JPH09246224A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
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- JPH09246224A JPH09246224A JP5050696A JP5050696A JPH09246224A JP H09246224 A JPH09246224 A JP H09246224A JP 5050696 A JP5050696 A JP 5050696A JP 5050696 A JP5050696 A JP 5050696A JP H09246224 A JPH09246224 A JP H09246224A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの表面を損傷させることなく、金属や
有機物の従来はブラシによってしか取り除くことなく出
来なかった付着物をウエハを傷つけることなく取り除く
ことのできる洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 シャワーノズル装置23をウエハ21に
対しfの方向に往復動させながらそのシャワーノズル部
26の小孔26aから洗浄液をウエハ21の表面に噴出
させる。
有機物の従来はブラシによってしか取り除くことなく出
来なかった付着物をウエハを傷つけることなく取り除く
ことのできる洗浄方法を提供すること。 【解決手段】 シャワーノズル装置23をウエハ21に
対しfの方向に往復動させながらそのシャワーノズル部
26の小孔26aから洗浄液をウエハ21の表面に噴出
させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は洗浄方法、特に半導
体ウエハの鏡面を洗浄するウエハの洗浄方法に関する。
体ウエハの鏡面を洗浄するウエハの洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体製造工程においてCVD
(Chemical Vapor Depositio
n)法、RIE(Reactine Ion Etch
ing)法、PR法などがあり、これらには種々の加工
装置、搬送装置、あるいは固定装置などが用いられる
が、例えばこれらの内、ベルトによる搬送時や静電チャ
ックや真空チャックによる固定時においては金属物、有
機物などの汚染物がウエハ裏面に付着する場合がある。
これによりウエハの裏面が汚染源となり、これをいわゆ
るウエット洗浄で製品処理する場合、同じ洗浄液で処理
するために、その長い処理履歴の後の処理液によっては
その薬液自体が媒体として働き、裏面転写により表面へ
の汚染の原因となっている。
(Chemical Vapor Depositio
n)法、RIE(Reactine Ion Etch
ing)法、PR法などがあり、これらには種々の加工
装置、搬送装置、あるいは固定装置などが用いられる
が、例えばこれらの内、ベルトによる搬送時や静電チャ
ックや真空チャックによる固定時においては金属物、有
機物などの汚染物がウエハ裏面に付着する場合がある。
これによりウエハの裏面が汚染源となり、これをいわゆ
るウエット洗浄で製品処理する場合、同じ洗浄液で処理
するために、その長い処理履歴の後の処理液によっては
その薬液自体が媒体として働き、裏面転写により表面へ
の汚染の原因となっている。
【0003】すなわち、図5及び図6はこのようなウエ
ット洗浄の一例を示すものであるが、図において洗浄槽
1内には洗浄液2が満たされており、これにキャリア4
により複数枚の洗浄すべきウエハ3を載置させてこの洗
浄液2内に漬ける(いわゆるdipする)。これにより
各ウエハ3の裏面に付着した上記の金属物、有機物等の
汚染物dが除去されるのであるが、矢印で示すように、
相近接しているウエハの表面に付着してしまう(いわゆ
る裏面転写である)が、これでは充分な洗浄を行えない
ことになる。
ット洗浄の一例を示すものであるが、図において洗浄槽
1内には洗浄液2が満たされており、これにキャリア4
により複数枚の洗浄すべきウエハ3を載置させてこの洗
浄液2内に漬ける(いわゆるdipする)。これにより
各ウエハ3の裏面に付着した上記の金属物、有機物等の
汚染物dが除去されるのであるが、矢印で示すように、
相近接しているウエハの表面に付着してしまう(いわゆ
る裏面転写である)が、これでは充分な洗浄を行えない
ことになる。
【0004】ウエハ表面異物除去に対しては上述のよう
なウエット洗浄が主流であるが、例えばCVD成膜時に
起こる突起物や製品処理中におけるダスト発塵に対して
はウエット洗浄のような化学的除去方法では困難であ
る。これに対し、図7で示すように、いわゆるブラッシ
ュ(brush)による洗浄方法がある。すなわちカッ
プ5の上端部に洗浄すべきウエハ6を載置し、図示しな
い固定部材により固着し、回転軸11によりこれを回転
させながら、上方に配設したブラシ駆動装置7に取り付
けられているブラシ9により洗浄するのであるが、その
側方に配設したノズルから純水を噴出させながら、この
ブラシ駆動装置7を矢印aの方向に駆動させながらブラ
シ9を軸心8の周りに回動させつつ、また矢印bで示す
方向に圧力を調整してウエハ6の表面を洗浄する方法が
ある。然るにこのような洗浄方法ではウエハの種類によ
ってブラシ9のウエハ6に対する圧力やブラシ9の軸心
8の周りの回転数、あるいは回転軸11によるウエハ6
