JPH09232664A - 第二高調波発生装置およびレーザ応用装置 - Google Patents
第二高調波発生装置およびレーザ応用装置Info
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- JPH09232664A JPH09232664A JP3477296A JP3477296A JPH09232664A JP H09232664 A JPH09232664 A JP H09232664A JP 3477296 A JP3477296 A JP 3477296A JP 3477296 A JP3477296 A JP 3477296A JP H09232664 A JPH09232664 A JP H09232664A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりも高い変換効率で青色領域のレーザ
を発生できる第二高調波発生装置を提供するとともに、
これを用いたレーザ応用装置の信頼性を向上する。 【構成】 励起光源としての半導体レーザにより励起さ
れる固体レーザ結晶からの第一の放射光を発振させるレ
ーザ共振器内に、第一の放射光の発振波長を制御するた
めの波長制御素子と、前記レーザ共振器により発振され
た第一の発振光を基本波として第二の発振光に波長変換
する非線形光学結晶を有する第二高調波発生装置におい
て、前記固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiSrGa
F6：クロム添加のフッ化リチウムストロンチュウムガリ
ウム）を用いる構成とする。
を発生できる第二高調波発生装置を提供するとともに、
これを用いたレーザ応用装置の信頼性を向上する。 【構成】 励起光源としての半導体レーザにより励起さ
れる固体レーザ結晶からの第一の放射光を発振させるレ
ーザ共振器内に、第一の放射光の発振波長を制御するた
めの波長制御素子と、前記レーザ共振器により発振され
た第一の発振光を基本波として第二の発振光に波長変換
する非線形光学結晶を有する第二高調波発生装置におい
て、前記固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiSrGa
F6：クロム添加のフッ化リチウムストロンチュウムガリ
ウム）を用いる構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光エレクトロニクス
分野、特に可視レーザ光源および可視レーザ光源を用い
たレーザプリンタ装置、微粒子検出装置、光造形装置、
光記録装置に関する。
分野、特に可視レーザ光源および可視レーザ光源を用い
たレーザプリンタ装置、微粒子検出装置、光造形装置、
光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化時代の進展に伴い、光ディス
ク装置やレーザプリンタ装置などの光記録分野において
記録密度向上や高速高精密印刷の要求を満足させるため
に、光源の短波長化への要求が高まっている。しかし、
製品レベルでの要求の高い青色波長領域（４００〜４８
０ｎｍ）を満足する光源としてＨｅ−Ｃｄレーザ装置や
Ａｒレーザなどのガスレーザ装置しかなく、例えば光デ
ィスク装置に搭載するには大型で消費電力が大きく不向
きであった。また、ガスレーザ装置は一部のレーザプリ
ンタ装置に実際に光源として搭載されているが、前述の
理由により将来小型・低消費電力化を進める上で障害と
なる可能性を有していた。
ク装置やレーザプリンタ装置などの光記録分野において
記録密度向上や高速高精密印刷の要求を満足させるため
に、光源の短波長化への要求が高まっている。しかし、
製品レベルでの要求の高い青色波長領域（４００〜４８
０ｎｍ）を満足する光源としてＨｅ−Ｃｄレーザ装置や
Ａｒレーザなどのガスレーザ装置しかなく、例えば光デ
ィスク装置に搭載するには大型で消費電力が大きく不向
きであった。また、ガスレーザ装置は一部のレーザプリ
ンタ装置に実際に光源として搭載されているが、前述の
理由により将来小型・低消費電力化を進める上で障害と
なる可能性を有していた。
