JP3182749B2 - 固体レーザ装置 - Google Patents
固体レーザ装置Info
- Publication number
- JP3182749B2 JP3182749B2 JP17395794A JP17395794A JP3182749B2 JP 3182749 B2 JP3182749 B2 JP 3182749B2 JP 17395794 A JP17395794 A JP 17395794A JP 17395794 A JP17395794 A JP 17395794A JP 3182749 B2 JP3182749 B2 JP 3182749B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- crystal
- wavelength
- sfg
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Laser Beam Printer (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光エレクトロニクス分
野、特に紫外レーザ光源および同レーザ光源を用いたレ
ーザプリンタ装置、光造形装置または光ディスク装置等
のレーザ応用装置に用いるための個体レーザ装置に関す
る。
野、特に紫外レーザ光源および同レーザ光源を用いたレ
ーザプリンタ装置、光造形装置または光ディスク装置等
のレーザ応用装置に用いるための個体レーザ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高度情報化時代の進展に伴い、光ディス
ク装置やレーザプリンタ装置などの光記録分野において
は記録密度向上や高速印刷の要求を満足するため、短波
長化への要求が高まっている。しかし製品化レベルで要
求の高い波長域である紫外領域を満足する光源としては
Ｈｅ−Ｃｄ（ヘリウムーカドミウム）レーザ装置やＡｒ
（アルゴン）レーザ装置などのガスレーザ装置しかな
く、大型で消費電力が大きく、例えば光ディスク装置な
どには不向きであった。
ク装置やレーザプリンタ装置などの光記録分野において
は記録密度向上や高速印刷の要求を満足するため、短波
長化への要求が高まっている。しかし製品化レベルで要
求の高い波長域である紫外領域を満足する光源としては
Ｈｅ−Ｃｄ（ヘリウムーカドミウム）レーザ装置やＡｒ
（アルゴン）レーザ装置などのガスレーザ装置しかな
く、大型で消費電力が大きく、例えば光ディスク装置な
どには不向きであった。
【０００３】これに対して光和周波発生（ＳＦＧ；Sum
Frequency Generation）技術を用いることで短波長化す
る方法が提案された。ＳＦＧとは非線形光学結晶に２波
長の光λ1λ2が入射した場合、１／λ1＋１／λ2＝１／
λ3の関係でλ3の波長の光が発生する現象をいう。具体
的には半導体レーザ励起ＹＡＧ（Nd:YAG；ネオジウム添
加のイットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ
において共振器中に配置された非線形光学結晶であるＫ
ＴＰ（KTiOPO4；チタン酸リン酸カリウム）において励
起用半導体レーザ光８０８ｎｍとＹＡＧレーザの発振波
１０６４ｎｍのＳＦＧにより青色レーザ出力４５９ｎｍ
を得る方法が提案された（米国特許第４７９１６３１
号）。
Frequency Generation）技術を用いることで短波長化す
る方法が提案された。ＳＦＧとは非線形光学結晶に２波
長の光λ1λ2が入射した場合、１／λ1＋１／λ2＝１／
λ3の関係でλ3の波長の光が発生する現象をいう。具体
的には半導体レーザ励起ＹＡＧ（Nd:YAG；ネオジウム添
加のイットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ
において共振器中に配置された非線形光学結晶であるＫ
ＴＰ（KTiOPO4；チタン酸リン酸カリウム）において励
起用半導体レーザ光８０８ｎｍとＹＡＧレーザの発振波