の回転数を最適に選ばなければ、ウエハ6の表面が損傷
される場合がある。
なウエット洗浄が主流であるが、例えばCVD成膜時に
起こる突起物や製品処理中におけるダスト発塵に対して
はウエット洗浄のような化学的除去方法では困難であ
る。これに対し、図7で示すように、いわゆるブラッシ
ュ(brush)による洗浄方法がある。すなわちカッ
プ5の上端部に洗浄すべきウエハ6を載置し、図示しな
い固定部材により固着し、回転軸11によりこれを回転
させながら、上方に配設したブラシ駆動装置7に取り付
けられているブラシ9により洗浄するのであるが、その
側方に配設したノズルから純水を噴出させながら、この
ブラシ駆動装置7を矢印aの方向に駆動させながらブラ
シ9を軸心8の周りに回動させつつ、また矢印bで示す
方向に圧力を調整してウエハ6の表面を洗浄する方法が
ある。然るにこのような洗浄方法ではウエハの種類によ
ってブラシ9のウエハ6に対する圧力やブラシ9の軸心
8の周りの回転数、あるいは回転軸11によるウエハ6
の回転数を最適に選ばなければ、ウエハ6の表面が損傷
される場合がある。
【0005】図8は、更に他従来例のウエハの洗浄装置
(特開平5−3184号公報に開示されている)を示す
が、上記従来例に対応する部分については同一の符号を
付すものとする。すなわち、本従来例ではウエハ6の表
面及び裏面を全体として円筒形状のブラシ18、19に
より、側方からノズル16、17により洗浄液を噴出さ
せながら矢印方向に回転させてウエハの表面及び裏面を
洗浄している。このような洗浄装置においても上記従来
例と同様な問題を有するものである。なお、この従来例
では上下方向でウエハ6を相近接する方向に押圧してい
るが、これによりウエハ6が曲がらないようにしてい
る。すなわち、上記従来例においても問題となるのであ
るが、ブラシにより押圧して洗浄する場合においてはこ
のようなウエハ6の曲がりもに注意しなければならな
い。なお、ノズル16、17による洗浄だけでは一つの
孔から洗浄液を噴出しているだけであり、これのみでブ
ラッシュの洗浄作用を行なうことは到底出来ない。
(特開平5−3184号公報に開示されている)を示す
が、上記従来例に対応する部分については同一の符号を
付すものとする。すなわち、本従来例ではウエハ6の表
面及び裏面を全体として円筒形状のブラシ18、19に
より、側方からノズル16、17により洗浄液を噴出さ
せながら矢印方向に回転させてウエハの表面及び裏面を
洗浄している。このような洗浄装置においても上記従来
例と同様な問題を有するものである。なお、この従来例
では上下方向でウエハ6を相近接する方向に押圧してい
るが、これによりウエハ6が曲がらないようにしてい
る。すなわち、上記従来例においても問題となるのであ
るが、ブラシにより押圧して洗浄する場合においてはこ
のようなウエハ6の曲がりもに注意しなければならな
い。なお、ノズル16、17による洗浄だけでは一つの
孔から洗浄液を噴出しているだけであり、これのみでブ
ラッシュの洗浄作用を行なうことは到底出来ない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の問題に
鑑みてなされ、いかなるウエハに対しても表面及び裏面
の汚染物を他のウエハに汚染転写するようなことなく、
又、この表面及び裏面を損傷させることなくブラシでし
か除去できなかった汚染物を確実に除去することのでき
るウエハの洗浄方法を提供することを課題とする。
鑑みてなされ、いかなるウエハに対しても表面及び裏面
の汚染物を他のウエハに汚染転写するようなことなく、
又、この表面及び裏面を損傷させることなくブラシでし
か除去できなかった汚染物を確実に除去することのでき
るウエハの洗浄方法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】以上の課題は、ウエハの
表面及び/又は裏面をシャワーノズルにより洗浄するこ
とを特徴とするウエハの洗浄方法、によって達成され
る。シャワーノズルが従来のブラシによる洗浄でしか除
去できなかった汚染物をウエハを損傷することなく除去
することができる。
表面及び/又は裏面をシャワーノズルにより洗浄するこ
とを特徴とするウエハの洗浄方法、によって達成され
る。シャワーノズルが従来のブラシによる洗浄でしか除
去できなかった汚染物をウエハを損傷することなく除去
することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
ウエハの洗浄方法について説明する。
ウエハの洗浄方法について説明する。
【0009】図1乃至図4は本発明が適用されるウエハ
の洗浄装置を示すものであるが、図において概念的に示
すが、円筒形状のカップ20は公知のように構成され、
一点鎖線及び実線で示すように、その載置部が縮径及び
拡径し、これにより洗浄すべきウエハ21を取り付ける
ようにしている。ウエハ21の上面が表面すなわち鏡面
であり、下方を裏面としている。カップ20の底壁部に
は回転軸22が固定されており、カップ20全体を一方
向に回転駆動する。また、このカップ20内には一対の
ノズル28及び29が配設され、これから純水又は薬液
をウエハ21の裏面に対して噴出させるようにしてい
る。
の洗浄装置を示すものであるが、図において概念的に示
すが、円筒形状のカップ20は公知のように構成され、
一点鎖線及び実線で示すように、その載置部が縮径及び
拡径し、これにより洗浄すべきウエハ21を取り付ける
