JPH09246195A - 縦型気相成長装置 - Google Patents
縦型気相成長装置Info
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- JPH09246195A JPH09246195A JP7808196A JP7808196A JPH09246195A JP H09246195 A JPH09246195 A JP H09246195A JP 7808196 A JP7808196 A JP 7808196A JP 7808196 A JP7808196 A JP 7808196A JP H09246195 A JPH09246195 A JP H09246195A
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- Japan
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- cooling water
- water passage
- reactor
- vertical
- passage
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リアクタ内壁の円周上の温度分布の均一化を
図ること。 【解決手段】 縦型のリアクタ１の内部に加熱したサセ
プタ４を配置し、サセプタの上に置かれた被成膜基板２
に、リアクタの上部から垂直方向に原料ガスを供給す
る。リアクタの外周囲に円筒状の冷却水通路６を設け、
同通路の冷却水導入部６ａと冷却水排出部６ｂに、それ
ぞれ冷却水導入部材１０と冷却水排出部材１１を設け
る。これら導入、排出部材には等間隔の角度位置に適数
個の冷却水通流孔（１０ａ），１１ａが形成されてお
り、両部材の冷却水通流孔は、冷却水通路の垂直方向に
おいて互いに重ならない角度位置にある。冷却水通路に
対し、冷却水は冷却水通流孔から分散導入、排出され、
リアクタ内壁の円周温度分布の変化を小さくし、原料ガ
スの流れの偏りを防いで、結晶面内の均一性を向上させ
る。
図ること。 【解決手段】 縦型のリアクタ１の内部に加熱したサセ
プタ４を配置し、サセプタの上に置かれた被成膜基板２
に、リアクタの上部から垂直方向に原料ガスを供給す
る。リアクタの外周囲に円筒状の冷却水通路６を設け、
同通路の冷却水導入部６ａと冷却水排出部６ｂに、それ
ぞれ冷却水導入部材１０と冷却水排出部材１１を設け
る。これら導入、排出部材には等間隔の角度位置に適数
個の冷却水通流孔（１０ａ），１１ａが形成されてお
り、両部材の冷却水通流孔は、冷却水通路の垂直方向に
おいて互いに重ならない角度位置にある。冷却水通路に
対し、冷却水は冷却水通流孔から分散導入、排出され、
リアクタ内壁の円周温度分布の変化を小さくし、原料ガ
スの流れの偏りを防いで、結晶面内の均一性を向上させ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦型のリアクタを
有する縦型有機金属薄膜気相成長装置等に係り、リアク
タの円周方向内壁温度分布の均一化を図った気相成長装
置に関する。
有する縦型有機金属薄膜気相成長装置等に係り、リアク
タの円周方向内壁温度分布の均一化を図った気相成長装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属薄膜気相成長（ＭＯＣＶＤ）装
置等の気相成長装置は、原料を気体状（ガス）にして供
給し、加熱した被成膜基板上で熱分解反応を生じさせて
所望の結晶を成長させている。気相成長装置は大きく分
けると、リアクタ内のサセプタ上に置かれた被成膜基板
に対して、横方向から平行にガスを供給する横型気相成
長装置と、被成膜基板の直上からガスを垂直に流す縦型
の気相成長装置がある。縦型の気相成長装置は結晶の面
内均一性が得やすいという利点を有し、被成膜基板を１
枚ずつ処理する気相成長装置として数多く使用されてい
る。
置等の気相成長装置は、原料を気体状（ガス）にして供
給し、加熱した被成膜基板上で熱分解反応を生じさせて
所望の結晶を成長させている。気相成長装置は大きく分
けると、リアクタ内のサセプタ上に置かれた被成膜基板
に対して、横方向から平行にガスを供給する横型気相成