１０６４ｎｍのＳＦＧにより青色レーザ出力４５９ｎｍ
を得る方法が提案された（米国特許第４７９１６３１
号）。
【０００４】さらに上記構成に非線形光学結晶を付加す
ることで光第２高調波（ＳＨＧ；Second Harmonic Gene
ration）を発生させることにより、紫外領域のレーザ光
を発生する方法が提案された。これは、具体的には第１
の非線形光学結晶においてＹＡＧレーザのＳＨＧである
波長５３２ｎｍのレーザ光を発生しさらに第２の非線形
光学結晶において前記５３２ｎｍのレーザ光とＹＡＧレ
ーザの発振波１０６４ｎｍのＳＦＧにより紫外レーザ出
力３５５ｎｍを得る方法が提案された（米国特許第５２
５３１０２号）。
ることで光第２高調波（ＳＨＧ；Second Harmonic Gene
ration）を発生させることにより、紫外領域のレーザ光
を発生する方法が提案された。これは、具体的には第１
の非線形光学結晶においてＹＡＧレーザのＳＨＧである
波長５３２ｎｍのレーザ光を発生しさらに第２の非線形
光学結晶において前記５３２ｎｍのレーザ光とＹＡＧレ
ーザの発振波１０６４ｎｍのＳＦＧにより紫外レーザ出
力３５５ｎｍを得る方法が提案された（米国特許第５２
５３１０２号）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記半導体レ
ーザ励起ＹＡＧレーザとＫＴＰ結晶を組み合わせＳＦＧ
により得られる波長４５９ｎｍのレーザ出力は前述の光
記録分野で要求の高い波長４００ｎｍ以下の紫外領域に
到達しなかった。
ーザ励起ＹＡＧレーザとＫＴＰ結晶を組み合わせＳＦＧ
により得られる波長４５９ｎｍのレーザ出力は前述の光
記録分野で要求の高い波長４００ｎｍ以下の紫外領域に
到達しなかった。
【０００６】またＳＦＧの変換効率は第１、第２のレー
ザ光の強度の積に比例する。前記ＹＡＧレーザとＳＨＧ
を組み合わせて得られる波長３５５ｎｍの紫外レーザで
は、ＳＦＧの基本波の一つであるＹＡＧレーザのＳＨＧ
波である波長５３２ｎｍのレーザ光のパワーが小さいた
め高い変換効率が得られず前述のガスレーザ装置の問題
点である大型で消費電力が大きいといった問題点を解決
する仕様でのレーザ装置の実現が困難であった。本発明
の目的は高効率な紫外領域のレーザ光の発生が可能な固
体レーザ装置を提案することである。
ザ光の強度の積に比例する。前記ＹＡＧレーザとＳＨＧ
を組み合わせて得られる波長３５５ｎｍの紫外レーザで
は、ＳＦＧの基本波の一つであるＹＡＧレーザのＳＨＧ
波である波長５３２ｎｍのレーザ光のパワーが小さいた
め高い変換効率が得られず前述のガスレーザ装置の問題
点である大型で消費電力が大きいといった問題点を解決
する仕様でのレーザ装置の実現が困難であった。本発明
の目的は高効率な紫外領域のレーザ光の発生が可能な固
体レーザ装置を提案することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは第１のレー
ザ光を出射する励起光源と、前記励起光源により励起さ
れるクロムを含有するレーザ結晶と、前記レーザ結晶か
ら発生する放射を発振し第２のレーザ光を得るための共
振器構造と、前記第１のレーザ光と第２のレーザ光の相
互作用により波長３６０〜４００ｎｍの第３のレーザ光
を発生する手段とからなる固体レーザ装置を用いれば、
波長４００ｎｍ以下の紫外領域のレーザ光が高効率で安
定して得られることを見いだし、本発明に想到した。
ザ光を出射する励起光源と、前記励起光源により励起さ
れるクロムを含有するレーザ結晶と、前記レーザ結晶か
ら発生する放射を発振し第２のレーザ光を得るための共
振器構造と、前記第１のレーザ光と第２のレーザ光の相
互作用により波長３６０〜４００ｎｍの第３のレーザ光
を発生する手段とからなる固体レーザ装置を用いれば、
波長４００ｎｍ以下の紫外領域のレーザ光が高効率で安
定して得られることを見いだし、本発明に想到した。
【０００８】図１は本発明の基本的な構造を説明するた
めの図である。励起光となる第１のレーザ入力４１はＣ
ｒ系レーザ結晶２１に一部吸収されレーザ結晶２１を励
