JP2005134543A - Method for inspecting substrate for electrooptical device, and method for manufacturing substrate for electrooptical device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置用基板の検査方法、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。特に、電気光学装置用基板の製造段階において、透明電極の物性、例えば、密着性を評価することにより、電気光学装置用基板の製造条件を適正条件に調整することが可能であって、長期信頼性に優れた電気光学装置用基板を提供することができる電気光学装置用基板の検査方法、及び電気光学装置用基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for inspecting an electro-optical device substrate and a method for manufacturing an electro-optical device substrate. In particular, it is possible to adjust the manufacturing conditions of the electro-optical device substrate to appropriate conditions by evaluating the physical properties of the transparent electrode, for example, adhesion, in the manufacturing stage of the electro-optical device substrate, and long-term reliability The present invention relates to a method for inspecting a substrate for an electro-optical device that can provide an electro-optical device substrate having excellent properties, and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device.
従来、液晶表示装置等の電気光学装置に使用される電気光学装置用基板は、ガラス基板上に形成された、反射膜や、カラーフィルタ、保護膜、透明電極、配向膜等により構成されている。すなわち、反射膜や、カラーフィルタ等が形成されたガラス基板上に、反射膜の結晶粒子の成長を抑えたり、あるいは、電気光学装置用基板の表面を平坦化したりする役割を果たす保護膜を形成した後、結晶性あるいは非結晶性の透明電極、及び配向膜が積層されている。
ここで、保護膜は、反射膜やカラーフィルタ等が形成される表示領域に形成すれば十分である。そして、電気光学装置用基板や電気光学装置等を薄型化できることからも、当該表示領域にのみ、選択的に保護膜を形成した電気光学装置用基板が開示されている。より詳細には、図10に示すように、一対の電気光学装置用基板320、321がシール材390を介して貼り合わせられている電気光学装置390において、シール枠及びシール枠外においては保護膜(平坦化膜)375を設けず、シール枠内のみにおいて、反射膜302や、カラーフィルタ374を覆うように保護膜375、303を形成した電気光学装置用基板320、321が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
Here, it is sufficient that the protective film is formed in a display region where a reflective film, a color filter, and the like are formed. Since the electro-optical device substrate, the electro-optical device, and the like can be thinned, an electro-optical device substrate in which a protective film is selectively formed only in the display region is disclosed. More specifically, as shown in FIG. 10, in the electro-
しかしながら、特許文献1に開示された電気光学装置用基板では、選択的に形成された保護膜を含むガラス基板上に、透明電極を積層した場合、保護膜の境界部分において、透明電極と、保護膜との間の密着性が低下しやすいという問題が見られた。すなわち、ガラス基板上において、保護膜が形成されている箇所と、形成されていない箇所とが存在しており、その境界付近に非平坦部(傾斜部)が形成されている。そして、形成される透明電極の結晶状態等が異なるために、かかる非平坦部における透明電極へ応力が集中しやすく、かかる透明電極が剥離したり、断線したりするという問題が見られた。
また、透明電極の結晶状態等は、時間の経過に伴って変化(進行)するという特性があり、透明電極の密着不良に関して、初期的には発見できない場合であっても、電気光学装置や電子機器等に組み込まれて使用された後に、かかる密着不良に起因して、断線や欠落が生じるという問題が見られた。
一方、このような透明電極の密着不良を、あらかじめ製造段階において発見できるような適当な検査方法が見出されておらず、さらには何ら実施もされていないために、電気光学装置用基板や電気光学装置等の長期信頼性が乏しいという問題も見られた。
However, in the electro-optical device substrate disclosed in
In addition, the crystal state of the transparent electrode has a characteristic that it changes (progresses) with time. Even if it is not possible to detect an initial contact failure of the transparent electrode, the electro-optical device or the electronic There has been a problem that disconnection or loss occurs due to such poor adhesion after being incorporated into a device or the like.
On the other hand, since no suitable inspection method that can detect such a poor adhesion of the transparent electrode in advance in the manufacturing stage has been found, and no implementation has been carried out at all, There was also a problem that long-term reliability of optical devices and the like was poor.
そこで、本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、製造段階において、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における透明電極の密着性等の物性を評価して、透明電極の形成不良の有無を確認可能な検査方法、及びその検査方法を含む電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。また、かかる物性の評価結果に基づき、電気光学装置用基板の製造条件等を適宜調整して、電気光学装置や電子機器を組み立てた場合には、優れた長期信頼性が得られる電気光学装置用基板の検査方法、及びその検査方法を含む電気光学装置用基板の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention was made to solve such problems, and in the manufacturing stage, evaluated physical properties such as adhesion of the transparent electrode in the non-flat portion of the glass substrate including the protective film, It is an object of the present invention to provide an inspection method capable of confirming the presence or absence of defective formation of a transparent electrode, and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device including the inspection method. In addition, when an electro-optical device or an electronic device is assembled by appropriately adjusting the manufacturing conditions of the electro-optical device substrate based on the evaluation result of the physical properties, the electro-optical device can provide excellent long-term reliability. It is an object of the present invention to provide a method for inspecting a substrate and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device including the inspection method.
本発明によれば、電気光学装置用基板上に形成された透明電極の物性を評価するための電気光学装置用基板の検査方法であって、
ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して、エッチング処理液を使用して第1エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する透明電極形成工程と、
透明電極に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第2エッチング処理を行い、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法が提供され、上述した問題点を解決することができる。
なお、非平坦部とは、保護膜を含むガラス基板上において、平面的に段差が生じている部分を意味し、主として、ガラス基板上に選択的に保護膜を形成した場合の、当該保護膜の端部を含む箇所を指す。
According to the present invention, there is provided an inspection method for an electro-optical device substrate for evaluating the physical properties of a transparent electrode formed on the electro-optical device substrate,
A transparent conductive material is laminated on a glass substrate including a protective film formed at a position corresponding to a display region on the glass substrate, and a first etching process is performed on the transparent conductive material using an etching treatment liquid. A transparent electrode forming step of forming a transparent electrode by performing,
An evaluation process for evaluating the physical properties of the transparent electrode in the non-flat portion of the glass substrate including the protective film by performing a second etching treatment as an etching treatment test on the transparent electrode using the etching treatment liquid;
The method for inspecting a substrate for an electro-optical device is provided, and the above-described problems can be solved.
The non-flat portion means a portion where a step is generated in a plane on the glass substrate including the protective film, and mainly the protective film when the protective film is selectively formed on the glass substrate. The point including the end of
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程を複数回実施することが好ましい。 In carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention, it is preferable to perform the evaluation step a plurality of times.
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程において、JIS K5400に準拠した碁盤目試験を行うか、あるいは透明電極の浸食性を観察することにより、透明電極の物性として、密着性を評価することが好ましい。 Further, in carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention, in the evaluation process, a cross-cut test conforming to JIS K5400 is performed, or the erodibility of the transparent electrode is observed, whereby the properties of the transparent electrode are measured. It is preferable to evaluate the adhesion.
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、透明電極形成工程において、保護膜の端部に傾斜部を設けることが好ましい。 In carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention, it is preferable to provide an inclined portion at the end of the protective film in the transparent electrode forming step.