ようにしている。ウエハ21の上面が表面すなわち鏡面
であり、下方を裏面としている。カップ20の底壁部に
は回転軸22が固定されており、カップ20全体を一方
向に回転駆動する。また、このカップ20内には一対の
ノズル28及び29が配設され、これから純水又は薬液
をウエハ21の裏面に対して噴出させるようにしてい
る。
【0010】ウエハ21の上方には本発明に関わるシャ
ワーノズル装置23が配設されており、その本体24は
矢印fの方向に移動可能としており、また内部に超音波
振動発生器25を備えている。この本体24の下端部に
は、図3に明示されるような背の低い球面形状のシャワ
ーノズル部26を取り付けており、これは図3に示すよ
うに、平面的に円形として示されているが、若干下向き
の凸球形状としてもよく、多数の洗浄液を噴出させるた
めの小孔26aを形成させている。
ワーノズル装置23が配設されており、その本体24は
矢印fの方向に移動可能としており、また内部に超音波
振動発生器25を備えている。この本体24の下端部に
は、図3に明示されるような背の低い球面形状のシャワ
ーノズル部26を取り付けており、これは図3に示すよ
うに、平面的に円形として示されているが、若干下向き
の凸球形状としてもよく、多数の洗浄液を噴出させるた
めの小孔26aを形成させている。
【0011】本発明が適用される半導体ウエハの洗浄装
置は以上のように構成されるが、次にこの作用について
説明する。
置は以上のように構成されるが、次にこの作用について
説明する。
【0012】洗浄すべきウエハ21は公知のようにロボ
ットによりカップ20の載置部20aに載置され、実線
で示すように取り付けられるが、これは公知の構造例え
ば真空チャックや静電チャックで固定させるようにして
もよい。回転軸20を回転させ、カップ20を回動させ
ながらノズル28、29により洗浄液をウエハ21の裏
面に対し噴出させる。なお、詳細な機構は示されていな
いが、ノズル28、29はカップ20と共に回転しても
よく、あるいは空間に固定された構成であってもよい。
ウエハ21の裏面はよって一様に洗浄される。
ットによりカップ20の載置部20aに載置され、実線
で示すように取り付けられるが、これは公知の構造例え
ば真空チャックや静電チャックで固定させるようにして
もよい。回転軸20を回転させ、カップ20を回動させ
ながらノズル28、29により洗浄液をウエハ21の裏
面に対し噴出させる。なお、詳細な機構は示されていな
いが、ノズル28、29はカップ20と共に回転しても
よく、あるいは空間に固定された構成であってもよい。
ウエハ21の裏面はよって一様に洗浄される。
【0013】他方、上方のシャワーノズル装置23は矢
印fに往復動させられるのであるが、圧力を加えた薬液
が超音波振動発生器25により超音波振動エネルギーを
付与され、シャワーノズル部26の多数の小孔26aよ
り、図2に示すように洗浄液Wが噴出され、ウエハ21
の回転とシャワーノズル本体24の往復動によりウエハ
21の表面は一様に洗浄され、汚染物が除去される。な
お、矢印fに対し垂直方向、すなわちシャワーノズル本
体24は上下方向にも移動調節可能としている。
印fに往復動させられるのであるが、圧力を加えた薬液
が超音波振動発生器25により超音波振動エネルギーを
付与され、シャワーノズル部26の多数の小孔26aよ
り、図2に示すように洗浄液Wが噴出され、ウエハ21
の回転とシャワーノズル本体24の往復動によりウエハ
21の表面は一様に洗浄され、汚染物が除去される。な
お、矢印fに対し垂直方向、すなわちシャワーノズル本
体24は上下方向にも移動調節可能としている。
【0014】図4はウエハ20の表面の詳細を示すもの
であるが、これには多数のコンタクトホール32が形成
されているのであるが、これに金属物や有機物の汚染物
pなどが付着している場合、シャワーノズル部26から
の圧力をかけたシャワーWによりコンタクトホール32
のすみずみまで超音波振動を与えられた液滴が吹き付け
らることにより、ウエハ21の外方に排除され、更にシ
ャワーWにより洗い流される。なお、洗浄液としては汚
染物によりその種数を変えられ、一般に粒子(part
icle)に対してはアンモニア過水(SC−1液、N
H4 OH+H2O2 +H2 O)が用いられるが、これはそ
の他重金属、アルカリ金属、有機物などの汚染物の除去
にも用いられている。また洗浄液として塩酸過水(SC
−2液、HCL+H2 O2 +H2 O)では重金属、アル
カリ金属、有機物などの汚染物の除去に用いられ、希フ
ッ酸(DHF液、HF+H2 O)では重金属、アルカリ
金属、有機物及び自然酸化膜の汚染物がなどが除去さ
れ、緩衝フッ酸(BHF液、HF+NH4 F)では自然
酸化膜の除去に効果があり、更に硫酸化水(SH液、H
2 SO4 +H2 O2 +H2 O)では有機物、又はRes
ist Al Stripper(RA液、HNO3 +
NO2 )では有機物、そして有機剥離液(EKC et
c.)では一般に有機物の汚染物除去に効果がある。
であるが、これには多数のコンタクトホール32が形成
されているのであるが、これに金属物や有機物の汚染物
pなどが付着している場合、シャワーノズル部26から
の圧力をかけたシャワーWによりコンタクトホール32
のすみずみまで超音波振動を与えられた液滴が吹き付け
らることにより、ウエハ21の外方に排除され、更にシ
ャワーWにより洗い流される。なお、洗浄液としては汚
染物によりその種数を変えられ、一般に粒子(part