起する。励起されたレーザ結晶２１を含む共振器構造２
０によりレーザ結晶からの放射光は発振し、第２のレー
ザ光４２となる。ここで前記第１のレーザ光４１のう
ち、レーザ結晶２１を透過した一部のレーザ光は共振器
内部に配置された非線形光学結晶３１に第２のレーザ光
４２と一緒に入射される。非線形光学結晶３１において
前記第１および第２のレーザ光（４１，４２）の相互作
用により第３のレーザ光４３が発生し、出射される。
めの図である。励起光となる第１のレーザ入力４１はＣ
ｒ系レーザ結晶２１に一部吸収されレーザ結晶２１を励
起する。励起されたレーザ結晶２１を含む共振器構造２
０によりレーザ結晶からの放射光は発振し、第２のレー
ザ光４２となる。ここで前記第１のレーザ光４１のう
ち、レーザ結晶２１を透過した一部のレーザ光は共振器
内部に配置された非線形光学結晶３１に第２のレーザ光
４２と一緒に入射される。非線形光学結晶３１において
前記第１および第２のレーザ光（４１，４２）の相互作
用により第３のレーザ光４３が発生し、出射される。
【０００９】ここで前記Ｃｒ系レーザ結晶２１がＬｉＳ
ＡＦ（Ｃｒ：ＬｉＳｒＡｌＦ6；クロム添加のフッ化リ
チュウムストロンチュウムアルミニュウム）結晶である
場合、前記第１のレーザ入力４１である励起光の波長は
６７０ｎｍ近傍とすることができ、現状で市販のコンパ
クトな半導体レーザによる励起が可能で小型化および高
効率化が達成できる。またＬｉＳＡＦレーザの発振波で
ある前記第２のレーザ光４２は７８０〜１０００ｎｍの
範囲で発振可能であり、したがって前記第３のレーザ光
４３は前述の１／λ1＋１／λ2＝１／λ3の関係から３
６０〜４００ｎｍとなり、紫外領域のレーザ出力を得る
ことができる。
ＡＦ（Ｃｒ：ＬｉＳｒＡｌＦ6；クロム添加のフッ化リ
チュウムストロンチュウムアルミニュウム）結晶である
場合、前記第１のレーザ入力４１である励起光の波長は
６７０ｎｍ近傍とすることができ、現状で市販のコンパ
クトな半導体レーザによる励起が可能で小型化および高
効率化が達成できる。またＬｉＳＡＦレーザの発振波で
ある前記第２のレーザ光４２は７８０〜１０００ｎｍの
範囲で発振可能であり、したがって前記第３のレーザ光
４３は前述の１／λ1＋１／λ2＝１／λ3の関係から３
６０〜４００ｎｍとなり、紫外領域のレーザ出力を得る
ことができる。
【００１０】前述のようにＳＦＧの変換効率は前記第
１、第２のレーザ光の強度の積に比例するため、この積
の値が最大となるようにレーザ結晶における第１のレー
ザ光の透過率を決定する必要がある。例えばＬｉＳＡＦ
結晶の場合には最適なＣｒ元素の添加量を決定する必要
がある。さらに、前述の３６０〜４００ｎｍの範囲でＳ
ＦＧが可能な非線形光学結晶としてＬＢＯ（LiB3O5；ホ
ウ酸リチュウム）やＢＢＯ（β-BaB2O4；ホウ酸バリウ
ム）などの結晶が挙げられる。
１、第２のレーザ光の強度の積に比例するため、この積
の値が最大となるようにレーザ結晶における第１のレー
ザ光の透過率を決定する必要がある。例えばＬｉＳＡＦ
結晶の場合には最適なＣｒ元素の添加量を決定する必要
がある。さらに、前述の３６０〜４００ｎｍの範囲でＳ
ＦＧが可能な非線形光学結晶としてＬＢＯ（LiB3O5；ホ
ウ酸リチュウム）やＢＢＯ（β-BaB2O4；ホウ酸バリウ
ム）などの結晶が挙げられる。
【００１１】
（実施例１）図２は本発明の一実施例を説明するための
図である。半導体レーザ１１から出射された励起光であ
る第１の発振波４１は集光光学系１２により集光され、
レーザ結晶２１を励起する。半導体レーザ１１はAlGaIn
P系半導体レーザを用い、発振波長６７０ｎｍである。
また、集光光学系１２は半導体レーザコリメータ（ｆ＝
８ｍｍ）とアナモルフィックプリズムペア(倍率；６
倍)、および単レンズ（ｆ＝５０ｍｍ）を用いた。
図である。半導体レーザ１１から出射された励起光であ
る第１の発振波４１は集光光学系１２により集光され、
レーザ結晶２１を励起する。半導体レーザ１１はAlGaIn
P系半導体レーザを用い、発振波長６７０ｎｍである。