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、透明電極形成工程において、下地層を介して透明電極を形成することが好ましい。 In carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device according to the present invention, it is preferable to form a transparent electrode through an underlayer in the transparent electrode forming step.
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、透明電極形成工程において、保護膜を光硬化性アクリル樹脂から構成するとともに、透明電極を酸化インジウムスズ膜から構成することが好ましい。 In carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention, in the transparent electrode forming step, it is preferable that the protective film is made of a photocurable acrylic resin and the transparent electrode is made of an indium tin oxide film. .
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程において、第1及び第2エッチング処理に使用するエッチング処理液の成分として塩酸及び塩化鉄を含むことが好ましい。 In carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device according to the present invention, it is preferable that, in the evaluation step, hydrochloric acid and iron chloride are included as components of the etching treatment liquid used for the first and second etching treatments.
また、本発明の電気光学装置用基板の検査方法を実施するにあたり、評価工程において、エッチング処理液を透明電極に対して処理するにあたり、エッチング処理液を吹付けるか、あるいはエッチング処理液中に浸漬させることが好ましい。 Further, in carrying out the method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention, in the evaluation step, when the etching treatment liquid is treated on the transparent electrode, the etching treatment liquid is sprayed or immersed in the etching treatment liquid. It is preferable to make it.
また、本発明の別の態様は、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成する保護膜形成工程と、当該保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、透明導電材料に対して第1エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する透明電極形成工程と、を含む電気光学装置用基板の製造方法であって、
透明電極に対して、エッチング処理試験としての第2エッチング処理を行い、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程をさらに含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法である。
Another aspect of the present invention is a protective film forming step of forming a protective film at a position corresponding to a display region on the glass substrate, a transparent conductive material is laminated on the glass substrate including the protective film, and transparent A transparent electrode forming step of forming a transparent electrode by performing a first etching process on a conductive material, and a method for manufacturing an electro-optical device substrate,
An electro-optical device, further comprising an evaluation step of performing a second etching process as an etching process test on the transparent electrode and evaluating the physical properties of the transparent electrode in the non-flat portion of the glass substrate including the protective film. It is a manufacturing method of the board | substrate.
また、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を実施するにあたり、評価工程で得られた透明電極の物性の評価結果を、保護膜形成工程及び透明電極形成工程、あるいはいずれか一方の形成工程の製造条件に、フィードバックさせることが好ましい。 Further, in carrying out the method for manufacturing a substrate for an electro-optical device according to the present invention, the evaluation results of the physical properties of the transparent electrode obtained in the evaluation step are expressed as a protective film forming step and a transparent electrode forming step, or any one of the forming steps. It is preferable to feed back the manufacturing conditions.
また、本発明の電気光学装置用基板の製造方法を実施するにあたり、評価工程を、透明電極形成工程に対して並列的に設けるとともに、当該透明電極形成工程における透明電極が形成された電気光学装置用基板を任意的に採取し、その透明電極の物性を評価することが好ましい。 In carrying out the method for manufacturing a substrate for an electro-optical device of the present invention, the evaluation process is provided in parallel with the transparent electrode forming process, and the electro-optical apparatus in which the transparent electrode is formed in the transparent electrode forming process It is preferable to arbitrarily collect a substrate for use and evaluate the physical properties of the transparent electrode.
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置用基板の検査方法、及びその検査方法を含む電気光学装置用基板の製造方法に関する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
Hereinafter, an embodiment relating to a method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention and a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device including the inspection method will be described in detail with reference to the drawings.
However, this embodiment shows one aspect of the present invention and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the present invention.
[第1実施形態]
第1実施形態は、図1〜図3に例示するように、電気光学装置用基板12上に形成された透明電極19の物性を評価するための電気光学装置用基板12の検査方法である。
そして、ガラス基板13上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜215を含むガラス基板13上に透明導電材料19Xを積層するとともに、当該透明導電材料19Xに対して、エッチング処理液を使用して第1エッチング処理を行うことにより透明電極19を形成する透明電極形成工程と、
透明電極19に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第2エッチング処理を行い、保護膜215を含むガラス基板13の非平坦部80a、80bにおける、透明電極19の物性を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする。
以下、第1実施形態の電気光学装置用基板の検査方法について、電気光学装置用基板としてのカラーフィルタ基板(第1の基板)における、保護膜(平坦化膜)を含むガラス基板(第1のガラス基板)上に対して、透明電極(第1の透明電極)を形成した場合を例にとって説明する。
[First Embodiment]
The first embodiment is an inspection method of the electro-
Then, the transparent
The
It is characterized by including.
Hereinafter, regarding the method for inspecting a substrate for an electro-optical device according to the first embodiment, a glass substrate (first film) including a protective film (planarization film) in a color filter substrate (first substrate) as a substrate for an electro-optical device. A case where a transparent electrode (first transparent electrode) is formed on a glass substrate will be described as an example.
1.検査対象
検査対象としてのカラーフィルタ基板12は、図1(d)に示すように、基本的に、ガラス基板12と、着色層16と、保護膜(平坦化膜)215と、第1の透明電極19と、配向膜217と、から構成してあることが好ましい。また、図示しないが、カラーフィルタ基板12において、電気絶縁性を向上させるための絶縁層を設けることも好ましい。
また、カラーフィルタ基板12において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等に使用される半透過反射型の液晶装置においては、ガラス基板12と、着色層16との間に、半透過反射機能を有する反射層212を設けることが好ましい。また、かかる反射層は、基材の表面に独立して形成された複数の凸部を有する第1の反射基部と、その上に形成された比較的なだらかな表面状態を有する連続層からなる第2の反射基部と、さらにその上に形成された金属薄膜からなる反射膜と、を含むことが好ましい。
1. Inspection Object As shown in FIG. 1D, the
Further, when the
また、着色層16は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層の色調の一例としては原色系フィルタとしてR(赤)、G(緑)、B(青)の3色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Y(イエロー)、M(マゼンダ)、C(シアン)等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、図1(d)に示すように、画素毎に形成された着色層16の間の画素間領域に、黒色遮光膜(ブラックマトリクス或いはブラックマスク)18が形成してあることが好ましい。
この黒色遮光膜18としては、例えば黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものや、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。
なお、着色層の配列パターンとして、ストライプ配列や、斜めモザイク配列、あるいは、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
In addition, the
Further, as shown in FIG. 1D, it is preferable that a black light shielding film (black matrix or black mask) 18 is formed in an inter-pixel region between the
As this black light-shielding
Various pattern shapes such as a stripe arrangement, an oblique mosaic arrangement, or a delta arrangement can be adopted as the arrangement pattern of the colored layers.