【０００３】これに対して第二高調波発生（以下「ＳＨ
Ｇ」という；Second Hamonic Generation）を用いるこ
とで光の波長を半分に短波長化する技術がある。このＳ
ＨＧ光源の実用化技術の検討は半導体レーザの高出力化
と共に進展した。その背景には従来のガスレーザの様な
高電圧の放電を必要とせず小型、低消費電力化を実現で
きる可能性を有していたからである。さらに、半導体レ
ーザの出力安定性および長寿命に依存したＳＨＧ光源の
高い信頼性（出力安定性、長寿命）にある。
Ｇ」という；Second Hamonic Generation）を用いるこ
とで光の波長を半分に短波長化する技術がある。このＳ
ＨＧ光源の実用化技術の検討は半導体レーザの高出力化
と共に進展した。その背景には従来のガスレーザの様な
高電圧の放電を必要とせず小型、低消費電力化を実現で
きる可能性を有していたからである。さらに、半導体レ
ーザの出力安定性および長寿命に依存したＳＨＧ光源の
高い信頼性（出力安定性、長寿命）にある。
【０００４】従来、ＳＨＧ光源として、図３に示す様
な、固体レーザと非線形光学結晶（以下、「ＳＨＧ結
晶」という）の組み合わせで青色のレーザ光を得る方法
がある。その発振方法は半導体レーザと集光レンズの組
み合わせ（図示せず）により励起光３１を固体レーザ結
晶３０１に入射して固体レーザから放射された基本波光
３２をＳＨＧ結晶３０３により基本波の半分の波長のＳ
ＨＧ光３３に変換して発振させるものである。その共振
器は固体レーザ結晶にはNd:YAG結晶、ＳＨＧ結晶にＫＮ
ｂＯ3（以下「ＫＮ結晶」という）を用い、Nd:YAG結晶
の半導体レーザ側の端面にはレーザ発振光に対して高反
射コーティング３０２が施されており、出力ミラー３０
４間で光共振器を形成している。半導体レーザにより励
起されたNd:YAG結晶２０１から発振される光の波長は10
64nm、946nm、1319nm、1339nmがある。これらの光を選
択するためには、光共振器内の損失を特定の波長だけ低
くし、他の波長を高損失にする方法を用いる。つまり、
青色領域のＳＨＧ光を発生させるには第一の発振光は波
長946nmだけを低損失とするために946nmに対してのみ高
反射となるミラーコーティングを施してある共振器を用
いる。この共振器内で発生した波長946nmの光はＫＮ結
晶にてＳＨＧ光（473nmの青色光）に変換され、出力ミ
ラー３０４を透過して外部にＳＨＧ光３３として出力さ
れる。
な、固体レーザと非線形光学結晶（以下、「ＳＨＧ結
晶」という）の組み合わせで青色のレーザ光を得る方法
がある。その発振方法は半導体レーザと集光レンズの組
み合わせ（図示せず）により励起光３１を固体レーザ結
晶３０１に入射して固体レーザから放射された基本波光
３２をＳＨＧ結晶３０３により基本波の半分の波長のＳ
ＨＧ光３３に変換して発振させるものである。その共振
器は固体レーザ結晶にはNd:YAG結晶、ＳＨＧ結晶にＫＮ
ｂＯ3（以下「ＫＮ結晶」という）を用い、Nd:YAG結晶
の半導体レーザ側の端面にはレーザ発振光に対して高反
射コーティング３０２が施されており、出力ミラー３０
４間で光共振器を形成している。半導体レーザにより励
起されたNd:YAG結晶２０１から発振される光の波長は10
64nm、946nm、1319nm、1339nmがある。これらの光を選
択するためには、光共振器内の損失を特定の波長だけ低
くし、他の波長を高損失にする方法を用いる。つまり、
青色領域のＳＨＧ光を発生させるには第一の発振光は波
長946nmだけを低損失とするために946nmに対してのみ高
反射となるミラーコーティングを施してある共振器を用
いる。この共振器内で発生した波長946nmの光はＫＮ結
晶にてＳＨＧ光（473nmの青色光）に変換され、出力ミ
ラー３０４を透過して外部にＳＨＧ光３３として出力さ
れる。
【０００５】
【発明の解決しようとする課題】しかしながら従来の前
記青色ＳＨＧ光源は以下の問題点を有していた。 (1)Nd:YAG結晶の励起吸収波長は808nm±1nmと狭いた
め、励起半導体レーザの発振波長を高安定に制御する必
要がある。 (2)Nd:YAG結晶は946nmの光に対しても吸収があるため、