また、集光光学系１２は半導体レーザコリメータ（ｆ＝
８ｍｍ）とアナモルフィックプリズムペア(倍率；６
倍)、および単レンズ（ｆ＝５０ｍｍ）を用いた。
【００１２】励起されたレーザ結晶２１はレーザ結晶端
面に形成された入射側共振器ミラー２２と出力ミラー２
４からなる固体レーザ共振器２０で固体レーザ発振波で
ある第２の発振波４２を発生する。固体レーザ共振器２
０中にはレーザ結晶２１とＳＦＧ結晶３１と波長制御素
子２５が配置されている。このとき共振器構造２０は平
凹式共振器であり、出力ミラー２４の曲率半径は１５０
ｍｍ、共振器長は１４５ｍｍとした。レーザ結晶２１に
はＣｒ添加量３ｍｏｌ％のＬｉＳＡＦ結晶(３×３×１
ｍｍ)を用いた。結晶の前方端面２２には第１の発振波
４１に対して反射率２％以下の無反射（以下単にＡＲ；
Anti-Reflection）コーティング、第２の発振波４２に
対して反射率９９％以上の全反射（以下単にＨＲ；High
-Reflection）コーティングを施した。後方端面には第
１および第２の発振波（４１，４２）に対して反射率５
％以下のＡＲコーティングを施した。このときＬｉＳＡ
Ｆ結晶における第１の発振波４１の透過率は４０％程度
となる。
面に形成された入射側共振器ミラー２２と出力ミラー２
４からなる固体レーザ共振器２０で固体レーザ発振波で
ある第２の発振波４２を発生する。固体レーザ共振器２
０中にはレーザ結晶２１とＳＦＧ結晶３１と波長制御素
子２５が配置されている。このとき共振器構造２０は平
凹式共振器であり、出力ミラー２４の曲率半径は１５０
ｍｍ、共振器長は１４５ｍｍとした。レーザ結晶２１に
はＣｒ添加量３ｍｏｌ％のＬｉＳＡＦ結晶(３×３×１
ｍｍ)を用いた。結晶の前方端面２２には第１の発振波
４１に対して反射率２％以下の無反射（以下単にＡＲ；
Anti-Reflection）コーティング、第２の発振波４２に
対して反射率９９％以上の全反射（以下単にＨＲ；High
-Reflection）コーティングを施した。後方端面には第
１および第２の発振波（４１，４２）に対して反射率５
％以下のＡＲコーティングを施した。このときＬｉＳＡ
Ｆ結晶における第１の発振波４１の透過率は４０％程度
となる。
【００１３】ＳＦＧ結晶３１としては３×３×５ｍｍの
ＬＢＯ結晶をＬｉＳＡＦ結晶２１の直後に配置した。Ｌ
ＢＯ結晶３１の両端面には第１および第２の発振波（４
１，４２）に対して反射率２％以下、第１および第２の
発振波の相互作用により得られた第３の発振波４３に対
して反射率１５％以下のＡＲコーティングを施した。
ＬＢＯ結晶をＬｉＳＡＦ結晶２１の直後に配置した。Ｌ
ＢＯ結晶３１の両端面には第１および第２の発振波（４
１，４２）に対して反射率２％以下、第１および第２の
発振波の相互作用により得られた第３の発振波４３に対
して反射率１５％以下のＡＲコーティングを施した。
【００１４】波長制御素子２５としては厚さが異なる３
枚の水晶板からなる複屈折フィルタをブリュースター角
に配置したものを用いた。前記複屈折フィルタ２５は光
軸の回りに回転調整することで第２の発振波４２の波長
を約７８０〜１０００ｎｍの範囲で制御する。このとき
波長選択幅は２ｎｍ以下とした。出力ミラー２４には第
１および第２の発振波（４１，４２）に対して反射率９
９％以上ＨＲコーティングを施した。特に第１の発振波
４１は出力ミラーにより反射し再びＳＦＧ結晶３１に帰
還することで効率よく第３の発振波４３を得ることがで
きる。
枚の水晶板からなる複屈折フィルタをブリュースター角
に配置したものを用いた。前記複屈折フィルタ２５は光
軸の回りに回転調整することで第２の発振波４２の波長
を約７８０〜１０００ｎｍの範囲で制御する。このとき
波長選択幅は２ｎｍ以下とした。出力ミラー２４には第
１および第２の発振波（４１，４２）に対して反射率９
９％以上ＨＲコーティングを施した。特に第１の発振波
４１は出力ミラーにより反射し再びＳＦＧ結晶３１に帰
還することで効率よく第３の発振波４３を得ることがで
きる。
【００１５】前述のように複屈折フィルタ２５を用いて