長装置と、被成膜基板の直上からガスを垂直に流す縦型
の気相成長装置がある。縦型の気相成長装置は結晶の面
内均一性が得やすいという利点を有し、被成膜基板を１
枚ずつ処理する気相成長装置として数多く使用されてい
る。
【０００３】図３は縦型気相成長装置の一例を示す縦断
面図であり、縦型のリアクタ（反応容器）１の内部に、
結晶成長時、被成膜基板２は搬送トレイ３を介してサセ
プタ４の上に置かれ、加熱したサセプタにより被成膜基
板は加熱される。リアクタ１の頂部フランジ板１ａに原
料ガスの導入口５が設けられており、被成膜基板２の直
上から垂直に供給された原料ガスはリアクタの下方から
排気される。
面図であり、縦型のリアクタ（反応容器）１の内部に、
結晶成長時、被成膜基板２は搬送トレイ３を介してサセ
プタ４の上に置かれ、加熱したサセプタにより被成膜基
板は加熱される。リアクタ１の頂部フランジ板１ａに原
料ガスの導入口５が設けられており、被成膜基板２の直
上から垂直に供給された原料ガスはリアクタの下方から
排気される。
【０００４】縦型の気相成長装置では、被成膜基板に成
長させる結晶の純度や熱対流の面から、冷却水によるリ
アクタ１の冷却が一般的に行われている。リアクタ１の
外周囲に円筒状の冷却水通路６が設けられており、この
通路に下方の供給口７から冷却水を導入し、通路上方の
排出口８から排出させている。
長させる結晶の純度や熱対流の面から、冷却水によるリ
アクタ１の冷却が一般的に行われている。リアクタ１の
外周囲に円筒状の冷却水通路６が設けられており、この
通路に下方の供給口７から冷却水を導入し、通路上方の
排出口８から排出させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる冷却構造によれ
ば、冷却水通路６に導入された冷却水は同通路を充満し
て流れるが、同通路に対する冷却水の導入、排出は局所
的であり、サセプタ４からの熱放射、リアクタ１の内部
の熱対流により加熱されるリアクタの内壁温度がリアク
タの円周上で変化し、これに伴い、原料ガスの流れ方や
生成物の付着が偏り、被成膜基板２に成長する結晶の面
内特性の均一性を損なうという問題点を生じさせる。
ば、冷却水通路６に導入された冷却水は同通路を充満し
て流れるが、同通路に対する冷却水の導入、排出は局所
的であり、サセプタ４からの熱放射、リアクタ１の内部
の熱対流により加熱されるリアクタの内壁温度がリアク
タの円周上で変化し、これに伴い、原料ガスの流れ方や
生成物の付着が偏り、被成膜基板２に成長する結晶の面
内特性の均一性を損なうという問題点を生じさせる。
【０００６】さらに、近年、気相成長装置により数原子
層の結晶を積み重ねた超格子構造を作製することが可能
になってきた。一般的に、気相成長装置では、結晶の面
内均一性を図るために、回転軸９で支持されたサセプタ
４の回転により被成膜基板２を例えば毎分数回転〜数１
０回転させている。しかし超格子構造では１原子層を形
成するのに１秒程度の短時間しか要しないから、被成膜
基板２の回転のみで結晶面内の均一性を図ることが困難
になってきている。結晶面内均一性を向上させるために
は、原料ガスを被成膜基板に対してガス流の乱れをなく
して均一に流すことが重要である。
層の結晶を積み重ねた超格子構造を作製することが可能
になってきた。一般的に、気相成長装置では、結晶の面
内均一性を図るために、回転軸９で支持されたサセプタ
４の回転により被成膜基板２を例えば毎分数回転〜数１
０回転させている。しかし超格子構造では１原子層を形
成するのに１秒程度の短時間しか要しないから、被成膜
基板２の回転のみで結晶面内の均一性を図ることが困難
になってきている。結晶面内均一性を向上させるために
は、原料ガスを被成膜基板に対してガス流の乱れをなく
して均一に流すことが重要である。
【０００７】本発明は、リアクタ内壁の円周上の温度分
布の均一化を図ることにより、被成膜基板に対する原料
ガス流の乱れをなくし、結晶面内の均一性を向上させた
気相成長装置の提供を目的とするものである。
布の均一化を図ることにより、被成膜基板に対する原料
ガス流の乱れをなくし、結晶面内の均一性を向上させた
気相成長装置の提供を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、外周囲に円筒
状の冷却水通路を有する縦型のリアクタの内部に加熱し
たサセプタを配置し、サセプタの上に置かれた被成膜基
板に、リアクタの上部から垂直方向に原料ガスを供給す
る縦型気相成長装置において、前記冷却水通路の冷却水
導入部及び冷却水排出部にそれぞれ設けられ、それぞれ
適数個の冷却水通流孔が等間隔の角度位置に形成されて
いる冷却水導入部材及び冷却水排出部材を備え、冷却水
通路に対し、冷却水が冷却水導入部材及び冷却水排出部
材の冷却水通流孔を介して導入、排出されるように構成
したことを主たる特徴とするものである。
状の冷却水通路を有する縦型のリアクタの内部に加熱し
たサセプタを配置し、サセプタの上に置かれた被成膜基
板に、リアクタの上部から垂直方向に原料ガスを供給す
る縦型気相成長装置において、前記冷却水通路の冷却水
導入部及び冷却水排出部にそれぞれ設けられ、それぞれ
適数個の冷却水通流孔が等間隔の角度位置に形成されて
いる冷却水導入部材及び冷却水排出部材を備え、冷却水
通路に対し、冷却水が冷却水導入部材及び冷却水排出部
材の冷却水通流孔を介して導入、排出されるように構成
したことを主たる特徴とするものである。
【０００９】さらに本発明は、かかる縦型気相成長装置
において、冷却水導入部材に形成されている冷却水通流
孔と冷却水排出部材に形成されている冷却水通流孔は、
冷却水通路の垂直方向において互いに重ならない角度位
置にあることを特徴とするものである。
において、冷却水導入部材に形成されている冷却水通流
孔と冷却水排出部材に形成されている冷却水通流孔は、
冷却水通路の垂直方向において互いに重ならない角度位
置にあることを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】縦型気相成長装置は縦型のリアク
タを有し、結晶成長時、このリアクタの内部に加熱した
サセプタを配置し、サセプタの上に被成膜基板を置い
て、同基板にリアクタの上部から垂直方向に原料ガスを
供給する。リアクタの外周囲に円筒状の冷却水通路が設
けられている。冷却水通路の両端の冷却水導入部及び冷
却水排出部には、それぞれ冷却水導入部材及び冷却水排
出部材が設けられており、これら冷却水導入及び排出部
材には、等間隔の角度位置に適数個の冷却水通流孔が形
成されている。冷却水通路への冷却水の導入は冷却水導
入部材に形成されている適数個の冷却水通流孔を介して
行われ、冷却水の排出は冷却水排出部材の適数個の冷却
水通流孔を介して行われる。
タを有し、結晶成長時、このリアクタの内部に加熱した
サセプタを配置し、サセプタの上に被成膜基板を置い
て、同基板にリアクタの上部から垂直方向に原料ガスを
供給する。リアクタの外周囲に円筒状の冷却水通路が設
けられている。冷却水通路の両端の冷却水導入部及び冷
却水排出部には、それぞれ冷却水導入部材及び冷却水排
出部材が設けられており、これら冷却水導入及び排出部
材には、等間隔の角度位置に適数個の冷却水通流孔が形
成されている。冷却水通路への冷却水の導入は冷却水導
入部材に形成されている適数個の冷却水通流孔を介して
行われ、冷却水の排出は冷却水排出部材の適数個の冷却
水通流孔を介して行われる。
【００１１】これにより、リアクタの冷却に係る円筒状
の冷却水通路に対し、冷却水は分散して導入、排出され
るから、リアクタの内壁の円周温度分布の変化を小さく
し、温度分布の均一化を図ることができ、被成膜基板に
与えられる原料ガスの流れの偏りを防いで、成長する結
晶面内の均一性を向上させる。
の冷却水通路に対し、冷却水は分散して導入、排出され
るから、リアクタの内壁の円周温度分布の変化を小さく
し、温度分布の均一化を図ることができ、被成膜基板に
与えられる原料ガスの流れの偏りを防いで、成長する結
晶面内の均一性を向上させる。
【００１２】また、冷却水導入部材の冷却水通流孔と冷
却水排出部材の冷却水通流孔は、冷却水通路の垂直方向
において互いに重ならない角度位置にあるようにするこ
とにより、冷却水通路に冷却水導入部材の各通流孔から
それぞれ導入され、円周方向に拡がって流れる冷却水の
混合が促進され、冷却水通路内での円周方向温度分布、
したがってリアクタ内壁の円周温度分布をより一層均一
化することができる。