この再吸収を防ぐために結晶長を短くする必要がある。
その場合結晶長が1mmと短くなるために励起光を有効に
吸収できず、発振効率が低い。 (3)ＳＨＧ結晶のＫＮ結晶の位相整合温度許容幅が0.3nm
/℃であるために厳密な温度制御が必要である。 本発明はこれら問題点を解決するために考慮されたもの
であり、従来よりも容易に高い変換効率で青色領域のレ
ーザを提供することを目的としている。
記青色ＳＨＧ光源は以下の問題点を有していた。 (1)Nd:YAG結晶の励起吸収波長は808nm±1nmと狭いた
め、励起半導体レーザの発振波長を高安定に制御する必
要がある。 (2)Nd:YAG結晶は946nmの光に対しても吸収があるため、
この再吸収を防ぐために結晶長を短くする必要がある。
その場合結晶長が1mmと短くなるために励起光を有効に
吸収できず、発振効率が低い。 (3)ＳＨＧ結晶のＫＮ結晶の位相整合温度許容幅が0.3nm
/℃であるために厳密な温度制御が必要である。 本発明はこれら問題点を解決するために考慮されたもの
であり、従来よりも容易に高い変換効率で青色領域のレ
ーザを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明者らは励起光源としての半導体レーザにより
励起される固体レーザ結晶からの第一の放射光を発振さ
せるレーザ共振器内に、第一の放射光の発振波長を制御
するための波長制御素子と、前記レーザ共振器により発
振された第一の発振光を基本波として第二の発振光に波
長変換する非線形光学結晶を有する第二高調波発生装置
において、前記固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiS
rGaF6：クロム添加のフッ化リチウムストロンチュウム
ガリウム）を用いた第二高調波発生装置とすることとし
た。
に、本発明者らは励起光源としての半導体レーザにより
励起される固体レーザ結晶からの第一の放射光を発振さ
せるレーザ共振器内に、第一の放射光の発振波長を制御
するための波長制御素子と、前記レーザ共振器により発
振された第一の発振光を基本波として第二の発振光に波
長変換する非線形光学結晶を有する第二高調波発生装置
において、前記固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiS
rGaF6：クロム添加のフッ化リチウムストロンチュウム
ガリウム）を用いた第二高調波発生装置とすることとし
た。
【０００７】ＬｉＳＧＡＦ結晶はNd:YAG結晶に比べて次
の様な利点を有する。 (1)吸収波長が６００〜７００ｎｍと広い。 (2)発振波長が８００〜１０００ｎｍと広い。 (3)吸収効率が高く結晶長１〜２ｍｍで励起光の９０％
以上を吸収できる。 これらの利点から、固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦを用
いることにより、励起用半導体レーザの発振波長を高安
定に制御することなく動作可能となり、吸収効率も高い
ために発振効率を高くすることができる。さらに、固体
レーザ結晶の発振波長をブリュースタ角に傾けた複屈折
結晶として１枚もしくは複数の水晶板を用いて制御する
ことによりＳＨＧ結晶の位相整合波長に合わせることが
できる。これにより、波長４００〜５００ｎｍの任意の
波長のＳＨＧ光を発生させることができる第二高調波発
生装置とすることができる。さらに、本発明の第二高調
波発生装置は、レーザプリンタ装置、微粒子検査装置、
光造形装置、光記録装置に応用できる。
の様な利点を有する。 (1)吸収波長が６００〜７００ｎｍと広い。 (2)発振波長が８００〜１０００ｎｍと広い。 (3)吸収効率が高く結晶長１〜２ｍｍで励起光の９０％
以上を吸収できる。 これらの利点から、固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦを用
いることにより、励起用半導体レーザの発振波長を高安
定に制御することなく動作可能となり、吸収効率も高い
ために発振効率を高くすることができる。さらに、固体
レーザ結晶の発振波長をブリュースタ角に傾けた複屈折