第２の発振波を７８０〜１０００ｎｍとし、第１の発振
波とのＳＦＧにより３６０〜４００ｎｍの範囲のレーザ
出力４３を得ることができた（以下単にＳＦＧ光源と称
す）。なお、本発明における図２中の共振器内部に挿入
されたＳＦＧ結晶３１と波長制御素子２５の位置は前後
の交代が可能である。また、前記ＨＲコーティングの反
射率は９５％以上のものを用いればよく、特に９９％以
上とする必要はない。本実施例ではＣｒ添加量３ｍｏｌ
％のＬｉＳＡＦ結晶(３×３×１ｍｍ)を用いたが、第１
の発振波の透過率が１０％以上の範囲でＣｒ添加量と結
晶長との組合せは任意である。また、ＬｉＳＡＦ結晶２
１の吸収の波長許容幅は約１００ｎｍと広く励起用半導
体レーザを温度制御素子などを用いて波長制御しなかっ
たが、最大吸収波長に一致させるため制御しても良い。
ＳＦＧ結晶３１としてＬＢＯ結晶の代わりにＢＢＯ結晶
を用いても良い。前記複屈折フィルタ２５はプリズムな
ど波長制御可能な素子であれば代用可能である。
第２の発振波を７８０〜１０００ｎｍとし、第１の発振
波とのＳＦＧにより３６０〜４００ｎｍの範囲のレーザ
出力４３を得ることができた（以下単にＳＦＧ光源と称
す）。なお、本発明における図２中の共振器内部に挿入
されたＳＦＧ結晶３１と波長制御素子２５の位置は前後
の交代が可能である。また、前記ＨＲコーティングの反
射率は９５％以上のものを用いればよく、特に９９％以
上とする必要はない。本実施例ではＣｒ添加量３ｍｏｌ
％のＬｉＳＡＦ結晶(３×３×１ｍｍ)を用いたが、第１
の発振波の透過率が１０％以上の範囲でＣｒ添加量と結
晶長との組合せは任意である。また、ＬｉＳＡＦ結晶２
１の吸収の波長許容幅は約１００ｎｍと広く励起用半導
体レーザを温度制御素子などを用いて波長制御しなかっ
たが、最大吸収波長に一致させるため制御しても良い。
ＳＦＧ結晶３１としてＬＢＯ結晶の代わりにＢＢＯ結晶
を用いても良い。前記複屈折フィルタ２５はプリズムな
ど波長制御可能な素子であれば代用可能である。
【００１６】（実施例２） 図３は本発明の個体レーザ装置を応用したレーザプリン
タ装置の一実施例を説明するための図である。実施例１
で説明したＳＦＧ光源１から出射された第３の発振波４
３は、音響光学（以下単にＡＯ；Acousto-Optical）変
調器５１、ビームエキスパンダ５２、回転 多面鏡５
３、ｆθレンズ５４を通過し、感光ドラム５５に集光さ
れる。ＡＯ変調器５１は画像情報に応じてＳＦＧ出力４
３の変調を行い、回転多面鏡５３は水平（紙面内）方向
に走査する。この組合せで２次元情報は感光ドラム５５
に部分的な電位差として記録される。感光ドラム５５は
前記電位差に応じてトナーを付着して回転し、記録用紙
に情報を再生する。
タ装置の一実施例を説明するための図である。実施例１
で説明したＳＦＧ光源１から出射された第３の発振波４
３は、音響光学（以下単にＡＯ；Acousto-Optical）変
調器５１、ビームエキスパンダ５２、回転 多面鏡５
３、ｆθレンズ５４を通過し、感光ドラム５５に集光さ
れる。ＡＯ変調器５１は画像情報に応じてＳＦＧ出力４
３の変調を行い、回転多面鏡５３は水平（紙面内）方向
に走査する。この組合せで２次元情報は感光ドラム５５
に部分的な電位差として記録される。感光ドラム５５は
前記電位差に応じてトナーを付着して回転し、記録用紙
に情報を再生する。
【００１７】このとき感光ドラム５５に塗布された感光
体はセレン（Ｓｅ）であり、感度のピーク波長は４００
ｎｍにある。このときＳＦＧ光源は波長４００ｎｍ、出
力１５ｍＷとした。
体はセレン（Ｓｅ）であり、感度のピーク波長は４００
ｎｍにある。このときＳＦＧ光源は波長４００ｎｍ、出
力１５ｍＷとした。
【００１８】（実施例３） 図４は本発明の個体レーザ装置を応用した光造形装置の
一実施例を説明するための図である。光源には実施例１
で説明したＳＦＧ光源１を用いた。波長３７０ｎｍ近傍
にて吸収特性のピークを有する紫外線硬化樹脂６１を容
器に満たし、レーザ光を液面上に２次元走査する。この
とき紫外線硬化樹脂６１は光が吸収された液面部６１−
