure applied by the press machine 19 is released, and the body B 2 to be pressed is taken out of the press machine 19. Then, the glass substrate 1 is attached to the UV curable resin 13L of the body B 2 to be pressed.
UV light L1 is irradiated from the side of No. 1 to cure the resin 13L (see (e) in the figure). (Peeling process) After that, a releasing jig (not shown)
A force is applied in the direction of arrow F 2 shown in (f) to separate the smoothing plate 16 from the wiring board B 1 . When the resin 13 is thus hardened, the metal wirings 22, ... And the resin 13 form a substantially smooth surface (see FIG. 9 (g)). (Second electrode forming step) Next, the metal wirings 22, ... And the resin 1
A large number of transparent electrodes 6, ... Are formed with a predetermined gap S, ..

【0056】この透明電極6,…を形成するに際して
は、ITO等の薄膜をスパッタリング法等によって12
00Å程度成膜し、その後、フォトリソ法を用いエッチ
ング処理によりパターン形成を行う。ここで、金属配線
22,…と透明電極6,…との導通チェックを行った
所、すべての配線で導通が取れていることが確認され
た。 (その他の工程)その後、透明電極6,…の表面に絶縁
膜7や配向制御膜9を形成し、液晶パネルP3 を作成す
る。
When forming the transparent electrodes 6, ..., a thin film of ITO or the like is formed by sputtering 12 or the like.
A film is formed to a thickness of about 00Å, and then a pattern is formed by etching using the photolithography method. Here, when a continuity check was performed between the metal wirings 22, ... And the transparent electrodes 6, ..., it was confirmed that all the wirings had continuity. (Other Steps) After that, the insulating film 7 and the orientation control film 9 are formed on the surfaces of the transparent electrodes 6, ... And the liquid crystal panel P 3 is produced.

【0057】次に、本実施の形態の作用効果について説
明する。
Next, the function and effect of this embodiment will be described.

【0058】本実施の形態によれば、金属配線22,…
が、透明電極6,…と共に駆動信号を伝達するように構
成されているため、いわゆる電圧波形の遅延が解消され
る。その結果、液晶パネルP3 は、高精細化並びに大面
積化に対応可能なものとなる。なお、本実施の形態にお
いては、金属配線22,…の一部(第2層)に低抵抗な
Cu層22b,…を設けているため、他の金属材料を用
いた場合に比べて、より電圧波形の遅延が解消される。
また、Cu本来の特性を利用して、このCu層22b,
…を薄く形成でき、その結果液晶パネルP3 の材料コス
トが低減される。
According to the present embodiment, the metal wirings 22, ...
However, since the drive signal is transmitted together with the transparent electrodes 6, ..., So-called voltage waveform delay is eliminated. As a result, the liquid crystal panel P 3 can cope with high definition and large area. In the present embodiment, since the low resistance Cu layers 22b, ... Are provided in a part (second layer) of the metal wirings 22, .., more than in the case of using other metal materials. The delay of the voltage waveform is eliminated.
Further, by utilizing the original characteristics of Cu, the Cu layer 22b,
Can be formed thin, and as a result, the material cost of the liquid crystal panel P 3 can be reduced.

【0059】また、本実施の形態においては、Cu層2
2b,…とガラス基板11との間に下地層22a,…を
配置すると共に、この下地層22a,…を、Ti、C
r、Mo、W、Al、Ta、Niもしくはそれらの合金
等の金属薄膜によって形成している。これらの金属薄膜
は、ガラス基板11やCu層22b,…に対する密着力
が強いことから、上記剥離工程において、金属配線2
2,…が平滑板16と共に剥離されてしまうことが防止
され、その結果、液晶パネルの製造歩留りが向上され
る。なお、本発明者が上述の方法で液晶パネルを実際に
製造したところ、金属配線22,…の剥離は全く観察さ
れなかった。
Further, in the present embodiment, the Cu layer 2
.. are arranged between the glass substrate 11 and the base layers 22a ,.
It is formed of a metal thin film such as r, Mo, W, Al, Ta, Ni or an alloy thereof. Since these metal thin films have strong adhesion to the glass substrate 11 and the Cu layers 22b, ...
.. are prevented from being peeled off together with the smooth plate 16, and as a result, the manufacturing yield of the liquid crystal panel is improved. When the present inventor actually manufactured the liquid crystal panel by the above method, no peeling of the metal wirings 22, ... Was observed.

【0060】さらに、下地層22a,…は、光を透過さ
せない非透光性の材料で、光を透過させない厚さ(例え
ば、1000Å程度)に形成されており、かつ、この下
地層22a,…は、Cu層22b,…や保護層22c,
…よりも広い幅で形成されて、透明電極相互の間隙S,
…の全て(或は、少なくとも一部)を遮蔽するようにな
っている。その結果、液晶パネルの駆動時において、こ
れら透明電極相互の間隙S,…からの光の漏れを防止
し、このような下地層22a,…のない液晶パネルに比
べて画質を高めることができる。
Further, the underlayers 22a, ... Are made of a non-translucent material that does not transmit light, and are formed to a thickness (for example, about 1000 Å) that does not transmit light, and the underlayers 22a ,. Are Cu layers 22b, ..., Protective layers 22c,
Formed with a width wider than that of the transparent electrodes,
It is designed to block all (or at least some) of ... As a result, at the time of driving the liquid crystal panel, it is possible to prevent light from leaking from the gaps S, ... Between these transparent electrodes, and to improve the image quality as compared with a liquid crystal panel without such a base layer 22a.