却水排出部材の冷却水通流孔は、冷却水通路の垂直方向
において互いに重ならない角度位置にあるようにするこ
とにより、冷却水通路に冷却水導入部材の各通流孔から
それぞれ導入され、円周方向に拡がって流れる冷却水の
混合が促進され、冷却水通路内での円周方向温度分布、
したがってリアクタ内壁の円周温度分布をより一層均一
化することができる。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。図１は実施例の縦断面図であり、図２は実施例の
要部、冷却水の導入部材と排出部材の上面図である。縦
型気相成長装置における縦型のリアクタ（反応容器）１
の内部に、結晶成長時、被成膜基板２は搬送トレイ３を
介してサセプタ４の上に置かれ、加熱したサセプタによ
り被成膜基板は加熱される。リアクタ１の頂部フランジ
板１ａに原料ガスの導入口５が設けられており、被成膜
基板２の直上から垂直に供給された原料ガスはリアクタ
の下方から排気される。リアクタ１の外周囲に円筒状の
冷却水通路６が設けられており、この通路に下方の供給
口７から冷却水を供給し、上方の排出口８から排出す
る。
する。図１は実施例の縦断面図であり、図２は実施例の
要部、冷却水の導入部材と排出部材の上面図である。縦
型気相成長装置における縦型のリアクタ（反応容器）１
の内部に、結晶成長時、被成膜基板２は搬送トレイ３を
介してサセプタ４の上に置かれ、加熱したサセプタによ
り被成膜基板は加熱される。リアクタ１の頂部フランジ
板１ａに原料ガスの導入口５が設けられており、被成膜
基板２の直上から垂直に供給された原料ガスはリアクタ
の下方から排気される。リアクタ１の外周囲に円筒状の
冷却水通路６が設けられており、この通路に下方の供給
口７から冷却水を供給し、上方の排出口８から排出す
る。
【００１４】冷却水通路６の両端の冷却水導入部６ａと
冷却水排出部６ｂには、それぞれ冷却水導入部材１０と
冷却水排出部材１１が設けられ、冷却水通路のリアクタ
１の冷却に係る円筒状部分は冷却水導入部材と同排出部
材で仕切られている。これら両部材は、円筒状の冷却水
通路の断面と同じリング状であり、図２（ａ），（ｂ）
の各上面図に示すように、等間隔の角度位置にそれぞれ
適数個、例えば４個の冷却水通流孔１０ａ，１１ａが形
成されている。また、同図に示すように、冷却水導入部
材１０の冷却水通流孔１０ａと冷却水排出部材１１の冷
却水通流孔１１ａとは、冷却水通流路６の垂直方向にお
いて互いに重ならない角度位置にあるように形成されて
いる。
冷却水排出部６ｂには、それぞれ冷却水導入部材１０と
冷却水排出部材１１が設けられ、冷却水通路のリアクタ
１の冷却に係る円筒状部分は冷却水導入部材と同排出部
材で仕切られている。これら両部材は、円筒状の冷却水
通路の断面と同じリング状であり、図２（ａ），（ｂ）
の各上面図に示すように、等間隔の角度位置にそれぞれ
適数個、例えば４個の冷却水通流孔１０ａ，１１ａが形
成されている。また、同図に示すように、冷却水導入部
材１０の冷却水通流孔１０ａと冷却水排出部材１１の冷
却水通流孔１１ａとは、冷却水通流路６の垂直方向にお
いて互いに重ならない角度位置にあるように形成されて
いる。
【００１５】供給口７からの冷却水は冷却水通路６の冷
却水導入部６ａに入り、冷却水導入部材１０に形成され
ている４個の冷却水通流孔１０ａから分散させて冷却水
導入部材と排出部材１１で仕切られた冷却水通路、円筒
状部分に導入される。そして、同部分から冷却水は冷却
水排出部材１１の４個の通流孔１１ａにより分散して冷
却水排出部６ｂに入り、排出口８へと出ていく。
却水導入部６ａに入り、冷却水導入部材１０に形成され
ている４個の冷却水通流孔１０ａから分散させて冷却水
導入部材と排出部材１１で仕切られた冷却水通路、円筒
状部分に導入される。そして、同部分から冷却水は冷却
水排出部材１１の４個の通流孔１１ａにより分散して冷
却水排出部６ｂに入り、排出口８へと出ていく。
【００１６】したがって、リアクタ１の冷却に係る冷却
水通路６に対する冷却水の導入、排出は冷却水導入部材
１０及び冷却水排出部材１１の適数個、４個の冷却水通
流孔１０ａ，１１ａによって分散させて行われ、冷却水
導入部材に等間隔で形成されている各通流孔によって冷
却水通路内に分散導入された冷却水は円周方向に拡が