結晶として１枚もしくは複数の水晶板を用いて制御する
ことによりＳＨＧ結晶の位相整合波長に合わせることが
できる。これにより、波長４００〜５００ｎｍの任意の
波長のＳＨＧ光を発生させることができる第二高調波発
生装置とすることができる。さらに、本発明の第二高調
波発生装置は、レーザプリンタ装置、微粒子検査装置、
光造形装置、光記録装置に応用できる。
【０００８】
（実施例１）図１は本発明の実施例を説明するための図
である。半導体レーザ１１から出射された励起ビーム３
１は集光光学系１２により集光され、レーザ結晶２１を
励起する。半導体レーザはＳＤＬ社製の出力５００ｍ
Ｗ、発振波長６７０ｎｍである。また集光光学系１２は
シリンドリカルレンズと単レンズの組み合わせによりビ
ームを整形集光した。励起されるレーザ結晶２１はレー
ザ結晶端面に形成された入射側共振器ミラー２２と出力
ミラー２４からなる固体レーザ共振器２０で基本波３２
を発生する。固体レーザ共振器２０内にはレーザ結晶２
１とＳＨＧ結晶２３と波長制御素子２５が配置されてい
る。このときの固体レーザ共振器２０は平凹式共振器で
あり、出力ミラー２４の曲率半径は１５０ｍｍ、共振器
長は１４５ｍｍとした。レーザ結晶２１には長さ５ｍｍ
のＣｒ添加量１．５％のＬｉＳＧＡＦ結晶を用いた。結
晶の端面には励起ビーム波長に対して反射率２％以下の
無反射コーティング、基本波波長に対して反射率９９％
以上の高反射コーティングを施し入射側共振器ミラー２
２とした。もう一方の面には基本波波長に対して反射率
０．２％以下の無反射コーティングを施した。
である。半導体レーザ１１から出射された励起ビーム３
１は集光光学系１２により集光され、レーザ結晶２１を
励起する。半導体レーザはＳＤＬ社製の出力５００ｍ
Ｗ、発振波長６７０ｎｍである。また集光光学系１２は
シリンドリカルレンズと単レンズの組み合わせによりビ
ームを整形集光した。励起されるレーザ結晶２１はレー
ザ結晶端面に形成された入射側共振器ミラー２２と出力
ミラー２４からなる固体レーザ共振器２０で基本波３２
を発生する。固体レーザ共振器２０内にはレーザ結晶２
１とＳＨＧ結晶２３と波長制御素子２５が配置されてい
る。このときの固体レーザ共振器２０は平凹式共振器で
あり、出力ミラー２４の曲率半径は１５０ｍｍ、共振器
長は１４５ｍｍとした。レーザ結晶２１には長さ５ｍｍ
のＣｒ添加量１．５％のＬｉＳＧＡＦ結晶を用いた。結
晶の端面には励起ビーム波長に対して反射率２％以下の
無反射コーティング、基本波波長に対して反射率９９％
以上の高反射コーティングを施し入射側共振器ミラー２
２とした。もう一方の面には基本波波長に対して反射率
０．２％以下の無反射コーティングを施した。
【０００９】ＳＨＧ結晶２３は３×３×５ｍｍのＬＢＯ
結晶を固体レーザ結晶であるＬｉＳＧＡＦ結晶２１の直
後に配置した。ＬＢＯ結晶の両端面には基本波波長に対
して反射率０．２％以下、ＳＨＧ光に対して反射率１％
以下の無反射コーティングを施した。波長制御素子２５
には厚さ０．５ｍｍの１枚の水晶板からなる複屈折結晶
を用い、光軸に対してブリュースタ角に配置して光軸の
回りに回転させることで基本波波長を制御し、ＳＨＧ結
晶であるＬＢＯ結晶の位相整合波長に合わせた。共振器
内部のＳＨＧ結晶で一部の基本波がＳＨＧ光に変換さ
れ、出力ミラー２４から共振器外部にＳＨＧ出力３３と
して取り出される。
結晶を固体レーザ結晶であるＬｉＳＧＡＦ結晶２１の直
後に配置した。ＬＢＯ結晶の両端面には基本波波長に対
して反射率０．２％以下、ＳＨＧ光に対して反射率１％
以下の無反射コーティングを施した。波長制御素子２５
には厚さ０．５ｍｍの１枚の水晶板からなる複屈折結晶
を用い、光軸に対してブリュースタ角に配置して光軸の
回りに回転させることで基本波波長を制御し、ＳＨＧ結
晶であるＬＢＯ結晶の位相整合波長に合わせた。共振器
内部のＳＨＧ結晶で一部の基本波がＳＨＧ光に変換さ
れ、出力ミラー２４から共振器外部にＳＨＧ出力３３と
して取り出される。
【００１０】ＳＨＧ結晶の位相整合波長を変えるには結
晶の切り出し角を変化させればよく、４００〜５００ｎ
ｍまでの任意のＳＨＧ光が得ることができる。また、Ｓ