また、図1(d)に示すように、保護膜(平坦化膜)215の上に、ITO(インジウムスズ酸化物)等からなる第1の透明電極19を形成することが好ましい。かかる第1の透明電極19は、ストライプ状であって、それが複数個並列した構成であることが好ましい。
また、第1の透明電極19の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜217が形成されていることが好ましい。この理由は、このように配向膜217を設けることにより、カラーフィルタ基板12を液晶表示装置等に使用した場合に、液晶材料の電圧駆動を容易に実施することができるためである。
Further, as shown in FIG. 1D, it is preferable to form a first
An
2.透明電極形成工程
第1実施形態にかかる透明電極形成工程は、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対してエッチング処理液を使用して第1エッチング処理を行うことにより透明電極を形成する工程である。以下、カラーフィルタ基板(第1の基板)における、保護膜を含む第1のガラス基板上に透明電極を形成する場合を例に採って、図3(a)〜(g)を適宜参照しながら説明する。
2. Transparent electrode forming step The transparent electrode forming step according to the first embodiment is performed by laminating a transparent conductive material on a glass substrate including a protective film formed at a position corresponding to a display region on the glass substrate, and the transparent conductive material. Is a step of forming a transparent electrode by performing a first etching process using an etching process liquid. Hereinafter, taking a case where a transparent electrode is formed on a first glass substrate including a protective film in a color filter substrate (first substrate) as an example, with reference to FIGS. 3A to 3G as appropriate. explain.
まず、図3(a)〜(b)に示すように、ガラス基板13上におけるカラーフィルタ16r、16g、16b等が形成された領域、すなわち、表示領域に相当する箇所に形成された保護膜215を含むガラス基板13に対して、全面的に透明導電材料からなる透明導電層19Xを形成することが好ましい。
このとき、図3及び図7に示すように、保護膜215の端部には傾斜部80を有することが好ましい。この理由は、かかる傾斜部を有することにより、保護膜を含むガラス基板上に透明電極を形成した場合に、保護膜の端部が垂直状となっている場合と比較して、応力の集中を緩和することができるためである。したがって、断線や欠落等を効果的に防止することが可能となる。
なお、図7は、図3(b)のXX断面を矢印方向に見た部分垂直断面図である。
また、透明導電材料としては、ITO(インジウムスズ酸化物)や、IZO(インジウム亜鉛酸化物)、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化スズ・酸化アンチモン等を使用することができるが、より低抵抗性を示すことから、ITO(インジウムスズ酸化物)を使用することが好ましい。この透明導電層は、一例として、スパッタリング法により成膜することができる。
First, as shown in FIGS. 3A to 3B, a
At this time, as shown in FIGS. 3 and 7, it is preferable to have an inclined
FIG. 7 is a partial vertical cross-sectional view of the XX cross section of FIG.
In addition, as the transparent conductive material, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), tin oxide, zinc oxide, tin oxide / antimony oxide, etc. can be used. As shown, it is preferable to use ITO (indium tin oxide). As an example, this transparent conductive layer can be formed by sputtering.
また、透明導電層を積層するにあたり、図3(b)に示すように、Ta2O5やSiO2等からなる下地層81を形成した後に積層することが好ましい。この理由は、保護膜及びガラス基板上の透明電極の結晶状態等を均一化させて、透明導電層の密着性を高めることができるためである。
そして、図3(c)〜(g)に示すように、透明導電層19Xに対して、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図1(d)及び図3(g)に示すように、透明電極(第1の透明電極)19を形成することが好ましい。具体的には、まず、所定のパターニングを施したレジスト材料86を透明導電層19X上に積層する。次いで、レジスト材料86が被覆している部分以外の透明導電材料19Xに対して、エッチング処理液を使用してエッチング処理(第1エッチング処理)を行うことにより、所定パターンの透明電極(第1の透明電極)19を形成することができる。
なお、図1(d)は、図3(g)のYY断面を矢印方向に見た図を示している。
Further, when laminating the transparent conductive layer, it is preferable to laminate after forming the
Then, as shown in FIGS. 3C to 3G, the transparent
Note that FIG. 1D shows a view of the YY cross section of FIG.
3.評価工程
第1実施形態にかかる評価工程は、図2(a)〜(c)に示すように、透明電極19に対して、透明導電材料を所定形状の透明電極とするための第1エッチング処理とは異なるエッチング処理(第2エッチング処理)を行い、保護膜(平坦化膜)215を含む第1のガラス基板13の非平坦部80における、第1の透明電極19の物性、例えば、密着性を検査する工程である。
すなわち、透明電極の密着性に乏しい場合には、当該箇所にエッチング処理液を容易に浸入させて、透明電極を過度に浸食させることができるためである。したがって、電気光学装置用基板の製造段階において、透明電極の形成不良を発見することが容易になる。よって、かかる形成不良が発見された場合には、同様の条件で製造された電気光学装置用基板については、電気光学装置等に組み入れることを中断することが可能になる。また、電気光学装置用基板の製造条件にフィードバックし、かかる製造条件を迅速に適正範囲に調整することができる。
また、保護膜の非平坦部に対応した箇所において特に透明電極の密着不良や断線が生じやすいことから、当該箇所においてエッチング処理試験としての第2エッチング処理を行うことにより、厳しい条件で、透明電極の形成状態を評価することができる。したがって、得られる電気光学装置用基板や電気光学装置等の長期信頼性を著しく高めることができる。
以下、透明電極に対するエッチング処理試験と、透明電極の評価試験とに分けて説明する。
3. Evaluation Step As shown in FIGS. 2A to 2C, the evaluation step according to the first embodiment is a first etching process for making the transparent conductive material a transparent electrode having a predetermined shape with respect to the
That is, when the adhesiveness of the transparent electrode is poor, the etching solution can be easily infiltrated into the portion, and the transparent electrode can be excessively eroded. Therefore, it becomes easy to find a defective formation of the transparent electrode in the manufacturing stage of the substrate for the electro-optical device. Therefore, when such a formation defect is found, it is possible to interrupt the incorporation of the electro-optical device substrate manufactured under the same conditions into the electro-optical device or the like. In addition, it is possible to feed back to the manufacturing conditions of the substrate for the electro-optical device and quickly adjust the manufacturing conditions to an appropriate range.
In addition, since the adhesion failure or disconnection of the transparent electrode is particularly likely to occur at a location corresponding to the non-flat portion of the protective film, the transparent electrode is subjected to severe conditions by performing the second etching treatment as an etching treatment test at the location. The formation state of can be evaluated. Accordingly, the long-term reliability of the obtained electro-optical device substrate, electro-optical device, and the like can be significantly increased.
Hereinafter, the etching process test for the transparent electrode and the evaluation test for the transparent electrode will be described separately.
(1)エッチング処理試験(第2エッチング処理)
(1)−1 概要
エッチング処理試験は、保護膜を含むガラス基板上に形成された透明電極に対してエッチング処理(第2エッチング処理)を行い、透明電極の特性、例えば、保護膜を含むガラス基板に対する密着性の評価を、迅速かつ正確に実施するための工程である。すなわち、エッチング処理試験を行うことにより、形成不良等により透明電極の密着性に乏しい箇所にエッチング処理液を浸入させて、当該箇所の透明電極を過度に浸食させることができるためである。
ここで、エッチング処理試験は、上述の透明電極形成工程における透明導電層のエッチング処理(第1エッチング処理)ラインを利用して、すなわち、再度、既存のエッチングラインに投入して、実施することが好ましい。
一方、かかるエッチングラインの一部を分岐させて、エッチング処理試験用の検査ラインを設けて実施することも好ましい。すなわち、エッチング処理試験を行う評価工程を、透明電極形成工程に対して並列的に設けるとともに、当該透明電極形成工程における透明電極が形成された電気光学装置用基板を任意的に採取し、その透明電極の物性を評価することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、電気光学装置用基板の製造装置や、透明導電層のエッチング処理の際に使用するエッチング処理液等を、製造工程及び評価工程において併用することができ、迅速かつ効率的にエッチング処理試験を行うことができるためである。また、製造中の電気光学装置用基板における透明電極の物性を迅速に検査することができ、即時、製造条件を調整して、電気光学層装置用基板の歩留まりを向上させることができるためである。
(1) Etching treatment test (second etching treatment)
(1) -1 Outline In the etching treatment test, the transparent electrode formed on the glass substrate including the protective film is etched (second etching process), and the characteristics of the transparent electrode, for example, the glass including the protective film. This is a process for quickly and accurately evaluating the adhesion to the substrate. That is, by performing an etching treatment test, an etching treatment liquid can be infiltrated into a place where the adhesion of the transparent electrode is poor due to poor formation or the like, and the transparent electrode at the place can be excessively eroded.
Here, the etching treatment test may be performed by using the transparent conductive layer etching treatment (first etching treatment) line in the transparent electrode forming step described above, that is, by again throwing it into the existing etching line. preferable.
On the other hand, it is also preferable that a part of the etching line is branched and an inspection line for an etching process test is provided. That is, an evaluation process for performing an etching treatment test is provided in parallel with the transparent electrode forming process, and an electro-optical device substrate on which the transparent electrode in the transparent electrode forming process is formed is arbitrarily collected, and the transparent It is preferable to evaluate the physical properties of the electrode.
This is because the electro-optical device substrate manufacturing apparatus and the etching treatment liquid used in the etching process of the transparent conductive layer can be used together in the manufacturing process and the evaluation process. This is because the etching treatment test can be performed quickly and efficiently. Further, the physical properties of the transparent electrode on the electro-optical device substrate being manufactured can be quickly inspected, and the manufacturing conditions can be adjusted immediately to improve the yield of the electro-optical layer device substrate. .
(1)−2 エッチング処理液の成分
エッチング処理試験に使用するエッチング処理液の成分としては、塩酸及び塩化鉄を含むことが好ましい。すなわち、透明電極形成工程において、透明導電層の第1エッチング処理に使用するのと同じエッチング処理液を使用することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、製造工程におけるエッチング処理ラインの一部をそのまま利用して、エッチング処理試験を実施することが可能となるためである。したがって、製造装置とは別の検査装置等を設けることなく、所定のエッチング処理試験を実施することができる。
(1) -2 Components of etching treatment liquid It is preferable that the components of the etching treatment liquid used for the etching treatment test include hydrochloric acid and iron chloride. That is, in the transparent electrode forming step, it is preferable to use the same etching treatment liquid as that used for the first etching treatment of the transparent conductive layer.
The reason for this is that, by carrying out in this way, it becomes possible to carry out the etching treatment test by using a part of the etching treatment line in the manufacturing process as it is. Therefore, a predetermined etching process test can be performed without providing an inspection apparatus or the like separate from the manufacturing apparatus.
(1)−3 ボーメ値
また、使用するエッチング処理液に関して、比重に関するボーメ値を40〜70°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、エッチング処理液のボーメ値が40°未満の値になると、迅速かつ正確に透明電極の形成不良を評価することが困難となる場合があるためである。一方、エッチング処理液のボーメ値が70°を超えると、形成不良でなく適切な透明電極まで浸食等させてしまい、結局、透明電極の物性を正確に評価することが困難となる場合があるためである。
したがって、使用するエッチング処理液のボーメ値を45〜65°の範囲内の値とすることがより好ましく、50〜60°の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
(1) -3 Baume value Further, regarding the etching treatment liquid to be used, it is preferable to set the Baume value relating to the specific gravity within a range of 40 to 70 °.
This is because when the Baume value of the etching processing solution is less than 40 °, it may be difficult to evaluate the formation failure of the transparent electrode quickly and accurately. On the other hand, if the Baume value of the etching processing solution exceeds 70 °, it may not be defectively formed but may erode up to an appropriate transparent electrode, which may make it difficult to accurately evaluate the physical properties of the transparent electrode. It is.
Therefore, the Baume value of the etching treatment liquid to be used is more preferably set to a value within the range of 45 to 65 °, and further preferably set to a value within the range of 50 to 60 °.
(1)−4 pH値
また、使用するエッチング処理液に関し、pH値を2〜5の範囲内の値とすることが好ましく、2.5〜4の範囲内の値とすることがより好ましい。
この理由は、エッチング処理液のpH値が2未満の値となると、迅速かつ正確に透明電極の形成不良を評価することが困難となる場合があるためである。一方、エッチング処理液の濃度が5を超えると、形成不良でなく適切な透明電極まで浸食等させてしまい、結局、透明電極の物性を正確に評価することが困難となる場合があるためである。
(1) -4 pH value Moreover, it is preferable to make pH value into the value within the range of 2-5 regarding the etching process liquid to be used, and it is more preferable to set it as the value within the range of 2.5-4.
This is because when the pH value of the etching treatment liquid is less than 2, it may be difficult to evaluate the formation failure of the transparent electrode quickly and accurately. On the other hand, if the concentration of the etching treatment liquid exceeds 5, it may be difficult to accurately evaluate the physical properties of the transparent electrode as a result of erosion to an appropriate transparent electrode rather than poor formation. .
(1)−5 処理方法
また、エッチング処理液を透明電極に対して処理するにあたり、図4(a)に示すように、第1の透明電極19に対してエッチング処理液90を吹付けたり、噴霧したりすることが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、少量のエッチング処理液を使用して、透明電極の所望の箇所に対して適確にエッチング処理液を浸入させることができるためである。また、エッチング処理試験を実施するスペースを大掛かりなものとする必要がなく、省スペース化を図ることができるためである。したがって、透明電極の密着性等が乏しい場合には、確実に保護膜あるいはガラス基板から浮かせることが可能になる。
また、エッチング処理液を透明電極に対して処理するにあたり、図4(b)に示すように、電気光学装置用基板12をエッチング処理液90中に浸漬することも好ましい。
この理由は、このように実施することにより、透明電極の面積やパターンにかかわらず、確実に処理することができるためである。したがって、透明電極の密着性等が乏しい場合に、効率よく透明電極を浸食させることが可能になる。よって、透明電極の形成不良を、容易に発見することが可能になる。
(1) -5 Treatment Method Further, when the etching treatment liquid is treated on the transparent electrode, as shown in FIG. 4A, the
The reason for this is that by carrying out in this way, a small amount of the etching treatment liquid can be used and the etching treatment liquid can be accurately infiltrated into a desired portion of the transparent electrode. Further, it is not necessary to make a large space for performing the etching treatment test, and space can be saved. Therefore, when the adhesiveness of the transparent electrode is poor, it can be surely lifted from the protective film or the glass substrate.
In addition, when the etching solution is processed on the transparent electrode, it is also preferable to immerse the electro-
The reason for this is that, by carrying out in this way, the processing can be reliably performed regardless of the area and pattern of the transparent electrode. Therefore, the transparent electrode can be efficiently eroded when the adhesion of the transparent electrode is poor. Therefore, it becomes possible to easily find a defective formation of the transparent electrode.
(1)−6 温度
また、エッチング処理試験を実施するにあたり、エッチング処理液の温度を10〜50℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、迅速に透明電極を浸食させることができるためである。また、製造装置やエッチング処理液等の一部を利用して、効率的に、透明電極の結晶性等を変化させることができるためである。したがって、透明電極の密着不良を、迅速かつ確実に発見することが可能になる。
よって、エッチング処理液の温度を12〜40℃の範囲内の値とすることがより好ましく、15〜30℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、透明電極形成工程におけるエッチング処理と同様の温度条件で実施することが好ましい。よって、かかるエッチング処理液の温度を10〜50℃の範囲内の値とすることにより、実際の製造条件とも同一化することができ、評価結果のフィードバックも容易になる。
(1) -6 Temperature Moreover, when performing an etching process test, it is preferable to make the temperature of an etching process liquid into the value within the range of 10-50 degreeC.
This is because the transparent electrode can be rapidly eroded by carrying out in this way. Moreover, it is because crystallinity etc. of a transparent electrode can be changed efficiently using some manufacturing apparatuses, etching processing liquids, etc. Therefore, it is possible to quickly and surely detect the adhesion failure of the transparent electrode.
Therefore, the temperature of the etching treatment liquid is more preferably set to a value within the range of 12 to 40 ° C, and further preferably set to a value within the range of 15 to 30 ° C.
In addition, it is preferable to implement on the temperature conditions similar to the etching process in a transparent electrode formation process. Therefore, by setting the temperature of the etching processing solution to a value within the range of 10 to 50 ° C., it is possible to make the manufacturing conditions the same as the actual manufacturing conditions, and the evaluation results can be easily fed back.
(1)−7 時間
また、エッチング処理試験を実施するにあたり、エッチング処理液による処理時間を40〜300秒の範囲内とすることが好ましい。
この理由は、かかる処理時間が40秒未満となると、透明電極の密着不良等を適確に測定できない場合があるためである。一方、かかる処理時間が300秒を超えると、評価工程全体として過度に時間を費やしてしまい、効率が低下してしまうためである。
したがって、エッチング処理液による処理時間を50〜240秒の範囲内とすることがより好ましく、60〜180秒の範囲内とすることがさらに好ましい。
(1) -7 hours Moreover, when performing an etching process test, it is preferable to make the processing time by an etching processing liquid into the range of 40 to 300 seconds.
This is because when such a processing time is less than 40 seconds, the adhesion failure of the transparent electrode may not be accurately measured. On the other hand, if the processing time exceeds 300 seconds, the entire evaluation process is excessively time-consuming and the efficiency is lowered.
Therefore, the treatment time with the etching treatment liquid is more preferably in the range of 50 to 240 seconds, and further preferably in the range of 60 to 180 seconds.
(1)−8 回数
また、エッチング処理試験を適当な条件において1回実施するだけで、透明電極の密着不良等につき、十分評価することができるものの、複数回実施することも好ましい。
この理由は、このように実施することにより、透明電極の密着不良等の度合いに応じて、迅速かつ効率的にかかる密着不良等を発見することができるためである。
また、エッチング処理試験を複数回実施する場合において、上述したpH値や、濃度、温度等の条件を変えることなくそのまま繰り返し実施しても良いが、かかるpH値や、濃度、温度等の条件を変えた上で、複数回実施することも好ましい。例えば、濃度が異なるエッチング処理液を数種準備しておき、どの段階の濃度で透明電極が剥離したかにより、透明電極の密着性を客観的に判断することができる。
(1) -8 times Although it is possible to sufficiently evaluate the adhesion failure of the transparent electrode and the like only by performing the etching treatment test once under appropriate conditions, it is also preferable to perform the test multiple times.
The reason for this is that by carrying out in this way, it is possible to quickly and efficiently find such a contact failure or the like according to the degree of contact failure or the like of the transparent electrode.
Further, when the etching treatment test is performed a plurality of times, it may be repeated as it is without changing the above-described conditions such as pH value, concentration, temperature, etc., but the conditions such as pH value, concentration, temperature, etc. It is also preferable to carry out the process a plurality of times after changing. For example, several types of etching processing solutions having different concentrations are prepared, and the adhesiveness of the transparent electrode can be objectively determined based on the concentration of the transparent electrode peeled off.
(2)特性評価
次いで、エッチング処理試験を実施した透明電極についての特性評価、例えば、エッチング処理液によって一部浸食させた透明電極と、保護膜を含むガラス基板との間の密着性評価を行う。すなわち、密着性等が乏しい透明電極は、エッチング処理試験によって、過度に浸食していたり、保護膜あるいはガラス基板から一部浮くか、あるいは剥離しているために、容易に密着不良を発見できる状態となっている。
例えば、かかる密着性等を評価するにあたり、JIS K5400に準拠して、碁盤目試験を実施することが好ましい。具体的には、図2(b)に示すように、保護膜215を含むガラス基板13上の非平坦部80に形成された透明電極19に、1μm角の碁盤目を100個形成した後、粘着テープ92を貼付し、次いで、図2(c)に示すように、粘着テープ92を引き剥がして、基板上に残存した透明電極19の碁盤目数を測定することにより、評価することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、簡易な方法で透明電極の密着性を評価することができるためである。また、密着不良を生じやすい非平坦部において評価することにより、より厳しい条件での密着性を評価することができるためである。
したがって、かかる碁盤目試験を実施した結果、例えば、基板上に残存した透明電極の碁盤目数が、100個中、80個未満となった場合には、透明電極の密着性を不良と評価し、同様の条件で製造された電気光学装置用基板を電気光学装置等に組み込むことを中止することが好ましい。
(2) Characteristic evaluation Next, characteristic evaluation of the transparent electrode subjected to the etching treatment test, for example, adhesion evaluation between the transparent electrode partially eroded by the etching treatment liquid and the glass substrate including the protective film is performed. . That is, the transparent electrode with poor adhesion etc. is in a state where adhesion failure can be easily found because it is excessively eroded, partially floated from the protective film or glass substrate, or peeled off by the etching treatment test. It has become.
For example, when evaluating such adhesion, it is preferable to perform a cross-cut test in accordance with JIS K5400. Specifically, as shown in FIG. 2 (b), after forming 100 1 μm square grids on the
This is because the adhesiveness of the transparent electrode can be evaluated by a simple method by carrying out in this way. Moreover, it is because the adhesiveness on severer conditions can be evaluated by evaluating in the non-flat part which tends to produce the adhesion defect.
Therefore, as a result of the cross-cut test, for example, when the cross-cut number of the transparent electrode remaining on the substrate is less than 80 out of 100, the adhesion of the transparent electrode is evaluated as poor. It is preferable to stop incorporating an electro-optical device substrate manufactured under the same conditions into an electro-optical device or the like.
一方、透明電極の密着性を評価するに当たり、非平坦部における透明電極を、顕微鏡等を使用して観察することにより評価することも好ましい。この理由は、このように実施することにより、透明電極の浸食度合いを直接視認することができ、容易に密着性を評価することができるためである。
したがって、非平坦部における透明電極を観察して、図5(a)に示すエッチング処理試験前と、図5(b)に示すエッチング処理試験後の透明電極を比較した結果、例えば、浸食された透明電極の割合が20%程度を超える場合には、透明電極の密着性を不良と評価し、同様の条件で製造された電気光学装置用基板を電気光学装置に組み込むことを中止することが好ましい。
On the other hand, in evaluating the adhesion of the transparent electrode, it is also preferable to evaluate the transparent electrode in the non-flat portion by observing it using a microscope or the like. This is because the degree of erosion of the transparent electrode can be directly recognized and the adhesion can be easily evaluated by carrying out in this way.
Therefore, as a result of observing the transparent electrode in the non-flat part and comparing the transparent electrode before the etching treatment test shown in FIG. 5A and after the etching treatment test shown in FIG. When the ratio of the transparent electrode exceeds about 20%, it is preferable to evaluate that the adhesion of the transparent electrode is poor and stop incorporating the electro-optical device substrate manufactured under the same conditions into the electro-optical device. .
[第2実施形態]
第2実施形態は、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成する保護膜形成工程と、当該保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して第1エッチング処理を行うことにより、透明電極を形成する透明電極形成工程と、を含む電気光学装置用基板の製造方法である。
そして、透明電極に対して、エッチング処理試験としての第2エッチング処理を行い、保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、透明電極の物性を評価する評価工程をさらに含むことを特徴とする。
すなわち、第1実施形態で説明したのと同様の評価工程を含む、電気光学装置用基板の製造方法である。
以下、第2実施形態の電気光学装置用基板の製造方法として、カラーフィルタ基板の製造方法を例に採り、図1〜図7を適宜参照して、第1実施形態で既に説明した内容については適宜省略しながら説明する。
[Second Embodiment]
In the second embodiment, a protective film forming step of forming a protective film at a position corresponding to a display region on the glass substrate, a transparent conductive material is laminated on the glass substrate including the protective film, and the transparent conductive material And a transparent electrode forming step of forming a transparent electrode by performing a first etching process on the electro-optical device substrate.
And it is characterized by further including the evaluation process which performs the 2nd etching process as an etching process test with respect to a transparent electrode, and evaluates the physical property of the transparent electrode in the non-flat part of the glass substrate containing a protective film.
That is, this is a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device, including the same evaluation process as described in the first embodiment.
Hereinafter, as a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device according to the second embodiment, a method for manufacturing a color filter substrate is taken as an example, and the contents already described in the first embodiment with reference to FIGS. Explanation will be given while omitting appropriately.
1.全体的構成
(1)前工程
まず、図6に示すように、ガラス基板上にカラーフィルタ等を形成するための前工程(S1工程)を実施することが好ましい。具体的には、図1(a)に示すように、カラーフィルタ基板における第1のガラス基板13上の画像表示領域に相当する箇所に、反射層212、着色層16、及び黒色遮光層(ブラックマトリクス)18を順次形成することが好ましい。
ここで、開口部212aを備えた反射層212は、蒸着法やスパッタリング法にて金属材料等を基板上に被着させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、黒色遮光層(ブラックマトリクス)18は、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによって形成する。
また、着色層16についても、顔料や染料等の着色材を分散させた透明樹脂等からなる感光性樹脂を、反射層212等の上に塗布し、これにパターン露光、現像処理を順次施すことによっても形成することができる。
なお、複数の色の着色層16を配列形成する場合には、色毎に上記工程を繰り返すことになる。
1. Overall Configuration (1) Pre-process First, as shown in FIG. 6, it is preferable to perform a pre-process (S1 process) for forming a color filter or the like on a glass substrate. Specifically, as shown in FIG. 1A, the
Here, the
For the
In addition, when forming the
(2)保護膜の形成
次いで、図6に示すように、ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に保護膜を形成するための、保護膜形成工程(S2工程)を実施することが好ましい。具体的には、まず、図1(b)に示すように、着色層16等が形成された第1のガラス基板13上に、全面的に透光保護層215Xを形成する。この透光保護層215Xは、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂などで構成することができる。中でも、透明性に優れるとともに、効率よく硬化させることができることから、光硬化性アクリル樹脂を使用することが好ましい。
そして、これらの樹脂は流動性を有する未硬化状態で基板上に塗布され、乾燥、光硬化、熱硬化などの適宜の手段で硬化される。塗布方法としては、スピンコート法や印刷法などを用いることができる。
(2) Formation of Protective Film Next, as shown in FIG. 6, it is preferable to carry out a protective film forming step (S2 step) for forming a protective film at a location corresponding to the display region on the glass substrate. Specifically, first, as shown in FIG. 1B, a light-transmitting
These resins are applied onto the substrate in an uncured state having fluidity, and are cured by appropriate means such as drying, photocuring, and thermosetting. As a coating method, a spin coating method, a printing method, or the like can be used.
次いで、上記透光保護層215Xに、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを施し、図1(c)に示すように、画像表示領域Aに限定された保護膜(平坦化膜)215を形成する。この工程によって、透光保護層215Xから画像表示領域A以外の領域、すなわち、図1(c)に示すシール枠B及びシール枠の外側に配置される領域Cとほぼ同じ領域上から透光性素材が欠落される。
すなわち、このように画像表示領域にのみ選択的に保護膜(平坦化膜)215を形成することにより、電気光学装置において互いに対向する、一対の電気光学装置用基板の間のセルギャップの均一化を図ることができる。
Next, the light transmissive
That is, by forming the protective film (flattening film) 215 selectively only in the image display region in this way, the cell gap between the pair of substrates for the electro-optical device facing each other in the electro-optical device is made uniform. Can be achieved.
ここで、第1のガラス基板上に、選択的に保護膜を形成するにあたり、図7に示すように、保護膜215の端部に傾斜部80を設けることが好ましい。
この理由は、保護膜の端部に傾斜部を有することにより、かかる保護膜を含むガラス基板上に透明電極を形成した場合に、保護膜の端部が垂直状となっている場合と比較して、応力の集中を緩和することができるためである。したがって、透明電極の密着性等の低下を防止して、断線や欠落等を効果的に防止することが可能となる。
また、かかる保護膜の端部の傾斜部は、例えば、まず、図1(b)に示すように、ガラス基板上に前面に積層された透光保護層215Xに対して、所定形状にパターニングを施したレジスト材料を積層する。その後、光硬化させることにより、当該光がレジスト材料の下側にも一部回りこみ、かかる部分の透光保護層が硬化することによって形成することができる。
なお、かかる保護膜215の傾斜部80を含む箇所が、保護膜215を含む第1のガラス基板13における非平坦部となる。
Here, when the protective film is selectively formed on the first glass substrate, it is preferable to provide an
The reason for this is that when the transparent electrode is formed on the glass substrate including such a protective film by having an inclined part at the end of the protective film, the edge of the protective film is in a vertical shape. This is because the stress concentration can be relaxed. Therefore, it is possible to prevent the disconnection or missing from being effectively prevented by preventing a decrease in the adhesion of the transparent electrode.
Further, for example, as shown in FIG. 1B, the inclined portion at the end of the protective film is first patterned into a predetermined shape with respect to the light transmitting
A portion including the
(3)透明電極形成工程
次いで、図6に示すように、透明電極形成工程(S3工程〜S10工程)を実施することが好ましい。かかる透明電極形成工程については、第1実施形態で既に述べた内容と同様とすることができるために、具体的な説明は省略するが、おおまかな流れとしては以下のとおりとなる。
すなわち、まず、図3(a)〜(b)に示すように、保護膜215を含む第1のガラス基板13上に、全面的に透明導電材料からなる透明導電層19Xを形成する(図6におけるS4工程)。ここで、図3(b)に示すように、透明導電層19Xを積層するにあたり、あらかじめ、Ta2O5やSiO2等からなる下地層81を形成することも好ましい(図6におけるS3工程)。この理由は、形成される透明導電層19Xの結晶性等を均一化させて、保護膜及びガラス基板に対する透明導電層の密着性を高めることができるためである。
次いで、図3(c)に示すように、透明導電層19X上に所定のレジスト材料86´を塗布した後(図6におけるS5工程)、図3(d)に示すように、所定のマスクパターン87を施した上で露光して(S6工程)、現像する(S7)ことにより、図3(e)に示すように、レジスト材料86を塗布した後、所定形状にパターニングする。そして、図3(f)に示すように、透明導電材料19Xに対してエッチング処理(第1エッチング処理)を行った後(S8工程)、再びレジスト材料86に対して露光(S9工程)、及び現像(S10)してレジスト材料を剥離する。
このようにして、図3(g)及び図1(d)に示すように、所定パターン(図示せず)の透明電極(第1の透明電極)19を形成することが好ましい。
なお、図1(d)は、図3(g)のYY断面を矢印方向に見た断面図であり、ストライプ状にパターニングされた透明電極の例を示している。ただし、透明電極のパターン形状はこれに制限されるものではなく、例えば、TFT素子(Thin Film Transistor)を使用した電気光学装置における第1の基板上の透明電極のように、基板上の全面に積層されている場合であっても、本発明の検査方法及び製造方法を適用できる。
(3) Transparent electrode formation process Next, as shown in FIG. 6, it is preferable to implement a transparent electrode formation process (S3 process-S10 process). Since the transparent electrode forming step can be the same as that already described in the first embodiment, a detailed description is omitted, but the general flow is as follows.
That is, first, as shown in FIGS. 3A to 3B, a transparent
Next, as shown in FIG. 3C, after applying a predetermined resist material 86 'on the transparent
In this way, it is preferable to form a transparent electrode (first transparent electrode) 19 having a predetermined pattern (not shown) as shown in FIGS. 3 (g) and 1 (d).
FIG. 1D is a cross-sectional view of the YY cross section of FIG. 3G viewed in the direction of the arrow, and shows an example of a transparent electrode patterned in a stripe shape. However, the pattern shape of the transparent electrode is not limited to this. For example, the transparent electrode pattern is formed on the entire surface of the substrate such as the transparent electrode on the first substrate in an electro-optical device using a TFT element (Thin Film Transistor). Even in the case of lamination, the inspection method and the manufacturing method of the present invention can be applied.
(4)後工程
次いで、透明電極等が形成された第1のガラス基板上に対して、ポリイミド樹脂等からなる配向膜等を形成するための後工程(S11工程)を実施することが好ましい。
以上のように、各工程を経て、電気光学装置用基板が製造されることとなる。
(4) Post process Next, it is preferable to implement the post process (S11 process) for forming the alignment film etc. which consist of a polyimide resin etc. with respect to the 1st glass substrate in which the transparent electrode etc. were formed.
As described above, the electro-optical device substrate is manufactured through the respective steps.
2.評価工程
第2実施形態に係る評価工程は、既に第1実施形態で述べた評価工程と同様とすることができる。すなわち、エッチング処理試験(第2エッチング処理)を実施するとともに、透明電極の密着性の評価を行う工程である。
そして、かかる評価工程は、図6に示すように、透明電極形成工程における第1エッチング処理(S8工程)以降の工程中に実施することが好ましい。すなわち、所定形状に形成された各透明電極パターンにおける密着性に乏しい箇所に対して、エッチング処理液を侵入させることができるためである。したがって、透明電極の密着性を適確に評価することが可能になって、透明電極の形成不良に起因した断線や欠落が生じる可能性の少ない電気光学装置用基板を効率的に製造することができる。
2. Evaluation Step The evaluation step according to the second embodiment can be the same as the evaluation step already described in the first embodiment. That is, it is a step of performing an etching treatment test (second etching treatment) and evaluating the adhesion of the transparent electrode.
And as shown in FIG. 6, it is preferable to implement this evaluation process in the process after the 1st etching process (S8 process) in a transparent electrode formation process. That is, it is because an etching process liquid can be penetrate | invaded with respect to the location where adhesiveness in each transparent electrode pattern formed in the predetermined shape is scarce. Accordingly, it becomes possible to accurately evaluate the adhesion of the transparent electrode, and to efficiently manufacture a substrate for an electro-optical device that is less likely to cause disconnection or missing due to defective formation of the transparent electrode. it can.
ここで、評価工程は、透明電極が所定形状に形成された後であれば、製造工程中の各段階においても実施することが可能であるが、例えば、図6中、評価工程Aで示すように、レジスト材料が残存した状態で実施することが好ましい。
この理由は、このように実施することにより、密着性に乏しい箇所以外の箇所の透明電極が浸食されることを有効に防止することができるためである。また、この段階で評価工程を実施することにより、透明導電材料の積層段階から、透明電極のパターニングの条件に起因する、当該透明電極の密着不良を発見することができるためである。
したがって、評価工程Aの評価結果を、主として、保護膜形成(S2工程)、下地層形成(S3工程)、透明導電材料積層(S4工程)、レジスト塗布(S5工程)、露光(S6工程)、現像(S7工程)、第1エッチング処理(S8工程)における各条件設定にフィードバックして、適宜調整することが好ましい。
Here, the evaluation step can be performed at each stage in the manufacturing process as long as the transparent electrode is formed in a predetermined shape. For example, as shown in FIG. In addition, it is preferable to carry out with the resist material remaining.
This reason is because it can prevent effectively that the transparent electrode of locations other than the location with poor adhesiveness is eroded by implementing in this way. Moreover, it is because the adhesion defect of the said transparent electrode resulting from the patterning conditions of a transparent electrode can be discovered from the lamination | stacking step of a transparent conductive material by implementing an evaluation process at this step.
Therefore, the evaluation results of the evaluation process A mainly consist of protective film formation (S2 process), underlayer formation (S3 process), transparent conductive material lamination (S4 process), resist coating (S5 process), exposure (S6 process), It is preferable to adjust appropriately by feeding back to each condition setting in the development (step S7) and the first etching process (step S8).
また、図6中、評価工程Bで示すように、レジスト材料を剥離した後に実施することも好ましい。すなわち、評価工程Bにおいても、保護膜あるいはガラス基板との密着性に乏しい箇所の透明電極は、他の部分よりも激しく浸食されるために、密着性評価を好適に行うことができるためである。そして、評価工程Bでは、透明導電材料をパターニングする際のレジスト材料を剥離した後(S10工程後)に実施することにより、第1エッチング処理(S8工程)後の、各工程の条件に起因する、当該透明電極の密着不良を発見することができるためである。
したがって、評価工程Bの評価結果を、主として、再露光(S9工程)、現像(S10工程)における各条件設定にフィードバックして、適宜調整することが好ましい。
そして、これら評価工程A〜Bを、複数段階で実施することも好ましい。この理由は、電気光学装置用基板の製造工程中の各工程において評価工程を実施して、検査結果をフィードバックして、迅速かつ適確に製造条件を調整することにより、透明電極の物性、例えば、透明電極の密着性に優れた電気光学装置用基板を効率よく製造することができるためである。
In addition, as shown in the evaluation step B in FIG. 6, it is also preferable to carry out after removing the resist material. That is, also in the evaluation step B, the transparent electrode in a portion having poor adhesion to the protective film or the glass substrate is eroded more vigorously than the other portions, so that the adhesion evaluation can be suitably performed. . And in the evaluation process B, after carrying out after peeling the resist material at the time of patterning a transparent conductive material (after S10 process), it originates in the conditions of each process after the 1st etching process (S8 process). This is because an adhesion failure of the transparent electrode can be found.
Therefore, it is preferable to adjust the evaluation result of the evaluation step B mainly by feeding back to the respective condition settings in the re-exposure (step S9) and development (step S10).
And it is also preferable to implement these evaluation steps A to B in a plurality of stages. This is because the physical properties of the transparent electrode, for example, by performing an evaluation process in each process in the process of manufacturing the substrate for an electro-optical device, feeding back the inspection results, and adjusting the manufacturing conditions quickly and accurately, for example, This is because an electro-optical device substrate having excellent adhesion of the transparent electrode can be efficiently produced.
3.電気光学装置等への組み込み
以上のように、透明電極の密着性の評価基準をクリアして製造された電気光学装置用基板は、例えば、図8及び図9に示すような電気光学装置や電子機器に好適に組み入れることができる。
すなわち、図8及び図9中に示す、カラーフィルタ基板12や走査基板14を、上述した電気光学装置用基板の製造方法により製造することにより、透明電極の形成不良に起因する断線や欠落が生じる可能性が少ないために、長期信頼性に優れた電気光学装置等を提供することが可能になる。
3. As described above, the substrate for an electro-optical device manufactured by clearing the evaluation criteria for the adhesion of the transparent electrode is, for example, an electro-optical device or an electronic device as shown in FIGS. It can be suitably incorporated into the device.
That is, when the
以上説明したように、本発明の電気光学装置用基板の検査方法によれば、所定の評価工程を含むことにより、電気光学装置用基板の製造段階において、透明電極と、保護膜を含むガラス基板との間の密着性等を、迅速かつ適確に評価できるようになった。したがって、透明電極が形成不良と評価された場合には、迅速に電気光学装置用基板の製造条件を調整することができ、その結果、電気光学装置用基板の歩留まりを著しく高めることができるようになった。
また、かかる検査方法によれば、電気光学装置用基板の製造段階において、あらかじめ透明電極の形成不良を発見することができるために、得られる電気光学装置用基板の信頼性を高めることができ、結果として、それが組み込まれる電気光学装置あるいは電子機器の信頼性を高めることができるようになった。
したがって、パーソナルコンピュータや、携帯電話機、その他、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子(FED:Field Emission DisplayやSCEED:Surface-Conduction Electron-Emitter Display)などに使用される電気光学装置用基板の検査方法や、これらの製造方法に用いることができる。
As described above, according to the method for inspecting a substrate for an electro-optical device of the present invention, a glass substrate including a transparent electrode and a protective film in the manufacturing stage of the substrate for an electro-optical device by including a predetermined evaluation step. It has become possible to quickly and accurately evaluate the adhesion between the two. Therefore, when the transparent electrode is evaluated as being poorly formed, the manufacturing conditions of the electro-optical device substrate can be quickly adjusted, and as a result, the yield of the electro-optical device substrate can be significantly increased. became.
In addition, according to the inspection method, since the formation failure of the transparent electrode can be found in advance in the manufacturing stage of the electro-optical device substrate, the reliability of the obtained electro-optical device substrate can be improved, As a result, the reliability of the electro-optical device or electronic apparatus in which it is incorporated can be improved.
Therefore, personal computers, mobile phones, other liquid crystal televisions, viewfinder type / monitor direct-view type video tape recorders, car navigation devices, pagers, electrophoresis devices, electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, video phones, POSs. Used for inspection methods for electro-optical device substrates used in terminals, electronic devices equipped with touch panels, electron-emitting devices (FED: Field Emission Display, SCEED: Surface-Conduction Electron-Emitter Display), and manufacturing methods thereof be able to.
12:第1の基板、13:第1のガラス基板、14:第2の基板、18:ブラックマトリクス、19:第1の透明電極(走査電極)、20:第2の透明電極(画素電極)、22・25:素子第2電極(第2金属膜)、23:絶縁膜、24:素子第1電極(第1金属膜)、26:電気配線(データ電極)、27:第2のガラス基板、31a:第1のTFD素子、31b:第2のTFD素子、80:非平坦部(傾斜部)、81:下地層(SiO2)、90:エッチング処理液、92:粘着テープ、200:液晶パネル、215:保護膜 12: first substrate, 13: first glass substrate, 14: second substrate, 18: black matrix, 19: first transparent electrode (scanning electrode), 20: second transparent electrode (pixel electrode) 22:25: element second electrode (second metal film), 23: insulating film, 24: element first electrode (first metal film), 26: electrical wiring (data electrode), 27: second glass substrate , 31a: first TFD element, 31b: second TFD element, 80: non-flat part (inclined part), 81: base layer (SiO 2 ), 90: etching treatment liquid, 92: adhesive tape, 200: liquid crystal Panel, 215: Protective film
Claims (11)
ガラス基板上の表示領域に相当する箇所に形成された保護膜を含むガラス基板上に透明導電材料を積層するとともに、当該透明導電材料に対して、エッチング処理液を使用して第1エッチング処理を行うことにより前記透明電極を形成する透明電極形成工程と、
前記透明電極に対して、エッチング処理液を使用して、エッチング処理試験としての第2エッチング処理を行い、前記保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、前記透明電極の物性を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の検査方法。 An inspection method for an electro-optical device substrate for evaluating the physical properties of a transparent electrode formed on the electro-optical device substrate,
A transparent conductive material is laminated on a glass substrate including a protective film formed at a position corresponding to a display region on the glass substrate, and a first etching process is performed on the transparent conductive material using an etching treatment liquid. A transparent electrode forming step of forming the transparent electrode by performing;
An evaluation process for evaluating the physical properties of the transparent electrode in the non-flat portion of the glass substrate including the protective film by performing a second etching treatment as an etching treatment test on the transparent electrode using an etching treatment liquid. When,
A method for inspecting a substrate for an electro-optical device, comprising:
前記透明電極に対して、エッチング処理試験としての第2エッチング処理を行い、前記保護膜を含むガラス基板の非平坦部における、前記透明電極の物性を評価する評価工程をさらに含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。 A protective film forming step of forming a protective film in a position corresponding to a display region on the glass substrate, a transparent conductive material is laminated on the glass substrate including the protective film, and a first etching process is performed on the transparent conductive material A transparent electrode forming step of forming the transparent electrode by performing a method for manufacturing a substrate for an electro-optical device,
The method further includes an evaluation step of performing a second etching process as an etching process test on the transparent electrode and evaluating physical properties of the transparent electrode in a non-flat portion of the glass substrate including the protective film. A method for manufacturing a substrate for an electro-optical device.
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