【0061】またさらに、Cu層22b,…の表面が、
Cu層22b,…よりも酸化の進行が遅い保護層22
c,…によって被覆されているため、金属配線22,…
の表面が酸化されにくく、金属配線22,…と透明電極
6,…との導通が確保される。その結果、画質等が向上
される。
Furthermore, the surfaces of the Cu layers 22b, ...
The protective layer 22 whose oxidation progresses slower than the Cu layers 22b, ...
Since it is covered with c, ..., The metal wiring 22 ,.
The surface of the metal is hard to be oxidized, and electrical continuity between the metal wirings 22, ... And the transparent electrodes 6 ,. As a result, the image quality and the like are improved.

【0062】特に、下地層22a,…や保護層22c,
…をNiやMoやそれらの合金によって形成した場合に
は、これらの金属がガラス基板11やCuとの密着力が
強いものであるため、金属配線内の剥離や、金属配線2
2,…とガラス基板11との剥離がさらに確実に防止さ
れ、歩留りがさらに向上される。また、下地層22a,
…や保護層22c,…にこれらの金属を用いた場合に
は、液晶パネルの材料コストをさらに低減できる。
In particular, the base layers 22a, ... And the protective layers 22c,
When ... Is formed of Ni, Mo, or an alloy thereof, these metals have strong adhesion to the glass substrate 11 or Cu, and therefore peeling in the metal wiring or the metal wiring 2
.. and the glass substrate 11 are more reliably prevented from peeling off, and the yield is further improved. In addition, the base layer 22a,
When these metals are used for the protective layer 22c and the like, the material cost of the liquid crystal panel can be further reduced.

【0063】一方、湿式めっき法を実施するための装置
は、真空成膜法を実施するための装置よりも一般的に安
価である。したがって、Cu層22b,…や保護層22
c,…を湿式めっき法によって形成した場合には、これ
らを真空成膜法によって形成するよりも製造コストが低
減される。
On the other hand, the apparatus for carrying out the wet plating method is generally cheaper than the apparatus for carrying out the vacuum film forming method. Therefore, the Cu layers 22b, ...
When c, ... Are formed by the wet plating method, the manufacturing cost is lower than when these are formed by the vacuum film forming method.

【0064】また、湿式めっき法の場合成膜スピードが
速いため、Cu層22b,…を厚く形成しても高スルー
プットでの生産が可能であり、製造コストを下げること
ができる。
Further, in the case of the wet plating method, the film forming speed is high, so that even if the Cu layers 22b, ... Are thickly formed, high-throughput production is possible and the production cost can be reduced.

【0065】なお、上述した実施の形態においては、金
属配線22,…は、ガラス基板11の表面に直接形成す
るものとしたが、もちろんこれに限る必要はない。図7
は、本実施の形態の別の適用例として液晶パネルの構造
を示す図であるが、この液晶パネルP4 は、同図(b) に
示す構造の電極基板30,30(以下、“埋め込み配線
基板30,30”とする)を備えている。この埋め込み
配線基板30は、透明なガラス基板31を有しており、
このガラス基板31の表面には、R、G、B3色のカラ
ーフィルタ層32が形成されている。そして、上述した
実施の形態と同様の金属配線22,…は、このカラーフ
ィルタ層32の表面に形成されている。すなわち、この
適用例においては、ガラス基板31とカラーフィルタ層
32との積層構造体が透明基板として機能することとな
る。
Although the metal wirings 22, ... Are directly formed on the surface of the glass substrate 11 in the above-described embodiment, the present invention is not limited to this. Figure 7
FIG. 9 is a diagram showing a structure of a liquid crystal panel as another application example of the present embodiment. This liquid crystal panel P 4 has electrode substrates 30, 30 (hereinafter, referred to as “embedded wiring”) having the structure shown in FIG. Substrate 30, 30 ″). The embedded wiring substrate 30 has a transparent glass substrate 31,
On the surface of the glass substrate 31, color filter layers 32 of R, G, and B colors are formed. Then, the metal wirings 22, ... Similar to the above-described embodiment are formed on the surface of the color filter layer 32. That is, in this application example, the laminated structure of the glass substrate 31 and the color filter layer 32 functions as a transparent substrate.

【0066】なお、カラーフィルタ層32には、例えば
顔料を分散した感光性樹脂層、熱硬化性樹脂に顔料を分
散したものをインクとして印刷法によりパターン形成し
た層、または、インク受容層を形成した後に染料インク
をインクジェット法等の方法により着色した層等を用い
た。
As the color filter layer 32, for example, a photosensitive resin layer in which a pigment is dispersed, a layer in which a pigment in which a thermosetting resin is dispersed is used as an ink to form a pattern, or an ink receiving layer is formed. After that, a layer in which the dye ink was colored by a method such as an inkjet method was used.

【0067】ここで、Ti、Cr、Mo、W、Al、T
a、Niもしくはそれらの合金等の金属薄膜はカラーフ
ィルタ層32に対しても密着力が強いため、金属配線2
2,…の剥離が防止される。なお、本発明者が実際に製
造したところ、カラーフィルタ層32と金属配線22,
…との剥離は全く観察されなかった。
Here, Ti, Cr, Mo, W, Al, T
Since the metal thin film of a, Ni, or an alloy thereof has a strong adhesion to the color filter layer 32, the metal wiring 2
The peeling of 2, ... Is prevented. When the present inventor actually manufactured the color filter layer 32 and the metal wiring 22,
No peeling off was observed.

【0068】ついで、本発明の第2の実施の形態につい
て、図8に沿って説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0069】図8は、本実施の形態に係る液晶パネルの
製造方法を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal panel according to this embodiment.

【0070】本実施の形態においては、ガラス基板11
として、厚さが1.1mm厚の青板ガラスを用いた。
In the present embodiment, the glass substrate 11
As the material, soda lime glass having a thickness of 1.1 mm was used.