ＨＧ結晶２３としてＢＢＯ、ＣＬＢＯ、ＫＮのいずれか
一つの結晶を用いても良い。波長制御素子として水晶板
の厚さは０．３〜１ｍｍの間もしくは２〜３枚の厚さを
それぞれ変えた水晶板を組み合わせたものを用いること
で波長選択幅を狭くして、ＳＨＧ変換効率を上げること
ができる。
晶の切り出し角を変化させればよく、４００〜５００ｎ
ｍまでの任意のＳＨＧ光が得ることができる。また、Ｓ
ＨＧ結晶２３としてＢＢＯ、ＣＬＢＯ、ＫＮのいずれか
一つの結晶を用いても良い。波長制御素子として水晶板
の厚さは０．３〜１ｍｍの間もしくは２〜３枚の厚さを
それぞれ変えた水晶板を組み合わせたものを用いること
で波長選択幅を狭くして、ＳＨＧ変換効率を上げること
ができる。
【００１１】（実施例２）図２は本発明の他の実施例を
説明するための図である。半導体レーザ１１および集光
光学系１２からなる励起光学系は実施例１と同様で励起
光３１を入射している。本実施例では各結晶の位置を変
えて、ＳＨＧ結晶２８内に共振器ビームのビームウエス
トを持つことでビーム断面積を小さくしてエネルギー密
度を高めＳＨＧ変換効率を高くすることができる構成で
ある。凹面ミラー２６、固体レーザ結晶２７、波長制御
素子２５、ＳＨＧ結晶２８の順に配置している。凹面ミ
ラー２６の平板側には励起光に対して無反射コーティン
グ、凹面側には基本波に対して高反射と励起光に対して
８５％以上の透過率のコーティングを施している。固体
レーザ結晶のＬｉＳＧＡＦの両端面には基本波に対して
無反射コーティングと励起光側の端面には励起光に対し
て透過率９０％以上のコーティングを施している。ＳＨ
Ｇ結晶にはＬＢＯ結晶を用い、片端面には基本波に対し
て無反射コーティング、もう一方には基本波に対して９
９％以上の高反射とＳＨＧ光に対して８５％以上の透過
率のコーティングを施している。この高反射膜２９と凹
面ミラーの高反射膜の間で共振器を構成している。本実
施例２では前記実施例１よりも２倍以上の効率でＳＨＧ
光３３が得られた。
説明するための図である。半導体レーザ１１および集光
光学系１２からなる励起光学系は実施例１と同様で励起
光３１を入射している。本実施例では各結晶の位置を変
えて、ＳＨＧ結晶２８内に共振器ビームのビームウエス
トを持つことでビーム断面積を小さくしてエネルギー密
度を高めＳＨＧ変換効率を高くすることができる構成で
ある。凹面ミラー２６、固体レーザ結晶２７、波長制御
素子２５、ＳＨＧ結晶２８の順に配置している。凹面ミ
ラー２６の平板側には励起光に対して無反射コーティン
グ、凹面側には基本波に対して高反射と励起光に対して
８５％以上の透過率のコーティングを施している。固体
レーザ結晶のＬｉＳＧＡＦの両端面には基本波に対して
無反射コーティングと励起光側の端面には励起光に対し
て透過率９０％以上のコーティングを施している。ＳＨ
Ｇ結晶にはＬＢＯ結晶を用い、片端面には基本波に対し
て無反射コーティング、もう一方には基本波に対して９
９％以上の高反射とＳＨＧ光に対して８５％以上の透過
率のコーティングを施している。この高反射膜２９と凹
面ミラーの高反射膜の間で共振器を構成している。本実
施例２では前記実施例１よりも２倍以上の効率でＳＨＧ
光３３が得られた。
【００１２】（実施例３）図４は本発明を用いたレーザ
プリンタ装置に用いた応用例を説明するための図であ
る。実施例１で説明した第二高調波発生装置１００から
出射されたＳＨＧ出力３３は音響光学（以下ＡＯ：Acou
st-Optical）変調器４０１、折り返しミラー４０２、ビ
ームエキスパンダ４０３、回転多面鏡４０４、ｆθレン
ズ４０５を通過して感光ドラム４０６に集光される。Ａ
Ｏ変調４０１は画像情報に応じてＳＨＧ出力３３の変調
を行い、回転多面鏡４０４は水平（紙面内）方向に走査
する。この組み合わせで２次元情報は感光ドラム４０６
に部分的な電位差として記録される。感光ドラム４０６
は前記電位差に応じてトナーを付着して回転し、記録用
紙に情報を再生する。
プリンタ装置に用いた応用例を説明するための図であ
る。実施例１で説明した第二高調波発生装置１００から
出射されたＳＨＧ出力３３は音響光学（以下ＡＯ：Acou
st-Optical）変調器４０１、折り返しミラー４０２、ビ