icle)に対してはアンモニア過水(SC−1液、N
H4 OH+H2O2 +H2 O)が用いられるが、これはそ
の他重金属、アルカリ金属、有機物などの汚染物の除去
にも用いられている。また洗浄液として塩酸過水(SC
−2液、HCL+H2 O2 +H2 O)では重金属、アル
カリ金属、有機物などの汚染物の除去に用いられ、希フ
ッ酸(DHF液、HF+H2 O)では重金属、アルカリ
金属、有機物及び自然酸化膜の汚染物がなどが除去さ
れ、緩衝フッ酸(BHF液、HF+NH4 F)では自然
酸化膜の除去に効果があり、更に硫酸化水(SH液、H
2 SO4 +H2 O2 +H2 O)では有機物、又はRes
ist Al Stripper(RA液、HNO3 +
NO2 )では有機物、そして有機剥離液(EKC et
c.)では一般に有機物の汚染物除去に効果がある。
【0015】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
たが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【0016】例えば、以上の本発明の実施の形態によれ
ば、ウエハ21の上面、すなわち鏡面側をシャワーノズ
ル装置23により洗浄するようにしたが、このウエハ2
1をひっくり返して裏面を同様に配設されたシャワーノ
ズル装置23により洗浄するようにしてもよい。更に、
上方及び下方に同様なシャワーノズル装置23を対で設
けて、同時に表面及び裏面をシャワーWで洗浄するよう
にしてもよい。
ば、ウエハ21の上面、すなわち鏡面側をシャワーノズ
ル装置23により洗浄するようにしたが、このウエハ2
1をひっくり返して裏面を同様に配設されたシャワーノ
ズル装置23により洗浄するようにしてもよい。更に、
上方及び下方に同様なシャワーノズル装置23を対で設
けて、同時に表面及び裏面をシャワーWで洗浄するよう
にしてもよい。
【0017】また、以上の本発明の実施の形態によれ
ば、上面及び下面を天地に対し上下に配設したが、天地
に対して垂直方向に、すなわち水平方向に表面及び裏面
が向くように配設し、適宜これを例えば第1従来例の如
く保持し、右方又は左方より同様な構成のシャワーノズ
ル装置23により洗浄するようにしてもよい。
ば、上面及び下面を天地に対し上下に配設したが、天地
に対して垂直方向に、すなわち水平方向に表面及び裏面
が向くように配設し、適宜これを例えば第1従来例の如
く保持し、右方又は左方より同様な構成のシャワーノズ
ル装置23により洗浄するようにしてもよい。
【0018】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のウエハの洗
浄方法によれば、従来ブラシのスクラブ法により行われ
ていた鏡面の細部に亘る洗浄を可能とし、また第1従来
例で示したようなウエット洗浄に比べて少ない薬液量、
純水使用量で洗浄を行なうことができ、またブラシのよ
うに物理的な圧力をかけて損傷させるようなことはな
い。これによりウエハ製造工程中の信頼度を向上させ、
ウエハ製品の歩溜り向上及び信頼性の向上に大きく付与
させることができる。
浄方法によれば、従来ブラシのスクラブ法により行われ
ていた鏡面の細部に亘る洗浄を可能とし、また第1従来
例で示したようなウエット洗浄に比べて少ない薬液量、
純水使用量で洗浄を行なうことができ、またブラシのよ
うに物理的な圧力をかけて損傷させるようなことはな
い。これによりウエハ製造工程中の信頼度を向上させ、
ウエハ製品の歩溜り向上及び信頼性の向上に大きく付与
させることができる。
【図1】本発明の実施の形態によるウエハ洗浄装置の概
略断面図である。
略断面図である。
【図2】同作用を示す概略断面図である。
【図3】図1における要部の背面図である。
【図4】同作用を説明するためのウエハの表面の部分拡
大断面図である。
大断面図である。
【図5】従来例のウエハ洗浄装置の概略断面図である。
【図6】同概略側面図である。
【図7】他ウエハ洗浄装置の概略断面図である。
【図8】更に他従来例のウエハの洗浄装置の概略断面図
である。
である。
23……シャワーノズル装置、26……シャワーノズル
部。
部。
Claims (1)
- 【請求項1】 ウエハの表面及び/又は裏面をシャワー
ノズルにより洗浄することを特徴とするウエハの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5050696A JPH09246224A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5050696A JPH09246224A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09246224A true JPH09246224A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12860852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5050696A Pending JPH09246224A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09246224A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6586161B2 (en) | 1999-08-31 | 2003-07-01 | Hitachi, Ltd. | Mass production method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device |