【0071】このガラス基板11に十分な洗浄を施し、
該基板11の表面に、Ni−Mo(8.3mol%)合
金膜から成る第1層を成膜した。この成膜にはスパッタ
リング法を用い、そのスパッタリングターゲットにはN
i−Mo(8.3mol%)合金を用い、膜厚が100
0Åになるようにした。さらに、他のスパッタリング条
件は下表のようにした。
The glass substrate 11 is thoroughly washed,
A first layer made of a Ni-Mo (8.3 mol%) alloy film was formed on the surface of the substrate 11. A sputtering method is used for this film formation, and the sputtering target is N
i-Mo (8.3 mol%) alloy is used and the film thickness is 100.
I made it 0 Å. Further, other sputtering conditions are as shown in the table below.

【0072】[0072]

【表1】 次に、フォトリソ法により、東京応化社製のOFPR−
800フォトレジストをパターニングし、塩化第2鉄エ
ッチング液を用いて第1層のエッチング処理を行い、所
定形状の下地層22a,…を形成した(図8(a) 参
照)。
[Table 1] Next, by photolithography method, OFPR- manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.
The 800 photoresist was patterned and the first layer was etched using a ferric chloride etchant to form the underlying layers 22a, ... Having a predetermined shape (see FIG. 8 (a)).

【0073】次に、図8(b) に示すように、下地層22
a,…の一部のみが露出するようにめっきレジスト50
を形成した。さらに、この基板11を無電解銅めっき浴
に浸漬し、無電解銅を0.3μmの厚さになるように湿
式めっきを行った。なお、めっき液には奥野製薬製のO
PC−750Mを用い、めっき温度を23℃とし、浸漬
時間を20分とした。
Next, as shown in FIG. 8B, the underlayer 22
Plating resist 50 so that only part of a, ... Is exposed.
Was formed. Further, this substrate 11 was immersed in an electroless copper plating bath, and wet plating was performed so that electroless copper had a thickness of 0.3 μm. The plating solution used is O
Using PC-750M, the plating temperature was 23 ° C. and the immersion time was 20 minutes.

【0074】次に、上記各配線に電流が流れるようにガ
ラス基板11をめっき治具で保持し、該ガラス基板11
を日本リーロナール社製の硫酸Cuめっき液(カパーグ
リームCLX)に浸漬し、電気銅めっきを厚さが1μm
程度になるように湿式めっきを行い、図8(c) に示すC
u層22b,…を形成した。この時のめっき条件は、
0.02A/cm2 の電流で2分のめっき処理を行った。
Next, the glass substrate 11 is held by a plating jig so that an electric current flows through each of the wirings, and the glass substrate 11 is held.
Is dipped in a copper sulfate plating solution (Copper Gream CLX) made by Nippon Rironal Co., and electrolytic copper plating is performed to a thickness of 1 μm.
Wet plating is carried out to a certain degree and C shown in Fig. 8 (c)
The u layers 22b, ... Are formed. The plating conditions at this time are
A plating treatment was performed for 2 minutes at a current of 0.02 A / cm 2 .

【0075】次に、純水洗浄後、日本リーロナール社製
の硫酸Niめっき液(ナイカルPC−3)に浸漬し、
0.01A/cm2 の電流で1000Åの膜厚になるよう
にNi膜からなる保護層22c,…を形成した。
Then, after washing with pure water, it was immersed in a Ni sulfate sulfuric acid Ni plating solution (Nical PC-3) manufactured by Rironal Japan Co., Ltd.
The protective layers 22c made of a Ni film were formed to have a film thickness of 1000 Å at a current of 0.01 A / cm 2 .

【0076】その後、めっきレジスト50を剥離液で除
去し、図8(e) に示す配線パターン基板を得た。
Then, the plating resist 50 was removed with a stripping solution to obtain a wiring pattern substrate shown in FIG. 8 (e).

【0077】次に、金属配線間にUV硬化樹脂13を埋
め込み、その平坦な表面上にITO膜をスパッタリング
法により1200Å成膜し、フォトリソ法によりパター
ニングし、エッチング処理により透明電極6,…を形成
した。
Next, a UV curable resin 13 is embedded between the metal wirings, an ITO film is formed on the flat surface by a sputtering method in a thickness of 1200Å, patterned by a photolithography method, and the transparent electrodes 6, ... Are formed by an etching process. did.

【0078】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
Next, the effect of this embodiment will be described.

【0079】本実施の形態によれば、上述した第1の実
施の形態と同様の効果が得られる。
According to this embodiment, the same effect as that of the above-described first embodiment can be obtained.

【0080】また、本実施の形態においては、下地層2
2a,…や保護層22c,…を湿式めっき法によって形
成するため、液晶パネルの製造が安価かつ容易となる。
Further, in the present embodiment, the underlayer 2
.. and the protective layers 22c .. are formed by a wet plating method, so that the liquid crystal panel can be manufactured inexpensively and easily.

【0081】なお、本発明者は、この製造方法を、図7
に示すカラー液晶パネルにも適用したが、同様の効果が
得られた。
The inventor of the present invention uses the manufacturing method shown in FIG.
When applied to the color liquid crystal panel shown in, the same effect was obtained.

【0082】ついで、本発明の第3の実施の形態につい
て、図9に沿って説明する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0083】図9は、本実施の形態に係る液晶パネルの
製造方法を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal panel according to this embodiment.

【0084】本実施の形態においては、スパッタリング
法によってNi−Mo合金膜をガラス基板11の表面に
1000Åの厚さに成膜し、これをフォトリソ法により
パターニングして、Mi−Mo合金膜からなる下地層2
2a,…を形成した(同図(a) 参照)。
In the present embodiment, a Ni—Mo alloy film is formed on the surface of the glass substrate 11 by sputtering to a thickness of 1000 Å, and is patterned by photolithography to form a Mi—Mo alloy film. Underlayer 2
2a, ... Are formed (see (a) in the figure).

【0085】次に、このガラス基板11の表面に、めっ
きレジスト50をパターン形成した。このめっきレジス
ト50は、下地層22a,…の一部のみが露出するよう
に形成されている(同図(a) 参照)。
Next, a plating resist 50 was patterned on the surface of the glass substrate 11. The plating resist 50 is formed so that only a part of the underlayers 22a, ... Is exposed (see FIG. 11A).

【0086】さらに、湿式めっき法によって、膜厚が1
μm程度の銅めっき膜を形成する(同図(a) 参照)。そ
して、めっきレジスト50を除去することにより、図9
(b)に示すような基板が得られる。
Further, the film thickness is 1 by the wet plating method.
A copper plating film with a thickness of approximately μm is formed (see Fig. 1 (a)). Then, by removing the plating resist 50, as shown in FIG.
A substrate as shown in (b) is obtained.

【0087】この配線パターンすべてに均一に通電でき
るようにめっき治具で保持し、日本リーロナール社製の
Niめっき液ナイカルPC−3に浸漬し、0.01A/
cm2の電流でめっき被膜の厚さが1000Åの厚さにな
るまで電気めっきを行い、Niめっき膜からなる保護膜
52c,…を形成した。
The wiring pattern was held by a plating jig so that it could be uniformly energized, and immersed in Ni plating solution Nical PC-3 manufactured by Japan Rironard Co.
Electroplating was performed with a current of cm 2 until the thickness of the plating film reached 1000 Å to form protective films 52c, ...

【0088】つまり、本実施の形態においては、下地層
22a,…やCu層22b,…のパターニングが終了
し、しかも、めっきレジスト50を剥離して各層22
a,…,22b,…の側面が露出している状態で、保護
膜52c,…の成膜を行なうようになっている。
That is, in the present embodiment, the patterning of the underlayers 22a, ... And the Cu layers 22b ,.
The protective films 52c, ... Are formed with the side surfaces of a, ..., 22b, ... Exposed.

【0089】次に、金属配線間にUV硬化樹脂13を平
滑な型でプレスし、UV硬化工程後、平滑な型を離型
し、図9(d) に示すような表面が平坦な埋め込み配線基
板を作製した。
Next, the UV curable resin 13 is pressed between the metal wirings with a smooth die, and after the UV curing step, the smooth die is released to form a buried wiring with a flat surface as shown in FIG. 9D. A substrate was produced.

【0090】次に、本実施の形態の効果について説明す
る。
Next, effects of the present embodiment will be described.

【0091】本実施の形態によれば、第3層のNiめっ
きは、めっきレジスト50が除去された状態で電気めっ
き法により行なうため、Cu層22b,…の側面も保護
層52c,…によって保護される。したがって、Cu層
22b,…の耐食性が向上され、耐久性に優れた液晶パ
ネルを得ることができる。
According to the present embodiment, since the third layer of Ni is plated by electroplating with the plating resist 50 removed, the side surfaces of the Cu layers 22b, ... Are also protected by the protective layers 52c ,. To be done. Therefore, the corrosion resistance of the Cu layers 22b, ... Is improved, and a liquid crystal panel having excellent durability can be obtained.

【0092】なお、本発明者が、75℃の温度で、80
%の湿度の高温高湿試験を200時間行ったところ、腐
食の発生は全く見られず、耐久性に優れていることが確
認できた。
The inventors of the present invention conducted a test at a temperature of 75.degree.
When a high temperature and high humidity test with a humidity of 100% was performed for 200 hours, no occurrence of corrosion was observed and it was confirmed that the durability was excellent.

【0093】なお、上述した各実施の形態においては金
属配線22,…を3層の積層構造としたが、もちろんこ
れに限る必要はなく、4層以上の積層構造としても良
い。また、下地層22a,…とCu層22b,…との2
層構造としても良く、その場合にも金属配線22,…の
剥離が防止される。
In each of the above-mentioned embodiments, the metal wirings 22, ... Have a three-layer laminated structure, but needless to say, it is not limited to this and may have a four-layer or more laminated structure. .. and Cu layers 22b, ..
It may have a layered structure, and in that case, peeling of the metal wirings 22, ... Is prevented.

【0094】一方、上述した各実施の形態においては、
樹脂13にUV硬化型の樹脂を用いたが、もちろんこれ
に限る必要はなく、熱硬化型の樹脂を用いても良い。
On the other hand, in each of the above-mentioned embodiments,
Although the UV curable resin is used as the resin 13, it is not limited to this, and a thermosetting resin may be used.

【0095】[0095]

【実施例】本発明者は、下地層22a,…並びに保護層
22c,…に最適な材料を決定すべく実験を行なった。
以下、その内容を説明する。
EXAMPLES The present inventor conducted experiments to determine the optimum materials for the underlayers 22a, ... And the protective layers 22c ,.
The contents will be described below.

【0096】本実施例においては、図5(b) に示した透
明基板(ガラス基板11)、並びに図7(b) に示したカ
ラーフィルタ層付きの透明基板33について、それぞれ
実験を行なった。なお、ガラス基板11には青板ガラス
を使用し、カラーフィルタ層32は、顔料を分散した感
光性樹脂により形成した。
In this example, experiments were carried out on the transparent substrate (glass substrate 11) shown in FIG. 5 (b) and the transparent substrate 33 with a color filter layer shown in FIG. 7 (b). In addition, soda-lime glass was used for the glass substrate 11, and the color filter layer 32 was formed of a photosensitive resin in which a pigment was dispersed.

【0097】まず、図5(b) に示すガラス基板11、並
びに図7(b) に示すカラーフィルタ付き透明基板33を
多数用意した。そして、各基板の表面に、Ti、Mo、
W、Al、Ta、Ni、Cr等の金属材料をスパッタリ
ング法により1000Åの厚さに成膜して第1層を形成
した。次に、この第1層の表面にCu膜を1μmの厚さ
に成膜し、第2層を形成した。さらに、この第2層の表
面に、第1層と同じ金属材料をスパッタリング法により
1000Åの厚さに成膜して、3層構造の金属薄膜とし
た。
First, a large number of glass substrates 11 shown in FIG. 5B and transparent substrates 33 with color filters shown in FIG. 7B were prepared. Then, on the surface of each substrate, Ti, Mo,
A metal material such as W, Al, Ta, Ni, and Cr was formed into a film having a thickness of 1000 Å by a sputtering method to form a first layer. Then, a Cu film having a thickness of 1 μm was formed on the surface of the first layer to form a second layer. Further, the same metal material as that of the first layer was formed into a film having a thickness of 1000 Å on the surface of the second layer by a sputtering method to obtain a metal thin film having a three layer structure.

【0098】次に、この3層構造の金属薄膜が、図5
(b) 及び図7(b) に示す形状となるように、すなわち、
第2層及び第3層の幅が同一で、第1層の幅が第2層並
びに第3層よりも広くなるように、フォトリソ法により
エッチング加工を行い、下地層22a,…、Cu層22
b,…及び保護層22c,…からなる金属配線22,…
を形成した。
Next, the metal thin film having the three-layer structure is shown in FIG.
As shown in (b) and FIG. 7 (b), that is,
The second layer and the third layer have the same width, and the first layer is wider than the second layer and the third layer, and etching is performed by a photolithography method to form the underlayers 22a, ..., Cu layers 22.
, and the metal wirings 22, ...
Was formed.

【0099】なお、第3層(保護層22c,…)のエッ
チングは、第2層(Cu層22b,…)がエッチングさ
れないエッチャントを用いて行った。例えば赤血塩アル
カリエッチ液はCr、Al、W、Mo等をエッチングす
るがCuをエッチングしない選択性を有しているが、こ
のようなエッチャントを第3層(保護層22c,…)の
エッチングに用いた。同様にして、第2層(Cu層22
b,…)並びに第3層(下地層22a,…)のエッチン
グを行なった。
The etching of the third layer (protective layers 22c, ...) Is performed using an etchant that does not etch the second layer (Cu layers 22b, ...). For example, the red blood salt alkaline etchant has a selectivity that etches Cr, Al, W, Mo, etc. but does not etch Cu. However, such an etchant is used to etch the third layer (protective layer 22c, ...). Used for. Similarly, the second layer (Cu layer 22
b) and the third layer (base layers 22a, ...) Are etched.

【0100】次に、平滑板16を介して加圧することに
より樹脂13Lを金属配線22,…の間隙に充填し、U
Vキュアー後、平滑板16を離型し、図6(g) に示す基
板を得た。
Next, the resin 13L is filled in the gap between the metal wirings 22, ...
After the V cure, the smooth plate 16 was released to obtain the substrate shown in FIG. 6 (g).

【0101】そして、この基板の表面(金属配線22,
…や樹脂13,…が配置されている側の面)にカッター
で5mm間隔で縦横に切り込み(クロスカット)を入れ、
金属配線22,…や樹脂13,…を5mm角にカットし
た。なお、切り込みを入れた部分は25mm角とした。
Then, the surface of the substrate (metal wiring 22,
... or resin 13, ... is placed on the surface) and a cutter is used to make vertical and horizontal cuts (cross cuts) at intervals of 5 mm.
The metal wirings 22, ... And the resin 13, ... Are cut into 5 mm square. The cut portion was 25 mm square.

【0102】次に、このように切り込みを入れた部分に
接着テープ(ニチバン製のセロハンテープ)を貼りつけ
て、該テープを剥し、この作業を10回繰り返して、剥
れた数を調べた。この結果を下の表1に示す。
Next, an adhesive tape (cellophane tape made by Nichiban) was attached to the cut portion, and the tape was peeled off. This operation was repeated 10 times to check the number of peeled off portions. The results are shown in Table 1 below.

【0103】[0103]

【表2】 この実験により、下地層22a,…にWやAlを用いた
場合には金属配線の剥離が観察されることが分かった。
[Table 2] From this experiment, it was found that peeling of the metal wiring was observed when W or Al was used for the underlayers 22a, ....

【0104】次に、上述した基板の切り込みを入れてい
ない部分にITOをスパッタリング法により1000Å
形成し、該ITO膜と金属配線22,…との導通チェッ
クを行った。この実験では、Alを用いたサンプルで導
通不良が発生した。
Next, ITO is sputtered on the above-mentioned notched portion of the substrate by 1000 Å.
After being formed, a continuity check between the ITO film and the metal wirings 22, ... Was conducted. In this experiment, poor conduction occurred in the sample using Al.

【0105】以上の結果より、実験に用いたTi、M
o、W、Al、Ta、Ni、Crの内、WとAlは剥離
し易く、特にAlはITO膜との導通不良も発生し、下
地層22a,…並びに保護層22c,…に用いる材料と
して適していないことが判明した。また、その他の材料
の内、TiやTaは他の材料に比べ2〜3倍のコストで
あり、さらに、Crは有毒物質であることからエッチン
グ廃液の処理費用が他の材料に比べコスト高になってし
まう。
From the above results, Ti and M used in the experiment
Of O, W, Al, Ta, Ni, and Cr, W and Al are easily peeled off, and particularly Al has a poor electrical connection with the ITO film, and is used as a material for the base layers 22a, ... And the protective layers 22c ,. Turned out not suitable. Further, among other materials, Ti and Ta are 2 to 3 times more expensive than other materials, and Cr is a toxic substance, so that the cost of treating the etching waste liquid is higher than that of other materials. turn into.