ームエキスパンダ４０３、回転多面鏡４０４、ｆθレン
ズ４０５を通過して感光ドラム４０６に集光される。Ａ
Ｏ変調４０１は画像情報に応じてＳＨＧ出力３３の変調
を行い、回転多面鏡４０４は水平（紙面内）方向に走査
する。この組み合わせで２次元情報は感光ドラム４０６
に部分的な電位差として記録される。感光ドラム４０６
は前記電位差に応じてトナーを付着して回転し、記録用
紙に情報を再生する。
【００１３】（実施例４）図５は本発明を用いた微粒子
検査装置に用いた応用例として、Ｓｉウエハー上の微粒
子を検出する装置を説明するための図である。実施例１
で説明した第二高調波発生装置１００から出射されたＳ
ＨＧ出力３３は光学ヘッド５００に入射され折り返しミ
ラー５０２、集光レンズ５０３で回折限界までに集光さ
れＳｉウエハー５０１に照射される。波長オーダー０．
４μｍまでに集光された光から散乱される光５０５を光
検出器５０４でそれぞれの位置で受光され強度を記録
し、光学ヘッド５００が回転するウエハー５０１の中心
部分から端部へ移動することでウエハー面上の微粒子の
分布を測定する。ＳＨＧ波長の１／１０以下程度までの
微粒子を検出することができる。
検査装置に用いた応用例として、Ｓｉウエハー上の微粒
子を検出する装置を説明するための図である。実施例１
で説明した第二高調波発生装置１００から出射されたＳ
ＨＧ出力３３は光学ヘッド５００に入射され折り返しミ
ラー５０２、集光レンズ５０３で回折限界までに集光さ
れＳｉウエハー５０１に照射される。波長オーダー０．
４μｍまでに集光された光から散乱される光５０５を光
検出器５０４でそれぞれの位置で受光され強度を記録
し、光学ヘッド５００が回転するウエハー５０１の中心
部分から端部へ移動することでウエハー面上の微粒子の
分布を測定する。ＳＨＧ波長の１／１０以下程度までの
微粒子を検出することができる。
【００１４】（実施例５）図６は本発明の一実施例を光
造形装置に用いた応用例を説明するための図である。光
源には実施例１で説明した第二高調波発生装置１００を
用いた。青色硬化樹脂６０１を容器に満たし、レーザ光
６０３を液面上にミラー６０２で２次元走査する。この
とき青色硬化樹脂６０１は光が吸収された液面部のみ硬
化する。一断層の形成が終了するとエレベータ６０４は
降下し、次の断層の造形を連続的に行う。この作業によ
り、所望の形状の立体モデル６０５が作製できた。この
ときＳＨＧレーザ光源の波長は４３０ｎｍで出力１０ｍ
Ｗである。
造形装置に用いた応用例を説明するための図である。光
源には実施例１で説明した第二高調波発生装置１００を
用いた。青色硬化樹脂６０１を容器に満たし、レーザ光
６０３を液面上にミラー６０２で２次元走査する。この
とき青色硬化樹脂６０１は光が吸収された液面部のみ硬
化する。一断層の形成が終了するとエレベータ６０４は
降下し、次の断層の造形を連続的に行う。この作業によ
り、所望の形状の立体モデル６０５が作製できた。この
ときＳＨＧレーザ光源の波長は４３０ｎｍで出力１０ｍ
Ｗである。
【００１５】（実施例６）図７は本発明の一実施例を光
記録装置に用いた応用例を説明するための図である。光
源には実施例１で説明した第二高調波発生装置１００を
用いた。光ディスク装置は光磁気記録方式を採用した。
第二高調波発生装置１００より出射されたＳＨＧレーザ
光３３はビームエキスパンダ７０１で拡大された後、平
行光となる。ビームスプリッタ７０２で一部はねられた
光は前方モニター用の光検出器７０８に取り込まれＳＨ
Ｇレーザ光３３をモニターして出力を制御する。ビーム
スプリッタ７０２を透過したビームは集光光学系７０４
で媒体７０５に集光され、反射した光はビームスプリッ
タ７０２で一部反射された後ビームスプリッタ７０６で
２つのビームに分離され２つの光検出器７０７に取り込
まれ、各々オートフォーカスと信号検出を行う。媒体７
０５は一定の磁界が引加されており、ＳＨＧレーザ光３
３を変調させ媒体７０５のキュリー温度まで焦点の温度
を上げて磁化を反転することにより記録する。レーザ光
がＯＮ時には媒体の磁化が反転することで記録される。
なお、記録周波数は１０ＭＨｚとした。また、再生信号