り、そして冷却水排出部材の各通流孔から分散させて排
出されるから、リアクタ１の内壁の円周温度分布の変化
を小さくすることができる。これに伴い、被成膜基板に
与えられる原料ガスの流れの偏りが防ぐことができて、
成長する結晶面内の均一性を向上させる。
水通路６に対する冷却水の導入、排出は冷却水導入部材
１０及び冷却水排出部材１１の適数個、４個の冷却水通
流孔１０ａ，１１ａによって分散させて行われ、冷却水
導入部材に等間隔で形成されている各通流孔によって冷
却水通路内に分散導入された冷却水は円周方向に拡が
り、そして冷却水排出部材の各通流孔から分散させて排
出されるから、リアクタ１の内壁の円周温度分布の変化
を小さくすることができる。これに伴い、被成膜基板に
与えられる原料ガスの流れの偏りが防ぐことができて、
成長する結晶面内の均一性を向上させる。
【００１７】そして、冷却水導入部材１０の冷却水通流
孔１０ａと冷却水排出部材１１の冷却水通流孔１１ａと
は、冷却水通路６の垂直方向において重ならない角度位
置に設けることにより、冷却水分散導入部材の各通流孔
から冷却水通路内でそれぞれ円周方向に拡がった冷却水
の混合を促進して冷却水分散排出部材の各通流孔から排
出され、リアクタ１の内壁の円周温度分布を一層均一化
することができる。
孔１０ａと冷却水排出部材１１の冷却水通流孔１１ａと
は、冷却水通路６の垂直方向において重ならない角度位
置に設けることにより、冷却水分散導入部材の各通流孔
から冷却水通路内でそれぞれ円周方向に拡がった冷却水
の混合を促進して冷却水分散排出部材の各通流孔から排
出され、リアクタ１の内壁の円周温度分布を一層均一化
することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、リアク
タの外周囲に設けられた冷却水通路の冷却水導入部及び
冷却水排出部を、それぞれ冷却水導入部材及び冷却水排
出部材で仕切り、これら導入及び排出部材には、等間隔
の角度位置に適数個の冷却水通流孔が形成されているか
ら、冷却水は冷却水通路に対し、分散して導入、排出さ
れるから、リアクタの内壁の円周温度分布の変化を小さ
くし、均一化を図ることができ、被成膜基板に与えられ
る原料ガスの流れの偏りを防ぐことができる。
タの外周囲に設けられた冷却水通路の冷却水導入部及び
冷却水排出部を、それぞれ冷却水導入部材及び冷却水排
出部材で仕切り、これら導入及び排出部材には、等間隔
の角度位置に適数個の冷却水通流孔が形成されているか
ら、冷却水は冷却水通路に対し、分散して導入、排出さ
れるから、リアクタの内壁の円周温度分布の変化を小さ
くし、均一化を図ることができ、被成膜基板に与えられ
る原料ガスの流れの偏りを防ぐことができる。
【００１９】また、冷却水導入部材と冷却水排出部材の
各冷却水通流孔を、冷却水通路の垂直方向において互い
に重ならない角度位置に設けることにより、冷却水分散
導入部材の各通流孔から冷却水通路内でそれぞれ円周方
向に拡がった冷却水の混合を促進させて排出することが
できるから、リアクタの内壁の円周温度分布をより一層
均一化することができる。
各冷却水通流孔を、冷却水通路の垂直方向において互い
に重ならない角度位置に設けることにより、冷却水分散
導入部材の各通流孔から冷却水通路内でそれぞれ円周方
向に拡がった冷却水の混合を促進させて排出することが
できるから、リアクタの内壁の円周温度分布をより一層
均一化することができる。
【００２０】このように、リアクタ内壁の円周温度分布
の均一化を図ることにより、被成膜基板に与えられる原
料ガスの流れの偏りを防ぐことができるから、被成膜基
板を僅かしか回転させずに、短時間で数原子層の結晶を
積み重ねる超格子構造を作製する場合にあっても、結晶
の面内均一性を向上させることができる。
の均一化を図ることにより、被成膜基板に与えられる原
料ガスの流れの偏りを防ぐことができるから、被成膜基
板を僅かしか回転させずに、短時間で数原子層の結晶を
積み重ねる超格子構造を作製する場合にあっても、結晶
の面内均一性を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例の縦断面図である。
【図２】実施例の要部、冷却水導入部材と冷却水排出部