【0106】従って、液晶パネルの下地層22a,…や
保護層22c,…の材料としては、Mo及びNiが性能
及び経済面から優れていることが確認できた。
Therefore, it has been confirmed that Mo and Ni are excellent as materials for the underlayers 22a, ... And protective layers 22c, ..

【0107】なお、このうちのNiは磁性材料であり、
スパッタリング法として一般的なマグネトロンスパッタ
リング法では、スパッタリングターゲットの厚みを厚く
することができない制約がある。しかし、このNiにM
oを8.3mol%添加してNi−Mo合金とすること
により、その磁束密度を1000ガウス以下に小さくで
き、マグネトロンスパッタリング法においてもスパッタ
リングターゲットの厚みを厚くできて、その使用が可能
となる。なお、本発明者が実際にこの組成のNi−Mo
合金を用いて金属配線22,…を形成し、上述した各テ
ストを実施したところ、密着試験並びに導通テストにお
いて良好な結果が得られた。
Incidentally, Ni of these is a magnetic material,
In the magnetron sputtering method which is a general sputtering method, there is a constraint that the thickness of the sputtering target cannot be increased. However, this Ni has M
By adding 8.3 mol% of o to form a Ni-Mo alloy, the magnetic flux density can be reduced to 1000 Gauss or less, and the thickness of the sputtering target can be increased even in the magnetron sputtering method, so that it can be used. In addition, the present inventor actually used this composition of Ni--Mo.
When the metal wirings 22, ... Are formed using an alloy and the above-mentioned respective tests are carried out, good results are obtained in the adhesion test and the continuity test.

【0108】[0108]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
第1電極の第2層が第2電極と共に駆動信号を伝達する
ように構成されているため、いわゆる電圧波形の遅延が
解消される。その結果、液晶素子は、高精細化並びに大
面積化に対応可能なものとなる。
As described above, according to the present invention,
Since the second layer of the first electrode is configured to transmit the drive signal together with the second electrode, so-called voltage waveform delay is eliminated. As a result, the liquid crystal element can cope with high definition and large area.

【0109】また、前記第2層と透明基板との間に、該
透明基板に対する密着力が強い第1層を介装させている
ため、製造工程における第1電極と前記透明基板との剥
離を少なくでき、その結果、液晶素子の製造歩留りが向
上される。
Further, since the first layer having a strong adhesion to the transparent substrate is interposed between the second layer and the transparent substrate, peeling between the first electrode and the transparent substrate in the manufacturing process is prevented. Therefore, the manufacturing yield of the liquid crystal device is improved.

【0110】さらに、この第1層を、Ni、Mo若しく
はそれらの合金によって形成した場合には、第1電極と
前記透明基板との剥離を確実に防止できると共に、製造
歩留りがさらに向上される。またさらに、液晶素子の材
料コストを低減できる。
Furthermore, when this first layer is formed of Ni, Mo or an alloy thereof, peeling between the first electrode and the transparent substrate can be reliably prevented, and the manufacturing yield is further improved. Furthermore, the material cost of the liquid crystal element can be reduced.

【0111】また、前記第2層を銅にて形成した場合に
は、他の金属材料を用いた場合に比べて電圧波形の遅延
がさらに解消されると共に、第2層を薄く形成すること
が容易で、その結果、液晶素子の材料コストが低減され
る。
Further, when the second layer is formed of copper, the delay of the voltage waveform is further eliminated and the second layer can be formed thin as compared with the case where another metal material is used. It is easy, and as a result, the material cost of the liquid crystal element is reduced.

【0112】一方、前記第2層を、該第2層よりも酸化
されにくい第3層によって被覆した場合には、第1電極
の表面が酸化されにくく、該第1電極と第2電極との導
通が確保される。
On the other hand, when the second layer is covered with the third layer which is less likely to be oxidized than the second layer, the surface of the first electrode is less likely to be oxidized and the first electrode and the second electrode are not easily oxidized. Continuity is secured.

【0113】また一方、前記第1層を、非透光性の材料
で形成されると共に、前記第2電極の間隙の少なくとも
一部を遮蔽するように配置した場合には、液晶素子の駆
動時において、これらの間隙からの光の漏れを防止し、
このような第1層を持たない液晶素子に比べて画質を高
めることができる。このような効果は、前記第1層を、
前記第2層や前記第3層よりも広い幅で形成した場合に
も得られる。
On the other hand, when the first layer is formed of a non-translucent material and is arranged so as to shield at least a part of the gap between the second electrodes, when the liquid crystal element is driven. At, to prevent the leakage of light from these gaps,
The image quality can be improved as compared with a liquid crystal element that does not have such a first layer. Such an effect is obtained by applying the first layer to
It can also be obtained when it is formed with a width wider than that of the second layer or the third layer.

【0114】また、この第3層を、Ni、Mo若しくは
それらの合金によって形成した場合には、これらの金属
が銅との密着力が強いものであるため、第2層と第3層
との間の剥離が防止され、歩留りがさらに向上される。
また、液晶素子の材料コストをさらに低減できる。
When the third layer is made of Ni, Mo or an alloy thereof, the adhesion between these metals and copper is strong, so that the second layer and the third layer are separated from each other. The peeling is prevented and the yield is further improved.
Further, the material cost of the liquid crystal element can be further reduced.

【0115】一方、前記透明基板を、ガラス基板と、該
ガラス基板の表面に形成されたカラーフィルタと、によ
って構成した場合には、上述した種々の効果を有するカ
ラー液晶素子を得ることができる。
On the other hand, when the transparent substrate is composed of a glass substrate and a color filter formed on the surface of the glass substrate, a color liquid crystal element having various effects described above can be obtained.

【0116】また一方、第1電極の形成に湿式めっき法
を用いた場合には、真空成膜法を用いるよりも製造コス
トが低減される。また、この湿式めっき法によれば成膜
スピードが速いため、高スループットでの生産が可能で
あり、製造コストを下げることができる。
On the other hand, when the wet plating method is used for forming the first electrode, the manufacturing cost is reduced as compared with the vacuum film forming method. Further, according to this wet plating method, since the film forming speed is high, it is possible to perform the production with high throughput and reduce the manufacturing cost.

【0117】一方、前記第2層を所定形状に形成した後
に、前記第3層を電気めっき法により形成するようにし
た場合には、前記第2層の側面も第3層によって覆われ
る。その結果、液晶素子の耐食性が向上される。
On the other hand, when the third layer is formed by the electroplating method after forming the second layer into a predetermined shape, the side surface of the second layer is also covered with the third layer. As a result, the corrosion resistance of the liquid crystal element is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来の液晶パネルの構造を説明するための図。FIG. 1 is a diagram for explaining the structure of a conventional liquid crystal panel.

【図2】従来の液晶パネルの構造を説明するための図。FIG. 2 is a diagram for explaining the structure of a conventional liquid crystal panel.

【図3】従来の液晶パネルの製造方法を説明するための
図。
FIG. 3 is a diagram for explaining a conventional liquid crystal panel manufacturing method.

【図4】従来の液晶パネルにおける問題点を説明するた
めの図。
FIG. 4 is a diagram for explaining a problem in a conventional liquid crystal panel.

【図5】本発明に係る液晶パネルの構造を説明するため
の図。
FIG. 5 is a diagram for explaining the structure of a liquid crystal panel according to the present invention.

【図6】本発明に係る液晶パネルの製造方法を説明する
ための図。
FIG. 6 is a diagram for explaining a method of manufacturing a liquid crystal panel according to the present invention.

【図7】本発明に係るカラー液晶パネルの構造を説明す
るための図。
FIG. 7 is a diagram for explaining the structure of a color liquid crystal panel according to the present invention.

【図8】液晶パネルの製造方法に関する他の実施の形態
を説明するための図。
FIG. 8 is a diagram for explaining another embodiment of the method of manufacturing a liquid crystal panel.

【図9】液晶パネルの製造方法に関する他の実施の形態
を説明するための図。
FIG. 9 is a diagram for explaining another embodiment of the method of manufacturing a liquid crystal panel.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

6,… 透明電極(第2電極) 10 埋め込み配線基板 11 ガラス基板(透明基板) 13,… UV硬化型樹脂(紫外線硬化型樹脂) 20 埋め込み配線基板 22,… 金属配線(第1電極) 22a,… 下地層(第1層) 22b,… Cu層(第2層) 22c,… 保護層(第3層) 30 埋め込み配線基板 31 ガラス基板 32 カラーフィルタ層 33 透明基板 50 めっきレジスト P3 液晶パネル(液晶素子) P4 液晶パネル(液晶素子) S,… 第2電極相互の間隙6, ... Transparent electrode (second electrode) 10 Embedded wiring substrate 11 Glass substrate (transparent substrate) 13, ... UV curable resin (ultraviolet curable resin) 20 Embedded wiring substrate 22, ... Metal wiring (first electrode) 22a, ... Underlayer (first layer) 22b, ... Cu layer (second layer) 22c, ... Protective layer (third layer) 30 Embedded wiring board 31 Glass substrate 32 Color filter layer 33 Transparent substrate 50 Plating resist P 3 Liquid crystal panel ( Liquid crystal element) P 4 Liquid crystal panel (liquid crystal element) S, ... Gap between the second electrodes

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板と、所定間隙を開けた状態で前
記透明基板の表面に形成された複数の第1電極と、これ
ら複数の第1電極の相互の間隙に充填された樹脂と、所
定間隙を開けた状態で前記第1電極及び前記樹脂の表面
に形成された複数の第2電極と、を備えた液晶素子にお
いて、 前記第1電極が、前記透明基板表面に接触するように配
置された第1層と、該第1層に積層された第2層と、を
少なくとも有し、 前記第1層を、前記透明基板に対する密着力が強い材料
で形成し、かつ、 前記第2層が、前記第2電極と共に駆動信号を伝達す
る、 ことを特徴とする液晶素子。
1. A transparent substrate, a plurality of first electrodes formed on a surface of the transparent substrate in a state where a predetermined gap is opened, a resin filled in a gap between the plurality of first electrodes, and a predetermined number. In a liquid crystal element comprising the first electrode and a plurality of second electrodes formed on the surface of the resin with a gap left therebetween, the first electrode is arranged so as to contact the surface of the transparent substrate. At least a first layer and a second layer laminated on the first layer, the first layer is formed of a material having a strong adhesion to the transparent substrate, and the second layer is A liquid crystal element, which transmits a drive signal together with the second electrode.
【請求項2】 前記第1層を、Ni、Mo若しくはそれ
らの合金によって形成して、該第1層と前記透明基板と
の密着力を強くした、 ことを特徴とする請求項1記載の液晶素子。
2. The liquid crystal according to claim 1, wherein the first layer is formed of Ni, Mo or an alloy thereof to increase the adhesion between the first layer and the transparent substrate. element.
【請求項3】 前記第1電極が、前記第2層を被覆する
ように積層された第3層を有し、かつ、 該第3層が、前記第2層よりも酸化されにくい材料で形
成された、 ことを特徴とする請求項1又は2記載の液晶素子。
3. The first electrode has a third layer laminated so as to cover the second layer, and the third layer is made of a material which is less likely to be oxidized than the second layer. The liquid crystal element according to claim 1 or 2, characterized in that
【請求項4】 前記第3層が、Ni、Mo若しくはそれ
らの合金によって形成された、 ことを特徴とする請求項3記載の液晶素子。
4. The liquid crystal element according to claim 3, wherein the third layer is formed of Ni, Mo or an alloy thereof.
【請求項5】 前記第1層が、非透光性の材料で形成さ
れると共に、前記第2電極の間隙の少なくとも一部を遮
蔽するように配置された、 ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の
液晶素子。
5. The first layer is formed of a non-translucent material, and is arranged so as to shield at least a part of a gap between the second electrodes. 5. The liquid crystal element according to any one of items 4 to 4.
【請求項6】 前記第1電極の第1層が、前記第2層や
前記第3層よりも広い幅で形成された、 ことを特徴とする請求項5記載の液晶素子。
6. The liquid crystal element according to claim 5, wherein the first layer of the first electrode is formed to have a width wider than that of the second layer and the third layer.
【請求項7】 前記第1電極の第2層が銅にて形成され
た、 ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の
液晶素子。
7. The liquid crystal element according to claim 1, wherein the second layer of the first electrode is formed of copper.
【請求項8】 前記透明基板がガラス基板である、 ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載の
液晶素子。
8. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the transparent substrate is a glass substrate.
【請求項9】 前記透明基板が、ガラス基板と、該ガラ
ス基板の表面に形成されたカラーフィルタ層と、によっ
て構成されてなる、 請求項1乃至8のいずれか1項記載の液晶素子。
9. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the transparent substrate includes a glass substrate and a color filter layer formed on the surface of the glass substrate.
【請求項10】 前記樹脂が、紫外線の照射を受けて硬
化される紫外線硬化型の樹脂である、 ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項記載の
液晶素子。
10. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the resin is an ultraviolet curable resin that is cured by being irradiated with ultraviolet rays.
【請求項11】 前記第2電極が、ITO等によって形
成された透明電極である、 ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項記載
の液晶素子。
11. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the second electrode is a transparent electrode formed of ITO or the like.
【請求項12】 複数の第1電極を所定間隙を開けた状
態に透明基板の表面に形成する第1電極形成工程と、こ
れら複数の第1電極の相互の間隙に樹脂を充填する樹脂
充填工程と、該樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、所定
間隙を開けた状態に複数の第2電極を前記第1電極及び
前記樹脂の表面に形成する第2電極形成工程と、を備え
た液晶素子の製造方法において、 前記第1電極形成工程にてスパッタリング法等の真空成
膜技術を用い、 前記第1電極を、前記透明基板表面に接触するように配
置された第1層と、該第1層に積層された第2層とによ
って形成し、かつ、 前記第1層を、前記透明基板に対する密着力が強い材料
で形成した、 ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
12. A first electrode forming step of forming a plurality of first electrodes on a surface of a transparent substrate in a state where a predetermined gap is formed, and a resin filling step of filling a resin into a gap between the plurality of first electrodes. And a resin curing step of curing the resin, and a second electrode forming step of forming a plurality of second electrodes on the surfaces of the first electrode and the resin with a predetermined gap left therebetween, In the manufacturing method, a vacuum film forming technique such as a sputtering method is used in the first electrode forming step, and the first electrode is arranged so as to be in contact with the surface of the transparent substrate, and the first layer. And a second layer laminated on the transparent substrate, and the first layer is formed of a material having a strong adhesion to the transparent substrate.
【請求項13】 前記第1電極形成工程にて、前記第2
層を被覆するように第3層を積層させ、かつ、 該第3層を、前記第2層よりも酸化されにくい材料で形
成した、 ことを特徴とする請求項12記載の液晶素子の製造方
法。
13. The second electrode is formed in the first electrode forming step.
13. The method for manufacturing a liquid crystal element according to claim 12, wherein a third layer is laminated so as to cover the layer, and the third layer is formed of a material that is less likely to be oxidized than the second layer. .
【請求項14】 前記第1層を、非透光性の材料で形成
すると共に、前記第2電極の間隙の少なくとも一部を遮
蔽するように配置した、 ことを特徴とする請求項12又は13記載の液晶素子の
製造方法。
14. The first layer is formed of a non-translucent material and is arranged so as to shield at least a part of the gap between the second electrodes. A method for producing the liquid crystal element according to claim 1.
【請求項15】 前記第1層をスパッタリング法等の真
空成膜技術によって形成し、 前記第2層及び前記第3層を湿式めっき法によって形成
した、 ことを特徴とする請求項12記載の液晶素子の製造方
法。
15. The liquid crystal according to claim 12, wherein the first layer is formed by a vacuum film forming technique such as a sputtering method, and the second layer and the third layer are formed by a wet plating method. Device manufacturing method.
【請求項16】 前記第1電極形成工程にて、前記第2
層を所定形状に形成した後に、前記第3層を電気めっき
法により形成し、 前記第2層の側面を前記第3層により覆う、 ことを特徴とする請求項12乃至15のいずれか1項記
載の液晶素子の製造方法。
16. The second electrode is formed in the first electrode forming step.
16. After forming a layer in a predetermined shape, the third layer is formed by an electroplating method, and the side surface of the second layer is covered with the third layer. A method for producing the liquid crystal element according to claim 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000148043A (en) * 1998-09-10 2000-05-26 Sharp Corp Electrode substrate and its production as well as liquid crystal display element
JP2003098543A (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Seiko Epson Corp Electro-optical panel, manufacturing method therefor, and electronic equipment

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000148043A (en) * 1998-09-10 2000-05-26 Sharp Corp Electrode substrate and its production as well as liquid crystal display element
JP2003098543A (en) * 2001-09-21 2003-04-03 Seiko Epson Corp Electro-optical panel, manufacturing method therefor, and electronic equipment

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