時にも同様のＳＨＧレーザ光を用いて良好な再生信号を
得た。
記録装置に用いた応用例を説明するための図である。光
源には実施例１で説明した第二高調波発生装置１００を
用いた。光ディスク装置は光磁気記録方式を採用した。
第二高調波発生装置１００より出射されたＳＨＧレーザ
光３３はビームエキスパンダ７０１で拡大された後、平
行光となる。ビームスプリッタ７０２で一部はねられた
光は前方モニター用の光検出器７０８に取り込まれＳＨ
Ｇレーザ光３３をモニターして出力を制御する。ビーム
スプリッタ７０２を透過したビームは集光光学系７０４
で媒体７０５に集光され、反射した光はビームスプリッ
タ７０２で一部反射された後ビームスプリッタ７０６で
２つのビームに分離され２つの光検出器７０７に取り込
まれ、各々オートフォーカスと信号検出を行う。媒体７
０５は一定の磁界が引加されており、ＳＨＧレーザ光３
３を変調させ媒体７０５のキュリー温度まで焦点の温度
を上げて磁化を反転することにより記録する。レーザ光
がＯＮ時には媒体の磁化が反転することで記録される。
なお、記録周波数は１０ＭＨｚとした。また、再生信号
時にも同様のＳＨＧレーザ光を用いて良好な再生信号を
得た。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第二高調
波発生装置によれば、高効率で青色領域のＳＨＧ光を得
ることができることを実現した。さらに、この第二高調
波発生装置を光源とすることで応用製品としてレーザプ
リンタなどの信頼性が向上した。
波発生装置によれば、高効率で青色領域のＳＨＧ光を得
ることができることを実現した。さらに、この第二高調
波発生装置を光源とすることで応用製品としてレーザプ
リンタなどの信頼性が向上した。
【図１】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図３】従来の実施例を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例を用いた応用例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図５】本発明の一実施例を用いた応用例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図６】本発明の一実施例を用いた応用例を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図７】本発明の一実施例を用いた応用例を説明するた
めの図である。
めの図である。
１１ 半導体レーザ、 １２ 集光光学系、 ２０ 固
体レーザ共振器、２１、２７ 固体レーザ結晶、 ２２
ミラーコーティング、２３、２８ ＳＨＧ結晶、 ２
４ 出力ミラー、 ２５ 波長制御素子 ２６ 凹面ミラー、 ２９ 高反射ミラー、 ３１ 励
起光、３２ 基本波光、 ３３ ＳＨＧ光、 １００
第二高調波発生装置、３０１ 固体レーザ結晶、 ３０
２ 高反射コーティング、３０３ ＳＨＧ結晶、 ３０
４ 出力ミラー、 ３０５ ビームスプリッタ、４０１
ＡＯ変調器、 ４０２、５０２ 折り返しミラー、４
０３、７０１ ビームエキスパンダ、 ４０４ 回転多
面鏡、４０５ ｆθレンズ、 ４０６ 感光ドラム、
５００ 光学ヘッド、５０１ ウエハー、 ５０３ 集
光レンズ、５０４、７０７、７０８ 光検出器、 ５０
５ 散乱光、６０１ 青色硬化樹脂、 ６０２、７０３
ミラー、 ６０３ レーザ光、６０４ 立体モデル、
７０２、７０６ ビームスプリッタ、７０４ 集光光
学系、 ７０５ 光ディスク媒体。
体レーザ共振器、２１、２７ 固体レーザ結晶、 ２２
ミラーコーティング、２３、２８ ＳＨＧ結晶、 ２
４ 出力ミラー、 ２５ 波長制御素子 ２６ 凹面ミラー、 ２９ 高反射ミラー、 ３１ 励
起光、３２ 基本波光、 ３３ ＳＨＧ光、 １００
第二高調波発生装置、３０１ 固体レーザ結晶、 ３０
２ 高反射コーティング、３０３ ＳＨＧ結晶、 ３０
４ 出力ミラー、 ３０５ ビームスプリッタ、４０１
ＡＯ変調器、 ４０２、５０２ 折り返しミラー、４
０３、７０１ ビームエキスパンダ、 ４０４ 回転多