ａのみ硬化する。一断層の形成が終了するとエレベータ
６２は降下し、次の断層の造形を連続的に行う。この作
業により、所望の形状の立体モデル６３が作成可能であ
る。このときＳＦＧ光源は波長３７０ｎｍ、出力３０ｍ
Ｗとした。
一実施例を説明するための図である。光源には実施例１
で説明したＳＦＧ光源１を用いた。波長３７０ｎｍ近傍
にて吸収特性のピークを有する紫外線硬化樹脂６１を容
器に満たし、レーザ光を液面上に２次元走査する。この
とき紫外線硬化樹脂６１は光が吸収された液面部６１−
ａのみ硬化する。一断層の形成が終了するとエレベータ
６２は降下し、次の断層の造形を連続的に行う。この作
業により、所望の形状の立体モデル６３が作成可能であ
る。このときＳＦＧ光源は波長３７０ｎｍ、出力３０ｍ
Ｗとした。
【００１９】（実施例４） 図５は本発明の個体レーザ装置を応用した光ディスク装
置の一実施例を説明するための図である。光源には実施
例１で説明したＳＦＧ光源１を用いた。光ディスク装置
は光磁気記録方式を採用した。光源より出射されたＳＦ
Ｇ出力４３はビームエキスパンダ５２で拡大された後平
行光となる。ビームスプリッタ７２で一部はねられた光
は前方モニタ７３に取り込まれる。ビームスプリッタ７
２を通過したビームは集光光学系７４で媒体７５に集光
され、反射された光はビームスプリッタ７２で一部反射
された後２つのビームに分離され２つのディテクタ７６
に各々取り込まれる。前方モニタ７３ではＳＦＧ出力４
３をモニタしてＳＦＧ出力４３の制御を行う。また、ビ
ームスプリッタ７２後の２つのディテクタ７６は各々オ
ートフォーカスと信号検出を行う。
置の一実施例を説明するための図である。光源には実施
例１で説明したＳＦＧ光源１を用いた。光ディスク装置
は光磁気記録方式を採用した。光源より出射されたＳＦ
Ｇ出力４３はビームエキスパンダ５２で拡大された後平
行光となる。ビームスプリッタ７２で一部はねられた光
は前方モニタ７３に取り込まれる。ビームスプリッタ７
２を通過したビームは集光光学系７４で媒体７５に集光
され、反射された光はビームスプリッタ７２で一部反射
された後２つのビームに分離され２つのディテクタ７６
に各々取り込まれる。前方モニタ７３ではＳＦＧ出力４
３をモニタしてＳＦＧ出力４３の制御を行う。また、ビ
ームスプリッタ７２後の２つのディテクタ７６は各々オ
ートフォーカスと信号検出を行う。
【００２０】媒体７５には一定の磁界が印加されてお
り、ＳＦＧ出力４３を変調させて媒体のキュリー温度ま
で焦点の温度を上げて磁化を反転することにより記録を
行った。出力ON時には媒体の磁界が反転し、出力OFF時
には磁界反転が行われず信号記録が可能となる。なお、
記録周波数は１０ＭＨｚとした。信号再生時には記録時
と同様のＳＦＧ光源１を用い、良好な再生信号を得た。
り、ＳＦＧ出力４３を変調させて媒体のキュリー温度ま
で焦点の温度を上げて磁化を反転することにより記録を
行った。出力ON時には媒体の磁界が反転し、出力OFF時
には磁界反転が行われず信号記録が可能となる。なお、
記録周波数は１０ＭＨｚとした。信号再生時には記録時
と同様のＳＦＧ光源１を用い、良好な再生信号を得た。
【発明の効果】本発明ではＳＦＧ方式を用いた新しい全
固体紫外光源を提案し、さらにこのＳＦＧ光源を用いた
レーザプリンタ、光造形装置および光ディスク装置を実
現した。本発明により小型で高効率な全固体紫外レーザ
光源が可能となり、さらに高精細でかつ高速のレーザプ
リンタ装置、高速の光造形装置および高密度記録可能な
光ディスク装置を実現した。さらに光源が全固体レーザ
であることから、寿命および安定性の改善が可能とな
り、紫外レーザの信頼性を向上した。
固体紫外光源を提案し、さらにこのＳＦＧ光源を用いた
レーザプリンタ、光造形装置および光ディスク装置を実
現した。本発明により小型で高効率な全固体紫外レーザ
光源が可能となり、さらに高精細でかつ高速のレーザプ
リンタ装置、高速の光造形装置および高密度記録可能な
光ディスク装置を実現した。さらに光源が全固体レーザ
であることから、寿命および安定性の改善が可能とな