KR20030057175A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼의 후면 세정장치 |
KR20030057176A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼의 후면 세정장치 |
KR20040031132A (ko) * | 2002-10-04 | 2004-04-13 | 동부전자 주식회사 | 습식 스크러버의 순수 공급 노즐 구조 |
KR100473475B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 |
CN100345258C (zh) * | 2002-12-25 | 2007-10-24 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
JP2011029315A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
CN102140669A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-08-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片电镀铜后的清洗方法 |
JP2012186325A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Zebiosu:Kk | 非接触浮上搬送機能を有する基板処理装置 |
-
1996
- 1996-03-07 JP JP5050696A patent/JPH09246224A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8034717B2 (en) | 1999-08-31 | 2011-10-11 | Renesas Electronics Corporation | Mass production method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device |
US6737221B2 (en) | 1999-08-31 | 2004-05-18 | Renesas Technology Corp. | Mass production method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device |
US6586161B2 (en) | 1999-08-31 | 2003-07-01 | Hitachi, Ltd. | Mass production method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device |
US8293648B2 (en) | 1999-08-31 | 2012-10-23 | Renesas Electronics Corporation | Mass production method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device |
US7964509B2 (en) | 1999-08-31 | 2011-06-21 | Renesas Electronics Corporation | Mass production method of semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device |
KR20030057175A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 동부전자 주식회사 | 웨이퍼의 후면 세정장치 |
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KR100473475B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 |
KR20040031132A (ko) * | 2002-10-04 | 2004-04-13 | 동부전자 주식회사 | 습식 스크러버의 순수 공급 노즐 구조 |
CN100345258C (zh) * | 2002-12-25 | 2007-10-24 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体器件的制造方法 |
JP2011029315A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
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CN102140669A (zh) * | 2011-03-17 | 2011-08-03 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片电镀铜后的清洗方法 |
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