面鏡、４０５ ｆθレンズ、 ４０６ 感光ドラム、
５００ 光学ヘッド、５０１ ウエハー、 ５０３ 集
光レンズ、５０４、７０７、７０８ 光検出器、 ５０
５ 散乱光、６０１ 青色硬化樹脂、 ６０２、７０３
ミラー、 ６０３ レーザ光、６０４ 立体モデル、
７０２、７０６ ビームスプリッタ、７０４ 集光光
学系、 ７０５ 光ディスク媒体。
Claims (9)
- 【請求項１】 励起光源としての半導体レーザにより励
起される固体レーザ結晶からの第一の放射光を発振させ
るレーザ共振器内に、第一の放射光の発振波長を制御す
るための波長制御素子と、前記レーザ共振器により発振
された第一の発振光を基本波として第二の発振光に波長
変換する非線形光学結晶を有する第二高調波発生装置に
おいて、前記固体レーザ結晶にＬｉＳＧＡＦ（Cr:LiSrG
aF6：クロム添加のフッ化リチウムストロンチュウムガ
リウム）を用いることを特徴とする第二高調波発生装
置。 - 【請求項２】 前記非線形光学結晶によって波長変換さ
れた第二の発振光の波長が４００〜５００ｎｍの可視光
領域の光であることを特徴とする請求項１に記載の第二
高調波発生装置。 - 【請求項３】 前記非線形光学結晶にＬＢＯ（LiB
3O5）、ＢＢＯ（β-BaB2O4）、ＣＬＢＯ（CsLiB
6O10）、ＫＮ（KNbO3）のいずれか一つを用いることを
特徴とする請求項１又は請求項２に記載の第二高調波発
生装置。 - 【請求項４】 前記波長制御素子としてブリュースタ角
に傾けた複屈折結晶として１枚もしくは複数の水晶板を
用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
かに記載の第二高調波発生装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の第二高調波発生装置を用いたことを特徴とするレーザ
応用装置。 - 【請求項６】 前記レーザ応用装置がレーザプリンタ装
置であることを特徴とする請求項５に記載のレーザ応用
装置。 - 【請求項７】 前記レーザ応用装置が微粒子検出装置で
あることを特徴とする請求項５に記載のレーザ応用装
置。 - 【請求項８】 前記レーザ応用装置が光造形装置である
ことを特徴とする請求項５に記載のレーザ応用装置。 - 【請求項９】 前記レーザ応用装置が光記録装置である
ことを特徴とする請求項５に記載のレーザ応用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3477296A JPH09232664A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 第二高調波発生装置およびレーザ応用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3477296A JPH09232664A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 第二高調波発生装置およびレーザ応用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232664A true JPH09232664A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12423602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3477296A Pending JPH09232664A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 第二高調波発生装置およびレーザ応用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232664A (ja) |
-
1996
- 1996-02-22 JP JP3477296A patent/JPH09232664A/ja active Pending
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