り、紫外レーザの信頼性を向上した。
【図１】本発明の基本的な方式を説明するための図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施例を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施例を説明するための図である。
１ 半導体レーザ励起固体レーザ装置 １１ 半導体レーザ １２ 集光光学系 ２０ 固体レーザ共振器 ２１ レーザ結晶 ２２ 入射側共振器ミラー ２３ 出力ミラー ２５ 波長制御素子（複屈折フィルタ） ３１ ＳＦＧ結晶 ４１ 第１の発振波（励起ビーム） ４２ 第２の発振波（固体レーザ発振波） ４３ 第３の発振波（ＳＦＧ出力）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−62621（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−164048（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−210135（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−2194（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．61 （20）ｐ．ｐ．2381−2382 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/37 H01S 3/109 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＰＩ／Ｌ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (2)
- 【請求項１】 発生する第１のレーザ光の波長λ １ が６
００ｎｍ帯である半導体レーザと、前記波長λ １ におけ
る透過率が少なくとも１０％以上のクロムを含有するレ
ーザ結晶と、励起された前記レーザ結晶からの放射を波
長λ ２ が約７８０〜１０００ｎｍの帯域の波長で発振す
るための前記レーザ結晶を内包するように備えられた共
振器構造と、前記λ １ とλ ２ との和周波を効率よく発生
するように共振器中に配置された非線形光学結晶である
ＬＢＯ（LiB３O５;ホウ酸リチュウム）またはＢＢＯ
（β-BaB２O４;ホウ酸バリウム）とからなることを特徴
とする固体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記レーザ結晶がＬｉＳＡＦ（Ｃｒ：Ｌ
ｉＳｒＡｌＦ６;クロム添加のフッ化リチュウムストロ
ンチュウムアルミニュウム）結晶であることを特徴とす
る請求項１に記載の固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17395794A JP3182749B2 (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17395794A JP3182749B2 (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 固体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836199A JPH0836199A (ja) | 1996-02-06 |