材の上面図である。
材の上面図である。
【図３】縦型気相成長装置についての従来例の縦断面図
である。
である。
１ リアクタ ２ 被成膜基板 ３ 搬送トレイ ４ サセプタ ５ 原料ガスの導入口 ６ 冷却水通路 ７ 冷却水の供給口 ８ 冷却水の排出口 １０ 冷却水導入部材 １０ａ 冷却水通流孔 １１ 冷却水排出部材 １１ａ 冷却水通流孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ 21/31 21/31 Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 外周囲に円筒状の冷却水通路を有する縦
型のリアクタの内部に加熱したサセプタを配置し、サセ
プタの上に置かれた被成膜基板に、リアクタの上部から
垂直方向に原料ガスを供給する縦型気相成長装置におい
て、前記冷却水通路の冷却水導入部及び冷却水排出部に
それぞれ設けられ、それぞれ適数個の冷却水通流孔が等
間隔の角度位置に形成されている冷却水導入部材及び冷
却水排出部材を備え、冷却水通路に対し、冷却水が冷却
水導入部材及び冷却水排出部材の冷却水通流孔を介して
導入、排出されるように構成したことを特徴とする縦型
気相成長装置。 - 【請求項２】 冷却水導入部材に形成されている冷却水
通流孔と冷却水排出部材に形成されている冷却水通流孔
は、冷却水通路の垂直方向において互いに重ならない角
度位置にあることを特徴とする請求項１記載の縦型気相
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7808196A JPH09246195A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 縦型気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7808196A JPH09246195A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 縦型気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246195A true JPH09246195A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13651903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7808196A Pending JPH09246195A (ja) | 1996-03-07 | 1996-03-07 | 縦型気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246195A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010147361A3 (ko) * | 2009-06-16 | 2011-03-31 | 퀄리플로나라테크(주) | 단결정 실리콘 잉곳 성장장치의 프로세스 용기 보호 시스템 |
| JP2017511974A (ja) * | 2014-02-14 | 2017-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 射出アセンブリ付きの上方ドーム |
-
1996
- 1996-03-07 JP JP7808196A patent/JPH09246195A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010147361A3 (ko) * | 2009-06-16 | 2011-03-31 | 퀄리플로나라테크(주) | 단결정 실리콘 잉곳 성장장치의 프로세스 용기 보호 시스템 |
| JP2017511974A (ja) * | 2014-02-14 | 2017-04-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 射出アセンブリ付きの上方ドーム |
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