| JP3182749B2 true JP3182749B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=15970193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17395794A Expired - Fee Related JP3182749B2 (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3182749B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7228793B2 (ja) | 2019-06-07 | 2023-02-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 波長変換デバイス |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17395794A patent/JP3182749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１（２０）ｐ．ｐ．２３８１−２３８２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0836199A (ja) | 1996-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07507901A (ja) | ハイパワー小型のダイオードポンプ型チューナブルレーザ | |
| JPH04171778A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH07318996A (ja) | 波長変換導波路型レーザ装置 | |
| US6807210B2 (en) | Systems and a method for generating blue laser beam | |
| US5583882A (en) | Laser apparatus and apparatus employing laser | |
| EP0759574B1 (en) | Second harmonic generator and laser application apparatus | |
| JP3182749B2 (ja) | 固体レーザ装置 | |
| US5757827A (en) | Second harmonic generating apparatus and apparatus employing laser | |
| EP0748008B1 (en) | Laser and applications | |
| JP2000216465A (ja) | レ―ザ共振器 | |
| EP0820130A2 (en) | Laser beam emitting apparatus | |
| Schinke | Generation of ultraviolet light using the Nd: YAG laser | |
| JPH10239724A (ja) | 第二高調波発生装置およびレーザ応用装置 | |
| JP2820800B2 (ja) | 第二高調波発生装置 | |
| KR100246274B1 (ko) | 레이저 공진기, 레이저 장치, 레이저 응용 장치 및 레이저 발진 방법 | |
| JPH09116219A (ja) | レーザ光発生装置、およびレーザ応用装置 | |
| JPH09275236A (ja) | レーザ装置およびレーザ応用装置 | |
| JP3296048B2 (ja) | 短波長光源 | |
| JPH08334802A (ja) | レーザ装置およびレーザ応用装置 | |
| JP2663197B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH08297306A (ja) | レーザ装置およびレーザ応用装置 | |
| JPH0895105A (ja) | 第二高調波発生装置およびレーザプリンタ装置 | |
| JPH1154827A (ja) | 低ノイズ化第二高調波発生装置およびレーザ応用装置 | |
| JPH08146478A (ja) | レーザ共振器、レーザ装置、レーザ応用装置及びレーザ発振方法 | |
| JPH05243659A (ja) | レーザ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |